[go: up one dir, main page]

JP2011198953A - 電子部品積層体の製造方法 - Google Patents

電子部品積層体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011198953A
JP2011198953A JP2010063071A JP2010063071A JP2011198953A JP 2011198953 A JP2011198953 A JP 2011198953A JP 2010063071 A JP2010063071 A JP 2010063071A JP 2010063071 A JP2010063071 A JP 2010063071A JP 2011198953 A JP2011198953 A JP 2011198953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
electronic component
semiconductor chip
wafer
electronic components
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010063071A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryohei Masui
良平 増井
Akinobu Hayakawa
明伸 早川
Hideaki Ishizawa
英亮 石澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP2010063071A priority Critical patent/JP2011198953A/ja
Publication of JP2011198953A publication Critical patent/JP2011198953A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法であって、基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程（１）と、加熱及び押圧しながら、前記塗布した電子部品用接着剤を介して、前記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、前記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の６０％以上１００％未満とした後、押圧を解除するボンディング工程（２）と、前記電子部品用接着剤を加熱することにより、前記半導体チップ又はウエハの接合領域全体に、前記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、前記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程（４）とを有し、前記塗布工程（１）において、前記電子部品用接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の４０〜９０％であり、前記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜１００Ｐａ・ｓであり、Ｅ型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が４〜２５Ｐａ・ｓ、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２〜４倍である電子部品積層体の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法に関する。
近年、半導体パッケージの小型化への要望に伴い、半導体チップ又はウエハは極めて薄い薄膜となっており、半導体チップに接続されるボンディングワイヤも微細化している。また、極めて薄い半導体チップ又はウエハを作製できることから、複数の半導体チップを積層して多層の半導体チップ積層体とする３次元実装への動きも進んでいる。
しかしながら、多層の半導体チップ積層体においては、単に同じサイズの半導体チップを積層しただけでは下層の半導体チップに接続されたボンディングワイヤと上層の半導体チップとが接触してしまい、ワイヤーボンディングすることができないことがある。そこで、従来、大きさの異なる半導体チップを積層する方法、又は、半導体チップの間に空隙を形成する方法等が行われてきたが、半導体チップを損傷なく、かつ、水平を保って積層することは容易ではなかった。
これに対して、信頼性の高い半導体チップ積層体を得ることを目的として、下層半導体チップのワイヤを保護する方法、又は、水平を保って積層することを目的として、半導体チップ間にスペーサーチップを介在させる方法等が検討されている。例えば、特許文献１には、複数の半導体チップを積層する際に、一方の半導体チップの他方の半導体チップを積層する面に、スペーサーを散点状に形成した後、他方の半導体チップを積層する方法が開示されている。また、特許文献２には、複数の半導体チップを積層する際に、接続する半導体チップの間にダミーチップ及びスペーサーを積層させる方法が開示されている。
しかし、近年、半導体パッケージの小型化はますます進行し、半導体チップからワイヤーボンディングパッドまでの距離が数百μｍ程度にまで短くなってきていることから、特許文献１又は特許文献２の方法では対処できない新たな問題が生じている。
即ち、半導体チップからワイヤーボンディングパッドまでの距離が短くなるのに伴い、半導体チップを接合する接着剤のはみ出した部分、いわゆるフィレットと呼ばれる部分により、ワイヤーボンディングすることが困難になってきている。小型化した半導体パッケージにおいては、接着剤のはみ出した部分の接合領域からの距離は、２００μｍ以下程度であることが求められている。一方、接着剤のはみ出しを防ぐために接着剤の使用量を減らした場合には、半導体チップの接合領域全体に接着剤が濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じ、充分な信頼性を有する半導体チップ積層体を得ることが困難である。
また、これらの問題を解決するためには、ペースト状の接着剤に代えて接着フィルムを用いることが考えられるが、接着フィルムは製造時にフィルム状に成形する工程を必要とし、接着剤に比べてコストが高いことが問題である。
特開２００３−１７９２００号公報 特開２００６−６６８１６号公報
本発明は、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法であって、基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程（１）と、加熱及び押圧しながら、前記塗布した電子部品用接着剤を介して、前記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、前記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の６０％以上１００％未満とした後、押圧を解除するボンディング工程（２）と、前記電子部品用接着剤を加熱することにより、前記半導体チップ又はウエハの接合領域全体に、前記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、前記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程（４）とを有し、前記塗布工程（１）において、前記電子部品用接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の４０〜９０％であり、前記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜１００Ｐａ・ｓであり、Ｅ型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が４〜２５Ｐａ・ｓ、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２〜４倍である電子部品積層体の製造方法である。
以下、本発明を詳述する。
本発明者らは、半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法において、所定の粘度特性を有する電子部品用接着剤を用い、かつ、所定の塗布工程（１）、ボンディング工程（２）、電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）及び硬化工程（４）を行うことで、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
本発明の電子部品積層体の製造方法は、半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法である。
なお、本発明の電子部品積層体の製造方法では、例えば、基板に対して半導体チップを接合してもよく、例えば基板に接合された半導体チップ等の他の半導体チップに対して更に半導体チップを接合してもよく、ウエハに対して半導体チップを接合してもよく、また、基板に対してウエハを接合してもよく、例えば基板に接合されたウエハ等の他のウエハに対して更にウエハを接合してもよい。
本発明の電子部品積層体の製造方法では、まず、基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程（１）を行う。
上記塗布工程（１）において、上記電子部品用接着剤を塗布する領域は、半導体チップ又はウエハの接合領域（本明細書中、単に、接合領域ともいう）の４０〜９０％である。
なお、本明細書中、上記電子部品用接着剤を塗布する領域とは、塗布した電子部品用接着剤の最外部を直線で描き、その直線によって形成される１つ以上の多角形の内部の面積及びその面積の和を意味する。
上記電子部品用接着剤を塗布する領域が接合領域の４０％未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体は信頼性に欠ける。上記電子部品用接着剤を塗布する領域が接合領域の９０％を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。上記電子部品用接着剤を塗布する領域は、接合領域の６０％以上、９０％以下であることが好ましい。
上記塗布工程（１）において、上記電子部品用接着剤の塗布形状は特に限定されず、例えば、クロス形状、ダブルクロス形状、トリプルクロス形状、スノークロス形状、ダブルワイ形状等が挙げられる。なお、本明細書中、クロス形状とは十字型の形状を意味し、ダブルクロス形状とは、２つの十字型の形状が重なった形状を意味し、トリプルクロス形状とは、３つの十字型の形状が重なった形状を意味する。また、本明細書中、スノークロス形状とは、ダブルクロス形状の一方の端部がＹ字状になった形状を意味し、ダブルワイ形状とは、２つのＹ字状の端部を結合した形状を意味する。
上記電子部品用接着剤をクロス形状又はダブルクロス形状に塗布する場合には、該クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さが、接合領域の対角線の長さの７０〜９０％であることが好ましい。上記クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さが、接合領域の対角線の長さの７０％未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体は信頼性に欠けることがある。上記クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さが、接合領域の対角線の長さの９０％を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となることがある。
上記塗布工程（１）における塗布方法は特に限定されず、例えば、精密ノズルを取り付けたシリンジ等とディスペンサ等を組み合わせて用いて塗布する方法等が挙げられる。
上記電子部品用接着剤は、硬化性化合物及び硬化剤を含有する接着組成物を含有することが好ましい。
上記硬化性化合物は特に限定されず、付加重合、重縮合、重付加、付加縮合、開環重合反応により硬化する化合物を用いることができる。上記硬化性化合物として、具体的には、例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、キシレン樹脂、アルキル−ベンゼン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、珪素樹脂、ウレタン樹脂等の熱硬化性化合物が挙げられる。なかでも、得られる電子部品積層体の信頼性及び接合強度に優れていることから、エポキシ樹脂、アクリル樹脂が好ましく、イミド骨格を有するエポキシ樹脂がより好ましい。
上記エポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、粘度の低い電子部品用接着剤が得られることから、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂が好ましい。
上記ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のうち、市販品としては、例えば、ＥＸＡ−８３０−ＬＶＰ、ＥＸＡ−８３０−ＣＲＰ（以上、ＤＩＣ社製）等が挙げられる。また、上記レゾルシノール型エポキシ樹脂のうち、市販品としては、ＥＸ−２０１（ナガセケムテックス社製）等が挙げられる。また、上記ポリエーテル変性エポキシ樹脂のうち、市販品としては、ＥＸ−９３１（ナガセケムテックス社製）、ＥＸＡ−４８５０−１５０（ＤＩＣ社製）、ＥＰ−４００５（アデカ社製）等が挙げられる。
上記硬化性化合物は、吸湿率の好ましい上限が１．５％であり、より好ましい上限が１．１％である。このような吸湿率を有する硬化性化合物は、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。
上記硬化剤は特に限定されず、従来公知の硬化剤を上記硬化性化合物に合わせて適宜選択することができる。上記硬化性化合物としてエポキシ樹脂を用いる場合、上記硬化剤として、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記硬化剤の配合量は特に限定されないが、上記硬化性化合物の官能基と等量反応する硬化剤を用いる場合、上記硬化性化合物の官能基量に対して、６０〜１００当量であることが好ましい。また、触媒として機能する硬化剤を用いる場合、上記硬化剤の配合量は、上記硬化性化合物１００重量部に対して好ましい下限が１重量部、好ましい上限が２０重量部である。
上記接着組成物においては、硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤に加えて硬化促進剤を添加してもよい。
上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度又は硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、又は、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール系硬化促進剤（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、上記硬化促進剤として、例えば、２ＭＺ、２ＭＺ−Ｐ、２ＰＺ、２ＰＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＺ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ、２ＰＺ−ＣＮＳ、２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ、２ＭＺ−Ａ、２ＭＺＡ−ＰＷ、Ｃ１１Ｚ−Ａ、２Ｅ４ＭＺ−Ａ、２ＭＡＯＫ−ＰＷ、２ＰＺ−ＯＫ、２ＭＺ−ＯＫ、２ＰＨＺ、２ＰＨＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＨＺ、２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、２Ｅ４ＭＺ・ＢＩＳ、ＶＴ、ＶＴ−ＯＫ、ＭＡＶＴ、ＭＡＶＴ−ＯＫ（以上、四国化成工業社製）等も挙げられる。
上記硬化促進剤の配合量は特に限定されず、上記硬化性化合物１００重量部に対して好ましい下限が１重量部、好ましい上限が１０重量部である。
上記硬化性化合物としてエポキシ樹脂を用い、かつ、上記硬化剤と上記硬化促進剤とを併用する場合、用いる硬化剤の配合量は、用いるエポキシ樹脂中のエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記硬化剤の配合量が理論的に必要な当量を超えると、電子部品用接着剤を硬化して得られる硬化物から、水分によって塩素イオンが溶出しやすくなることがある。即ち、硬化剤が過剰であると、例えば、得られる電子部品用接着剤の硬化物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度となるため、エポキシ樹脂から塩素イオンが多量溶出することがある。従って、得られる電子部品用接着剤の硬化物１ｇを、１００℃の純水１０ｇで２時間浸した後の純水のｐＨが６〜８であることが好ましく、ｐＨが６．５〜７．５であることがより好ましい。
上記接着組成物は、粘度を低減させるために希釈剤を含有してもよい。
上記希釈剤は、エポキシ基を有することが好ましく、１分子中のエポキシ基数の好ましい下限が２、好ましい上限が４である。１分子中のエポキシ基数が２未満であると、電子部品用接着剤の硬化後に充分な耐熱性が発現しないことがある。１分子中のエポキシ基数が４を超えると、硬化によるひずみが発生したり、未硬化のエポキシ基が残存したりすることがあり、これにより、接合強度の低下又は繰り返しの熱応力による接合不良が発生することがある。上記希釈剤の１分子中のエポキシ基数のより好ましい上限は３である。
また、上記希釈剤は、芳香環及び／又はジシクロペンタジエン構造を有することが好ましい。
上記希釈剤は、１２０℃又は１５０℃での重量減少量の好ましい上限が１％である。１２０℃又は１５０℃での重量減少量が１％を超えると、電子部品用接着剤の硬化中又は硬化後に未反応物が揮発してしまい、生産性又は得られる電子部品積層体の性能に悪影響を与えることがある。
また、上記希釈剤は、他の硬化性化合物よりも硬化開始温度が低く、硬化速度が大きいことが好ましい。
上記接着組成物における希釈剤の配合量の好ましい下限は１重量％、好ましい上限は２０重量％である。上記希釈剤の配合量が上記範囲外であると、接着組成物の粘度を充分に低減できないことがある。
上記電子部品用接着剤は、ＣＶ値が１０％以下のスペーサー粒子を含有することが好ましい。
上記ＣＶ値が１０％以下のスペーサー粒子を含有することにより、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、ダミーチップ等を介在させることなく電子部品間距離を一定に保つことが可能となる。
上記スペーサー粒子のＣＶ値が１０％を超えると、粒子径のばらつきが大きいことから、電子部品間距離を一定に保つことが困難となり、スペーサー粒子としての機能を充分に果たせないことがある。上記スペーサー粒子のＣＶ値のより好ましい上限は６％、更に好ましい上限は４％である。
なお、本明細書においてＣＶ値とは、下記式（１）により求められる数値のことである。
粒子径のＣＶ値（％）＝（σ２／Ｄｎ２）×１００ （１）
式（１）中、σ２は粒子径の標準偏差を表し、Ｄｎ２は数平均粒子径を表す。
また、本明細書において電子部品間距離とは、基板と半導体チップとの距離と、半導体チップ同士の距離と、基板とウエハとの距離と、ウエハ同士の距離と、半導体チップとウエハとの距離とを意味する。
上記ＣＶ値が１０％以下のスペーサー粒子（以下、単に、スペーサー粒子ともいう）の平均粒子径は特に限定されず、所望の電子部品間距離が達成可能となるような粒子径を選択することができるが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記スペーサー粒子の平均粒子径が５μｍ未満であると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、スペーサー粒子の粒子径程度にまで電子部品間距離を縮めることが困難となり、電子部品同士が水平を保てないことがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径が２００μｍを超えると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、電子部品間距離が必要以上に大きくなることがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径のより好ましい下限は９μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。
上記スペーサー粒子の平均粒子径は、電子部品用接着剤に添加するスペーサー粒子以外の固体成分の平均粒子径の１．２倍以上であることが好ましい。上記スペーサー粒子の平均粒子径が上記スペーサー粒子以外の固体成分の平均粒子径の１．２倍未満であると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、電子部品間距離を確実にスペーサー粒子の粒子径程度にまで縮めることが困難となることがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径は、上記スペーサー粒子以外の固体成分の平均粒子径の１．３倍以上であることがより好ましい。
上記スペーサー粒子は、下記式（２）で表されるＫ値の好ましい下限が９８０Ｎ／ｍｍ２、好ましい上限が４９００Ｎ／ｍｍ２である。
Ｋ＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２ （２）
式（２）中、Ｆ、Ｓはそれぞれスペーサー粒子の１０％圧縮変形における荷重値（ｋｇｆ）、圧縮変位（ｍｍ）を表し、Ｒは該スペーサー粒子の半径（ｍｍ）を表す。
なお、上記Ｋ値は以下の測定方法により測定することができる。
まず、平滑表面を有する鋼板の上にスペーサー粒子を散布した後、その中から１個のスペーサー粒子を選び、微小圧縮試験機を用いてダイヤモンド製の直径５０μｍの円柱の平滑な端面でスペーサー粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出する。そして、得られた圧縮変位−荷重の関係から１０％圧縮変形における荷重値、圧縮変位をそれぞれ求め、得られた結果からＫ値を算出する。
上記スペーサー粒子は２０℃、１０％の圧縮変形状態から解放した時の圧縮回復率の好ましい下限が２０％である。このような圧縮回復率を有するスペーサー粒子を用いることにより、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合であって、かつ、積層された電子部品間に平均粒子径よりも大きなスペーサー粒子が存在する場合にも、圧縮変形により形状を回復してギャップ調整材として働かせることができる。従って、より安定した一定間隔で半導体チップ又はウエハを水平に積層することができる。
なお、上記圧縮回復率は、以下の測定方法により測定することができる。
上記Ｋ値の測定の場合と同様の手法によって圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出し、反転荷重値まで圧縮したのち荷重を減らしていき、その際の荷重と圧縮変位との関係を測定する。得られた測定結果から圧縮回復率を算出する。ただし、除荷重における終点は荷重値ゼロではなく、０．１ｇ以上の原点荷重値とする。
上記スペーサー粒子の材質は特に限定されないが、樹脂粒子であることが好ましい。
上記樹脂粒子を構成する樹脂は特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール等が挙げられる。なかでも、スペーサー粒子の硬さと圧縮回復率を調整しやすく、かつ、耐熱性を向上できることから、架橋樹脂を用いることが好ましい。
上記架橋樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート重合体、トリアリルイソシアヌレート重合体、ベンゾグアナミン重合体等の網目構造を有する樹脂が挙げられる。なかでも、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート重合体等が好ましい。これらの架橋樹脂を用いた場合、半導体チップ又はウエハをボンディングした後、硬化プロセス、半田リフロープロセス等の熱処理プロセスへの耐性が優れる。
上記スペーサー粒子は、必要に応じて表面処理がなされていることが好ましい。上記スペーサー粒子に表面処理を施すことにより、得られる電子部品用接着剤において後述する粘度特性を実現することが可能となる。
上記表面処理の方法は特に限定されないが、例えば、表面に疎水基を付与することが好ましい。また、上記表面処理として表面に親水基を付与する場合、上記表面に親水基を付与する方法は特に限定されず、例えば、親水基を有するカップリング剤で上記樹脂粒子の表面を処理する方法等が挙げられる。
上記スペーサー粒子は、球状であることが好ましい。また、上記スペーサー粒子のアスペクト比の好ましい上限は１．１である。アスペクト比を１．１以下とすることで、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、電子部品間距離を安定して一定に保つことができる。
なお、本明細書においてアスペクト比とは、粒子の長径と短径に関して、短径の長さに対する長径の長さの比（長径の長さを短径の長さで割った値）を意味する。このアスペクト比の値が１に近いほどスペーサー粒子の形状は真球に近くなる。
上記電子部品用接着剤における上記スペーサー粒子の配合量の好ましい下限は０．０１重量％、好ましい上限は５重量％である。上記スペーサー粒子の配合量が０．０１重量％未満であると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、電子部品間距離を安定して一定に保つことができないことがある。上記スペーサー粒子の配合量が５重量％を超えると、得られる電子部品用接着剤の接着剤としての機能が低下することがある。
また、上記電子部品用接着剤が、上記スペーサー粒子以外に、上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の粒子径を有する固形成分を含有する場合、このような固形成分の配合量の好ましい上限は１重量％である。
上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の粒子径を有する固形成分の融点は、上記電子部品用接着剤の硬化温度以下であることが好ましい。
上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の粒子径を有する固形成分の最大粒子径は、上記スペーサー粒子の平均粒子径の１．１〜１．５であることが好ましく、１．１〜１．２であることが更に好ましい。
上記電子部品用接着剤は、更に、チキソトロピー付与剤を含有することが好ましい。上記チキソトロピー付与剤を含有することにより、得られる電子部品用接着剤は所望の粘度挙動を達成することができる。
上記チキソトロピー付与剤は特に限定されず、例えば、金属微粒子、炭酸カルシウム、ヒュームドシリカ、酸化アルミニウム、窒化硼素、窒化アルミニウム、硼酸アルミ等の無機微粒子等が挙げられる。なかでも、ヒュームドシリカが好ましい。
上記チキソトロピー付与剤として、必要に応じて、表面処理を行ったチキソトロピー付与剤を用いることができる。また、上記チキソトロピー付与剤として、表面に親水基を有する粒子を用いることが好ましい。上記表面に親水基を有する粒子として、具体的には例えば、表面に親水基を有するヒュームドシリカ等が挙げられる。
上記チキソトロピー付与剤として、粒子状のチキソトロピー付与剤を用いる場合、平均粒子径の好ましい上限は１μｍである。上記チキソトロピー付与剤の平均粒子径が１μｍを超えると、得られる電子部品用接着剤が所望のチキソトロピー性を発現できないことがある。
上記電子部品用接着剤における上記チキソトロピー付与剤の配合量は特に限定されないが、上記スペーサー粒子に表面処理がなされていない場合には、好ましい下限が０．５重量％、好ましい上限が２０重量％である。上記チキソトロピー付与剤の配合量が０．５重量％未満であると、得られる電子部品用接着剤に充分なチキソトロピー性を付与することができないことがある。上記チキソトロピー付与剤の配合量が２０重量％を超えると、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて電子部品積層体を製造する際に、電子部品用接着剤の排除性が低下することがある。上記チキソトロピー付与剤の配合量のより好ましい下限は３重量％、より好ましい上限は１０重量％である。
上記電子部品用接着剤は、更に、上記硬化性化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物（以下、単に、反応可能な官能基を有する高分子化合物ともいう）を含有することが好ましい。このような高分子化合物を含有することにより、熱によるひずみが発生する際の接合信頼性が向上する。
上記反応可能な官能基を有する高分子化合物として、上記硬化性化合物としてエポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有する高分子化合物等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子化合物が好ましい。上記エポキシ基を有する高分子化合物を添加することで、電子部品用接着剤の硬化物は、優れた可撓性を発現する。即ち、上記電子部品用接着剤の硬化物は、上記硬化性化合物としての多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有する高分子化合物に由来する優れた可撓性とを兼備することとなり、耐冷熱サイクル性、耐ハンダリフロー性、寸法安定性等に優れ、高い接着信頼性及び高い導通信頼性を発現することとなる。
上記エポキシ基を有する高分子化合物は、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を多く含む高分子化合物を得ることができ、硬化物の機械的強度及び耐熱性がより優れたものとなることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好ましい。これらのエポキシ基を有する高分子化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記反応可能な官能基を有する高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特に、エポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、上記エポキシ基を有する高分子化合物の重量平均分子量の好ましい下限が１万である。上記重量平均分子量が１万未満であると、電子部品用接着剤の造膜性が不充分となって、電子部品用接着剤の硬化物の可撓性が充分に向上しないことがある。
上記反応可能な官能基を有する高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特に、エポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、上記エポキシ基を有する高分子化合物のエポキシ当量の好ましい下限が２００、好ましい上限が１０００である。上記エポキシ当量が２００未満であると、電子部品用接着剤の硬化物の可撓性が充分に向上しないことがある。上記エポキシ当量が１０００を超えると、電子部品用接着剤の硬化物の機械的強度又は耐熱性が不充分となることがある。
上記電子部品用接着剤における上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の配合量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に対し、好ましい下限が１重量部、好ましい上限が３０重量部である。上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の配合量が１重量部未満であると、電子部品用接着剤は、熱ひずみに対する充分な信頼性が得られないことがある。上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の配合量が３０重量部を超えると、電子部品用接着剤の耐熱性が低下することがある。
上記電子部品用接着剤は、更に、表面処理されたシリカフィラーを含有することが好ましい。上記表面処理されたシリカフィラーは特に限定されないが、フェニルシランカップリング剤で表面処理されたシリカフィラーが好ましい。
上記電子部品用接着剤における上記表面処理されたシリカフィラーの配合量は特に限定されないが、上記硬化性化合物１００重量部に対し、好ましい下限が３０重量部、好ましい上限が４００重量部である。上記表面処理されたシリカフィラーの配合量が３０重量部未満であると、得られる電子部品用接着剤が充分な信頼性を保持することができないことがある。上記表面処理されたシリカフィラーの配合量が４００重量部を超えると、得られる電子部品用接着剤の粘度が高くなりすぎて、塗布安定性が低下することがある。
上記電子部品用接着剤は、必要に応じて、溶媒を含有してもよい。
上記溶媒は特に限定されず、例えば、芳香族炭化水素類、塩化芳香族炭化水素類、塩化脂肪族炭化水素類、アルコール類、エステル類、エーテル類、ケトン類、グリコールエーテル（セロソルブ）類、脂環式炭化水素類、脂肪族炭化水素類等が挙げられる。
上記電子部品用接着剤は、必要に応じて、無機イオン交換体を含有してもよい。
上記無機イオン交換体のうち、市販品としては、例えば、ＩＸＥシリーズ（東亞合成社製）等が挙げられる。上記電子部品用接着剤における上記無機イオン交換体の配合量の好ましい上限は１０重量％、好ましい下限は１重量％である。
上記電子部品用接着剤は、更に、必要に応じて、ブリード防止剤、イミダゾールシランカップリング剤等の接着性付与剤等のその他の添加剤を含有してもよい。
上記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が２０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以下である。
上記０．５ｒｐｍにおける粘度が２０Ｐａ・ｓ未満であると、塗布後、後述するボンディング工程（２）までの間に塗布時の形状を維持することが困難となる。上記０．５ｒｐｍにおける粘度が１００Ｐａ・ｓを超えると、電子部品用接着剤を所望の形状で塗布することが困難となる。
上記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が６０Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。
上記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２〜５倍であることが好ましい。
上記０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２倍未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となることがある。上記０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の５倍を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体が信頼性に欠けることがある。
上記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の４倍以下であることがより好ましい。
上記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が４Ｐａ・ｓ以上、２５Ｐａ・ｓ以下である。このような粘度特性を有することで、上記電子部品用接着剤は、後述するボンディング工程（２）において押圧を解除した後、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）において、接合領域から大きくはみ出したり、濡れ広がりが不充分となったりすることなく、接合領域全体に均一に濡れ広がることができる。
上記０．５ｒｐｍにおける粘度が４Ｐａ・ｓ未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。上記０．５ｒｐｍにおける粘度が２５Ｐａ・ｓを超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体は信頼性に欠ける。また、上記０．５ｒｐｍにおける粘度が２５Ｐａ・ｓを超えると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合、後述するボンディング工程（２）において、積層した半導体チップ又はウエハの押圧を行っても電子部品間距離をスペーサー粒子の粒子径と実質的に等しい距離にすることが困難である。
なお、本明細書中、ボンディング温度とは、後述するボンディング工程（２）において用いられる温度を意味する。上記ボンディング温度として、例えば、２５〜８０℃の範囲の温度が挙げられる。
上記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２〜４倍である。このような粘度特性を有することで、上記電子部品用接着剤は、後述するボンディング工程（２）においては、加熱及び押圧を行うことによって短時間で接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができ、次いで、押圧を解除した後、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）においては、接合領域から大きくはみ出したり、濡れ広がりが不充分となったりすることなく、接合領域全体に均一に濡れ広がることができる。
上記０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２倍未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。上記０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の４倍を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体が信頼性に欠ける。
上記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の３倍以下であることが好ましい。
上記電子部品用接着剤は、硬化後の−５５〜１２５℃における弾性率Ｅの好ましい下限が１ＧＰａ、好ましい上限が８ＧＰａである。弾性率Ｅが１ＧＰａ未満であると、充分な耐熱性が得られないことがある。弾性率Ｅが８ＧＰａを超えると、温度の変化によるひずみによって発生した応力が集中し、接合信頼性に悪影響を与えることがある。上記電子部品用接着剤は、硬化後の−５５〜１２５℃における弾性率Ｅのより好ましい下限が２ＧＰａ、より好ましい上限が７ＧＰａである。
上記電子部品用接着剤は、２０〜１２０℃の条件で５分間経過した後の反応率が５％未満であることが好ましい。上記反応率が５％以上であると、電子部品用接着剤の濡れ広がりが不充分となったり、目的とするスペース到達度が得られなかったりすることがある。
上記電子部品用接着剤を製造する方法は特に限定されず、例えば、上記硬化性化合物及び硬化剤を有する接着組成物に、必要に応じて上記硬化促進剤、上記硬化性化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物、上記チキソトロピー付与剤、その他の添加剤等を所定量配合して混合した後、上記スペーサー粒子を配合する方法が挙げられる。
上記混合の方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を使用する方法が挙げられる。
本発明の電子部品積層体の製造方法では、次いで、加熱及び押圧しながら、上述のように塗布した電子部品用接着剤を介して、上記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を接合領域の６０％以上１００％未満とした後、押圧を解除するボンディング工程（２）を行う。
上記ボンディング工程（２）では、塗布した電子部品用接着剤を介して、上記基板、他の半導体チップ又は他のウエハに対し、上記半導体チップ又はウエハを位置合わせすることによって積層し、ボンディングする。
上記ボンディング工程（２）においては、上記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に上記半導体チップ又はウエハを積層する際に、加熱及び押圧を行う。
上記加熱及び押圧を行うことにより、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができる。また、上記押圧を行うことにより、上記電子部品用接着剤が上記スペーサー粒子を含有する場合には、スペーサー粒子により電子部品間の間隔が支持されるように積層することができる。また、加熱を行わず押圧のみを行う場合には、上記電子部品用接着剤が濡れ広がるのに要する時間が長くなるのに対し、上記加熱及び押圧を行うことにより、短時間で、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができる。
上記加熱は特に限定されないが、２５℃以上、８０℃以下の温度で行うことが好ましい。上記加熱を行う温度が２５℃未満であると、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができず、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる電子部品積層体が信頼性に欠けることがある。上記加熱を行う温度が８０℃を超えると、上記電子部品用接着剤の硬化が開始してしまい、濡れ広がりが困難になることがあり、また、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となることがある。
上記加熱は、４０℃以上、６０℃以下の温度で行うことがより好ましい。
上記押圧は特に限定されないが、０．００５ＭＰａ以上、０．２ＭＰａ以下の圧力で行うことが好ましい。上記押圧を行う圧力が０．００５ＭＰａ未満であると、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができず、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる電子部品積層体が信頼性に欠けることがある。上記押圧を行う圧力が０．２ＭＰａを超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となることがある。
上記押圧は、０．０５ＭＰａ以上の圧力で行うことがより好ましい。
なお、上記押圧は、上記電子部品用接着剤を介して上記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に積層された、半導体チップ又はウエハに対して行う。
また、上記押圧は、所望の電子部品間距離の１〜１．５倍に電子部品間距離を縮小させるように行うことが好ましい。これにより、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）において、接合領域全体に上記電子部品用接着剤が均一に濡れ広がり、得られる電子部品積層体において所望の電子部品間距離を達成することができる。
上記加熱及び押圧する時間は特に限定さないが、０．１秒以上、５秒以下であることが好ましい。上記加熱及び押圧する時間が０．１秒未満であると、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができず、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる電子部品積層体が信頼性に欠けることがある。上記加熱及び押圧する時間が５秒を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となったり、電子部品積層体の生産効率が低下したりすることがある。
上記加熱及び押圧する時間は、１秒以下であることがより好ましい。
上記ボンディング工程（２）では、上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を接合領域の６０％以上１００％未満とした後、押圧を解除する。このように上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を上記範囲内とした後で押圧を解除することにより、上記電子部品用接着剤は、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）において、接合領域から大きくはみ出したり、濡れ広がりが不充分となったりすることなく、接合領域全体に均一に濡れ広がることができる。
上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の６０％未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる電子部品積層体が信頼性に欠ける。上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の１００％以上であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。
なお、本発明の電子部品積層体の製造方法において、上記ボンディング工程（２）を経た後の状態を、図１に模式的に示す。図１において、半導体チップ又はウエハ２は、塗布した電子部品用接着剤３を介して、基板、他の半導体チップ又は他のウエハ１上に積層されている。
本発明の電子部品積層体の製造方法では、次いで、上記電子部品用接着剤を加熱することにより、接合領域全体に上記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）（本明細書中、単に、電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）ともいう）を行う。
上記電子部品用接着剤を加熱する方法は特に限定されないが、例えば、上記ボンディング工程（２）において用いた温度と同じ温度で加熱する方法が好ましい。
本発明の電子部品積層体の製造方法において、上記電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経た後の状態を図２及び３に模式的に示す。
上記電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経た後、上記電子部品用接着剤は、接合領域全体に均一に濡れ広がっていれば、図２に示すように接合領域からはみ出していなくてもよく、図３に示すように接合領域からはみ出してフィレットを形成してもよい。フィレットを形成することにより、得られる電子部品積層体の信頼性を更に高めることができる。
なお、本明細書中、フィレットとは、接合領域からはみ出した電子部品用接着剤の分厚い部分をいう。
上記電子部品用接着剤が接合領域からはみ出してフィレットを形成する場合には、フィレットの接合領域からの距離は、好ましい下限が５０μｍ、好ましい上限が３００μｍである。上記フィレットの接合領域からの距離が５０μｍ未満であると、フィレットを形成する効果が充分に得られないことがある。上記フィレットの接合領域からの距離が３００μｍを超えると、フィレットがワイヤーボンディングパッドを汚染し、ワイヤーボンディング不良を引き起こすことがある。
上記フィレットの接合領域からの距離のより好ましい下限は１００μｍ、更に好ましい下限は１５０μｍである。
本発明の電子部品積層体の製造方法では、次いで、上記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程（４）を行う。これにより、上記電子部品用接着剤を硬化させて、電子部品積層体を得ることができる。
上記硬化工程（４）における硬化方法は特に限定されず、上記電子部品用接着剤の硬化特性に合わせた硬化条件を適宜選択して用いることができ、例えば、１２０℃で３０分、１７０℃で３０分加熱する方法等が挙げられる。
本発明の電子部品積層体の製造方法では、上述したような粘度特性を有する電子部品用接着剤を用いることにより、上記ボンディング工程（２）において上記加熱及び押圧を行うことによって、短時間で上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がり、次いで、上記電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）において上記電子部品用接着剤を加熱することによって、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がる。これにより、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることができる。
本発明の電子部品積層体の製造方法により得られる電子部品積層体の電子部品間距離は、上記スペーサー粒子の平均粒子径よりも５〜１０μｍ長いことが好ましい。上記電子部品間距離が上記範囲を外れると、電子部品間距離を制御することが困難となることがある。
本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合、得られる電子部品積層体の電子部品間距離のばらつきは、３σで５μｍ未満であることが好ましい。上記電子部品間距離のばらつきが３σで５μｍ以上であると、得られる電子部品積層体のワイヤーボンディング不良、フリップチップボンディング不良が発生することがある。なお、σは標準偏差を表す。
本発明の電子部品積層体の製造方法において、上記ボンディング工程（２）から上記硬化工程（４）までの工程は、例えば、これらの工程を一連の工程として行ってもよく、各々の工程を区別して行ってもよい。いずれの場合であっても、各工程において温度、圧力、時間、昇温速度等を適切に選択することにより、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がった状態で硬化させることが重要である。
また、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合、上記ボンディング工程（２）から上記硬化工程（４）までの工程は、半導体チップ又はウエハを１つボンディングする度に行ってもよく、半導体チップ又はウエハの積層を所望の数まで繰り返した後、一度に行ってもよい。
本発明の電子部品積層体の製造方法では、例えば、基板に対して半導体チップを接合してもよく、例えば基板に接合された半導体チップ等の他の半導体チップに対して更に半導体チップを接合してもよく、ウエハに対して半導体チップを接合してもよく、また、基板に対してウエハを接合してもよく、例えば基板に接合されたウエハ等の他のウエハに対して更にウエハを接合してもよい。
また、本発明の電子部品積層体の製造方法は、半導体チップを十字状に接合する場合に、特に好適に用いられる。
更に、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて電子部品積層体を製造し、更に、封止剤による封止等の必要な工程を行うことにより、半導体装置を製造することができる。
本発明によれば、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供することができる。
図１は、本発明の電子部品積層体の製造方法において、ボンディング工程（２）を経た後の状態の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の半導体チップ積層体の製造方法において、電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経た後の状態の一例を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の半導体チップ積層体の製造方法において、電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）を経た後の状態の一例を模式的に示す断面図である。
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
なお、以下の実施例及び比較例に記載の粒子径の測定には粒子サイズ測定機（コールターカウンターＺＢ／Ｃ−１０００、コールターエレクトロニクス社製）を使用した。
（実施例１）
（１）電子部品用接着剤の製造
表１の実施例１の組成に従って、下記に示すスペーサー粒子以外の各材料を攪拌混合して、接着組成物を作製した。得られた接着組成物にスペーサー粒子を配合し、更に攪拌混合することにより、電子部品用接着剤を製造した。
１．エポキシ樹脂
ポリエーテル変性エポキシ樹脂（ポリエーテル型エポキシ樹脂、エポゴーセーＰＴ、四日市合成社製）
２．エポキシ基を有する高分子化合物
エポキシ基含有アクリル樹脂（ブレンマーＣＰ−３０、日油社製）
３．硬化剤
酸無水物（ＹＨ−３０６、ジャパンエポキシレジン社製）
４．硬化促進剤
イミダゾール化合物（２ＭＡ−ＯＫ、四国化成工業社製）
５．接着性付与剤
イミダゾールシランカップリング剤（ＳＰ−１０００、日鉱マテリアルズ社製）
６．チキソトロピー付与剤
ヒュームドシリカ（表面疎水基含有チキソトロピー付与剤、ＰＭ−２０Ｌ、トクヤマ社製）
７．スペーサー粒子
樹脂粒子（ミクロパールＳＰ−２２５、積水化学工業社製、平均粒子径２５μｍ、ＣＶ値４％）
８．シリカフィラー
球状シリカ（ＳＥ−４０５０−ＳＰＥ、アドマテックス社製、平均粒子径１μｍ、最大粒子径５μｍ）
（２）電子部品積層体の製造
（２−１）塗布工程（１）
得られた電子部品用接着剤を１０ｍＬシリンジ（武蔵エンジニアリング社製）に充填し、シリンジ先端に精密ノズル（武蔵エンジニアリング社製、ノズル先端径０．６ｍｍ）を取り付け、ディスペンサ装置（ＳｕｐｅｒΣＣＭＩＩ−Ｖ５、武蔵エンジニアリング社製）を用いて、吐出圧３０ｋＰａ、ガラスエポキシ基板とニードルとのギャップ２５０μｍ、塗布量３．０μＬにてガラスエポキシ基板上に塗布した。
このとき、電子部品用接着剤を塗布した領域は、接合領域の７０％であった。また、電子部品用接着剤の塗布形状はクロス形状であり、該クロス形状の対角線の長さは、接合領域の対角線の長さの７０％であった。
（２−２）ボンディング工程（２）
塗布後のガラスエポキシ基板を、６０℃で加熱しながらダイボンダー（ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０２、キヤノンマシナリー社製）のボンディング部まで搬送し、塗布した電子部品用接着剤を介して、ベアシリコンチップ（チップ１）（厚さ１００μｍ、９ｍｍ×１３ｍｍ角）を６０℃で０．００５ＭＰａの圧力で０．５秒間押圧することにより、ガラスエポキシ基板上に積層した。
このとき、電子部品用接着剤の濡れ広がった領域は、接合領域の９５％であった。
（２−３）電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）
次いで、ベアシリコンチップ（チップ１）積層後のガラスエポキシ基板を、８０℃で加熱しながらダイボンダー（ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０２、キヤノンマシナリー社製）の搬出部まで搬送した。
このとき、電子部品用接着剤の濡れ広がった領域は、接合領域の１００％であった。
（２−４）硬化工程（４）
その後、熱風乾燥炉内にて８０℃から１２０℃まで６０分間かけて昇温処理を行い、１２０℃で１５分間放置することにより保温処理を行った後、１７０℃で３０分間加熱を行い、電子部品用接着剤を硬化させることにより、電子部品積層体を得た。
（実施例２）
表１の実施例２の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例１と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例３）
表１の実施例３の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例１と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例４）
表１の実施例４の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例１と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例５）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を０．０５ＭＰａとしたこと以外は実施例２と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例６）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を０．２ＭＰａとしたこと以外は実施例２と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例７）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を０．０５ＭＰａとしたこと以外は実施例４と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例８）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を０．２ＭＰａとしたこと以外は実施例４と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例９）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の温度を４０℃としたこと以外は実施例２と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例１０）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を０．２ＭＰａとしたこと以外は実施例９と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例１１）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の温度を８０℃としたこと以外は実施例４と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（実施例１２）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を０．２ＭＰａとしたこと以外は実施例１１と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（比較例１）
表２の比較例１の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例１と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（比較例２）
表２の比較例２の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例１と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（比較例３）
ボンディング工程（２）において、ベアシリコンチップ（チップ１）をガラスエポキシ基板上に積層する際の温度を９０℃としたこと以外は実施例１と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
（評価）
実施例及び比較例で得られた電子部品用接着剤及び電子部品積層体について、以下の方法により評価を行った。結果を表１、２に示した。
（１）粘度の測定
Ｅ型粘度測定装置（商品名「ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ ＴＶ−２２」、ＴＯＫＩ ＳＡＮＧＹＯ ＣＯ．ＬＴＤ社製、使用ローターφ１５ｍｍ、設定温度＝２５℃）を用いて、得られた電子部品用接着剤の回転数０．５ｒｐｍにおける粘度（Ａ）、５ｒｐｍにおける粘度（Ｂ）を測定した。また、０．５ｒｐｍにおける粘度（Ａ）と５ｒｐｍにおける粘度（Ｂ）との比として（Ａ／Ｂ）を求めた。
また、Ｅ型粘度測定装置（商品名「ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ ＴＶ−２２」、ＴＯＫＩ ＳＡＮＧＹＯ ＣＯ．ＬＴＤ社製、使用ローターφ１５ｍｍ、設定温度＝ボンディング温度）を用いて、得られた電子部品用接着剤の回転数０．５ｒｐｍにおける粘度（Ｃ）、５ｒｐｍにおける粘度（Ｄ）を測定した。また、０．５ｒｐｍにおける粘度（Ｃ）と５ｒｐｍにおける粘度（Ｄ）との比として（Ｃ／Ｄ）を求めた。
（２）電子部品用接着剤の充填性
ガラスエポキシ基板−ベアシリコンチップ（チップ１）間について、接合領域における電子部品用接着剤の充填性を、超音波探査映像装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ、日立建機ファインテック社製）を用いて下記の基準で評価した。
○ 接合領域全体に電子部品用接着剤が充填されていた。
× 接合領域に電子部品用接着剤が充填されていない部分があった。
（３）電子部品用接着剤のはみ出し（フィレット距離）
ガラスエポキシ基板−ベアシリコンチップ（チップ１）間について、接合領域からはみ出した電子部品用接着剤のはみ出し距離（フィレット距離）の最大値を測定することにより、下記の基準で評価した。
◎ はみ出し距離の最大値が１〜１００μｍであった。
○ はみ出し距離の最大値が１０１〜２００μｍであった。
△ はみ出し距離の最大値が２０１〜３００μｍであった。
× はみ出し距離の最大値が３０１μｍ以上であった、又は、接合領域全体に電子部品用接着剤が充填されておらず、はみ出し距離の最大値が０μｍであった。
（４）電子部品間距離のばらつき
得られた電子部品積層体について、サンプルを１０個作製し、各電子部品積層体の積層状態を、レーザー変位計（ＫＳ−１１００、ＫＥＹＥＮＣＥ社製）を用いて測定した。具体的には、ベアシリコンチップ（チップ１）とガラスエポキシ基板の上面との段差を測定し、測定値からチップ厚みを引くことで、ベアシリコンチップ（チップ１）とガラスエポキシ基板との間の電子部品間距離を求めた後、電子部品間距離のばらつきを３σ（μｍ）（σ＝標準偏差）として算出した。
（５）耐リフロー試験
得られた電子部品積層体を１２５℃で６時間乾燥し、続いて８５℃、８５％の湿潤条件で４８時間処理した後、ハンダリフロー時と同様の２６０℃、３０秒の条件で加熱処理を行った。そして、このような加熱処理を３回行った後の電子部品積層体について、層間剥離が発生しているか否かを観察した。層間剥離の観察は、超音波探査映像装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ、日立建機ファインテック社製）を用いて行った。
層間剥離について下記の基準で評価することにより、電子部品積層体の耐リフロー性評価を行った。
○ 層間剥離がほとんど観察されなかった。
△ 層間剥離がわずかに観察された。
× 層間の目立った剥離が観察された。
Figure 2011198953
Figure 2011198953
本発明によれば、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供することができる。
１ 基板、他の半導体チップ又は他のウエハ
２ 半導体チップ又はウエハ
３ 電子部品用接着剤

Claims (5)

  1. 半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法であって、
    基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程（１）と、
    加熱及び押圧しながら、前記塗布した電子部品用接着剤を介して、前記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、前記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の６０％以上１００％未満とした後、押圧を解除するボンディング工程（２）と、
    前記電子部品用接着剤を加熱することにより、前記半導体チップ又はウエハの接合領域全体に前記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、
    前記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程（４）とを有し、
    前記塗布工程（１）において、前記電子部品用接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の４０〜９０％であり、
    前記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜１００Ｐａ・ｓであり、Ｅ型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が４〜２５Ｐａ・ｓ、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２〜４倍である
    ことを特徴とする電子部品積層体の製造方法。
  2. 電子部品用接着剤は、硬化性化合物及び硬化剤を含有する接着組成物と、ＣＶ値が１０％以下のスペーサー粒子とを含有することを特徴とする請求項１記載の電子部品積層体の製造方法。
  3. 電子部品間距離が、スペーサー粒子の平均粒子径よりも５〜１０μｍ長いことを特徴とする請求項２記載の電子部品積層体の製造方法。
  4. 塗布工程（１）において、電子部品用接着剤の塗布形状が、クロス形状又はダブルクロス形状であり、前記クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さが、半導体チップ又はウエハの接合領域の対角線の長さの７０〜９０％であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の電子部品積層体の製造方法。
  5. ボンディング工程（２）において、押圧を０．００５ＭＰａ以上、０．２ＭＰａ以下の圧力で行うことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の電子部品積層体の製造方法。
JP2010063071A 2010-03-18 2010-03-18 電子部品積層体の製造方法 Pending JP2011198953A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010063071A JP2011198953A (ja) 2010-03-18 2010-03-18 電子部品積層体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010063071A JP2011198953A (ja) 2010-03-18 2010-03-18 電子部品積層体の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011198953A true JP2011198953A (ja) 2011-10-06

Family

ID=44876807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010063071A Pending JP2011198953A (ja) 2010-03-18 2010-03-18 電子部品積層体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011198953A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013047643A1 (ja) * 2011-09-27 2013-04-04 積水化成品工業株式会社 樹脂組成物層用スペーサー粒子およびその用途
WO2017155116A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
JP2018031019A (ja) * 2016-03-30 2018-03-01 積水化学工業株式会社 インダクタ用接着剤及びインダクタ
WO2019230881A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 積水化学工業株式会社 スペーサ粒子、接着剤及び接着構造体

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013047643A1 (ja) * 2011-09-27 2013-04-04 積水化成品工業株式会社 樹脂組成物層用スペーサー粒子およびその用途
JP2018142709A (ja) * 2016-03-10 2018-09-13 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
JPWO2017155116A1 (ja) * 2016-03-10 2018-03-15 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
CN108139285A (zh) * 2016-03-10 2018-06-08 积水化学工业株式会社 半导体传感器芯片安装用粘结剂以及半导体传感器
CN108139286A (zh) * 2016-03-10 2018-06-08 积水化学工业株式会社 半导体安装用粘结剂以及半导体传感器
WO2017155116A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
EP3428600A4 (en) * 2016-03-10 2019-09-25 Sekisui Chemical Co., Ltd. ADHESIVE FOR SEMI-SENSOR CHIP MOUNTING AND SEMICONDUCTOR SENSOR
EP3428599A4 (en) * 2016-03-10 2019-09-25 Sekisui Chemical Co., Ltd. ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR SENSOR
US10679925B2 (en) 2016-03-10 2020-06-09 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor mounting, and semiconductor sensor
US10790217B2 (en) 2016-03-10 2020-09-29 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor sensor chip mounting, and semiconductor sensor
JP2018031019A (ja) * 2016-03-30 2018-03-01 積水化学工業株式会社 インダクタ用接着剤及びインダクタ
WO2019230881A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 積水化学工業株式会社 スペーサ粒子、接着剤及び接着構造体
JPWO2019230881A1 (ja) * 2018-05-31 2021-04-22 積水化学工業株式会社 スペーサ粒子、接着剤及び接着構造体
JP7316223B2 (ja) 2018-05-31 2023-07-27 積水化学工業株式会社 スペーサ粒子、接着剤及び接着構造体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4088337B2 (ja) 電子部品用接着剤及び半導体チップ積層体の製造方法
JP4213767B2 (ja) 電子部品用接着剤
JP4705192B2 (ja) 半導体チップ積層体の製造方法
JP4339927B2 (ja) 半導体チップの積層方法
JP5346166B2 (ja) 電子部品用接着剤
JP5118956B2 (ja) 電子部品用接着剤
JP6009860B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5771084B2 (ja) 半導体チップ実装体の製造方法及び封止樹脂
JP2011198953A (ja) 電子部品積層体の製造方法
KR101035873B1 (ko) 고온 속경화형 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름
JP5629168B2 (ja) 半導体チップ実装体の製造方法及び半導体装置
JP2012060020A (ja) 半導体チップ実装体の製造方法及び半導体装置
JP2013102092A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012069893A (ja) 半導体チップの実装方法
JP2012216831A (ja) 半導体チップ実装体の製造方法
JP2014107355A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2014107354A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5914226B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びフリップチップ実装用接着剤
JP2012004224A (ja) 電子部品接合体の製造方法及び電子部品接合体
JP6009743B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP2013214619A (ja) 半導体装置の製造方法