JP2012253015A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】共通電極の配線抵抗を低め、共通電極を保護するための有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、基板１と、基板１上に備えられた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う第１絶縁膜２１８と、第１絶縁膜２１８上に形成され、薄膜トランジスタと電気的に連結された第１電極２２１と、第１電極２２１を覆うように第１絶縁膜２１８上に形成され、第１電極２２１の一部を露出させる開口２１９ａを持つ第２絶縁膜２１９と、第２絶縁膜２１９上の一部及び第１電極２２１上に形成された有機発光層と、第２絶縁膜２１９及び有機発光層上に形成された第２電極２２２と、第２電極２２２上の第１領域上に形成されて第１エッジ２２４ａを持つキャッピング層２２４と、第２電極２２２上の第１領域以外の領域である第２領域上に形成され、キャッピング２２４層の第１エッジ２２４ａの側面とその側面が互いに当接する第２エッジ２２３ａを持つ第３電極２２３と、を備える。
【選択図】図６

Description

本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、パネルの大型化が可能な有機発光表示装置及びその製造方法に関する。

有機発光表示装置は、有機化合物を電気的に励起して発光させる自発光型ディスプレイであって、低電圧で駆動可能かつ薄型化が容易で、広視野角、速い応答速度など、液晶表示装置において問題点として指摘された欠点を解決できる次世代ディスプレイとして注目されている。

最近は、これらの有機発光表示装置を用いて大型ディスプレイを具現しようとする試みが多くなっている。ところが、この場合には、あらゆるピクセルを覆う共通電極の配線抵抗が高くなるという問題がある。

また、上記有機発光表示装置は、使用中または製造過程で上記共通電極がその上部のカプセル化（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）部材により損傷される恐れがあって、このカプセル化部材から共通電極を保護する必要がある。

本発明は、上記のような問題点を解決するためのものであり、共通電極の配線抵抗を低減させ、共通電極を保護できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供するところに目的がある。

上記の目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板上に備えられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された第１電極と、前記第１電極を覆うように前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１電極の一部を露出させる開口を持つ第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上の一部及び前記第１電極上に形成された有機発光層と、前記第２絶縁膜及び有機発光層上に形成された第２電極と、前記第２電極上の第１領域上に形成されて第１エッジを持つキャッピング層と、前記第２電極上の前記第１領域以外の領域である第２領域上に形成され、前記キャッピング層の第１エッジの側面とその側面が互いに当接する第２エッジを持つ第３電極と、を備える有機発光表示装置を提供する。

本発明の他の特徴によれば、前記第２電極は、透光可能に備えられる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、Ａｇを含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極の厚さは、前記第２電極の厚さより厚い。

本発明のさらに他の特徴によれば、外光の透過可能な透過領域と、前記透過領域に隣接して発光が行われるピクセル領域と、を含み、前記透過領域及びピクセル領域は、前記第１領域に位置し、前記第１電極は、ピクセル領域と重なり、前記第１電極は、前記薄膜トランジスタを遮蔽するように位置する。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層は、透光可能に備えられる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極と前記キャッピング層との接着力は、前記第３電極と前記第２電極との接着力より弱い。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層は、８−キノリノラトリチウム、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、または２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾールを含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極は、Ｍｇを含む。

本発明はまた前記の目的を達成するために、複数のピクセルと、前記各ピクセルに位置する複数の薄膜トランジスタと、前記各ピクセルに位置し、前記各薄膜トランジスタと電気的に連結された複数の第１電極と、前記複数のピクセルを覆う第２電極と、前記各第１電極と前記第２電極との間に介在された有機発光層と、前記ピクセルのうち少なくとも一つに対応するように位置する複数のキャッピング層と、前記各ピクセルの間に位置し、前記各キャッピング層に隣接して前記第２電極と電気的に連結された第３電極と、を備える有機発光表示装置を提供する。

本発明の他の特徴によれば、前記第２電極は、透光可能に備えられる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、Ａｇを含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極の厚さは、前記第２電極の厚さより厚い。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記各ピクセルは、外光の透過可能な透過領域と、前記透過領域に隣接して発光が行われるピクセル領域と、を含み、前記第１電極は、ピクセル領域と重なり、前記第１電極は、前記薄膜トランジスタを遮蔽するように位置する。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層は、透光可能に備えられる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極と前記キャッピング層との接着力は、前記第３電極と前記第２電極との接着力より弱い。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層は、８−キノリノラトリチウム、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、または２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾールを含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極は、Ｍｇを含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層のあらゆるエッジと前記第３電極のエッジとが互いに当接する。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層の面積は、少なくとも一ピクセルの発光が起きる領域の面積より広い。

本発明はまた前記の目的を達成するために、複数のピクセルにそれぞれ位置する複数の薄膜トランジスタを形成する段階と、前記各薄膜トランジスタと電気的に連結され、前記複数のピクセルにそれぞれ位置し、第１電極、有機発光層及び第２電極を含む複数の有機発光素子を形成する段階と、前記ピクセルのうち少なくとも一つに対応するように位置する複数のキャッピング層を形成する段階と、前記ピクセル上に金属を蒸着し、前記各キャッピング層に隣接して前記第２電極と電気的に連結された第３電極を形成する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法を提供する。

本発明の他の特徴によれば、前記第２電極は、透光可能に形成される。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、Ａｇを含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極は、前記第２電極より厚く形成される。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記各ピクセルは、外光の透過可能な透過領域と、前記透過領域に隣接して発光が行われるピクセル領域と、を含み、前記第１電極は、ピクセル領域と重なり、前記第１電極は、前記薄膜トランジスタを遮蔽するように位置する。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層は、透光可能に形成される。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極を形成する金属と前記キャッピング層との接着力は、前記第３電極を形成する金属と前記第２電極との接着力より弱い。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層は、８−キノリノラトリチウム、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、または２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾールを含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極は、Ｍｇを含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層を形成する段階は、前記キャッピング層に対応するパターンの開口を持つマスクを用いて行われる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極を形成する段階は、前記キャッピング層上の及び前記キャッピング層に隣接した領域に前記金属を蒸着する段階を含む。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記キャッピング層の面積は、少なくとも一ピクセルの発光が起きる領域の面積より広く形成される。

本発明によれば、次のような効果を得ることができる。

第３電極のパターニング工程を別途に行う必要なく、キャッピング層により自然にパターニング自在に形成される。したがって、第３電極をパターニングすることによる第２電極の損傷などの危険を回避できる。

キャッピング層により第２電極を保護できる。

第３電極により第２電極の電圧降下を防止できる。

本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明の望ましい他の一実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。 図１または図２の有機発光部を示す断面図である。 本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置を製造する方法を順次に示す断面図である。 本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置を製造する方法を順次に示す断面図である。 本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置を製造する方法を順次に示す断面図である。 本発明の望ましい一実施形態による有機発光部の平面図である。 本発明の望ましい他の一実施形態による有機発光部の平面図である。 本発明の望ましいさらに他の一実施形態による有機発光部の平面図である。 本発明の望ましいさらに他の一実施形態による有機発光部の断面図である。 本発明の望ましいさらに他の一実施形態による有機発光部の平面図である。 図１１の一ピクセルを示す断面図である。 本発明の望ましいさらに他の一実施形態による有機発光部の平面図である。 本発明の一実施形態による方法でキャッピング層及び第３電極を形成したときの、ピクセル発光領域における透光率を示すグラフである。 本発明の一実施形態による方法によって第３電極を形成したときの、第２電極の最大電圧降下量を示すグラフである。

以下、添付図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。

図１は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。

図１を参照すれば、本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置は、基板１上に形成された有機発光部２１と、この有機発光部２１を密封する密封基板２３と、を備える。

密封基板２３は、透明な部材で形成されて有機発光部２１からの画像を具現可能にし、有機発光部２１への外気及び水分の浸透を遮断する。

基板１と密封基板２３とは、そのエッジが密封材２４により結合されて、基板１と密封基板２３との間の空間２５が密封される。空間２５には、吸湿剤や充填材などが位置できる。

密封基板２３の代りに、図２に示したように、薄膜の密封フィルム２６を有機発光部２１上に形成することで、有機発光部２１を外気から保護できる。密封フィルム２６は、酸化ケイ素または窒化ケイ素などの無機物からなる膜とエポキシ、ポリイミドなどの有機物からなる膜が交互に成膜された構造を採用できるが、必ずしもこれらに限定されるものではなく、透明な薄膜状の密封構造ならば、いかなるものでも適用できる。

図３は、図１及び図２に示した有機発光部２１の一実施形態を示す断面図である。図３には、有機発光部２１の一ピクセルを示し、有機発光部２１は、これらのピクセルが複数備えられている。

図３による本発明の望ましい一実施形態によれば、基板１の第１面上にバッファ膜２１１が形成され、このバッファ膜２１１上に薄膜トランジスタＴＲが形成される。

図３には、一つの薄膜トランジスタＴＲのみ図示されているが、上記ピクセルは、それ以外にも他の少なくとも一つの薄膜トランジスタとキャパシタとを備えたピクセル回路を構成できる。

バッファ膜２１１上には、半導体活性層２１２が形成される。

バッファ膜２１１は、不純元素の浸透を防止して表面を平坦化する役割を行うものであり、これらの役割を行える多様な物質で形成できる。一例として、バッファ膜２１１は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンまたは窒化チタンなどの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物またはこれらの積層体で形成される。バッファ膜２１１は必須構成要素ではなく、必要に応じては備えられないこともある。

半導体活性層２１２は多結晶シリコンからなるが、必ずしもこれらに限定されるものではなく、酸化物半導体からなってもよい。例えば、Ｇ−Ｉ−Ｚ−Ｏ層［（Ｉｎ_２Ｏ_３）ａ（Ｇａ_２Ｏ_３）ｂ（ＺｎＯ）ｃ層］（ａ、ｂ、ｃは、それぞれａ≧０、ｂ≧０、ｃ＞０の条件を満たす実数）でありうる。

半導体活性層２１２を覆うように、ゲート絶縁膜２１３がバッファ膜２１１上に形成され、ゲート絶縁膜２１３上にゲート電極２１４が形成される。

ゲート電極２１４を覆うように、ゲート絶縁膜２１３上に層間絶縁膜２１５が形成され、この層間絶縁膜２１５上にソース電極２１６とドレイン電極２１７とが形成されて、それぞれ半導体活性層２１２とコンタクトホールとを通じてコンタクトされる。

上記のような薄膜トランジスタＴＲの構造は必ずしもこれらに限定されるものではなく、多様な形態の薄膜トランジスタの構造が適用できるということはいうまでもない。例えば、薄膜トランジスタＴＲはトップゲート構造で形成されたものであるが、ゲート電極２１４が半導体活性層２１２の下部に配されたボトムゲート構造で形成されてもよい。もちろん、これ以外にも適用可能なあらゆる薄膜トランジスタの構造が適用できるということはいうまでもない。

薄膜トランジスタＴＲと共にキャパシタを含むピクセル回路（図示せず）が形成できる。

これらの薄膜トランジスタＴＲを含むピクセル回路を覆うように第１絶縁膜２１８が形成される。第１絶縁膜２１８は、上面の平坦化した単一または複数層の絶縁膜になりうる。この第１絶縁膜２１８は、無機物及び／または有機物からなる。

第１絶縁膜２１８上には、図３に示したように、薄膜トランジスタＴＲを含むピクセル回路と電気的に連結された第１電極２２１が形成される。第１電極２２１は、各ピクセルごとに互いに独立した島状に形成される。

第１絶縁膜２１８上には、第１電極２２１のエッジを覆うように第２絶縁膜２１９が形成される。第２絶縁膜２１９には開口２１９ａが形成されて、第１電極２２１のエッジを除外した中央部を露出させる。

開口２１９ａを通じて露出された第１電極２２１上には有機膜２２０が形成され、有機膜２２０を覆うように第２電極２２２が形成されて有機発光素子ＥＬを形成する。

有機膜２２０は、低分子または高分子有機膜が使われる。低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層して形成される。これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。この時、発光層は赤色、緑色、青色のピクセルごとに独立して形成され、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は共通層であり、赤色、緑色、青色のピクセルに共通に適用される。

正孔注入層（ＨＩＬ）は、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはスターバスト型アミン類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢなどで形成できる。

正孔輸送層（ＨＴＬ）は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１、１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ＤＩ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などで形成できる。

電子注入層（ＥＩＬ）は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉｑなどの物質を用いて形成できる。

電子輸送層（ＥＴＬ）は、Ａｌｑ３を用いて形成できる。

発光層（ＥＭＬ）は、ホスト物質及びドーパント物質を含む。

ホスト物質としては、トリス（８−ヒドロキシ−キノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＡＮＤ）、３−Ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジメチルフェニル（ＤＰＶＢｉ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジメチルフェニル（ｐ−ＤＭＤＰＶＢｉ）、Ｔｅｒｔ（９，９−ジアリールフルオレン）（ＴＤＡＦ）、２−（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（ＢＳＤＦ）、２，７−ビス（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（ＴＳＤＦ）、ビス（９，９−ジアリールフルオレン）（ＢＤＡＦ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジ−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル（ｐ−ＴＤＰＶＢｉ）、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、１，３，５−トリス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｔＣＰ）、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴｃＴａ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−２、２’−ジメチル−ビフェニル（ＣＢＤＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチル−フルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）フルオレン（ＦＬ−４ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジ−トリル−フルオレン（ＤＰＦＬ−ＣＢＰ）、９，９−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）フルオレン（ＦＬ−２ＣＢＰ）などが使われる。

前記ドーパント物質としては、ＤＰＡＶＢｉ（４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル）、ＡＤＮ（９，１０−ジ（ナフ−２−チル）アントラセン）、ＴＢＡＤＮ（３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフ−２−チル）アントラセン）などが使われる。

第１電極２２１はアノード電極の機能を行い、第２電極２２２はカソード電極の機能を行うが、もちろん、これら第１電極２２１と第２電極２２２との極性は互いに逆になってもよい。

第１電極２２１がアノード電極の機能を行う場合、第１電極２２１は仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などを含んで備えられる。もし、図３で基板１の逆方向に画像が具現される前面発光型である場合、第１電極２２１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、ＹｂまたはＣａなどで形成された反射膜をさらに含む。

第２電極２２２がカソード電極の機能を行う場合、第２電極２２２は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、またはＣａの金属からなる。もし、図３で前面発光型である場合、第２電極２２２は透光可能に備えられねばならない。このために、第２電極２２２は、透明な金属酸化物であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などを含んで備えられうる。または第２電極２２２は、Ａｌ、Ａｇ及び／またはＭｇを用いて薄膜で形成できる。例えば、Ｍｇ：Ａｇ及び／またはＡｇが単一層または積層構造で形成される。第２電極２２２は、第１電極２２１と異なってあらゆるピクセルにわたって共通の電圧が印加されるように形成されるが、このために、ピクセルごとにパターニングされていない共通電極で形成される。もちろん、共通電極である第２電極２２２を、発光領域に対応する領域以外の領域が除去されたメッシュ状にパターニングしてもよい。

上述した前面発光型の場合、第２電極２２２が透明な金属酸化物または薄膜の金属を含むため、第２電極２２２が共通電極で形成される場合、第２電極２２２の面抵抗が大きくなって電圧降下現象が生じる。本発明は、かかる問題を解決するために第２電極２２２と電気的に連結されるように第３電極２２３をさらに形成した。

そして、第２電極２２２の上面が図１での密封基板２３により損傷する恐れがある。それだけでなく、図２のように密封フィルム２６を形成する場合にも、密封フィルム２６の形成時に第２電極２２２が損傷しやすい。本発明は、かかる問題を解決するために、第２電極２２２上にキャッピング層２２４を形成した。

キャッピング層２２４は、第２電極２２２上の第１領域Ｒ１上に形成され、第１エッジ２２４ａを持つ。

第３電極２２３は、第２電極２２２上の第２領域Ｒ２上に形成され、第２エッジ２２３ａを持つ。第３電極２２３は、キャッピング層２２４と水平の状態で互いに隣接して配される。

第１領域Ｒ１は、少なくとも一つのピクセルで発光が起きる面積より広く、当該一つのピクセルで発光が起きる領域を覆う領域に該当する。第１領域Ｒ１の全体にキャッピング層２２４が形成され、第１領域Ｒ１のエッジは、キャッピング層２２４の第１エッジ２２４ａとなる。そして第２領域Ｒ２は、第２電極２２２のうち第１領域Ｒ１以外の領域に該当するが、第２領域Ｒ２全体に第３電極２２３が形成され、第２領域Ｒ２のエッジは第３電極２２３の第２エッジ２２３ａとなる。第２領域Ｒ２は、発光が起きる領域を除外した領域になる。

キャッピング層２２４の第１エッジ２２４ａの側面と、第３電極２２３の第２エッジ２２３ａの側面とは互いに当接する状態となる。

第３電極２２３は、第２電極２２２の面抵抗を低減させるように第２電極２２２の厚さより厚く形成することが望ましい。

そして、キャッピング層２２４は、ピクセルで発光が起きる領域を覆うものであって、透光可能に形成されることが望ましい。キャッピング層２２４は、第３電極２２３より薄く薄膜で形成できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

本発明の一実施形態において、第３電極２２３とキャッピング層２２４との接着力は、第３電極２２３と第２電極２２２との接着力より弱くなるように物質を選択する。

このために、キャッピング層２２４は、８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＨＴ０１）、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（ＨＴ２１１）、または２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール（ＬＧ２０１）を含む物質で形成される。

そして、第３電極２２３は、Ｍｇで形成される。

第３電極２２３となるＭｇは、第２電極２２２と同じ金属であるため接着性が良い。しかし、Ｍｇは、上述したキャッピング層２２４の物質とはよく接着しない。したがって、これらの第３電極２２３とキャッピング層２２４との接着力特性を用いて第３電極２２３を簡単にパターニングできる。

上述したように、第３電極２２３は、第２領域Ｒ２のみに形成されるようにパターニングされねばならない。ところが、有機発光素子ＥＬの有機膜２２０を形成した後には、通常の金属膜のパターニング方法として多く使われるフォトリソグラフィなどの湿式工程を用いて、第３電極２２３をパターニングできない。これは、湿式工程で有機膜２２０に水分及び／または酸素が浸透されれば、有機発光素子ＥＬの寿命が急激に低下するためである。

このために、実際工程では、第３電極２２３のパターニングが非常に困難になる。

本発明は、第３電極２２３とキャッピング層２２４との接着力特性を用いて第３電極２２３を簡単にパターニングできる。以下、その方法をさらに詳細に説明する。

まず、図４に示したように、第２電極２２２まで形成した後、これに、図５に示したように、マスク３を用いてキャッピング層２２４を形成する。キャッピング層２２４は上述した有機物で形成できるため、マスク３を用いた熱蒸着方法で形成できる。マスク３には、キャッピング層２２４のパターンに対応するように開口３１が形成されており、この開口３１を通じてキャッピング層２２４を形成する物質Ｍ１が蒸着されて、キャッピング層２２４を形成する。

次いで、図６に示したように、第３電極２２３形成用物質Ｍ２を全体的に成膜する。この時には、図面に図示していないが、あらゆるピクセルに対して開放されたオープンマスクを用いて物質Ｍ２を成膜するか、またはマスクなしに物質Ｍ２を成膜できる。

この場合、第３電極２２３形成用物質Ｍ２は、キャッピング層２２４との接着力が悪いためキャッピング層２２４上には成膜されず、相対的に接着力の良い第２電極２２２上にのみ成膜される。

したがって、第３電極２２３は、別途のマスクやパターニング工程なしでも自然にパターニングされる。

キャッピング層２２４は、図７に示したように、一つのピクセルＰ当り一つずつ存在する島状に備えられる。図７には、キャッピング層２２４が一つのピクセルＰ全体を覆う面積になっているが、必ずしもこれらに限定されるものではなく、上述したように、一つのピクセルＰの発光が起きる面積を覆わせればよい。

この場合、第３電極２２３は、各ピクセルＰの間に通過する格子パターンをなす。

キャッピング層２２４は、図８に示したように、複数のピクセルＰ当り一つずつ存在する島状に備えられる。この場合、第３電極２２３は、複数ピクセルＰの間に通過する格子パターンをなす。

キャッピング層２２４は、図９に示したように、一列に配された複数のピクセルＰを覆うようにストライプ状に備えられる。この場合、第３電極２２３は、各ピクセル列の間に通過するストライプパターンをなす。

図９の変形例として、図示していないが、たとえば、キャッピング層２２４が横方向に複数のピクセルＰをさらに覆うようにストライプ状に備えられてもよい。

一方、図６のように第３電極２２３形成用物質Ｍ２を蒸着する場合、第３電極２２３は、キャッピング層２２４以外の領域のみに成膜されるだけでなく、図１０に示したように、キャッピング層２２４上にも、キャッピング層以外の領域に形成された第３電極２２３の第１厚さｔ１より薄い第２厚さｔ２を持つ薄膜２２３’が形成される。これは、たとえ、第３電極２２３形成用物質Ｍ２がキャッピング層２２４との接着力が悪いため、理論的にはキャッピング層２２４上には成膜されず、相対的に接着力の良い第２電極２２２上にのみ成膜されたとしても、図６のような工程は、別途のパターニングマスクを用いずにオープンマスクを用いて蒸着するものであるため、キャッピング層２２４上に第２厚さｔ２を持つ薄膜２２３’が薄く物理的に載せられて形成されることはできるからである。

第２厚さｔ２は第１厚さｔ１より薄いため、第１領域Ｒ１で有機発光素子ＥＬの輝度にあまり影響を及ぼさない。

図１１は、本発明の望ましいさらに他の一実施形態による有機発光表示装置の有機発光部２１の平面図であり、図１２は、図１１の一ピクセルを示す断面図である。

図１１及び図１２に示したように、本発明の望ましいさらに他の一実施形態によれば、有機発光部２１は、外光が透過されるように備えられた透過領域ＴＡと、この透過領域ＴＡを介して互いに離隔した複数のピクセル領域ＰＡと、に区切られる。

図１１に示したように、各ピクセル領域ＰＡ内にはピクセル回路部ＰＣが位置し、スキャンラインＳ、データラインＤ及びＶｄｄラインＶなどの複数の導電ラインが、このピクセル回路部ＰＣに電気的に連結される。図面に図示していないが、ピクセル回路部ＰＣの構成によって、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源であるＶｄｄラインＶ以外にもさらに多様な導電ラインが備えられうる。

図１１に示したように、ピクセル回路部ＰＣは、スキャンラインＳとデータラインＤとに連結された第１薄膜トランジスタＴ１と、第１薄膜トランジスタＴ１とＶｄｄラインＶとに連結された第２薄膜トランジスタＴ２と、第１薄膜トランジスタＴ１と第２薄膜トランジスタＴ２とに連結されたキャパシタＣｓｔと、を含む。この時、第１薄膜トランジスタＴ１はスイッチングトランジスタになり、第２薄膜トランジスタＴ２は駆動トランジスタになる。第２薄膜トランジスタＴ２は、第１電極２２１と電気的に連結されている。図１０で、第１薄膜トランジスタＴ１と第２薄膜トランジスタＴ２とはＰ型に形成されるが、必ずしもこれらに限定されるものではなく、少なくとも一つがＮ型に形成されてもよい。上記のような薄膜トランジスタ及びキャパシタの数は必ずしも図示された実施形態に限定されるものではなく、ピクセル回路部ＰＣによって２つ以上の薄膜トランジスタ、１つ以上のキャパシタが組合せられる。

図１１によれば、スキャンラインＳが第１電極２２１と重なるように配される。しかし、本発明は必ずしもこれらに限定されるものではなく、スキャンラインＳ、データラインＤ及びＶｄｄラインＶを含む複数の導電ラインのうち少なくともいずれか一つが第１電極２２１と重なるように配置させ、場合によっては、スキャンラインＳ、データラインＤ及びＶｄｄラインＶを含む複数の導電ラインいずれも第１電極２２１と重なるか、または第１電極２２１の側方に配置させる。

本実施形態は、このようにピクセル領域ＰＡと透過領域ＴＡとの分離によって透過領域ＴＡを通じて外部を観察する時に、外部光がピクセル回路部ＰＣ内の素子のパターンと関連して散乱することで生じる外部イメージ歪曲現象を回避できる。

これらのピクセル領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積対比透過領域ＴＡの面積の比率が５％ないし９０％範囲に属するように、ピクセル領域ＰＡと透過領域ＴＡとが形成される。

ピクセル領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積対比透過領域ＴＡの面積の比率が５％より小さければ、有機発光部２１を透過できる光が少なくて、ユーザが反対側に位置している事物またはイメージを見難い。すなわち、有機発光部２１が透明であると表現し難い。しかし、透過領域ＴＡの面積がピクセル領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積対比５％ほどであるとしても、実際には外部光の強度が強ければ、ユーザがディスプレイを透過して反対側に位置している事物またはイメージを十分に認識できるので、ユーザは透明ディスプレイとして認識可能になる。そして、後述するように、ピクセル回路部ＰＣに備えられる薄膜トランジスタを、酸化物半導体のように透明薄膜トランジスタで形成し、有機発光素子も透明素子で形成する場合には、さらに透明ディスプレイとしての認識が大きくなる。

ピクセル領域ＰＡと透明領域ＴＡとの全体面積対比透明領域ＴＡの面積の比率が９０％より大きければ、有機発光部２１のピクセル集積度が過度に低くなって、ピクセル領域ＰＡでの発光を通じて安定した画像を具現し難い。すなわち、ピクセル領域ＰＡの面積が小さくなるほど、画像を具現するためには有機膜２２０で発光する光の輝度が高くならねばならない。このように、有機発光素子を高輝度状態で作動させれば、寿命が急激に低下するという問題点が生じる。

ピクセル領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積対比透過領域ＴＡの面積の比率は、２０％ないし７０％の範囲に属するようにすることが望ましい。

２０％未満では、透過領域ＴＡに比べて前記ピクセル領域ＰＡの面積が大き過ぎるので、ユーザが透過領域ＴＡを通じて外部イメージを観察するところに限界がある。７０％を超過する場合、ピクセル領域ＰＡ内に配置するピクセル回路部ＰＣの設計に多くの制約を伴う。

ピクセル領域ＰＡには、ピクセル回路部ＰＣと電気的に連結された第１電極２２１が備えられ、ピクセル回路部ＰＣは、ピクセル電極２２１に覆われるように第１電極２２１と重なる。そして、上述したスキャンラインＳ、データラインＤ及びＶｄｄラインＶを含む導電ラインのうち少なくとも一つがこのピクセル電極２２１を過ぎるように配される。もちろん、これら導電ラインはピクセル回路部ＰＣに比べて透過率を阻害する比率が少ないため、設計条件によってはいずれも第１電極２２１に隣接して配置させることができる。

上述したように、もし、第１電極２２１が光反射の可能な導電性金属からなる反射膜を含む場合、第１電極２２１がピクセル回路部ＰＣを遮蔽し、ピクセル領域ＰＡでのピクセル回路部ＰＣによる外部イメージ歪曲などを遮断する。

図１２に示したように、第１領域Ｒ１内にピクセル領域ＰＡ及び透過領域ＴＡが位置する。

この時、キャッピング層２２４は第１領域Ｒ１内に位置するので、ピクセル領域ＰＡと透過領域ＴＡをいずれも覆う。そして、第３電極２２３は、第１領域Ｒ１の外側の第２領域Ｒ２に備えられる。

これらの実施形態において、キャッピング層２２４は、上述したように透明な有機物を使用するので、透過領域ＴＡでの透光度に影響を及ぼさない。キャッピング層２２４及び第３電極２２３の材質及び形成方法などは、上述した実施形態と同一である。

一方、たとえ図面に図示していないとしても、透過領域ＴＡには、少なくとも第２電極２２２の一部が除去された透過体が形成されて、透過領域ＴＡでの透光度をさらに高めることができる。この時、透過窓は第２電極２２２のみ除去されるのに止まらず、第２絶縁膜２１９、第１絶縁膜２１８、層間絶縁膜２１５、ゲート絶縁膜２１３及びバッファ膜２１１のうち少なくとも一つの膜により形成される。

図１３は、図１１及び図１２を参照までに説明した透明型有機発光表示装置のさらに他の一実施形態を示すものである。

図１３の実施形態は、赤色、緑色、青色の３つのサブピクセルにより一つのピクセルが具現されて白色光を発現できる場合を示す。もちろん、赤色、緑色、青色以外にも他の色相により白色光を発現する場合を含む。

この場合、３つのサブピクセルの第１電極２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃ当り一つの透過領域ＴＡが形成される。第１データラインＤ１ないし第３データラインＤ３は、それぞれ前記３つのサブピクセルの第１電極２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃに電気的に連結される。そして、第１ ＶｄｄラインＶ１は、最初の第１電極２２１ａ及び２番目の第１電極２２１ｂに電気的に連結され、第２ ＶｄｄラインＶ２は、３番目の第１電極２２１ｃに電気的に連結される。

このような構造の場合、複数のサブピクセルに対して一つの大きい透過領域ＴＡを備えているので、全体ディスプレイの透過率をさらに高めることができ、光散乱によるイメージ歪曲効果もさらに低減させる。

図１３には図示していないが、透過領域ＴＡにも、上述したように少なくとも第２電極の一部が除去された一つの大きい透過窓が形成される。この時、透過窓は第２電極のみ除去されるのに止まらず、第２絶縁膜、第１絶縁膜、層間絶縁膜、ゲート絶縁膜及びバッファ膜のうち少なくとも一つの膜にさらに形成される。

図１１ないし図１３による実施形態でも、図１０のように第１領域Ｒ１のキャッピング層２２４上にも、第３電極形成用物質からなるさらに薄い厚さの薄膜が形成されることがある。この場合にも、上述したように上記薄膜の厚さが非常に薄いため、透過領域ＴＡでの透光率などにあまり影響を及ぼさない。

図１４は、図４ないし図７の方法でキャッピング層２２４及び第３電極２２３を形成した時の、ピクセル発光領域での透光率を示したものである。

キャッピング層２２４としては上述した各キャッピング層物質を使用し、３０Åの厚さに蒸着した。第３電極２２３は、オープンマスクを用いてＭｇを全ピクセル領域に蒸着して形成したが、Ｍｇ １，０００Åを蒸着した。

図１４に示したように、可視光の全波長領域でほぼ１００％に近い透光率を示すことが分かる。これは、上述したように、キャッピング層２２４が形成された領域にはＭｇがほとんど蒸着されていないことが分かる。

したがって、本発明の場合、光損失なしでもキャッピング層２２４及び第３電極２２３を有効に形成可能になる。

図１５は、本発明によって第３電極２２３を形成した場合の第２電極の最大電圧降下量を示すものである。各例で第２電極２２２はＭｇ：Ａｇ／Ａｇに、面抵抗が２０ｏｈｍ／ｓｑになるように形成した。

実験例Ｉは、１９インチサイズのディスプレイで、図３及び図７のような形態でキャッピング層２２４及び第３電極２２３を形成したものである。この時の第３電極２２３は、Ｍｇを３，５００Å蒸着したものである。

実験例ＩＩは、４０インチサイズのディスプレイで、図３及び図７のような形態でキャッピング層２２４及び第３電極２２３を形成したものである。この時の第３電極２２３は、Ｍｇを３，５００Å蒸着したものである。

比較例ＩＩＩは、１９インチサイズのディスプレイで、キャッピング層２２４及び第３電極２２３を形成していないものである。

比較例ＩＶは、４０インチサイズのディスプレイで、キャッピング層２２４及び第３電極２２３を形成していないものである。

図１５に示したように、本発明による実験例Ｉ及びＩＩの第２電極電圧減少量が、比較例ＩＩＩ及びＩＶの第２電極電圧減少量に比べて顕著に低いということが分かる。

以上、前面発光型を中心として説明したが、本発明は必ずしもこれらに限定されるものではなく、基板１の方向に画像が具現される背面発光型、及び双方向に画像が具現される両面発光型にも同一に適用できる。

本発明は、図面に示した一実施形態を参考までに説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び実施形態の変形が可能であるという点を理解できるであろう。

本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。

１ 基板、
２１ 有機発光部、
２１１ バッファ膜、
２１２ 半導体活性層、
２１３ ゲート絶縁膜、
２１４ ゲート電極、
２１５ 層間絶縁膜、
２１６ ソース電極、
２１７ ドレイン電極、
２１８ 第１絶縁膜、
２２１ 第１電極、
２１９ 第２絶縁膜、
２１９ａ 開口、
２２０ 有機膜、
２２１ 第１電極、
２２２ 第２電極、
２２３ 第３電極、
２２３ａ 第２エッジ、
２２４ キャッピング層、
２２４ａ 第１エッジ、
ＥＬ 有機発光素子、
ＴＲ 薄膜トランジスタ。

Claims (35)

1. 基板と、
   前記基板上に備えられた薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタを覆う第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された第１電極と、
   前記第１電極を覆うように前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１電極の一部を露出させる開口を持つ第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜上の一部及び前記第１電極上に形成された有機発光層と、
   前記第２絶縁膜及び有機発光層上に形成された第２電極と、
   前記第２電極上の第１領域上に形成されて第１エッジを持つキャッピング層と、
   前記第２電極上の前記第１領域以外の領域である第２領域上に形成され、前記キャッピング層の第１エッジの側面とその側面が互いに当接する第２エッジを持つ第３電極と、を備える有機発光表示装置。
2. 前記第２電極は、透光可能に備えられたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記第２電極は、Ａｇを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記第２電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
5. 前記第３電極の厚さは、前記第２電極の厚さより厚いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
6. 外光の透過可能な透過領域と、前記透過領域に隣接して発光が行われるピクセル領域と、を含み、
   前記透過領域及びピクセル領域は、前記第１領域に位置し、
   前記第１電極は、ピクセル領域と重なり、
   前記第１電極は、前記薄膜トランジスタを遮蔽するように位置することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
7. 前記キャッピング層は、透光可能に備えられたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
8. 前記第３電極と前記キャッピング層との接着力は、前記第３電極と前記第２電極との接着力より弱いことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
9. 前記キャッピング層は、８−キノリノラトリチウム、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、または２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾールを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
10. 前記第３電極は、Ｍｇを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
11. 複数のピクセルと、
    前記各ピクセルに位置する複数の薄膜トランジスタと、
    前記各ピクセルに位置し、前記各薄膜トランジスタと電気的に連結された複数の第１電極と、
    前記複数のピクセルを覆う第２電極と、
    前記各第１電極と前記第２電極との間に介在された有機発光層と、
    前記ピクセルのうち少なくとも一つに対応するように位置する複数のキャッピング層と、
    前記各ピクセルの間に位置し、前記各キャッピング層に隣接して前記第２電極と電気的に連結された第３電極と、を備える有機発光表示装置。
12. 前記第２電極は、透光可能に備えられたことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
13. 前記第２電極は、Ａｇを含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の有機発光表示装置。
14. 前記第２電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の有機発光表示装置。
15. 前記第３電極の厚さは、前記第２電極の厚さより厚いことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
16. 前記各ピクセルは、外光の透過可能な透過領域と、前記透過領域に隣接して発光が行われるピクセル領域と、を含み、
    前記第１電極は、ピクセル領域と重なり、
    前記第１電極は、前記薄膜トランジスタを遮蔽するように位置することを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
17. 前記キャッピング層は、透光可能に備えられたことを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
18. 前記第３電極と前記キャッピング層との接着力は、前記第３電極と前記第２電極との接着力より弱いことを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
19. 前記キャッピング層は、８−キノリノラトリチウム、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、または２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾールを含むことを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
20. 前記第３電極は、Ｍｇを含むことを特徴とする請求項１１〜１９のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
21. 前記キャッピング層のあらゆるエッジと前記第３電極のエッジとが互いに当接することを特徴とする請求項１１〜２０のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
22. 前記キャッピング層の面積は、少なくとも一ピクセルの発光が起きる領域の面積より広いことを特徴とする請求項１１〜２１のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
23. 複数のピクセルにそれぞれ位置する複数の薄膜トランジスタを形成する段階と、
    前記各薄膜トランジスタと電気的に連結され、前記複数のピクセルにそれぞれ位置し、第１電極、有機発光層及び第２電極を含む複数の有機発光素子を形成する段階と、
    前記ピクセルのうち少なくとも一つに対応するように位置する複数のキャッピング層を形成する段階と、
    前記ピクセル上に金属を蒸着し、前記各キャッピング層に隣接して前記第２電極と電気的に連結された第３電極を形成する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法。
24. 前記第２電極は、透光可能に形成されることを特徴とする請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
25. 前記第２電極は、Ａｇを含むことを特徴とする請求項２３または２４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
26. 前記第２電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を含むことを特徴とする請求項２３または２４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
27. 前記第３電極は、前記第２電極より厚く形成されることを特徴とする請求項２３〜２６のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
28. 前記各ピクセルは、外光の透過可能な透過領域と、前記透過領域に隣接して発光が行われるピクセル領域と、を含み、
    前記第１電極は、ピクセル領域と重なり、
    前記第１電極は、前記薄膜トランジスタを遮蔽するように位置することを特徴とする請求項２３〜２７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
29. 前記キャッピング層は、透光可能に形成されることを特徴とする請求項２３〜２８のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
30. 前記第３電極を形成する金属と前記キャッピング層との接着力は、前記第３電極を形成する金属と前記第２電極との接着力より弱いことを特徴とする請求項２３〜２９のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
31. 前記キャッピング層は、８−キノリノラトリチウム、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、または２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾールを含むことを特徴とする請求項２３〜３０のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
32. 前記第３電極は、Ｍｇを含むことを特徴とする請求項２３〜３１のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
33. 前記キャッピング層を形成する段階は、前記キャッピング層に対応するパターンの開口を持つマスクを用いて行われることを特徴とする請求項２３〜３２のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
34. 前記第３電極を形成する段階は、前記キャッピング層上の及び前記キャッピング層に隣接した領域に前記金属を蒸着する段階を含むことを特徴とする請求項２３〜３３のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
35. 前記キャッピング層の面積は、少なくとも一ピクセルの発光が起きる領域の面積より広く形成されることを特徴とする請求項２３〜３４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。

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