JP2012089571A - 樹脂組成物、及び電子装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一基板110の半田バンプ111と第二基板120の半田バンプ121とを半田接合する際に、第一基板110の半田バンプ111と第二基板120の半田バンプ121との間に導入され、半田接合した後に熱硬化する樹脂組成物130であって、前記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含み、180℃、及び250℃におけるゲルタイムが100秒以上である。
【選択図】図3
Description
図3に示すように、電子装置100は、第一基板110の一面に形成されている半田バンプ111と第二基板120の一面に形成されている半田バンプ121とが個々に接合され、第一基板110と第二基板120との間に樹脂層130が充填されている。
まず、樹脂層130に用いられる樹脂組成物について説明する。本発明における樹脂組成物は、第一基板110の一面に形成されている半田バンプ111と第二基板120の一面に形成されている半田バンプ121とを半田接合する際に、第一基板110の一面に形成されている半田バンプ111と、第二基板120の一面に形成されている半田バンプ121との間に導入され、半田接合した後に熱硬化する樹脂組成物である。すなわち、最終的に得られる電子装置100において、第一基板110と第二基板120との間のすき間を埋めるように樹脂層130が形成されればよい。なお、本実施形態において、第二基板120は半導体チップである。
本発明に係る樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が挙げられ、これらの中でも、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性等に優れることから、好適に用いられる。
(式(1)中、nは、0以上20以下の整数を表す。)
本発明に係る樹脂組成物をフィルム状に成形して用いる場合、本発明に係る樹脂組成物は、上記フラックス作用を有する化合物及び熱硬化性樹脂の他に、更に、フィルム形成性樹脂を含有するのが好ましい。本発明に係る樹脂組成物が、フィルム形成性樹脂を含有することにより、確実にフィルムとすることができる。
本実施の形態の電子装置100の製造方法を以下に順番に説明する。
(i)加熱処理を行っていない樹脂層(未硬化の樹脂層)について、示差走査熱量計(DSC)を用いて、測定温度範囲25〜300℃、昇温速度:10℃/分の測定条件で加熱し、その時の発熱量(「全て反応した時に得られる熱量」とする)を測定する。
(ii)溶融接合と同じ条件(加熱温度、加熱時間など)で加熱された樹脂層について、(i)と同様の条件で、その時の発熱量を測定し、「全て反応した時に得られる熱量」に対する比率を反応率(A)とする。
同様にして、硬化された樹脂層について、(i)と同様の条件で、発熱量を測定し、「全て反応した時に得られる熱量」に対する比率を反応率(B)とする。
得られた樹脂組成物またはその硬化物について以下のような評価を行った。評価結果をそれぞれ表に示した。
180℃、及び250℃としたホットプレート上に樹脂組成物をおき、樹脂組成物がゲル化するまでの時間(秒)をそれぞれ測定した。なお、本実施例及び比較例で用いた半田バンプの融点は217℃であった。
樹脂組成物を15℃/minの速度で昇温し、Haake製レオメーターを用いて、温度に対する粘度挙動を測定し、120℃での粘度値を読み取った。
条件:20mmΦ,6.3rad/s
樹脂組成物の未硬化物をDSC(10℃/min)で測定し、発熱量を得た。この発熱量を「全て反応した時に得られる熱量」とした。
半田接合工程における熱処理後の樹脂組成物と、硬化後の樹脂組成物それぞれについて、同様にDSCで測定して発熱量を得た。得られた発熱量からそれぞれについての反応率(%)を計算し、その比を求めた。
150℃で基板と接触させ、設定温度350℃まで一気に加熱して5秒間保持したサンプル樹脂組成物を超音波探傷(SAT:scanning acoustic tomograph)により観察し、ボイドの有無について以下のように判定した。
判定
○:ボイドなし
△:バンプにまたがるボイドが発生
×:ボイドが多数発生
150℃/2h、5atmで硬化した後の樹脂組成物をSATにより観察し、ボイドの有無について以下のように判定した。
判定
○:ボイドなし
△:バンプにまたがるボイドが発生
×:ボイドが多数発生
・樹脂組成物の作成
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(DIC株式会社製、EXA−830LVP、エポキシ当量160)19.2重量%と、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、NC−3000、エポキシ当量272)57.6重量%と、ゲンチジン酸(東京化成工業株式会社製、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、融点202℃)23.1重量%と、2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業株式会社製、2P4MZ)0.1重量%とを秤量し、3本ロールにて分散混練してから、真空下脱泡処理をしてペースト状の樹脂組成物を得た。
・半導体装置の作製
得られたペースト状の樹脂組成物を、回路パターンが形成された回路基板(コア材として、住友ベークライト株式会社製、ELC−4785GS)に、半田バンプを有する半導体素子(サイズ15×15×0.65mm)をフリップチップボンダーで280℃、10秒間加熱したものの、半導体チップと基板の間にできる空隙(0.05mm)の間に充填させた。その後に、150℃で120分間加熱して樹脂組成物を硬化させ、半導体装置を得た。
表1に示す組成の樹脂組成物を、実施例1と同様の方法で、それぞれ作成した。得られた樹脂組成物を用い、実施例1と同様の方法で、それぞれ半導体装置を得た。
・フィルム状樹脂層の作製
EPICLON 840−S(大日本インキ社株式会社製)、45重量%、YX6954(ジャパンエポキシレジン社製)24.9重量%、フェノールフタリン(東京化成工業株式会社製)15重量%、PR−55617(住友ベークライト株式会社製)15重量%、2P4MZ(四国化成工業株式会社製)0.1重量%をあらかじめ混合させ、基材上に塗布し、フィルム状樹脂層を得た。
・半導体装置の作製
得られたフィルム状樹脂層を、高さが60μm、ピッチが150μmの半田バンプを有する半導体部品(サイズ10×10×0.2mm)に、真空ラミネーター(名機株式会社製、MVLP)を用い、100℃、0.8MPa、30秒でラミネートし、樹脂層付きチップをフリップチップボンダー(Panasonic株式会社製、FCB3)を用いて回路パターンが形成された回路基板(コア材として、住友ベークライト株式会社製、ELC−4785GS)に、280℃で10秒間加熱して半田接続を行った。そして、180℃で60分間加熱して、フィルム状樹脂層を熱硬化し、半導体装置を得た。
表1に示す組成の樹脂組成物を、実施例1と同様の方法で、それぞれ作成した。得られた樹脂組成物を用い、実施例1と同様の方法で、それぞれ半導体装置を得た。
・EXA−830LVP DIC株式会社製、エポキシ当量160
・NC−3000 日本化薬株式会社製、エポキシ当量272
・EPICLON 840S 大日本インキ株式会社製、エポキシ当量185
・RE−810NM 日本化薬株式会社製、エポキシ当量210
・PR55617 住友ベークライト株式会社製、水酸基当量104
・NH2200R 日立化成工業株式会社、分子量166
・2P4MZ 四国化成工業株式会社製、融点174〜184℃
・2MZ 四国化成工業株式会社製、融点140〜148℃
・C05−MB 住友ベークライト株式会社製、融点272℃
・ゲンチジン酸 東京化成工業株式会社製、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、融点202℃
・フェノールフタリン 東京化成工業株式会社製、融点235℃
・セバシン酸 東京化成工業株式会社製、融点134℃
・SO25H アドマテックス株式会社製
・YX6954 ジャパンエポキシレジン株式会社製
110 第一基板
111 半田バンプ
120 第二基板
121 半田バンプ
130 樹脂層
Claims (13)
- 基板の電極端子と半導体チップの電極端子とを半田接合する際に、前記基板の電極端子と前記半導体チップの電極端子との間に導入され、半田接合した後に熱硬化する樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含み、180℃、及び250℃におけるゲルタイムが100秒以上であることを特徴とする樹脂組成物。 - 請求項1に記載の樹脂組成物において、
前記樹脂組成物の120℃での溶融粘度が、0.01Pa・s以上10,000Pa・s以下であることを特徴とする樹脂組成物。 - 請求項1または2に記載の樹脂組成物において、
前記樹脂組成物の反応開始温度が100℃以上160℃以下であることを特徴とする樹脂組成物。 - 請求項1乃至3いずれか一項に記載の樹脂組成物において、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることを特徴とする樹脂組成物。 - 請求項1乃至3いずれか一項に記載の樹脂組成物において、
前記樹脂組成物は、フラックス活性剤を含むことを特徴とする樹脂組成物。 - 請求項5に記載の樹脂組成物において、
前記フラックス活性剤は、カルボキシル基を有する化合物であることを特徴とする樹脂組成物。 - 基板の電極端子と半導体チップの電極端子とを、半田接合する電子装置の製造方法であって、
前記基板の前記電極端子と、前記半導体チップの前記電極端子との間に、樹脂組成物を導入して、前記基板の前記電極端子と前記半導体チップの前記電極端子とを溶融接合しつつ、前記樹脂組成物を前記基板と前記半導体チップとの間に充填する工程と、
前記樹脂組成物を熱硬化する工程と、
を含み、
前記樹脂組成物は、請求項1乃至6いずれか一項に記載の樹脂組成物であることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項7に記載の電子装置の製造方法において、
前記樹脂組成物を硬化する前記工程は、加圧流体を用いて前記樹脂組成物を加圧しながら硬化することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項7または8に記載の電子装置の製造方法において、
前記加圧流体は、ガス及び/又は空気であることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項7乃至9いずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記硬化後の樹脂組成物の反応率(B)に対する、前記溶融接合直後の樹脂組成物の反応率(A)が、0.01≦A/B≦0.7 であることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項7乃至10いずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記加圧流体による加圧が、0.1MPa以上10MPa以下であることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項7乃至11いずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記樹脂組成物を硬化する前記工程は、圧力容器内で行われ、前記圧力容器を前記加圧流体により加圧することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項7乃至12いずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記樹脂組成物の硬化は、100℃以上250℃以下で行われることを特徴とする電子装置の製造方法。
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