JP2013051435A

JP2013051435A - Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

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Publication number: JP2013051435A
Application number: JP2012243974A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Kawada; 泰之河田; Takeshi Tawara; 武志俵; Shunichi Nakamura; 俊一中村; Masahide Goto; 雅秀後藤
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2012-11-05
Filing date: 2012-11-05
Publication date: 2013-03-14
Anticipated expiration: 2027-08-17
Also published as: JP5561343B2

Abstract

【課題】電極膜と配線導体素片との間のコンタクト抵抗が低く、電極膜から配線導体素片が剥離しにくい炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型炭化珪素基板またはｎ型炭化珪素領域１の表面に、ニッケル膜２と、酸化ニッケル膜３と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。熱処理をおこなうことで、ニッケル膜２の一部がニッケルシリサイド膜４となる。つぎに、酸化ニッケル膜３を塩酸溶液で除去し、ニッケルシリサイド膜４の表面にニッケルアルミ膜５と、アルミニウム膜６と、をこの順に積層する。
【選択図】図１To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device having a low contact resistance between an electrode film and a wiring conductor piece and preventing the wiring conductor piece from peeling off from the electrode film.
A nickel film 2 and a nickel oxide film 3 are laminated in this order on the surface of an n-type silicon carbide substrate or n-type silicon carbide region 1, and heat treatment is performed without oxidation. By performing the heat treatment, part of the nickel film 2 becomes the nickel silicide film 4. Next, the nickel oxide film 3 is removed with a hydrochloric acid solution, and a nickel aluminum film 5 and an aluminum film 6 are laminated in this order on the surface of the nickel silicide film 4.
[Selection] Figure 1

Description

この発明は、炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device.

従来、炭化珪素（以下、ＳｉＣとする）は、熱的、化学的、機械的に安定であり、発光素子や高周波デバイスや電力用半導体装置（パワーデバイス）など、様々な産業分野への適用が期待されている。たとえば、ＳｉＣを用いた高耐圧のＭＯＳＦＥＴは、シリコン（Ｓｉ）を用いた高耐圧のＭＯＳＦＥＴよりもオン抵抗が低いという利点を有する。また、ＳｉＣを用いたショットキーダイオードは、シリコンを用いたショットキーダイオードよりも順方向の降下電圧が低いという利点を有する。 Conventionally, silicon carbide (hereinafter referred to as SiC) is thermally, chemically and mechanically stable, and can be applied to various industrial fields such as light emitting elements, high frequency devices and power semiconductor devices (power devices). Expected. For example, a high breakdown voltage MOSFET using SiC has an advantage of lower on-resistance than a high breakdown voltage MOSFET using silicon (Si). Further, a Schottky diode using SiC has an advantage that the voltage drop in the forward direction is lower than that of a Schottky diode using silicon.

本来、パワーデバイスのオン抵抗とスイッチング速度とは、トレードオフ関係にある。しかしながら、ＳｉＣを用いたパワーデバイスには、低オン抵抗化と高速スイッチング速度化とを同時に達成できる可能性がある。ここで、ＳｉＣを用いたパワーデバイスの低オン抵抗化、または、高速スイッチング速度化のためには、オーミック・コンタクトにおけるコンタクト抵抗の低減が必要である。 Originally, the on-resistance of the power device and the switching speed are in a trade-off relationship. However, there is a possibility that a low on-resistance and a high switching speed can be achieved simultaneously in a power device using SiC. Here, in order to reduce the on-resistance of the power device using SiC or increase the switching speed, it is necessary to reduce the contact resistance in the ohmic contact.

近年、ｎ型ＳｉＣ領域に低抵抗のオーミック・コンタクトを形成する方法として広く活用されている技術としては、電極膜を被着させることでオーミック電極構造体を形成し、このオーミック電極構造体を８００℃〜１２００℃の高温で熱処理する技術が挙げられる（たとえば、下記特許文献１、下記特許文献２または下記特許文献３参照。）。電極膜は、たとえば、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）などである。特に、電極膜としてニッケルを用いた場合、オーミック・コンタクトにおいて、１０^-6Ωｃｍ²オーダーの実用的なコンタクト抵抗値が得られている。このように、ニッケルを用いたオーミック・コンタクトは、極めて有望なオーミック・コンタクトであるといえる。 In recent years, as a technique widely used as a method for forming a low-resistance ohmic contact in an n-type SiC region, an ohmic electrode structure is formed by depositing an electrode film. A technique of performing heat treatment at a high temperature of ℃ to 1200 ° C. is mentioned (for example, see Patent Document 1, Patent Document 2, or Patent Document 3 below). The electrode film is, for example, nickel (Ni), tungsten (W), titanium (Ti), or the like. In particular, when nickel is used as the electrode film, a practical contact resistance value of the order of 10 ⁻⁶ Ωcm ² is obtained in the ohmic contact. Thus, it can be said that the ohmic contact using nickel is a very promising ohmic contact.

図１１は、従来の、ニッケルを用いたオーミック・コンタクトのＸ線光電子分光法による深さ方向の元素分析結果を示す説明図である。図１１においては、縦軸は元素の含有率であり、横軸はスパッタリング時間（任意目盛）である。図１１に示すオーミック・コンタクトは、まず、ＳｉＣ基板上に、一般的に用いられるニッケル膜をスパッタ法によって成膜する。ついで、真空中（たとえば、５×１０^-4Ｐａ以下）において、１０００℃で５分間の熱処理をおこなう。高温で熱処理されることにより、ニッケル膜の表面には、Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃが混合した導電性の加熱反応層（ニッケルシリサイド膜）が形成される。そして、ニッケルシリサイド膜の表面付近には、ＳｉＣ基板から拡散するカーボン（Ｃ）が多く析出し、ほぼカーボンで覆われることとなる。 FIG. 11 is an explanatory view showing a result of elemental analysis in the depth direction by conventional X-ray photoelectron spectroscopy of ohmic contact using nickel. In FIG. 11, the vertical axis represents the element content, and the horizontal axis represents the sputtering time (arbitrary scale). In the ohmic contact shown in FIG. 11, a nickel film generally used is first formed on a SiC substrate by sputtering. Next, heat treatment is performed at 1000 ° C. for 5 minutes in a vacuum (for example, 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less). By heat treatment at a high temperature, a conductive heating reaction layer (nickel silicide film) in which Ni—Si—C is mixed is formed on the surface of the nickel film. In the vicinity of the surface of the nickel silicide film, a large amount of carbon (C) diffused from the SiC substrate is precipitated and is almost covered with carbon.

表面にカーボンが析出したニッケル膜などの電極膜に、アルミニウム膜などの配線導体素片を接続すると、電極膜と配線導体素片との間のコンタクト抵抗が上昇するという問題がある。また、析出したカーボンにより、電極膜から配線導体素片が剥離しやすいという問題がある。 When a wiring conductor piece such as an aluminum film is connected to an electrode film such as a nickel film having carbon deposited on the surface, there is a problem that the contact resistance between the electrode film and the wiring conductor piece increases. Moreover, there is a problem that the wiring conductor piece is easily peeled off from the electrode film due to the deposited carbon.

カーボンの析出を低減する方法としては、オーミック電極の材質を、炭化物を形成しやすい金属と、ニッケルと、の合金とし、この合金膜の上にニッケル膜を形成する方法が提案されている（たとえば、下記特許文献４参照。）。また、別の方法としては、オーミック電極を、ニッケルシリサイド膜と、第１のニッケル膜と、チタン膜と、ニッケルおよびシリコンが交互に形成された膜と、第２のニッケル膜と、をこの順に積層する方法が提案されている（たとえば、下記特許文献５参照。）。 As a method for reducing the deposition of carbon, a method is proposed in which the ohmic electrode is made of an alloy of a metal that easily forms carbides and nickel, and a nickel film is formed on the alloy film (for example, , See Patent Document 4 below). As another method, an ohmic electrode, a nickel silicide film, a first nickel film, a titanium film, a film in which nickel and silicon are alternately formed, and a second nickel film are arranged in this order. A method of stacking has been proposed (see, for example, Patent Document 5 below).

特許第３３０３５３０号公報Japanese Patent No. 3303530 特開２００２−１７５９９７号公報JP 2002-175997 A 特開平８−６４８０１号公報JP-A-8-64801 特許第３６４６５４８号公報Japanese Patent No. 3646548 特開２００６−２０２８８３号公報JP 2006-202883 A

しかしながら、上述した特許文献４または５に記載された技術では、ニッケル膜などの電極膜にアルミニウム膜などの配線導体素片を接続する場合については記載されていない。したがって、たとえば、ニッケル膜の表面にシリコン酸化膜が形成された場合、配線導体素片を接続することができない可能性があるといった問題がある。また、上述した特許文献５に記載された技術では、積層する膜が多いため、製造の工程が煩わしく、コストがかかるといった問題がある。 However, the technique described in Patent Document 4 or 5 described above does not describe a case where a wiring conductor piece such as an aluminum film is connected to an electrode film such as a nickel film. Therefore, for example, when a silicon oxide film is formed on the surface of the nickel film, there is a problem that the wiring conductor pieces may not be connected. In addition, the technique described in Patent Document 5 described above has a problem that the manufacturing process is troublesome and costly because there are many films to be stacked.

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、電極膜と配線導体素片との間のコンタクト抵抗が低い炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、電極膜から配線導体素片が剥離しにくい炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device having a low contact resistance between an electrode film and a wiring conductor piece in order to eliminate the above-described problems caused by the prior art. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device in which a wiring conductor piece is difficult to peel off from an electrode film.

上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、まず、ｎ型炭化珪素基板、または、炭化珪素基板の表面に形成されたｎ型炭化珪素領域の表面に、ニッケル膜を形成する。ついで、ニッケル膜の表面に、酸化ニッケル膜を形成する。そして、熱処理をおこない、ニッケル膜の一部にニッケルシリサイド膜を形成する。その後、酸化ニッケル膜を除去し、酸化ニッケル膜の除去されたニッケルシリサイド膜の表面にアルミニウム膜を形成することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to the present invention includes an n-type silicon carbide substrate or an n-type silicon carbide region formed on the surface of the silicon carbide substrate. A nickel film is formed on the surface. Next, a nickel oxide film is formed on the surface of the nickel film. Then, heat treatment is performed to form a nickel silicide film on a part of the nickel film. Thereafter, the nickel oxide film is removed, and an aluminum film is formed on the surface of the nickel silicide film from which the nickel oxide film has been removed.

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、酸化ニッケル膜を除去した後に、ニッケルシリサイド膜の表面に、ニッケルアルミ膜を形成する。ついで、このニッケルアルミ膜の表面に、アルミニウム膜を形成することを特徴とする。 In the method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, after the nickel oxide film is removed, a nickel aluminum film is formed on the surface of the nickel silicide film. Next, an aluminum film is formed on the surface of the nickel aluminum film.

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、ニッケル膜を０．０５μｍ以上０．２μｍ以下の厚さで形成し、酸化ニッケル膜を０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下の厚さで形成することを特徴とする。 In the method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, the nickel film is formed with a thickness of 0.05 μm or more and 0.2 μm or less, and the nickel oxide film is 0.05 μm or more and 0.15 μm or less. It is characterized by forming with thickness of.

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、ニッケルアルミ膜を５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さで形成し、アルミニウム膜を２μｍ以上４μｍ以下の厚さで形成することを特徴とする。 In the method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, the nickel aluminum film is formed with a thickness of 5 nm to 20 nm, and the aluminum film is formed with a thickness of 2 μm to 4 μm. Features.

また、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、上述した発明において、ニッケルの含有率が４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下で、残りがアルミニウムのニッケルアルミターゲットを用いたスパッタ法によってニッケルアルミ膜を形成することを特徴とする。 The silicon carbide semiconductor device manufacturing method according to the present invention is the above-described invention, wherein the nickel aluminum film is formed by a sputtering method using a nickel aluminum target having a nickel content of 40 at% to 60 at% and the remainder being aluminum. It is characterized by forming.

上述した各発明によれば、酸化ニッケル膜を形成した後に、熱処理をすることで、ニッケルシリサイド膜の表面へのカーボンの析出を抑えることができる。 According to each invention described above, the deposition of carbon on the surface of the nickel silicide film can be suppressed by performing a heat treatment after the nickel oxide film is formed.

また、上述した各発明によれば、カーボンが表面に析出していないニッケルシリサイド膜を形成し、このニッケルシリサイドの表面にアルミニウム膜を形成することができる。これによって、電極膜と配線導体素片との間のコンタクト抵抗が低く、電極膜から配線導体素片が剥離しにくいオーミック電極を形成することができる。 Moreover, according to each invention mentioned above, the nickel silicide film | membrane which carbon does not precipitate on the surface can be formed, and the aluminum film can be formed on the surface of this nickel silicide. As a result, an ohmic electrode can be formed in which the contact resistance between the electrode film and the wiring conductor piece is low and the wiring conductor piece is difficult to peel off from the electrode film.

また、上述した各発明によれば、カーボンが表面に析出していないニッケルシリサイド膜の表面に、接着層としてのニッケルアルミ膜を形成し、その上にアルミニウム膜を形成することができる。これによって、電極膜から配線導体素片が、さらに剥離しにくいオーミック電極を形成することができる。 Moreover, according to each invention mentioned above, the nickel aluminum film as an adhesion layer can be formed on the surface of the nickel silicide film on which no carbon is deposited, and the aluminum film can be formed thereon. As a result, it is possible to form an ohmic electrode in which the wiring conductor piece is more difficult to peel from the electrode film.

本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、電極膜と配線導体素片との間のコンタクト抵抗を低くすることができるという効果を奏する。また、電極膜から配線導体素片を剥離しにくくすることができるという効果を奏する。 According to the method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device of the present invention, there is an effect that the contact resistance between the electrode film and the wiring conductor piece can be reduced. In addition, there is an effect that it is difficult to peel the wiring conductor piece from the electrode film.

本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the silicon carbide semiconductor device concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the silicon carbide semiconductor device concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造過程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the silicon carbide semiconductor device concerning this Embodiment. 炭化珪素半導体装置に酸化ニッケル膜を形成した実験の試料について示す説明図である。It is explanatory drawing shown about the sample of the experiment which formed the nickel oxide film | membrane in the silicon carbide semiconductor device. 実験１の試料のＸ線回折法による生成物特定の結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the product specific result by the X ray diffraction method of the sample of Experiment 1. FIG. 実験１の試料のＸ線光電子分光法による深さ方向の元素分析結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the elemental analysis result of the depth direction by the X-ray photoelectron spectroscopy of the sample of Experiment 1. FIG. 実験２の試料のＸ線回折法による生成物特定の結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the product specific result by the X ray diffraction method of the sample of Experiment 2. FIG. 実験２の試料のＸ線光電子分光法による深さ方向の元素分析結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the elemental analysis result of the depth direction by the X-ray photoelectron spectroscopy of the sample of Experiment 2. FIG. ニッケルシリサイド膜の上にアルミニウム膜を形成する方法と、アルミニウム膜の付着力と、の関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the method of forming an aluminum film on a nickel silicide film, and the adhesive force of an aluminum film. 本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置を用いたＭＯＳＦＥＴの構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of MOSFET using the silicon carbide semiconductor device concerning this Embodiment. 従来の、ニッケルを用いたオーミック・コンタクトのＸ線光電子分光法による深さ方向の元素分析結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the elemental analysis result of the depth direction by the conventional X-ray photoelectron spectroscopy of the ohmic contact using nickel.

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。 Exemplary embodiments of a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

（実施の形態１）
図１は、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。図１に示すように、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置は、ｎ型ＳｉＣ領域１に、ニッケルシリサイド（Ｎｉ₂Ｓｉ）膜４と、ニッケルアルミ（ＮｉＡｌ）膜５と、アルミニウム（Ａｌ）膜６と、がこの順に積層された構造となっている。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment includes a nickel silicide (Ni ₂ Si) film 4, a nickel aluminum (NiAl) film 5, and aluminum (Al) in an n-type SiC region 1. The film 6 is laminated in this order.

つぎに、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法について説明する。図２は、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造過程を示す断面図である。また、図３は、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の製造過程を示すフローチャートである。図３に示すように、まず、ニッケル電極形成前の洗浄をおこなう（ステップＳ３０１）。ステップＳ３０１においては、たとえば、ｎ型ＳｉＣ基板またはｎ型ＳｉＣ領域１を有する素子の表面層を洗浄する。 Next, a method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a process for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 3 is a flowchart showing a manufacturing process of the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment. As shown in FIG. 3, first, before the nickel electrode is formed, cleaning is performed (step S301). In step S301, for example, the surface layer of the element having n-type SiC substrate or n-type SiC region 1 is cleaned.

つぎに、ステップＳ３０１において洗浄されたｎ型ＳｉＣ基板またはｎ型ＳｉＣ領域１の表面層に、ニッケル膜２を成膜する（ステップＳ３０２）。さらに、ステップＳ３０２において成膜されたニッケル膜２に、酸化ニッケル（ＮｉＯ）膜３を成膜する（ステップＳ３０３）。ステップＳ３０２およびステップＳ３０３においては、たとえば、ＤＣスパッタリング法によって成膜する。本実施の形態においては、ＤＣパワーを３００Ｗ、圧力を０．４Ｐａに設定し、基板温度を特に加熱せずにスパッタする。また、ステップＳ３０２においては、たとえば、スパッタリングをアルゴン（Ａｒ）ガスのみでおこなう。ステップＳ３０３においては、たとえば、アルゴンガスに酸素を２０％混合したガスをスパッタガスとして、ニッケルターゲットによっておこなう。 Next, the nickel film 2 is formed on the surface layer of the n-type SiC substrate or the n-type SiC region 1 cleaned in step S301 (step S302). Further, a nickel oxide (NiO) film 3 is formed on the nickel film 2 formed in step S302 (step S303). In step S302 and step S303, for example, the film is formed by DC sputtering. In this embodiment, the DC power is set to 300 W, the pressure is set to 0.4 Pa, and sputtering is performed without particularly heating the substrate temperature. In step S302, for example, sputtering is performed only with argon (Ar) gas. In step S303, for example, a nickel target is used with a gas obtained by mixing 20% of oxygen in an argon gas as a sputtering gas.

ここで、酸化ニッケル膜３の厚さが薄すぎると、基板最表面へのカーボンの拡散を抑制することができない。一方、酸化ニッケル膜３の厚さが厚すぎると、後述する工程でエッチングによって酸化ニッケル膜３を除去するのに時間がかかる。したがって、酸化ニッケル膜３の厚さは、たとえば、０．０５μｍ〜０．１５μｍ程度が好ましい。一方、ニッケル膜２の厚さが薄いと、スパッタリングの制御が困難である。また、オーミック・コンタクトが取れない可能性がある。したがって、ニッケル膜２の厚さは、０．０５μｍ〜０．２μｍ程度が好ましい。 Here, if the thickness of the nickel oxide film 3 is too thin, the diffusion of carbon to the outermost surface of the substrate cannot be suppressed. On the other hand, if the thickness of the nickel oxide film 3 is too thick, it takes time to remove the nickel oxide film 3 by etching in a process described later. Therefore, the thickness of the nickel oxide film 3 is preferably about 0.05 μm to 0.15 μm, for example. On the other hand, if the nickel film 2 is thin, it is difficult to control the sputtering. In addition, ohmic contact may not be obtained. Therefore, the thickness of the nickel film 2 is preferably about 0.05 μm to 0.2 μm.

つぎに、熱処理をおこなう（ステップＳ３０４）。これによって、ニッケル膜２の一部がニッケルシリサイド膜４となる。ステップＳ３０４においては、たとえば、真空の状態において高温で熱処理をおこなう。具体的には、５×１０^-4Ｐａ以下に排気した状態において、１０００℃で２分間の熱処理をおこなう。その後、室温まで冷却する。なお、ステップＳ３０４においては、真空の状態で熱処理をおこなうとしたが、これに限るものではない。具体的には、熱処理によって酸化しなければよく、たとえば、アルゴン雰囲気中などでおこなってもよい。ただし、窒素雰囲気中は好ましくない。これによって、図２に示すように、ｎ型ＳｉＣ領域１に、ニッケル膜２（表面がニッケルシリサイド膜４）と、酸化ニッケル膜３と、がこの順に積層された構造となる。 Next, heat treatment is performed (step S304). As a result, a part of the nickel film 2 becomes the nickel silicide film 4. In step S304, for example, heat treatment is performed at a high temperature in a vacuum state. Specifically, heat treatment is performed at 1000 ° C. for 2 minutes in an exhausted state of 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. Then, it cools to room temperature. In step S304, the heat treatment is performed in a vacuum state, but the present invention is not limited to this. Specifically, it is not necessary to oxidize by heat treatment. For example, it may be performed in an argon atmosphere. However, it is not preferable in a nitrogen atmosphere. As a result, as shown in FIG. 2, the nickel film 2 (the surface is the nickel silicide film 4) and the nickel oxide film 3 are stacked in this order on the n-type SiC region 1.

つぎに、塩酸溶液によるウエットエッチングにより酸化ニッケル膜３を除去する（ステップＳ３０５）。これによって、ステップＳ３０４における熱処理によってニッケル膜２の表面に形成されたニッケルシリサイド膜４が最表面となる。ステップＳ３０５においては、たとえば、塩酸を、約５０℃に加熱し、約６分間のエッチングをおこなう。そして、純水によって洗浄し（ステップＳ３０６）、乾燥させる。ステップＳ３０５においては、塩酸の濃度は、酸化ニッケル膜３が溶ける濃度であればよい。ただし、塩酸の濃度が薄すぎると、酸化ニッケル膜３を除去するのに時間がかかる。また、酸化ニッケル膜３が溶けない可能性がある。したがって、塩酸は、１０〜３７％程度の塩化水素を含んだものが好ましい。 Next, the nickel oxide film 3 is removed by wet etching with a hydrochloric acid solution (step S305). Thus, the nickel silicide film 4 formed on the surface of the nickel film 2 by the heat treatment in step S304 becomes the outermost surface. In step S305, for example, hydrochloric acid is heated to about 50 ° C. and etching is performed for about 6 minutes. Then, it is washed with pure water (step S306) and dried. In step S305, the concentration of hydrochloric acid may be a concentration at which the nickel oxide film 3 can be dissolved. However, if the concentration of hydrochloric acid is too low, it takes time to remove the nickel oxide film 3. Further, the nickel oxide film 3 may not be melted. Accordingly, hydrochloric acid containing about 10 to 37% hydrogen chloride is preferable.

つぎに、ニッケルシリサイド膜４の上にニッケルアルミ膜５を成膜し（ステップＳ３０７）、続けて、その上にアルミニウム膜６を成膜する（ステップＳ３０８）。ステップＳ３０７およびステップＳ３０８においては、たとえば、ＤＣスパッタリング法によって成膜する。本実施の形態においては、ＤＣパワーを３００Ｗ、圧力を０．４Ｐａに設定し、基板温度を１５０℃にする。そして、真空の状態において、連続して、アルゴンガスのみでスパッタする。ステップＳ３０７においては、ニッケルアルミターゲットの成分割合はニッケルが４０〜６０％であり、残りがアルミニウムである。 Next, a nickel aluminum film 5 is formed on the nickel silicide film 4 (step S307), and then an aluminum film 6 is formed thereon (step S308). In step S307 and step S308, for example, the film is formed by a DC sputtering method. In the present embodiment, the DC power is set to 300 W, the pressure is set to 0.4 Pa, and the substrate temperature is set to 150 ° C. And in a vacuum state, it sputter | spatters only with argon gas continuously. In step S307, the nickel aluminum target component ratio is 40 to 60% for nickel, and the rest is aluminum.

ここで、ニッケルアルミ膜５の厚さが薄いと、接着層としての機能を果たさない。また、ニッケルアルミ膜５の厚さが厚いと、アルミニウム膜６より抵抗が高くなってしまう。したがって、ニッケルアルミ膜５の厚さは、たとえば、５ｎｍ〜１０ｎｍが好ましい。一方、アルミニウム膜６の厚さが薄いと、ニッケルアルミ膜５の方が抵抗が高くなってしまう。アルミニウム膜６の厚さは、厚い方がよいが、厚くすると形成に時間がかかってしまう。たとえば、４μｍの厚さのアルミニウム膜６を形成する場合、１時間程度かかる。したがって、アルミニウム膜６の厚さは、たとえば、２μｍ〜４μｍが好ましい。 Here, if the thickness of the nickel aluminum film 5 is thin, it does not function as an adhesive layer. Further, when the thickness of the nickel aluminum film 5 is large, the resistance becomes higher than that of the aluminum film 6. Therefore, the thickness of the nickel aluminum film 5 is preferably 5 nm to 10 nm, for example. On the other hand, if the aluminum film 6 is thin, the nickel aluminum film 5 has a higher resistance. The aluminum film 6 should be thick, but if it is thick, it takes time to form it. For example, when the aluminum film 6 having a thickness of 4 μm is formed, it takes about one hour. Therefore, the thickness of the aluminum film 6 is preferably 2 μm to 4 μm, for example.

つぎに、ｎ型ＳｉＣ領域１からのカーボンの析出を抑制するための検討をおこなった。図４は、炭化珪素半導体装置に酸化ニッケル膜を形成した実験の試料について示す説明図である。図４に示すように、実験１の試料は、ｎ型ＳｉＣ領域１の上に酸化ニッケル膜３を成膜した構成である。酸化ニッケル膜３の厚さは、たとえば、０．２μｍである。また、実験２の試料は、ｎ型ＳｉＣ領域１の上にニッケル膜２を成膜し、さらに、ニッケル膜２の上に酸化ニッケル膜３を成膜した構成である。したがって、実験２の試料は、上述した本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置と同様の構造である。ニッケル膜２および酸化ニッケル膜３の厚さは、たとえば、ともに０．１μｍである。この実験１および実験２の試料を、真空（たとえば、５×１０^-4Ｐａ以下）の状態において、１０００℃で５分間の熱処理をおこなう。 Next, studies were made to suppress the precipitation of carbon from the n-type SiC region 1. FIG. 4 is an explanatory diagram showing an experimental sample in which a nickel oxide film is formed on a silicon carbide semiconductor device. As shown in FIG. 4, the sample of Experiment 1 has a configuration in which a nickel oxide film 3 is formed on an n-type SiC region 1. The thickness of the nickel oxide film 3 is, for example, 0.2 μm. The sample of Experiment 2 has a configuration in which a nickel film 2 is formed on the n-type SiC region 1 and a nickel oxide film 3 is formed on the nickel film 2. Therefore, the sample of Experiment 2 has the same structure as that of the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment described above. The thicknesses of the nickel film 2 and the nickel oxide film 3 are both 0.1 μm, for example. The samples of Experiment 1 and Experiment 2 are heat-treated at 1000 ° C. for 5 minutes in a vacuum (for example, 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less).

まず、実験１の試料に対して検討をおこなう。図５は、実験１の試料のＸ線回折法（ＸＲＤ）による生成物特定の結果を示す説明図である。図５においては、縦軸は強度であり、横軸は回折線の角度（２θ）である。図５に示すように、実験１の試料においては、ＳｉＣのピーク以外には、酸化ニッケルのピークが観測されるのみである。また、図６は、実験１の試料のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による深さ方向の元素分析結果を示す説明図である。図６においては、縦軸は元素の含有率であり、横軸はスパッタリング時間（任意目盛）である。図６に示すように、実験１の試料においては、ｎ型ＳｉＣ領域１および酸化ニッケル膜３には反応がまったく観測されない。 First, the sample of Experiment 1 is examined. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the results of product identification of the sample of Experiment 1 by X-ray diffraction (XRD). In FIG. 5, the vertical axis represents intensity, and the horizontal axis represents the angle of diffraction lines (2θ). As shown in FIG. 5, only the nickel oxide peak is observed in addition to the SiC peak in the sample of Experiment 1. FIG. 6 is an explanatory diagram showing the results of elemental analysis in the depth direction by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of the sample of Experiment 1. In FIG. 6, the vertical axis represents the element content, and the horizontal axis represents the sputtering time (arbitrary scale). As shown in FIG. 6, in the sample of Experiment 1, no reaction is observed in the n-type SiC region 1 and the nickel oxide film 3 at all.

つぎに、実験２の試料に対して検討をおこなう。図７は、実験２の試料のＸ線回折法による生成物特定の結果を示す説明図である。図７においては、縦軸は強度であり、横軸は回折線の角度（２θ）である。図７に示すように、実験２の試料においては、ＳｉＣのピーク以外に、酸化ニッケルと、ニッケルと、ニッケルシリサイドのピークが観測される。また、図８は、実験２の試料のＸ線光電子分光法による深さ方向の元素分析結果を示す説明図である。図８においては、縦軸は元素の含有率であり、横軸はスパッタリング時間（任意目盛）である。図８に示すように、実験２の試料においては、ニッケル膜２に、ｎ型ＳｉＣ領域１からシリコンとカーボンが拡散している。このため、ニッケル膜２の一部がニッケルシリサイド膜４になる。また、酸化ニッケル膜３には、カーボンは拡散しないが、シリコンが表面まで拡散している。さらに、ＸＰＳの結合エネルギーシフトから、拡散したシリコンによって酸化ニッケル膜３の表面がＳｉＯ₂膜となっていることがわかる。 Next, the sample of Experiment 2 is examined. FIG. 7 is an explanatory diagram showing a result of product identification of the sample of Experiment 2 by an X-ray diffraction method. In FIG. 7, the vertical axis represents intensity, and the horizontal axis represents the angle of diffraction lines (2θ). As shown in FIG. 7, in the sample of Experiment 2, the peaks of nickel oxide, nickel, and nickel silicide are observed in addition to the SiC peak. FIG. 8 is an explanatory diagram showing the elemental analysis results in the depth direction of the sample of Experiment 2 by X-ray photoelectron spectroscopy. In FIG. 8, the vertical axis represents the element content, and the horizontal axis represents the sputtering time (arbitrary scale). As shown in FIG. 8, in the sample of Experiment 2, silicon and carbon are diffused from the n-type SiC region 1 into the nickel film 2. For this reason, a part of the nickel film 2 becomes the nickel silicide film 4. In the nickel oxide film 3, carbon does not diffuse, but silicon diffuses to the surface. Furthermore, it can be seen from the XPS binding energy shift that the surface of the nickel oxide film 3 is an SiO ₂ film due to the diffused silicon.

このように、実験１および実験２の試料では、カーボンが最表面層まで拡散されない。また、ｎ型ＳｉＣ領域１の上にニッケル電極を形成する場合、ニッケル膜２の上に酸化ニッケル膜３を形成してから、熱処理（アニール）することにより、カーボンが表面まで拡散していないニッケルシリサイド膜４が形成される。ニッケルシリサイド膜４は、ニッケル膜２より低抵抗である。したがって、実験２の試料が本発明の炭化珪素半導体装置に適していることがわかる。 Thus, in the samples of Experiment 1 and Experiment 2, carbon is not diffused to the outermost surface layer. Further, when a nickel electrode is formed on the n-type SiC region 1, a nickel oxide film 3 is formed on the nickel film 2 and then heat-treated (annealed) so that the carbon is not diffused to the surface. A silicide film 4 is formed. The nickel silicide film 4 has a lower resistance than the nickel film 2. Therefore, it can be seen that the sample of Experiment 2 is suitable for the silicon carbide semiconductor device of the present invention.

ここで、酸化ニッケル膜３の表面に形成されたＳｉＯ₂膜は絶縁物である。また、酸化ニッケル膜３も極めて高抵抗な半導体である。したがって、アルミニウム膜６を形成する場合、ＳｉＯ₂膜および酸化ニッケル膜３を除去する必要がある。実際のデバイスにおいては、オーミック電極以外にもＳｉＯ₂膜が形成されている部分があるため、フッ素によってＳｉＯ₂膜を除去することはできない。このため、たとえば、塩酸によって、酸化ニッケル膜３を除去することで、酸化ニッケル膜３の表面に積層されたＳｉＯ₂膜をともに除去する。本実施の形態においては、たとえば、塩酸を３７％含有した溶液を５０℃に湯煎して、この中に約６分間、実験２の試料を入れてエッチングをおこなった。これによって、ＳｉＯ₂膜が表面に積層された酸化ニッケル膜３が剥離され、ニッケルシリサイド膜４が最表面となる。 Here, the SiO ₂ film formed on the surface of the nickel oxide film 3 is an insulator. The nickel oxide film 3 is also an extremely high resistance semiconductor. Therefore, when the aluminum film 6 is formed, it is necessary to remove the SiO ₂ film and the nickel oxide film 3. In an actual device, since in addition to the ohmic electrode is a portion SiO ₂ film is formed, it is impossible to remove the SiO ₂ film by fluorine. Therefore, for example, by removing the nickel oxide film 3 with hydrochloric acid, the SiO ₂ film laminated on the surface of the nickel oxide film 3 is removed together. In the present embodiment, for example, a solution containing 37% hydrochloric acid is bathed in water at 50 ° C., and the sample of Experiment 2 is put into this for about 6 minutes for etching. As a result, the nickel oxide film 3 having the SiO ₂ film laminated on the surface is peeled off, and the nickel silicide film 4 becomes the outermost surface.

つぎに、上述の方法によって最表面となったニッケルシリサイド膜４の上に、配線材料としてアルミニウム膜６を形成する方法を検討する。図９は、ニッケルシリサイド膜４の上にアルミニウム膜６を形成する方法と、アルミニウム膜６の付着力と、の関係を示す説明図である。図９においては、付着力は、テープを貼り付けて剥がす方法によって確認した。アルミニウム膜６およびニッケルアルミ膜５は、ＤＣスパッタリング法によって、ＤＣパワーを３００Ｗ、圧力を０．４Ｐａに設定し、スパッタガスをアルゴン、基板温度を１５０℃にして成膜した。ニッケルアルミ膜５をスパッタするためのニッケルアルミターゲットの組成は、ニッケルが５０％とし、アルミニウムが５０％とした。ニッケルアルミ膜５の厚さは、１０ｎｍとし、アルミニウム膜６の厚さは、３μｍとした。 Next, a method of forming an aluminum film 6 as a wiring material on the nickel silicide film 4 which has become the outermost surface by the above-described method will be examined. FIG. 9 is an explanatory diagram showing the relationship between the method of forming the aluminum film 6 on the nickel silicide film 4 and the adhesion force of the aluminum film 6. In FIG. 9, the adhesive force was confirmed by a method of attaching and removing the tape. The aluminum film 6 and the nickel aluminum film 5 were formed by DC sputtering at a DC power of 300 W, a pressure of 0.4 Pa, a sputtering gas of argon, and a substrate temperature of 150 ° C. The composition of the nickel aluminum target for sputtering the nickel aluminum film 5 was 50% nickel and 50% aluminum. The thickness of the nickel aluminum film 5 was 10 nm, and the thickness of the aluminum film 6 was 3 μm.

ここで、ニッケルアルミ膜５の組成は、ニッケルシリサイド膜４と、アルミニウム膜６と、の密着性を上げるため、および、ニッケルアルミ膜５の抵抗を高くしないために、どちらかの元素に偏らない組成とする。また、ニッケルアルミ膜５の厚さは、薄すぎると密着性を保つことができない。しかしながら、抵抗を小さくするためには、できるだけ薄い方がよい。したがって、たとえば、ニッケルアルミ膜５の厚さを、１０ｎｍくらいにするのが好ましい。 Here, the composition of the nickel aluminum film 5 is not biased to either element in order to increase the adhesion between the nickel silicide film 4 and the aluminum film 6 and not to increase the resistance of the nickel aluminum film 5. The composition. Further, if the thickness of the nickel aluminum film 5 is too thin, the adhesion cannot be maintained. However, in order to reduce the resistance, it is preferable to make it as thin as possible. Therefore, for example, the thickness of the nickel aluminum film 5 is preferably about 10 nm.

図９に示すように、実験３は、従来の、酸化ニッケル膜３が形成されていない基板にアルミニウム膜６を形成する方法と、アルミニウム膜６の付着力と、を示す。実験３の試料は、カーボンが多く析出された表面層に、直接アルミニウム膜６が形成されている。実験３の試料は、ニッケル膜２を成膜した後に、アルミニウム膜６を成膜する。この場合、テープによる剥離実験を１回おこなうだけで、アルミニウム膜６の全面が剥がれてしまう。これは、試料の表面に析出したカーボンと、アルミニウムと、の密着性が弱いためである。少しでも密着性をよくするために、高い基板温度に加熱して密着性を保つ方法が提案されているが、アルミニウム膜６の剥がれる素子が多く、歩留まりが悪い。 As shown in FIG. 9, Experiment 3 shows a conventional method of forming the aluminum film 6 on the substrate on which the nickel oxide film 3 is not formed, and the adhesion force of the aluminum film 6. In the sample of Experiment 3, the aluminum film 6 is directly formed on the surface layer on which a large amount of carbon is deposited. In the sample of Experiment 3, after the nickel film 2 is formed, the aluminum film 6 is formed. In this case, the entire surface of the aluminum film 6 is peeled off only by performing a tape peeling experiment once. This is because the adhesion between carbon deposited on the surface of the sample and aluminum is weak. In order to improve the adhesiveness as much as possible, a method of maintaining the adhesiveness by heating to a high substrate temperature has been proposed, but there are many elements from which the aluminum film 6 is peeled, and the yield is poor.

これに対し、実験４の試料は、ニッケル膜２を成膜した上に、さらに酸化ニッケル膜３を成膜し、その後に、アルミニウム膜６を成膜する。この場合、テープによる剥離実験を１回おこなうだけで、アルミニウム膜６がほぼ剥がれてしまう。これは、試料表面のカーボンの析出は抑えられるが、酸化ニッケル膜３とアルミニウム膜６との密着性がよくないためである。 On the other hand, in the sample of Experiment 4, the nickel film 2 is formed, the nickel oxide film 3 is further formed, and then the aluminum film 6 is formed. In this case, the aluminum film 6 is almost peeled off only by performing the peeling experiment with the tape once. This is because the deposition of carbon on the sample surface can be suppressed, but the adhesion between the nickel oxide film 3 and the aluminum film 6 is not good.

また、実験５の試料は、ニッケル膜２を成膜した上に、さらに酸化ニッケル膜３を成膜し、その後に、酸化ニッケル膜３を塩酸で除去してから、アルミニウム膜６を成膜する。この場合、テープによる剥離実験を数回おこなうと、アルミニウム膜６の一部が剥がれる程度であり、アルミニウム膜６の密着性が改善される。これは、試料表面のカーボンの析出が抑えられ、また、酸化ニッケル膜３が除去されたことで、ニッケルシリサイド膜４の上にアルミニウム膜６が成膜されているためである。 In the sample of Experiment 5, the nickel film 2 is formed, the nickel oxide film 3 is further formed, and then the nickel oxide film 3 is removed with hydrochloric acid, and then the aluminum film 6 is formed. . In this case, when the peeling experiment using the tape is performed several times, the aluminum film 6 is partially peeled off, and the adhesion of the aluminum film 6 is improved. This is because the deposition of carbon on the sample surface is suppressed, and the nickel oxide film 3 is removed, so that the aluminum film 6 is formed on the nickel silicide film 4.

実験６の試料は、ニッケル膜２を成膜した上に、さらに酸化ニッケル膜３を成膜し、その後に、酸化ニッケル膜３を塩酸で除去してから、接着層として１０ｎｍの厚さのニッケルアルミ膜５を成膜して、その上にアルミニウム膜６を成膜する。したがって、ニッケルシリサイド膜４の上に、ニッケルアルミ膜５が成膜された後に、さらにアルミニウム膜６が成膜されたこととなる。この場合、テープによる剥離実験を数十回おこなっても、アルミニウム膜６が剥離しなかった。これは、ニッケルアルミ膜５が、ニッケルシリサイド膜４およびアルミニウム膜６とよく密着するためである。 In the sample of Experiment 6, a nickel film 2 was formed, a nickel oxide film 3 was further formed, and then the nickel oxide film 3 was removed with hydrochloric acid. An aluminum film 5 is formed, and an aluminum film 6 is formed thereon. Therefore, after the nickel aluminum film 5 is formed on the nickel silicide film 4, the aluminum film 6 is further formed. In this case, the aluminum film 6 did not peel even after several tens of tape peeling experiments. This is because the nickel aluminum film 5 is in close contact with the nickel silicide film 4 and the aluminum film 6.

このことから、本実施の形態で示すように、ｎ型ＳｉＣ領域１にニッケルを用いてコンタクト電極を形成し、その上に配線材料としてアルミニウム膜６を形成する場合、ニッケル膜２の上に、酸化ニッケル膜３を形成する。そして、熱処理をおこなって、ニッケル膜２をニッケルシリサイドとカーボンの混合膜（ニッケルシリサイド膜４）とする。さらに、塩酸溶液を用いて、酸化ニッケル膜３を剥離した後に、ニッケルアルミ膜５と、アルミニウム膜６と、をこの順に続けて積層する。これによって、付着力が強くて、アルミニウム膜６の剥離の可能性が少ない、信頼性の高いオーミック電極が形成される。したがって、実験５または実験６の試料が、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置に適しており、実験６の試料がより本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置に適していることがわかる。 Therefore, as shown in the present embodiment, when a contact electrode is formed using nickel in the n-type SiC region 1 and an aluminum film 6 is formed thereon as a wiring material, on the nickel film 2, A nickel oxide film 3 is formed. Then, heat treatment is performed to make the nickel film 2 a mixed film of nickel silicide and carbon (nickel silicide film 4). Further, after removing the nickel oxide film 3 using a hydrochloric acid solution, the nickel aluminum film 5 and the aluminum film 6 are successively laminated in this order. As a result, a highly reliable ohmic electrode is formed which has strong adhesion and is less likely to peel off the aluminum film 6. Therefore, it can be seen that the sample of Experiment 5 or Experiment 6 is suitable for the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment, and the sample of Experiment 6 is more suitable for the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment.

つぎに、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置を適用したデバイスについて説明する。図１０は、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置を用いたＭＯＳＦＥＴの構造を示す断面図である。図１０に示すように、このＭＯＳＦＥＴは、基板１０の表面層にドリフト層１１が設けられている。ドリフト層１１の表面層の一部には、２つのボディ領域１２がそれぞれ離れて設けられている。ドリフト層１１の表面層の、２つのボディ領域１２の間の領域は、ＪＦＥＴ（ＪｕｎｃｔｉｏｎＦｉｅｌｄ−ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）領域１４となっている。ボディコンタクト領域１５は、それぞれのボディ領域１２の表面層の一部に設けられている。ソースコンタクト領域１６は、それぞれのボディ領域１２の表面層の、ボディコンタクト領域１５よりＪＦＥＴ領域１４に近い領域の一部に、ボディコンタクト領域１５と接し、ＪＦＥＴ領域１４と接しないように設けられている。このように、ＪＦＥＴ領域１４を挟んで左右に２つのＭＯＳＦＥＴが設けられている。 Next, a device to which the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment is applied will be described. FIG. 10 is a cross-sectional view showing a structure of a MOSFET using the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment. As shown in FIG. 10, this MOSFET is provided with a drift layer 11 on a surface layer of a substrate 10. Two body regions 12 are provided apart from each other in part of the surface layer of the drift layer 11. A region between the two body regions 12 on the surface layer of the drift layer 11 is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) region 14. The body contact region 15 is provided in a part of the surface layer of each body region 12. The source contact region 16 is provided so as to be in contact with the body contact region 15 and not in contact with the JFET region 14 in a part of the surface layer of each body region 12 closer to the JFET region 14 than the body contact region 15. Yes. Thus, two MOSFETs are provided on the left and right with the JFET region 14 in between.

ゲート電極１７は、ＪＦＥＴ領域１４と、ボディ領域１２の一部と、の表面にゲート絶縁膜１８を介して設けられている。ソース電極１９は、ボディコンタクト領域１５と、ソースコンタクト領域１６と、に接するように設けられている。また、ソース電極１９は、層間絶縁膜２０によってゲート電極１７と隔てられている。ドレイン電極２１は、基板１０の裏面に接するように設けられている。 The gate electrode 17 is provided on the surface of the JFET region 14 and a part of the body region 12 via a gate insulating film 18. The source electrode 19 is provided in contact with the body contact region 15 and the source contact region 16. The source electrode 19 is separated from the gate electrode 17 by the interlayer insulating film 20. The drain electrode 21 is provided in contact with the back surface of the substrate 10.

図１０に示すＭＯＳＦＥＴにおいて、基板１０がｎ型ＳｉＣ領域であり、ドレイン電極２１がニッケル膜である。したがって、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体を、ドレイン側に用いることができる。このように、本実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置は、炭化珪素デバイスに用いることができる。 In the MOSFET shown in FIG. 10, the substrate 10 is an n-type SiC region, and the drain electrode 21 is a nickel film. Therefore, the silicon carbide semiconductor according to the present embodiment can be used on the drain side. Thus, the silicon carbide semiconductor device concerning this Embodiment can be used for a silicon carbide device.

以上のように、本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板を用いた半導体装置に有用であり、特に、オーミック電極に適している。 As described above, the method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to the present invention is useful for a semiconductor device using a silicon carbide substrate, and is particularly suitable for an ohmic electrode.

１ｎ型炭化珪素基板またはｎ型炭化珪素領域
２ニッケル膜
３酸化ニッケル膜
４ニッケルシリサイド膜
５ニッケルアルミ膜
６アルミニウム膜 1 n-type silicon carbide substrate or n-type silicon carbide region 2 nickel film 3 nickel oxide film 4 nickel silicide film 5 nickel aluminum film 6 aluminum film

Claims

a nickel film forming step of forming a nickel film on the surface of the n-type silicon carbide substrate or the n-type silicon carbide region formed on the surface of the silicon carbide substrate;
A nickel oxide film forming step of forming a nickel oxide film on the surface of the nickel film formed by the nickel film forming step;
After the nickel oxide film forming step, a heat treatment is performed, and a nickel silicide film is formed on a part of the nickel film; and
A nickel oxide film removing step for removing the nickel oxide film after the heat treatment step;
An aluminum film forming step of forming an aluminum film on the surface of the nickel silicide film from which the nickel oxide film has been removed by the nickel oxide film removing step;
The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device characterized by the above-mentioned.

Between the nickel oxide film removing step and the aluminum film forming step,
A nickel aluminum film forming step of forming a nickel aluminum film on the surface of the nickel silicide film;
2. The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to claim 1, wherein the aluminum film is formed on a surface of the nickel aluminum film formed by the nickel aluminum film forming process. 3.

In the nickel film forming step, the nickel film is formed with a thickness of 0.05 μm or more and 0.2 μm or less,
3. The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to claim 1, wherein the nickel oxide film forming step forms the nickel oxide film with a thickness of 0.05 μm or more and 0.15 μm or less.

In the nickel aluminum film forming step, the nickel aluminum film is formed with a thickness of 5 nm to 20 nm,
3. The method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to claim 2, wherein in the aluminum film forming step, the aluminum film is formed with a thickness of 2 μm to 4 μm.

The nickel aluminum film forming step includes forming the nickel aluminum film by a sputtering method using a nickel aluminum target having a nickel content of 40 at% or more and 60 at% or less and the remainder being aluminum. 5. A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device according to 4.