JP2011222485A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】カソード配線１２０を表面上に含む基板１０と、基板上に形成され、カソード配線１２０と電気的に絶縁されたアノード電極１３０と、アノード電極上に形成され、複数の単位画素を形成する有機物質層１４０と、有機物質層を覆うカソード電極１６０と、カソード配線とカソード電極とを電気的に連結する少なくとも一つの電気的連結部１５０と、を備える有機発光表示装置である。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、カソード電極の電圧降下を防止できる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。

ディスプレイ装置のうち、有機発光表示装置は、視野角が広く、コントラストが優秀であるだけでなく、応答速度が速いという長所を有していて、次世代ディスプレイ装置として注目されている。有機発光表示装置は、アノード電極とカソード電極との間に有機物からなる発光層を有する表示装置である。このような有機発光表示装置は、光の透過方向によって、背面発光方式と前面発光方式とに区分される。背面発光方式に比べて、前面発光方式は、高い開口率を有しうる。しかし、前面発光方式において、光がカソード電極を透過して伝えられるので、前記カソード電極は、導電物質であると同時に、透過性を有さなければならない。したがって、カソード電極で電圧降下（すなわち、ＩＲ ｄｒｏｐ）現象が生じる虞があり、特に、有機発光表示装置のサイズが増大するにつれて、前記現象が顕著になる虞がある。

下記特許文献１には、配線負荷に起因する輝度むらの発生を抑える技術が開示されている。

特開２００５−６２４６４号公報

本発明が解決しようとする課題は、カソード電極における電圧降下を防止できる有機発光表示装置を提供することである。

また、本発明が解決しようとする他の課題は、カソード電極における電圧降下を防止できる有機発光表示装置の製造方法を提供することである。

前記課題を達成するための本発明による有機発光表示装置は、カソード配線を表面上に含む基板と、前記基板上に形成され、前記カソード配線と電気的に絶縁されたアノード電極と、前記アノード電極上に形成され、複数の単位画素を形成する有機物質層と、前記有機物質層を覆うカソード電極と、前記カソード配線と前記カソード電極とを電気的に連結する少なくとも一つの電気的連結部と、を備える。

前記電気的連結部は、前記有機物質層を貫通できる。また、前記有機物質層は、有機発光層を備え、前記電気的連結部は、前記有機発光層と電気的に絶縁されうる。

前記電気的連結部は、前記カソード電極の電圧降下が発生する領域に電気的に連結されるように位置しうる。また、前記電気的連結部は、前記カソード電極の中央部と電気的に連結されるように位置しうる。また、前記電気的連結部は、前記複数の単位画素の間の領域に位置しうる。また、前記電気的連結部は、前記複数の単位画素のそれぞれに対応して位置しうる。また、前記電気的連結部は、前記複数の単位画素のそれぞれの一側面に沿って延びうる。また、前記電気的連結部は、前記複数の単位画素のそれぞれの外面を取り囲める。

前記電気的連結部は、前記カソード電極と同じ物質を含みうる。前記電気的連結部は、前記カソード電極と異なる物質を含みうる。

前記カソード電極は、透明電極でありうる。

前記有機物質層は、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、及び電子注入層が積層された層でありうる。

前記基板は、駆動配線をさらに含み、前記カソード配線と前記駆動配線とは、同一平面上に形成されうる。

前記他の課題を達成するための本発明による有機発光表示装置の製造方法は、カソード配線を表面上に含む基板を設ける工程と、前記基板上に前記カソード配線と電気的に絶縁されたアノード電極を形成する工程と、前記アノード電極上に有機物質層を形成する工程と、前記有機物質層を貫通し、前記カソード配線を露出する開口部を形成する工程と、導電物を利用して前記開口部を充填し、前記カソード配線と電気的に連結される電気的連結部を形成する工程と、前記有機物質層を覆い、前記電気的連結部と電気的に連結されるカソード電極を形成する工程と、を含む。

前記開口部を形成する工程は、前記開口部に相応するサイズの突出部が形成されたマスクを準備する工程と、前記突出部を前記有機物質層に圧着して前記開口部を形成する工程と、をさらに含みうる。

前記開口部を形成する工程は、前記有機物質層にレーザを照射し、前記有機物質層を除去する工程をさらに含みうる。

前記電気的連結部を形成する工程と前記カソード電極を形成する工程とは、同時に行われうる。

前記他の課題を達成するための本発明による有機発光表示装置の製造方法は、カソード配線を表面上に含む基板を設ける工程と、前記基板上に前記カソード配線と電気的に絶縁されたアノード電極を形成する工程と、前記アノード電極上に有機物質層を形成する工程と、前記有機物質層を覆うカソード電極を形成する工程と、前記カソード電極及び前記有機物質層を貫通し、前記カソード配線を露出する開口部を形成する工程と、導電物を利用して前記開口部を充填し、前記カソード配線と前記カソード電極とを電気的に連結する電気的連結部を形成する工程と、を含む。

前記開口部を形成する工程は、前記カソード電極上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンを利用して前記カソード電極及び前記有機物質層をエッチングする工程と、前記カソード電極及び前記有機物質層を貫通し、前記カソード配線を露出する開口部を形成する工程と、をさらに含みうる。

本発明の有機発光表示装置は、基板内にカソード配線を形成し、これをカソード電極と電気的に連結することによって、カソード電極の外側部に電圧を印加すると同時に、内側部に電圧を印加できるので、これにより、カソード電極の電圧降下を防止できる。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。 図１のＩＩ領域の拡大断面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の上面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の上面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の上面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の上面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順次に示す断面図である。 図４Ａに後続する断面図である。 図４Ｂに後続する断面図である。 図４Ｃに後続する断面図である。 図４Ｄに後続する断面図である。 図４Ｃに後続する断面図である。 図５Ａに後続する断面図である。 図５Ｂに後続する断面図である。 図２の電気的連結部の形成方法を概略的に示す図である。 図２の電気的連結部の形成方法を概略的に示す図である。 図２の電気的連結部の形成方法を概略的に示す図である。

以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。本発明の実施形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものであり、下記の実施形態は、多様な異なる形態に変形でき、本発明の範囲が下記の実施形態に限定されるものではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示をさらに充実させて完全にし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供される。また、図面で、各層の厚さやサイズは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたものである。

図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１を示す断面図である。図２は、図１のＩＩ領域の拡大断面図である。

図１を参照すれば、有機発光表示装置１は、基板１０、基板１０上に形成された表示部２０、及び表示部２０を封止する封止部３０を備える。図示していないが、有機発光表示装置１は、カラーフィルタ層及びブラックマトリックスをさらに備えうる。

図２を参照すれば、図１の有機発光表示装置１のＩＩ領域、すなわち、基板１０と表示部２０とが拡大されて示されている。基板１０は、カソード配線１２０を表面上に備える。表示部２０は、アノード電極１３０、有機物質層１４０、及びカソード電極１６０を備える。また、表示部２０は、カソード配線１２０とカソード電極１６０とを電気的に連結する電気的連結部１５０を備える。

基板１０は、透明または不透明な物質で構成されうる。例えば、画像が基板１０に向かう方向に具現される背面発光型または両面発光型の有機発光表示装置である場合には、基板１０は、透明な物質で構成されなければならない。しかし、画像が基板１０に対向する方向に具現される前面発光型の有機発光表示装置である場合には、基板１０は、不透明な物質で構成されうる。基板１０は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）を含む透明なガラス物質または透明なプラスチック物質で形成されることもできる。例えば、基板１０は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリーレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなるグループから選択される有機物のようなプラスチック物質を含みうる。また、基板１０は、金属物質で形成されうる。例えば、基板１０は、炭素（Ｃ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ステンレススチール、インバー（Ｉｎｖａｒ）合金、インコネル（Ｉｎｃｏｎｅｌ）合金及びコバール（Ｋｏｖａｒ）合金からなる群から選択された一つ以上を含みうる。また、基板１０は、金属ホイールで形成されうる。前記のような基板１０を形成する物質は、例示であり、本発明は、これらに限定されるものではない。

図示していないが、基板１０は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）及び複数のキャパシタを備えうる。前記ＴＦＴは、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、半導体活性層、及びゲート絶縁膜を備えうる。前記ＴＦＴ及び前記キャパシタは、表示部２０と電気的に連結されて表示部２０の発光を制御できる。通常、表示部２０に形成されたアノード電極は、前記ＴＦＴのドレイン電極（図示せず）と電気的に連結される。

基板１０は、表面上にカソード配線１２０を含んでもよく、また、選択的に駆動配線１２２を含んでもよい。カソード配線１２０は、アノード電極１３０とは電気的に絶縁され、カソード電極１６０に電気的に連結され、カソード電極１６０に電圧を印加する機能を有する。駆動配線１２２は、前記ＴＦＴに電気的に連結された一般的な駆動電圧源Ｖｄｄでありうる。カソード配線１２０と駆動配線１２２とは、同じ工程で、同じ平面に、また、同じ物質で形成されうる。また、カソード配線１２０は、後続工程で形成される単位画素が形成されていない領域内に形成されうる。しかし、これは、例示であり、本発明は、これに限定されるものではない。カソード配線１２０は、透明または不透明でありうる。

また、基板１０は、その上に保護層１１０を選択的にさらに備えうる。前記保護層１１０は、前記ＴＦＴを保護し、基板１０を平坦化し、不純物元素が基板１０内に浸透することを防止できる。保護層１１０は、化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法、プラズマ強化化学気相蒸着（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ：ＰＥＣＶＤ）法、常圧ＣＶＤ（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ：ＡＰＣＶＤ）法、低圧ＣＶＤ（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ：ＬＰＣＶＤ）法のような多様な方法によって形成されうる。保護層１１０は、無機物及び／または有機物を使用して形成できる。前記無機物は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、ＢＳＴ、ＰＺＴを含みうる。前記有機物は、一般汎用高分子（ＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ＰＳ（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ））、フェノールグループを有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらの組合せを含みうる。また、保護層１１０は、前記無機物を含む無機絶縁膜と、前記有機物を含む有機絶縁膜との複合積層体でも形成できる。保護層１１０は、一般的なバッファ層またはパッシベーション層でありうる。

表示部２０は、光を発して所定の画像情報を表示する機能を有し、アノード電極１３０、有機物質層１４０、及びカソード電極１６０を備える。

アノード電極１３０は、基板１０上に、または保護層１１０上に位置し、基板１０内に形成された前記ＴＦＴ（図示せず）と電気的に連結される。アノード電極１３０は、透明電極または反射電極で形成されうる。アノード電極１３０が透明電極で形成される場合には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を含みうる。アノード電極１３０が反射電極で形成される場合には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物で形成された反射膜と、前記反射膜上に位置するＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３で形成された透明電極層とを備えうる。しかし、このような物質は、例示であり、本発明は、これらに限定されるものではない。また、アノード電極１３０は、単一層または多重層で構成されうる。アノード電極１３０は、一般的な蒸着方法、例えば、ＣＶＤ法、またはスパッタリングを利用して蒸着された後、フォトリソグラフィ法によってパターニングされて形成されうる。アノード電極１３０は、以後に形成される前記単位画素に相応するサイズを有するように形成されうる。

図示していないが、アノード電極１３０のエッジを覆い、アノード電極１３０の外側に所定の厚さを有する画素定義膜（Ｐｉｘｅｄ Ｄｅｆｉｎｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）をさらに備えうる。前記ＰＤＬは、単位画素を区画でき、アノード電極１３０が形成された基板１０の表面を平坦化する。また、前記ＰＤＬは、アノード電極１３０とカソード電極１６０との短絡を防止する機能を行える。

アノード電極１３０に対向して、カソード電極１６０が位置する。カソード電極１６０は、透明電極または反射型電極で形成されうる。カソード電極１６０が透明電極で形成される場合には、金属、例えば、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇまたはこれらの化合物がアノード電極１３０に向かうように蒸着された膜と、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３のような透明電極を形成するための物質で形成された補助電極やバス電極ラインとを形成できる。そして、反射型電極で備えられる時には、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇまたはこれらの化合物を前面蒸着することによって備えられうる。カソード電極１６０は、一般的な蒸着方法、例えば、ＣＶＤ法、またはスパッタリングを利用して形成されうる。

アノード電極１３０とカソード電極１６０との位置関係は、例示であり、互いに逆に位置することもできる。アノード電極１３０は、相対的に仕事関数の高い物質で形成されてもよい。一方、カソード電極１６０は、相対的に仕事関数の低い物質で形成されてもよい。また、アノード電極１３０は、それぞれの単位画素の領域に対応するようにパターニングされてもよく、カソード電極１６０は、すべての単位画素を覆うように形成されてもよい。

アノード電極１３０とカソード電極１６０との間には、有機物質層１４０が位置する。アノード電極１３０とカソード電極１６０との間に電圧を印加すれば、有機物質層１４０は、発光する。

有機物質層１４０は、低分子有機物を利用して形成されうる。このような場合には、図２に示したように、順次に積層された正孔注入層１４１（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層１４３（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、有機発光層１４５（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層１４７（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、及び電子注入層１４９（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）を備え、それぞれの層は、単一層または多重層でありうる。また、有機物質層１４０に使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）を始めとして多様に適用可能である。これらの低分子有機物は、マスクを利用した真空蒸着の方法で形成されうる。また、高分子有機物を利用して有機物質層１４０を形成できる。このような場合には、正孔輸送層と有機発光層とを備える構造を有しうる。この時、前記正孔輸送層としてＰＥＤＯＴを使用でき、前記発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系など高分子有機物質を使用できる。有機物質層１４０は、スピンコーティング法、ＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ）法、インクジェットプリンティング法、真空蒸着法など通常の方法で形成されうる。

カソード電極１６０は、導電性を有する少なくとも一つの電気的連結部１５０を通じてカソード配線１２０と電気的に連結されうる。電気的連結部１５０は、透明または不透明でありうる。また、電気的連結部１５０は、カソード電極１６０と同じ物質を含むか、または異なる物質を含みうる。外部電源（図示せず）から伝えられた電圧は、カソード配線１２０から電気的連結部１５０を通じてカソード電極１６０に印加される。したがって、カソード電極１６０は、多様な領域で電圧が印加されるので、全面にわたって均一な電圧分布が得られる。

図３Ａないし図３Ｄは、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１の上面図である。図３Ａないし図３Ｄは、図２に示された電気的連結部１５０の形状及び配列についての多様な例を示す。図において、単位画素Ｐは、有機物質層１４０に相応し、特に、有機発光層１４５のサイズに相応して形成されうる。

図３Ａを参照すれば、電気的連結部１５０は、カソード電極１６０の一部領域と電気的に連結されるように位置しうる。このような電気的連結部１５０は、カソード電極１６０の電圧降下が発生する領域に電気的に連結されるように位置することが望ましい。例えば、電気的連結部１５０は、カソード電極１６０の全体領域に対して中央部と電気的に連結されるように位置しうる。また、電気的連結部１５０は、単位画素Ｐの間の領域に位置しうる。本明細書では、電気的連結部１５０と単位画素Ｐとは、直接電気的に連結されないことに留意する。電気的連結部１５０は、円形、多角形など多様な形状を有しうる。

図３Ｂないし図３Ｄを参照すれば、単位画素Ｐにそれぞれに対応して一つの電気的連結部１５０が位置しうる。図３Ｂを参照すれば、電気的連結部１５０は、単位画素Ｐの少なくとも一側面の一部に対応して位置する。図３Ｃを参照すれば、電気的連結部１５０は、単位画素Ｐの少なくとも一側面に沿って延びる。図３Ｃで、電気的連結部１５０の延長された長さは、電気的単位画素Ｐの前記一側面の長さと同一か、またはさらに大きい。図３Ｄを参照すれば、電気的連結部１５０は、単位画素Ｐの外側面を取り囲むように位置しうる。このように、単位画素Ｐのそれぞれに対応して電気的連結部１５０を形成することによって、単位画素Ｐに連結されるカソード電極１６０のカソード電圧を均一に具現することがさらに容易になりうる。

図４Ａないし図４Ｅは、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１の製造方法を順次に示した断面図である。

図４Ａを参照すれば、カソード配線１２０及び駆動配線１２２を表面上に備える基板１０を設ける。基板１０は、その上に保護層１１０を選択的にさらに備えうる。図示していないが、基板１０は、複数のＴＦＴ（図示せず）及び複数のキャパシタ（図示せず）を備えうる。

図４Ｂを参照すれば、基板１０上にアノード電極１３０を形成する。アノード電極１３０は、カソード配線１２０が形成された基板１０上の領域には形成されないことに留意する。アノード電極１３０は、例えば、通常の蒸着方法を利用して、基板１０上に導電層を形成した後、前記導電層をパターニングして形成できる。アノード電極１３０は、後続工程で形成される単位画素に相応するサイズを有しうる。アノード電極１３０は、基板１０内に位置した前記ＴＦＴと電気的に連結されうる。

図４Ｃを参照すれば、基板１０上に有機物質層１４０を形成する。有機物質層１４０は、アノード電極１３０を覆うことができる。有機物質層１４０は、例えば、基板１０上に正孔注入層１４１、正孔輸送層１４３、有機発光層１４５、電子輸送層１４７、及び電子注入層１４９を順次に形成することによって具現できる。正孔注入層１４１、正孔輸送層１４３、電子輸送層１４７、及び電子注入層１４９は、オープンマスクまたはファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ：ＦＭＭ）を利用して形成できる。一方、有機発光層１４５は、ＦＭＭを利用して形成する。有機発光層１４５のサイズは、アノード電極１３０のサイズに相応でき、単位画素のサイズを決定できる。図４Ｃには、正孔注入層１４１、正孔輸送層１４３、電子輸送層１４７、及び電子注入層１４９は、オープンマスクを利用して形成し、有機発光層１４５は、ＦＭＭを利用して形成した場合が例示的に示されている。また、有機物質層１４０の一部は、カソード配線１２０を覆うことができる。この時、有機発光層１４５は、カソード配線１２０上に形成されないのに留意しなければならない。

図４Ｄを参照すれば、有機物質層１４０を貫通し、カソード配線１２０を露出する第１開口部１５２を形成する。第１開口部１５２は、圧着方法、レーザ照射、エッチング、またはこれらの組合せによって形成でき、これについては、下記の図６Ａないし図６Ｃを参照して詳細に説明する。

図４Ｅを参照すれば、導電物質を利用して第１開口部１５２を充填し、電気的連結部１５０を形成する。これにより、電気的連結部１５０は、カソード配線１２０と電気的に連結される。次いで、有機物質層１４０を覆い、電気的連結部１５０と電気的に連結されるカソード電極１６０を形成する。その結果、図２の構造が完成する。電気的連結部１５０とカソード電極１６０とは、同じ工程で形成されうる。また、電気的連結部１５０は、カソード電極１６０と同じ物質で形成されるか、または異なる物質で形成されうる。

図５Ａないし図５Ｃは、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１の製造方法を順次に示した断面図である。本実施形態による製造方法は、前記実施形態の図４Ｃに後続して行われる。

図５Ａを参照すれば、図４Ｃに示された構造上、すなわち、有機物質層１４０上に全体的にカソード電極１６０を形成する。

図５Ｂを参照すれば、カソード電極１６０及び有機物質層１４０を貫通してカソード配線１２０を露出する第２開口部１５４を形成する。第２開口部１５４は、圧着方法、レーザ照射、エッチング、またはこれらの組合せによって形成でき、これについては、下記の図６Ａないし図６Ｃを参照して詳細に説明する。

図５Ｃを参照すれば、導電物質を利用して第２開口部１５０を充填し、電気的連結部１５０ａを形成する。これにより、電気的連結部１５０ａは、カソード配線１２０及びカソード電極１６０に電気的に連結される。

図６Ａないし図６Ｃは、図２の電気的連結部１５０を形成する方法を概略的に示す図である。

図６Ａを参照すれば、突出部１７２を備えるマスク１７０を、有機物質層１４０が形成された基板１０に圧着することによって、有機物質層１４０を貫通して、カソード配線１２０を露出する第１開口部１５２を形成する。マスク１７０は、一般的なガラス、またはプラスチックであり、有機物質層１４０を形成するために使われるＦＭＭでありうる。突出部１７２は、第１開口部１５２に相応するサイズを有しうる。突出部１７２の幅は、第１開口部１５２の幅と相応し、突出部の長さは、第１開口部１５２の長さと同一か、または大きくなければならない。すなわち、突出部１７２の長さは、カソード配線１２０が露出されるのに十分である必要があり、例えば、有機物質層１４０の厚さの総計に比べて、大きい。また、突出部１７２は、多様な形状を有することができ、例えば、直六面体のような多面体、円柱、円錐、または切断円錐（ｔｒｕｎｃａｔｅｄ ｃｏｎｅ）、及びこれらの組合せの形状を有することができる。突出部１７２は、マスク１７０に圧着されて付着により形成されるか、またはマスク１７０をエッチングして形成できる。

図６Ｂを参照すれば、有機物質層１４０の第１開口部１５２が形成される領域にレーザを照射し、有機物質層１４０を除去する。これにより、有機物質層１４０を貫通してカソード配線１２０を露出する第１開口部１５２が形成される。

図６Ｃを参照すれば、カソード電極１６０上にフォトレジストパターンのようなマスクパターン１８０を形成する。次いで、マスクパターン１８０を利用して、カソード電極１６０及び有機物質層１４０をエッチングする。これにより、カソード電極１６０及び有機物質層１４０を貫通して、カソード配線１２０を露出する第２開口部１５４を形成する。
前述したような第１開口部１５２及び第２開口部１５４を形成する方法は、例示的に説明され、したがって、図６Ａ及び図６Ｂを参照して説明された方法を利用して、第２開口部１５４を形成でき、図６Ｃを参照して説明した方法を利用して、第１開口部１５２を形成できる。前述したように、第１開口部１５２及び第２開口部１５４を、導電物を利用して充填することによって、電気的連結部１５０，１５０ａを形成する。

以上で説明した本発明が前述した実施形態及び添付図面に限定されず、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な置換、変形及び変更が可能であるということは、当業者ならば、明白に分かるであろう。

本発明は、表示装置関連の技術分野に好適に適用可能である。

１０ 基板、
２０ 表示部、
３０ 封止層、
４０ カラーフィルタ層、
５０ 封止層、
６０ ブラックマトリックス、
７０ カバー層、
１１０ 保護層、
１２０ カソード配線、
１２２ 駆動配線、
１３０ アノード電極、
１４０ 有機物質層、
１４１ 正孔注入層、
１４３ 正孔輸送層、
１４５ 有機発光層、
１４７ 電子輸送層、
１４９ 電子注入層、
１５０，１５０ａ 電気的連結部、
１５２ 第１開口部、
１５４ 第２開口部、
１６０ カソード電極、
１７０ マスク、
１７２ 突出部、
１８０ マスクパターン。

Claims (20)

1. カソード配線を表面上に含む基板と、
   前記基板上に形成され、前記カソード配線と電気的に絶縁されたアノード電極と、
   前記アノード電極上に形成され、複数の単位画素を形成する有機物質層と、
   前記有機物質層を覆うカソード電極と、
   前記カソード配線と前記カソード電極とを電気的に連結する少なくとも一つの電気的連結部と、
   を備える有機発光表示装置。
2. 前記電気的連結部は、前記有機物質層を貫通することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記有機物質層は、有機発光層を備え、
   前記電気的連結部は、前記有機発光層と電気的に絶縁されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記電気的連結部は、前記カソード電極の電圧降下が発生する領域に電気的に連結されるように位置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
5. 前記電気的連結部は、前記カソード電極の中央部と電気的に連結されるように位置することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
6. 前記電気的連結部は、前記複数の単位画素の間の領域に位置することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
7. 前記電気的連結部は、前記複数の単位画素のそれぞれに対応して位置することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
8. 前記電気的連結部は、前記複数の単位画素のそれぞれの一側面に沿って延びていることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
9. 前記電気的連結部は、前記複数の単位画素のそれぞれの外側面を取り囲むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
10. 前記電気的連結部は、前記カソード電極と同じ物質を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
11. 前記電気的連結部は、前記カソード電極と異なる物質を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
12. 前記カソード電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
13. 前記有機物質層は、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、及び電子注入層が積層された層であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
14. 前記基板は、駆動配線をさらに含み、
    前記カソード配線と前記駆動配線とは、同一平面上に形成されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
15. カソード配線を表面上に含む基板を設ける工程と、
    前記基板上に前記カソード配線と電気的に絶縁されたアノード電極を形成する工程と、
    前記アノード電極上に有機物質層を形成する工程と、
    前記有機物質層を貫通し、前記カソード配線を露出する開口部を形成する工程と、
    前記開口部を、導電物を利用して充填し、前記カソード配線と電気的に連結される電気的連結部を形成する工程と、
    前記有機物質層を覆い、前記電気的連結部と電気的に連結されるカソード電極を形成する工程と、
    を含む有機発光表示装置の製造方法。
16. 前記開口部を形成する工程は、
    前記開口部に相応するサイズの突出部が形成されたマスクを準備する工程と、
    前記突出部を前記有機物質層に圧着して前記開口部を形成する工程と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
17. 前記開口部を形成する工程は、
    前記有機物質層にレーザを照射し、前記有機物質層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
18. 前記電気的連結部を形成する工程及び前記カソード電極を形成する工程は、同時に行われることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
19. カソード配線を表面上に含む基板を設ける工程と、
    前記基板上に前記カソード配線と電気的に絶縁されたアノード電極を形成する工程と、
    前記アノード電極上に有機物質層を形成する工程と、
    前記有機物質層を覆うカソード電極を形成する工程と、
    前記カソード電極及び前記有機物質層を貫通し、前記カソード配線を露出する開口部を形成する工程と、
    導電物を利用して前記開口部を充填し、前記カソード配線と前記カソード電極とを電気的に連結する電気的連結部を形成する工程と、
    を含む有機発光表示装置の製造方法。
20. 前記開口部を形成する工程は、
    前記カソード電極上にマスクパターンを形成する工程と、
    前記マスクパターンを利用して前記カソード電極及び前記有機物質層をエッチングする工程と、
    前記カソード電極及び前記有機物質層を貫通し、前記カソード配線を露出する開口部を形成する工程と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の有機発光表示装置の製造方法。

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