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JP2013240161A - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高速・高応答対応が要求される電力変換装置において、出力電流を精度良く検出できるようにする。
【解決手段】それぞれ直流電圧源c1〜c4を有してこの直流電圧源c1〜c4からの直流電力を交流電力に変換する複数のフルブリッジ型の単相インバータa1〜a4を備え、これらの各単相インバータa1〜a4を順次直列に接続してなる電力変換器1と、この電力変換器1の出力電圧を制御する制御装置2とを備えており、各単相インバータa1〜a4の内、最も小さい直流電圧V1を生じる直流電圧源c1で動作する単相インバータa1の交流出力側に電力変換器1の出力電流を検出する電流検出手段Gを配置している。
【選択図】図1

Description

この発明は、インバータから負荷に流れる出力電流を安価かつ精度良く検出可能な電力変換装置に関するものである。
モータを負荷とする可変速度駆動装置としてPWMインバータが多く採用されている。そして、PWMインバータのスイッチング素子としてMOSFETやIGBT等の高速スイッチング素子が使用され、高いスイッチング周波数とすることで波形改善の向上が図られている。
このようなPWMインバータの制御特性は、電流検出器の検出精度に大きく依存し、一般的には、ホールCTが適用される。この場合に、ホールCTで検出する電流は、PWMインバータを構成するスイッチング素子のオン/オフで発生する数百ボルト/usの電圧変化(dV/dt)に起因して、数kHzの周波数で変動するようなスイッチングノイズを含む電流であり、そのスイッチングノイズが検出精度に大きく影響を与える。
このようなスイッチング素子のオン/オフで発生する電圧変化(dV/dt)に起因したスイッチングノイズの影響を最小限に抑制するため、従来技術では、電流検出器で得られる検出電流について、所定の周期毎に、この周期より十分短い時間間隔で複数回のサンプリングを行い、サンプリングして得られた各サンプル値の平均値を求め、この平均値を電流検出値として制御装置に取り込んでモータの速度制御を行うようにした方法が提案されている(例えば、下記の特許文献1参照)。
特開平9−23658号公報
しかし、このような検出方法では、上記の検出電流に含まれるスイッチングノイズの影響を小さくするほどの大きな平均化処理が必要となるため、その処理に時間がかかり、高速・高応答が要求されるモータの可変速度駆動装置に採用することが困難であるという問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するために成されたものであって、それぞれ直流電圧源を有してこの直流電圧源からの直流電力を交流電力に変換する複数の単相インバータを順次直列に接続して各単相インバータによる各発生電圧の総和を出力する電力変換器を採用し、スイッチングノイズの影響を受けることなく、安価でかつ精度良い電流検出が可能な電力変換装置を得ることを目的としている。
この発明に係る電力変換装置は、それぞれ直流電圧源を有してこの直流電圧源からの直流電力を交流電力に変換する複数の単相インバータを備え、これらの各単相インバータを順次直列に接続して上記各単相インバータによる各発生電圧の総和を出力する電力変換器と、この電力変換器の上記出力電圧を制御する制御装置と、を備えた電力変換装置において、上記各単相インバータの内、最も小さい直流電圧を生じる上記直流電圧源で動作する単相インバータの交流出力側に上記電力変換器の出力電流を検出する電流検出手段を配置したことを特徴としている。
この発明の電力変換装置は、最も小さい直流電圧を生じる直流電圧源で動作する単相インバータの交流出力側の直近に電流検出器を配置するため、単相インバータのスイッチング素子のオン/オフで発生する電圧変化(dV/dt)に起因したスイッチングノイズの影響が小さくなり、電力変換装置の出力電流を精度良く検出することができる。さらに、電流検出器として安価なシャント抵抗などを使用することができるため、低価格で実現可能となる。
この発明の実施の形態1における電力変換装置が備える電力変換器の部分を示す構成図である。 この発明の実施の形態1における電力変換装置が備える制御装置の構成図である。 この発明の実施の形態1における制御装置のAD変換器の出力の説明図である。 この発明の実施の形態1における制御装置のゲート駆動信号分配部の動作の説明図である。 この発明の実施の形態1における各単相インバータの制御動作の説明図である。 この実施の形態1において、各単相インバータの出力電圧と電力変換器全体の出力電圧との関係を示す波形図である。 この発明の実施の形態2における電力変換装置が備える電力変換器の部分を示す構成図である。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1における電力変換装置が備える電力変換器の部分を示す構成図である。
この実施の形態1の電力変換装置は、それぞれ異なる直流電圧V1〜V4を発生する絶縁された直流電圧源c1〜c4を有する4つの単相インバータa1〜a4を備えている。そして、これらの各単相インバータa1〜a4の交流出力側を順次直列に接続することにより、各単相インバータa1〜a4による各発生電圧の総和を出力する電力変換器1が構成されている。以下、この構成の電力変換器1を階調制御型電力変換器1と称する。なお、各直流電圧源c1〜c4に対しては、図示しないバッテリや太陽電池、AC/DCコンバータなどの別の直流電圧源から直流電力が供給される。
この階調制御型電力変換器1を構成する各単相インバータa1〜a4は、ダイオードを逆並列に接続した4つのMOSFET等の自己消弧型の半導体スイッチング素子b1(b11、・・・、b14)〜b4(b41、・・・、b44)をフルブリッジ型に構成してなり、直流電圧源c1〜c4からの直流電力を交流電力に変換して、負荷としてのモータ3に電力が供給される。この場合、各単相インバータa1〜a4の直流電圧源c1〜c4で発生する各直流電圧V1,V2,V3,V4は、1:2:4:8のように、2の累乗比の電圧比となるように予め設定されている。
なお、この実施の形態1の階調制御型電力変換器1は、4つの単相インバータa1〜a4を備えているが、単相インバータの数は4つに限定されるものではなく、2以上であればこの発明を適用可能である。また、自己消弧型の半導体スイッチング素子b1(b11、・・・、b14)〜b4(b41、・・・、b44)として、ここではMOSFETを示しているが、これに限らずIGBT、GCT、GTO、トランジスタ等の半導体スイッチング素子を適用することができる。
図2は、この発明の実施の形態1における電力変換装置が備える制御装置の構成図である。
制御装置2は、ゲート駆動信号10aによって階調制御型電力変換器1の各単相インバータa1〜a4の各スイッチング素子b1(b11、・・・、b14)〜b4(b41、・・・、b44)をオン/オフ駆動することによりその出力電圧を制御するものであり、電圧指令生成部5、ゲイン調整手段11、AD変換器15、三角波発生部6、PWM制御部7、信号加算部8、リミッタ9、およびゲート駆動信号分配部10を備える。
電圧指令生成部5は、後述の電流検出手段Gで検出された電流と、モータ3を適切に動作させるために外部から与えられる電流指令値との偏差を求め、この偏差に基づいてこの偏差を小さくして零になるようにフィードバック制御するためのアナログの出力電圧指令4を生成する。
このアナログの出力電圧指令4は、ゲイン調整手段11で適切な信号レベルに調整された後、AD変換器15でディジタル値に変換されて出力される。この場合のディジタル値に変換後の出力電圧指令50を、以下、ディジタル電圧指令値50と称する。
次に、上記構成の制御装置2における動作について説明する。なお、図1に示した階調制御型電力変換器1は、n=4、すなわち4つの単相インバータa1〜a4を備えて構成されているが、図2〜図5を用いた以下の説明では、nは2以上の自然数として、その個数を特定せずに一般化して説明することとする。
制御装置2のAD変換器15によって、電圧指令生成部5からの出力電圧指令値(アナログ値)4がディジタル電圧指令値50に変換されるが、その際、図3に示すように、このディジタル電圧指令値50を、上位ビットからなる整数部50aと下位ビットからなる小数部50bとに分割する。ディジタル電圧指令値50の上位ビットからなる整数部50aは、基本出力レベルとして生成されるもので、この整数部50aのビット数が、直列接続された各単相インバータa1〜anの個数nと等しくなるように、前段のゲイン調整手段11で調整しておく。
これにより、上位nビットを整数部50a、それより下位の下位ビットを小数部50bとし、整数部50aを信号加算部8へ、小数部50bをPWM制御部7へそれぞれ出力する。PWM制御部7は、小数部50bを三角波発生部6からの三角波をキャリア波として比較し、PWM電圧指令7aを出力する。
出力されたPWM電圧指令7aは、信号加算部8において上述の整数部50aの最下位ビットに加算される。加算結果はリミッタ9によって±Σ2m−n+k(k=1〜n)の範囲に制限されてゲート駆動信号分配部10に入力される。ゲート駆動信号分配部10は、図4に示すように、階調制御型電力変換器1を構成する各単相インバータa1〜anの半導体スイッチング素子b1(b11〜b14)〜bn(bn1〜bn4)への各ゲート駆動信号10aを生成する。
この場合、AD変換器15の分解能を示すビット数をmとすると、整数部50aは2m−n+1〜2、小数部50bは2〜2m−nのビットとなる。そして、直流電圧源c1〜cnの中で電圧が最低である直流電圧源c1の電圧を1レベルとした基本出力レベルが整数部50aとして決定される。また、小数部50bに基づいて生成されたPWM電圧指令7aは、基本出力レベルを示す整数部50aの最下位ビット2m−n+1と等価であるため、信号加算部8において最下位ビット2m−n+1に加算される。これにより、出力電圧の1レベルをPWM制御することになる。
また、AD変換器15のビット数mの内、整数部50aのビット数は、階調制御型電力変換器1の構成で決まっているため、小数部50bに必要なビット数によりAD変換器15のビット数mを決定する。すなわち、小数部50bが入力されるPWM制御部7が要求する分解能からAD変換器15の分解能を決定する。これにより、要求される制御が信頼性良く、かつ高速に実現することができる。
次に、ゲート駆動信号分配部10からのゲート駆動信号10aによる各単相インバータak(k;1〜n)の制御について、図5を参照して説明する。
ゲート駆動信号分配部10では、2m−n+kのビットの入力信号から、例えば図5(a)に示す、ある一つの単相インバータakに関し、その各半導体スイッチング素子bk1〜bk4に対するゲート駆動信号10aを生成する。また、ゲート駆動信号分配部10への入力信号には電圧極性が付随しており、図5(b)に示すように、入力信号“0”か“1”の内、“0”の場合には出力0、“1”の場合には、電圧極性により正電圧“+”あるいは負電圧“−”を出力するように、オン/オフする半導体スイッチング素子bk1〜bk4を選択する。
例えば、出力“0”では、半導体スイッチング素子bk1およびbk3を共にオンし、残りの半導体スイッチング素子bk2およびbk4を共にオフする。あるいは半導体スイッチング素子bk2およびbk4を共にオンし、残りの半導体スイッチング素子bk1およびbk3を共にオフする。
また、正電圧“+”を出力するには、半導体スイッチング素子bk1およびbk4をオンし、残りの半導体スイッチング素子bk2およびbk3を共にオフする。一方、負電圧“−”を出力するには、半導体スイッチング素子bk2およびbk3を共にオンし、残りの半導体スイッチング素子bk1およびbk4を共にオフする。
以上のようにしてゲート駆動信号分配部10で生成されるゲート駆動信号10aによって、階調制御型電力変換器1内の各単相インバータa1〜anの直流電圧源c1〜cnの直流電圧V1〜Vnを切り替えて各単相インバータa1〜anの出力電圧を制御する。
これにより、例えばn=4の場合において、各単相インバータa1〜a4からは、それぞれ図6(a)に示すような出力電圧が得られ、これらの全ての単相インバータa1〜a4の出力の総和が、図6(b)に示すように、モータ3へ供給する出力電圧として決定される。この場合、正弦波電圧を出力電圧目標にする場合、各単相インバータa1〜a4の出力電圧の総和による階調制御型電力変換器1全体の出力電圧は、各単相インバータa1〜a4の各出力レベルの内の1レベル分をPWM制御した多レベルの電圧となり、歪の小さい波形出力が可能となる。
この実施の形態1では、電圧指令生成部5から出力されるアナログの電圧指令値をAD変換器15でディジタル値に変換した後のディジタル電圧指令値50について、上位ビットと下位ビットに分割するのみで整数部50aと小数部50bの抽出を行うため、各単相インバータa1〜a4に対するゲート駆動信号を高速で生成でき、PWM制御を合成した多レベル出力を実現する制御の高速化が図れる。また、制御装置2内にCPU回路を不要にできるため、安価で高速制御が可能となる。また、整数部50aの最下位ビットにPWM電圧指令7aを加算することにより、出力レベルの1レベル分をPWM制御した多レベルの電圧の出力制御が容易に実現できる。また、各単相インバータa1〜a4の直流電圧源c1〜c4の電圧比を、1:2:4:8のように、2の累乗比の電圧比となるようにしているので、多レベルの電圧出力が容易に得られる。また、AD変換器15から出力されるディジタル電圧指令値50の整数部50aのビット数を、直列接続される複数の単相インバータa1〜a4の個数に等しくすることで、制御が容易になり、制御装置2の回路構成の簡素化、および制御の高速化がさらに促進できる。
なお、上記の説明では、直流電圧源c1〜c4の電圧比は2の累乗比としているが、これに限定されるものではなく、2の累乗比以外でも良く、電圧が最低である直流電圧源c1の電圧を1レベルとして電圧比が整数であればよい。これにより、電力変換装置全体の出力電圧は、各出力レベルの1レベル分をPWM制御した多レベルの電圧となり、歪の小さい波形出力が同様に可能となる。この場合、出力可能な出力電圧レベルに応じて整数部50aのビット数が決定され、各単相インバータa1〜a4に対応する信号に変換されてからゲート駆動信号分配部10に入力される。
この実施の形態1の特徴は、階調制御型電力変換器1を構成する各単相インバータa1〜a4の内、最も小さい直流電圧V1を生じる直流電圧源c1で動作する単相インバータa1の交流出力側に、階調制御型電力変換器1の出力電流を検出する電流検出手段Gが配置されていることである。
すなわち、この電流検出手段Gは、上下アームのスイッチング素子b11、b12の接続点に近接して当該接続点とモータ3への電力出力経路との間に配置されたシャント抵抗Rsを備え、かつ、このシャント抵抗Rsの一端が制御GNDに接続されて構成されている。
このように、この実施の形態1では、階調制御型電力変換器1を構成する各単相インバータa1〜a4の内、最も小さい直流電圧V1の直流電圧源c1を有する単相インバータa1の交流出力側の直近に電流検出手段Gとしてのシャント抵抗Rsを配置しているので、単相インバータa1を構成するスイッチング素子b1(b11、・・・、b14)のオン/オフで発生する電圧変化(dV/dt)に起因したスイッチングノイズの影響が低減され、かつ、シャント抵抗Rsの一端を制御GNDに接続していることによりコモンモードノイズの影響も小さくなる。このため、従来のPWMインバータを前提として電流検出を行う場合よりも電流検出精度が高くなる。また、シャント抵抗Rsを使用することができるため、安価な電流検出手段Gを構成することができる。
なお、実施の形態1では、電流検出手段Gとして安価なシャント抵抗Rsを用いているが、ホールCTなどの別の電流検出手段を適用することも可能である。また、この実施の形態1では、複数の単相インバータa1〜a4の出力電圧パルスの組合せによって交流波形を得る場合を示したが、直流電圧が最も小さい直流電圧源c1を有する単相インバータa1をPWM制御して交流波形を得るようにしてもよい。
例えば、階調制御型電力変換器1を2つの単相インバータで構成し、直流電圧が小さい単相インバータをPWM制御し、直流電圧が大きい単相インバータは半周期毎に1パルスを出力することによって交流波形を得るような構成でも、インバータ動作時のスイッチングノイズの影響を小さくでき、かつ、コモンモードノイズの影響を小さくすることができる。
実施の形態2.
図7は、この発明の実施の形態2における電力変換装置が備える階調制御型電力変換器の部分を示す構成図であり、図1に示した実施の形態1と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
上記の実施の形態1では、4つの単相インバータa1〜a4の全てがフルブリッジ型の構成のものであるに対し、この実施の形態2では、これらの単相インバータa1〜a4の内、最も小さい直流電圧V1を生じる直流電圧源c11、c12を有する単相インバータa1をハーフブリッジ型の構成にしたものである。すなわち、このハーフブリッジ型の構成の単相インバータa1は、直流電圧V1を生じる2つの電解コンデンサからなる直流電圧源c11、c12を有するとともに、4つの半導体スイッチング素子b11〜b14を備えて構成されている。
そして、この実施の形態2では、この最も小さい直流電圧V1を生じる直流電圧源c11、c12で動作するハーフブリッジ型の単相インバータa1の交流出力側に、階調制御型電力変換器1の出力電流を検出する電流検出手段Gが配置されている。
すなわち、この電流検出手段Gは、互いに直列に接続された2つの直流電圧源c11,c12の中性点に近接して当該中性点とモータ3への電力出力経路との間に配置されたシャント抵抗Rsを備え、かつ、このシャント抵抗Rsの一端が制御GNDに接続されて構成されている。
この構成によれば、シャント抵抗Rsの接続箇所が直流の中性点電位に固定されるため、この単相インバータa1の回路内部の電位が高周波で変化することはなく、コモンモードノイズの影響を低減することができる。
以上のように、実施の形態2による電力変換装置では、階調制御型電力変換器1を構成する単相インバータa1〜a4の内、ハーフブリッジ型の単相インバータa1の2直列の直流電圧源c11、c12の中性点の直近に、電流検出手段Gとしてのシャント抵抗Rsを配置した構成としたので、単相インバータa1を構成するスイッチング素子b1(b11、・・・、b14)のオン/オフで発生する電圧変化(dV/dt)に起因したスイッチングノイズを低減することができる。さらに、シャント抵抗Rsの電位が2つの直流電圧源c11,c12の中性点電位に固定されるため、コモンモードノイズの影響を低減することができる。また、シャント抵抗Rsを使用することができるため、安価な電流検出手段Gを構成することができる。
なお、この実施の形態2についても、電流検出手段Gとして安価なシャント抵抗Rsを用いているが、ホールCTなどの別の電流検出手段を適用することも可能である。
また、この発明は上記の各実施の形態1、2の構成のみに限定されるものではなく、この発明の趣旨を逸脱しない範囲で各種の変形や応用を加えることができ、また、各実施の形態1、2の構成を適宜組み合わせることも可能である。
1 階調制御型電力変換器、2 制御装置、3 モータ、
a1〜a4 単相インバータ、
b11〜b14,b21〜b24,b31〜b34,b41〜b44 半導体スイッチング素子、
c1〜c4,c11,c12 直流電圧源、G 電流検出手段、
Rs シャント抵抗。

Claims (3)

  1. それぞれ直流電圧源を有してこの直流電圧源からの直流電力を交流電力に変換する複数の単相インバータを備え、これらの各単相インバータを順次直列に接続して上記各単相インバータによる各発生電圧の総和を出力する電力変換器と、この電力変換器の上記出力電圧を制御する制御装置と、を備えた電力変換装置において、
    上記各単相インバータの内、最も小さい直流電圧を生じる上記直流電圧源で動作する単相インバータの交流出力側に上記電力変換器の出力電流を検出する電流検出手段を配置したことを特徴とする電力変換装置。
  2. 上記複数の単数インバータの内、最も小さい直流電圧を生じる直流電圧源を有する単相インバータは、ハーフブリッジ型のものであり、このハーフブリッジ型の単相インバータを構成する2つの直流電圧源の中性点に上記電流検出手段を配置したことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
  3. 上記電流検出手段は、シャント抵抗であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電力変換装置。
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