JP5901422B2 - Semiconductor wafer dicing method and semiconductor processing dicing tape used therefor - Google Patents
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Description
本発明は、半導体デバイスを製造する工程における半導体ウェハのダイシング方法およびこれに用いる半導体加工用ダイシングテープに関する。さらに詳しくは、サポート部材を用いた半導体素子の製造する工程における半導体ウェハのダイシング方法およびこれに用いる半導体加工用ダイシングテープに関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer dicing method in a process of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor processing dicing tape used therefor. More specifically, the present invention relates to a semiconductor wafer dicing method in a process of manufacturing a semiconductor element using a support member, and a semiconductor processing dicing tape used therefor.
配線パターンが形成された半導体ウェハの裏面を薄型加工するにあたっては、半導体ウェハのパターン面の保護と半導体ウェハ自体の固定を行うために、パターン面に保護シートを貼り付けた後に、裏面に研磨、研削等の薄型加工を施すのが一般的である。このような保護シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等が塗布されてなるものが一般的に用いられている。しかし、近年、ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化により、半導体チップの厚さも５０μｍ以下のレベルが要求されてきており、従来の保護テープを用いた工程では、保護テープのみでは半導体ウェハを支えることができず、研削後における半導体ウェハの反りや、ウェハカセットへの収納時おける撓み等により、半導体ウェハの取り扱いが難しくなりハンドリングや搬送の自動化を困難にしていた。 In thin processing the back surface of the semiconductor wafer on which the wiring pattern is formed, in order to protect the pattern surface of the semiconductor wafer and fix the semiconductor wafer itself, after attaching a protective sheet on the pattern surface, polishing on the back surface, It is common to perform thin processing such as grinding. As such a protective sheet, a sheet obtained by applying an acrylic adhesive or the like on a base material made of a plastic film is generally used. However, in recent years, with the thinning and miniaturization of IC cards and mobile phones, the thickness of the semiconductor chip has been required to be 50 μm or less. In the process using the conventional protective tape, the semiconductor wafer can be formed only with the protective tape. The semiconductor wafer cannot be supported, and it is difficult to handle the semiconductor wafer due to warpage of the semiconductor wafer after grinding, bending during storage in the wafer cassette, etc., making it difficult to automate handling and conveyance.
この問題に対し、半導体ウェハにガラス基板、セラミック基板やシリコンウェハ基板等を、接着剤を介して貼り合わせ、半導体ウェハにサポート性を付与する方法が提案（特許文献１参照）されている。保護シートに代わりガラス基板、セラミック基板やシリコンウェハ基板等のサポート部材を用いることにより、半導体ウェハのハンドリング性は大きく向上し、搬送の自動化が可能となる。 In order to solve this problem, a method has been proposed in which a glass substrate, a ceramic substrate, a silicon wafer substrate, or the like is bonded to a semiconductor wafer via an adhesive to provide support to the semiconductor wafer (see Patent Document 1). By using a support member such as a glass substrate, a ceramic substrate, or a silicon wafer substrate instead of the protective sheet, the handling property of the semiconductor wafer is greatly improved, and the conveyance can be automated.
サポート部材を用いた半導体ウェハのハンドリングにおいては半導体ウェハの裏面研削の後に、半導体ウェハからサポート部材を剥離する工程が必要となる。サポート部材の剥離は（１）サポート部材と半導体ウェハとの間の接着剤を化学薬品にて溶解または分解する、（２）サポート部材と半導体ウェハとの間の接着剤にレーザー光を照射し光分解する等の方法で行われることが一般的であるが、（１）の方法では、接着剤中に化学薬品を拡散させるのに長時間の処理が必要とされ、また（２）の方法では、レーザーのスキャンに長時間の処理が必要であり、またいずれの方法も、サポート部材として特殊な基板を用意する必要があるといった問題があった。 In handling a semiconductor wafer using a support member, a process of peeling the support member from the semiconductor wafer is required after the backside grinding of the semiconductor wafer. The support member is peeled off by (1) dissolving or decomposing the adhesive between the support member and the semiconductor wafer with chemicals, and (2) irradiating the adhesive between the support member and the semiconductor wafer with laser light. Generally, it is carried out by a method such as decomposition, but in the method (1), a long treatment is required to diffuse chemicals in the adhesive, and in the method (2) The laser scanning requires a long process, and each method has a problem that a special substrate needs to be prepared as a support member.
このため、サポート部材の剥離に際し、剥離の切っ掛けを形成した後、物理的・機械的に剥離させる方法が提案（特許文献２、３参照）されている。この方法は、従来の接着剤の化学薬品による溶解または分解やレーザースキャンによる光分解で必要とされていた長時間の処理が不要となり、短時間での処理が可能となる。半導体ウェハからサポート部材を剥離した後、サポート部材の剥離の際に生じた半導体ウェハ上の接着剤の残渣は、その後、化学薬品にて洗浄される。
サポート部材から剥離された半導体ウェハは、その後、ダイシング工程に移され、個々のチップに切断されるが、上述のように、半導体チップの厚さが５０μｍ以下となると、半導体ウェハ単独では、研削後における半導体ウェハの反りや、ウェハカセットへの収納時おける撓み等により、半導体ウェハの取り扱いが非常に困難となることから、半導体ウェハの裏面研削直後にサポート部材の剥離に先んじて、半導体ウェハの研削面にダイシングテープが貼り合わされ、リングフレームに支持固定されるのが通例である。従って、サポート部材の剥離の際に生じた半導体ウェハ上の接着剤残渣の化学薬品よる洗浄はダイシングテープに半導体ウェハが貼られた状態で行われることとなり、ダイシングテープには高い耐溶剤性が求められるという問題があった。
For this reason, when the support member is peeled off, a method of physically and mechanically peeling off after forming a peeling cut has been proposed (see Patent Documents 2 and 3). This method eliminates the long-time treatment required for conventional dissolution or decomposition of adhesives with chemicals and photolysis by laser scanning, and enables processing in a short time. After the support member is peeled from the semiconductor wafer, the adhesive residue on the semiconductor wafer generated when the support member is peeled is then washed with a chemical.
The semiconductor wafer peeled off from the support member is then transferred to a dicing process and cut into individual chips. However, as described above, when the thickness of the semiconductor chip is 50 μm or less, the semiconductor wafer alone is not ground. Since the semiconductor wafer is extremely difficult to handle due to warpage of the semiconductor wafer and bending during storage in the wafer cassette, the semiconductor wafer must be ground immediately after the backside grinding of the semiconductor wafer and before the support member is peeled off. Usually, a dicing tape is bonded to the surface and supported and fixed to the ring frame. Therefore, the chemical cleaning of the adhesive residue on the semiconductor wafer that occurs when the support member is peeled off is performed with the semiconductor wafer attached to the dicing tape, and the dicing tape requires high solvent resistance. There was a problem of being.
これを解決するために、粘着剤層にエネルギー線硬化型アクリル樹脂組成物を含み、かつゲル分率を７０％以上とすることが提案（特許文献４参照）されているが、この半導体加工用テープは材料が極めて限定されることから、本来ダイシングテープに求められる特性、即ち、ダイシング時にチップ飛びを抑制し得るだけの粘着力や、ピックアップ時における易剥離性を発現することが困難となる場合がある。 In order to solve this, it has been proposed that the pressure-sensitive adhesive layer contains an energy ray-curable acrylic resin composition and the gel fraction is 70% or more (see Patent Document 4). Since the material of the tape is extremely limited, it is difficult to express the characteristics originally required for the dicing tape, that is, the adhesive strength that can suppress chip skipping at the time of dicing and the easy peelability at the time of pickup There is.
また、回路を形成したウェハ回路面にサポート部材を、接着剤を介して貼り付けた後、ウェハ裏面を研削し、次いで薄板化した基板の裏面に貫通電極を形成し、この後、ダイシングして個々の素子に小片化し、この小片化した素子の貫通電極側にダイシングテープを貼り合わせ、前記ダイシングテープを紫外線照射し、次いでサポートプレートの厚み方向に形成された多数の貫通穴に供給した溶剤をサポートプレートと基板との間の前記接着剤に接触させて該接着剤を溶かし、サポートプレートを基板から剥離する回路素子形成方法が提案（特許文献５参照）されている。 Also, after attaching a support member to the circuit surface of the wafer on which the circuit is formed via an adhesive, the back surface of the wafer is ground, then a through electrode is formed on the back surface of the thinned substrate, and then dicing is performed. Each element is divided into small pieces, a dicing tape is bonded to the through electrode side of the divided element, the dicing tape is irradiated with ultraviolet rays, and then the solvent supplied to a number of through holes formed in the thickness direction of the support plate is removed. A circuit element forming method has been proposed (see Patent Document 5) in which the adhesive between the support plate and the substrate is brought into contact with the adhesive to melt the adhesive, and the support plate is peeled off from the substrate.
しかしながら、上記の手法はダイシングテープの貼り替え等、工程が煩雑である上に、接着剤中に化学薬品を拡散させるのに長時間の処理が必要であり、前述の特許文献１での問題が解決されておらず、更に、紫外線照射によってダイシングテープの半導体ウェハに対する粘着力が低下することから、特許文献２、３のように、サポート部材を半導体ウェハから機械的に剥離する工程を経る場合、サポート部材−半導体ウェハ間ではなく、半導体ウェハ−ダイシングテープ間で剥離が発生し、サポート部材の除去ができなくなるという問題が生じる場合がある。また、仮にサポート部材が除去できたとしても、ダイシング時に粘着力が不足し、チップ飛びを引き起こすという問題があった。
However, the above-described method requires complicated processes such as dicing tape replacement, and requires a long process to diffuse chemicals in the adhesive. In addition, since the adhesive strength of the dicing tape to the semiconductor wafer is reduced by ultraviolet irradiation, as in
本発明は、上記の問題点を解決し、サポート部材を用いた半導体素子の製造工程において、粘着剤に剥離液がかかった場合においても粘着剤が溶解せず半導体素子を汚染することがなく、かつサポート部材の物理的・機械的剥離に耐える半導体ウェハのダイシング方法およびそれに用いる半導体加工用ダイシングテープ提供することを課題とする。 The present invention solves the above problems, and in the manufacturing process of a semiconductor element using a support member, even when a peeling liquid is applied to the adhesive, the adhesive does not dissolve and does not contaminate the semiconductor element. It is another object of the present invention to provide a semiconductor wafer dicing method that can withstand physical and mechanical peeling of a support member and a semiconductor processing dicing tape used therefor.
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、サポート部材を用いた半導体素子の製造方法において、であって、半導体ウェハの回路面側に接着剤を介してサポート部材を貼り合わせ、半導体ウェハの裏面を薄型加工した面に、貼り合わせるダイシングテープに紫外線硬化型粘着剤層を有するダイシングテープを使用することで、該粘着剤層の化学的、物理的特性の利用を種々検討した結果、硬化型粘着剤層の硬化前後の有機溶剤に対する溶解性の変化の利用が有効であることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。 As a result of intensive research to achieve the above object, the inventors of the present invention are a method of manufacturing a semiconductor device using a support member, wherein the support member is interposed on the circuit surface side of the semiconductor wafer via an adhesive. By using a dicing tape having a UV curable adhesive layer for the dicing tape to be bonded to the thinned surface of the semiconductor wafer, it is possible to utilize the chemical and physical properties of the adhesive layer. As a result of various studies, it has been found that it is effective to use a change in solubility in an organic solvent before and after curing of the curable pressure-sensitive adhesive layer. The present invention has been made based on this finding.
すなわち、本発明は、上記課題を下記の手段で解決した。
（１）（ａ）半導体ウェハの回路面側に、該回路面に接してプラズマポリマー分離層、該プラズマポリマー分離層上に接着剤を介してサポート部材を有する積層された構造体となるようにポリマー部材を貼り合わせる工程、
（ｂ）該半導体ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程、
（ｃ）該半導体ウェハの回路面とは反対側の裏面上に、少なくとも紫外線硬化型粘着剤層を有するダイシングテープを貼り合わせる工程、
（ｄ）該半導体ウェハを、該半導体ウェハ回路面と該プラズマポリマー分離層の間で、該接着剤層およびサポート部材から剥離する工程、
（ｅ）該半導体ウェハ上の該接着剤の残渣を、有機溶剤を用いて洗浄する工程、および、
（ｆ）該半導体ウェハを切断してチップ化する工程を含む半導体ウェハのダイシング方法であって、
前記（ｅ）の工程の前に、前記ダイシングテープにおける、前記半導体ウェハが貼着されていない領域の粘着剤層が、紫外線照射によって硬化されていることを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法。
（２）前記接着剤が、熱硬化性樹脂であることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハのダイシング方法。
（３）前記接着剤が、シリコン接着剤であることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハのダイシング方法。
（４）前記ダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層の粘着剤が、炭素−炭素二重結合を側鎖に有する（メタ）アクリル系共重合体からなる放射線硬化型粘着剤であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の半導体ウェハのダイシング方法。
（５）前記ダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層の硬化前のゲル分率が５５％以上であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の半導体ウェハのダイシング方法。
（６）前記ダイシングテープの基材樹脂フィルムが、エチレン−酢酸ビニル共重合体であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の半導体ウェハのダイシング方法。
That is, this invention solved the said subject with the following means.
(1) (a) A laminated structure having a plasma polymer separation layer in contact with the circuit surface on the circuit surface side of the semiconductor wafer and a support member on the plasma polymer separation layer via an adhesive. A process of bonding polymer members;
(B) a step of thinning the back surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit surface;
(C) bonding a dicing tape having at least an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer on the back surface opposite to the circuit surface of the semiconductor wafer;
(D) peeling the semiconductor wafer from the adhesive layer and the support member between the semiconductor wafer circuit surface and the plasma polymer separation layer;
(E) cleaning the residue of the adhesive on the semiconductor wafer with an organic solvent; and
(F) A semiconductor wafer dicing method including a step of cutting the semiconductor wafer into chips,
Prior to the step (e), a dicing method for a semiconductor wafer, wherein an adhesive layer in a region of the dicing tape where the semiconductor wafer is not adhered is cured by ultraviolet irradiation.
(2) The semiconductor wafer dicing method according to (1), wherein the adhesive is a thermosetting resin.
(3) The semiconductor wafer dicing method according to (1) or (2), wherein the adhesive is a silicon adhesive.
(4) The adhesive of the ultraviolet curable adhesive layer of the dicing tape is a radiation curable adhesive made of a (meth) acrylic copolymer having a carbon-carbon double bond in the side chain. The semiconductor wafer dicing method according to any one of (1) to (3).
(5) The dicing of a semiconductor wafer according to any one of (1) to (4), wherein a gel fraction before curing of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape is 55% or more. Method.
(6) The method for dicing a semiconductor wafer according to any one of (1) to (5), wherein the base resin film of the dicing tape is an ethylene-vinyl acetate copolymer .
本発明により、サポート部材を用いた半導体素子の製造工程において、粘着剤に剥離液がかかった場合においても粘着剤が溶解せず半導体素子を汚染することがなく、かつ、サポート部材の物理的・機械的剥離に耐える半導体ウェハのダイシング方法およびそれに用いる半導体加工用ダイシングテープ提供することができる。 According to the present invention, in the manufacturing process of a semiconductor element using a support member, even when a peeling liquid is applied to the adhesive, the adhesive does not dissolve and does not contaminate the semiconductor element. A semiconductor wafer dicing method that can withstand mechanical peeling and a semiconductor processing dicing tape used therefor can be provided.
以下、図面に基づいて、本発明に係る実施態様を詳細に説明する。
なお、以下の説明および図面において、略同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
In the following description and drawings, components having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
（第１の実施態様）
最初に、図１〜３を参照しながら、本発明に係る半導体ウェハの加工方法（ダイシング方法）の第１の実施態様について説明する。
図１は、第１の実施態様に係る半導体ウェハ１の加工方法を示す概略断面図であり、図２は、全体の工程図であり、リングフレーム８に固定された半導体ウェハ１の断面図である。
(First embodiment)
First, a first embodiment of a semiconductor wafer processing method (dicing method) according to the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a method for processing a
本発明に係る半導体ウェハ１は、回路等が形成されたパターン面（図示せず）を一方に有するシリコンウェハ等であり、回路面側に接着剤（接着剤層）２を介してサポート部材３を貼り合わせた〔図２（ａ）〕後、裏面研削（バックグラインド）工程に供される〔図２（ｂ）〕。
A
裏面研削（バックグラインド）工程終了後、半導体ウェハ１の回路面の裏面には、ダイシングテープ４の紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）５が貼合され、また、ダイシングテープ（半導体加工用ダイシングテープ）４の紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）５は、リングフレーム８の下面に貼合される〔図２（ｃ）、図３（ａ）〕。リングフレーム８は、環状の平板であり、金属製や樹脂製、特にステンレス製である。この際、ダイシングテープ４の紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）５は紫外線照射により硬化する前の状態である。
After completion of the back grinding process, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer (before curing) 5 of the dicing tape 4 is bonded to the back surface of the circuit surface of the
ダイシングテープ４を貼合した後、ダイシングテープ４における、半導体ウェハ１とリングフレーム８の間の紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）５が露出している領域を、紫外線（９）照射により硬化させて、紫外線硬化型粘着剤層（硬化後）６とする〔図２（ｄ）、図３（ｂ）〕。
After bonding the dicing tape 4, the region of the dicing tape 4 where the ultraviolet curable adhesive layer (before curing) 5 between the
サポート部材３を剥離する〔図２（ｅ）〕。サポート部材３の剥離工程と、ダイシングテープ４における、紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）５が露出している領域を紫外線照射する工程は前後しても構わないが、サポート部材３の剥離の際に有機溶剤１１を用いる場合は、紫外線（９）照射工程を先に実施する方が好ましい。
The
半導体ウェハ１の回路面上に残留した接着剤２を、有機溶剤１１を用いて洗浄・除去する〔図２（ｆ）、（ｇ）〕。
The adhesive 2 remaining on the circuit surface of the
ダイシング工程により、半導体ウェハ１を、個々の半導体チップ１２に分割する〔図２（ｈ）〕。
The
ダイシングテープ４における、半導体チップ１２（半導体ウェハ１）が貼合された領域を、紫外線９で照射することにより硬化させて、紫外線硬化型粘着剤層（硬化後）６とする〔図２（ｉ）〕。
In the dicing tape 4, a semiconductor chip 12 (semiconductor wafer 1) is pasted area, is cured by irradiation with ultraviolet rays 9, ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer and (after curing) 6 [FIG. 2 (i )]].
半導体チップ１２をピックアップニードル１３でピックアップする〔図２（ｊ）〕。
The semiconductor chip 12 is picked up by the pick-up needle 13 [FIG. 2 (j)].
（第２の実施態様）
最初に、図４および５を参照しながら、本発明に係る半導体ウェハ１の加工方法（ダイシング方法）の第２の実施態様について説明する。
(Second Embodiment)
First, referring to FIGS. 4 and 5, a second embodiment of the processing method (dicing method) of the
図４は、第２の実施態様に係るダイシングテープ（半導体加工用ダイシングテープ）１４の概略断面図であり、図５は第２の実施態様に係る全体の工程図であり、半導体ウェハ１の加工方法を示す概略断面図である。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a dicing tape (semiconductor processing dicing tape) 14 according to the second embodiment, and FIG. 5 is an overall process diagram according to the second embodiment. It is a schematic sectional drawing which shows a method.
本発明に係るダイシングテープ（半導体加工用ダイシングテープ）１４〔図４（ａ）〕は、基材フィルム（基材樹脂フィルム）７の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された半導体加工用ダイシングテープであって、該粘着剤層が放射線硬化性粘着剤層であり、前記粘着剤層における、半導体ウェハ１およびリングフレーム（ダイシングフレーム）８が貼着されない領域の粘着剤層が、予め紫外線照射によって硬化している。
A dicing tape (semiconductor processing dicing tape) 14 according to the present invention (FIG. 4A) is a dicing for semiconductor processing in which an adhesive layer is formed on at least one surface of a base film (base resin film) 7. The pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer in the region where the
放射線硬化性粘着剤層の一部が予め紫外線照射によって硬化されたダイシングテープ１４は、通常の紫外線硬化型ダイシングテープ４に紫外線９を遮光するマスク１０を介して紫外線（９）照射することで作製できる〔図４（ｂ）〜（ｄ）〕。マスク１０を介した紫外線９の照射はダイシングテープ４の基材側から行う。 The dicing tape 14 in which a part of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer has been cured in advance by ultraviolet irradiation is produced by irradiating the normal ultraviolet curable dicing tape 4 with ultraviolet rays (9) through a mask 10 that blocks the ultraviolet rays 9. Yes (FIGS. 4B to 4D). Irradiation of ultraviolet rays 9 through the mask 10 intends lines from the substrate side of the dicing tape 4.
本発明に係る半導体ウェハ１は、回路等が形成されたパターン面（図示せず）を一方に有するシリコンウェハ等であり、回路面側に接着剤２を介してサポート部材３を貼り合わせた〔図５（ａ）〕後、裏面研削（バックグラインド）工程に供される〔図５（ｂ）〕。
A
裏面研削（バックグラインド）工程終了後、半導体ウェハ１の回路面の裏面には、ダイシングテープ１４の紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）５が貼合され、また、ダイシングテープ１４の紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）５は、リングフレーム８の下面に貼合される〔図５（ｃ）〕。リングフレーム８は、環状の平板であり、金属製や樹脂製、特にステンレス製である。この際、ダイシングテープ１４の紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）５は紫外線（９）照射により硬化する前の状態、紫外線硬化型粘着剤層（硬化後）６は紫外線（９）照射により硬化した後の状態である。
After completion of the back grinding process, the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer (before curing) 5 of the dicing tape 14 is bonded to the back surface of the circuit surface of the
サポート部材３を剥離する〔図５（ｄ）〕した後、半導体ウェハ１の回路面上に残留した接着剤２を、有機溶剤１１を用いて洗浄・除去する〔図５（ｅ）、（ｆ）〕。
After the
ダイシング工程により、半導体ウェハ１を、個々の半導体チップ１２に分割する〔図５（ｇ）〕。
Through the dicing process, the
ダイシングテープ１４における、半導体チップ１２（半導体ウェハ１）が貼合された領域を、紫外線（９）照射により硬化せしめ、紫外線硬化型粘着剤層（硬化後）６とする〔図５（ｈ）〕。 The region of the dicing tape 14 to which the semiconductor chip 12 (semiconductor wafer 1) is bonded is cured by irradiation with ultraviolet rays (9) to form an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer (after curing) 6 [FIG. 5 (h)]. .
半導体チップ１２をピックアップニードル１３でピックアップする〔図５（ｉ）〕。 The semiconductor chip 12 is picked up by the pick-up needle 13 [FIG. 5 (i)].
次いで、サポート部材を説明する。
（サポート部材）
サポート部材３は、ケイ素、サファイヤ、水晶、金属（例えば、アルミニウム、銅、鋼）、種々のガラスおよびセラミックスから成る群から選択された素材から構成される。このサポート部材３の接着剤を貼り付ける面には堆積された他の素材を含むこともできる。例えば、シリコンウェハ上に窒化ケイ素を蒸着することも可能で、これにより接合特性を変えることができる。
Next, the support member will be described.
(Support material)
The
（サポート部材の貼り付け）
前記サポート部材３を貼り付けるにあたっては、半導体ウェハ１の回路形成面に後述する接着剤２の接着剤液を塗布した後、塗布した接着剤２をオーブンまたはホットプレートで乾燥させる。また、接着剤（接着剤層）２の必要な厚さを得るために、接着剤液の塗布と予備乾燥を複数回繰り返してもよい。
また、半導体ウェハ１の回路形成面に接着剤２の接着剤液を塗布するにあたっては、接着剤２の接着剤液の塗布を行う前に、特表２００９−５２８６８８号公報で示されるように、半導体ウェハ１の回路面にプラズマポリマー分離層を堆積させることで、サポート部材の剥離の際に、半導体ウェハ１の回路形成面とプラズマポリマー分離層の間で剥離せしめる場合がある。
(Paste of support member)
In attaching the
Further, in applying the adhesive liquid of the adhesive 2 to the circuit forming surface of the
また、半導体ウェハ１の回路形成面に接着剤液をスピンコータで塗布すると周縁部に一段高くなったビード部ができる場合がある。この場合には、当該接着剤液を予備乾燥する前に、ビード部を溶剤によって除去することが好ましい。
Further, when an adhesive liquid is applied to the circuit forming surface of the
（接着剤）
接着剤２としては、本発明においては市販のものを使用することができる。例えば、ＷａｆｅｒＢＯＮＤＴＭ材料（ブリューワーサイエンス社ミズーリー州ローラから販売）（スライドボンディングプロセス用のＷａｆｅｒＢＯＮＤＴＭ ＨＴ １０．１０、ケミカルボンディングプロセス用のＷａｆｅｒＢＯＮＤＴＭ ＣＲ２００）や、ＷＡＣＫＥＲ製、バーグハウゼンの材料であるＥＬＡＳＴＯＳＩＬ
ＬＲ ３０７０等が挙げられる。また、半導体素材、ガラスまたは金属に対し高い接着力を示す樹脂もしくはポリマー類も好ましく、特に好ましくは、例えば、（イ）高固形分で、反応性エポキシ類およびアクリル類のようなＵＶ硬化樹脂、（ロ）２液性エポキシまたはシリコン接着剤のような同族の熱硬化樹脂、（ハ）熱可塑性のアクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ハロゲン化ビニル（フッ素系不含）樹脂またはビニルエステルのポリマー類やコポリマー類を、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリスルホン類、ポリエーテルスルホン類またはポリウレタン類で、溶融状態または溶液塗膜として塗布し、塗工の後で焼くことにより乾燥してサポート部材と半導体ウェハを一層緻密にする、さらに、（４）環状オレフィン類、ポリオレフィンゴム類（例えばポリイソブチレン）または炭化水素をベースとした粘着付与樹脂類が挙げられる。
接着剤２としては、研磨時に水を使用するので非水溶性の高分子化合物が好ましく、また軟化点が高いことが望ましい。このような高分子化合物としては、ノボラック樹脂，エポキシ樹脂、アミド樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリスチレン、ポリビニルエーテル、ポリ酢酸ビニルおよびその変性物またはそれらの混合物を溶剤に溶解したものが挙げられる。中でもアクリル系樹脂材料は２００℃以上の耐熱性があり、発生するガスも少なく、クラックが発生し難いので好ましい。またノボラック樹脂もスカムがなく、耐熱性、発生ガス量及びクラックの発生についてはアクリル系樹脂材料に劣るが、軟化点が高く、接着後の剥離についても溶剤剥離が容易な点で好ましい。これに加えて成膜時のクラック防止に可塑剤を混合してもよい。
(adhesive)
As the adhesive 2, a commercially available product can be used in the present invention. For example, WaferBOND ™ material (sold by Brewer Sciences, Inc., Roller, Missouri) (WaferBOND ™ HT 10.10 for slide bonding process, WaferBOND ™ CR200 for chemical bonding process), ELASTOSIL, a material from WACKER, Berghausen
LR 3070 etc. are mentioned. Also preferred are resins or polymers that exhibit high adhesion to semiconductor materials, glass or metals, and particularly preferred are, for example, (a) UV curable resins such as reactive epoxies and acrylics at high solids, (B) Thermosetting resins of the same family such as two-part epoxy or silicone adhesives, (c) Thermoplastic acrylic resins, styrene resins, vinyl halide (fluorine-free) resins or vinyl ester polymers And coating the polyamide, polyimides, polysulfones, polyethersulfones or polyurethanes in a molten state or as a solution coating, and drying by baking after coating to form the support member and the semiconductor wafer. (4) Cyclic olefins and polyolefin rubbers (for example, polyisobutylene) Others include tackifying resins which is based on hydrocarbons.
The adhesive 2 is preferably a water-insoluble polymer compound since water is used during polishing, and preferably has a high softening point. As such a high molecular compound, a novolac resin, an epoxy resin, an amide resin, a silicon resin, an acrylic resin, a urethane resin, polystyrene, polyvinyl ether, polyvinyl acetate, a modified product thereof, or a mixture thereof is dissolved in a solvent. Can be mentioned. Among them, the acrylic resin material is preferable because it has a heat resistance of 200 ° C. or higher, generates less gas, and hardly generates cracks. In addition, novolak resin has no scum and is inferior to acrylic resin material in terms of heat resistance, amount of generated gas, and generation of cracks, but is preferable in terms of high softening point and easy peeling of the solvent after bonding. In addition to this, a plasticizer may be mixed to prevent cracks during film formation.
また、溶剤としては上記の樹脂を溶解でき、また均一にウェハに成膜できるものが望ましく、ケトン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等）、多価アルコール類もしくはその誘導体（例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテートあるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等）、環式エーテル類（例えば、ジオキサン）、エステル類（例えば、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等）または芳香族炭化水素類（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等）を挙げることができる。これらのなかでも、特に上記の多価アルコール類もしくはその誘導体が好ましい。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。また膜厚の均一性を向上させるためにこれらに活性剤を添加してもよい。
The solvent is preferably one that can dissolve the above resin and can be uniformly formed on a wafer, such as ketones (for example, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, methyl isoamyl ketone, 2-heptanone, etc.), polyhydric alcohols or Derivatives thereof (for example, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate or their monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether), ring Formula ethers (eg dioxane), esters (eg ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, pyruvate) Chill, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, etc.) or aromatic hydrocarbons (e.g., benzene, toluene, xylene, etc.). Among these, the above polyhydric alcohols or derivatives thereof are particularly preferable.
These may be used alone or in combination of two or more. In order to improve the uniformity of the film thickness, an activator may be added thereto.
（接着剤残渣の洗浄液）
半導体ウェハ１から接着剤２とサポート部材３を剥離した後に、半導体ウェハ１上に残存する接着剤残渣を取り除くための洗浄液としては、上記の接着剤２に使用される有機溶剤に加え、一価アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等）、ラクトン類（例えば、γ−ブチロラクトン等）、ラクタム類（例えば、γ−ブチロラクタム等）、エーテル類（例えば、ジエチルエーテルやアニソール等）、アルデヒド類（例えば、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルアセトアルデヒド等）を使用してもよい。比較的溶解速度が速いことから、メタノールが特に好ましい。
(Cleaning solution for adhesive residue)
As a cleaning liquid for removing the adhesive residue remaining on the
（半導体加工用ダイシングテープ）
半導体加工用ダイシングテープ（ダイシングテープ）４または１４としては、紫外線硬化型粘着剤を有するものであれば特に限定されるものではなく、従来公知のものを特に制限することなく使用することができるが、サポート部材３を半導体ウェハ１から剥離する際に、ダイシングテープ４が半導体ウェハ１から剥離しない程度の紫外線硬化前の粘着力が必要とされる。ダイシングテープ４の紫外線硬化前の粘着力としては、好ましくは１.０Ｎ／２５ｍｍ以上、更に好ましくは２.０Ｎ／２５ｍｍ以上が望ましい。
(Dicing tape for semiconductor processing)
The dicing tape for semiconductor processing (dicing tape) 4 or 14 is not particularly limited as long as it has an ultraviolet curable adhesive, and any conventionally known one can be used without any particular limitation. When the
（基材樹脂フィルム）
基材樹脂フィルム（基材フィルム）７を構成する材料としては、紫外線透過性を有しさえすれば、従来公知のものを特に制限することなく使用することができる。
(Base resin film)
As a material constituting the base resin film (base film) 7, any conventionally known material can be used without particular limitation as long as it has ultraviolet transparency.
例えば、基材フィルム７を構成する材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム７はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層または複層化されたものでもよい。基材フィルム７の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。 For example, the material constituting the base film 7 is polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer. Polymers, homopolymers or copolymers of ethylene-methyl acrylate copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, ionomers, etc., or mixtures thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers Polymers, thermoplastic elastomers such as polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof can be listed. The base film 7 may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer. The thickness of the base film 7 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 50 to 200 μm.
（紫外線硬化型粘着剤層）
紫外線硬化型粘着剤層は、基材フィルム７上に紫外線硬化型粘着剤を塗工して製造することができる。紫外線硬化型粘着剤層としては特に制限はなく、従来公知のものを特に制限することなく使用することができるが、ダイシングの際に、半導体チップ１２が剥離しない程度の保持性や、ピックアップの際に、紫外線硬化型粘着剤層と半導体チップ１２との間で剥離するため、剥離容易性を有する必要がある。
(UV curable adhesive layer)
The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer can be produced by applying an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive on the base film 7. The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and any conventionally known one can be used without any particular limitation. However, when dicing, the retainability to the extent that the semiconductor chip 12 does not peel off, Furthermore, since it peels between the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer and the semiconductor chip 12, it is necessary to have ease of peeling.
紫外線硬化型粘着剤層に用いる放射線硬化型樹脂組成物としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを使用することができる。例えば、放射線硬化型樹脂組成物として、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いる他、一般的な粘着剤に放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の放射線硬化樹脂を配合した放射線硬化性粘着剤を例示できる。
紫外線硬化型粘着剤層に用いる放射線硬化型樹脂組成物は特に限定されるものではないが、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸オリゴマーおよびイタコン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基等の官能基を有するオリゴマーを挙げることができる。
As the radiation curable resin composition used for the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive layer, those having a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used. For example, a radiation curable resin composition having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or in the main chain or at the end of the main chain, as well as a radiation curable monomer component or oligomer component for general adhesives A radiation curable pressure-sensitive adhesive containing a radiation curable resin such as
The radiation curable resin composition used for the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited. For example, urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate And oligomers having a functional group such as a hydroxyl group or a carboxyl group, such as (meth) acrylic acid oligomer and itaconic acid oligomer.
炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖に有する化合物を用いた放射線硬化型樹脂組成物としては、例えば、主鎖に対して、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、水酸基およびカルボキシル基を含有する基をそれぞれ有する（メタ）アクリル系共重合体を主成分とし、かつゲル分率が６０％以上であることが好ましい。さらには、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。 Examples of the radiation curable resin composition using a compound having a carbon-carbon double bond in a polymer side chain include, for example, at least a radiation curable carbon-carbon double bond-containing group, a hydroxyl group and a carboxyl group with respect to the main chain. It is preferable that the main component is a (meth) acrylic copolymer having a group containing each of which contains a gel fraction of 60% or more. Furthermore, the compound (A) having a radiation curable carbon-carbon double bond having an iodine value of 0.5 to 20 in the molecule, at least one selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins and epoxy resins It preferably contains a polymer obtained by subjecting compound (B) to an addition reaction.
紫外線硬化型粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。
化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
The compound (A) which is one of the main components of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer will be described.
A preferable introduction amount of the radiation curable carbon-carbon double bond of the compound (A) is 0.5 to 20, more preferably 0.8 to 10 in terms of iodine value. If the iodine value is 0.5 or more, an effect of reducing the adhesive strength after irradiation can be obtained. If the iodine value is 20 or less, the fluidity of the adhesive after irradiation is sufficient and after stretching. Therefore, the problem that the image recognition of each element becomes difficult at the time of pick-up can be suppressed. Furthermore, the compound (A) itself is stable and easy to manufacture.
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。Ｔｇが−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗い半導体ウェハ１におけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
The compound (A) preferably has a glass transition temperature (Tg) of −70 ° C. to 0 ° C., more preferably −66 ° C. to −28 ° C. When Tg is −70 ° C. or higher, the heat resistance against radiation accompanying radiation irradiation is sufficient, and when it is 0 ° C. or lower, the effect of preventing scattering of elements after dicing in the
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、（メタ）アクリル系共重合体等の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。 The compound (A) may be produced by any method, for example, a compound having a radiation curable carbon-carbon double bond and a functional group, such as a (meth) acrylic copolymer. A compound obtained by reacting ((1)) with a compound ((2)) having a functional group capable of reacting with the functional group is used.
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル等の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。粘着剤二重結合量については加熱乾燥された粘着剤約１０ｇに含まれる炭素−炭素二重結合量を真空中暗所における臭素付加反応による質量増加法により定量測定できる。 Among these, the compound ((1)) having the radiation curable carbon-carbon double bond and the functional group is a monomer having a radiation curable carbon-carbon double bond such as (meth) acrylic acid alkyl ester. It can be obtained by copolymerizing ((1) -1) and a monomer ((1) -2) having a functional group. About the amount of adhesive double bonds, the amount of carbon-carbon double bonds contained in about 10 g of the heat-dried adhesive can be quantitatively measured by a mass increase method by bromine addition reaction in a dark place in vacuum.
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレート等を列挙することができる。 As a monomer ((1) -1), C6-C12 hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate, or a single quantity of 5 or less carbon atoms The pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, or methacrylates similar to these can be listed.
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどＴｇは低くなるので、所望のＴｇのものを作製することができる。また、Ｔｇの他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等の炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。 As the monomer ((1) -1) is used, a monomer having a larger carbon number is used, so that the Tg becomes lower. Therefore, a monomer having a desired Tg can be produced. In addition to Tg, the addition of a low molecular compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene or acrylonitrile for the purpose of improving the compatibility and various performances of the monomer ((1) -1) It is possible within the range of 5% by mass or less of the total mass.
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等を挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を列挙することができる。 Examples of the functional group that the monomer ((1) -2) has include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group, and the monomer ((1)- Specific examples of 2) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates. N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, Phthalic anhydride, glycidyl acrylate , Glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, and those obtained by urethanizing a part of the isocyanate group of a polyisocyanate compound with a monomer having a hydroxyl group or a carboxyl group and a radiation curable carbon-carbon double bond, etc. .
化合物（２）において用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基等を挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基等を挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基等を挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基等を挙げることができる。これらの具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。 As the functional group used in the compound (2), when the functional group of the compound (1), that is, the monomer ((1) -2) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, a hydroxyl group, an epoxy In the case of a hydroxyl group, a cyclic acid anhydride group and an isocyanate group can be mentioned. In the case of an amino group, an epoxy group and an isocyanate group can be mentioned. In the case of an epoxy group, examples thereof include a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, and an amino group. Specific examples thereof include those similar to those listed in the specific examples of the monomer ((1) -2).
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価等の特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。 By leaving an unreacted functional group in the reaction between the compound (1) and the compound (2), it is possible to produce what is defined in the present invention with respect to characteristics such as acid value or hydroxyl value.
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン等の、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましい。
また、重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合等別の方法でも差し支えない。
In the synthesis of the above compound (A), as the organic solvent when the reaction is carried out by solution polymerization, ketone, ester, alcohol, and aromatic solvents can be used, among which toluene, ethyl acetate In general, a good solvent for an acrylic polymer such as isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, and a solvent having a boiling point of 60 to 120 ° C. is preferable.
As the polymerization initiator, a radical generator such as an azobis type such as α, α′-azobisisobutylnitrile or an organic peroxide type such as benzoyl peroxide is usually used. At this time, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used together as necessary, and the compound (A) having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. This reaction is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、化合物（Ａ）の質量平均分子量は、３０万〜１２０万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、半導体ウェハ１をダイシングする時に、チップのずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。このチップのずれを、極力防止するためには、質量平均分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、質量平均分子量が１２０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における質量平均分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
The compound (A) can be obtained as described above, but the mass average molecular weight of the compound (A) is preferably about 300,000 to 1,200,000. If it is less than 300,000, the cohesive force due to radiation irradiation becomes small, and when the
なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となる水酸基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるカルボキシル基を有することが好ましい。 In addition, it is preferable that the compound (A) has a hydroxyl group having a hydroxyl value of 5 to 100 because the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after radiation irradiation. Moreover, it is preferable that a compound (A) has a carboxyl group used as acid value 0.5-30.
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。 Here, if the hydroxyl value of the compound (A) is too low, the effect of reducing the adhesive strength after irradiation is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the adhesive after irradiation tends to be impaired. If the acid value is too low, the effect of improving the tape restoring property is not sufficient, and if it is too high, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive tends to be impaired.
次に、紫外線硬化型粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。
化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独または２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルム７と反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
Next, the compound (B) which is another main component of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer will be described.
The compound (B) is a compound selected from polyisocyanates, melamine / formaldehyde resins, and epoxy resins, and can be used alone or in combination of two or more. This compound (B) acts as a cross-linking agent, and the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive mainly composed of the compounds (A) and (B) is reduced by the cross-linked structure resulting from the reaction with the compound (A) or the base film 7. It can be improved after applying the agent.
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）等を用いることができる。 The polyisocyanates are not particularly limited, and examples thereof include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ′-[2,2-bis (4 -Phenoxyphenyl) propane] aromatic isocyanate such as diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 2,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate Lysine diisocyanate, lysine triisocyanate and the like. Specifically, Coronate L (made by Nippon Polyurethane Co., Ltd., trade name) or the like can be used.
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製、商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製、商品名）等を用いることができる。さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製、商品名）等を用いることができる。 Specific examples of the melamine / formaldehyde resin include Nicalac MX-45 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), Melan (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and the like. Furthermore, as an epoxy resin, TETRAD-X (Mitsubishi Chemical Corporation make, brand name) etc. can be used.
化合物（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．４〜７質量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することはないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。 The addition amount of the compound (B) needs to be selected so as to be a ratio of 0.1 to 10 parts by mass, preferably 0.4 to 7 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the compound (A). . By selecting within this range, it is possible to obtain an appropriate cohesive force, and the crosslinking reaction does not proceed abruptly, so that workability such as blending and application of the adhesive is improved.
また、紫外線硬化型粘着剤層には、光重合開始剤が含まれていることが好ましい。光重合開始剤としては特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。光重合開始剤の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。 Moreover, it is preferable that the ultraviolet curing adhesive layer contains a photopolymerization initiator. There is no restriction | limiting in particular as a photoinitiator, A conventionally well-known thing can be used. For example, benzophenones such as benzophenone, 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone and 4,4′-dichlorobenzophenone, acetophenones such as acetophenone and diethoxyacetophenone, 2-ethylanthraquinone, t- Examples include anthraquinones such as butylanthraquinone, 2-chlorothioxanthone, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl, 2,4,5-triallylimidazole dimer (rophine dimer), and acridine compounds. These can be used alone or in combination of two or more. As addition amount of a photoinitiator, it is preferable to set it as 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of compounds (A), and it is more preferable to set it as 0.5-5 mass parts.
さらに、放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。紫外線硬化型粘着剤層の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。なお、紫外線硬化型粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。 Furthermore, a tackifier, a tackifier, a surfactant, or other modifiers can be blended with the radiation curable pressure sensitive adhesive, if necessary. Moreover, you may add an inorganic compound filler suitably. The thickness of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer is preferably at least 5 μm, more preferably 10 μm or more. The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer may have a structure in which a plurality of layers are laminated.
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Next, the present invention will be described in more detail based on examples. EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
＜基本ダイシングテープの作成＞
以下のようにして、基本とするダイシングテープＣ１〜Ｃ４を作製した。
<Creation of basic dicing tape>
Basic dicing tapes C1 to C4 were produced as follows.
（ダイシングテープＣ１の作製）
モノマー成分として、メタクリル酸メチル、アクリル酸２−エチルヘキシルと２−ヒドロキシエチルアクリレートを質量比５：１４：１の割合で、酢酸エチル中で共重合させて、主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ１）を含む溶液を得た。続いて、前記、アクリル重合体Ａ１ １００質量部に対して、紫外線硬化性化合物としてペンタエリスリトールトリアクリレートおよびジイソシアネートを反応させて得た紫外線硬化性オリゴマー５０質量部、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２.５質量部およびポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）１.０質量部をそれぞれ加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｂ１を得た。この樹脂組成物を厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）上に乾燥膜厚が２０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥して粘着剤層を形成した後に、１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに張り合わせることで転写し、ダイシングテープＣ１を作製した。
上記のようにして作製されたダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層のゲル分率は８２％であった。
(Production of dicing tape C1)
As a monomer component, methyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized in a mass ratio of 5: 14: 1 in ethyl acetate, and a hydroxyl group was bonded to the main chain. A solution containing the acrylic polymer (A1) was obtained. Subsequently, 100 parts by mass of the acrylic polymer A1 was reacted with 50 parts by mass of an ultraviolet curable oligomer obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate as an ultraviolet curable compound, and trade name “Irgacure” as a photopolymerization initiator. 651 ”(manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and 1.0 part by mass of a polyisocyanate compound (trade name“ Coronate L ”manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) are added, respectively, and UV curable acrylic An adhesive solution B1 was obtained. This resin composition was applied onto a 38 μm thick polyethylene terephthalate film (PET film) so as to have a dry film thickness of 20 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes to form an adhesive layer, and then 100 μm ethylene- The dicing tape C1 was produced by transferring it by pasting it onto a vinyl acetate copolymer film.
The gel fraction of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape produced as described above was 82%.
（ダイシングテープＣ２の作製）
モノマー成分として、アクリル酸ブチルと２−ヒドロキシエチルアクリレートを質量比８：２の割合で、酢酸エチル中で共重合させて、主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ２）を含む溶液を得た。続いて、前記アクリル重合体Ａ２ １００質量部に対して、紫外線硬化性化合物としてペンタエリスリトールトリアクリレートおよびジイソシアネートを反応させて得た紫外線硬化性オリゴマー１００質量部、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２.５質量部およびポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）０.５質量部をそれぞれ加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｂ２を得た。この樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥して粘着剤層を形成した後に、１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに張り合わせることで転写し、ダイシングテープＣ２を作製した。
上記のようにして作製されたダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層のゲル分率は７４％であった。
(Production of dicing tape C2)
As a monomer component, an acrylic polymer (A2) in which butyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate are copolymerized in ethyl acetate at a mass ratio of 8: 2 and a hydroxyl group is bonded to the main chain is included. A solution was obtained. Subsequently, 100 parts by mass of UV curable oligomer obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate as an ultraviolet curable compound with 100 parts by mass of the acrylic polymer A2, and trade name “Irgacure 651” as a photopolymerization initiator. "2.5 parts by mass (Ciba Specialty Chemicals) and 0.5 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name" Coronate L ", manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) are added to each, and UV curable acrylic adhesive Agent solution B2 was obtained. This resin composition was applied onto a 38 μm thick PET film so as to have a dry film thickness of 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes to form an adhesive layer, and then a 100 μm ethylene-vinyl acetate copolymer. The dicing tape C2 was produced by transferring it by pasting it onto a film.
The gel fraction of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape produced as described above was 74%.
（ダイシングテープＣ３の作製）
モノマー成分として、アクリル酸ブチルと２−ヒドロキシエチルアクリレートを質量比８：２の割合で、酢酸エチル中で共重合させて、主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ２）を含む溶液を得た。
次に、前記アクリル共重合体（Ａ２）を含む溶液に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、触媒としてジラウリン酸ジブチルスズを加えて、５０℃で２４時間反応させて、側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル重合体（Ａ３）を含む溶液を得た。
(Production of dicing tape C3)
As a monomer component, an acrylic polymer (A2) in which butyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate are copolymerized in ethyl acetate at a mass ratio of 8: 2 and a hydroxyl group is bonded to the main chain is included. A solution was obtained.
Next, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and dibutyltin dilaurate as a catalyst are added to the solution containing the acrylic copolymer (A2) and reacted at 50 ° C. for 24 hours. A solution containing an acrylic polymer (A3) having a heavy bond was obtained.
続いて、上記の側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを含む溶液Ａ３ １００質量部に対して、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）２.５質量部およびポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業社製）０.５質量部をそれぞれ加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｂ３を得た。この樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥して粘着剤層を形成した後に、１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに張り合わせることで転写し、ダイシングテープＣ３を作製した。
上記のようにして作製されたダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層のゲル分率は６８％であった。
Subsequently, for 100 parts by mass of the solution A3 containing an acrylic polymer having a carbon-carbon double bond at the end of the side chain, the trade name “Irgacure 651” (Ciba Specialty Chemicals) was used as a photopolymerization initiator. 2.5 parts by mass) and 0.5 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L” manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) were added to obtain an ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive solution B3. This resin composition was applied onto a 38 μm thick PET film so as to have a dry film thickness of 10 μm, dried at 110 ° C. for 3 minutes to form an adhesive layer, and then a 100 μm ethylene-vinyl acetate copolymer. The dicing tape C3 was produced by transferring by pasting to a film.
The gel fraction of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape produced as described above was 68%.
（ダイシングテープＣ４の作製）
アクリル重合体Ａ３ １００質量部に対して、紫外線硬化性化合物としてペンタエリスリトールトリアクリレートおよびジイソシアネートを反応させて得た紫外線硬化性オリゴマー２５質量部を加えた以外は、ダイシングテープＣ３と同様にして、ダイシングテープＣ４を作製した。
上記のようにして作製されたダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層のゲル分率は５５％であった。
(Production of dicing tape C4)
Dicing is performed in the same manner as in the dicing tape C3 except that 25 parts by mass of an ultraviolet curable oligomer obtained by reacting pentaerythritol triacrylate and diisocyanate as an ultraviolet curable compound is added to 100 parts by mass of the acrylic polymer A3. Tape C4 was produced.
The gel fraction of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape produced as described above was 55%.
ここで、各ダイシングテープのゲル分率については、以下の方法により評価した。 Here, the gel fraction of each dicing tape was evaluated by the following method.
「ゲル分率」
５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさにカットした半導体加工用ダイシングテープから、セパレータを除去し、その質量Ａを秤量した。次にこの秤量した半導体加工用ダイシングテープのサンプルを１００ｇのメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）中に浸漬した状態で４８時間放置した後、５０℃の恒温層で乾燥し、その質量Ｂを秤量した。更に１００ｇの酢酸エチルを用いてサンプルの粘着剤層を拭き取り除去した後、サンプルの質量Ｃを秤量し、下記式（１）によりゲル分率を算出した。
"Gel fraction"
The separator was removed from the semiconductor processing dicing tape cut to a size of 50 mm × 50 mm, and its mass A was weighed. Next, this weighed sample of the dicing tape for semiconductor processing was left for 48 hours in a state immersed in 100 g of methyl isobutyl ketone (MIBK), and then dried in a constant temperature layer at 50 ° C., and its mass B was weighed. Further, the pressure-sensitive adhesive layer of the sample was wiped off using 100 g of ethyl acetate, and then the mass C of the sample was weighed, and the gel fraction was calculated by the following formula (1).
ゲル分率（％）＝（Ｂ−Ｃ）／（Ａ−Ｃ） （１） Gel fraction (%) = (BC) / (AC) (1)
（実施例１）
各々のダイシングテープ（Ｃ１〜Ｃ４）について、ダイシングテープからＰＥＴフィルムを剥離し、ダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層を半導体ウェハとリングフレームに貼り合せた後、窒素雰囲気下において、半導体ウェハ側から紫外線照射を施すことにより、予め前記半導体ウェハが貼着されていない領域の粘着剤層を硬化させることで評価サンプルを作製した。
(Example 1)
For each dicing tape (C1 to C4), after peeling the PET film from the dicing tape and pasting the UV curable adhesive layer of the dicing tape to the semiconductor wafer and the ring frame, in a nitrogen atmosphere, from the semiconductor wafer side An evaluation sample was prepared by curing the pressure-sensitive adhesive layer in a region where the semiconductor wafer was not attached in advance by applying ultraviolet irradiation.
（実施例２）
各々のダイシングテープ（Ｃ１〜Ｃ４）について、ダイシングテープからＰＥＴフィルムを剥離し、ダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層を半導体ウェハとリングフレームに貼り合せた後、窒素雰囲気下において、ダイシングテープ側から、ウェハ貼着領域に紫外線が当たらないようマスクを介して紫外線照射を施すことにより、予め前記半導体ウェハが貼着されていない領域の粘着剤層を硬化させることで評価サンプルを作製した。
(Example 2)
For each dicing tape (C1 to C4), after peeling the PET film from the dicing tape and pasting the UV curable adhesive layer of the dicing tape to the semiconductor wafer and the ring frame, in a nitrogen atmosphere, from the dicing tape side An evaluation sample was prepared by curing the pressure-sensitive adhesive layer in a region where the semiconductor wafer was not bonded in advance by irradiating the wafer bonding region with ultraviolet rays through a mask so as not to be exposed to ultraviolet rays.
（実施例３）
各々のダイシングテープ（Ｃ１〜Ｃ４）について、ダイシングテープからＰＥＴフィルムを剥離する前に、ダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層における半導体ウェハが貼着される領域とリングフレームが貼着される領域に紫外線が当たらないようマスクを介して紫外線照射を施すことにより、半導体ウェハが貼着されていない領域の粘着剤層を予め硬化した半導体加工用ダイシングテープ（Ｃ１Ｃ〜Ｃ４Ｃ）を作製した。これらの半導体加工用ダイシングテープの紫外線照射による硬化がなされていない領域の粘着剤層に半導体ウェハとリングフレームを貼り合せることで、評価サンプルを作製した。
(Example 3)
About each dicing tape (C1-C4), before peeling a PET film from a dicing tape, in the area | region where the semiconductor wafer in the ultraviolet curing adhesive layer of a dicing tape is stuck, and the area | region where a ring frame is stuck. Dicing tapes for semiconductor processing (C1C to C4C) were prepared by preliminarily curing the pressure-sensitive adhesive layer in the region where the semiconductor wafer was not adhered by irradiating with ultraviolet rays through a mask so that no ultraviolet rays were applied. An evaluation sample was produced by bonding a semiconductor wafer and a ring frame to an adhesive layer in a region where these semiconductor processing dicing tapes were not cured by ultraviolet irradiation.
（比較例１）
各々のダイシングテープ（Ｃ１〜Ｃ４）について、ダイシングテープからＰＥＴフィルムを剥離し、ダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層を半導体ウェハとリングフレームに貼り合せることで、評価サンプルを作製した。
(Comparative Example 1)
About each dicing tape (C1-C4), the PET film was peeled from the dicing tape, and the evaluation sample was produced by bonding the ultraviolet curable adhesive layer of a dicing tape on a semiconductor wafer and a ring frame.
（比較例２）
各々のダイシングテープ（Ｃ１〜Ｃ４）について、ダイシングテープからＰＥＴフィルムを剥離し、ダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層を半導体ウェハとリングフレームに貼り合せた後、窒素雰囲気下において、ダイシングテープ側から紫外線照射を施すことにより、評価サンプルを作製した。
(Comparative Example 2)
For each dicing tape (C1 to C4), after peeling the PET film from the dicing tape and pasting the UV curable adhesive layer of the dicing tape to the semiconductor wafer and the ring frame, in a nitrogen atmosphere, from the dicing tape side An evaluation sample was prepared by performing ultraviolet irradiation.
（比較例３）
各々のダイシングテープ（Ｃ１〜Ｃ４）について、ダイシングテープからＰＥＴフィルムを剥離する前に、ダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層全面に紫外線照射を施すことにより、紫外線硬化型粘着剤層を予め硬化した半導体加工用ダイシングテープ（Ｃ１Ｅ〜Ｃ４Ｅ）を作製した。
これらの半導体加工用ダイシングテープからＰＥＴフィルムを剥離し、半導体加工用ダイシングテープの紫外線硬化された粘着剤層を半導体ウェハとリングフレームに貼り合せようと試みたが、紫外線硬化により粘着剤層が粘着力を消失したため、貼り合せができなかった。
(Comparative Example 3)
About each dicing tape (C1-C4), before peeling a PET film from a dicing tape, the ultraviolet curing adhesive layer was previously hardened by irradiating the ultraviolet curing adhesive layer whole surface of a dicing tape with ultraviolet irradiation. Dicing tapes for semiconductor processing (C1E to C4E) were produced.
Attempts were made to peel the PET film from these semiconductor processing dicing tapes and attach the UV-cured adhesive layer of the semiconductor processing dicing tape to the semiconductor wafer and the ring frame. Since the power was lost, the bonding was not possible.
試験例
実施例１〜３および比較例１〜３の各サンプルについて耐溶剤、サポート部材剥離性の評価試験を以下のように行った。
得られた結果をまとめて下記表１および２に示す。
Test Example For each sample of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, an evaluation test of solvent resistance and support member peelability was performed as follows.
The obtained results are summarized in Tables 1 and 2 below.
「耐溶剤性」
実施例、比較例で調整した評価サンプルの半導体ウェハ側から有機溶剤としてメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）を吹きつけながら、２０ｒｐｍで回転させスピン洗浄を施した。洗浄・乾燥終了後に半導体加工用ダイシングテープの半導体ウェハが貼られていない領域の粘着剤層を観察し、粘着剤の溶解または膨潤が見られなかったものを○とし合格と判定、粘着剤の溶解または膨潤が見られたものを×とし不合格とした。
"Solvent resistance"
Spin cleaning was performed by rotating at 20 rpm while blowing methyl isobutyl ketone (MIBK) as an organic solvent from the semiconductor wafer side of the evaluation samples prepared in Examples and Comparative Examples. After cleaning / drying, observe the adhesive layer in the area where the semiconductor wafer of the dicing tape for semiconductor processing is not pasted. If the adhesive is not dissolved or swollen, it is judged as OK and the adhesive is dissolved. Or the thing by which swelling was seen was set as x and it was set as the failure.
「サポート部材剥離性」
米国特許出願公開第２０１１／０２７２０９２号明細書に開示される方法を用いることにより、厚さ約７００μｍの６ｉｎｃｈシリコンウェハ上に、プラズマポリマー分離層、シリコーンゴム接着剤層、サポート部材として厚さ２.５ｍｍのガラス板が、順に積層された構造体を得た。
"Support member peelability"
By using the method disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2011/0272092, a plasma polymer separation layer, a silicone rubber adhesive layer, and a support member having a thickness of 2. on a 6 inch silicon wafer having a thickness of about 700 μm. A structure in which 5 mm glass plates were sequentially laminated was obtained.
実施例、比較例における半導体ウェハの代わりに、上記のようにして得られた構造体のウェハ背面（プラズマポリマー分離層等が積層されていない面）にダイシングテープを貼り合せ、リングフレーム上に固定した後、Ｓｕｓｓ社製Ｄｅ-Ｂｏｎｄｅｒ ＤＢ１２Ｔに供することにより、サポート部材の剥離性を評価した。
サポート部材のプラズマポリマー分離層とウェハ表面の間で剥離したものを○とし合格と判定、サポート部材のプラズマポリマー分離層とウェハ表面の間で剥離せず、ウェハ背面とダイシングテープの間で剥離したものを×とし不合格とした。また、構造体１のウェハ背面（プラズマポリマー分離層等が積層されていない面）にダイシングテープを貼付けることができなかったものも、同様に×として不合格とした。
Instead of the semiconductor wafers in the examples and comparative examples, a dicing tape is bonded to the wafer back surface (the surface on which the plasma polymer separation layer or the like is not laminated) of the structure obtained as described above and fixed on the ring frame. Then, the peelability of the support member was evaluated by subjecting it to Dess Bonder DB12T manufactured by Suss.
It was determined that the product peeled between the plasma polymer separation layer of the support member and the wafer surface was ○, and it was judged to be acceptable, and it was not peeled between the plasma polymer separation layer of the support member and the wafer surface, but was peeled between the wafer back and the dicing tape. The thing was set as x and it was made disqualified. Moreover, the thing which was not able to affix a dicing tape on the wafer back surface (surface on which the plasma polymer separation layer etc. are not laminated | stacked) of the
上記表１、２から、実施例１〜３ではダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層の紫外線硬化前のゲル分率に因らず、全てのダイシングテープで耐溶剤性、サポート部材剥離性共に合格であり、良好な結果であった。一方、比較例１ではダイシングテープの紫外線硬化型粘着剤層の紫外線硬化前のゲル分率が低い場合、耐溶剤性が不合格となり、ダイシングテープの構成に因って評価結果が左右されるという結果であり、汎用性に乏しい。また、比較例２、３では、紫外線硬化により耐溶剤性は合格であるものの、サポート部材の剥離ができない、もしくはダイシングテープの貼り付け自体ができないという結果であり、半導体製造工程としては不適当であることがわかる。 From Tables 1 and 2 above, in Examples 1 to 3, all dicing tapes passed both solvent resistance and support member peelability regardless of the gel fraction before UV curing of the UV curable adhesive layer of the dicing tape. It was a good result. On the other hand, in Comparative Example 1, when the gel fraction before UV curing of the UV curable adhesive layer of the dicing tape is low, the solvent resistance is rejected, and the evaluation result depends on the configuration of the dicing tape. It is a result and lacks versatility. In Comparative Examples 2 and 3, although the solvent resistance is acceptable due to UV curing, the support member cannot be peeled off or the dicing tape cannot be attached itself, which is inappropriate as a semiconductor manufacturing process. I know that there is.
１ 半導体ウェハ
２ 接着剤
３ サポート部材
４ ダイシングテープ
５ 紫外線硬化型粘着剤層（硬化前）
６ 紫外線硬化型粘着剤層（硬化後）
７ 基材フィルム
８ リングフレーム
９ 紫外線
１０ マスク
１１ 有機溶剤
１２ 半導体チップ
１３ ピックアップニードル
１４ ダイシングテープ
１５ セパレータ
DESCRIPTION OF
6 UV curable adhesive layer (after curing)
7 Base film 8 Ring frame 9 UV 10
Claims (6)
（ｂ）該半導体ウェハの回路面とは反対側の裏面を薄型加工する工程、
（ｃ）該半導体ウェハの回路面とは反対側の裏面上に、少なくとも紫外線硬化型粘着剤層を有するダイシングテープを貼り合わせる工程、
（ｄ）該半導体ウェハを、該半導体ウェハ回路面と該プラズマポリマー分離層の間で、該接着剤層およびサポート部材から剥離する工程、
（ｅ）該半導体ウェハ上の該接着剤の残渣を、有機溶剤を用いて洗浄する工程、および、
（ｆ）該半導体ウェハを切断してチップ化する工程を含む半導体ウェハのダイシング方法であって、
前記（ｅ）の工程の前に、前記ダイシングテープにおける、前記半導体ウェハが貼着されていない領域の粘着剤層が、紫外線照射によって硬化されていることを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法。 (A) A polymer member is disposed on the circuit surface side of a semiconductor wafer so as to form a laminated structure having a plasma polymer separation layer in contact with the circuit surface and a support member on the plasma polymer separation layer via an adhesive. The bonding process,
(B) a step of thinning the back surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit surface;
(C) bonding a dicing tape having at least an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer on the back surface opposite to the circuit surface of the semiconductor wafer;
(D) peeling the semiconductor wafer from the adhesive layer and the support member between the semiconductor wafer circuit surface and the plasma polymer separation layer;
(E) cleaning the residue of the adhesive on the semiconductor wafer with an organic solvent; and
(F) A semiconductor wafer dicing method including a step of cutting the semiconductor wafer into chips,
Prior to the step (e), a dicing method for a semiconductor wafer, wherein an adhesive layer in a region of the dicing tape where the semiconductor wafer is not adhered is cured by ultraviolet irradiation.
6. The semiconductor wafer dicing method according to claim 1, wherein the base resin film of the dicing tape is an ethylene-vinyl acetate copolymer.
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