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JP2011096933A - Method of manufacturing wiring circuit board - Google Patents

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JP2011096933A
JP2011096933A JP2009251087A JP2009251087A JP2011096933A JP 2011096933 A JP2011096933 A JP 2011096933A JP 2009251087 A JP2009251087 A JP 2009251087A JP 2009251087 A JP2009251087 A JP 2009251087A JP 2011096933 A JP2011096933 A JP 2011096933A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
insulating layer
conductor pattern
layer
exposed
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009251087A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinari Yoshida
好成 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2009251087A priority Critical patent/JP2011096933A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a wiring circuit board by which an additional insulating layer can be formed thin and prevented from peeling from a metal support substrate. <P>SOLUTION: A base insulating layer 3 is partially formed on the metal support substrate 2, a chrome thin film 20 and a copper thin film 21 are formed in order on the base insulating layer 3 and the metal support substrate 2 exposed from the base insulating layer 3, and a conductor pattern 4 is formed on the copper thin film 21. The copper thin film 21 exposed from the conductor pattern 4 is removed, a palladium catalyst 22 is stuck on surfaces of the conductor pattern 4 and chrome thin film 20, and the chrome thin film 20 exposed from the conductor pattern 4 is removed together with the palladium catalyst 22 stuck on a surface of the chrome thin film 20. A nickel plating layer is formed on a surface of the conductor pattern where the palladium catalyst is stuck, a cover insulating layer 5 is formed on the base insulating layer 3 so as to cover the conductor pattern 4, and a pedestal 13 is formed on the metal support substrate 2 exposed from the base insulating layer 3. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wired circuit board, and more particularly to a method for manufacturing a wired circuit board such as a suspension board with circuit.

回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような回路付サスペンション基板は、例えば、ヘッドスライダを搭載して、ハードディスクドライブなどに実装される。   The suspension board with circuit covers a metal supporting board, a base insulating layer formed on the metal supporting board, a conductor pattern formed on the base insulating layer, and a conductor pattern on the base insulating layer. A cover insulating layer formed as described above. Such a suspension board with circuit is mounted on, for example, a hard disk drive by mounting a head slider.

回路付サスペンション基板の製造方法としては、例えば、以下に示す方法が知られている。
すなわち、まず、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定パターンで形成し、そのベース絶縁層から露出する支持基板の表面と、ベース絶縁層の全面とに、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成する。次いで、ベース絶縁層の上に形成されている銅薄膜の表面に、導体層を配線回路パターンで形成し、導体層の配線回路パターンが形成されている部分以外の銅薄膜を除去する。次いで、導体層を、塩化パラジウム触媒液で活性化処理し、導体層を被覆する無電解ニッケルめっき層を形成する。その後、無電解ニッケルめっき層で被覆されている部分以外のクロム薄膜を除去した後、導体層を被覆するためのカバー絶縁層を、所定パターンで形成する(例えば、特許文献1参照。)。
As a method for manufacturing a suspension board with circuit, for example, the following methods are known.
That is, first, an insulating base layer is formed in a predetermined pattern on a supporting substrate, and a chromium thin film and a copper thin film are sequentially formed on the surface of the supporting substrate exposed from the insulating base layer and the entire surface of the insulating base layer. . Next, the conductor layer is formed with a wiring circuit pattern on the surface of the copper thin film formed on the base insulating layer, and the copper thin film other than the portion where the wiring circuit pattern of the conductor layer is formed is removed. Next, the conductor layer is activated with a palladium chloride catalyst solution to form an electroless nickel plating layer that covers the conductor layer. Thereafter, after removing the chromium thin film other than the portion covered with the electroless nickel plating layer, a cover insulating layer for covering the conductor layer is formed in a predetermined pattern (see, for example, Patent Document 1).

また、このような回路付サスペンション基板において、ヘッドスライダは、通常、金属支持基板の上に形成される台座の上に、搭載される。
このような台座は、例えば、ヘッドスライダの搭載位置において、ベース絶縁層と同様の絶縁層から、ベース絶縁層とともに、台座ベース絶縁層として形成される(例えば、特許文献2参照。)。
In such a suspension board with circuit, the head slider is usually mounted on a pedestal formed on a metal support board.
Such a pedestal is formed as a pedestal base insulating layer together with the insulating base layer from the insulating layer similar to the insulating base layer at the head slider mounting position (see, for example, Patent Document 2).

特開2005−135981号公報JP 2005-135981 A 特開2009−104712号公報JP 2009-104712 A

しかしながら、特許文献1に記載されるような回路付サスペンション基板では、ベース絶縁層は、支持基板と導体層とを絶縁するため、所定の厚み以上で形成される。
そのため、このような回路付サスペンション基板に、特許文献2に記載される方法によって、ベース絶縁層とともに台座ベース絶縁層を形成すると、ベース絶縁層の厚みに伴って、台座ベース絶縁層も厚く形成される。
However, in the suspension board with circuit as described in Patent Document 1, the base insulating layer is formed to have a predetermined thickness or more in order to insulate the support substrate and the conductor layer.
Therefore, when a pedestal base insulating layer is formed together with the base insulating layer on such a suspension board with circuit by the method described in Patent Document 2, the pedestal base insulating layer is also formed thicker with the thickness of the base insulating layer. The

一方、近年では、ヘッドスライダが搭載される台座を薄く形成し、回路付サスペンション基板の薄層化を図ることが要求されている。
このような要求に対応するため、例えば、ヘッドスライダが搭載される台座を、カバー絶縁層と同様の絶縁層から、カバー絶縁層とともに形成することも勘案される。
カバー絶縁層は、ベース絶縁層よりも薄く形成することができるため、このような方法によれば、台座を薄く形成し、回路付サスペンション基板の薄層化を図ることができる。
On the other hand, in recent years, it has been required to make the pedestal on which the head slider is mounted thin to achieve a thinner suspension board with circuit.
In order to meet such a demand, for example, it is considered to form a pedestal on which the head slider is mounted together with the cover insulating layer from the same insulating layer as the cover insulating layer.
Since the insulating cover layer can be formed thinner than the insulating base layer, according to such a method, the pedestal can be formed thin and the suspension board with circuit can be thinned.

そして、特許文献1に記載の回路付スペンション基板の製造方法により、台座を形成する場合、支持基板の上のクロム薄膜が、導体層とともに塩化パラジウム触媒液で活性化されるため、無電解ニッケルめっき層が、クロム薄膜の上にも形成される。
そして、この方法では、無電解ニッケルめっき層で被覆されている部分以外のクロム薄膜のみが除去されるため、支持基板の上に形成されたクロム薄膜および無電解ニッケルめっき層は、除去されずに残存する。
And when forming a pedestal by the manufacturing method of the board | substrate with a circuit described in patent document 1, since the chromium thin film on a support substrate is activated with a palladium chloride catalyst liquid with a conductor layer, it is electroless nickel. A plating layer is also formed on the chromium thin film.
In this method, only the chromium thin film other than the portion covered with the electroless nickel plating layer is removed, so the chromium thin film and the electroless nickel plating layer formed on the support substrate are not removed. Remains.

そのため、上記の方法により得られる回路付サスペンション基板に、カバー絶縁層とともに台座を形成すると、支持基板と台座との間に無電解ニッケルめっき層が介在し、この無電解ニッケルめっき層により、台座が支持基板から剥離しやすくなるという不具合を生じる。
本発明は、このような不具合に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、追加絶縁層を薄く形成できるとともに、追加絶縁層の金属支持基板からの剥離を防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
Therefore, when a pedestal is formed together with the insulating cover layer on the suspension board with circuit obtained by the above method, an electroless nickel plating layer is interposed between the support substrate and the pedestal. There arises a problem that it is easy to peel off from the support substrate.
The present invention has been made in view of such problems, and the object of the present invention is to provide a wiring circuit capable of forming an additional insulating layer thinly and preventing the additional insulating layer from peeling from the metal support substrate. It is to provide a method for manufacturing a substrate.

上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上に、ベース絶縁層を部分的に形成する工程と、前記ベース絶縁層の上、および、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上に、クロム薄膜を形成する工程と、前記クロム薄膜の上に、銅薄膜を形成する工程と、前記銅薄膜の上に、導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンから露出する前記銅薄膜を除去する工程と、前記導体パターンの表面、および、前記クロム薄膜の表面に、パラジウム触媒を付着させる工程と、前記導体パターンから露出する前記クロム薄膜を、その表面に付着する前記パラジウム触媒とともに除去する工程と、前記パラジウム触媒が付着する前記導体パターンの表面に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するようにカバー絶縁層を形成するとともに、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上に、追加絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴としている。   In order to achieve the above object, a method of manufacturing a wired circuit board according to the present invention includes a step of preparing a metal support substrate, a step of partially forming a base insulating layer on the metal support substrate, and the base Forming a chromium thin film on the insulating layer and on the metal supporting substrate exposed from the base insulating layer; forming a copper thin film on the chromium thin film; and A step of forming a conductor pattern, a step of removing the copper thin film exposed from the conductor pattern, a step of attaching a palladium catalyst to the surface of the conductor pattern and the surface of the chromium thin film, and the conductor The step of removing the chromium thin film exposed from the pattern together with the palladium catalyst adhering to the surface, and the surface of the conductor pattern to which the palladium catalyst adheres Forming a nickel plating layer by nickel plating; and forming an insulating cover layer on the insulating base layer so as to cover the conductive pattern, and on the metal supporting substrate exposed from the insulating base layer. And a step of forming an additional insulating layer.

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、ニッケルめっき層が形成される前に、パラジウム触媒が、金属支持基板の表面からクロム薄膜とともに除去されるため、ニッケルめっき層は、金属支持基板の表面には形成されず、導体パターンの表面にのみ形成される。
そのため、このような配線回路基板の製造方法によれば、追加絶縁層と金属支持基板との間にニッケルめっき層が介在することが防止され、その結果、金属支持基板から追加絶縁層が剥離することを防止することができる。
According to the method for manufacturing a wired circuit board of the present invention, since the palladium catalyst is removed together with the chromium thin film from the surface of the metal supporting board before the nickel plating layer is formed, the nickel plating layer is formed on the metal supporting board. It is not formed on the surface, but only on the surface of the conductor pattern.
Therefore, according to such a method for manufacturing a wired circuit board, the nickel plating layer is prevented from intervening between the additional insulating layer and the metal supporting board, and as a result, the additional insulating layer is peeled off from the metal supporting board. This can be prevented.

また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、追加絶縁層がカバー絶縁層とともに形成されるため、追加絶縁層を薄く形成することができ、配線回路基板の薄層化を図ることができる。   Further, according to the method for manufacturing a wired circuit board of the present invention, since the additional insulating layer is formed together with the cover insulating layer, the additional insulating layer can be formed thin, and the printed circuit board can be thinned. it can.

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図である。It is a top view of the suspension board with circuit which is one embodiment of the wired circuit board of the present invention. 図1に示す回路付サスペンション基板の先端部の拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a tip portion of the suspension board with circuit shown in FIG. 1. 図2のA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line of FIG. 図1に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、(a)は、金属支持基板を用意する工程、(b)は、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を部分的に形成する工程、(c)は、ベース絶縁層の上、および、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上に、クロム薄膜を形成する工程、(d)は、クロム薄膜の上に、銅薄膜を形成する工程、(e)は、銅薄膜の上に、導体パターンを形成する工程、(f)は、導体パターンから露出する銅薄膜を除去する工程を示す。FIGS. 2A and 2B are process diagrams showing a manufacturing method of the suspension board with circuit shown in FIG. 1, in which FIG. 1A is a process for preparing a metal support board, and FIG. 2B is a partial insulating base layer on the metal support board; (C) forming a chromium thin film on the base insulating layer and a metal supporting substrate exposed from the base insulating layer, and (d) forming a copper thin film on the chromium thin film. The step of forming a thin film, (e) shows the step of forming a conductor pattern on the copper thin film, and (f) shows the step of removing the copper thin film exposed from the conductor pattern. 図4に続いて図1に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、(g)は、導体パターンの表面、および、クロム薄膜の表面に、パラジウム触媒を付着させる工程、(h)は、導体パターンから露出するクロム薄膜を、その表面に付着するパラジウム触媒とともに除去する工程、(i)は、パラジウム触媒が付着する導体パターンの表面に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層を形成する工程、(j)は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するようにカバー絶縁層を形成するとともに、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上に、台座を形成する工程を示す。FIG. 4 is a process diagram showing a manufacturing method of the suspension board with circuit shown in FIG. 1 following FIG. 4, wherein (g) is a process of attaching a palladium catalyst to the surface of the conductor pattern and the surface of the chromium thin film; h) a step of removing the chromium thin film exposed from the conductor pattern together with the palladium catalyst adhering to the surface, and (i) a nickel plating layer by electroless nickel plating on the surface of the conductor pattern to which the palladium catalyst adheres. (J) is a step of forming a cover insulating layer on the insulating base layer so as to cover the conductor pattern and forming a pedestal on the metal supporting substrate exposed from the insulating base layer. Indicates.

図1は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図、図2は、図1に示す回路付サスペンション基板の先端部の拡大平面図、図3は、図2のA−A線断面図、図4は、図1に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図、図5は、図4に続いて図1に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図である。なお、図1および図2において、導体パターン4の相対配置を明確に示すために、ベース絶縁層3(後述)およびカバー絶縁層5(後述)は省略されている。   FIG. 1 is a plan view of a suspension board with circuit as an embodiment of the wired circuit board of the present invention, FIG. 2 is an enlarged plan view of a front end portion of the suspension board with circuit shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a process diagram showing a method for manufacturing the suspension board with circuit shown in FIG. 1, and FIG. 5 shows a method for manufacturing the suspension board with circuit shown in FIG. It is process drawing. In FIGS. 1 and 2, the insulating base layer 3 (described later) and the insulating cover layer 5 (described later) are omitted in order to clearly show the relative arrangement of the conductor patterns 4.

図1において、回路付サスペンション基板1は、長手方向に延びる金属支持基板2に、磁気ヘッド(図示せず)とリード・ライト基板(図示せず)とを電気的に接続するための導体パターン4が一体的に形成されている。
導体パターン4は、磁気ヘッドの接続端子(図示せず)に接続するための磁気ヘッド側接続端子部6(以下、単に「端子部6」という場合がある。)と、リード・ライト基板の接続端子(図示せず)に接続するための外部側接続端子部7と、磁気ヘッド側接続端子部6および外部側接続端子部7を接続するための配線8とを一体的に備えている。
In FIG. 1, a suspension board with circuit 1 includes a conductor pattern 4 for electrically connecting a magnetic head (not shown) and a read / write board (not shown) to a metal supporting board 2 extending in the longitudinal direction. Are integrally formed.
The conductor pattern 4 connects a magnetic head side connection terminal portion 6 (hereinafter sometimes simply referred to as “terminal portion 6”) for connection to a connection terminal (not shown) of the magnetic head, and a read / write substrate. An external connection terminal portion 7 for connecting to a terminal (not shown) and a wiring 8 for connecting the magnetic head side connection terminal portion 6 and the external connection terminal portion 7 are integrally provided.

配線8は、金属支持基板2の長手方向に沿って複数(4本)設けられており、幅方向(長手方向に直交する方向)において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
磁気ヘッド側接続端子部6は、角ランドとして形成されており、各配線8の先端部がそれぞれ接続されるように、複数(4つ)設けられ、金属支持基板2の先端部(長手方向一端部)において、幅方向に間隔を隔てて並列配置されている。
A plurality (four) of the wirings 8 are provided along the longitudinal direction of the metal support substrate 2 and are arranged in parallel at intervals in the width direction (direction orthogonal to the longitudinal direction).
The magnetic head side connection terminal portion 6 is formed as a square land, and a plurality (four) are provided so that the tip ends of the respective wires 8 are connected to each other, and the tip portion (one longitudinal end) of the metal support substrate 2 is provided. Part) is arranged in parallel at intervals in the width direction.

外部側接続端子部7は、角ランドとして形成されており、各配線8の後端部がそれぞれ接続されるように、複数(4つ)設けられ、金属支持基板2の後端部(長手方向他端部)において、幅方向に間隔を隔てて並列配置されている。
また、回路付サスペンション基板1は、図3に示すように、金属支持基板2と、金属支持基板2の上に形成されるベース絶縁層3と、ベース絶縁層3の上に形成される導体パターン4と、ベース絶縁層3の上に形成され、導体パターン4の配線8を被覆するカバー絶縁層5とを備えている。
The external connection terminal portion 7 is formed as a square land, and a plurality (four) of the external connection terminal portions 7 are provided so that the rear end portions of the respective wires 8 are connected to each other. In the other end portion), they are arranged in parallel at intervals in the width direction.
As shown in FIG. 3, the suspension board with circuit 1 includes a metal supporting board 2, a base insulating layer 3 formed on the metal supporting board 2, and a conductor pattern formed on the base insulating layer 3. 4 and a cover insulating layer 5 formed on the insulating base layer 3 and covering the wiring 8 of the conductor pattern 4.

ベース絶縁層3は、導体パターン4に対応して、金属支持基板2の表面に形成される。
導体パターン4は、詳しくは後述するが、例えば、公知のアディティブ法などにより形成され、各配線8とベース絶縁層3との間には、銅薄膜21およびクロム薄膜20が介在されている。
銅薄膜21およびクロム薄膜20は、それらが順次積層されるように配線8の下面に形成されており、より具体的には、配線8と略同一パターンで形成されている。
The insulating base layer 3 is formed on the surface of the metal supporting board 2 corresponding to the conductor pattern 4.
As will be described in detail later, the conductor pattern 4 is formed by, for example, a known additive method, and a copper thin film 21 and a chromium thin film 20 are interposed between each wiring 8 and the base insulating layer 3.
The copper thin film 21 and the chromium thin film 20 are formed on the lower surface of the wiring 8 so that they are sequentially laminated, and more specifically, are formed in substantially the same pattern as the wiring 8.

また、導体パターン4の表面(上面および側面)には、ニッケルめっき層23が形成されている。
カバー絶縁層5は、ベース絶縁層3の表面において、配線8を被覆し、磁気ヘッド側接続端子部6および外部側接続端子部7を露出するように、形成されている。
次に、回路付サスペンション基板1の先端部について、図2および図3を参照して、詳細に説明する。
A nickel plating layer 23 is formed on the surface (upper surface and side surface) of the conductor pattern 4.
The insulating cover layer 5 is formed on the surface of the insulating base layer 3 so as to cover the wiring 8 and expose the magnetic head side connection terminal portion 6 and the external side connection terminal portion 7.
Next, the tip of the suspension board with circuit 1 will be described in detail with reference to FIGS.

回路付サスペンション基板1の先端部には、図2に示すように、端子部6と、U字開口部11と、スライダー9(図3(破線)参照)が接合される接合面12と、スライダー9(図3(破線)参照)を支持するための、追加絶縁層としての台座13とが設けられている。
各端子部6は、回路付サスペンション基板1の先端縁部に配置され、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。各端子部6の後端面は、幅方向において面一となるように配置されている。各端子部6の先端には、配線8がそれぞれ接続されている。すなわち、配線8は、幅方向一方側の1対(2つ)の配線8Aと、幅方向他方側の1対(2つ)の配線8Bとが、それぞれ、回路付サスペンション基板1の先端部の幅方向両端部(U字開口部11の幅方向両外側)を通過し、先端縁部に至った後、幅方向内側に屈曲し、さらに後側に屈曲して、各端子部6の先端に接続されるように、引き回されている。
As shown in FIG. 2, a terminal surface 6, a U-shaped opening 11, a joint surface 12 to which a slider 9 (see FIG. 3 (broken line)) is joined, and a slider 9 (see FIG. 3 (broken line)) is provided as a base 13 as an additional insulating layer.
Each terminal part 6 is arrange | positioned at the front-end | tip edge part of the suspension board | substrate 1 with a circuit, and is arrange | positioned in parallel at intervals in the width direction. The rear end surfaces of the terminal portions 6 are arranged so as to be flush with each other in the width direction. A wiring 8 is connected to the tip of each terminal portion 6. That is, the wiring 8 includes a pair (two) of wirings 8A on one side in the width direction and a pair (two) of wirings 8B on the other side in the width direction. After passing through both ends in the width direction (both sides in the width direction of the U-shaped opening 11) and reaching the tip edge, it bends inward in the width direction, and further bends to the rear side. Has been routed to be connected.

各端子部6の幅(幅方向長さ)は、例えば、15〜200μm、好ましくは、50〜100μmであり、各端子部6間の間隔(幅方向の間隔)は、例えば、15〜200μm、好ましくは、20〜100μmである。これにより、幅方向両最外側に配置される端子部6間の長さが、例えば、400〜1100μm、好ましくは、500〜1000μmに設定される。   The width (length in the width direction) of each terminal portion 6 is, for example, 15 to 200 μm, preferably 50 to 100 μm. The interval between the terminal portions 6 (interval in the width direction) is, for example, 15 to 200 μm, Preferably, it is 20-100 micrometers. Thereby, the length between the terminal parts 6 arrange | positioned at the width direction both outermost sides is set to 400-1100 micrometers, for example, Preferably, it is set to 500-1000 micrometers.

U字開口部11は、平面視において先側に向かって開放される略U字状に形成されており、金属支持基板2を厚み方向に貫通するように、形成されている。U字開口部11は、幅方向において、幅方向一方側の1対の配線8Aと、幅方向他方側の1対の配線8Bとの間に配置されている。具体的には、U字開口部11は、その幅方向両外側に1対の配線8が通過できるように、金属支持基板2の幅方向両端縁との間にマージンが設定されるとともに、その先側縁部に端子部6が配置されるように、金属支持基板2の先端縁とのマージンが設定されている。   The U-shaped opening 11 is formed in a substantially U shape that is open toward the front side in a plan view, and is formed so as to penetrate the metal support substrate 2 in the thickness direction. In the width direction, the U-shaped opening 11 is disposed between a pair of wirings 8A on one side in the width direction and a pair of wirings 8B on the other side in the width direction. Specifically, the U-shaped opening 11 is set with a margin between both ends in the width direction of the metal support substrate 2 so that a pair of wirings 8 can pass through both outer sides in the width direction. A margin with the front end edge of the metal supporting board 2 is set so that the terminal part 6 is disposed at the front edge part.

接合面12は、U字開口部11の幅方向内側において、金属支持基板2の表面に区画されており、スライダー9(図3(破線)参照)が対向配置されるように、平面視略矩形状に区画されている。接合面12は、長手方向において端子部6と間隔を隔てて隣接配置されている。
台座13は、U字開口部11の幅方向内側において、接合面12よりもわずかに小さい平面視略矩形平板形状に形成されている。
The joint surface 12 is partitioned on the surface of the metal support substrate 2 on the inner side in the width direction of the U-shaped opening 11, and is substantially rectangular in plan view so that the slider 9 (see FIG. 3 (broken line)) is opposed to the joint surface 12. Divided into shapes. The joint surface 12 is disposed adjacent to the terminal portion 6 with a gap in the longitudinal direction.
The pedestal 13 is formed in a substantially rectangular flat plate shape in plan view slightly smaller than the joint surface 12 on the inner side in the width direction of the U-shaped opening 11.

なお、図示しないが、カバー絶縁層5から露出する磁気ヘッド側接続端子部6および外部側接続端子部7の表面には、必要により、金属めっき層が設けられている。
次に、回路付サスペンション基板1の製造方法について、図4および図5を参照して説明する。
なお、回路付サスペンション基板1の製造方法には、公知のロール・トゥ・ロール法が採用される。
Although not shown, a metal plating layer is provided on the surfaces of the magnetic head side connection terminal portion 6 and the external side connection terminal portion 7 exposed from the insulating cover layer 5 as necessary.
Next, a method for manufacturing the suspension board with circuit 1 will be described with reference to FIGS.
A known roll-to-roll method is employed as a method for manufacturing the suspension board with circuit 1.

まず、この方法では、図4(a)に示すように、金属支持基板2を用意する。
金属支持基板2を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、42アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
金属支持基板2の厚みは、例えば、10〜60μm、好ましくは、15〜25μmであり、また、幅方向長さは、例えば、50〜500mm、好ましくは、100〜300mmである。
First, in this method, a metal support substrate 2 is prepared as shown in FIG.
As a metal material for forming the metal support substrate 2, for example, stainless steel, 42 alloy or the like is used, and stainless steel is preferably used.
The thickness of the metal supporting board 2 is, for example, 10 to 60 μm, preferably 15 to 25 μm, and the length in the width direction is, for example, 50 to 500 mm, preferably 100 to 300 mm.

次いで、この方法では、図4(b)に示すように、金属支持基板2の上に、ベース絶縁層3を部分的に形成する。より具体的には、導体パターン4が形成される部分に対応し、かつ、接合面12(図2参照)における金属支持基板2の表面が露出するように、ベース絶縁層3を形成する。
ベース絶縁層3を形成する絶縁材料は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
Next, in this method, as shown in FIG. 4B, the base insulating layer 3 is partially formed on the metal support substrate 2. More specifically, the base insulating layer 3 is formed so as to correspond to the portion where the conductor pattern 4 is formed and to expose the surface of the metal support substrate 2 at the bonding surface 12 (see FIG. 2).
The insulating material forming the base insulating layer 3 is, for example, a synthetic resin such as polyimide resin, polyamideimide resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyethersulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polyvinyl chloride resin, etc. Is used. Of these, a photosensitive synthetic resin is preferably used, and a photosensitive polyimide is more preferably used.

ベース絶縁層3を形成するには、公知の方法が採用される。より具体的には、例えば、金属支持基板2の全面に、例えば、感光性の合成樹脂の溶液(ワニス)を塗布し、例えば、60〜180℃、好ましくは、90〜160℃で加熱して前駆体皮膜を得た後、フォトマスクを用いて、例えば、300〜450nm、好ましくは、350〜420nmの波長の照射線によって、所定パターンとする。なお、露光における積算露光量は、例えば、100〜2000mJ/cm、好ましくは、600〜1300mJ/cmである。次いで、例えば、150〜200℃で加熱して、露光部分を不溶化した後、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液により、所定パターンで現像する。その後、例えば、250℃以上で加熱し、硬化させる。 A known method is employed to form the base insulating layer 3. More specifically, for example, a photosensitive synthetic resin solution (varnish) is applied to the entire surface of the metal support substrate 2 and heated at, for example, 60 to 180 ° C., preferably 90 to 160 ° C. After obtaining the precursor film, a predetermined pattern is formed using an irradiation beam having a wavelength of, for example, 300 to 450 nm, preferably 350 to 420 nm, using a photomask. In addition, the integrated exposure amount in exposure is 100-2000 mJ / cm < 2 >, for example, Preferably, it is 600-1300 mJ / cm < 2 >. Next, for example, after heating at 150 to 200 ° C. to insolubilize the exposed portion, development is performed in a predetermined pattern with a known developer such as an alkali developer. Then, for example, it is heated at 250 ° C. or higher and cured.

また、ベース絶縁層3の形成は、金属支持基板2の全面に、上記した合成樹脂の溶液(ワニス)を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、その後、エッチングなどにより上記したパターンに形成することもできる。
さらに、ベース絶縁層3の形成は、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、金属支持基板2の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
The insulating base layer 3 is formed by uniformly applying the above-described synthetic resin solution (varnish) on the entire surface of the metal support substrate 2, then drying, and then curing by heating as necessary. Thereafter, the pattern can be formed by etching or the like.
Furthermore, the base insulating layer 3 is formed by, for example, previously forming a synthetic resin on a film having the above-described pattern, and sticking the film to the surface of the metal support substrate 2 via a known adhesive layer. You can also.

このようにして形成されるベース絶縁層3の厚みは、例えば、5〜15μm、好ましくは、8〜10μmである。
次いで、この方法では、図4(c)に示すように、ベース絶縁層3の上、および、ベース絶縁層3から露出する金属支持基板2の上に、クロム薄膜20を形成する。
クロム薄膜20は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法など、公知の方法により形成することができる。好ましくは、スパッタリング法(クロムスパッタリング法)が挙げられる。
The insulating base layer 3 thus formed has a thickness of, for example, 5 to 15 μm, or preferably 8 to 10 μm.
Next, in this method, as shown in FIG. 4C, the chromium thin film 20 is formed on the base insulating layer 3 and on the metal supporting substrate 2 exposed from the base insulating layer 3.
The chromium thin film 20 can be formed by a known method such as a sputtering method, a vacuum deposition method, or an ion plating method. Preferably, a sputtering method (chromium sputtering method) is used.

クロム薄膜20の厚みは、例えば、10〜60nm、好ましくは、20〜40nmである。
次いで、この方法では、図4(d)に示すように、クロム薄膜20の上に、銅薄膜21を形成する。
銅薄膜21は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法など、公知の方法により形成することができる。好ましくは、スパッタリング法(銅スパッタリング法)が挙げられる。
The thickness of the chromium thin film 20 is, for example, 10 to 60 nm, preferably 20 to 40 nm.
Next, in this method, as shown in FIG. 4D, a copper thin film 21 is formed on the chromium thin film 20.
The copper thin film 21 can be formed by a known method such as a sputtering method, a vacuum deposition method, or an ion plating method. Preferably, a sputtering method (copper sputtering method) is used.

銅薄膜21の厚みは、例えば、50〜200nm、好ましくは、60〜80nmである。
次いで、この方法では、図4(e)に示すように、銅薄膜21の上に、導体パターン4を形成する。
導体パターン4を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
The thickness of the copper thin film 21 is, for example, 50 to 200 nm, preferably 60 to 80 nm.
Next, in this method, the conductor pattern 4 is formed on the copper thin film 21 as shown in FIG.
As a conductive material for forming the conductive pattern 4, for example, a conductive material such as copper, nickel, gold, solder, or an alloy thereof is used, and preferably copper is used.

導体パターン4を形成するには、まず、銅薄膜21の表面に、例えば、感光性ドライフィルムレジストなどからなるめっきレジストを、導体パターン4の反転パターンで形成する。
その後、めっきレジストから露出する銅薄膜21の表面に、電解めっきにより、導体パターン4を形成し、その後、めっきレジストを、例えば、水酸化ナトリウム水溶液など、公知のレジスト剥離液などにより除去する。
In order to form the conductor pattern 4, first, a plating resist made of, for example, a photosensitive dry film resist or the like is formed on the surface of the copper thin film 21 as an inverted pattern of the conductor pattern 4.
Thereafter, the conductor pattern 4 is formed by electrolytic plating on the surface of the copper thin film 21 exposed from the plating resist, and then the plating resist is removed by a known resist stripping solution such as an aqueous sodium hydroxide solution.

このようにして形成される導体パターン4の厚みは、例えば、3〜50μm、好ましくは、5〜25μmである。
次いで、この方法では、図4(f)に示すように、導体パターン4から露出する銅薄膜21を除去する。
銅薄膜21は、例えば、硝酸過酸化水素混合液などをエッチング液として用いて、エッチングすることにより、除去することができる。
The thickness of the conductor pattern 4 thus formed is, for example, 3 to 50 μm, preferably 5 to 25 μm.
Next, in this method, as shown in FIG. 4F, the copper thin film 21 exposed from the conductor pattern 4 is removed.
The copper thin film 21 can be removed by etching using, for example, a nitrate hydrogen peroxide mixed solution as an etching solution.

次いで、この方法では、図5(g)に示すように、導体パターン4の表面、および、クロム薄膜20の表面に、パラジウム触媒22を付着させる。
パラジウム触媒22は、例えば、導体パターン4およびクロム薄膜20を、塩化パラジウム水溶液に浸漬することにより、それらの表面に付着させることができる。このような場合における浸漬時間は、例えば、30〜150秒、好ましくは、60〜120秒である。
Next, in this method, as shown in FIG. 5G, the palladium catalyst 22 is attached to the surface of the conductor pattern 4 and the surface of the chromium thin film 20.
For example, the palladium catalyst 22 can be attached to the surface of the conductive pattern 4 and the chromium thin film 20 by immersing them in an aqueous palladium chloride solution. The immersion time in such a case is, for example, 30 to 150 seconds, and preferably 60 to 120 seconds.

次いで、この方法では、図5(h)に示すように、導体パターン4から露出するクロム薄膜20を、その表面に付着するパラジウム触媒22とともに除去する。
この方法において、クロム薄膜20は、例えば、銅に対する溶解性が低く、かつ、クロムに対する溶解性の高いエッチング液を用いて、エッチングすることにより、除去することができる。このような溶液として、より具体的には、例えば、フェリシアン化カリウム水溶液などが挙げられる。
Next, in this method, as shown in FIG. 5H, the chromium thin film 20 exposed from the conductor pattern 4 is removed together with the palladium catalyst 22 adhering to the surface.
In this method, the chromium thin film 20 can be removed by etching using, for example, an etching solution having low solubility in copper and high solubility in chromium. More specific examples of such a solution include an aqueous potassium ferricyanide solution.

これにより、金属支持基板2の上のクロム薄膜20が、パラジウム触媒22とともに除去され、パラジウム触媒22は、導体パターン4の表面(上面および側面)にのみ付着する。
次いで、この方法では、図5(i)に示すように、パラジウム触媒22が付着する導体パターン4の表面に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層23を形成する。
As a result, the chromium thin film 20 on the metal support substrate 2 is removed together with the palladium catalyst 22, and the palladium catalyst 22 adheres only to the surface (upper surface and side surfaces) of the conductor pattern 4.
Next, in this method, as shown in FIG. 5 (i), a nickel plating layer 23 is formed by electroless nickel plating on the surface of the conductor pattern 4 to which the palladium catalyst 22 adheres.

この方法では、無電解ニッケルめっき層23は、例えば、ベース絶縁層3から露出する金属支持基板2の表面には形成されず、パラジウム触媒22が付着した導体パターン4(磁気ヘッド側接続端子部6および外部側接続端子部7を含む)の上面および側面のみを被覆するように、形成される。
この無電解ニッケルめっき層23は、硬質のニッケル薄膜として形成され、その厚みは、例えば、0.05〜0.2μmである。
In this method, for example, the electroless nickel plating layer 23 is not formed on the surface of the metal support substrate 2 exposed from the base insulating layer 3, but the conductor pattern 4 (magnetic head side connection terminal portion 6) to which the palladium catalyst 22 is attached. And the external connection terminal portion 7).
The electroless nickel plating layer 23 is formed as a hard nickel thin film, and the thickness thereof is, for example, 0.05 to 0.2 μm.

次いで、この方法では、図5(j)に示すように、ベース絶縁層3の上に、導体パターン4を被覆するようにカバー絶縁層5を形成するとともに、ベース絶縁層3から露出する金属支持基板2の上に、台座13を形成する。
より具体的には、この方法では、配線8を被覆し、磁気ヘッド側接続端子部6および外部側接続端子部7を露出するように、カバー絶縁層5形成し、それとともに、金属支持基板2の表面に、台座13を形成する。
Next, in this method, as shown in FIG. 5 (j), the insulating cover layer 5 is formed on the insulating base layer 3 so as to cover the conductive pattern 4, and the metal support exposed from the insulating insulating layer 3 is supported. A pedestal 13 is formed on the substrate 2.
More specifically, in this method, the insulating cover layer 5 is formed so as to cover the wiring 8 and expose the magnetic head side connection terminal portion 6 and the external side connection terminal portion 7, and the metal support substrate 2. A pedestal 13 is formed on the surface.

カバー絶縁層5および台座13を形成する絶縁材料は、ベース絶縁層3の絶縁材料と同様のものが挙げられる。
カバー絶縁層5および台座13を同時に形成するには、ベース絶縁層3、および、ベース絶縁層3から露出する金属支持基板2の全面に、例えば、感光性の合成樹脂の溶液(ワニス)を塗布し、その後、上記のベース絶縁層3の形成と同様の方法によって、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させる。なお、露光における積算露光量は、例えば、100〜2000mJ/cm、好ましくは、300〜1300mJ/cmである。
Examples of the insulating material for forming the insulating cover layer 5 and the pedestal 13 include the same insulating materials as those for the insulating base layer 3.
In order to form the insulating cover layer 5 and the base 13 simultaneously, for example, a photosensitive synthetic resin solution (varnish) is applied to the entire surface of the insulating base layer 3 and the metal supporting substrate 2 exposed from the insulating base layer 3. Then, after drying, exposure and development are performed by a method similar to the formation of the base insulating layer 3 described above, and curing is performed as necessary. In addition, the integrated exposure amount in exposure is 100-2000 mJ / cm < 2 >, for example, Preferably, it is 300-1300 mJ / cm < 2 >.

また、カバー絶縁層5および台座13の形成は、ベース絶縁層3の上面全面に、上記した合成樹脂の溶液(ワニス)を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、その後、エッチングなどにより上記したパターンに形成することもできる。
さらに、カバー絶縁層5および台座13の形成は、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、ベース絶縁層3の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
The insulating cover layer 5 and the pedestal 13 are formed by uniformly applying the above-described synthetic resin solution (varnish) to the entire upper surface of the insulating base layer 3, drying, and then heating as necessary. Then, it can be cured, and then formed into the above-described pattern by etching or the like.
Furthermore, the insulating cover layer 5 and the pedestal 13 are formed, for example, by previously forming a synthetic resin on a film having the above-described pattern, and attaching the film to the surface of the insulating base layer 3 via a known adhesive layer. You can also wear it.

このようにして形成されるカバー絶縁層5および台座13の厚みは、例えば、3〜8μm、好ましくは、4〜5μmである。
その後、図示しないが、カバー絶縁層5から露出する磁気ヘッド側接続端子部6および外部側接続端子部7の表面(上面)に形成されたニッケルめっき層23を、除去し、その後、磁気ヘッド側接続端子部6および外部側接続端子部7の表面(上面)に、例えば、電解金めっきにより、金属めっき層を形成する。
The insulating cover layer 5 and the pedestal 13 thus formed have a thickness of, for example, 3 to 8 μm, preferably 4 to 5 μm.
Thereafter, although not shown, the nickel plating layer 23 formed on the surface (upper surface) of the magnetic head side connection terminal portion 6 and the external side connection terminal portion 7 exposed from the insulating cover layer 5 is removed, and then the magnetic head side A metal plating layer is formed on the surfaces (upper surfaces) of the connection terminal portion 6 and the external connection terminal portion 7 by, for example, electrolytic gold plating.

ニッケルめっき層23は、例えば、硝酸過酸化水素混合液などをエッチング液として用いて、エッチングすることにより、除去することができる。
その後、必要により、金属支持基板2を所望の形状に外形加工する。
外形加工は、特に制限されず、例えば、金属支持基板2の表面(ベース絶縁層3、導体パターン4、カバー絶縁層5および台座13を含む)および裏面に、例えば、感光性ドライフィルムレジストを積層し、露光および現像して所定パターンとした後、そのドライフィルムレジストから露出する金属支持基板2を、例えば、塩化第二鉄、過酸化水素/硫酸混合液、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウムなどの酸性薬液などのエッチング液を用いてエッチングする。
The nickel plating layer 23 can be removed by etching using, for example, a nitric acid-hydrogen peroxide mixture or the like as an etching solution.
Thereafter, if necessary, the metal support substrate 2 is processed into a desired shape.
The outer shape processing is not particularly limited. For example, a photosensitive dry film resist is laminated on the front surface (including the base insulating layer 3, the conductor pattern 4, the cover insulating layer 5, and the pedestal 13) and the back surface of the metal support substrate 2, for example. Then, after exposing and developing to a predetermined pattern, the metal supporting substrate 2 exposed from the dry film resist is treated with an acid such as ferric chloride, hydrogen peroxide / sulfuric acid mixture, ammonium persulfate, sodium persulfate, etc. Etching is performed using an etching solution such as a chemical solution.

これにより、回路付サスペンション基板1を形成することができる。
なお、図示しないが、回路付サスペンション基板1において、そのインピーダンスを制御するために、例えば、ベース絶縁層3の下面の金属支持基板2を、部分的に除去し、開口部を形成することもできる。
金属支持基板2の開口部は、特に制限されず、例えば、上記金属支持基板2の外形加工とともに、同様の方法で形成することができる。
Thereby, the suspension board with circuit 1 can be formed.
Although not shown, in order to control the impedance of the suspension board with circuit 1, for example, the metal supporting board 2 on the lower surface of the base insulating layer 3 can be partially removed to form an opening. .
The opening part in particular of the metal support substrate 2 is not restrict | limited, For example, it can form with the same method with the external shape process of the said metal support substrate 2. FIG.

そして、このようにして得られた回路付サスペンション基板1には、図3に示すように、スライダー9(破線参照)を搭載する。スライダー9は、図示しないが、接合面12よりもやや大きいサイズの矩形平板形状に形成されており、その先端部には、磁気ヘッドが実装されている。
このようなスライダー9の搭載方法としては、公知の方法でよく、例えば、台座13の上面に接着剤を塗布した後、スライダー9を、その下面と台座13の上面とが接触するように、台座13に載置する。
Then, as shown in FIG. 3, a slider 9 (see the broken line) is mounted on the suspension board with circuit 1 thus obtained. Although not shown, the slider 9 is formed in a rectangular flat plate shape having a size slightly larger than the joining surface 12, and a magnetic head is mounted on the tip of the slider 9.
As a method for mounting the slider 9, a known method may be used. For example, after applying an adhesive to the upper surface of the pedestal 13, the slider 9 is placed on the pedestal so that the lower surface thereof is in contact with the upper surface of the pedestal 13. 13 is placed.

その後、はんだボール(図示せず)を、磁気ヘッドの接続端子(図示せず)と、端子部6(または端子部6の表面に形成される金属めっき層)との間に配置し、そのはんだボールを溶融後、固化させることにより、磁気ヘッドの接続端子(図示せず)と、端子部6とを電気的に接続する。
これにより、回路付サスペンション基板1に、スライダー9を搭載することができる。
Thereafter, a solder ball (not shown) is disposed between the connection terminal (not shown) of the magnetic head and the terminal portion 6 (or a metal plating layer formed on the surface of the terminal portion 6), and the solder After the ball is melted and solidified, the connection terminal (not shown) of the magnetic head and the terminal portion 6 are electrically connected.
Thereby, the slider 9 can be mounted on the suspension board with circuit 1.

そして、回路付サスペンション基板1の製造方法において、例えば、台座13と金属支持基板2との間にニッケルめっき層23が介在していると、ニッケルめっき層23をエッチングにより除去するときに、台座13の下のニッケルめっき層23が部分的に除去され(すなわち、台座13にアンダーカットが生じ)、これにより、台座13が金属支持基板2から剥離する場合がある。   In the method of manufacturing the suspension board with circuit 1, for example, if the nickel plating layer 23 is interposed between the pedestal 13 and the metal support substrate 2, the pedestal 13 is removed when the nickel plating layer 23 is removed by etching. The lower nickel plating layer 23 is partially removed (that is, an undercut occurs in the pedestal 13), which may cause the pedestal 13 to peel from the metal support substrate 2.

一方、このような回路付サスペンション基板1の製造方法によれば、ニッケルめっき層23が形成される前に、パラジウム触媒22が、金属支持基板2の表面からクロム薄膜20とともに除去されるため、ニッケルめっき層23は、金属支持基板2の表面には形成されず、導体パターン4の表面(上面および側面)にのみ形成される。
そのため、このような回路付サスペンション基板1の製造方法によれば、台座13と金属支持基板2との間にニッケルめっき層23が介在することが防止され、その結果、金属支持基板2から台座13が剥離することを、防止することができる。
On the other hand, according to the method for manufacturing the suspension board with circuit 1, the palladium catalyst 22 is removed from the surface of the metal supporting board 2 together with the chromium thin film 20 before the nickel plating layer 23 is formed. The plating layer 23 is not formed on the surface of the metal support substrate 2 but is formed only on the surface (upper surface and side surface) of the conductor pattern 4.
Therefore, according to the manufacturing method of the suspension board with circuit 1 as described above, the nickel plating layer 23 is prevented from intervening between the pedestal 13 and the metal support board 2, and as a result, the metal support board 2 to the pedestal 13. Can be prevented from peeling off.

また、このような回路付サスペンション基板1の製造方法によれば、台座13がカバー絶縁層5とともに形成されるため、台座13を薄く形成することができ、回路付サスペンション基板1の薄層化を図ることができる。   Further, according to the method of manufacturing the suspension board with circuit 1, since the pedestal 13 is formed together with the insulating cover layer 5, the pedestal 13 can be formed thin, and the suspension board with circuit 1 can be thinned. Can be planned.

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例
以下の方法により、ロール・トゥ・ロール法にて、回路付サスペンション基板を製造した。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to the examples and comparative examples.
Example A suspension board with circuit was manufactured by the following method by a roll-to-roll method.

すなわち、まず、幅300mm、厚さ18μm、長さ140mのロール形状のステンレス箔を用意し(図4(a)参照)、その上に、感光性ポリアミック酸溶液(JR−3380P、日東電工社製)を、25μmの厚みで塗布した後、150℃で加熱処理し、ポリイミド前駆体皮膜を得た。次いで、そのポリイミド前駆体皮膜に、フォトマスクを用いて、ベース絶縁層が形成される所定パターンで露光した。このとき、積算露光量は、1000mJ/cmとした。その後、ポリイミド前駆体皮膜を、有機溶媒現像液を用いて現像し、所定パターンとした後、370〜400℃にて硬化して、ステンレス箔の上に、部分的に厚み10μmのベース絶縁層を形成した(図4(b)参照)。 That is, first, a roll-shaped stainless steel foil having a width of 300 mm, a thickness of 18 μm, and a length of 140 m is prepared (see FIG. 4A), and a photosensitive polyamic acid solution (JR-3380P, manufactured by Nitto Denko Corporation) is prepared thereon. ) Was applied at a thickness of 25 μm and then heat-treated at 150 ° C. to obtain a polyimide precursor film. Next, the polyimide precursor film was exposed with a predetermined pattern on which a base insulating layer was formed using a photomask. At this time, the integrated exposure amount was set to 1000 mJ / cm 2 . Thereafter, the polyimide precursor film is developed using an organic solvent developer to form a predetermined pattern, and then cured at 370 to 400 ° C. to partially form a base insulating layer having a thickness of 10 μm on the stainless steel foil. It formed (refer FIG.4 (b)).

次いで、ベース絶縁層の上、および、ベース絶縁層から露出するステンレス箔の上に、スパッタリングにより、厚さ30nmのクロム薄膜を形成し(図4(c)参照)、その後、クロム薄膜の上に、スパッタリングにより、厚さ70nmの銅薄膜を形成した(図4(d)参照)。
次いで、感光性ドライフィルムレジスト(UFG255、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートし、フォトマスクを用いて、導体パターンが形成されるパターンと逆のパターンで露光した。このとき、積算露光量は、180mJ/cmとした。その後、25℃において、0.7重量%の炭酸ナトリウム水溶液にて感光性ドライフィルムレジストを現像し、導体パターンが形成されるパターンと逆のパターンのめっきレジストを形成した。
Next, a chromium thin film having a thickness of 30 nm is formed by sputtering on the base insulating layer and on the stainless steel foil exposed from the base insulating layer (see FIG. 4C), and then on the chromium thin film. A copper thin film having a thickness of 70 nm was formed by sputtering (see FIG. 4D).
Then, a photosensitive dry film resist (UFG255, manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.) was laminated, and exposed using a photomask in a pattern opposite to the pattern in which the conductor pattern was formed. At this time, the integrated exposure amount was 180 mJ / cm 2 . Thereafter, at 25 ° C., the photosensitive dry film resist was developed with a 0.7 wt% sodium carbonate aqueous solution to form a plating resist having a pattern opposite to the pattern on which the conductor pattern was formed.

次いで、めっきレジストから露出する銅薄膜の上に、電解銅めっきにより厚さ12μmの導体パターンを形成し、その後、めっきレジストを除去した(図4(e)参照)。
次いで、導体パターンから露出する銅薄膜を、硝酸過酸化水素混合液を用いて、エッチングにより除去した(図4(f)参照)。
次いで、塩化パラジウム水溶液に浸漬させ、導体パターンの表面、および、クロム薄膜の表面に、パラジウム触媒を付着させた(図5(g)参照)。
Next, a conductor pattern having a thickness of 12 μm was formed by electrolytic copper plating on the copper thin film exposed from the plating resist, and then the plating resist was removed (see FIG. 4E).
Next, the copper thin film exposed from the conductor pattern was removed by etching using a mixed solution of hydrogen nitrate and hydrogen peroxide (see FIG. 4F).
Subsequently, it was immersed in the palladium chloride aqueous solution, and the palladium catalyst was made to adhere to the surface of a conductor pattern, and the surface of a chromium thin film (refer FIG.5 (g)).

次いで、導体パターンから露出するクロム薄膜を、フェリシアン化カリウム水溶液を用いてエッチングし、その表面に付着するパラジウム触媒とともに除去した(図5(h)参照)。
次いで、無電解ニッケルめっき処理し、パラジウム触媒が付着する導体パターンの上面および側面に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層を形成した(図5(i)参照)。
Next, the chromium thin film exposed from the conductor pattern was etched using an aqueous potassium ferricyanide solution and removed together with the palladium catalyst adhering to the surface (see FIG. 5 (h)).
Next, an electroless nickel plating process was performed, and a nickel plating layer was formed by electroless nickel plating on the upper and side surfaces of the conductor pattern to which the palladium catalyst was adhered (see FIG. 5 (i)).

次いで、感光性ポリアミック酸溶液(JR−3380P、日東電工社製)を9μmの厚みで塗布した後、150℃で加熱処理し、ポリイミド前駆体皮膜を得た。次いで、そのポリイミド前駆体皮膜に、フォトマスクを用いて、カバー絶縁層および台座が形成される所定パターンで露光した。このとき、積算露光量は、1000mJ/cmとした。その後、ポリイミド前駆体皮膜を、有機溶媒現像液を用いて現像し、所定パターンとした後、370〜400℃にて硬化して、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するようにカバー絶縁層を形成するとともに、ベース絶縁層から露出するステンレス箔の上に、台座を形成した(図5(j)参照)。なお、カバー絶縁層および台座の厚みは、5μmであった。 Next, a photosensitive polyamic acid solution (JR-3380P, manufactured by Nitto Denko Corporation) was applied at a thickness of 9 μm, and then heat-treated at 150 ° C. to obtain a polyimide precursor film. Next, the polyimide precursor film was exposed with a predetermined pattern in which a cover insulating layer and a pedestal were formed using a photomask. At this time, the integrated exposure amount was set to 1000 mJ / cm 2 . Thereafter, the polyimide precursor film is developed using an organic solvent developer to form a predetermined pattern, and then cured at 370 to 400 ° C. to cover the base insulating layer so as to cover the conductor pattern. A layer was formed, and a pedestal was formed on the stainless steel foil exposed from the base insulating layer (see FIG. 5J). The cover insulating layer and the pedestal had a thickness of 5 μm.

次いで、カバー絶縁層から露出する導体パターン(磁気ヘッド側接続端子部の上面、および、外部側接続端子部の上面)に形成されたニッケルめっき層を、硝酸過酸化水素混合液を用いて、エッチングにより除去した。
次いで、ステンレス箔を外形加工するとともに、ベース絶縁層の下面側のステンレス箔に、インピーダンス制御用の開口部を形成した。すなわち、感光性ドライフィルムレジスト(AQ−4059、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートし、フォトマスクを用いて、所定パターンで露光した。このとき、積算露光量は、105mJ/cmとした。その後、25℃において、0.7重量%の炭酸ナトリウム水溶液にて感光性ドライフィルムレジストを現像し、所定パターンで、エッチングレジストを形成した。
Next, the nickel plating layer formed on the conductor pattern exposed from the insulating cover layer (the upper surface of the magnetic head side connection terminal portion and the upper surface of the external connection terminal portion) is etched using a hydrogen peroxide nitrate mixed solution. Removed.
Next, the stainless steel foil was trimmed and an impedance control opening was formed in the stainless steel foil on the lower surface side of the base insulating layer. That is, a photosensitive dry film resist (AQ-4059, manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.) was laminated and exposed with a predetermined pattern using a photomask. At this time, the integrated exposure amount was set to 105 mJ / cm 2 . Thereafter, at 25 ° C., the photosensitive dry film resist was developed with a 0.7 wt% sodium carbonate aqueous solution to form an etching resist in a predetermined pattern.

次いで、塩化第二鉄溶液を用いて、エッチングレジストから露出するステンレス箔をエッチングにより除去し、ステンレス箔を外形加工するとともに、そのステンレス箔に開口部を形成した後、エッチングレジストを剥離した。
その後、カバー絶縁層から露出する導体パターン(磁気ヘッド側接続端子部の上面、および、外部側接続端子部の上面)に、電解金めっきにより、金属めっき層を形成した。
Next, using a ferric chloride solution, the stainless steel foil exposed from the etching resist was removed by etching, the stainless steel foil was trimmed, and an opening was formed in the stainless steel foil, and then the etching resist was peeled off.
Thereafter, a metal plating layer was formed on the conductor pattern exposed from the insulating cover layer (the upper surface of the magnetic head side connection terminal portion and the upper surface of the external connection terminal portion) by electrolytic gold plating.

これにより、回路付サスペンション基板を得た。
得られた回路付サスペンション基板において、台座は、ステンレス箔に対する密着性に優れ、ステンレス箔から剥離しなかった。
比較例
クロム薄膜を除去する前に、パラジウム触媒が付着する導体パターンの上面および側面と、金属支持基板の表面とに、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層を形成した後、ニッケルめっき層から露出するクロム薄膜を、パラジウム触媒とともに除去した以外は、実施例と同様の操作により、回路付サスペンション基板を得た。
As a result, a suspension board with circuit was obtained.
In the obtained suspension board with circuit, the pedestal had excellent adhesion to the stainless steel foil, and did not peel from the stainless steel foil.
Comparative Example Before removing the chromium thin film, a nickel plating layer was formed by electroless nickel plating on the top and side surfaces of the conductor pattern to which the palladium catalyst adheres and the surface of the metal support substrate, and then exposed from the nickel plating layer. A suspension board with circuit was obtained by the same operation as in the example except that the chromium thin film to be removed was removed together with the palladium catalyst.

得られた回路付サスペンション基板において、台座は、ステンレス箔に対する密着性に劣り、ステンレス箔から剥離しやすかった。   In the obtained suspension board with circuit, the pedestal had poor adhesion to the stainless steel foil and was easy to peel from the stainless steel foil.

1 回路付サスペンション基板
2 金属支持基板
3 ベース絶縁層
4 導体パターン
5 カバー絶縁層
6 磁気ヘッド側接続端子部
7 外部側接続端子部
8 配線
9 スライダー
11 U字開口部
12 接合面
13 台座
20 クロム薄膜
21 銅薄膜
22 パラジウム触媒
23 ニッケルめっき層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Suspension board with a circuit 2 Metal support board 3 Base insulating layer 4 Conductive pattern 5 Cover insulating layer 6 Magnetic head side connection terminal part 7 External side connection terminal part 8 Wiring 9 Slider 11 U-shaped opening part 12 Joint surface 13 Base 20 Chrome thin film 21 Copper thin film 22 Palladium catalyst 23 Nickel plating layer

Claims (1)

金属支持基板を用意する工程と、
前記金属支持基板の上に、ベース絶縁層を部分的に形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上、および、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上に、クロム薄膜を形成する工程と、
前記クロム薄膜の上に、銅薄膜を形成する工程と、
前記銅薄膜の上に、導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンから露出する前記銅薄膜を除去する工程と、
前記導体パターンの表面、および、前記クロム薄膜の表面に、パラジウム触媒を付着させる工程と、
前記導体パターンから露出する前記クロム薄膜を、その表面に付着する前記パラジウム触媒とともに除去する工程と、
前記パラジウム触媒が付着する前記導体パターンの表面に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するようにカバー絶縁層を形成するとともに、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上に、追加絶縁層を形成する工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。

Preparing a metal support substrate;
Partially forming a base insulating layer on the metal support substrate;
Forming a chromium thin film on the base insulating layer and on the metal supporting substrate exposed from the base insulating layer;
Forming a copper thin film on the chromium thin film;
Forming a conductor pattern on the copper thin film;
Removing the copper thin film exposed from the conductor pattern;
Attaching a palladium catalyst to the surface of the conductor pattern and the surface of the chromium thin film;
Removing the chromium thin film exposed from the conductor pattern together with the palladium catalyst adhering to the surface thereof;
Forming a nickel plating layer by electroless nickel plating on the surface of the conductor pattern to which the palladium catalyst adheres;
Forming a cover insulating layer on the base insulating layer so as to cover the conductor pattern, and forming an additional insulating layer on the metal supporting substrate exposed from the base insulating layer. A method of manufacturing a printed circuit board.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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