JP2012015886A - 振動片、振動子、発振器および電子機器 - Google Patents
振動片、振動子、発振器および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012015886A JP2012015886A JP2010151838A JP2010151838A JP2012015886A JP 2012015886 A JP2012015886 A JP 2012015886A JP 2010151838 A JP2010151838 A JP 2010151838A JP 2010151838 A JP2010151838 A JP 2010151838A JP 2012015886 A JP2012015886 A JP 2012015886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arm
- piezoelectric
- film
- resonator element
- vibrator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 title abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】内部応力の集中を回避し、信頼性の高い振動片、振動子、発振器を提供する。
【解決手段】基部10と、前記基部から延出する腕部20,30,40とを備える振動片であって、前記腕部10の一方の主面に配置される圧電素子を備え、前記圧電素子は圧電体膜70a、70b、70cと、前記圧電体膜の一方の側に設けた第1電極膜50と、前記圧電体膜の他方の側に設けた第2電極膜60と、を備え、前記圧電素子は、前記第1電極膜を前記主面の側に配置され、前記圧電体膜の前記基部の側の端部が、前記腕部の平面内に有る振動片。
【選択図】図1
【解決手段】基部10と、前記基部から延出する腕部20,30,40とを備える振動片であって、前記腕部10の一方の主面に配置される圧電素子を備え、前記圧電素子は圧電体膜70a、70b、70cと、前記圧電体膜の一方の側に設けた第1電極膜50と、前記圧電体膜の他方の側に設けた第2電極膜60と、を備え、前記圧電素子は、前記第1電極膜を前記主面の側に配置され、前記圧電体膜の前記基部の側の端部が、前記腕部の平面内に有る振動片。
【選択図】図1
Description
本発明は、振動片、振動子、発振器および電子機器に関する。
特開2003−227719号公報(特許文献1)には、少なくとも2つのアームを有した非圧電材料からなる音叉と、この音叉の少なくとも1つアームの主面上の中心線より内側及び外側にそれぞれ離間するように設けられた第1、第2の電極と、第1、第2の電極上にそれぞれ設けられた圧電薄膜と、各圧電薄膜上にそれぞれ設けられた第3、第4の電極と、を備え、第3、第4の電極に互いに逆相の交流電圧を印加することにより前記音叉がX方向に共振するように構成された薄膜微小機械式振動子、が開示されている。しかしながら、この従来例の振動子は、1つのアーム上に2本の電極が配置されるので、各電極はアームの幅の1/2より小さい線幅とする必要がある。従って、共振子をより小型化するためにアームの幅を狭くすることが難しい。
この課題を解決するため、振動子表面に下部電極を形成し、この下部電極上に圧電薄膜を形成し、更に圧電薄膜上に上部電極を形成する構成とし、小型化を実現した(特許文献2)。
しかし、上述の振動子において、圧電薄膜の内部損失(熱弾性による損失)によって、振動子の振動のエネルギーを損失してしまうことが知られている(非特許文献1)。
J.Micromech.Microeng.15(2005) 2249ページ〜2253ページ
従って、上述の特許文献2によって小型の振動子を得られたとしても、圧電薄膜の熱弾性による振動子の振動エネルギー損失が大きく影響してしまい、振動が安定しない、Q値が低下してしまうという、振動子の基本性能の低下に繋がってしまう。
そこで、圧電体膜の熱弾性による振動エネルギー損失を減少させ、振動の安定した高いQ値を持つ振動片、振動子および発振器を得る。
本発明は、少なくとも上述の課題の一つを解決するように、下記の形態または適用例として実現され得る。
〔適用例1〕本適用例による振動片は、基部と、前記基部から延出する腕部とを備える振動片であって、前記腕部の一方の主面に配置される圧電素子を備え、前記圧電素子は圧電体膜と、前記圧電体膜の一方の側に設けた第1電極膜と、前記圧電体膜の他方の側に設けた第2電極膜と、を備え、前記圧電素子は、前記第1電極膜を前記主面の側に配置され、前記圧電体膜の前記基部の側の端部から、前記腕部と前記基部との交接部までの距離lが、前記交接部から前記腕部の先端までの長さLに対して、l≧L/4、であることを特徴とする。
上述の適用例によれば、圧電素子の熱弾性による振動エネルギー損失の変動を少なくすることができ、Q値のばらつきの少ない振動片を得ることができる。
〔適用例2〕上述の適用例において、前記腕部は前記腕部の延出方向に交差する方向に配列された奇数個を備え、前記腕部の振動方向は前記腕部の延出方向と交差し、隣り合う前記腕部の振動方向が逆相であることを特徴とする。
上述の適用例によれば、上下振動モードの腕部であっても、高いQ値を得ることができ、より小型の振動片を実現することができる。
〔適用例3〕上述の適用例の振動片と、前記振動片を収納するパッケージと、を有する振動子。
〔適用例4〕上述の適用例の振動片と、前記振動片を駆動させる機能を有する回路部と、を有する発振器。
上述の適用例によれば、高い電気機械結合係数を持ち、振動特性の優れた信頼性の高い振動子および発振器を得ることができる。
〔適用例5〕上述の適用例の前記振動片、前記振動子もしくは前記発振器を用いた電子機器。
上述の適用例によれば、小型で信頼性の高い電子機器を得ることができる。
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
(第1実施形態)
図1および図2に本実施形態に係る振動片を示し、図1の(a)は平面図、(b)は(a)の裏平面図、(c)は(a)のA−A’部の拡大断面図である。また、図2の(a)は図1(a)のB−B’部、(b)は図1(a)のC−C’部、(c)は図1(a)のD−D’部のそれぞれ拡大断面図である。
図1および図2に本実施形態に係る振動片を示し、図1の(a)は平面図、(b)は(a)の裏平面図、(c)は(a)のA−A’部の拡大断面図である。また、図2の(a)は図1(a)のB−B’部、(b)は図1(a)のC−C’部、(c)は図1(a)のD−D’部のそれぞれ拡大断面図である。
図1に示す水晶振動片100は、圧電材料から形成され、基部より3本の腕部が延出した、いわゆる音叉型振動片である。本実施形態では基材に水晶を用いて形成された水晶振動片100によって説明するが、弾性材料であれば適用可能である。本実施形態に適用される水晶基板にはZカット板を用いたが、ATカット板、Xカット板であっても適用可能である。
図1(a)に示すように、水晶振動片100は、基部10と、基部10より同方向に延出する腕部20、30、40を備えている。腕部20、30、40は、図2(a)に示すように、腕部厚みhが、基部厚みHに対して薄く形成されている。腕部厚みhは、振動し易さの観点から2〜10μmの厚みに形成され、基部厚みHは水晶振動片100の強度確保と、後述する振動子とする際のパッケージへの組込み性から5〜100μmに形成される。
腕部20、30、40には、図1(c)に示すように、一方の主面20a、30a、40a上に、主面20a、30a、40a側から第1電極膜としての腕部電極50a、60b、50cと、腕部圧電体膜70a、70b、70cと、第2電極膜としての腕部電極60a、50b、60cと、が積層されている。腕部電極50a、50b、50cは水晶基板100aに形成された基部電極50dに、腕部電極60a、60b、60cは基部電極60dに、水晶基板100a表面に形成された配線により接続され、電極膜50、60を形成している。
電極膜60は、水晶基板100aの一方の主面側だけで腕部電極60a、60b、60cと基部電極60dとを繋ぐ配線が可能であるが、他の電極膜50は腕部電極50a、50b、50cと基部電極50dとを繋ぐためには、電極膜60の配線を回避することが必要となる。そのため、本実施形態では電極膜50の一部を基部電極50dが形成された主面と反対の面に、裏面配線50eとして形成し、腕部電極50a、50b、50cと基部電極50dとを繋ぐ形態とした。このように配線された電極膜50、60に基部電極50d、60dより入力信号としての交番電流を入力する。
また、腕部圧電体膜70a、70b、70cと表面側の腕部電極60a、50b、60cとの間には絶縁膜80が配置され、絶縁膜80は圧電体膜70の全面を覆っている。この絶縁膜80は圧電体膜70を経由して腕部電極50a、60b、50cと、腕部電極60a、50b、60cと、が電気的に短絡(ショート)させないように、電気的な絶縁をするものである。
このように配線された電極膜50と60に対して、異相の信号電流、いわゆる交番電流を入力すると、腕部20と40とに設けた腕部圧電体膜70aと70cとには、腕部電極60aと50aとの間、腕部電極60cと50cとの間では同じ方向の電界が生じ、腕部30には腕部電極50bと60bとの間で、腕部20、40とは逆方向の電界が生じる。このように、隣り合う腕部の電界方向を異相にすることにより、図3(a)に示すように腕部20と腕部40が、図表示上方向の矢印P方向に変位させる電界が加わる時は、腕部30には、図表示下方向の矢印R方向に変位させる電界が加わる。交番電流が入力されるので、次に図3(b)に示すように腕部20と腕部40には下方向の矢印R方向、腕部30には上方向の矢印P方向に変位させる電界が加わり、これを繰り返し腕部20、30、40は振動する。
次に腕部圧電体膜70a、70b、70cの配置について説明する。上述したとおり、腕部20、30、40を主面に対して法線方向に振動させるために、腕部20、30、40に配置した腕部電極50a、50b、50c、60a、60b、60cに電気信号を送り、電極間に挟まれた圧電体膜70に電界を発生させて、圧電体膜70の伸縮によって腕部20、30、40を変形させ、振動駆動としている。図1に示すように、水晶振動片100の基部10から腕部20、30、40が片持ち梁の形態で延出している、いわゆるカンチレバー形状の水晶振動片100においては、圧電体膜70に電界を付加し伸縮させることで熱弾性によって熱が生じ、発生した熱によって腕部20、30、40の振動エネルギーに損失を与えてしまい、Q値の低下、Q値の変動による不安定な周波数での振動など、振動片の性能低下を起こし易い。
図4に本実施形態の水晶振動片100における圧電体膜70の形成位置lと腕部20、30、40の長さL(図2(b)、(c)も参照)との比x=l/Lと振動エネルギー損失δ、およびδをxによって微分した損失の空間微分δ´との関係グラフを示す。図4に示す損失の空間微分δ´はx1≒0.25で変曲点Cを持ち、この変曲点Cを示すx1≒0.25を超えるxの領域ではδ´の変動はなだらかになっている。また、振動エネルギーの損失δは変曲点Cにおけるx1≒0.25より大きいxの領域において、より小さくなっている。
損失の空間微分δ´の変曲点Cとは、この点を振動エネルギー損失δの逆数となるQ値(=1/δ)の変動が最も少ない、あるいは変動が無い点を示し、安定したQ値による安定した振動特性を有する振動片を得ることができる。従って、x1≒0.25である腕部長さLと圧電体膜形成位置lとは、
l/L≧1/4
の条件を満たすことで、ばらつきが少なく、あるいはばらつきの無いQ値を有し、安定した振動特性を有する水晶振動片100を得ることができる。
l/L≧1/4
の条件を満たすことで、ばらつきが少なく、あるいはばらつきの無いQ値を有し、安定した振動特性を有する水晶振動片100を得ることができる。
また、変曲点Cにおけるx1≒0.25より大きいxの領域では、振動のエネルギー損失δの減少率は大きくなっている。x2=0.0、すなわち腕部の根元から圧電体膜が形成されている振動片の形態におけるエネルギー損失はδ1=2.23である。この損失を半減させるxを求めると、図4に示すエネルギー損失δの曲線から、δ2=1.115となるx3である。このx3を求めると、x3=0.574であることから、エネルギー損失δが半減する条件である、
l/L≧0.6
であることがなお好ましい。
l/L≧0.6
であることがなお好ましい。
上述の第1実施形態の水晶振動片100の製造方法について説明する。図5は本実施形態のフローチャートを示す。
〔第1電極(下部電極)形成工程〕
第1電極(下部電極)形成工程(S101)では、先ず基部、腕部を形成した水晶基板100aを準備する。準備した水晶基板100aを洗浄、乾燥した後、電極となる金属をスパッタリングより電極形成面となる水晶基板100aの一方の主面100bの全面に図6(a)に示すように金属膜の下部電極層200を成膜する。電極金属としては、例えばAl、Au、Pt、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Zn、Zrなどの金属が好適であるが、本実施形態ではAuを用いる。なお、水晶基板100aとの密着性を向上させるため、先ずTiを成膜し、その上にAuを成膜する2層構造の下部電極層200であっても良い。
第1電極(下部電極)形成工程(S101)では、先ず基部、腕部を形成した水晶基板100aを準備する。準備した水晶基板100aを洗浄、乾燥した後、電極となる金属をスパッタリングより電極形成面となる水晶基板100aの一方の主面100bの全面に図6(a)に示すように金属膜の下部電極層200を成膜する。電極金属としては、例えばAl、Au、Pt、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Zn、Zrなどの金属が好適であるが、本実施形態ではAuを用いる。なお、水晶基板100aとの密着性を向上させるため、先ずTiを成膜し、その上にAuを成膜する2層構造の下部電極層200であっても良い。
次に、下部電極層200表面にフォトリソグラフィーによって、レジストを腕部電極50a、60b、50cの形状にパターンニングし、更にウェットエッチング法などによって、図6(b)に示すように第1電極膜としての腕部電極50a、60b、50cを形成する。
〔圧電体層形成工程〕
次に圧電体層形成工程(S102)に移行する。圧電体層形成工程(S102)は、本実施形態ではAlNを500〜1000nmの厚みに反応性スパッタリング法により図7(c)に示すように圧電体層300を形成した。圧電体層としてはAlNの他に例えば、ZnO、PZT、LiNbO3、KNbO3なども好適に用いることができる。
次に圧電体層形成工程(S102)に移行する。圧電体層形成工程(S102)は、本実施形態ではAlNを500〜1000nmの厚みに反応性スパッタリング法により図7(c)に示すように圧電体層300を形成した。圧電体層としてはAlNの他に例えば、ZnO、PZT、LiNbO3、KNbO3なども好適に用いることができる。
次に圧電体層300表面にフォトリソグラフィーによって、腕部圧電体膜70a、70b、70cの形状にパターンニングし、エッチング法などにより図7(d)に示すように腕部圧電体膜70a、70b、70cを形成する。腕部圧電体膜70a、70b、70cは、上述した通り、腕部20、30、40の領域内であり、腕部圧電体膜70a、70b、70cの基部側端部と、腕部20、30、40と基部10との交接部とは腕長さの1/4以上離して形成される。
更に、腕部圧電体膜70a、70b、70cの表面に絶縁膜80が形成される。絶縁膜80としてはSiO2が簡便に用いられるが、誘電率がより高いシリコン窒化膜(SiNx)やアルミナ(Al2O3)の方が好適である。絶縁膜80は、図1(c)に示す基板の主面側の腕部電極50a、60b、50cと、腕部圧電体膜70a、70b、70cを挟んで配置される腕部電極60a、50b、60c、との電気的な短絡を防止するとともに、腕部圧電体膜70a、70b、70cの保護膜としても機能する。従って絶縁膜80の厚みは、電気的な短絡防止の目的から50nm以上であることが好ましく、腕部圧電体膜70a、70b、70cの特性低下を抑制する点から500nm以下であることが好ましい。
〔第2電極(上部電極)形成工程〕
次に第2電極(上部電極)形成工程(S103)に移行する。絶縁膜を含む腕部圧電体膜70a、70b、70c上に、上部電極となる金属層をスパッタリング法により図8(e)に示すように全面に、金属層400を形成する。金属層400は、後述する裏面配線形成のために、図8(e)のr−r’断面でも示すように、腕部圧電体膜70a、70b、70cの形成面だけでなく、その裏面にまで形成される。金属層400は上述の第1電極(下部電極)形成工程(S101)において形成した腕部電極50a、60b、50cと同じ金属であっても、異なる金属であっても良い。また、単一金属膜でも2種以上の金属による複合金属膜でも良い。用いられる金属としては、例えばAl、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Zn、Zrなどである。
次に第2電極(上部電極)形成工程(S103)に移行する。絶縁膜を含む腕部圧電体膜70a、70b、70c上に、上部電極となる金属層をスパッタリング法により図8(e)に示すように全面に、金属層400を形成する。金属層400は、後述する裏面配線形成のために、図8(e)のr−r’断面でも示すように、腕部圧電体膜70a、70b、70cの形成面だけでなく、その裏面にまで形成される。金属層400は上述の第1電極(下部電極)形成工程(S101)において形成した腕部電極50a、60b、50cと同じ金属であっても、異なる金属であっても良い。また、単一金属膜でも2種以上の金属による複合金属膜でも良い。用いられる金属としては、例えばAl、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Zn、Zrなどである。
次にフォトリソグラフィーにより、第2電極(上部電極)である腕部電極60a、50b、60cの形状パターンと、基部電極50d、60d及び裏面配線50eを含む配線の形状パターンとを形成し、ウェットエッチング法などにより図8(f)に示すように、腕部電極60a、50b、60c、基部電極50d、60d、裏面配線50eと、それらを繋ぐ配線とを形成し、水晶振動片100を得ることができる。
このように、腕部圧電体膜70a、70b、70cの基部側端部と、腕部20、30、40と基部10との交接部とが腕長さの1/4以上離して形成された水晶振動片100は、振動エネルギー損失の空間微分δ´の変曲点を越える圧電体膜形成位置に腕部圧電体膜70a、70b、70cを形成することで、Q値の変動が少ない、あるいは変動の無い水晶振動片100を得ることができ、安定した振動特性を有する水晶振動片100となる。
(第2実施形態)
第2実施形態として、上述の第1実施形態の水晶振動片100を用いた振動子を説明する。図9(a)は、蓋体を除いて内部を露出させた状態での振動子1000の平面図、図9(b)は図9(a)におけるG−G’線の断面を示す断面図である。水晶振動片100は、第1基板1101、第2基板1102、第3基板1103を積層し形成したパッケージ1100の内部の第2基板1102上面に水晶振動片100の基部10を接着剤1600により接着し、水晶振動片100をパッケージ1100に固定する。また、第2基板1102上に備えた電極部1400と、水晶振動片100の基部10の基部電極50d、60dとをワイヤー1500により電気的に接続する、いわゆるワイヤーボンディングされる。電極部1400は図示しないパッケージ1100内の経路を経て、パッケージ外部に形成された実装端子1401と繋がっている。
第2実施形態として、上述の第1実施形態の水晶振動片100を用いた振動子を説明する。図9(a)は、蓋体を除いて内部を露出させた状態での振動子1000の平面図、図9(b)は図9(a)におけるG−G’線の断面を示す断面図である。水晶振動片100は、第1基板1101、第2基板1102、第3基板1103を積層し形成したパッケージ1100の内部の第2基板1102上面に水晶振動片100の基部10を接着剤1600により接着し、水晶振動片100をパッケージ1100に固定する。また、第2基板1102上に備えた電極部1400と、水晶振動片100の基部10の基部電極50d、60dとをワイヤー1500により電気的に接続する、いわゆるワイヤーボンディングされる。電極部1400は図示しないパッケージ1100内の経路を経て、パッケージ外部に形成された実装端子1401と繋がっている。
水晶振動片100が固定されたパッケージ1100の開口の端部に蓋体1200が封止材1300によって、減圧チャンバー内でパッケージ1100に固定され、振動子1000の内部が減圧状態に保たれる。こうして得られた振動子1000は、実装端子1401を介して図示しない発振回路からの交番電流により水晶振動片100を屈曲振動させる。
第1実施形態の水晶振動片100を振動子1000に用いたことにより、高い電気機械結合係数を持ちながらも、Q値が高く安定した振動性能を有する薄型振動片による振動子を得ることができる。
(第3実施形態)
第3実施形態として、上述の第1実施形態による水晶振動片100を用いた発振器について説明する。図10は、第3実施形態の発振器2000を示す断面図である。本実施形態は、第2実施形態の振動子1000に対して、水晶振動片100を駆動させる駆動回路を含むICチップを備えた点で、第2実施形態と異なるため、第2実施形態と同様の構成の説明は省略し、同じ構成には同一の符号を付与する。
第3実施形態として、上述の第1実施形態による水晶振動片100を用いた発振器について説明する。図10は、第3実施形態の発振器2000を示す断面図である。本実施形態は、第2実施形態の振動子1000に対して、水晶振動片100を駆動させる駆動回路を含むICチップを備えた点で、第2実施形態と異なるため、第2実施形態と同様の構成の説明は省略し、同じ構成には同一の符号を付与する。
図10に示すように、発振器2000はパッケージ1100の内部に水晶振動片100を第2基板1102上に固定され、ワイヤー1500により、水晶振動片100の基部電極50d、60dと電極部1400が電気的に接続されている。さらに、第1基板1101には、水晶振動片100を駆動するための回路を含むICチップ1700が接着剤などにより固定され、ICチップ1700の上面に形成されたIC接続パッド1701と第1基板1101上に形成された内部接続端子1402とをワイヤー1800で電気的に接続している。
第1実施形態の水晶振動片100を発振器に用いたことにより、高い電気機械結合係数を持ちながらも、Q値が高く安定した振動性能を有する薄型振動片による薄型発振器を得ることができる。
また、上述の実施形態に限らず、本願発明の振動片、振動子もしくは発振器を、デジタルカメラ、カーナビゲーションシステム、携帯電話、モバイルPC、およびゲームコントローラー等の電子機器に適用することで、優れた信頼性を有する電子機器を得ることができる。
10…基部、20,30,40…腕部、50,60…電極、70a,70b,70c…腕部圧電体膜、80…絶縁膜、100…水晶振動片。
Claims (5)
- 基部と、前記基部から延出する腕部とを備える振動片であって、
前記腕部の一方の主面に配置される圧電素子を備え、
前記圧電素子は圧電体膜と、前記圧電体膜の一方の側に設けた第1電極膜と、前記圧電体膜の他方の側に設けた第2電極膜と、を備え、
前記圧電素子は、前記第1電極膜を前記主面の側に配置され、
前記圧電体膜の前記基部の側の端部から、前記腕部と前記基部との交接部までの距離lが、
前記交接部から前記腕部の先端までの長さLに対して、
l≧L/4
であることを特徴とする振動片。 - 前記腕部は前記腕部の延出方向に交差する方向に配列された奇数個を備え、
前記腕部の振動方向は前記腕部の延出方向と交差し、
隣り合う前記腕部の振動方向が逆相である、
ことを特徴とする請求項1に記載の振動片。 - 請求項1または2に記載の振動片と、
前記振動片を収納するパッケージと、を有する、
ことを特徴とする振動子。 - 請求項1または2に記載の振動片と、
前記振動片を駆動させる機能を有する回路部と、を有する、
ことを特徴とする発振器。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の前記振動片、前記振動子もしくは前記発振器を用いた電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010151838A JP2012015886A (ja) | 2010-07-02 | 2010-07-02 | 振動片、振動子、発振器および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010151838A JP2012015886A (ja) | 2010-07-02 | 2010-07-02 | 振動片、振動子、発振器および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012015886A true JP2012015886A (ja) | 2012-01-19 |
Family
ID=45601769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010151838A Withdrawn JP2012015886A (ja) | 2010-07-02 | 2010-07-02 | 振動片、振動子、発振器および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012015886A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013219253A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス、電子機器および電子デバイスの製造方法 |
US9584093B2 (en) | 2013-05-13 | 2017-02-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vibrating device |
JP2017046157A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | シチズン時計株式会社 | 圧電振動子 |
US9866199B2 (en) | 2013-05-13 | 2018-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vibrating device |
-
2010
- 2010-07-02 JP JP2010151838A patent/JP2012015886A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013219253A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス、電子機器および電子デバイスの製造方法 |
US9584093B2 (en) | 2013-05-13 | 2017-02-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vibrating device |
US9866199B2 (en) | 2013-05-13 | 2018-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vibrating device |
JP2017046157A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | シチズン時計株式会社 | 圧電振動子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103532512B (zh) | 振动片、振子、振荡器以及电子设备 | |
CN102347741B (zh) | 振动片、振子、振荡器以及电子设备 | |
JP2004120494A (ja) | 薄膜圧電共振子、それを用いたフィルタ及びデュプレクサ並びに薄膜圧電共振子の製造方法 | |
JP2010187197A (ja) | 振動片および振動子 | |
JP2011004035A (ja) | 屈曲振動片および屈曲振動片の製造方法 | |
US8766515B2 (en) | Flexural vibrating reed, flexural vibrator, and piezoelectric device | |
JP5375503B2 (ja) | 屈曲振動片 | |
JP2012015886A (ja) | 振動片、振動子、発振器および電子機器 | |
JP5531809B2 (ja) | 屈曲振動片、屈曲振動子、発振器および電子機器 | |
JP2011228922A (ja) | 振動片、振動片の製造方法、振動子および発振器 | |
JP2013062643A (ja) | 振動片、振動子、発振器及び電子機器 | |
CN113037245B (zh) | 基于压电薄膜换能的石英谐振器以及电子设备 | |
JP2011228980A (ja) | 振動片、振動子、発振器、および電子機器 | |
JP5347546B2 (ja) | 振動片、振動片の製造方法および振動子 | |
JP2010187195A (ja) | 振動片、振動片の製造方法および振動子 | |
JP5822186B2 (ja) | 振動子、発振器、および電子機器 | |
JP5811216B2 (ja) | 振動片、振動子、発振器 | |
JP5533349B2 (ja) | 屈曲振動片、屈曲振動子、発振器、および電子機器 | |
JP2011254351A (ja) | 圧電振動片、圧電振動子および圧電発振器 | |
JP2009231981A (ja) | 半導体装置 | |
JP6327327B2 (ja) | 振動子、電子機器、移動体および発振器 | |
JP6064342B2 (ja) | 振動片および電子機器 | |
JP7708213B2 (ja) | 共振子及び共振装置 | |
JP2011239256A (ja) | 振動片、振動子、発振器、および電子機器 | |
JP6601071B2 (ja) | Memsスイッチ及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20130903 |