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JP2013156463A - 撮像素子 - Google Patents

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JP2013156463A JP2012017507A JP2012017507A JP2013156463A JP 2013156463 A JP2013156463 A JP 2013156463A JP 2012017507 A JP2012017507 A JP 2012017507A JP 2012017507 A JP2012017507 A JP 2012017507A JP 2013156463 A JP2013156463 A JP 2013156463A
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Takeharu Tani
武晴 谷
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Abstract

【課題】分光特性が互いに異なるカラーフィルタの境界に隔壁が設けられた撮像素子において、各カラーフィルタを透過した光の光電変換素子への入射効率を向上させるとともに、かつ混色を抑制する。
【解決手段】光の照射を受けてその光を電荷に変換する複数の光電変換素子と、その各光電変換素子に対応してそれぞれ設けられた分光特性が互いに異なるカラーフィルタ層CFと、各カラーフィルタ層CFの境界に設けられたカラーフィルタ層CFよりも屈折率が低い隔壁22とを備えた撮像素子10において、光の入射側の隔壁22の間隔よりも光の出射側の隔壁22の間隔の方が狭くなるように形成する。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の光電変換素子を備え、その各光電変換素子にカラーフィルタが設けられているとともに、そのカラーフィルタの境界に隔壁が設けられた撮像素子に関するものである。
従来、光を電荷に変換する光電変換素子が複数配列されたCCDやCMOSなどの撮像素子が種々提案されている。
そして、このような撮像素子としてカラーフィルタが設けられた撮像素子が知られており、たとえば赤(R)、青(B)および緑(G)の組み合わせからなる原色カラーフィルタが設けられた撮像素子や、シアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)およびグリーン(G)の組み合わせからなる補色カラーフィルタが設けられた撮像素子などが知られている。
ここで、上述したようなカラーフィルタが設けられた撮像素子に入射される光は、必ずしも、その受光面に対して垂直かつ互いに並行であるとは限らない。したがって、受光面に対して斜め方向から入射した光が1つのカラーフィルタを斜めに透過した後、隣接するカラーフィルタおよび光電変換素子に入射する場合もあり、このような場合には混色が生じてしまう問題がある。
このような混色の問題を解決するため、たとえば、特許文献1〜特許文献4においては、各光電変換素子に対応して設けられた各カラーフィルタに境界に、カラーフィルタよりも屈折率の低い材料で形成された隔壁を設けることが提案されている。
特開2006−295125号公報 特開2010−252537号公報 特開平3−282403号公報 特開2009−111225号公報
しかしながら、上述したように各カラーフィルタの境界に隔壁を設けたとしても、その隔壁に入射した光は、隔壁部分をそのまま通過することはなく、より屈折率の高い材料に徐々に引き込まれる作用が働く。この作用によって、たとえば青(B)フィルタに入射した光が隔壁を介して緑(G)フィルタに入射することによって青色光の光電変換素子への入射効率が低下したり、緑(G)フィルタに入射した光が隔壁を介して赤(R)フィルタに入射することによって緑色光の光電変換素子への入射効率が低下したりする問題がある。そして、この問題は、隔壁の間隔が比較的狭い場合に生じるものであり、特に隔壁の間隔が入射光の波長程度以下の場合に顕著に現れる。
一方、隔壁の間隔を広くし過ぎると各カラーフィルタを透過することなく、隔壁を透過した光が光電変換素子に入射することになるので混色が生じてしまう問題がある。
本発明は、上記の問題に鑑み、各カラーフィルタを透過した光の光電変換素子への入射効率を向上させるとともに、かつ混色を抑制することができる撮像素子を提供することを目的とする。
本発明の撮像素子は、光の照射を受けてその光を電荷に変換する複数の光電変換素子と、その各光電変換素子に対応してそれぞれ設けられた分光特性が互いに異なるカラーフィルタと、その各カラーフィルタの境界に設けられたカラーフィルタよりも屈折率が低い隔壁とを備えた撮像素子であって、隔壁が、光の入射側の間隔よりも光の出射側の間隔の方が狭くなるように形成されていることを特徴とする。
また、上記本発明の撮像素子においては、隔壁を、その間隔が光の入射側から出射側に向かってテーパー状に狭くなるように形成することができる。
また、隔壁を、光の入射側においてテーパー状に形成し、光の出射側において間隔が一定の柱状に形成することができる。
また、隔壁の最も広い間隔を有する部分を0.3μm以上とし、最も狭い間隔を有する部分を0.2μm以下とすることができる。
また、隔壁の間隔が0.2μm以下となる部分の長さを、0.2μm以上0.5μm以下とすることができる。
また、隣接して配置されたカラーフィルタの屈折率差を、撮像素子の使用波長範囲内のいずれかの波長において0.1以上とすることができる。
また、カラーフィルタを、赤フィルタと青フィルタと緑フィルタとから構成することができる。
また、光電変換素子のサイズを1.8μm以下とすることができる。
本発明の撮像素子によれば、分光特性が互いに異なるカラーフィルタの境界に隔壁が設けられた撮像素子において、隔壁を光の入射側の間隔よりも光の出射側の間隔の方が狭くなるように形成するようにしたので、光の入射側の隔壁の間隔が広い領域においては、隔壁を透過した光が隣接するカラーフィルタに引き込まれる作用を抑制することができるので、各カラーフィルタを透過した光の光電変換素子への入射効率を向上させることができる。一方、光の出射側の隔壁の間隔が狭い領域においては、カラーフィルタの本来の吸収による分光特性を維持することができるので、混色を抑制することができる。
本発明の撮像素子の一実施形態の概略構成を示す断面図 図1に示す撮像素子の上面図 図1に示す撮像素子におけるRフィルタ、Gフィルタ、Bフィルタのそれぞれの屈折率分散を示す図 隔壁をテーパー状に構成し、隔壁の最大間隔d1=0.4μm、隔壁の最小間隔d2=0.1μm、隔壁の間隔d3=0.2μm以下の距離h=0.5μmとした場合における各カラーフィルタの光入射効率のシミュレーション結果を示す図 間隔が一定の柱状で形成された隔壁の一例を示す図 図5に示す隔壁の間隔d4=0.1μmとした場合における各カラーフィルタの光入射効率のシミュレーション結果を示す図 間隔が一定の柱状で形成された隔壁のその他の例を示す図 図7に示す隔壁の間隔d5=0.3μmとした場合における各カラーフィルタの光入射効率のシミュレーション結果を示す図 隔壁をテーパー状に構成し、隔壁の最大間隔d1=0.3μm、隔壁の最小間隔d2=0.1μm、隔壁の間隔d3=0.2μm以下の距離h=0.4μmとした場合における各カラーフィルタの光入射効率のシミュレーション結果を示す図 隔壁をテーパー状に構成し、隔壁の最大間隔d1=0.4μm、隔壁の最小間隔d2=0.2μm、隔壁の間隔d3=0.2μm以下の距離h=0.2μmとした場合における各カラーフィルタの光入射効率のシミュレーション結果を示す図 本発明を裏面照射型の撮像素子に適用した場合の実施形態の概略構成を示す図
以下、図面を参照して本発明の撮像素子の一実施形態について詳細に説明する。図1は、本実施形態の撮像素子の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の撮像素子10は、図1に示すように、半導体回路基板11と、半導体回路基板11上に二次元アレイ状に形成された複数の画素電極12と、複数の画素電極12上に連続し形成された有機材料からなる光電変換層13と、光電変換層13上に形成された、複数の画素電極12に対向する対向電極であり、単一層として設けられた共通電極(上部電極)14とを備えている。また、上部電極14の上には透明な絶縁層15が積層されており、ここでは、半導体回路基板11から絶縁層15までを含めて撮像素子基板20と称する。この撮像素子基板20の絶縁層15上には、赤(R)のカラーフィルタ21r、緑(G)のカラーフィルタ21gおよび青(B)のカラーフィルタ21bと、各色のカラーフィルタ21r、21g、21bを隔てて分離する透明な隔壁22とからなるカラーフィルタ層CFが設けられ、さらにカラーフィルタ層CF上には低反射層25が設けられている。なお、1つの画素電極12、およびその画素電極12上の光電変換層13および上部電極14により1つの光電変換素子が構成される。そして、この光電変換素子のサイズは1.8μm以下とすることが望ましい。
以下、撮像素子10における各構成要素について詳細に説明する。
半導体回路基板11は、n型シリコン基板1(以下、単に基板1とする。)の表面にp型のウェル領域2を備え、ウェル領域2にはn型の不純物拡散領域3が複数形成されている。不純物拡散領域3は、回路基板11上に形成される画素電極12と対応して二次元アレイ状に形成されている。また、ウェル領域2の表面において、不純物拡散領域3の近傍には、その不純物拡散領域3に蓄積した電荷に応じた信号を出力する信号読出部4が設けられている。
信号読出部4は、不純物拡散領域3に蓄積された電荷を電圧信号に変換して出力する回路であって、例えば公知のCCDやCMOS回路によって構成することができる。
さらに、基板1のウェル領域2が形成された表面上に絶縁層5が積層されている。絶縁層5の上には、平面視略矩形状の画素電極12が複数、所定の間隔で配列形成されている。各画素電極12は、絶縁層5を貫通するように形成された導電性材料からなる接続部6を介して、基板1の不純物拡散領域3に電気的に接続されている。
撮像素子10は、光電変換層13に光が入射されると、光電変換層13で発生した電荷(正孔及び電子)のうち、例えば、正孔を上部電極14に移動させ、電子を画素電極12に移動させるように、画素電極12及び上部電極14間には、図示しない電圧供給部によってバイアス電圧が印加される。この場合、上部電極14を正孔捕集電極とし、画素電極12を電子捕集電極としている。なお、上記の場合とは逆に、電子を上部電極14に移動させ、正孔を画素電極12に移動させる構成としてもよい。
上部電極14および画素電極12の材料は、光電変換層13との密着性や、電子親和力や、イオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。
上部電極14及び画素電極12の作製には、その材料によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。ITOの場合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などを施すことができる。
上部電極14は、光電変換層13に光を入射させる必要があるため、透明な導電性材料で構成されている。ここで、透明電極材料は、例えば波長が約420nm〜約660nmの範囲の可視光域で約80%以上の透過率であるものが好ましい。
上部電極14の具体的な材料としては、たとえば、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、シリコン化合物およびこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性の金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITO、ZnO、InOが好ましい。
画素電極12は、導電性材料であればよく、透明である必要はない。しかし、画素電極12の下方の基板1側にも光を透過させることが必要である場合には、画素電極12も透明電極材料で構成することが必要となる。このとき、画素電極12の透明電極材料としては、上部電極14と同様に、ITOを用いることが好ましい。
光電変換層13は、光を電荷に変換する光電変換機能を有する有機材料などから形成されるものである。有機材料としては、たとえば電子写真の感光材料に用いられているような、様々な有機半導体材料を用いることができる。その中でも、高い光電変換性能を有すること、分光する際の色分離に優れていること、長時間の光照射に対する耐久性が高いこと、真空蒸着を行いやすいこと等の観点から、キナクリドン骨格を含む材料やフタロシアニン骨格を含む有機材料が特に好ましい。
また、光電変換層13を形成する有機材料は、p型有機半導体及びn型有機半導体の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。たとえば、p型有機型半導体及びn型有機半導体として、それぞれキナクリドン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、およびフルオランテン誘導体のいずれかを用いることが好ましい。
光電変換層13の材料として有機材料を用いるようにした場合には、シリコン基板などに形成したフォトダイオードを光電変換部として用いる構成に比べて、可視光に対する光吸収係数が大きい。このため、光電変換層13に入射した光が吸収されやすくなり、これにより光電変換層13に斜めに入射した光も隣接する光電変換素子へ漏れにくくなり、透過効率の向上とクロストークの抑制を図ることができる。
絶縁層15は、Al23、SiO2、SiN、またはこれらの混合膜などから構成することができる。
カラーフィルタ層CFは、互いに異なる分光特性を有する複数のカラーフィルタを有するものであり、具体的には、本実施形態においては、上述したように赤(R)のカラーフィルタ(以下、Rフィルタという)21r、緑(G)のカラーフィルタ(以下、Gフィルタという)21gおよび青(B)のカラーフィルタ(以下、Bフィルタという)21bを備えたものである。
このRフィルタ21r、Gフィルタ21gおよびBフィルタ21bは、それぞれ顔料や染料の入った有機材料などから形成されるものである。そして、図1に示すように各光電変換素子に対していずれかのフィルタが配置され、たとえば、図2に示すようなベイヤー配列などのカラーパターンで配置される。なお、図2は、図1に示すカラーフィルタ層CFの上面図である。
Rフィルタ21r、Gフィルタ21gおよびBフィルタ21bの屈折率は各色で異なり、また入射光の波長によっても異なるものであるが、カラーフィルタ21r、21g、21bのいずれも撮像素子10の使用波長範囲内(少なくとも可視光域の波長400nm〜700nm)に対し、1.3〜1.9の範囲内の屈折率を有するものである。図3は、本実施形態において用いられるRフィルタ21r、Gフィルタ21g、Bフィルタ21bのそれぞれの屈折率分散を示すものである。
また、本実施形態においては、図2に示すように、Rフィルタ21rとGフィルタ21gとが隣接し、Gフィルタ21gとBフィルタ21bとが隣接することになるが、この隣接して配置されたカラーフィルタの屈折率差が、撮像素子10の使用波長範囲内(少なくとも可視光域の波長400nm〜700nm)のいずれかの波長において0.1以上となるものが用いられている。
また、カラーフィルタ21r、21g、21bのそれぞれの厚みは0.3μm〜1.0μmの範囲内である。
また、本実施形態のカラーフィルタ21r,21g,21bは、図1に示すように、その断面構造が上に凸な形状を有している。
そして、その各カラーフィルタ21r,21g,21bの境界には、カラーフィルタ21r,21g,21bを形成する材料よりも屈折率が低い透明材料で形成される隔壁22が設けられている。
この隔壁22は、上述したようにカラーフィルタ21r,21g,21bを透過する光を光電変換層13に積極的に集光させるものであり、これにより透過率の低減やクロストークの増大を抑制することができる。
ここで、上述したようにカラーフィルタの境界に隔壁を設けたとしても、隔壁に入射した光は隔壁部分をそのまま通過することはなく、より屈折率の高い材料から形成されるカラーフィルタの方に徐々に引き込まれる作用が働く。この作用によって、たとえばBフィルタに入射した光が隔壁を介してGフィルタに入射して青色光の光電変換素子への入射効率が低下したり、Gフィルタに入射した光が隔壁を介してRフィルタに入射して緑色光の光電変換素子への入射効率が低下したりする問題がある。そして、この問題は、隔壁の間隔が入射光の波長程度以下の場合に特に顕著に現れる。
一方、隔壁の間隔を広くし過ぎると各カラーフィルタを透過することなく、隔壁を透過した光が光電変換素子に入射することになるので混色が生じてしまう問題がある。
そこで、本実施形態においては、上述したような光入射効率の低下や混色を招くことのない隔壁22を構成するようにしている。すなわち、図1に示すように、光の入射側の隔壁22の間隔d1よりも光の出射側の隔壁22の間隔d2の方が狭くなるように隔壁22を構成するようにしている。なお、図1に示す構成においては、各カラーフィルタ21r,21g,21bの境界にそれぞれ設けられた各隔壁22は、光入射側において平坦な層によって一体となるように構成されているが、ここでいう隔壁22の間隔とは、各カラーフィルタ21r,21g,21bの境界部分における隔壁の間隔のことをいう。また、図1に示すように、各隔壁22を必ずしも一体的に構成する必要はなく、各隔壁22を分離した構成としてもよい。
そして、本実施形態における隔壁22は、具体的には、図1に示すように、光の入射側においては光の出射側に向けて間隔が徐々に狭くなるようにテーパー状に形成され、光の出射側においては間隔が一定となるように柱状に形成されている。このように光の入射側において隔壁22をテーパー状に形成することによって、上述したような隣接するカラーフィルタへの光の入射を抑制することができ、光入射効率の向上を図ることができる。また、光の出射側においては隔壁22の間隔を狭くすることによって、カラーフィルタを通過することなく光電変換素子に到達する光を抑制することができ、混色を抑制することができる。
図4は、図1に示すようにテーパー状に隔壁22を構成し、隔壁22の最大間隔d1=0.4μm、隔壁22の最小間隔d2=0.1μm、隔壁22の間隔d3=0.2μm以下の距離h=0.5μmとした場合における各カラーフィルタ21r,21g,21bの光入射効率をシミュレーションした結果である。なお、ここでいう光入射効率とは、カラーフィルタへ入射した光のうちカラーフィルタを透過して光電変換素子へ到達する光の割合のことをいう。また、図4に示す細い実線のみで描かれる曲線は、RGBの各カラーフィルタの理想的な分光透過率を示すものである。
図4に示すように、各カラーフィルタ21r,21g,21bの光入射効率は、RGBの各カラーフィルタの理想的な分光透過率にほぼ近いものとなっているのがわかる。
一方、本実施形態のように隔壁22をテーパー状に形成するのではなく、従来のように間隔が一定の柱状に隔壁を形成した場合における各カラーフィルタR,G,Bの光入射効率をシミュレーションした結果を比較例として示す。
図6は、図5に示すように、隔壁を間隔が一定の柱状に形成するとともに、その間隔d4=0.1μmとした場合における各カラーフィルタR,G,Bの光入射効率をシミュレーションした結果である。図6に示すように、隔壁の間隔を狭く一定とした場合、上述したようにBフィルタに入射した光が隔壁を介してGフィルタに入射することによってBフィルタの光入射効率が低下し、Gフィルタに入射した光が隔壁を介してRフィルタに入射することによってGフィルタの光入射効率が低下していることが分かる。なお、図6においては上述したように光入射効率が低下している部分を矢印で示している。
図8は、図7に示すように、隔壁を間隔が一定の柱状に形成するとともに、その間隔d5=0.3μmとした場合における各カラーフィルタR,G,Bの光入射効率をシミュレーションした結果である。図8に示すように、隔壁の間隔を広く一定とした場合、各カラーフィルタを透過することなく光電変換素子へ到達する光の量が増えることになるので、各カラーフィルタによる色分離を適切に行うことができず、混色が悪化することになる。なお、図8においては上述したように混色が悪化している部分を矢印で示している。
また、図9は、図1に示すようにテーパー状に隔壁22を構成するとともに、図4に示した光入射効率のシミュレーション結果の場合とは、隔壁22の最大間隔および隔壁22の間隔d3=0.2μm以下の距離hの条件が異なる場合の光入射効率のシミュレーション結果を示すものである。具体的には、隔壁22の最大間隔d1=0.3μm、隔壁22の間隔d3=0.2μm以下の距離h=0.4μmとした場合における各カラーフィルタ21r,21g,21bの光入射効率をシミュレーションした結果である。図9に示すように、図6および図8の比較例のシミュレーション結果と比較すると、光入射効率の低下および混色を抑制できていることがわかる。
また、図10は、図1に示すようにテーパー状に隔壁22を構成するとともに、図4に示した光入射効率のシミュレーション結果の場合とは、隔壁22の最小間隔および隔壁22の間隔d3=0.2μm以下の距離hの条件が異なる場合の光入射効率のシミュレーション結果を示すものである。具体的には、隔壁22の最小間隔d2=0.2μm、隔壁22の間隔d3=0.2μm以下の距離h=0.2μmとした場合における各カラーフィルタ21r,21g,21bの光入射効率をシミュレーションした結果である。図9に示すように、図6および図8の比較例のシミュレーション結果と比較すると、光入射効率の低下および混色を抑制できていることがわかる。
図4、図9および図10に示す本発明の実施形態のシミュレーション結果と、図6および図8に示した比較例のシミュレーション結果とから、隔壁22の最大間隔d1は0.3μm以上であり、最小間隔d2は0.2μm以下であることが望ましいことがわかる。なお、隔壁22の最大間隔d1の最大値は画素サイズとなる。
また、隔壁22の間隔d3=0.2μm以下の距離hについては、0.2μm以上0.5μm以下であることが望ましいことがわかる。
また、上記実施形態においては、カラーフィルタ21r,21g,21bを形成する材料よりも屈折率が低い透明材料で隔壁22を形成するようにしたが、空気の屈折率はほぼ1であって、カラーフィルタ21r,21g,21bを形成する材料の屈折率に対して十分低い屈折率であるので、隔壁22の部分を空気とする、すなわち何も設けないようにしてもよい。
また、上記実施形態のカラーフィルタ層CFを裏面照射型の撮像素子に適用することも可能である。図11は、上記実施形態のカラーフィルタ層CFを適用した裏面照射型の撮像素子30の概略構成を示すものである。撮像素子30は、シリコンなどの基板S2内にシリコンフォトダイオードPDが形成され、そのシリコンフォトダイオードが光電変換素子として機能する。基板S2の光入射側の表面には、平坦化膜や絶縁膜などを挟んで上記実施形態のカラーフィルタ層CFが形成されている。
また、撮像素子30は、基板S2におけるカラーフィルタ層CFが形成された側の面に対して反対側に回路基板S1が設けられ、その回路基板S1には、シリコンフォトダイオードPDで生成された電荷を信号として読み出すための信号読み出し回路が設けられている。なお、図中のMは配線層を示している。
また、本実施形態においては、カラーフィルタ層としてRフィルタ、BフィルタおよびGフィルタからなるものを用いるようにしたが、カラーフィルタ層としてシアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)およびグリーン(G)の組み合わせからなる補色カラーフィルタを用いる場合においても、上記実施形態と同様の隔壁の構成を採用することができる。
10 撮像素子
11 半導体回路基板
12 画素電極
13 光電変換層
14 上部電極
15 絶縁層
21b Bフィルタ
21g Gフィルタ
21r Rフィルタ
22 隔壁

Claims (8)

  1. 光の照射を受けて該光を電荷に変換する複数の光電変換素子と、該各光電変換素子に対応してそれぞれ設けられた分光特性が互いに異なるカラーフィルタと、該各カラーフィルタの境界に設けられた前記カラーフィルタよりも屈折率が低い隔壁とを備えた撮像素子であって、
    前記隔壁が、前記光の入射側の間隔よりも前記光の出射側の間隔の方が狭くなるように形成されていることを特徴とする撮像素子。
  2. 前記隔壁が、該間隔が前記光の入射側から出射側に向かってテーパー状に狭くなるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の撮像素子。
  3. 前記隔壁が、前記光の入射側においてテーパー状に形成され、前記光の出射側において間隔が一定の柱状に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の撮像素子。
  4. 前記隔壁の最も広い間隔を有する部分が0.3μm以上であり、最も狭い間隔を有する部分が0.2μm以下であることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の撮像素子。
  5. 前記隔壁の間隔が0.2μm以下となる部分の長さが、0.2μm以上0.5μm以下であることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の撮像素子。
  6. 隣接して配置された前記カラーフィルタの屈折率差が、前記撮像素子の使用波長範囲内のいずれかの波長において0.1以上であることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の撮像素子。
  7. 前記カラーフィルタが、赤フィルタと青フィルタと緑フィルタであることを特徴とする請求項1から6いずれか1項記載の撮像素子。
  8. 前記光電変換素子のサイズが1.8μm以下であることを特徴とする請求項1から7いずれか1項記載の撮像素子。
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