JP2011095720A - 発光装置及びその駆動制御方法、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】画像データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作させることができる発光装置及びその駆動制御方法、並びに、該発光装置を適用した電子機器を提供する。
【解決手段】輝度補償データ取得動作において、データドライバ１４０は、測定用電圧ＶmeasをデータラインＬｄに印加し、データラインＬｄと接点Ｎ１２間に設けられるトランジスタＴｒ１２を導通させることにより、画素ＰＩＸに設けられた有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる電流Ｉmeasの電流値を電流計１４６ｃにより測定し、輝度補償データとしてメモリ１４８に記憶する。表示動作において、データドライバ１４０は、補正演算回路１４４においてメモリ１４８に記憶された輝度補償データに基づいて画像データＤ０〜Ｄｍを補正して、補正された階調電圧Ｖdataを生成し、データラインＬｄを介して画素ＰＩＸへ供給する。
【選択図】図４

Description

本発明は、発光装置及びその駆動制御方法、並びに電子機器に関し、特に、画像データに応じた電流を供給することにより所定の輝度階調で発光する電流駆動型の発光素子を有する画素を、複数配列した発光パネルを備えた発光装置及びその駆動制御方法、並びにこれを適用した電子機器に関する。

近年、液晶表示装置に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような電流駆動型（又は、電流制御型）の発光素子を、マトリクス状に配列した表示パネルを備えた発光素子型の表示装置（発光素子型ディスプレイ、発光装置）が注目されている。

特に、アクティブマトリックス型の駆動方式を適用した発光素子型ディスプレイは、液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さいという優れた表示特性を有している。また、発光素子型ディスプレイは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないという装置構成上の特長も有している。そのため、発光素子型ディスプレイは、今後様々な電子機器への適用が期待されている。

例えば、特許文献１に記載された有機ＥＬディスプレイ装置は、電圧信号によって電流制御されたアクティブマトリクス駆動表示装置である。この有機ＥＬディスプレイ装置においては、画像データに応じた電圧信号がゲートに印加されて有機ＥＬ素子に電流を流す電流制御用薄膜トランジスタと、この電流制御用薄膜トランジスタのゲートに画像データに応じた電圧信号を供給するためのスイッチングを行うスイッチ用薄膜トランジスタと、が画素ごとに設けられている。

特開平８−３３０６００号公報

このような有機ＥＬディスプレイ装置（発光素子型ディスプレイ）においては、発光素子である有機ＥＬ素子に発光特性の変化（経時劣化）が生じる場合がある。ここで、有機ＥＬ素子の発光特性の経時劣化は、有機ＥＬ素子の導通抵抗が変化して、有機ＥＬ素子の発光動作において有機ＥＬ素子に印加される電圧と有機ＥＬ素子に流れる電流との関係（Ｉ−Ｖ特性）を含む、有機ＥＬ素子の電気的特性が変化することに起因するものである。このような発光特性の経時劣化が生じると、画素に画像データに応じた電圧値の階調電圧を印加しても、所望の発光輝度が得られないという問題が生じる。なお、有機ＥＬ素子の発光特性の経時劣化については、後述する発明の実施形態において詳しく説明する。

そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、画像データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作させることができる発光装置及びその駆動制御方法、並びに、該発光装置を適用した電子機器を提供することを目的とする。

請求項１記載の発明は、発光装置であって、電源電圧が供給される電源ラインと、少なくとも一つの画素と、前記画素に接続されるデータラインと、を具備する発光パネルと、前記発光パネルに接続される駆動回路と、を備え、前記画素は、発光素子と、駆動トランジスタと、第１スイッチング素子と、を有し、前記駆動トランジスタは、一端側が前記発光素子に接続され、他端側が前記電源ラインに接続される電流路と、制御端子とを有し、前記第１スイッチング素子は、前記駆動トランジスタの前記電流路の一端側と前記発光素子との接続点と前記データラインとの間に設けられ、前記駆動回路は、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定した後、前記スイッチング素子を介して前記データラインと前記発光素子とを接続し、前記データラインと前記第１スイッチング素子とを介して、前記発光素子の電気的特性を取得する測定回路を有することを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記電源電圧を供給する電源回路を有し、前記駆動回路は、前記電源回路と前記電源ラインとの接続を遮断して、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定することを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記駆動回路は、前記電源電圧を、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態となる電圧値に設定するとともに、前記駆動トランジスタの前記制御端子に該駆動トランジスタをオフ状態とする所定のオフ電圧を印加して、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定することを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項３記載の発光装置において、前記画素は、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記データラインとの間に設けられる第２スイッチング素子と、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記電流路の一端側との間に設けられた保持容量を有し、前記駆動回路は、前記オフ電圧の印加に先立って、前記データライン、前記第１スイッチング素子、及び前記第２スイッチング素子を介して、前記保持容量の両端を同電位に近づけて、前記保持容量の蓄積電荷を放電させることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１記載の発光装置において、前記測定回路は、前記データラインに測定用電圧を印加する電圧印加回路と、前記データラインと前記第１スイッチング素子とを介して、前記測定用電圧の印加に応じて前記発光素子に流れる電流の電流値を取得する電流測定回路と、を有することを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項５記載の発光装置において、前記電圧印加回路は、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して順バイアスとなる電圧を印加することを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項５記載の発光装置において、前記電圧印加回路は、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して逆バイアスとなる電圧を印加することを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置において、前記駆動回路は、前記測定回路により取得された前記発光素子の前記電気的特性における電圧値又は電流値の少なくとも何れかの値を、輝度補償データとして記憶する記憶回路と、外部から供給される画像データを、前記記憶回路に記憶された前記輝度補償データに基づく補正量に応じて補正する補正演算回路と、を有していることを特徴とする。
請求項９記載の発明は、１乃至８のいずれかに記載の発光装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
請求項１０記載の発明に係る電子機器は、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする。

請求項１１記載の発明は、発光装置の駆動制御方法であって、電源電圧が供給される電源ラインと、データラインと、発光素子と、一端側が前記発光素子に接続され他端側が前記電源ラインに接続される電流路と、制御端子とを有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの前記電流路の一端側と前記発光素子との接続点と前記データラインとの間に設けられる第１スイッチング素子と、を有する少なくとも一つの画素と、を具備する発光装置を準備し、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定する遮断ステップと、前記遮断ステップを実行した後、前記第１スイッチング素子を介して、前記データラインと前記発光素子とを接続する接続ステップと、前記接続ステップにより、前記データラインと前記発光素子とを前記第１スイッチング素子を介して接続した状態で、前記データライン及び前記第１スイッチング素子を介して、前記発光素子の電気的特性を取得する特性測定ステップと、を含むことを特徴とする。

請求項１２記載の発明は、請求項１１記載の発光装置の駆動制御方法において、前記遮断ステップは、前記電源電圧を供給する電源回路と前記電源ラインとの接続を遮断して、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定する接続遮断ステップを含むことを特徴とする。
請求項１３記載の発明は、請求項１１記載の発光装置の駆動制御方法において、前記遮断ステップは、前記電源電圧を、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態となる電圧値に設定する電源電圧設定ステップと、前記駆動トランジスタの前記制御端子に、該駆動トランジスタをオフ状態とする所定のオフ電圧を印加して、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定するオフ電圧印加ステップと、を含むことを特徴とする。
請求項１４記載の発明は、請求項１３記載の発光装置の駆動制御方法において、前記画素は、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記データラインとの間に設けられる第２スイッチング素子と、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記電流路の一端側との間に設けられた保持容量と、を有し、前記オフ電圧印加ステップに先立って、前記データライン、前記第１スイッチング素子、及び前記第２スイッチング素子を介して、前記保持容量の両端を同電位に近づけて、前記保持容量の蓄積電荷を放電させる初期化ステップを実行することを特徴とする。
請求項１５記載の発明は、請求項１１乃至１４のいずれかに記載の発光装置の駆動制御方法において、前記特性測定ステップにより取得された前記発光素子の前記電気的特性における電圧値又は電流値の少なくとも何れかの値を、輝度補償データとして記憶回路に格納する補償データ格納ステップと、外部から供給される画像データを、前記記憶回路に格納された前記輝度補償データに基づいて補正する補正ステップと、をさらに含むことを特徴とする。
請求項１６記載の発明は、請求項１１記載の発光装置の駆動制御方法において、前記特性測定ステップは、前記データラインに測定用電圧を印加する電圧印加ステップと、前記データラインと前記第１スイッチング素子とを介して、前記測定用電圧の印加に応じて前記発光素子に流れる電流の電流値を測定する電流測定ステップと、を含むことを特徴とする。
請求項１７記載の発明は、請求項１６記載の発光装置の駆動制御方法において、前記電圧印加ステップは、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して順バイアスとなる電圧を印加することを特徴とする。
請求項１８記載の発明は、請求項１６記載の発光装置の駆動制御方法において、前記電圧印加ステップは、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して逆バイアスとなる電圧を印加することを特徴とする。
請求項１９記載の発明は、請求項１８記載の発光装置の駆動制御方法において、前記特性測定ステップは、前記電圧印加ステップにより、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して逆バイアスとなる電圧を印加したときに、前記電流測定ステップにより測定された前記電流値に基づいて、前記発光素子を有する前記画素が欠陥画素であるか否か判定する画素欠陥判定ステップを、さらに含むことを特徴とする。

本発明に係る発光装置及びその駆動制御方法によれば、画像データに応じた適切な輝度階調で発光素子を発光動作することができ、良好かつ均質な画質を実現することができる。

本発明に係る発光装置を表示装置に適用した場合の全体構成の一例を示す概略ブロック図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路の一例を示す要部構成図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバの一例を示す概略ブロック図である。 第１の実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバの出力回路周辺の一例を示す要部構成図である。 第１の実施形態に係る表示パネルに適用される画素の一実施形態を示す回路構成図である。 第１の実施形態に係る表示装置における輝度補償データ取得動作を示すタイミングチャートである。 第１の実施形態に係る表示装置における初期化動作を示す動作概念図である。 第１の実施形態に係る表示装置におけるオフ電圧印加動作を示す動作概念図である。 第１の実施形態に係る表示装置における電流測定動作を示す動作概念図である。 有機ＥＬ素子の電気的特性の変動について説明するための図である。 第１の実施形態に係る輝度補償データ取得動作を、画素が２次元配列された表示パネルに適用した場合のタイミングチャートである。 第１の実施形態に係る表示装置における表示動作を示すタイミングチャートである。 第１の実施形態に係る表示装置におけるリセット動作を示す動作概念図である。 第１の実施形態に係る表示装置における階調電圧書込動作を示す動作概念図である。 第１の実施形態に係る表示装置における発光動作を示す動作概念図である。 第１の実施形態に係る表示動作を、画素が２次元配列された表示パネルに適用した場合のタイミングチャートである。 第１の実施形態に係る表示装置における画素欠陥検出動作を示すタイミングチャートである。 第１の実施形態に係る画素欠陥検出動作におけるオフ電圧印加動作を示す動作概念図である。 第１の実施形態に係る画素欠陥検出動作における電流測定動作を示す動作概念図である。 第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（駆動回路）の一例を示す要部構成図である。 第２の実施形態に適用されるデータドライバの一例を示す要部構成図である。 第２の実施形態に係る表示パネルに適用される画素の一実施形態を示す回路構成図である。 第２の実施形態に係る表示装置における輝度補償データ取得動作を示すタイミングチャートである。 第２の実施形態に係る表示装置における初期化動作を示す動作概念図である。 第２の実施形態に係る表示装置におけるオフ電圧印加動作を示す動作概念図である。 第２の実施形態に係る表示装置における電流測定動作を示す動作概念図である。 第２の実施形態に係る輝度補償データ取得動作を、画素が２次元配列された表示パネルに適用した場合のタイミングチャートである。 第２の実施形態に係る表示装置における表示動作を示すタイミングチャートである。 第２の実施形態に係る表示装置におけるリセット動作を示す動作概念図である。 第２の実施形態に係る表示装置における階調電圧書込動作を示す動作概念図である。 第２の実施形態に係る表示装置における発光動作を示す動作概念図である。 第２の実施形態に係る表示動作を、画素が２次元配列された表示パネルに適用した場合のタイミングチャートである。 第２の実施形態に係る表示装置における画素欠陥検出動作を示すタイミングチャートである。 第２の実施形態に係る画素欠陥検出動作におけるオフ電圧印加動作を示す動作概念図である。 第２の実施形態に係る画素欠陥検出動作における電流測定動作を示す動作概念図である。 第３の実施形態に係わるデジタルカメラの構成を示す斜視図である。 第３の実施形態に係わるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 第３の実施形態に係わる携帯電話機の構成を示す図である。

以下、本発明に係る発光装置及びその駆動制御方法について、実施形態を示して詳しく説明する。なお、本実施形態では、発光装置を表示装置として説明する。
＜第１の実施形態＞
（発光装置）
まず、本発明に係る発光装置を表示装置に適用した場合の概略構成について、図面を参照して説明する。

図１は、本発明に係る発光装置を表示装置に適用した場合の全体構成の一例を示す概略ブロック図である。また、図２は、第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル（発光パネル）及びその周辺回路（駆動回路）の一例を示す要部構成図である。

図１に示すように、本実施形態に係る表示装置１００（発光装置）は、概略、表示パネル１１０（発光パネル）と、選択ドライバ１２０と、電源ドライバ１３０と、データドライバ１４０と、システムコントローラ１５０と、表示信号生成回路１６０と、を備えている。ここで、選択ドライバ１２０、電源ドライバ１３０、データドライバ１４０、システムコントローラ１５０、及び、表示信号生成回路１６０は、本発明における駆動回路を構成する。

表示パネル１１０には、図２に示すように、複数の画素ＰＩＸと、複数の選択ラインＬs1〜Ｌsnと、電源ラインＬａと、共通電極Ｅｃと、複数のデータラインＬｄと、が設けられている。

複数の画素ＰＩＸは、表示パネル１１０の行方向（図面左右方向）及び列方向（図面上下方向）に２次元配列（例えばｎ／２行×ｍ列；ｎは偶数となる正の整数、ｍは正の整数）されている。また、複数の選択ラインＬs1〜Ｌsnの各々は、表示パネル１１０の行方向に配列された複数の画素ＰＩＸに接続されるように配設されている。電源ラインＬａは、表示パネル１１０の全画素ＰＩＸに共通に接続するように配設されている。共通電極Ｅａは、表示パネル１１０の全画素ＰＩＸに共通に接続するように設けられており、例えば単一の電極層（ベタ電極）からなっている。複数のデータラインＬｄの各々は、表示パネル１１０の列方向に配列された複数の画素ＰＩＸに接続されるように配設されている。

ここで、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、各行の画素ＰＩＸに、各々一対の選択ラインＬs1及びＬs2、Ｌs3及びＬs4、・・・Ｌsn-1及びＬsnが接続されている。また、各画素ＰＩＸは、後述するように、画素駆動回路と発光素子とを有している。

選択ドライバ１２０は、上記の表示パネル１１０に配設された各選択ラインＬs1〜Ｌsnに接続されている。選択ドライバ１２０は、各行の一対の選択ラインＬs1及びＬs2、Ｌs3及びＬs4、・・・Ｌsn-1及びＬsnごとに、所定のタイミングで所定の電圧レベルの選択信号Ｖse1及びＶse2、Ｖse3及びＶse4、・・・Ｖsen-1及びＶsenを順次印加する。

ここで、選択ドライバ１２０は、例えば図２に示すように、シフトレジスタ１２１と、出力回路１２２と、を備えている。シフトレジスタ１２１は、後述するシステムコントローラ１５０から供給される選択制御信号（例えば走査クロック信号及び走査スタート信号）に基づいて、各行の選択ラインＬs1〜Ｌsnに対応するシフト信号を順次出力する。出力回路１２２は、上記シフトレジスタ１２１から出力されるシフト信号を所定の信号レベル（選択レベル；例えばハイレベル）に変換する。そして、出力回路１２２は、システムコントローラ１５０から供給される選択制御信号（例えば出力制御信号）に基づいて、各選択ラインＬs1〜Ｌsnに、上記変換されたシフト信号を選択信号Ｖse1〜Ｖsenとして出力する。

電源ドライバ１３０は、表示パネル１１０の各画素ＰＩＸに共通に接続された個別の電源ラインＬａ、及び、共通電極Ｅｃに接続されている。電源ドライバ１３０は、各電源ラインＬａ及び共通電極Ｅｃに対して、所定のタイミングで所定の電源電圧Ｖsa、Ｖｃを個別に印加する。

ここで、電源ドライバ１３０は、例えば図２に示すように、システムコントローラ１５０から供給される電源制御信号（例えば出力制御信号）に基づいて、上記の選択信号Ｖse1〜Ｖsenの印加タイミングに同期して、各電源ラインＬａに所定の信号レベルの電源電圧Ｖsaを供給する電源回路１３１及び共通電極Ｅｃに所定の信号レベルの電源電圧Ｖｃを供給する電源回路１３２を備えている。

データドライバ１４０は、表示パネル１１０の各データラインＬｄに接続されている。データドライバ１４０は、少なくとも表示動作時には、画像データに応じた階調信号（階調電圧Ｖdata）を生成して、各データラインＬｄを介して画素ＰＩＸへ供給する。

また、データドライバ１４０は、後述する輝度補償データ取得動作時には、特定の電圧値の参照電圧Ｖmeasを各データラインＬｄに印加する。そして、当該参照電圧Ｖmeasに対応して各画素ＰＩＸ（具体的には発光素子）に流れる電流Ｉmeasの電流値を測定して、輝度補償データとして取得する。そして、データドライバ１４０は、当該印加した参照電圧Ｖmeasの電圧値、及び、測定された電流Ｉmeasの電流値と、所定の基準値と、に基づいて、各発光素子の発光特性の変化量を取得する。データドライバ１４０は、表示動作時に、画像データに応じ、かつ、取得した各発光素子の発光特性の変化量（輝度補償データ）に基づいて、発光特性の変化を補償するように電圧値を補正した階調電圧Ｖdataを、各データラインＬｄを介して各画素ＰＩＸへ供給する。

図３は、本実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバの一例を示す概略ブロック図である。また、図４は、図３に示したデータドライバの出力回路周辺の一例を示す要部構成図である。ここで、図４おいては、図３に示したシフトレジスタ回路、データレジスタ回路及びデータラッチ回路を省略して、データドライバ１４０の図示を簡略化して示している。

データドライバ１４０は、例えば図３、図４に示すように、シフトレジスタ回路１４１と、データレジスタ回路１４２と、データラッチ回路１４３と、補正演算回路１４４と、Ｄ／Ａコンバータ１４５（電圧印加回路）と、出力回路１４６（電流測定回路）と、Ａ／Ｄコンバータ１４７と、メモリ１４８（記憶回路）と、ＬＵＴ（基準値記憶回路）１４９と、を備えている。

シフトレジスタ回路１４１は、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号（シフトクロック信号ＣＬＫ、サンプリングスタート信号ＳＴＲ）に基づいて、順次シフト信号を出力する。データレジスタ回路１４２は、該シフト信号の入力タイミングに基づいて、表示信号生成回路１６０から供給される１行分の画像データＤ０〜Ｄｍを順次取り込む。データラッチ回路１４３は、データ制御信号（データラッチ信号ＳＴＢ）に基づいて、データレジスタ回路１４２に取り込まれた１行分の画像データＤ０〜Ｄｍを保持する。

補正演算回路１４４は、後述する輝度補償データ取得動作により予め抽出した、各画素ＰＩＸ（発光素子）の発光特性の変動量に応じた輝度補償データに基づいて、データレジスタ回路１４２に保持された各画像データＤ０〜Ｄｍを補正する。Ｄ／Ａコンバータ１４５は、図示を省略した電源供給手段から供給される階調基準電圧Ｖ０〜ＶＰに基づいて、画像データＤ０〜Ｄｍ、又は、上記補正された画像データＤ０〜Ｄｍ（以下、便宜的に「補正画像データＤ０´〜Ｄｍ´」と記す）を、所定のアナログ信号電圧Ｖpixに変換する。出力回路１４６は、アナログ信号電圧に変換された画像データＤ０〜Ｄｍ、又は、補正画像データＤ０´〜Ｄｍ´を所定の信号レベルの階調電圧Ｖdataに変換して、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号（出力切換・イネ−ブル信号ＯＥ）に基づいて、各列のデータラインＬｄに一斉に出力する。

特に、本実施形態に適用されるデータドライバ１４０においては、図４に示すように、出力回路１４６に、切換スイッチ１４６ａと、フォロワアンプ１４６ｂと、電流計１４６ｃと、切換スイッチ１４６ｄと、を有している。

切換スイッチ１４６ａは、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号に基づいて、各列のデータラインＬｄを接点Ｎａ、Ｎｂ、Ｎｃのいずれかに選択的に接続する。接点Ｎａは、フォロワアンプ１４６ｂを介してＤ／Ａコンバータ１４５に接続されている。また、接点Ｎｂは、切換スイッチ１４６ｄに接続されている。接点Ｎｃは、電流計１４６ｃを介して切換スイッチ１４６ｄに接続されている。

フォロワアンプ１４６ｂは、Ｄ／Ａコンバータ１４５の出力に対するバッファ回路として動作する。これにより、Ｄ／Ａコンバータ１４５から出力される画像データＤ０〜Ｄｍ（又は、補正画像データＤ０´〜Ｄｍ´）に応じたアナログ信号電圧Ｖpixが、フォロワアンプ１４６ｂにより階調電圧Ｖdataに変換され、上記切換スイッチ１４６ａを介して各データラインＬｄに印加される。

電流計１４６ｃは、後述する輝度補償データ取得動作において、各データラインＬｄに当該電流計１４６ｃを介して所定の参照電圧Ｖmeasを印加したときに、各画素ＰＩＸの発光素子（後述する有機ＥＬ素子）に流れる電流Ｉmeasの電流値を検出する。

切換スイッチ１４６ｄは、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号に基づいて、各列のデータラインＬｄを直接的に、又は、電流計１４６ｃを介して間接的に、接点Ｎｍ、Ｎｇのいずれかに選択的に接続する。接点Ｎｍは、図示を省略した電源から所定の電圧値の参照電圧Ｖmeasが印加されている。また、接点Ｎｇは、接地電位ＧＮＤに設定されている。

これにより、データドライバ１４０（出力回路１４６）は、表示パネル１１０に配列された画素ＰＩＸを初期化又はリセットする際には、切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｂに接続するとともに、切換スイッチ１４６ｄを接点Ｎｇに接続することにより、データラインＬｄを接地電位ＧＮＤに設定する。また、データドライバ１４０（出力回路１４６）は、各画素ＰＩＸに画像データを書込む際には、切換スイッチ１４６ａを接点Ｎａに接続することにより、データラインＬｄに画像データに応じた階調電圧Ｖdataを印加する。また、データドライバ１４０（出力回路１４６）は、各画素ＰＩＸの発光特性を補償するための輝度補償データを取得する際には、切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｃに接続するとともに、切換スイッチ１４６ｄを接点Ｎｍに接続することにより、データラインＬｄに流れる電流Ｉmeasの電流値を電流計１４６ｃにより測定する。

ここで、詳しくは後述するが、輝度補償データ取得動作時には、上記のデータラインＬｄに流れる電流Ｉmeasの電流値を電流計１４６ｃにより測定する動作に先立って、データラインＬｄに特定のオフ電圧Ｖoffを印加する動作を実行する。このオフ電圧Ｖoffは、上記のデータドライバ１４０の構成において、例えば、画像データＤ０〜Ｄｍに替えてオフ電圧用データを、データレジスタ回路１４２を介して取り込み、Ｄ／Ａコンバータ１４５に供給することにより生成され、出力回路１４６から所定のタイミングで各データラインＬｄに供給される。このとき、切換スイッチ１４６ａは接点Ｎａに接続される。

なお、オフ電圧Ｖoffを生成、供給する手法は、上記のデータドライバ１４０にオフ電圧用データを供給する手法に限定されない。例えば、オフ電圧Ｖoffを生成、供給する手法は、出力回路１４６又はデータドライバ１４０の外部に図示を省略した定電圧源（電圧生成回路）を備えた構成を適用することができる。これにより、輝度補償データ取得動作時の所定のタイミングで、当該定電圧源から特定の電圧値のオフ電圧Ｖoffを各データラインＬｄに供給することができる。

Ａ／Ｄコンバータ１４７は、輝度補償データ取得動作時に電流計１４６ｃにより検出されたアナログ値からなる電流Ｉmeasの電流値をデジタル値に変換する。ここで、デジタル変換された電流Ｉmeasの電流値は、各画素ＰＩＸの発光特性（具体的には発光素子の発光輝度に関わる電流−電圧特性）を補償するための輝度補償データに相当する。

メモリ１４８は、Ａ／Ｄコンバータ１４７によりデジタル値に変換された電流Ｉmeasの電流値を、各画素ＰＩＸに対応して輝度補償データとして記憶（格納）する。ＬＵＴ１４９は、輝度補償データ取得動作時において、各発光素子の発光特性の変動量を抽出するための基準値を記憶しているルックアップテーブルである。この基準値は、例えば、各発光素子が初期特性を有しているときに電流計１４６ｃにより検出される、電流Ｉmeasの初期値、あるいは、電流Ｉmeasの設計値である。補正演算回路１４４は、メモリ１４８に記憶された輝度補償データと、ＬＵＴ１４９に記憶された基準値との、例えば差分に基づいて、各発光素子の発光特性の変動量を抽出し、この各発光素子の発光特性の変動量を補償するのに必要な補正量を抽出する。これにより、画像データに応じた輝度階調で各画素ＰＩＸ（発光素子）を発光動作させる表示動作時に、補正演算回路１４４において、メモリ１４８から読み出した各画素ＰＩＸの輝度補償データと、ＬＵＴ１４９に記憶された基準値と、に基づいて各発光素子の発光特性の変化量を取得し、この変化量を補償するのに必要な補正量を抽出し、抽出した補正量に応じて画像データＤ０〜Ｄｍを補正する。なお、本実施形態においては、図４に示すように、メモリ１４８がデータドライバ１４０内に設けられた構成を示したが、本発明はこのような構成に限定されるものではなく、メモリ１４８がデータドライバ１４０とは独立した別個の構成として設けられるものであってもよい。ＬＵＴ１４９についても、図４に示すように、データドライバ１４０内に設けられる構成を示したが、このような構成に限定されるものではなく、データドライバ１４０とは独立した別個の構成として設けられるものであってもよい。

システムコントローラ１５０は、後述する表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、少なくとも上記選択ドライバ１２０、電源ドライバ１３０及びデータドライバ１４０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の駆動制御動作を実行するための選択制御信号、電源制御信号及びデータ制御信号を生成して出力する。

特に、本実施形態においては、システムコントローラ１５０は、選択ドライバ１２０、電源ドライバ１３０及びデータドライバ１４０の各々に対して、選択制御信号、電源制御信号及びデータ制御信号を供給する。これにより、各ドライバを所定のタイミングで動作させ、選択ドライバ１２０より所定の電圧レベルの選択信号Ｖse1〜Ｖsenを生成して出力させる。また、電源ドライバ１３０より電源電圧Ｖsa、Ｖｃを生成して出力させ、データドライバ１４０より輝度補償データ取得用の参照電圧Ｖmeas、オフ電圧Ｖoff、画像データに応じた階調電圧Ｖdataを生成して出力させる。これにより、システムコントローラ１５０は、各画素ＰＩＸにおける駆動制御動作（後述する輝度補償データ取得動作、及び、表示動作）を連続的に実行させて、映像信号に基づく所定の画像情報を表示パネル１１０に表示させる制御を行う。

表示信号生成回路１６０は、例えば、表示装置１００の外部から供給される映像信号に基づいて、画像データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１４０に供給するとともに、該画像データに基づいて表示パネル１１０に所定の画像情報を表示するためのタイミング信号（システムクロック等）を抽出、又は、生成してシステムコントローラ１５０に供給する。

表示信号生成回路１６０は、具体的には、映像信号から輝度階調信号成分を抽出し、表示パネル１１０の１行分ごとに、該輝度階調信号成分をデジタル信号からなる画像データ（輝度階調データ）としてデータドライバ１４０のデータレジスタ回路１４２に供給する。ここで、上記映像信号が、テレビ放送信号（コンポジット映像信号）のように、画像情報の表示タイミングを規定するタイミング信号成分を含む場合には、表示信号生成回路１６０は、上記輝度階調信号成分を抽出する機能のほか、タイミング信号成分を抽出してシステムコントローラ１５０に供給する機能を有するものであってもよい。この場合においては、上記システムコントローラ１５０は、表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、選択ドライバ１２０や電源ドライバ１３０、データドライバ１４０に対して個別に供給する各制御信号を生成する。

（画素）
次に、本実施形態に係る表示パネルに配列される画素について具体的に説明する。
図５は、本実施形態に係る表示パネルに適用される画素（画素駆動回路及び発光素子）の一実施形態を示す回路構成図である。

本実施形態に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、図５に示すように、画素駆動回路ＤＣと、有機ＥＬ素子（電流駆動型の発光素子）ＯＥＬと、を備えている。画素駆動回路ＤＣは、少なくとも、選択ドライバ１２０から選択ラインＬsea（Ｌs1、Ｌs3、・・・Ｌsn-1）を介して印加される選択信号Ｖsea（Ｖse1、Ｖse3、・・・Ｖsen-1）、及び、選択ラインＬseb（Ｌs2、Ｌs4、・・・Ｌsn）を介して印加される選択信号Ｖseb（Ｖse2、Ｖse4、・・・Ｖsen）に基づいて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。画素駆動回路ＤＣは、この選択状態においてデータドライバ１４０からデータラインＬｄを介して供給される階調電圧Ｖdataに応じた発光駆動電流を生成する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、上記画素駆動回路ＤＣにより生成される発光駆動電流に基づいて、所定の輝度階調で発光動作する。

図５に示す画素駆動回路ＤＣは、具体的には、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３と、キャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３はゲート端子、ドレイン端子及びソース端子を有し、ドレイン端子とソース端子間に形成される電流路を有するものである。トランジスタＴｒ１１（第２スイッチング素子）は、ゲート端子が選択ラインＬsea（Ｌs1、Ｌs3、・・・Ｌsn-1）に接続され、また、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、また、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタＴｒ１２（第１スイッチング素子）は、ゲート端子が選択ラインＬseb（Ｌs2、Ｌs4、・・・Ｌsn）に接続され、また、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、また、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。トランジスタＴｒ１３（駆動トランジスタ）は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。また、キャパシタＣｓ（保持容量）は、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されて設けられている。

すなわち、本実施形態においては、１個の画素ＰＩＸに対して、一対（２本）の選択ラインＬsea及びＬsebが接続されている。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード（アノード電極）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード（カソード電極）が共通電極Ｅｃに接続されている。

なお、図５に示した画素ＰＩＸにおいて、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３については、特に限定するものではないが、例えば全て同一のチャネル型を有する周知の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を適用することができる。図５においては、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３がｎチャネル型の薄膜トランジスタからなる場合を示す。また、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタであってもよく、多結晶（ポリ）シリコン薄膜トランジスタであってもよい。

特に、上記トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３をｎチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタにより構成した場合には、すでに確立されたアモルファスシリコン製造技術を適用して、多結晶型や単結晶型の薄膜トランジスタに比較して、簡易な製造プロセスで動作特性（電子移動度等）が均一で安定したトランジスタを実現することができる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１３のゲート・ソース間に形成される寄生容量であってもよいし、当該寄生容量に加えて別個の容量素子を並列に接続したものであってもよい。

また、上述した画素ＰＩＸにおいては、画素駆動回路ＤＣとして３個のトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３を備えた回路構成を示したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、３個以上のトランジスタを備えた他の回路構成を有するものであってもよい。また、画素駆動回路ＤＣにより発光駆動される発光素子として有機ＥＬ素子ＯＥＬを適用した回路構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電流駆動型の発光素子であれば、例えば、発光ダイオード等の他の発光素子であってもよい。

（発光装置の駆動制御方法）
次に、本実施形態に係る表示装置における駆動制御方法について説明する。
本実施形態に係る表示装置１００の駆動制御動作は、少なくとも、輝度補償データ取得動作と表示動作とを有している。

輝度補償データ取得動作においては、表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸにおける発光特性の変化を補償するためのパラメータが取得される。より具体的には、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬの発光輝度に関わる電流−電圧特性の、経時的な変化（経時劣化）の度合い（変化量）を抽出するパラメータとして、特定の電圧（参照電圧Ｖmeas）を印加した場合に有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる電流（電流Ｉmeas）の電流値を測定して、輝度補償データとして取得する動作が実行される。

表示動作においては、上述した輝度補償データ取得動作において各画素ＰＩＸに対応して取得した輝度補償データに基づく補正量を抽出し、抽出した補正量に応じて画像データＤ０〜Ｄｍが補正され、この補正画像データＤ０´〜Ｄｍ´に応じた階調電圧Ｖdataが各画素ＰＩＸに書き込まれる。これにより、各画素ＰＩＸにおける発光特性の変動（有機ＥＬ素子ＯＥＬの電流−電圧特性の変動）を補償した電流値の発光駆動電流が有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給され、画像データに応じた輝度階調で発光する動作が実行される。

以下、各動作について具体的に説明する。
（輝度補償データ取得動作）
図６は、本実施形態に係る表示装置における輝度補償データ取得動作を示すタイミングチャートである。図７は、本実施形態に係る表示装置における初期化動作を示す動作概念図である。図８は、本実施形態に係る表示装置におけるオフ電圧印加動作を示す動作概念図である。図９は、本実施形態に係る表示装置における電流測定動作を示す動作概念図である。ここで、図７〜図９においては、データドライバ１４０の構成として、図示の都合上、Ｄ／Ａコンバータ１４５と出力回路１４６のみを示す。なお、出力回路１４６において、切換スイッチ１４６ｄを省略し、切換接続により供給される電圧のみを示している。

本実施形態に係る輝度補償データ取得動作は、図６（ａ）に示す、所定の輝度補償データ取得期間Ｔivを有して実行される。輝度補償データ取得期間Ｔivは、初期化期間Ｔiniと、Ｖoff書込期間Ｔwofと、電流測定期間Ｔrimと、を含んでいる。初期化期間Ｔiniにおいては、データラインＬｄ及び画素ＰＩＸに残留又は保持された電荷が放出されて、画素ＰＩＸが初期化される。Ｖoff書込期間Ｔwofにおいては、画素ＰＩＸにオフ電圧Ｖoffが書き込まれる。また、電流測定期間Ｔrimにおいては、データラインＬｄに参照電圧Ｖmeasを印加することにより画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）に流れる電流Ｉmeasが測定される。

まず、初期化期間Ｔiniにおいては、図６（ａ）、図７に示すように、システムコントローラ１５０から供給される選択制御信号に基づいて、選択ドライバ１２０が画素ＰＩＸに接続された選択ラインＬsea及びＬsebに対して、各々ハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖsea及びＶsebを印加する。また、システムコントローラ１５０から供給される電源制御信号に基づいて、電源ドライバ１３０（電源回路１３１、１３２）が電源ラインＬａ及び共通電極Ｅｃに対して、各々ローレベル（例えば接地電位ＧＮＤ）の電源電圧Ｖsa及びＶｃを印加する。また、このタイミングに同期して、図６（ａ）、図７に示すように、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号に基づいて、データドライバ１４０が出力回路１４６に設けられた切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｂに切換接続するとともに、切換スイッチ１４６ｄを接点Ｎｇに切換接続することにより、データラインＬｄを接地電位ＧＮＤ（初期化電圧）に設定する。

これにより、図７に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がオン動作して、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２；有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード）が接地電位ＧＮＤに設定されるとともに、トランジスタＴｒ１３のドレイン端子及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードも接地電位ＧＮＤに設定される。

これにより、トランジスタＴｒ１３のゲート・ソース間に接続されたキャパシタＣｓに蓄積された電荷や、データラインＬｄに残留する電荷が放電されて画素ＰＩＸ及びデータラインＬｄが初期化される（初期化ステップ）。なお、このとき、トランジスタＴｒ１３はオフ状態となり、また、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、発光動作しない。

なお、図６（ａ）に示した初期化期間Ｔiniにより、トランジスタＴｒ１２をオン動作して、トランジスタＴｒ１３のソース端子の電位を接地電位ＧＮＤに設定する動作は、必ず必要な必須の動作ではない。すなわち、この動作を行わなくても、殆どの場合には、問題なく画素ＰＩＸを初期化することができる。したがって、輝度補償データ取得期間Ｔivにおいて、例えば図６（ｂ）に示すタイミングチャートのように、初期化期間Ｔiniを設けず、初期化動作を行わないようにしてもよい。しかしながら、トランジスタＴｒ１２をオン動作してトランジスタＴｒ１３のソース端子の電位を接地電位ＧＮＤに設定することにより、キャパシタＣｓに蓄積された電荷を確実に放電して、画素ＰＩＸを確実に初期化することができるので、この初期化動作を行うことが好ましい。

次に、Ｖoff書込期間Ｔwofにおいては、図６（ａ）、図８に示すように、電源制御信号に基づいて、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａにローレベルの電源電圧Ｖsa（例えば接地電位ＧＮＤ以下の電圧Ｖano）を印加するとともに、共通電極Ｅｃにローレベルの電源電圧Ｖｃ（例えば接地電位ＧＮＤ）を印加する。また、選択制御信号に基づいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、このタイミングに同期して、図６（ａ）、図８に示すように、データ制御信号に基づいて、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎａに切換接続することにより、データラインＬｄに対して特定の電圧値のオフ電圧Ｖoffを印加する（オフ電圧印加ステップ）。

ここで、オフ電圧Ｖoffは、画素ＰＩＸに設けられた画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１３を十分にオフ状態とすることができる電圧値に設定される。具体的には、データドライバ１４０からデータラインＬｄを介して、画素ＰＩＸのトランジスタＴｒ１３のゲート電極（接点Ｎ１１）に印加されるオフ電圧Ｖoffは、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード側（接点Ｎ１２）の電圧よりも十分低い電圧値、例えば接地電位ＧＮＤよりも低い電位の負の電圧値に設定される。このオフ電圧Ｖoffは、例えば図３に示したデータドライバ１４０に対して、画像データＤ０〜Ｄｍに替えて、オフ電圧用データをデータレジスタ回路１４２に供給することにより、Ｄ／Ａコンバータ１４５及びフォロワアンプ１４６ｂによって生成される。

これにより、図８に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１１がオン動作して、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）にオフ電圧Ｖoffが印加される。また、トランジスタＴｒ１２がオフ動作して、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２）の電位（ＧＮＤ）が保持される。また、トランジスタＴｒ１３のドレイン端子は電圧Ｖanoによって接地電位ＧＮＤ以下に設定され、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードは接地電位ＧＮＤに設定される。

すなわち、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）は、電圧（Ｖoff）により、ソース端子（接点Ｎ１２）の電圧（ＧＮＤ）より十分低い電位に設定され、また、ドレイン端子も、電圧（Ｖano）により、接地電位ＧＮＤより低い電位に設定される。したがって、トランジスタＴｒ１３のドレイン・ソース間の電流路は確実に閉じて、トランジスタＴｒ１３から有機ＥＬ素子ＯＥＬに微小な漏れ電流さえも流れない状態となる（遮断ステップ）。

なお、本実施形態においては、Ｖoff書込期間Ｔwofにおいて、電源ラインＬａに供給するローレベルの電源電圧Ｖsaを、接地電位ＧＮＤより低い電位の電圧Ｖanoに設定する場合を示した。本発明はこれに限定されるものではなく、電源ドライバ１３０の電源回路１３１と電源ラインＬａとの接続点を切り離して（電源ラインＬａをオープンにして）、電源ラインＬａをハイインピーダンス状態に設定するものであってもよい。

次いで、電流測定期間Ｔrim（特性測定ステップ）においては、図６（ａ）、図９に示すように、選択制御信号に基づいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、上述したＶoff書込期間Ｔwofと同様に、電源制御信号に基づいて、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａに接地電位ＧＮＤより低い電位の電圧Ｖanoの電源電圧Ｖsaを印加するとともに、共通電極Ｅｃに接地電位ＧＮＤの電源電圧Ｖｃを印加する。また、このタイミングに同期して、図６（ａ）、図９に示すように、データ制御信号に基づいて、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｃに切換接続するとともに、切換スイッチ１４６ｄを接点Ｎｍに切換接続することにより、図示を省略した測定用電源から電流計１４６ｃを介して、データラインＬｄに参照電圧Ｖmeasを印加する（電圧印加ステップ）。

ここで、参照電圧Ｖmeasは、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードに設定される接地電位ＧＮＤよりも高い電位に設定される（Ｖmeas＞ＧＮＤ）。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアスとなる電圧が印加される。具体的には、参照電圧Ｖmeasは、電流計１４６ｃを介してデータラインＬｄに対して参照電圧Ｖmeasを印加することにより、データラインＬｄからトランジスタＴｒ１２、有機ＥＬ素子ＯＥＬを介して共通電極Ｅｃに流れる電流Ｉmeasの電流値を、電流計１４６ｃにより測定することができる程度の正の電圧値に設定される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、電流Ｉmeasの電流値に応じた輝度で発光する。なお、電流Ｉmeasの電流値が十分小さい場合には、有機ＥＬ素子ＯＥＬは殆ど発光しない状態となる。

これにより、図９に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１１がオフ動作して、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）に印加されたオフ電圧Ｖoffが保持される。また、トランジスタＴｒ１２がオン動作して、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２）がデータラインＬｄを介して電流計１４６ｃに接続され、当該電流計１４６ｃ及びデータラインＬｄを介してソース端子（接点Ｎ１２）に正の電圧値の参照電圧Ｖmeasが印加される（接続ステップ）。また、トランジスタＴｒ１３のドレイン端子は接地電位ＧＮＤよりも低い電圧値の電源電圧Ｖsa（＝Ｖano）に設定され、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードは接地電位ＧＮＤに設定される。

したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード側（接点Ｎ１２）に接地電位ＧＮＤよりも高い電位の参照電圧Ｖmeasが印加され、カソード側（共通電極Ｅｃ）が接地電位ＧＮＤに設定されるので、参照電圧Ｖmeasと接地電位ＧＮＤとの電位差、及び、有機ＥＬ素子ＯＥＬの導通抵抗に応じた電流Ｉmeasが、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して順方向に流れる。このとき、データラインＬｄに接続された電流計１４６ｃにより、参照電圧Ｖmeasを供給する測定用電源（図示を省略）からデータラインＬｄ及び画素ＰＩＸに流れる電流Ｉmeasの電流値が測定される（電流測定ステップ）。電流計１４６ｃにより測定された電流Ｉmeasの電流値は、図４に示したＡ／Ｄコンバータ１４７によりデジタルデータに変換された後、輝度補償用データとしてメモリ１４８に記憶される。メモリ１４８は、各画素ＰＩＸに対応付けて輝度補償用データを記憶する（補償データ格納ステップ）。

なお、本実施形態においては、電流測定期間Ｔrimにおいて、画素ＰＩＸに対して特定の参照電圧Ｖmeasを印加したときに有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる電流Ｉmeasの電流値を測定する動作を１回のみ実行する場合を示した。本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、電圧値の異なる参照電圧Ｖmeasを印加して、そのときに有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる電流Ｉmeasの電流値を測定する動作を複数回（例えば２、３回程度）実行するものであってもよい。この場合には、各画素ＰＩＸについて複数個の電流値が得られ、これらに基づく輝度補償用データが各画素ＰＩＸに対応付けてメモリ１４８に記憶される。

ここで、上述した輝度補償データ取得動作により取得された輝度補償データ（デジタルデータに変換された電流Ｉmeas）と、画素ＰＩＸに設けられた有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性の変動との関係について説明する。

まず、有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性（発光輝度に関わる発光駆動電流と発光電圧との関係；Ｉ−Ｖ特性）について図面を参照して説明する。
図１０は、有機ＥＬ素子の電気的特性の変化について説明するための図である。図１０（ａ）は、有機ＥＬ素子の発光動作に関連する等価回路図であり、図１０（ｂ）は、有機ＥＬ素子の電気的特性（Ｉ−Ｖ特性曲線）の変化を説明するための図であり、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）の等価回路において、有機ＥＬ素子の電気的特性が変化したときの、動作状態を説明するための図である。

図５に示したような回路構成を有する画素ＰＩＸにおいて、発光動作（表示動作に相当する）に関連する部分の等価回路は、図１０（ａ）に示すように表すことができる。ここで、有機ＥＬ素子ＯＥＬを画像データに応じた所望の輝度階調で発光させるために有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間に流れる発光駆動電流をＩelとし、発光駆動電流Ｉelが有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れているとき、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間に電位差（発光駆動電圧）Ｖelが生じているものとする。このときのトランジスタＴｒ１３のドレイン・ソース間の電圧をＶdsとする。ここで、有機ＥＬ素子ＯＥＬが初期特性を有している初期状態において、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間の電位差Ｖelと、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間に流れる発光駆動電流Ｉelとの関係を含む有機ＥＬ素子ＯＥＬの電気的特性は、図１０（ｂ）における特性曲線ＳＰ０で表される。有機ＥＬ素子ＯＥＬの電気的特性が特性曲線ＳＰ０で表される初期状態においては、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間の電位差（発光駆動電圧）ＶelがＶ_０であるとき、発光駆動電流ＩelとしてＩ_０の電流が有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間に流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬが発光動作する。

ここで、有機ＥＬ素子の電気的特性（Ｉ−Ｖ特性）は、経時劣化等に起因して変動することが知られている。具体的には、図１０（ｂ）に示すように、経時劣化により有機ＥＬ素子ＯＥＬの導通抵抗が高抵抗化することにより、初期の特性曲線ＳＰ０が、図中矢印ａの方向に変化して、例えば、特性曲線ＳＰ１のようになる。特性曲線ＳＰ１は特性曲線ＳＰ０に対して、高電圧側に平行にシフトした特性となる場合や、高電圧側にシフトするとともに、抵抗の増加によって曲線の傾きが変化した特性となる場合、などがある。図１０（ｂ）においては、後者の場合を示している。このとき、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間の電位差ＶelをＶ_０としたときには、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流ＩelはＩ_０からΔＩ減少して、電流Ｉ_１（＝Ｉ_０−ΔＩ）となり、有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光輝度は低下することになる。

そこで、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流Ｉelの電流値を、初期状態における値と同じＩ_０とするためには、図１０（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間の電位差Ｖelを、Ｖ_０より大きいＶ_１（Ｖ_１＝Ｖ_０＋ΔＶ）に設定する必要がある。

次いで、図１０（ｃ）に基づいて、有機ＥＬ素子の電気的特性が図１０（ｂ）に示すように変化したときの、図１０（ａ）の等価回路における動作状態の変化について説明する。図１０（ｃ）において、横軸はトランジスタＴｒ１３のドレイン・ソース間の電圧（ドレイン・ソース間電圧）Ｖds、及び、発光駆動電圧Ｖelを示し、縦軸は、トランジスタＴｒ１３のドレイン・ソース間に流れる電流（ドレイン・ソース間電流）Ｉds、及び、発光駆動電流Ｉelを示す。ここで、ドレイン・ソース間電圧）Ｖdsと発光駆動電圧Ｖelとは式（１）の関係を有し、ドレイン・ソース間電流Ｉdsと発光駆動電流Ｉelとは式（２）の関係を有する。
Ｖds＋Ｖel＝Ｖsa−Ｖc ・・・（１）
Ｉds＝Ｉel ・・・（２）

図１０（ｃ）において、特性曲線ＳＰ０、ＳＰ１は図１０（ｂ）に示した特性曲線ＳＰ０、ＳＰ１と同等のものである。但し、上記式（１）の関係に基づいて、図１０（ｂ）における特性曲線ＳＰ０、ＳＰ１の左右を逆にしてプロットしたものである。特性線ＳＴ０は、データラインＬdより、トランジスタＴｒ１３のゲート電圧Ｖgを、画像データに応じた電圧値の階調電圧Ｖdataに設定したときの、ドレイン・ソース間電圧Ｖdsに対するドレイン・ソース間電流Ｉdsの関係からなる、トランジスタＴｒ１３の特性を示すものである。トランジスタＴｒ１３は線形領域で動作するように構成されており、特性線ＳＴ０は、概ね、ドレイン・ソース間電圧Ｖdsに比例して増加する直線となっている。

図１０（ｃ）において、有機ＥＬ素子ＯＥＬが特性曲線ＳＰ０で表される電気的特性を有しているとき、トランジスタＴｒ１３の動作点は、特性曲線ＳＰ０と特性線ＳＴ０の交点であるＰＭ０となり、発光駆動電圧ＶelはＶel0、発光駆動電流ＩelはＩel0となる。次いで、経時劣化により有機ＥＬ素子ＯＥＬが高抵抗化して、特性曲線がＳＰ０からＳＰ１に変化したとき、トランジスタＴｒ１３の動作点は、特性曲線ＳＰ１と特性線ＳＴ０の交点であるＰＭ１となり、発光駆動電圧ＶelはＶel1、発光駆動電流ＩelはＩel1となる。図１０（ｃ）に示すように、発光駆動電流Ｉel1はＩel0より小さい値であり、発光輝度が低下することになる。特性線ＳＴ１は、トランジスタＴｒ１３のゲート電圧Ｖgを、取得した輝度補償用データに基づく補正量に応じて補正した電圧値を有する階調電圧（補正階調電圧）Ｖdataに設定したときの特性を示すものである。

有機ＥＬ素子ＯＥＬが経時劣化により高抵抗化して特性曲線がＳＰ１になるとともに、トランジスタＴｒ１３の特性が特性線ＳＴ１となったとき、トランジスタＴｒ１３の動作点は、特性曲線ＳＰ１と特性線ＳＴ１の交点であるＰＭ２となり、発光駆動電圧ＶelはＶel2、発光駆動電流ＩelはＩel2となる。補正量の値を適切に設定して、この発光駆動電流Ｉel2がＩel0と等しい値、あるいはほぼ同じ値となるように、階調電圧Ｖdataの電圧値を設定することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬが経時劣化により高抵抗化しても、発光輝度の低下を抑制することができる。

そこで、本実施形態に係る輝度補償データ取得動作においては、画素ＰＩＸの接点Ｎ１２（有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード）に、データラインＬdを介して、特定の参照電圧Ｖmeasを印加することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間に生じる電位差に応じて流れる電流Ｉmeasを電流計１４６ｃにより測定する。そして、デジタルデータに変換された電流Ｉmeas（輝度補償データ）は、各画素ＰＩＸに対応付けてメモリ１４８に記憶される。ここで、各画素ＰＩＸについて、参照電圧Ｖmeasを変化させて電流Ｉmeasを測定する動作を複数回実行する場合には、輝度補償データ（電流Ｉmeas）は、参照電圧Ｖmeasに関連付けてメモリ１４８に記憶される。

このようにして、各画素ＰＩＸに対応して取得された輝度補償データ（デジタルデータに変換された電流Ｉmeas）と参照電圧Ｖmeasとの関係は、図１０（ｂ）に示した特性曲線ＳＰ０、ＳＰ１におけるＩ−Ｖ特性に対応する。すなわち、有機ＥＬ素子ＯＥＬの初期状態において、輝度補償データ取得動作を実行した場合に、例えば参照電圧Ｖmeasとして電圧値Ｖ_０を画素ＰＩＸに印加したとき、電流計１４６ｃにより測定された電流Ｉmeasの電流値がＩ_０であったとする。その後、再度輝度補償データ取得動作を実行した場合に、参照電圧Ｖmeasとして上記と同様に電圧値Ｖ_０を画素ＰＩＸに印加したとき、電流Ｉmeasの電流値がＩ_１であった場合には、有機ＥＬ素子ＯＥＬの特性曲線がＳＰ０からＳＰ１に変化したものと判断することができる。このような特性変化後の特性曲線ＳＰ１は、特定（１つ）の参照電圧Ｖmeasと測定された電流Ｉmeasの関係に基づいて特定することができる。なお、特性曲線ＳＰ１の特定をより正確に行うためには、上述したように、各画素ＰＩＸに対して参照電圧Ｖmeasを変化させて電流Ｉmeasを測定する動作を複数回実行する手法を用いることができる。

そして、後述する表示動作において、図１０（ｂ）に示すように、上記参照電圧Ｖmeasと電流Ｉmeasの関係に基づいて特定された特性曲線（有機ＥＬ素子ＯＥＬのＩ−Ｖ特性）ＳＰ１に基づいて、初期状態の特性曲線ＳＰ０における発光駆動電流Ｉel0と同じ又はほぼ同じ電流値を得るための、階調電圧Ｖdataに対する補正量を抽出し、補正演算回路１４４により画像データＤ０〜Ｄｍを、この補正量に応じて補正する。すなわち、この補正量は、階調電圧Ｖdataの電圧値を補正して、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間に印加される発光駆動電圧Ｖelが、例えばＶ_１（Ｖ_１＝Ｖ_０＋ΔＶ）となるようにする値である。補正量は、図１０（ｃ）に示したように、取得した輝度補償用データの値と、トランジスタＴｒ１３の特性、等に基づいて抽出される。この補正された電圧値を有する階調電圧Ｖdataを画素ＰＩＸに書き込むことにより、図１０（ｃ）に示すように、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１３を介して、画像データに応じた本来の電流値の発光駆動電流Ｉel0を有機ＥＬ素子ＯＥＬに流すことができる。

次に、画素ＰＩＸが２次元配列された表示パネル１１０において、上述した輝度補償データ取得動作を実行する場合について説明する。
図１１は、本実施形態に係る輝度補償データ取得動作を、画素が２次元配列された表示パネルに適用した場合のタイミングチャートである。

図２に示したように、複数の画素ＰＩＸが２次元配列された表示パネル１１０において、輝度補償データ取得動作を実行する場合には、図１１に示すように、まず、初期化期間Ｔiniにおいて、選択ドライバ１２０が表示パネル１１０の全ての行の選択ラインＬs1〜Ｌsnに対してハイレベルの選択信号Ｖse1〜Ｖsenを一斉に印加する。また、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａ及び共通電極Ｅｃに対して接地電位ＧＮＤの電源電圧Ｖsa及びＶｃを印加する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄを接地電位ＧＮＤに設定する。これにより、表示パネル１１０に配列された全ての画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣのキャパシタＣｓに蓄積された電荷や、各データラインＬｄに残留する電荷が放電されて初期化が行われる。

次いで、図１１に示すように、Ｖoff書込動作（Ｖoff書込期間Ｔwof）及び電流測定動作（電流測定期間Ｔrim）からなる一連の動作を、表示パネル１１０の１行目からｎ／２行目の画素ＰＩＸに対して順次実行する。まず、１行目の画素ＰＩＸに対して、上述したように、Ｖoff書込期間Ｔwofにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1にハイレベルの選択信号Ｖse1を印加するとともに、選択ラインＬs2〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse2〜Ｖsenを印加する。また、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａに接地電位ＧＮＤよりも低い電源電圧Ｖsa（＝Ｖano）を印加するとともに、共通電極Ｅｃに接地電位ＧＮＤの電源電圧Ｖｃを印加する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄに一斉に接地電位ＧＮＤよりも低いオフ電圧Ｖoffを印加する。これにより、１行目の画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１３が十分にオフ状態となる。

次いで、電流測定期間Ｔrimにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1、Ｌs3〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse1、Ｖse3〜Ｖsenを印加するとともに、選択ラインＬs2にハイレベルの選択信号Ｖse2を印加する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄに一斉に特定の参照電圧Ｖmeasを印加する。これにより、１行目の画素ＰＩＸにおいて、有機ＥＬ素子ＯＥＬに参照電圧Ｖmeasに応じた電流Ｉmeasが流れる。この電流Ｉmeasの電流値を各データラインＬｄに接続された電流計１４６ｃにより個別に測定することにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性の変動を補償するための輝度補償データ（デジタル変換された電流Ｉmeas）が取得される。取得された輝度補償データは、各画素ＰＩＸに対応する記憶領域を備えたメモリに格納される。

そして、以上のＶoff書込動作及び電流測定動作からなる一連の動作を２行目からｎ／２行目の画素ＰＩＸについても、順次繰り返し実行する。これにより、表示パネル１１０に配列された全ての画素ＰＩＸについて、輝度補償データが取得される。

なお、本実施形態においては、輝度補償データ取得動作として、各行の画素ＰＩＸに対するＶoff書込動作及び電流測定動作を実行する前に、全ての画素ＰＩＸに対して一回のみ初期化動作を実行する場合について説明した。本発明はこれに限定されるものではなく、各行の画素ＰＩＸに対するＶoff書込動作及び電流測定動作を実行する毎に、毎回初期化動作を実行するものであってもよい。これによれば、初期化動作、Ｖoff書込動作及び電流測定動作からなる一連の動作が、各行ごとに実行される。このため、ある行の画素ＰＩＸに対するＶoff書込動作及び電流測定動作を行った後に、各列のデータラインＬｄや画素ＰＩＸに電荷が残留していても、初期化動作によってこの残留電荷が無くなり、次の行の画素ＰＩＸに対するＶoff書込動作及び電流測定動作を行う際に、先の残留電荷の影響を抑制もしくは無くすことができる。

（表示動作）
次に、本実施形態に係る表示装置における表示動作について説明する。
図１２は、本実施形態に係る表示装置における表示動作を示すタイミングチャートである。図１３は、本実施形態に係る表示装置におけるリセット動作を示す動作概念図である。図１４は、本実施形態に係る表示装置における階調電圧書込動作を示す動作概念図である。図１５は、本実施形態に係る表示装置における発光動作を示す動作概念図である。ここで、図１３〜図１５においては、データドライバ１４０の構成として、図示の都合上、Ｄ／Ａコンバータ１４５と出力回路１４６のみを示す。

本実施形態に係る表示動作は、図１２（ａ）に示すように、所定の表示期間（１処理サイクル期間）Ｔcycが、画素ＰＩＸをリセットするリセット期間Ｔrstと、画像データに応じた階調電圧Ｖdataを書き込むＶdata書込期間Ｔwrtと、有機ＥＬ素子ＯＥＬを所定の輝度階調で発光させる発光期間Ｔemと、を含むように設定されている（Ｔcyc≧Ｔrst＋Ｔwrt＋Ｔem）。

まず、リセット期間Ｔrstにおいては、図１２（ａ）、図１３に示すように、電源ドライバ１３０が画素ＰＩＸに接続された電源ラインＬａ及び共通電極Ｅｃに各々ローレベル（接地電位ＧＮＤ）の電源電圧Ｖsa及びＶｃを印加する。また、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、このタイミングに同期して、図１２（ａ）、図１３に示すように、データドライバ１４０が出力回路１４６に設けられた切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｂに切換接続するとともに、切換スイッチ１４６ｄを接点Ｎｇに切換接続することにより、データラインＬｄを接地電位ＧＮＤ（リセット電圧）に設定する。

これにより、図１３に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１２がオン動作して、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード）が接地電位ＧＮＤに設定されるとともに、トランジスタＴｒ１３のドレイン端子及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードも接地電位ＧＮＤに設定される。すなわち、トランジスタＴｒ１３のソース端子の電位が接地電位ＧＮＤにリセットされる。なお、このとき、トランジスタＴｒ１３はオフ状態となる。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、発光動作しない。

なお、このリセット期間Ｔrstにより、トランジスタＴｒ１３のソース端子の電位を接地電位ＧＮＤにリセットする動作は、必ず必要な必須の動作ではない。すなわち、この動作を行わなくても、殆どの場合に、問題なく次のＶdata書込期間Ｔwrtにおける動作を行うことができる。したがって、１処理サイクル期間Ｔcycにおいて、図１２（ｂ）に示すタイミングチャートのように、このリセット期間Ｔrstを設けず、リセット動作を行わないようにしてもよい。しかしながら、トランジスタＴｒ１３のソース端子の電位を接地電位ＧＮＤにリセットすることにより、トランジスタＴｒ１３を確実にオフ状態とすることができるとともに、有機ＥＬ素子ＯＥＬを確実に非発光状態とすることができるので、このリセット動作を行うことが好ましい。

次いで、Ｖdata書込期間Ｔwrtにおいては、図１２（ａ）、図１４に示すように、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａ及び共通電極Ｅｃにローレベル（接地電位ＧＮＤ）の電源電圧Ｖsa及びＶcを印加する。また、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、このタイミングに同期して、図１２（ａ）、図１４に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎａに切換接続することにより、データラインＬｄに対して画像データに対応した階調電圧Ｖdataを印加する。

これにより、図１４に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１１がオン動作して、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）に階調電圧Ｖdataが印加される。また、トランジスタＴｒ１２がオフ動作して、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２）に印加された接地電位ＧＮＤが保持される。また、トランジスタＴｒ１３のドレイン端子及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードは接地電位ＧＮＤに設定される。したがって、トランジスタＴｒ１３のゲート・ソース間に接続されたキャパシタＣｓに階調電圧Ｖdataに応じた電荷が蓄積されて画素ＰＩＸに階調電圧Ｖdataが書き込まれる。なお、このとき、トランジスタＴｒ１３はオン動作するが、ソース・ドレイン間に電位差が生じていないためトランジスタＴｒ１３のソース・ドレイン間に電流は流れない。これによって、有機ＥＬ素子ＯＥＬにも電流が流れず、発光動作しない。

ここで、階調電圧Ｖdataは、上述した輝度補償データ取得動作において取得し、メモリ１４８に記憶された輝度補償データに基づいて特定された特性曲線を参照して抽出され補正量に応じて補正された電圧値に設定される。具体的には、階調電圧Ｖdataは、補正演算回路１４４により、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間に印加される発光駆動電圧Ｖelが、画像データの輝度階調値に応じて生成される電圧成分（図１０（ｂ）に示した電圧Ｖ_０に相当する）に、上述した輝度補償データ取得動作により取得された、当該画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性（Ｉ−Ｖ特性曲線）の変化量に応じた電圧成分（補正電圧成分；図１０（ｂ）に示した電圧ΔＶに相当する）を加味した電圧値（Ｖ_１＝Ｖ_０＋ΔＶ）となる電圧値に補正される（補正ステップ）。これにより、後述する発光動作において、画像データに基づいて画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬに本来供給されるべき電流値の電流（発光駆動電流）がトランジスタＴｒ１３により生成される。

次いで、発光期間Ｔemにおいては、図１２（ａ）、図１５に示すように、選択ドライバ１２０が選択ラインＬsea及びＬsebにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖsea、Ｖsebを印加する。また、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａにハイレベルの電源電圧Ｖsaを印加し、共通電極Ｅｃにローレベルの電源電圧Ｖc（接地電位ＧＮＤ）を印加する。また、このタイミングに同期して、図１２（ａ）、図１５に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｂに切換接続するとともに、切換スイッチ１４６ｄを接点Ｎｇに切換接続することにより、データラインＬｄを接地電位ＧＮＤに設定する。

これにより、図１５に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がオフ動作して、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）に印加された電圧Ｖdataが保持される。また、トランジスタＴｒ１３のドレイン端子にはハイレベルの電源電圧Ｖsaが印加され、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードにはローレベルの電源電圧Ｖcが印加される。

したがって、キャパシタＣｓに充電された電圧ＶdataによりトランジスタＴｒ１３のゲート・ソース間電圧が保持されて、トランジスタＴｒ１３がオン動作する。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアスが印加されるため、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２、有機ＥＬ素子ＯＥＬを介して、共通電極Ｅｃ方向に発光駆動電流Ｉelが流れる。ここで、発光駆動電流Ｉelは、上記Ｖdata書込動作において画素ＰＩＸに書き込まれ、トランジスタＴｒ１３のゲート・ソース間に保持された階調電圧Ｖdataの電圧値に基づいて規定されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性の変化を補償して、画像データに応じた本来の発光輝度に対応した電流値を有している。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、発光特性の変化の状態に関わらず、画像データに応じた本来の輝度階調で発光動作する。

次に、画素ＰＩＸが２次元配列された表示パネル１１０において、上述した表示動作を実行する場合について説明する。
図１６は、本実施形態に係る表示動作を、画素が２次元配列された表示パネルに適用した場合のタイミングチャートである。

画素ＰＩＸが２次元配列された図２に示した表示パネル１１０において、表示動作を実行する場合には、図１６に示すように、画像データ書込期間Ｔdwtに、リセット動作及びＶdata書込動作からなる一連の動作を、表示パネル１１０の１行目からｎ／２行目の画素ＰＩＸに対して順次実行する。

まず、図１６に示すように、リセット期間Ｔrstにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1、Ｌs3〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse1、Ｖse3〜Ｖsenを印加するとともに、選択ラインＬs2にハイレベルの選択信号Ｖse2を印加する。また、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａ及び共通電極Ｅｃを接地電位ＧＮＤに設定する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄを一斉に接地電位ＧＮＤに設定する。これにより、表示パネル１１０の１行目の各画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２（トランジスタＴｒ１３のソース端子、又は、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード）の電位が接地電位ＧＮＤにリセットされる。

次いで、図１６に示すように、Ｖdata書込期間Ｔwrtにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1にハイレベルの選択信号Ｖse1を印加するとともに、選択ラインＬs2〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse2〜Ｖsenを印加する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄに画像データに応じ、かつ、上述した輝度補償データ取得動作により取得した輝度補償データに基づく補正量に応じて補正した階調電圧Ｖdataを印加する。これにより、１行目の画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣのキャパシタＣｓに階調電圧Ｖdataに応じた電荷が充電されて画像データが書き込まれる。

そして、以上の１行目の画素ＰＩＸに対する一連の動作を、図１６に示すように、２行目からｎ／２行目の画素ＰＩＸについても順次繰り返し実行することにより、表示パネル１１０に配列された全ての画素ＰＩＸについて、画像データに応じ、かつ、上述した輝度補償データ取得動作により取得した輝度補償データに基づく補正量に応じて補正された階調電圧Ｖdataが書き込まれる。

次いで、図１６に示すように、全画素一括発光期間Ｔaemにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse1〜Ｖsenを印加する。この状態で、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａにハイレベルの電源電圧Ｖsaを印加し、共通電極Ｅｃにローレベルの電源電圧Ｖｃを印加する。これにより、表示パネル１１０の全ての行の画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣの駆動トランジスタであるトランジスタＴｒ１３に、階調電圧Ｖdataに応じた電流値の発光駆動電流Ｉelが流れ、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬが画像データに応じた本来の輝度階調で発光動作して、表示パネル１１０に所望の画像情報が表示される。

以上説明したように、本実施形態に係る表示装置（発光装置）及びその駆動制御方法によれば、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタ等の回路素子の数を大幅に増加することなく、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性（Ｉ−Ｖ特性）の変化に対応した電流Ｉmeasを、簡易な方法で測定して画素ＰＩＸごとに輝度補償データを取得することができる。

また、本実施形態に係る表示装置及びその駆動制御方法によれば、各画素ＰＩＸへの画像データの書き込み時に、各画素ＰＩＸへの画素駆動回路ＤＣに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性の変化に応じて補正された階調電圧Ｖdataを書き込むことができる。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬの特性変化の状態に関わらず、画像データに応じた本来の電流値の発光駆動電流Ｉelを有機ＥＬ素子ＯＥＬに流すことができるので、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作させることができ、良好かつ均質な画質を実現することができる。

（発光装置の画素欠陥検出方法）
次に、本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法の他の例について、図面を参照して説明する。

上述した駆動制御方法においては、有機ＥＬ素子ＯＥＬ（発光素子）の発光特性の劣化を補償する輝度補償データを予め取得し、表示動作時に当該輝度補償データに基づいて階調電圧Ｖdataを補正した後、画素ＰＩＸに書き込む手法を説明した。本実施形態に係る表示装置（発光装置）はこれに限定されるものではなく、発光パネル（表示パネル）に配列された画素ＰＩＸの欠陥を検出する場合にも適用することができる。以下、具体的に説明する。

図１７は、本実施形態に係る表示装置における画素欠陥検出動作を示すタイミングチャートである。図１８は、本実施形態に係る画素欠陥検出動作におけるオフ電圧印加動作を示す動作概念図である。図１９は、本実施形態に係る画素欠陥検出動作における電流測定動作を示す動作概念図である。ここで、図１８、図１９においては、図示の都合上、図４に示したデータドライバ１４０のうち、Ｄ／Ａコンバータ１４５と出力回路１４６のみを示す。なお、出力回路１４６において、切換スイッチ１４６ｄを省略し、切換接続により供給される電圧のみを示す。また、上述した輝度補償データ取得動作と同等の制御動作については、その説明を簡略化する。

本実施形態に係る画素欠陥検出動作においては、表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸにおける素子特性の劣化を検出するためのパラメータが取得される。より具体的には、各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬの素子特性の、経時的な変化（経時劣化）の度合い（変動量）を抽出するパラメータとして、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の逆バイアスとなる電圧を印加した場合に、当該有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる漏れ電流（電流Ｉmeas）の電流値を測定する。そして、この漏れ電流の電流値に応じて、欠陥画素であるか否かを判定する動作が実行される。

画素欠陥検出動作は、具体的には、図１７に示す、所定の画素欠陥検出期間Ｔpddを有して実行される。画素欠陥検出期間Ｔpddは、少なくともＶoff書込期間Ｔwofと、電流測定期間Ｔrimと、を含む。Ｖoff書込期間Ｔwofにおいては、上述した輝度補償データ取得動作と同様に、画素ＰＩＸにオフ電圧Ｖoffが書き込まれる。また、電流測定期間Ｔrimにおいては、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して逆バイアス電圧を印加した状態で、画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）に流れる電流Ｉmeasが測定される。なお、図１７においては省略したが、上述した輝度補償データ取得動作と同様に、Ｖoff書込期間Ｔwofに先立って、画素ＰＩＸに蓄積された電荷を放電して画素ＰＩＸを初期化する初期化動作を実行するものであってもよい。

まず、Ｖoff書込期間Ｔwofにおいては、上述した輝度補償データ取得動作におけるＶoff書込動作と同様に、図１７、図１８に示すように、電源ドライバ１３０が電源ラインＬａにローレベルの電源電圧Ｖsa（例えば接地電位ＧＮＤ以下の電位の電圧Ｖano）を印加するとともに、共通電極Ｅｃにローレベルの電源電圧Ｖｃ（例えば接地電位ＧＮＤ）を印加する。また、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、このタイミングに同期して、図１７、図１８に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎａに切換接続することにより、データラインＬｄに対して特定の電圧値（例えば接地電位ＧＮＤよりも低い電位の、負の電圧値）のオフ電圧Ｖoffを印加する。これにより、図１８に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）にオフ電圧Ｖoffが印加され、トランジスタＴｒ１３のドレイン・ソース間の電流路は確実に閉じる。

次いで、電流測定期間Ｔrimにおいては、図１７、図１９に示すように、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、電源ドライバ１３０が電源ラインＬaにハイレベルの電源電圧Ｖsa（例えば接地電位ＧＮＤよりも高い電位の、正の電圧Ｖra）を印加するとともに、共通電極Ｅｃにハイレベルの電源電圧Ｖｃ（例えば接地電位ＧＮＤよりも高い電位の、正の電圧Ｖrc）を印加する。また、このタイミングに同期して、図１７、図１９に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｃに切換接続するとともに、切換スイッチ１４６ｄを接点Ｎｇに切換接続することにより、電流計１４６ｃの一端をデータラインＬｄに接続するとともに、他端を接地電位ＧＮＤに設定する。

ここで、共通電極Ｅｃに印加される電源電圧Ｖｃ（＝Ｖrc）は、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード（接点Ｎ１２）に設定される電位（例えば接地電位ＧＮＤ）よりも高い電位の電圧に設定される（Ｖrc＞ＧＮＤ）。具体的には、電源電圧Ｖｃ（＝Ｖrc）は、電流計１４６ｃの他端を接地電位ＧＮＤに設定することにより、共通電極Ｅｃから有機ＥＬ素子ＯＥＬ、トランジスタＴｒ１２を介してデータラインＬｄに流れる電流Ｉmeasの電流値を、電流計１４６ｃにより測定することができる程度の正の電圧値に設定される。

これにより、図１９に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ１１がオフ動作して、トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１）に印加されたオフ電圧Ｖoffが保持される。また、トランジスタＴｒ１２がオン動作して、トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２）がトランジスタＴｒ１２及びデータラインＬｄを介して、電流計１４６ｃの一端に接続される。また、トランジスタＴｒ１３のドレイン端子は接地電位ＧＮＤよりも高い電位の電源電圧Ｖsa（＝Ｖra）に設定される。

したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード側（共通電極Ｅｃ）に、アノード側（接点Ｎ１２）よりも高電圧が印加された逆バイアス状態に設定されるので、当該逆バイアス電圧、及び、有機ＥＬ素子ＯＥＬの素子特性に応じた微少な漏れ電流Ｉmeasが、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して逆方向に流れる。このとき、データラインＬｄに接続された電流計１４６ｃにより、画素ＰＩＸからデータラインＬｄに流れる電流Ｉmeasの電流値が測定される。

上記の一連の画素欠陥検出動作により測定された電流Ｉmeasは、そのまま、あるいは、例えば図４に示したＡ／Ｄコンバータ１４７によりデジタルデータに変換された後、画素欠陥判定処理に適用される。画素欠陥判定処理は、例えば図１に示したシステムコントローラ１５０において実行される。画素欠陥判定処理は、具体的には、例えば、まず、画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して、上記のような特定の逆バイアス電圧を印加した場合に流れる漏れ電流の電流値を、有機ＥＬ素子ＯＥＬの素子構造や設計データに基づいて予めシミュレーション等を用いて算出し、規定値Ｉstとして取得しておく。あるいは、正常な特性の有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する画素ＰＩＸに対して上記の一連の画素欠陥検出動作を実行し、それにより測定された電流Ｉmeasの電流値を、規定値Ｉstとして取得しておくようにしてもよい。

そして、特定の画素ＰＩＸに対して測定された電流Ｉmeasの電流値と、上記規定値Ｉstと電流値とを比較する。そして、例えば、測定された電流Ｉmeasの電流値が、規定値Ｉstの電流値と較べて、相対的に顕著に大きい場合に当該有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する画素ＰＩＸを欠陥画素と判定する（画素欠陥判定ステップ）。ここで、発明者らが行った実験の一例では、規定値ＩstとしてｐＡオーダーの電流値が得られるのに対して、欠陥画素における測定電流ＩmeasはμＡオーダーの電流値を示し、欠陥画素における測定電流Ｉmeasの電流値は、規定値Ｉstの電流値の10⁵〜10^６倍程度の大きさを有していることが確認された。よって、例えば、測定電流Ｉmeasの電流値が規定値Ｉstの電流値の10⁵〜10^６倍程度の大きさである場合に、当該画素ＰＩＸを欠陥画素と判定することができる。

したがって、本実施形態に係る表示装置の画素欠陥検出方法によれば、表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬについて簡易な手法を用いて測定された電流Ｉmeasに基づいて、当該画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）が欠陥画素であるか否かを判定することができる。そして、例えば欠陥画素と判定された画素ＰＩＸの数が正常な画像表示動作に支障を来す場合や、画質の劣化をユーザーが強く認識するレベルにある場合には、表示装置の検査段階で表示パネルを不合格判定したり、あるいは、本表示装置（又は表示装置を組み込んだ電子機器）のユーザーに対して交換修理等を報知したりすることができる。

＜第２の実施形態＞
（発光装置）
次に、本発明に係る表示装置の第２の実施形態について、図面を参照して説明する。
図２０は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（駆動回路）の一例を示す要部構成図である。また、図２１は、本実施形態に適用されるデータドライバの一例を示す要部構成図である。ここで、表示装置の全体構成は、上述した第１の実施形態（図１参照）と同等であるので説明を省略する。また、図２１においては、図３に示したデータドライバのシフトレジスタ回路、データレジスタ回路及びデータラッチ回路を省略して、図示を簡略化する。また、上述した第１の実施形態（図２、３参照）と同等の構成についてはその説明を簡略化又は省略する。

本実施形態に係る表示パネル１１０は、図２０に示すように、複数の画素ＰＩＸと、複数の選択ラインＬs1〜Ｌsnと、電源ラインＬｃと、共通電極Ｅａと、複数のデータラインＬｄと、が設けられている。

複数の画素ＰＩＸと、複数の選択ラインＬs1〜Ｌsnと、複数のデータラインＬｄは、上述した第１の実施形態と同様の構成を有している。また、電源ラインＬｃは、表示パネル１１０の全画素ＰＩＸに共通に接続するように配設されている。共通電極Ｅａは、表示パネル１１０の全画素ＰＩＸに共通に接続するように設けられており、例えば単一の電極層（ベタ電極）からなる。

選択ドライバ１２０は、第１の実施形態と同様の構成を有している。また、電源ドライバ１３０は、表示パネル１１０の各画素ＰＩＸに共通に接続された個別の電源ラインＬｃ、及び、共通電極Ｅｃに接続されている。電源ドライバ１３０は、各電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａに対して、所定のタイミングで所定の電源電圧Ｖsc、Ｖａを個別に印加する。

ここで、電源ドライバ１３０は、例えば図２０に示すように、システムコントローラ１５０から供給される電源制御信号に基づいて、所定のタイミングで各電源ラインＬｃに所定の信号レベルの電源電圧Ｖscを供給する電源回路１３１及び共通電極Ｅａに所定の信号レベルの電源電圧Ｖａを供給する電源回路１３２を備えている。

データドライバ１４０は、上述した第１の実施形態（図３参照）と同様に、シフトレジスタ回路１４１と、データレジスタ回路１４２と、データラッチ回路１４３と、補正演算回路１４４と、Ｄ／Ａコンバータ１４５と、出力回路１４６と、Ａ／Ｄコンバータ１４７と、メモリ１４８と、ＬＵＴ１４９と、を備えている。ここで、本実施形態に係る出力回路１４６は、図２１に示すように、切換スイッチ１４６ａと、フォロワアンプ１４６ｂと、電流計１４６ｃと、を有している。すなわち、本実施形態に係る出力回路１４６は、上述した第１の実施形態（図４参照）に示した出力回路１４６において、切換スイッチ１４６ｄを省略し、切換スイッチ１４６ａの接点Ｎｂ、及び、電流計１４６ｃの他端側が常時接地電位ＧＮＤに設定された構成を有している。

これにより、データドライバ１４０（出力回路１４６）は、表示パネル１１０に配列された画素ＰＩＸを初期化又はリセットする際には、切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｂに接続することにより、データラインＬｄを接地電位ＧＮＤに設定する。また、データドライバ１４０（出力回路１４６）は、各画素ＰＩＸに画像データを書込む際には、切換スイッチ１４６ａを接点Ｎａに接続することにより、データラインＬｄに画像データに応じた階調電圧Ｖdataを印加する。また、データドライバ１４０（出力回路１４６）は、各画素ＰＩＸの発光特性を補償するための輝度補償データを取得する際には、切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｃに接続することにより、データラインＬｄに流れる電流Ｉmeasの電流値を電流計１４６ｃにより測定する。

（画素）
次に、本実施形態に係る表示パネルに配列される画素について具体的に説明する。
図２２は、本実施形態に係る表示パネルに適用される画素（画素駆動回路及び発光素子）の一実施形態を示す回路構成図である。ここで、上述した第１の実施形態（図５参照）と同等の構成については同等の符号を付してその説明を簡略化又は省略する。

本実施形態に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、上述した第１の実施形態（図５参照）と同様に、図２２に示すように、画素駆動回路ＤＣと、有機ＥＬ素子（電流駆動型の発光素子）ＯＥＬと、を備えている。画素駆動回路ＤＣは、具体的には、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３と、キャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ２１は、ゲート端子が選択ラインＬsea（Ｌs1、Ｌs3、・・・Ｌsn-1）に接続され、また、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、また、ソース端子が接点Ｎ２１に接続されている。トランジスタＴｒ２２（スイッチング素子）は、ゲート端子が選択ラインＬseb（Ｌs2、Ｌs4、・・・Ｌsn）に接続され、また、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、また、ソース端子が接点Ｎ２２に接続されている。トランジスタＴｒ２３（駆動トランジスタ）は、ゲート端子が接点Ｎ２１に接続され、ソース端子が電源ラインＬｃに接続され、ドレイン端子が接点Ｎ２２に接続されている。

また、キャパシタＣｓ（保持容量）は、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）及びソース端子間に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード（アノード電極）が共通電極Ｅａに接続され、カソード（カソード電極）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に接続されている。

（発光装置の駆動制御方法）
次に、本実施形態に係る表示装置における駆動制御方法について説明する。
本実施形態に係る表示装置１００の駆動制御動作においても、上述した第１の実施形態に係る表示装置１００の駆動制御動作と同様に、少なくとも、輝度補償データ取得動作と表示動作とを有している。

以下、各動作について具体的に説明する。
（輝度補償データ取得動作）
図２３は、本実施形態に係る表示装置における輝度補償データ取得動作を示すタイミングチャートである。図２４は、本実施形態に係る表示装置における初期化動作を示す動作概念図である。図２５は、本実施形態に係る表示装置におけるオフ電圧印加動作を示す動作概念図である。図２６は、本実施形態に係る表示装置における電流測定動作を示す動作概念図である。ここで、図２４〜図２６おいては、データドライバ１４０の構成として、図示の都合上、Ｄ／Ａコンバータ１４５と出力回路１４６のみを示す。

本実施形態に係る輝度補償データ取得動作は、上述した第１の実施形態（図６（ａ）参照）と同様に、図２３（ａ）に示すように、輝度補償データ取得期間Ｔivを有して実行される。輝度補償データ取得期間Ｔivは、初期化期間Ｔiniと、Ｖoff書込期間Ｔwofと、電流測定期間Ｔrimと、を含む。

まず、初期化期間Ｔiniにおいては、図２３（ａ）、図２４に示すように、選択ドライバ１２０が選択ラインＬsea及びＬsebに対して、各々ハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖsea及びＶsebを印加する。また、電源ドライバ１３０（電源回路１３１、１３２）が電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａに対して、各々ローレベル（例えば接地電位ＧＮＤ）の電源電圧Ｖsc及びＶａを印加する。また、このタイミングに同期して、図２３（ａ）、図２４に示すように、データドライバ１４０が出力回路１４６の切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｂに切換接続することにより、データラインＬｄを接地電位ＧＮＤ（初期化電圧）に設定する。

これにより、図２４に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）及びドレイン端子（接点Ｎ２２；有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード）が接地電位ＧＮＤに設定されるとともに、トランジスタＴｒ２３のソース端子及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードが接地電位ＧＮＤに設定される。

したがって、トランジスタＴｒ２３のゲート・ソース間に接続されたキャパシタＣｓに蓄積された電荷や、データラインＬｄに残留する電荷が放電されて画素ＰＩＸ及びデータラインＬｄが初期化される（初期化ステップ）。なお、このとき、トランジスタＴｒ２３はオフ状態となる。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、発光動作しない。

なお、上述した第１の実施形態（図６（ａ）、（ｂ）参照）と同様に、図２３（ａ）に示した初期化期間Ｔiniにより、トランジスタＴｒ２２をオン動作してトランジスタＴｒ２３のドレイン端子を接地電位ＧＮＤに設定する動作は、必ず必要な必須の動作ではない。すなわち、この動作を行わなくても、殆どの場合に、問題なく画素ＰＩＸを初期化することができる。したがって、輝度補償データ取得期間Ｔivにおいて、例えば図２３（ｂ）に示すタイミングチャートのように、初期化期間Ｔiniを設けず、初期化動作を行わないようにしてもよい。しかしながら、トランジスタＴｒ２２をオン動作してトランジスタＴｒ２３のドレイン端子を接地電位ＧＮＤに設定することにより、キャパシタＣｓに蓄積された電荷を確実に放電して画素ＰＩＸを確実に初期化することができるので、この初期化動作を行うことが好ましい。

次いで、Ｖoff書込期間Ｔwofにおいては、図２３（ａ）、図２５に示すように、上述した初期化期間Ｔiniと同様に、電源ドライバ１３０が電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａにローレベル（例えば接地電位ＧＮＤ）の電源電圧Ｖsc及びＶａを印加する。また、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、このタイミングに同期して、図２３（ａ）、図２５に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎａに切換接続することにより、データラインＬｄに対して特定の電圧値のオフ電圧Ｖoffを印加する（オフ電圧印加ステップ）。

ここで、画素ＰＩＸのトランジスタＴｒ２３のゲート電極（接点Ｎ２１）に印加されるオフ電圧Ｖoffは、上述した第１の実施形態と同様に、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ２３を十分にオフ状態とすることができる電圧値に設定される。具体的には、オフ電圧Ｖoffは、トランジスタＴｒ２３のソース端子に印加される電源電圧Ｖscよりも十分低い電圧値、例えば接地電位ＧＮＤよりも低い電位の、負の電圧値に設定される。

これにより、図２５に示すように、トランジスタＴｒ２１がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）にオフ電圧Ｖoffが印加される。また、トランジスタＴｒ２２がオフ動作して、トランジスタＴｒ２３のドレイン端子（接点Ｎ２２）の電位（ＧＮＤ）が保持される。また、トランジスタＴｒ２３のソース端子及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードは接地電位ＧＮＤに設定される。

すなわち、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）は、電圧（Ｖoff）により、ソース端子の電圧（ＧＮＤ）より十分低い電位に設定される。また、ドレイン端子（接点Ｎ２２）は接地電位ＧＮＤに設定される。したがって、トランジスタＴｒ２３のドレイン・ソース間の電流路は確実に閉じて、トランジスタＴｒ２３及び有機ＥＬ素子ＯＥＬには微小な漏れ電流さえも流れない状態となる（遮断ステップ）。

なお、本実施形態においては、Ｖoff書込期間Ｔwofにおいて、電源ラインＬｃに供給するローレベルの電源電圧Ｖscの電位を接地電位ＧＮＤに設定する場合を示した。本発明はこれに限定されるものではなく、電源ドライバ１３０の電源回路１３１と電源ラインＬｃとの接続点を切り離して（電源ラインＬｃをオープンにして）、電源ラインＬｃをハイインピーダンス状態に設定するものであってもよい。

次いで、電流測定期間Ｔrim（特性測定ステップ）においては、図２３（ａ）、図２６に示すように、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、電源ドライバ１３０が電源ラインＬｃにローレベルの電源電圧Ｖsc（例えば接地電位ＧＮＤ）を印加するとともに、共通電極Ｅａにハイレベルの電源電圧Ｖａ（例えば接地電位ＧＮＤよりも高い電位の電圧Ｖmeas）を印加する。また、このタイミングに同期して、図２３（ａ）、図２６に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｃに切換接続することにより、電流計１４６ｃの一端側にデータラインＬｄを接続する（電圧印加ステップ）。

ここで、共通電極Ｅａに印加されるハイレベルの電源電圧Ｖａ（電圧Ｖmeas）は、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソードに設定される接地電位ＧＮＤよりも高い電圧値に設定される（Ｖmeas＞ＧＮＤ）。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアスとなる電圧が印加される。具体的には、電圧Ｖmeasは、電流計１４６ｃを介してデータラインＬｄに対して接地電位ＧＮＤを印加することにより、共通電極Ｅａから有機ＥＬ素子ＯＥＬ、トランジスタＴｒ２２を介してデータラインＬｄに流れる電流Ｉmeasの電流値を、電流計１４６ｃにより測定することができる程度の正の電圧値に設定される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、電流Ｉmeasの電流値に応じた輝度で発光する。なお、電流Ｉmeasの電流値が十分小さい場合には、有機ＥＬ素子ＯＥＬは殆ど発光しない状態となる。

これにより、図２６に示すように、トランジスタＴｒ２１がオフ動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）に印加されたオフ電圧Ｖoffが保持される。また、トランジスタＴｒ２２がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のドレイン端子（接点Ｎ２２）がデータラインＬｄを介して電流計１４６ｃに接続され、当該電流計１４６ｃ及びデータラインＬｄを介してドレイン端子（接点Ｎ２２；有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード）に接地電位ＧＮＤに基づく電圧（Ｖn22≒接地電位ＧＮＤ）が印加される（接続ステップ）。また、トランジスタＴｒ２３のソース端子は接地電位ＧＮＤに設定され、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードは接地電位ＧＮＤよりも高い電位の電圧Ｖmeasに設定される。

したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード側に、カソード側の電圧（Ｖn22）よりも高い電位の電圧Ｖmeasが印加されるので、電圧Ｖmeasと電圧（Ｖn22≒接地電位ＧＮＤ）との電位差、及び、有機ＥＬ素子ＯＥＬの導通抵抗に応じた電流Ｉmeasが、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して順方向に流れる。このとき、データラインＬｄに接続された電流計１４６ｃにより、電圧Ｖmeasが印加された共通電極Ｅａから有機ＥＬ素子ＯＥＬを介してデータラインＬｄに流れる電流Ｉmeasの電流値が測定される（電流測定ステップ）。電流計１４６ｃにより測定された電流Ｉmeasの電流値は、図２１に示したＡ／Ｄコンバータ１４７によりデジタルデータに変換された後、輝度補償用データとしてメモリ１４８に記憶される。メモリ１４８は、各画素ＰＩＸに対応付けて輝度補償用データを記憶する（補償データ格納ステップ）。

なお、本実施形態においては、電流測定期間Ｔrimにおいて、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる電流Ｉmeasの電流値を測定する動作を１回のみ実行する場合を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、例えば、共通電極Ｅａに電圧値の異なる電圧Ｖmeasを印加して、そのときに有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる電流Ｉmeasの電流値を測定する動作を複数回（例えば２、３回程度）実行するものであってもよい。この場合には、各画素ＰＩＸについて複数個の電流値が得られ、これらに基づく輝度補償用データが各画素ＰＩＸに対応付けてメモリ１４８に記憶される。

そして、上述した一連の輝度補償データ取得動作により、各画素ＰＩＸに対応して取得された輝度補償データ（デジタルデータに変換された電流Ｉmeas）と、共通電極Ｅａに印加した電圧Ｖmeasとの関係は、上述した第１の実施形態において説明したように、図１０（ｂ）に示した特性曲線ＳＰ０、ＳＰ１におけるＩ−Ｖ特性に対応する。したがって、特定（１又は複数）の電圧Ｖmeasと測定された電流Ｉmeasとの関係に基づいて、有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性（Ｉ−Ｖ特性）を示す特性曲線が特定される。

そして、後述する表示動作において、各画素ＰＩＸごとに特定された特性曲線（有機ＥＬ素子ＯＥＬのＩ−Ｖ特性）に基づく補正量に応じて、補正演算回路１４４により画像データＤ０〜Ｄｍを補正することにより、各画素ＰＩＸに書き込まれる階調電圧Ｖdataが補正されて、画像データに応じた本来の電流値（初期状態の特性曲線に応じた電流値）の発光駆動電流Ｉelが有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる。

次に、画素ＰＩＸが２次元配列された表示パネル１１０において、上述した輝度補償データ取得動作を実行する場合について説明する。
図２７は、本実施形態に係る輝度補償データ取得動作を、画素が２次元配列された表示パネルに適用した場合のタイミングチャートである。

図２０に示したように、複数の画素ＰＩＸが２次元配列された表示パネル１１０において、輝度補償データ取得動作を実行する場合には、図２７に示すように、まず、初期化期間Ｔiniにおいて、選択ドライバ１２０が表示パネル１１０の全ての行の選択ラインＬs1〜Ｌsnに対してハイレベルの選択信号Ｖse1〜Ｖsenを一斉に印加する。また、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０が電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａに対して接地電位ＧＮＤの電源電圧Ｖsc及びＶａを印加する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄを接地電位ＧＮＤに設定する。これにより、表示パネル１１０に配列された全ての画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣのキャパシタＣｓに蓄積された電荷や、各データラインＬｄに残留する電荷が放電されて初期化が行われる。

次いで、図２７に示すように、Ｖoff書込動作（Ｖoff書込期間Ｔwof）及び電流測定動作（電流測定期間Ｔrim）からなる一連の動作を、表示パネル１１０の１行目からｎ／２行目の画素ＰＩＸに対して順次実行する。まず、１行目の画素ＰＩＸに対して、上述したように、Ｖoff書込期間Ｔwofにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1にハイレベルの選択信号Ｖse1を印加するとともに、選択ラインＬs2〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse2〜Ｖsenを印加する。また、電源ドライバ１３０が電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａに接地電位ＧＮＤの電源電圧Ｖsc及びＶａを印加する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄに一斉に接地電位ＧＮＤよりも低い電位のオフ電圧Ｖoffを印加する。これにより、１行目の画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ２３が十分にオフ状態となる。

次いで、電流測定期間Ｔrimにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1、Ｌs3〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse1、Ｖse3〜Ｖsenを印加するとともに、選択ラインＬs2にハイレベルの選択信号Ｖse2を印加する。この状態で、データドライバ１４０は、各列のデータラインＬｄを一斉に接地電位ＧＮＤに設定するとともに、電源ドライバ１３０（電源回路１３２）が共通電極Ｅａに接地電位ＧＮＤよりも高い電位の電圧Ｖmeasの電源電圧Ｖａを印加する。これにより、１行目の画素ＰＩＸにおいて、有機ＥＬ素子ＯＥＬに電圧Ｖmeasに応じた電流Ｉmeasが流れる。この電流Ｉmeasの電流値を各データラインＬｄに接続された電流計１４６ｃにより個別に測定することにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性の変動を補償するための輝度補償データ（デジタル変換された電流Ｉmeas）が取得される。取得された輝度補償データは、各画素ＰＩＸに対応する記憶領域を備えたメモリに格納される。

そして、以上のＶoff書込動作及び電流測定動作からなる一連の動作を２行目以降の画素ＰＩＸについても、順次繰り返し実行することにより、表示パネル１１０に配列された全ての画素ＰＩＸについて、輝度補償データが取得される。

なお、本実施形態においても、各行の画素ＰＩＸに対するＶoff書込動作及び電流測定動作を実行する前に、毎回初期化動作を実行するものであってもよい。これによれば、初期化動作が各行ごとに実行されるので、ある行の画素ＰＩＸに対するＶoff書込動作及び電流測定動作を行った後に、各列のデータラインＬｄや画素ＰＩＸに電荷が残留していても、初期化動作によってこの残留電荷が無くなり、次の行の画素ＰＩＸに対するＶoff書込動作及び電流測定動作を行う際に、先の残留電荷の影響を抑制もしくは無くすことができる。

（表示動作）
次に、本実施形態に係る表示装置における表示動作について説明する。
図２８は、本実施形態に係る表示装置における表示動作を示すタイミングチャートである。図２９は、本実施形態に係る表示装置におけるリセット動作を示す動作概念図である。図３０は、本実施形態に係る表示装置における階調電圧書込動作を示す動作概念図である。図３１は、本実施形態に係る表示装置における発光動作を示す動作概念図である。ここで、図２９〜図３１おいては、データドライバ１４０の構成として、図示の都合上、Ｄ／Ａコンバータ１４５と出力回路１４６のみを示す。また、上述した第１の実施形態と同等の表示動作についてはその説明を簡略化する。

本実施形態に係る表示動作は、上述した第１の実施形態と同様に、図２８に示すように、所定の１処理サイクル期間（表示期間）Ｔcycを有して実行される。１処理サイクル期間Ｔcycは、リセット期間Ｔrstと、Ｖdata書込期間Ｔwrtと、発光期間Ｔemと、を含む（Ｔcyc≧Ｔrst＋Ｔwrt＋Ｔem）。

まず、リセット期間Ｔrstにおいては、図２８、図２９に示すように、電源ドライバ１３０が画素ＰＩＸに接続された電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａに各々ローレベル（接地電位ＧＮＤ）の電源電圧Ｖsc及びＶａを印加する。また、、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、このタイミングに同期して、図２８、図２９に示すように、データドライバ１４０が出力回路１４６に設けられた切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｂに切換接続することにより、データラインＬｄを接地電位ＧＮＤ（リセット電圧）に設定する。

これにより、図２９に示すように、トランジスタＴｒ２２がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のドレイン端子（接点Ｎ２２；有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード）が接地電位ＧＮＤに設定され、トランジスタＴｒ２３のソース端子及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードも接地電位ＧＮＤに設定される。このとき、トランジスタＴｒ２３はオフ状態となる。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、発光動作しない。

次いで、Ｖdata書込期間Ｔwrtにおいては、図２８、図３０に示すように、電源ドライバ１３０が電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａにローレベル（接地電位ＧＮＤ）の電源電圧Ｖsc及びＶａを印加する。また、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、このタイミングに同期して、図２８、図３０に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎａに切換接続することにより、データラインＬｄに対して画像データに対応した階調電圧Ｖdataを印加する。

これにより、図３０に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ２１がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）に階調電圧Ｖdataが印加される。また、トランジスタＴｒ２２がオフ動作して、トランジスタＴｒ２３のドレイン端子（接点Ｎ２２）に印加された接地電位ＧＮＤが保持される。また、トランジスタＴｒ２３のソース端子及び有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードは接地電位ＧＮＤに設定される。したがって、トランジスタＴｒ２３のゲート・ソース間に接続されたキャパシタＣｓに階調電圧Ｖdataに応じた電荷が蓄積されて画素ＰＩＸに階調電圧Ｖdataが書き込まれる。なお、このとき、トランジスタＴｒ２３はオン動作するが、ソース・ドレイン間に電位差が生じていないため、トランジスタＴｒ２３のソース・ドレイン間には電流は流れない。これによって有機ＥＬ素子ＯＥＬにも電流が流れず、発光動作しない。

ここで、階調電圧Ｖdataは、上述した輝度補償データ取得動作において取得した輝度補償データに基づいて特定された特性曲線を参照して抽出された補正量に応じて補正された電圧値に設定される。具体的には、上述した第１の実施形態と同様に、階調電圧Ｖdataは、補正演算回路１４４により、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード・カソード間に印加される発光駆動電圧Ｖelが、画像データの輝度階調値に応じて生成される電圧成分に、上述した輝度補償データ取得動作により取得された有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性（Ｉ−Ｖ特性曲線）の変化量に応じた電圧成分（補正電圧成分）を加味した電圧値となる電圧値に補正される（補正ステップ）。これにより、後述する発光動作において、画像データに基づいて画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬに本来供給されるべき電流値の電流（発光駆動電流）がトランジスタＴｒ１３により生成される。

次いで、発光期間Ｔemにおいては、図２８、図３１に示すように、選択ドライバ１２０が選択ラインＬsea及びＬsebにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖsea、Ｖsebを印加する。また、電源ドライバ１３０が共通電極Ｅａにハイレベルの電源電圧Ｖａを印加し、電源ラインＬｃにローレベルの電源電圧Ｖsc（接地電位ＧＮＤ）を印加する。また、このタイミングに同期して、図２８、図３１に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｂに切換接続することにより、データラインＬdaを接地電位ＧＮＤに設定する。

これにより、図３１に示すように、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２がオフ動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）に印加された電圧Ｖdataが保持される。また、トランジスタＴｒ２３のソース端子にはローレベルの電源電圧Ｖscが印加され、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノードにはハイレベルの電源電圧Ｖａが印加される。

したがって、キャパシタＣｓに充電された電圧ＶdataによりトランジスタＴｒ２３のゲート・ソース間電圧が保持されて、トランジスタＴｒ２３がオン動作する。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアスが印加されるため、共通電極Ｅａから有機ＥＬ素子ＯＥＬ、接点Ｎ２２、トランジスタＴｒ２３を介して、電源ラインＬｃ方向に発光駆動電流Ｉelが流れる。ここで、発光駆動電流Ｉelは、上記Ｖdata書込動作において画素ＰＩＸに書き込まれ、トランジスタＴｒ２３のゲート・ソース間に保持された階調電圧Ｖdataの電圧値に基づいて規定されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性の変化を補償して、画像データに応じた本来の発光輝度に対応した電流値を有している。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、発光特性の変化の状態に関わらず、画像データに応じた本来の輝度階調で発光動作する。

次に、画素ＰＩＸが２次元配列された表示パネル１１０において、上述した表示動作を実行する場合について説明する。
図３２は、本実施形態に係る表示動作を、画素が２次元配列された表示パネルに適用した場合のタイミングチャートである。ここで、上述した第１の実施形態と同等の表示動作についてはその説明を簡略化する。

画素ＰＩＸが２次元配列された図２０に示した表示パネル１１０において、表示動作を実行する場合には、上述した第１の実施形態と同様に、図３２に示すように、画像データ書込期間Ｔdwtに、リセット動作及びＶdata書込動作からなる一連の動作を、表示パネル１１０の１行目からｎ／２行目の画素ＰＩＸに対して順次実行する。

まず、図３２に示すように、リセット期間Ｔrstにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1、Ｌs3〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse1、Ｖse3〜Ｖsenを印加するとともに、選択ラインＬs2にハイレベルの選択信号Ｖse2を印加する。また、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０が電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａを接地電位ＧＮＤに設定する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄを一斉に接地電位ＧＮＤに設定する。これにより、１行目の各画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２（トランジスタＴｒ２３のドレイン端子、又は、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード）の電位が接地電位ＧＮＤにリセットされる。

次いで、図３２に示すように、Ｖdata書込期間Ｔwrtにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1にハイレベルの選択信号Ｖse1を印加するとともに、選択ラインＬs2〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse2〜Ｖsenを印加する。この状態で、データドライバ１４０が各列のデータラインＬｄに画像データに応じ、かつ、上述した輝度補償データ取得動作により取得した輝度補償データに基づいて補正した階調電圧Ｖdataを印加する。これにより、１行目の画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣのキャパシタＣｓに階調電圧Ｖdataに応じた電荷が充電されて画像データが書き込まれる。

そして、以上の１行目の画素ＰＩＸに対する一連の動作を、図３２に示すように、２行目からｎ／２行目の画素ＰＩＸについても順次繰り返し実行することにより、表示パネル１１０に配列された全ての画素ＰＩＸについて、画像データに応じ、かつ、上述した輝度補償データ取得動作により取得した輝度補償データに基づく補正量に応じて補正された階調電圧Ｖdataが書き込まれる。

次いで、図３２に示すように、全画素一括発光期間Ｔaemにおいて、選択ドライバ１２０が選択ラインＬs1〜Ｌsnにローレベルの選択信号Ｖse1〜Ｖsenを印加する。この状態で、電源ドライバ１３０が共通電極Ｅａにハイレベルの電源電圧Ｖａを印加し、電源ラインＬｃにローレベルの電源電圧Ｖscを印加する。これにより、表示パネル１１０の全ての行の画素ＰＩＸにおいて、画素駆動回路ＤＣの駆動トランジスタであるトランジスタＴｒ２３に、階調電圧Ｖdataに応じた電流値の発光駆動電流Ｉelが流れ、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬが画像データに応じた本来の輝度階調で発光動作して、表示パネル１１０に所望の画像情報が表示される。

以上説明したように、本実施形態に係る表示装置（発光装置）及びその駆動制御方法によれば、データドライバ１４０の構成をより簡素化しつつ、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性（Ｉ−Ｖ特性）の変化に対応した電流Ｉmeasを、簡易な方法で測定して画素ＰＩＸごとに輝度補償データを取得することができる。このとき、電源ドライバ１３０（電源回路１３１、１３２）は、各画素ＰＩＸに対して負の電圧値の電源電圧を印加する必要がないので、電源ドライバ１３０として低耐圧の回路構成を適用することができ、製造コストを削減することができる。

また、各画素ＰＩＸへの画像データの書き込み時に、各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光特性の変化に応じて補正された階調電圧Ｖdataを書き込むことができる。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬの特性変化の状態に関わらず、画像データに応じた本来の電流値の発光駆動電流Ｉelを有機ＥＬ素子ＯＥＬに流すことができるので、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作させることができ、良好かつ均質な画質を実現することができる。

（発光装置の画素欠陥検出方法）
次に、本実施形態に係る表示装置の駆動制御方法の他の例（画素欠陥検出方法）について、図面を参照して説明する。

本実施形態に係る表示装置は、上述した第１の実施形態と同様に、発光パネル（表示パネル）に配列された画素ＰＩＸの欠陥を検出する場合にも適用することができる。以下、具体的に説明する。

図３３は、本実施形態に係る表示装置における画素欠陥検出動作を示すタイミングチャートである。図３４は、本実施形態に係る画素欠陥検出動作におけるオフ電圧印加動作を示す動作概念図である。図３５は、本実施形態に係る画素欠陥検出動作における電流測定動作を示す動作概念図である。ここで、図３４、図３５においては、図示の都合上、図２１に示したデータドライバ１４０のうち、Ｄ／Ａコンバータ１４５と出力回路１４６のみを示す。なお、上述した輝度補償データ取得動作と同等の制御動作については、その説明を簡略化する。

本実施形態に係る画素欠陥検出動作においては、図３３に示すように、所定の画素欠陥検出期間Ｔpddを有して実行される。画素欠陥検出期間Ｔpddは、少なくともＶoff書込期間Ｔwofと、電流測定期間Ｔrimと、を含む。Ｖoff書込期間Ｔwofにおいては、上述した輝度補償データ取得動作と同様に、画素ＰＩＸにオフ電圧Ｖoffが書き込まれる。また、電流測定期間Ｔrimにおいては、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して逆バイアス電圧を印加した状態で、画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）に流れる電流Ｉmeasが測定される。

まず、Ｖoff書込期間Ｔwofにおいては、上述した輝度補償データ取得動作におけるＶoff書込動作と同様に、図３３、図３４に示すように、電源ドライバ１３０が電源ラインＬｃ及び共通電極Ｅａに接地電位ＧＮＤの電源電圧Ｖsc及びＶａを印加する。また、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、このタイミングに同期して、図３３、図３４に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎａに切換接続することにより、データラインＬｄに対して、例えば接地電位ＧＮＤよりも低い電位の、負の電圧値のオフ電圧Ｖoffを印加する。これにより、図３４に示すように、画素ＰＩＸの画素駆動回路ＤＣに設けられたトランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）にオフ電圧Ｖoffが印加され、トランジスタＴｒ２３のドレイン・ソース間の電流路は確実に閉じる。

次いで、電流測定期間Ｔrimにおいては、図３３、図３５に示すように、選択ドライバ１２０が選択ラインＬseaにローレベル（非選択レベル）の選択信号Ｖseaを印加するとともに、選択ラインＬsebにハイレベル（選択レベル）の選択信号Ｖsebを印加する。また、電源ドライバ１３０が電源ラインＬｃに接地電位ＧＮＤの電源電圧Ｖscを印加するとともに、共通電極Ｅａに接地電位ＧＮＤよりも低い負の電圧Ｖraの電源電圧Ｖａを印加する。また、このタイミングに同期して、図３３、図３５に示すように、データドライバ１４０が切換スイッチ１４６ａを接点Ｎｃに切換接続することにより、電流計１４６ｃの一端をデータラインＬdに接続する。

ここで、共通電極Ｅａに印加される電源電圧Ｖａ（＝Ｖra）は、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード（接点Ｎ２２）に印加される電圧（Ｖn22≒接地電位ＧＮＤ）よりも低い電位の電圧値に設定される（Ｖra＜ＧＮＤ）。具体的には、電源電圧Ｖａ（＝Ｖra）は、データラインＬｄからトランジスタＴｒ１２、有機ＥＬ素子ＯＥＬを介して共通電極Ｅａに流れる電流Ｉmeasの電流値を、電流計１４６ｃにより測定することができる程度の負の電圧値に設定される。

これにより、図３５に示すように、トランジスタＴｒ２１がオフ動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）に印加されたオフ電圧Ｖoffが保持される。また、トランジスタＴｒ２２がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のドレイン端子（接点Ｎ２２）がトランジスタＴｒ２２及びデータラインＬｄを介して、電流計１４６ｃの一端側に接続される。また、トランジスタＴｒ２３のソース端子は、電源電圧Ｖscにより接地電位ＧＮＤに設定される。

したがって、有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード側（接点Ｎ２２）に、アノード側（共通電極Ｅａ）よりも高電圧が印加された逆バイアス状態に設定されるので、当該逆バイアス電圧、及び、有機ＥＬ素子ＯＥＬの素子特性に応じた微少な漏れ電流Ｉmeasが、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して逆方向に流れる。このとき、データラインＬｄに接続された電流計１４６ｃにより、データラインＬｄから画素ＰＩＸに流れる電流Ｉmeasの電流値が測定される。

上記の一連の画素欠陥検出動作により測定された電流Ｉmeasは、そのまま、あるいは、例えば図２１に示したＡ／Ｄコンバータ１４７によりデジタルデータに変換された後、画素欠陥判定処理に適用される。画素欠陥判定処理においては、上述した第１の実施形態と同様に、例えば有機ＥＬ素子ＯＥＬの素子構造や設計データに基づいてシミュレーション等を用いて、あるいは、正常な特性の有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する画素ＰＩＸに対して上記の一連の画素欠陥検出動作を実行して、規定値Ｉstを予め取得しておく。そして、特定の画素ＰＩＸに対して測定された電流Ｉmeasの電流値と、上記規定値Ｉstの電流値とを比較して、その比較結果に基づいて当該有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する画素ＰＩＸが欠陥画素であるか否かを判定する（画素欠陥判定ステップ）。

したがって、本実施形態に係る表示装置の画素欠陥検出方法によれば、上述した第１の実施形態と同様に、表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬについて簡易な手法を用いて測定された電流Ｉmeasに基づいて、当該画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）が欠陥であるか否かを判定することができる。

なお、上述した第１及び第２の実施形態においては、発光素子の特性（電流−電圧特性）の変動量を検出するための手法として、特定の参照電圧Ｖmeasを、データラインＬｄを介して画素ＰＩＸに印加した状態で、発光素子に流れる電流Ｉmeasの電流値を測定して、輝度補償データとして取得する場合について説明した。本発明はこれに限定されるものではなく、特定の参照電流を、データラインＬｄを介して各画素ＰＩＸに流す（流し込む、又は、引き抜く）ことにより、発光素子の両端に生じる電圧値を測定して、上記の輝度補償データとして取得するものであってもよい。

＜第３の実施形態＞
次に、上述した第１及び第２の実施形態に係る表示パネル（発光パネル）を適用した電子機器について、第３の実施形態として図面を参照して説明する。

図３６は、本実施形態に係るデジタルカメラの構成を示す斜視図であり、図３７は、本実施形態に係るパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であり、図３８は、本実施形態に係る携帯電話機の構成を示す図である。
上述した有機ＥＬ素子ＯＥＬからなる発光素子を各画素ＰＩＸに備える表示パネル１１０は、例えばデジタルカメラやモバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機等、種々の電子機器に適用できるものである。

図３６において、デジタルカメラ２００は、概略、本体部２０１と、レンズ部２０２と、操作部２０３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示部２０４と、シャッターボタン２０５とを備えている。これによれば、表示部２０４において、表示パネル１１０の各画素の発光素子が画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作するので、良好かつ均質な画像表示を実現することができる。

また、図３７において、パーソナルコンピュータ２１０は、概略、本体部２１１と、キーボード２１２と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示部２１３とを備えている。この場合においても、表示部２１３において、表示パネル１１０の各画素の発光素子が画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作するので、良好かつ均質な画像表示を実現することができる。

また、図３８において、携帯電話機２２０は、概略、操作部２２１と、受話口２２２と、送話口２２３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示部２２４とを備えている。この場合においても、表示部２２４において、表示パネル１１０の各画素の発光素子が画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作するので、良好かつ均質な画像表示を実現することができる。

なお、上述した各実施形態においては、本発明に係る表示装置及びその駆動制御方法を、有機ＥＬ素子ＯＥＬからなる発光素子を有する複数の画素ＰＩＸが２次元配列された表示パネル１１０に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、本発明は、例えば発光素子を有する複数の画素が一方向に配列された発光素子アレイを備え、感光体ドラムに画像データに応じて発光素子アレイから出射した光を照射して露光する露光装置に適用するものであってもよい。この場合においても、発光素子アレイの各画素の発光素子を、画像データに応じた適切な輝度で発光動作させることができるので、良好な露光状態を実現することができる。

１００ 表示装置
１１０ 表示パネル
１２０ 選択ドライバ
１３０ 電源ドライバ
１４０ データドライバ
１４４ 補正演算回路
１４５ Ｄ／Ａコンバータ
１４６ 出力回路
１４６ａ、１４６ｄ 切換スイッチ
１４６ｂ フォロワアンプ
１４６ｃ 電流計
１４７ Ａ／Ｄコンバータ
１４８ メモリ
１５０ システムコントローラ
ＰＩＸ 画素
ＤＣ 画素駆動回路
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子

Claims (19)

1. 発光装置であって、
   電源電圧が供給される電源ラインと、少なくとも一つの画素と、前記画素に接続されるデータラインと、を具備する発光パネルと、
   前記発光パネルに接続される駆動回路と、
   を備え、
   前記画素は、発光素子と、駆動トランジスタと、第１スイッチング素子と、を有し、
   前記駆動トランジスタは、一端側が前記発光素子に接続され、他端側が前記電源ラインに接続される電流路と、制御端子とを有し、
   前記第１スイッチング素子は、前記駆動トランジスタの前記電流路の一端側と前記発光素子との接続点と前記データラインとの間に設けられ、
   前記駆動回路は、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定した後、前記スイッチング素子を介して前記データラインと前記発光素子とを接続し、前記データラインと前記第１スイッチング素子とを介して、前記発光素子の電気的特性を取得する測定回路を有することを特徴とする発光装置。
2. 前記電源電圧を供給する電源回路を有し、
   前記駆動回路は、前記電源回路と前記電源ラインとの接続を遮断して、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
3. 前記駆動回路は、前記電源電圧を、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態となる電圧値に設定するとともに、前記駆動トランジスタの前記制御端子に該駆動トランジスタをオフ状態とする所定のオフ電圧を印加して、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
4. 前記画素は、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記データラインとの間に設けられる第２スイッチング素子と、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記電流路の一端側との間に設けられた保持容量を有し、
   前記駆動回路は、前記オフ電圧の印加に先立って、前記データライン、前記第１スイッチング素子、及び前記第２スイッチング素子を介して、前記保持容量の両端を同電位に近づけて、前記保持容量の蓄積電荷を放電させることを特徴とする請求項３記載の発光装置。
5. 前記測定回路は、
   前記データラインに測定用電圧を印加する電圧印加回路と、
   前記データラインと前記第１スイッチング素子とを介して、前記測定用電圧の印加に応じて前記発光素子に流れる電流の電流値を取得する電流測定回路と、
   を有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
6. 前記電圧印加回路は、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して順バイアスとなる電圧を印加することを特徴とする請求項５記載の発光装置。
7. 前記電圧印加回路は、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して逆バイアスとなる電圧を印加することを特徴とする請求項５記載の発光装置。
8. 前記駆動回路は、
   前記測定回路により取得された前記発光素子の前記電気的特性における電圧値又は電流値の少なくとも何れかの値を、輝度補償データとして記憶する記憶回路と、
   外部から供給される画像データを、前記記憶回路に記憶された前記輝度補償データに基づく補正量に応じて補正する補正演算回路と、
   を有していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。
9. 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする１乃至８のいずれかに記載の発光装置。
10. 請求項１乃至９のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする電子機器。
11. 発光装置の駆動制御方法であって、
    電源電圧が供給される電源ラインと、データラインと、発光素子と、一端側が前記発光素子に接続され他端側が前記電源ラインに接続される電流路と、制御端子とを有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの前記電流路の一端側と前記発光素子との接続点と前記データラインとの間に設けられる第１スイッチング素子と、を有する少なくとも一つの画素と、を具備する発光装置を準備し、
    前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定する遮断ステップと、
    前記遮断ステップを実行した後、前記第１スイッチング素子を介して、前記データラインと前記発光素子とを接続する接続ステップと、
    前記接続ステップにより、前記データラインと前記発光素子とを前記第１スイッチング素子を介して接続した状態で、前記データライン及び前記第１スイッチング素子を介して、前記発光素子の電気的特性を取得する特性測定ステップと、
    を含むことを特徴とする発光装置の駆動制御方法。
12. 前記遮断ステップは、前記電源電圧を供給する電源回路と前記電源ラインとの接続を遮断して、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定する接続遮断ステップを含むことを特徴とする請求項１１記載の発光装置の駆動制御方法。
13. 前記遮断ステップは、
    前記電源電圧を、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態となる電圧値に設定する電源電圧設定ステップと、
    前記駆動トランジスタの前記制御端子に、該駆動トランジスタをオフ状態とする所定のオフ電圧を印加して、前記駆動トランジスタの前記電流路に電流が流れない状態に設定するオフ電圧印加ステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１１記載の発光装置の駆動制御方法。
14. 前記画素は、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記データラインとの間に設けられる第２スイッチング素子と、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記電流路の一端側との間に設けられた保持容量と、を有し、
    前記オフ電圧印加ステップに先立って、前記データライン、前記第１スイッチング素子、及び前記第２スイッチング素子を介して、前記保持容量の両端を同電位に近づけて、前記保持容量の蓄積電荷を放電させる初期化ステップを実行することを特徴とする請求項１３記載の発光装置の駆動制御方法。
15. 前記特性測定ステップにより取得された前記発光素子の前記電気的特性における電圧値又は電流値の少なくとも何れかの値を、輝度補償データとして記憶回路に格納する補償データ格納ステップと、
    外部から供給される画像データを、前記記憶回路に格納された前記輝度補償データに基づいて補正する補正ステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載の発光装置の駆動制御方法。
16. 前記特性測定ステップは、
    前記データラインに測定用電圧を印加する電圧印加ステップと、
    前記データラインと前記第１スイッチング素子とを介して、前記測定用電圧の印加に応じて前記発光素子に流れる電流の電流値を測定する電流測定ステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１１記載の発光装置の駆動制御方法。
17. 前記電圧印加ステップは、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して順バイアスとなる電圧を印加することを特徴とする請求項１６記載の発光装置の駆動制御方法。
18. 前記電圧印加ステップは、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して逆バイアスとなる電圧を印加することを特徴とする請求項１６記載の発光装置の駆動制御方法。
19. 前記特性測定ステップは、前記電圧印加ステップにより、前記測定用電圧として、前記発光素子に対して逆バイアスとなる電圧を印加したときに、前記電流測定ステップにより測定された前記電流値に基づいて、前記発光素子を有する前記画素が欠陥画素であるか否か判定する画素欠陥判定ステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１８記載の発光装置の駆動制御方法。

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