JP2011258636A - Adhesive tape for wafer dicing process - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、デバイスを製造する工程において使用されるウエハダイシング加工用粘着テープに関する。さらに詳しくは、貫通電極が形成された半導体チップの製造に好適に用いることができるウエハダイシング加工用粘着テープに関する。 The present invention relates to an adhesive tape for wafer dicing used in a device manufacturing process. More specifically, the present invention relates to an adhesive tape for wafer dicing that can be suitably used for manufacturing a semiconductor chip on which a through electrode is formed.
従来の電子・電気機器に用いられる半導体装置は、基板上に設置した半導体チップをワイヤボンディングにより導電接続して製造されていた。近年、機器のさらなる小型化・薄型化・軽量化の要求に対して、これらの機器の内部に使用される半導体装置をはじめとする電子部品についても同様の要求がされている。電子部品の小型化を図るために、例えば半導体チップを積層して高密度実装を実現する三次元実装技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。さらに三次元実装技術を行う方法として、例えば、チップに貫通電極を形成し、該電極を介してインターポーザと呼ばれる実装用のチップが積層された半導体パッケージ構造が提案されている（例えば、特許文献２参照）。 2. Description of the Related Art Conventional semiconductor devices used for electronic and electrical equipment are manufactured by conducting conductive connection of semiconductor chips installed on a substrate by wire bonding. In recent years, in response to demands for further downsizing, thinning, and weight reduction of devices, similar requirements have been made for electronic components including semiconductor devices used in these devices. In order to reduce the size of electronic components, for example, a three-dimensional mounting technique that realizes high-density mounting by stacking semiconductor chips has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Further, as a method for performing a three-dimensional mounting technique, for example, a semiconductor package structure in which a through electrode is formed on a chip and a mounting chip called an interposer is stacked via the electrode is proposed (for example, Patent Document 2). reference).
貫通電極が形成されたウエハを素子小片（半導体チップ）に切断分離し（ダイシング工程）、これらの半導体チップをピックアップする工程（ピックアップ工程）に、放射線硬化型の粘着層を有するウエハダイシング加工用粘着テープを使用することが検討されている。
放射線硬化型の粘着層を有するウエハダイシング用粘着テープを使用する場合には、ダイシング工程において、ウエハ裏面及びウエハ裏面に突出した貫通電極を十分に保持しなければならない。しかし、貫通電極が設けられたウエハでは、通常、一方又は両方の面に５〜１５μｍ程度の高さの貫通電極の突起部がある。このため、従来のウエハダイシング加工用粘着テープを貼合しても、この突起部に追従できず、ウエハを保持することができないことが多い。さらにこの結果、貫通電極の突起周辺部に空隙が生じてしまうことがある。通常ダイシング工程においては、ウエハの冷却と該表面の洗浄の目的で切削水が供給される。粘着剤層と貫通電極の突起周辺部との間に空隙があると、その空隙に切削水が侵入し、貫通電極を破損する恐れがある。
The wafer with through electrodes formed is cut and separated into element pieces (semiconductor chips) (dicing process), and the process for picking up these semiconductor chips (pickup process) has a radiation-curing adhesive layer for wafer dicing processing. The use of tape is being considered.
When using an adhesive tape for wafer dicing having a radiation curable adhesive layer, the wafer back surface and the penetrating electrodes protruding from the wafer back surface must be sufficiently retained in the dicing process. However, a wafer provided with a through electrode usually has a through electrode protrusion having a height of about 5 to 15 μm on one or both surfaces. For this reason, even if the conventional adhesive tape for wafer dicing processing is bonded, it is often impossible to follow the protrusions and hold the wafer. As a result, a gap may be generated around the protrusion of the through electrode. In the normal dicing process, cutting water is supplied for the purpose of cooling the wafer and cleaning the surface. If there is a gap between the pressure-sensitive adhesive layer and the protrusion peripheral portion of the through electrode, cutting water may enter the gap and damage the through electrode.
一方、ピックアップ工程では、容易に切断された半導体チップをウエハダイシング加工用粘着テープから剥離できることが必要である。放射線硬化型の粘着剤層を有するウエハダイシング加工用粘着テープの粘着力は、放射線照射を行うことにより低下させることができる。しかし、放射線照射前のウエハの保持性能を向上させるために、粘着剤層の粘着力や保持力を大きくすると、放射線照射後の粘着力低下が不十分となり、ピックアップ性能が低下する。また、ウエハダイシング加工用粘着テープの粘着力を大きくすると、貫通電極の突起部に粘着剤が付着して、個片化したチップを積層した場合に接触不良を起こす場合がある。 On the other hand, in the pick-up process, it is necessary that the easily cut semiconductor chip can be peeled off from the wafer dicing adhesive tape. The adhesive strength of the wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape having a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer can be reduced by performing radiation irradiation. However, if the adhesive force or holding force of the pressure-sensitive adhesive layer is increased in order to improve the holding performance of the wafer before irradiation, the decrease in the adhesive strength after irradiation is insufficient, and the pickup performance is reduced. Further, when the adhesive force of the wafer dicing adhesive tape is increased, the adhesive may adhere to the protrusions of the through electrodes, and contact failure may occur when individual chips are stacked.
貫通電極を有するチップの製造に用いられるウエハダイシング加工用粘着テープとして、特定の厚さ及びゲル分率の粘着剤層を有し、該粘着剤層の貯蔵弾性率が特定の値以上のウエハダイシング加工用粘着テープが提案されている（例えば、特許文献３参照）。しかし、ゲル分率と貯蔵弾性率が特定の範囲内の粘着剤層を有するウエハダイシング加工用粘着テープを用いても、貫通電極の保持部への保持性能を十分確保することが困難な場合がある。さらに、特許文献３には、粘着剤層に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有させることにより、剥離時に刺激を与えて、貫通電極を破損することなくウエハダイシング加工用粘着テープが提案されている。しかし、粘着剤層に特別な気体発生剤を含有させるため、気体発生剤の分解残渣がウエハ表面に付着し、汚染の原因となる可能性がある。また、特許文献３記載のウエハダイシング加工用粘着テープは、ピックアップ工程において、気体を発生させるための刺激を与えるための工程をさらに必要とし、工程上好ましいとはいえない。
Wafer dicing having a pressure-sensitive adhesive layer with a specific thickness and gel fraction as a pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing used in the manufacture of chips having through electrodes, and having a storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer greater than or equal to a specific value An adhesive tape for processing has been proposed (see, for example, Patent Document 3). However, even when using a wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer with a gel fraction and a storage elastic modulus within a specific range, it may be difficult to sufficiently secure the holding performance of the through electrode to the holding portion. is there. Further,
本発明は、貫通電極が形成されたウエハを、半導体チップに切断分離するダイシング工程の際にはウエハを十分に保持し、半導体チップをピックアップするピックアップ工程の際には素子小片を容易に剥離でき、ピックアップ工程後に半導体チップの裏面及び貫通電極に粘着剤が付着しにくいウエハダイシング加工用粘着テープを提供することを課題とする。 The present invention can hold a wafer sufficiently in a dicing process for cutting and separating a wafer on which a through electrode is formed into semiconductor chips, and can easily peel off element pieces in a pickup process for picking up a semiconductor chip. Another object of the present invention is to provide an adhesive tape for wafer dicing processing in which an adhesive is difficult to adhere to the back surface and through electrode of a semiconductor chip after a pickup process.
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、放射線硬化性の粘着剤層が２層以上からなり、放射線照射後の内側粘着剤層の硬化収縮が、最外層の粘着剤層の硬化収縮より大きいことを特徴とするウエハダイシング加工用粘着テープが、ダイシング工程の際はウエハを十分に保持し、ピックアップ工程の際には容易に素子小片を剥離できることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors of the present invention have two or more radiation-curable pressure-sensitive adhesive layers, and the shrinkage of the inner pressure-sensitive adhesive layer after irradiation is reduced by the outermost layer. It has been found that an adhesive tape for wafer dicing, which is larger than the curing shrinkage of the pressure-sensitive adhesive layer, can sufficiently hold the wafer during the dicing process and can easily peel off the elemental pieces during the pickup process. The present invention has been made based on this finding.
すなわち本発明は、
＜１＞貫通電極が形成されたウエハを半導体チップに切断し分離するダイシング工程に用いられる、基材樹脂フィルム上に放射線硬化性の粘着剤層が設けられたウエハダイシング加工用粘着テープであって、該粘着剤層は２層以上からなり、いずれの粘着剤層を構成する樹脂組成物も分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する放射性硬化性化合物を含有し、
放射線照射後の内側粘着剤層の硬化収縮が、放射線照射後の最外層の粘着剤層の硬化収縮より大きいことを特徴とするウエハダイシング加工用粘着テープ、
＜２＞前記放射線硬化性化合物が、光重合性炭素−炭素二重結合として（メタ）アクリル基を有し、前記粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の一分子あたりの該（メタ）アクリル基の数が、前記内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の一分子あたりの（メタ）アクリル基の数より少ないことを特徴とする＜１＞記載のウエハダイシング加工用粘着テープ、
＜３＞前記粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物中における放射線硬化性化合物の含有量が、内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中における放射線硬化性化合物の含有量より少ないことを特徴とする＜１＞又は＜２＞記載のウエハダイシング加工用粘着テープ、
＜４＞前記粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物はアクリル系ベース樹脂成分１００質量部に対して、前記放射線硬化性化合物２５〜１００質量部を含有し、
前記内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物はアクリル系ベース樹脂成分１００質量部に対して、前記放射線硬化性化合物５０〜２００質量部を含有することを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれか１項記載のウエハダイシング加工用粘着テープ、
＜５＞前記粘着剤層の厚さの合計が、ウエハに形成された貫通電極の高さよりも大きいことを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項記載のウエハダイシング加工用粘着テープ、
＜６＞前記粘着剤層の最外層の厚さが前記内側の粘着剤層の厚さより小さいことを特徴とする＜１＞〜＜５＞のいずれか１項記載のウエハダイシング加工用粘着テープ、及び
＜７＞ウエハ裏面に、５０μｍ角で、高さ１０μｍの突起を１ｍｍ２当り１５０個有するシリコンウエハに対するＪＩＳ Ｚ ０２３７に基づく９０°引き剥がし試験により測定された放射線照射前の前記粘着剤層の粘着力が６．５〜９．０Ｎ／２５ｍｍであり、かつ放射線照射後の前記粘着剤層の粘着力が０．５〜１．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする＜１＞〜＜６＞のいずれか１項記載のウエハダイシング加工用粘着テープ、
を提供するものである。
That is, the present invention
<1> A wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape having a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer provided on a base resin film, which is used in a dicing step of cutting and separating a wafer on which a through electrode is formed into semiconductor chips. The pressure-sensitive adhesive layer is composed of two or more layers, and the resin composition constituting any pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation curable compound having two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule,
A curing shrinkage of the inner pressure-sensitive adhesive layer after radiation irradiation is larger than a curing shrinkage of the outermost pressure-sensitive adhesive layer after radiation irradiation, an adhesive tape for wafer dicing processing,
<2> One of the radiation curable compounds in the resin composition in which the radiation curable compound has a (meth) acryl group as a photopolymerizable carbon-carbon double bond and constitutes the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer. The number of (meth) acrylic groups per molecule is less than the number of (meth) acrylic groups per molecule of the radiation curable compound in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer. <1> adhesive tape for wafer dicing processing,
<3> The content of the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is less than the content of the radiation curable compound in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer. <1> or <2> the pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing,
<4> The resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer contains 25 to 100 parts by mass of the radiation curable compound with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin component,
<1> to <3>, wherein the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer contains 50 to 200 parts by mass of the radiation curable compound with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin component. The adhesive tape for wafer dicing processing according to any one of
<5> The wafer dicing adhesive according to any one of <1> to <4>, wherein the total thickness of the pressure-sensitive adhesive layers is larger than the height of the through electrodes formed on the wafer. tape,
<6> The pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing according to any one of <1> to <5>, wherein the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer has a thickness smaller than the thickness of the inner pressure-sensitive adhesive layer. And <7> Adhesion of the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation measured by a 90 ° peeling test based on JIS Z 0237 on a silicon wafer having 50 μm square and 150 μm high projections per 1
Is to provide.
本発明のウエハダイシング加工用粘着テープは、貫通電極が形成されたウエハを、半導体チップに切断分離するダイシング工程の際はウエハを十分に保持し、半導体チップをピックアップする工程の際には容易に剥離でき、かつピックアップ工程後にウエハ裏面及びウエハ裏面の電極に粘着剤が付着しにくい。また、ピックアップ工程において特別の工程を必要とせずに、容易かつ良好に半導体チップを剥離させることができる。 The pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing according to the present invention holds the wafer sufficiently during the dicing process of cutting and separating the wafer on which the through electrode is formed into semiconductor chips, and easily during the process of picking up the semiconductor chips. It can be peeled off, and the adhesive is less likely to adhere to the wafer back surface and the electrode on the back surface of the wafer after the pickup process. Further, the semiconductor chip can be easily and satisfactorily peeled off without requiring a special process in the pickup process.
本発明のウエハダイシング加工用粘着テープについて図面を参照して説明する。図１に示されるように、本発明のウエハダイシング加工用粘着テープ２０は、基材樹脂フィルム１上に、２層以上の内側の粘着剤層２及び粘着剤層の最外層３が形成されている。図２に示されるように、基材樹脂フィルム１上に内側の粘着剤層２及び粘着剤層の最外層３を有してなる本発明のウエハダイシング加工用粘着テープ２０は、ウエハ４０に貫通電極５０により突起５０ａが形成されたウエハ４０の裏面に貼合して使用される。粘着剤層２及び粘着剤層３は、いずれも放射線硬化性化合物を含有する放射線硬化型の樹脂組成物を用いてなる。
The wafer dicing adhesive tape of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the pressure-sensitive
本発明のウエハダイシング加工用粘着テープにおいては、放射線を照射することにより粘着剤層の硬化収縮を発生させ、これにより粘着剤層からの貫通電極突起部からの剥離を容易とすることができる。本発明のウエハダイシング加工用粘着テープにおいては、放射線照射後の内側粘着剤層の硬化収縮を、放射線照射後の最外層の粘着剤層の硬化収縮より大きくする。これにより、内側の粘着剤層から貫通電極突起部に受ける圧縮応力は、貫通電極の突起部の先端付近で大きくなり、貫通電極突起部と粘着剤層の剥離を容易にすることができる。
粘着剤層の厚さの合計は、貫通電極の高さよりも厚いほうが好ましく、貫通電極突起部の高さの１．５〜５．０倍がより好ましい。これにより、貫通電極突起部の先端への粘着剤層の圧縮応力を印加することができ、粘着剤層からの貫通電極突起部からの剥離を容易とすることができる。
各々の粘着剤層の厚さは適宜選択できるが、最外層の粘着剤層の厚さは、内側の粘着剤層の厚さより薄く、貫通電極突起部の高さよりも薄いことが好ましい。これにより、貫通電極の突起部の先端付近での粘着剤層から貫通電極突起部に受ける圧縮応力は大きくなり、貫通電極突起部と粘着剤層の剥離を容易にすることができる。
In the pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing processing according to the present invention, curing shrinkage of the pressure-sensitive adhesive layer is generated by irradiating with radiation, thereby facilitating peeling from the through electrode protrusion from the pressure-sensitive adhesive layer. In the wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention, the curing shrinkage of the inner pressure-sensitive adhesive layer after irradiation is larger than the curing shrinkage of the outermost pressure-sensitive adhesive layer after irradiation. Thereby, the compressive stress received by the penetration electrode protrusion from the inner pressure-sensitive adhesive layer increases near the tip of the protrusion of the penetration electrode, and the penetration electrode protrusion and the pressure-sensitive adhesive layer can be easily separated.
The total thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably thicker than the height of the through electrode, and more preferably 1.5 to 5.0 times the height of the through electrode protrusion. Thereby, the compressive stress of the adhesive layer to the front-end | tip of a penetration electrode protrusion part can be applied, and peeling from the penetration electrode protrusion part from an adhesive layer can be made easy.
The thickness of each pressure-sensitive adhesive layer can be selected as appropriate, but the thickness of the outermost pressure-sensitive adhesive layer is preferably thinner than the thickness of the inner pressure-sensitive adhesive layer and thinner than the height of the through electrode protrusion. Thereby, the compressive stress received by the penetrating electrode protrusion from the pressure-sensitive adhesive layer in the vicinity of the tip of the penetrating electrode protrusion is increased, and the peeling of the penetrating electrode protrusion and the adhesive layer can be facilitated.
１．ベース樹脂成分
本発明のウエハダイシング加工用粘着テープの粘着剤層に用いられる樹脂組成物においては、アクリル系樹脂をベース樹脂成分とすることが好ましい。その例として、アクリル系共重合体やメタクリル系共重合体（以下、両者を併せて（メタ）アクリル系共重合体ということもある）を挙げることができる。その場合には、適宜硬化剤を配合し、放射線照射前にベース樹脂成分を硬化させたものを使用することができる。（メタ）アクリル系共重合体としては、例えば（メタ）アクリル酸エステルを構成単位の１つとする（メタ）アクリル系共重合体や、少なくとも（メタ）アクリル酸エステルと側鎖に官能基を有する単量体を構成単位として有する共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。
アクリル酸エステルとしては、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチルなど、また、上記のアクリル酸エステルをたとえばメタクリル酸エステルに代えたものなども好ましく使用できる。
さらに粘着性や凝集力を制御する目的でアクリル酸あるいはメタクリル酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなどの単量体を共重合させてもよい。後述の放射線硬化性化合物中の官能基と反応するように、ベース樹脂成分が官能基を有することが好ましい。
ベース樹脂成分の分子量としては重量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが使用できる。
1. Base resin component In the resin composition used for the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing of the present invention, an acrylic resin is preferably used as the base resin component. Examples thereof include an acrylic copolymer and a methacrylic copolymer (hereinafter, both may be referred to as a (meth) acrylic copolymer). In that case, what hardened | cured the base resin component before mixing with a hardening | curing agent suitably can be used. As the (meth) acrylic copolymer, for example, a (meth) acrylic copolymer having (meth) acrylic acid ester as one of the structural units, or at least a (meth) acrylic acid ester and a side chain has a functional group. Examples thereof include a copolymer having a monomer as a structural unit, and a mixture of these polymers.
Examples of the acrylate ester include ethyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycidyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, etc., and those obtained by replacing the above acrylate esters with, for example, methacrylate esters. It can be preferably used.
Furthermore, monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, acrylonitrile, and vinyl acetate may be copolymerized for the purpose of controlling adhesiveness and cohesive force. It is preferable that the base resin component has a functional group so as to react with a functional group in the radiation curable compound described later.
As the molecular weight of the base resin component, those having a weight average molecular weight of about 500,000 to 1,000,000 can be used.
２．硬化剤
ベース樹脂成分には、例えば（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために、硬化剤を用いることが好ましい。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ′−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力及び凝集力に応じて調整すればよく、前記の（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。
2. Hardener For the base resin component, for example, a hardener is preferably used in order to adjust the adhesive force and cohesive force by reacting with the functional group of the (meth) acrylic copolymer. For example, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) toluene, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) ) Epoxy compounds having two or more epoxy groups in the molecule such as benzene, N, N, N, N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate , 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, etc., an isocyanate compound having two or more isocyanate groups in the molecule, tetramethylol-tri-β-aziridini Lupropionate, trimethylol-tri-β-aziridinylpropionate, Examples thereof include aziridine compounds having two or more aziridinyl groups in the molecule, such as dimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate and trimethylolpropane-tri-β- (2-methylaziridine) propionate. . What is necessary is just to adjust the addition amount of a hardening | curing agent according to desired adhesive force and cohesion force, and 0.1-5.0 mass parts is suitable with respect to 100 mass parts of said (meth) acrylic-type copolymers. is there.
３．放射線硬化性化合物
放射線硬化性化合物としては、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有するものを用いることができる。放射線硬化性化合物としては、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００から３００００の範囲にあることが好ましい。放射線硬化性化合物の重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィ（以下、「ＧＰＣ」という）法によって、測定することができる。その測定条件は以下の通りである。
（重量平均分子量の測定条件）
ＧＰＣ装置：島津製作所製 ＬＣＶＰシリーズ
カラム：ＯｌｉｇｏＰｏｒｅ ３００×７．５（商品名）（商品名、ＰｏｌｙｍｅｒＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ製）
流量：１ｍｌ／ｍｉｎ、
濃度：１ｍｇ／ｍｌ
注入量：５０μｌ、
カラム温度：４０℃
展開溶媒：クロロホルム
放射線硬化性化合物としては、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレートなどのオリゴマーや、（メタ）アクリル酸オリゴマー及びイタコン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの官能基を有するオリゴマーを挙げることができる。
3. Radiation curable compound As the radiation curable compound, for example, a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation can be used. The radiation curable compound preferably has a weight average molecular weight (Mw) in the range of 100 to 30,000. The weight average molecular weight of the radiation curable compound can be measured by a gel permeation chromatography (hereinafter referred to as “GPC”) method. The measurement conditions are as follows.
(Measurement conditions for weight average molecular weight)
GPC device: LCVP series manufactured by Shimadzu Corporation Column: OligoPore 300 × 7.5 (trade name) (trade name, manufactured by Polymer Laboratories)
Flow rate: 1 ml / min,
Concentration: 1 mg / ml
Injection volume: 50 μl,
Column temperature: 40 ° C
Developing solvent: Chloroform Radiation-curable compounds include urethane acrylate, epoxy acrylate, polyester acrylate, polyether acrylate and other functional groups such as hydroxyl groups or carboxyl groups such as (meth) acrylic acid oligomers and itaconic acid oligomers. The oligomer which has is mentioned.
放射線硬化性化合物は、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレートを使用することができる。
また、ポリエステル型又はポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られるものが適用可能である。
本発明における２層以上の粘着層において同種の放射線硬化性化合物を用いても異種を用いてもよい。
Specific examples of the radiation curable compound include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4. -Butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, and oligoester acrylate can be used.
Further, a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1 , 4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) and a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxy Hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) can be used. It is.
In the two or more pressure-sensitive adhesive layers in the present invention, the same type of radiation curable compound or different types may be used.
最外層及び内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物は、光重合性炭素−炭素二重結合として（メタ）アクリル基を有するものが好ましい。前述に例示した放射線硬化性化合物のうち、特に、好ましいものとして、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレートを挙げることができる。
粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の一分子あたりの（メタ）アクリル基の数は、内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の一分子あたりの（メタ）アクリル基の数より少ないことが好ましい。例えば、内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物として、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートを用い、最外層の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物として、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを使用することができる。また、内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物として、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートを用い、最外層の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物として、ポリエチレングリコールジアクリレートやジエチレングリコールジアクリレートなどを使用することができる。
これにより、放射線照射後に、内側の粘着剤層の硬化収縮応力を最外層の粘着剤層の硬化収縮より大きくすることができ、粘着剤層と貫通電極突起部の剥離を容易にすることができる。
The radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost layer and the inner pressure-sensitive adhesive layer preferably has a (meth) acryl group as a photopolymerizable carbon-carbon double bond. Of the radiation curable compounds exemplified above, particularly preferred are trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol. Examples include hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, and oligoester acrylate.
The number of (meth) acrylic groups per molecule of the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is the same as that of the radiation curable compound in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer. The number is preferably less than the number of (meth) acrylic groups per molecule. For example, dipentaerythritol hexaacrylate is used as the radiation curable compound in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer, and polyethylene is used as the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost pressure-sensitive adhesive layer. Glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate and the like can be used. Also, as the radiation curable compound in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer, ditrimethylolpropane tetraacrylate is used, and as the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost pressure-sensitive adhesive layer, polyethylene is used. Glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, and the like can be used.
Thereby, after irradiation, the curing shrinkage stress of the inner pressure-sensitive adhesive layer can be made larger than the curing shrinkage of the outermost pressure-sensitive adhesive layer, and the peeling of the pressure-sensitive adhesive layer and the penetrating electrode protrusion can be facilitated. .
本発明のウエハダイシング加工用粘着テープにおいては、粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物中における放射線硬化性化合物の含有量を、内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中における放射線硬化性化合物の含有量より少なくすることが好ましい。これにより、放射線照射後に、内側の粘着剤層の硬化収縮応力を最外層の粘着剤層の硬化収縮より大きくすることができ、粘着剤層と貫通電極突起部の剥離を容易にすることができる。 In the wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention, the content of the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is determined by the radiation curing in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer. It is preferable to make it less than the content of the functional compound. Thereby, after irradiation, the curing shrinkage stress of the inner pressure-sensitive adhesive layer can be made larger than the curing shrinkage of the outermost pressure-sensitive adhesive layer, and the peeling of the pressure-sensitive adhesive layer and the penetrating electrode protrusion can be facilitated. .
いずれの粘着剤層を構成する樹脂組成物も、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量の放射線硬化性化合物を含有し、前記粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物中における放射線硬化性化合物の含有量を、内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中における放射線硬化性化合物の含有量より少なくすることが好ましい。例えば、内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物と、最外層の粘着剤層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物を同じもの、例えば、光重合性炭素−炭素二重結合として（メタ）アクリル基を有する放射線硬化性化合物を使用した場合には、最外層の粘着剤層に含まれる放射線硬化性化合物の配合量を、内側の粘着剤層に含まれる放射線硬化性化合物の配合量より少なくすることが好ましい。 The resin composition constituting any pressure-sensitive adhesive layer contains a low molecular weight radiation-curable compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule, and the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is It is preferable to make content of the radiation curable compound in the resin composition to comprise less than content of the radiation curable compound in the resin composition which comprises an inner side adhesive layer. For example, the radiation curable compound in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer and the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost pressure-sensitive adhesive layer are the same, for example, photopolymerizable carbon − When a radiation curable compound having a (meth) acrylic group as a carbon double bond is used, the amount of radiation curable compound contained in the outermost adhesive layer is changed to the radiation contained in the inner adhesive layer. It is preferable to make it less than the compounding quantity of a sclerosing | hardenable compound.
粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物はアクリル系ベース樹脂１００質量部に対して前記放射線硬化性化合物２５〜１００質量部を含有し、前記粘着剤層より内側に位置する内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物はアクリル系ベース樹脂１００質量部に対して前記放射線硬化性化合物５０〜２００質量部とすることが好ましい。 The resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer contains 25 to 100 parts by mass of the radiation curable compound with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin, and is an inner pressure-sensitive adhesive located inside the pressure-sensitive adhesive layer. The resin composition constituting the layer is preferably 50 to 200 parts by mass of the radiation curable compound with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin.
粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の含有量が少なすぎると、放射線照射前の該粘着層が硬くなりすぎるため、貫通電極の突起に対する追従性が悪くなる場合がある。また、放射線照射後の粘着剤層の硬化が不十分なため該粘着剤層が柔らかくなりすぎて、ピックアップ性が不十分で、チップ裏面の汚染を誘発したりする原因となる場合がある。
粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の含有量が多すぎると、放射線照射前の該粘着層が柔らかくなりすぎるため、ダイシング時に半導体チップがずれてしまい、ピックアップ時のアライメント不良の原因に繋がる場合がある。また、放射線照射後の硬化収縮応力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が不十分で、半導体チップ裏面の汚染を誘発したりする原因となる場合がある。
粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の含有量は、アクリル系ベース樹脂１００質量部に対して３０質量部以上とするのが好ましく、３５質量部以上とするのがさらに好ましい。
When the content of the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is too small, the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation is too hard, and the followability to the protrusions of the through electrode is deteriorated. There is. Further, since the pressure-sensitive adhesive layer is not sufficiently cured after irradiation, the pressure-sensitive adhesive layer becomes too soft, and the pickup property is insufficient, which may cause contamination of the chip back surface.
If the content of the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is too large, the pressure-sensitive adhesive layer before radiation irradiation becomes too soft, so that the semiconductor chip is displaced during dicing, and during pick-up May lead to the cause of misalignment. In addition, the curing shrinkage stress after radiation irradiation becomes too large, and the pick-up property is insufficient, which may cause contamination of the back surface of the semiconductor chip.
The content of the radiation curable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 30 parts by mass or more, and 35 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin. Is more preferable.
粘着剤層の内側層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の含有量が少なすぎると、粘着剤層が硬くなり、貫通電極の突起に対する追従性が悪くなる場合がある。また、放射線硬化性化合物の含有量が多すぎると、放射線照射前の該粘着層が柔らかくなりすぎるため、ダイシング時にチップがずれてしまい、ピックアップ時のアライメント不良の原因に繋がる場合がある。
粘着剤層の内側層を構成する樹脂組成物中の放射線硬化性化合物の含有量は、６０質量部以上とするのが好ましく、７０質量部以上とするのがさらに好ましい。
If the content of the radiation curable compound in the resin composition constituting the inner layer of the pressure-sensitive adhesive layer is too small, the pressure-sensitive adhesive layer becomes hard and the followability to the protrusions of the through electrode may be deteriorated. Moreover, when there is too much content of a radiation-curable compound, since this adhesion layer before radiation irradiation becomes too soft, a chip | tip will slip | deviate at the time of dicing and it may lead to the cause of the alignment defect at the time of pick-up.
The content of the radiation curable compound in the resin composition constituting the inner layer of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 60 parts by mass or more, and more preferably 70 parts by mass or more.
４．基材樹脂フィルム
基材樹脂フィルムとしては、粘着剤層を硬化させるために用いる放射線は通常基材フィルム側から照射されるので放射線透過性であることが必要である。放射線のうち、装置が廉価で入手できるという点から、紫外線を使用することが好ましい。基材樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、及びポリブテンのようなポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体及びエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチックなどが挙げられる。この中でも、ポリオレフィン樹脂が好ましい。
4). Base resin film As the base resin film, the radiation used for curing the pressure-sensitive adhesive layer is usually irradiated from the base film side, and therefore needs to be radiation transmissive. Of the radiation, it is preferable to use ultraviolet rays because the device is available at a low price. Examples of the base resin film include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, and polybutene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, and ethylene- ( Examples include ethylene copolymers such as (meth) acrylic acid ester copolymers, engineering plastics such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, and polymethyl methacrylate. Among these, polyolefin resin is preferable.
基材樹脂フィルムの厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは５０〜３００μｍであり、より好ましくは６０〜２００μｍ、特に好ましくは７０〜１５０μｍである。
基材樹脂フィルム上に粘着剤層を形成する方法は特に限定はなく、例えば、樹脂組成物を通常用いられる塗布方法によって基材樹脂フィルム上に塗布、乾燥させて形成すればよい。
基材樹脂フィルムの粘着剤層が設けられる側の表面には、粘着剤層との密着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。また、帯電を防止するため、適宜帯電防止処理を行ってもよい。
The thickness of the base resin film is not particularly limited, but is preferably 50 to 300 μm, more preferably 60 to 200 μm, and particularly preferably 70 to 150 μm.
The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer on the base resin film is not particularly limited. For example, the resin composition may be formed by applying and drying the resin composition on the base resin film by a commonly used coating method.
The surface of the base resin film on which the pressure-sensitive adhesive layer is provided may be appropriately subjected to a treatment such as corona treatment or provision of a primer layer in order to improve adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer. In order to prevent charging, an antistatic treatment may be appropriately performed.
本発明のウエハダイシング加工用粘着テープは、ウエハ裏面に、５０μｍ角で、高さ１０μｍの突起を１ｍｍ２当り１５０個有するシリコンウエハ（以下、「擬似裏面突起ウエハ」という）に対するＪＩＳ Ｚ ０２３７に基づく９０°引き剥がし試験により測定された放射線照射前の前記粘着剤層の粘着力が６．５〜９．０Ｎ／２５ｍｍであり、かつ放射線照射後の前記粘着剤層の粘着力が０．５〜１．０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。 Wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape of the invention, the wafer back surface, at 50μm square, a silicon wafer (hereinafter, referred to as "pseudo backside projections wafer") having 150 2 per 1mm of projection of the height 10μm based on JIS Z 0237 for The adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer before irradiation measured by a 90 ° peeling test is 6.5 to 9.0 N / 25 mm, and the pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation is 0.5 to It is preferable that it is 1.0N / 25mm.
上記の擬似裏面突起ウエハは、例えば通常のシリコンウエハのミラー面に、通常のダイシング装置を用いて、切断深さを１０μｍに設定した切溝を、５０μｍ間隔で十字に設けることで形成することができる。
擬似裏面突起ウエハに対する粘着力を有する本発明のウエハダイシング加工用粘着テープを用いることにより、半導体チップに切断分離するダイシング工程の際はウエハを十分に保持し、半導体チップのピックアップ工程の際には容易に剥離することができる。また、本発明のウエハダイシング加工用粘着テープは、ピックアップ工程後にウエハ裏面及びウエハ裏面に形成された貫通電極の突起への粘着剤の付着を低減することができる。
擬似裏面突起ウエハに対するＪＩＳ Ｚ ０２３７に基づく９０°引き剥がし試験により測定された放射線照射前の粘着力は、好ましくは７．０〜８．５Ｎ／２５ｍｍである。放射線照射前の粘着力が小さすぎると、ダイシング工程の際、半導体を十分に保持することが困難にあり、切削水の浸入により半導体チップが汚染される場合がある。また、放射線照射前の粘着力が大きすぎる場合には、貫通電極への粘着剤付着を起こす場合がある。
The above pseudo back-projection wafer can be formed by, for example, providing a kerf with a cutting depth set to 10 μm in a cross shape at intervals of 50 μm on a mirror surface of a normal silicon wafer using a normal dicing apparatus. it can.
By using the wafer dicing adhesive tape of the present invention having an adhesive force to the pseudo-back protrusion wafer, the wafer is sufficiently held during the dicing process of cutting and separating into semiconductor chips, and during the semiconductor chip pick-up process. It can be easily peeled off. Moreover, the adhesive tape for wafer dicing processing of this invention can reduce adhesion of the adhesive to the protrusions of the through electrodes formed on the wafer back surface and the wafer back surface after the pick-up process.
The adhesive strength before irradiation measured by a 90 ° peeling test based on JIS Z 0237 with respect to the pseudo back-projection wafer is preferably 7.0 to 8.5 N / 25 mm. If the adhesive strength before radiation irradiation is too small, it is difficult to sufficiently hold the semiconductor during the dicing process, and the semiconductor chip may be contaminated by the penetration of cutting water. Moreover, when the adhesive force before radiation irradiation is too large, the adhesive may adhere to the through electrode.
また、擬似裏面突起ウエハに対するＪＩＳ Ｚ ０２３７に基づく９０°引き剥がし試験により測定された放射線照射後の粘着力は、好ましくは０．５〜０．９Ｎ／２５ｍｍである。粘着力が小さすぎると、紫外線照射からピックアップ工程までのウエハ搬送の際、半導体を十分に保持できずチップが落下する場合がある。また、放射線照射後の粘着力が大きすぎる場合には、ピックアップが困難になり、ピックアップ時に半導体チップの破損する場合がある。ピックアップ装置の条件変更によりピックアップしたとしても、貫通電極に対して粘着剤層が強固に貼り付いているため、粘着剤層が凝集破壊しやすくなり、貫通電極へ粘着剤が付着する場合がある。 Further, the adhesive strength after irradiation measured by a 90 ° peeling test based on JIS Z 0237 on the pseudo-back surface protruding wafer is preferably 0.5 to 0.9 N / 25 mm. If the adhesive force is too small, the semiconductor may not be sufficiently held during wafer transfer from the ultraviolet irradiation to the pickup process, and the chip may fall. Further, when the adhesive strength after radiation irradiation is too large, picking up becomes difficult, and the semiconductor chip may be damaged at the time of picking up. Even if the pickup is picked up by changing the conditions of the pickup device, the pressure-sensitive adhesive layer is likely to cohesively break because the pressure-sensitive adhesive layer is firmly attached to the through-electrode, and the pressure-sensitive adhesive may adhere to the through-electrode.
本発明のウエハダイシング加工用粘着テープを、貫通電極が形成されたウエハ裏面に貼合して、貫通電極のないウエハをダイシングし、ピックアップするのと同様に、ダイシング及びピックアップを行うことができる。 The wafer dicing adhesive tape of the present invention is bonded to the back surface of the wafer on which the through electrode is formed, and the wafer without the through electrode is diced and picked up in the same manner as picking up.
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Next, although this invention is demonstrated still in detail based on an Example, this invention is not limited to these.
（実施例及び比較例）
＜アクリル系共重合体＞
アクリル系ベースポリマーとして、２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体を用いた。重量平均分子量は２０万であり、ガラス転移点は−３５℃である。
(Examples and Comparative Examples)
<Acrylic copolymer>
As the acrylic base polymer, a copolymer composed of 2-ethylhexyl acrylate, methyl acrylate, and 2-hydroxyethyl acrylate was used. The weight average molecular weight is 200,000 and the glass transition point is -35 ° C.
＜放射線硬化性化合物＞
一分子中に２つのアクリル基を持つ放射線硬化性化合物として、ポリエチレングリコールジアクリレート（新中村化学工業社製、商品名Ａ−２００）（以下、放射線硬化性化合物Ａとする）及びジエチレングリコールジメタクリレート（新中村化学工業社製、商品名２Ｇ）（以下、放射線硬化性化合物Ｂとする）を用いた。
また、一分子中に４つのアクリル基を持つ放射線硬化性化合物として、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート（新中村化学工業社製、商品名ＡＤ−ＰＭＴ）（以下、放射線硬化性化合物Ｃとする）を用いた。
さらに、一分子中に６つのアクリル基を持つ放射線硬化性化合物として、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（新中村化学工業社製、商品名Ａ−ＤＰＨ）（以下、放射線硬化性化合物Ｄとする）を用いた。
<Radiation curable compound>
As radiation curable compounds having two acrylic groups in one molecule, polyethylene glycol diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name A-200) (hereinafter referred to as radiation curable compound A) and diethylene glycol dimethacrylate ( Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name 2G) (hereinafter referred to as radiation curable compound B) was used.
In addition, ditrimethylolpropane tetraacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name AD-PMT) (hereinafter referred to as radiation curable compound C) is used as a radiation curable compound having four acrylic groups in one molecule. It was.
Furthermore, dipentaerythritol hexaacrylate (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name A-DPH) (hereinafter referred to as radiation curable compound D) is used as a radiation curable compound having six acrylic groups in one molecule. It was.
＜粘着剤の調製＞
上記アクリル系共重合体１００質量部に、硬化剤としてポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン社製、商品名コロネートＬ）を３質量部、上記放射線硬化性化合物を実施例、比較例に記載した配合部数、及び光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを１質量部添加し、混合して粘着剤を得た。
<Preparation of adhesive>
100 parts by mass of the acrylic copolymer, 3 parts by mass of a polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name Coronate L) as a curing agent, the number of blended parts described in Examples and Comparative Examples, And 1 mass part of alpha-hydroxy cyclohexyl phenyl ketone was added as a photoinitiator, and it mixed, and obtained the adhesive.
＜ウエハダイシング加工用粘着テープの作製＞
ＥＭＭＡ樹脂（住友化学社製商品名、商品名：アクリフトＷＤ２０１）を用いてＴダイ法により厚さ１００μｍの基材樹脂フィルムを作製し、この基材樹脂フィルムに、表１の実施例１〜９及び比較例１〜８に示された構成の内側の粘着剤層及び最外層の粘着剤層を、それぞれ内側の粘着剤層の厚さが２０μｍ、最外層の粘着剤層の厚さが１０μｍとなるように、この順で塗工した。その後養生し、ウエハダイシング加工用粘着テープを得た。
また、同様に作製した厚さ１００μｍのＥＭＭＡ樹脂の基材樹脂フィルムに、表１の比較例９記載の構成の粘着剤層を、厚さが３０μｍとなるように塗工した。その後養生することにより、比較例９のウエハダイシング加工用粘着テープを得た。
<Preparation of wafer dicing adhesive tape>
A base resin film having a thickness of 100 μm was prepared by E-die resin (trade name, trade name: ACRIFT WD201, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) by the T-die method. The inner pressure-sensitive adhesive layer and the outermost pressure-sensitive adhesive layer having the configurations shown in Comparative Examples 1 to 8 have an inner pressure-sensitive adhesive layer thickness of 20 μm and an outermost pressure-sensitive adhesive layer thickness of 10 μm, respectively. The coating was performed in this order. Thereafter, curing was performed to obtain an adhesive tape for wafer dicing.
Moreover, the adhesive layer of the structure as described in the comparative example 9 of Table 1 was apply | coated to the base resin film of 100-micrometer-thick EMMA resin similarly produced so that thickness might be set to 30 micrometers. Thereafter, the adhesive tape for wafer dicing processing of Comparative Example 9 was obtained by curing.
上記の実施例及び比較例のウエハダイシング加工用粘着テープについて、以下の試験を行い、その性能を評価した。
＜粘着力試験＞
表１及び表２の実施例・比較例のウエハダイシング加工用粘着テープを、ウエハ裏面に、５０μｍ角で、高さ１０μｍの突起を１ｍｍ２当り１５０個有する直径８インチのシリコンウエハに対するＪＩＳ Ｚ ０２３７に基づく９０°引き剥がし試験を剥離速度３００ｍｍ／分で実施した。
紫外線照射後の評価については、基材樹脂フィルム側から紫外線を高圧水銀灯により２００ ｍＪ／ｃｍ2照射した後に同様の試験を行った。
紫外線照射前の粘着力が６．５〜９．０Ｎ／２５ｍｍであり、かつ紫外線照射後の粘着力が０．５〜１．０Ｎ／２５ｍｍのものを合格とし、それ以外のものを不合格とした。
About the adhesive tape for wafer dicing processes of said Example and comparative example, the following test was done and the performance was evaluated.
<Adhesion test>
JIS Z 0237 for silicon wafers having a diameter of 8 inches having 150 50 μm square and 10 μm high projections per 1 mm 2 of the wafer dicing adhesive tapes of Examples and Comparative Examples in Tables 1 and 2 The 90 ° peel test based on was carried out at a peel rate of 300 mm / min.
For the evaluation after irradiation with ultraviolet rays, the same test was conducted after irradiating ultraviolet rays with 200 mJ / cm 2 with a high-pressure mercury lamp from the base resin film side.
The adhesive strength before UV irradiation is 6.5 to 9.0 N / 25 mm, and the adhesive strength after UV irradiation is 0.5 to 1.0 N / 25 mm is accepted, and the others are rejected. did.
＜貫通電極に対する追従性試験＞
上記の粘着力試験と同様に作成した直径８インチのシリコンウエハの裏面に実施例及び比較例のウエハダイシング加工用粘着テープを貼着した後、ディスコ社製ダイシング装置ＤＡＤ３４０（商品名）を用いて１０×１０ｍｍの半導体チップに個辺化した。その際、ウエハ裏面に切削水の浸入がなかった場合を○、切削水の浸入があった場合を×とし、○を合格、×を不合格とした。
<Followability test for through electrode>
After adhering the wafer dicing adhesive tapes of Examples and Comparative Examples to the back surface of an 8-inch diameter silicon wafer prepared in the same manner as in the above adhesive strength test, a dicing apparatus DAD340 (trade name) manufactured by Disco Corporation was used. Individualized into 10 × 10 mm semiconductor chips. At that time, the case where the cutting water did not enter the back surface of the wafer was indicated as “◯”, the case where the cutting water was intruded as “×”, “◯” was accepted, and “x” was rejected.
＜ピックアップ性試験＞
上記貫通電極に対する追従性試験で個辺化した半導体チップに、基材樹脂フィルム側から紫外線を高圧水銀灯により２００ｍＪ／ｃｍ2照射後、ＮＥＣマシナリー製ＣＰＳ−１００ＦＭ（商品名）を用いて、ピックアップ性試験を行った。
５０チップ中、４５チップ以上ピックアップできた場合を○、４５チップ未満しかピックアップできなかった場合を×とし、○を合格、×を不合格とした。
<Pickup test>
Pickup property using CPS-100FM (trade name) manufactured by NEC Machinery, after irradiating ultraviolet rays from a base resin film side with a high-pressure mercury lamp to a semiconductor chip separated in the follow-up test for the penetrating electrode, with 200 mJ / cm 2 . A test was conducted.
Of 50 chips, a case where 45 chips or more could be picked up was marked as ◯, a case where only less than 45 chips could be picked up was marked as x, a circle was accepted, and a x was rejected.
＜粘着剤付着性試験＞
上記ピックアップ性試験でピックアップした半導体チップへの粘着剤の付着の有無を目視で確認を行った。５０チップ中、粘着剤が付着した半導体チップがない場合を○、粘着剤が付着した半導体チップがあった場合を×とし、○を合格、×を不合格とした。
<Adhesive adhesion test>
The presence or absence of adhesion of the adhesive to the semiconductor chip picked up by the pick-up property test was visually confirmed. Of the 50 chips, the case where there was no semiconductor chip to which an adhesive was attached was marked as ◯, the case where there was a semiconductor chip to which an adhesive was adhered was marked as x, the mark was marked as pass, and the mark was rejected.
以上の評価試験結果を表１及び表２に示す。
表１及び表２に示されるように、実施例１〜９のウエハダイシング加工用粘着テープは、貫通電極に対する追従性及びピックアップ性に優れ、粘着剤の付着もないものであった。上記ピックアップ性試験でピックアップできた半導体チップに貼合されていたウエハダイシング加工用粘着テープを観察したところ、放射線照射後の内側粘着剤層の硬化収縮が、放射線照射後の最外層の粘着剤層の硬化収縮より大きいため、貫通電極からの剥離性に優れることがわかった。
一方、比較例１〜９では、放射線照射後の内側粘着剤層の硬化収縮が、放射線照射後の最外層の粘着剤層の硬化収縮より小さく、貫通電極に対する追従性、ピックアップ性及び粘着剤付着性のいずれかの特性に問題が生じた。このため、比較例１〜９のウエハダイシング加工用粘着テープは、貫通電極が形成されたウエハをダイシングして半導体チップを製造するための粘着テープとして使用できないものであった。
As shown in Tables 1 and 2, the wafer dicing pressure-sensitive adhesive tapes of Examples 1 to 9 were excellent in followability and pick-up property with respect to the through electrodes, and did not adhere to the pressure-sensitive adhesive. Observation of the wafer dicing adhesive tape that was bonded to the semiconductor chip picked up by the pick-up property test showed that the shrinkage of the inner adhesive layer after irradiation was the outermost adhesive layer after irradiation. Since it was larger than the curing shrinkage, it was found that the peelability from the through electrode was excellent.
On the other hand, in Comparative Examples 1 to 9, the curing shrinkage of the inner pressure-sensitive adhesive layer after irradiation was smaller than the curing shrinkage of the outermost pressure-sensitive adhesive layer after irradiation, and the followability to the through electrode, pickup property, and pressure-sensitive adhesive adhesion There was a problem with one of the characteristics of sex. For this reason, the adhesive tape for wafer dicing processing of Comparative Examples 1 to 9 cannot be used as an adhesive tape for dicing the wafer on which the through electrode is formed to manufacture a semiconductor chip.
１：基材樹脂フィルム
２：内側の粘着剤層
３：粘着剤層の最外層
２０：ウエハダイシング加工用粘着テープ
４０：ウエハ
５０：貫通電極
５０ａ：貫通電極突起部
1: base resin film 2: inner pressure-sensitive adhesive layer 3: outermost layer of pressure-sensitive adhesive layer 20: pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing 40: wafer 50: penetrating
Claims (7)
放射線照射後の内側粘着剤層の硬化収縮が、放射線照射後の最外層の粘着剤層の硬化収縮より大きいことを特徴とするウエハダイシング加工用粘着テープ。 A wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape having a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer provided on a base resin film, which is used in a dicing step of cutting and separating a wafer on which a through electrode is formed into semiconductor chips. The agent layer is composed of two or more layers, and the resin composition constituting any pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation curable compound having two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule,
A pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing, wherein the shrinkage of the inner pressure-sensitive adhesive layer after irradiation is greater than the shrinkage of the outermost pressure-sensitive adhesive layer after irradiation.
前記内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物はアクリル系ベース樹脂成分１００質量部に対して、前記放射線硬化性化合物５０〜２００質量部を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のウエハダイシング加工用粘着テープ。 The resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer contains 25 to 100 parts by mass of the radiation curable compound with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin component,
4. The resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer contains 50 to 200 parts by mass of the radiation curable compound with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin component. The pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing according to claim 1.
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