JP2011023417A - 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、シリコン基板１を備えている。シリコン基板１は、第１主面１ａ側にｎ⁻型半導体領域３を有し、第２主面１ｂ側にｎ^＋型半導体領域５を有している。ｎ⁻型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ⁻型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面（シリコン基板１の第１主面１ａ）に不規則な凹凸１１が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面は、光学的に露出している。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法に関する。

特定の波長帯域の光を検出する光検出装置として、第１導電型のシリコン基板の表層部に第２導電型の不純物領域が形成された第１の受光部及びシリコン基板の他の表層部に第２導電型の不純物領域が形成されこの第２導電型の不純物領域の下層部に高濃度の第１導電型の不純物領域が形成された第２受光部を有した半導体受光素子と、第１の受光部の出力と第２の受光部の出力との差を演算する信号処理回路とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１公報参照）。

特開平２−２４０５３１号公報

シリコン基板を用いた半導体光検出素子では、一般に、シリコン基板の厚みを大きく設定することにより、長波長側での分光感度特性を高めることは可能である。しかしながら、シリコン基板の厚みを十分に大きく設定した場合でも（例えば、１．５ｍｍ程度）、１１００ｎｍといった近赤外の波長帯域において、十分な分光感度特性を得ることは困難であった。このため、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する半導体光検出素子を実現することは困難であるとされてきた。また、シリコン基板が厚いと、半導体光検出素子自体が大型化するだけでなく、暗電流が増加するといった新たな問題点が生じる懼れもある。

本発明は、シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体光検出素子は、被検出光が入射される光入射面と、該光入射面に対向する裏面と、を有するシリコン基板を備え、シリコン基板は、裏面側に第１導電型の第１半導体層を有し、光入射面側に第１半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第２半導体層を有しており、第１半導体層には、該第１半導体層とでｐｎ接合を形成する第２導電型の第３半導体領域が設けられ、第３半導体領域は、光学的に露出していると共に、不規則な凹凸が形成されていることを特徴とする。

本発明に係る半導体光検出素子では、光入射面から入射した光のうち近赤外を含む長波長帯域の光は、シリコン基板に入射した後、シリコン基板内を長く進み、第３半導体領域に形成された不規則な凹凸に到達する。到達した光は、この不規則な凹凸にて反射、散乱、又は拡散されて、シリコン基板内を更に進む。これにより、近赤外を含む長波長帯域の光は、その一部が半導体光検出素子（シリコン基板）を透過することなく、上記第１半導体層で吸収されて、キャリアを発生させる。近赤外を含む長波長帯域の光により発生したキャリアは、ｐｎ接合へ移動し、光電流として検出される。

一方、光入射面から入射した光のうち短波長帯域の光は、シリコン基板に入射した後、シリコン基板内を長く進むことなく、光入射面から比較的浅い位置でキャリアを発生させるが、光入射面側に上記第２半導体層を有しているので、短波長帯域の光により発生したキャリアは、第２半導体層でトラップされて、ｐｎ接合へ移動し難い。このため、短波長帯域の光は、半導体光検出素子の光検出感度に寄与し難い。

以上のことから、本発明に係る半導体光検出素子は、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する。

好ましくは、第３半導体領域の厚みが、不規則な凹凸の高低差よりも大きい。この場合、ｐｎ接合を確実に形成することができる。

本発明に係る半導体光検出素子の製造方法は、互いに対向する第１及び第２主面を有すると共に、第１主面側に第１導電型の第１半導体層を有し且つ第２主面側に第１半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第２半導体層を有するシリコン基板を準備する工程と、第１半導体層に、第２導電型の第３半導体領域を形成する工程と、第３半導体領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸を形成する工程と、不規則な凹凸が形成されたシリコン基板を熱処理する工程と、を備えることを特徴とする。

本発明に係る半導体光検出素子の製造方法によれば、第３半導体領域に不規則な凹凸が形成されている半導体光検出素子を得ることができる。この半導体光検出素子は、上述したように、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する。

好ましくは、第３半導体領域の厚みを、不規則な凹凸の高低差よりも大きくする。この場合、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸を形成する場合でも、ｐｎ接合を確実に形成することができる。

好ましくは、不規則な凹凸を形成する工程では、パルスレーザ光としてピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光を照射する。この場合、不規則な凹凸を適切で且つ容易に形成することができる。

本発明によれば、シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供することができる。

本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。 本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。 本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。 本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。 本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法により形成された不規則な凹凸を観察したＳＥＭ画像である。 本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。 本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。 本実施形態に係るフォトダイオードの構成を示す図である。 実施例１及び比較例１における、波長に対する分光感度の変化を示す線図である。 本実施形態に係るフォトダイオードアレイの構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

まず、図１〜図７を参照して、本実施形態に係るフォトダイオードＰＤ１の製造方法について説明する。図１〜図７は、本実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。

まず、シリコン（Ｓｉ）結晶からなり、互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有するシリコン基板１を準備する（図１参照）。シリコン基板１は、低不純物濃度であり且つ第１主面１ａ側に位置するｎ⁻型半導体領域３と、高不純物濃度であり且つ第２主面１ｂ側に位置するｎ^＋型半導体領域５とからなる。ｎ^＋型半導体領域５は、ｎ⁻型半導体領域３よりも不純物濃度が高い。シリコン基板１の厚みは、例えば、５００μｍ程度である。シリコン基板１としては、拡散ウエハ、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩウエハ等を用いることができる。

ｎ⁻型半導体領域３の厚みは、例えば３００μｍ程度である。ｎ⁻型半導体領域３の比抵抗は、例えば３ｋΩ・ｃｍ程度であり、高抵抗層として機能する。ここで、「高抵抗」とは、高不純物濃度であるｎ^＋型半導体領域５に対して比抵抗が高いことを示している。ｎ^＋型半導体領域５の厚みは、例えば２００μｍ程度である。ｎ^＋型半導体領域５の比抵抗は、例えば０．０１Ω・ｃｍ程度である。本実施形態では、「高不純物濃度」とは例えば不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３程度以上のことであって、「＋」を導電型に付けて示し、「低不純物濃度」とは不純物濃度が１×１０^１５ｃｍ^−３程度以下であって「−」を導電型に付けて示すものとする。ｎ型不純物としては燐（Ｐ）などがある。

次に、ｎ⁻型半導体領域３に、ｐ^＋型半導体領域７及びｎ^＋型半導体領域９を形成する（図２参照）。ｐ^＋型半導体領域７は、中央部が開口したマスクなどを用い、ｎ⁻型半導体領域３内において第１主面１ａ側からｐ型不純物を高濃度に拡散させることにより形成する。ｐ型不純物としては硼素（Ｂ）などがある。ｎ^＋型半導体領域９は、周辺部領域が開口した別のマスクなどを用い、ｐ^＋型半導体領域７を囲むように、ｎ⁻型半導体領域３内において第１主面１ａ側からｎ型不純物をｎ⁻型半導体領域３よりも高濃度に拡散させることにより形成する。ｐ^＋型半導体領域７の厚みは、例えば３μｍ程度であり、シート抵抗は、例えば４４Ω／ｓｑ．である。ｎ^＋型半導体領域９の厚みは、例えば１．５μｍ程度であり、シート抵抗は、例えば１２Ω／ｓｑ．である。

次に、ｐ^＋型半導体領域７にパルスレーザ光ＰＬを照射して、不規則な凹凸１１を形成する（図３参照）。ここでは、図４に示されるように、シリコン基板１をチャンバＣ内に配置し、チャンバＣの外側に配置されたパルスレーザ発生装置ＰＬＤからパルスレーザ光ＰＬをシリコン基板１（ｐ^＋型半導体領域７）に照射する。チャンバＣはガス導入部Ｇ_ＩＮ及びガス排出部Ｇ_ＯＵＴを有しており、不活性ガス（例えば、窒素ガスやアルゴンガスなど）をガス導入部Ｇ_ＩＮから導入してガス排出部Ｇ_ＯＵＴから排出することにより、チャンバＣ内に不活性ガス流Ｇ_ｆが形成されている。パルスレーザ光ＰＬを照射した際に生じる塵などが不活性ガス流Ｇ_ｆによりチャンバＣ外に排出され、シリコン基板１への加工屑や塵などの付着を防いでいる。

本実施形態では、パルスレーザ発生装置ＰＬＤとしてピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ発生装置を用い、ｐ^＋型半導体領域７にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光を照射している。ｐ^＋型半導体領域７の表面（第１主面１ａ）はピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、図５に示されるように、不規則な凹凸１１がｐ^＋型半導体領域７の表面に形成される。

不規則な凹凸１１は、第２主面１ｂに直交する方向に対して交差する面を有している。凹凸１１の高低差は、例えば０．５〜１．０μｍ程度であり、凹凸１１における凸部の間隔は０．５〜１．０μｍ程度である。ピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光のパルス時間幅は例えば５０ｆｓ〜２ｐｓ程度であり、強度は例えば４〜１６ＧＷ程度であり、パルスエネルギーは例えば２００〜８００μＪ／ｐｕｌｓｅ程度である。より一般的には、ピーク強度は、３×１０^１１〜２．５×１０^１３（Ｗ／ｃｍ^２）、フルエンスは、０．１〜１．３（Ｊ／ｃｍ^２）程度である。図５は、ｐ^＋型半導体領域７の表面に形成された不規則な凹凸１１を観察したＳＥＭ画像である。

次に、シリコン基板１を熱処理（アニール）する。ここでは、シリコン基板１を、Ｎ_２ガスといった雰囲気下で、８００〜１０００℃程度の範囲で、０．５〜１時間程度にわたって加熱する。

次に、シリコン基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂに保護層１３を形成する（図６参照）。保護層１３は、例えば、ＳｉＯ_２からなり、例えばプラズマＣＶＤ法により形成される。保護層１３の厚みは、例えば１μｍ程度である。保護層１３は、絶縁層としても機能する。そして、ｐ^＋型半導体領域７上の保護層１３にコンタクトホールＨ１を形成し、ｎ^＋型半導体領域９上の保護層１３にコンタクトホールＨ２を形成する。図６に示されるように、ｐ^＋型半導体領域７の表面に形成された不規則な凹凸１１は露出していることが好適である。不規則な凹凸１１は、後述するように、光学的に露出していればよく、例えば１μｍ程度の保護層１３で覆われていてもよい。

次に、電極１５，１７を形成する（図７参照）。電極１５は、コンタクトホールＨ１内に形成され、電極１７は、コンタクトホールＨ２内に形成される。電極１５，１７は、それぞれアルミニウム（Ａｌ）などからなり、厚みは例えば１μｍ程度である。これにより、フォトダイオードＰＤ１が完成する。

フォトダイオードＰＤ１は、図７に示されるように、シリコン基板１を備えている。シリコン基板１は、第１主面１ａ側にｎ⁻型半導体領域３を有し、第２主面１ｂ側にｎ^＋型半導体領域５を有している。ｎ⁻型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ⁻型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。ｎ^＋型半導体領域９は、ガードリングとして機能する。

電極１５は、コンタクトホールＨ１を通して、ｐ^＋型半導体領域７に電気的に接触且つ接続されている。電極１７は、コンタクトホールＨ２を通して、ｎ^＋型半導体領域９に電気的に接触且つ接続されている。

ｐ^＋型半導体領域７の表面（シリコン基板１の第１主面１ａ）に不規則な凹凸１１が形成されている。本実施形態では、ｐ^＋型半導体領域７の表面における電極１５が接続される領域を除いて、不規則な凹凸１１が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面は、光学的に露出している。ｐ^＋型半導体領域７の表面が光学的に露出しているとは、ｐ^＋型半導体領域７の表面が空気などの雰囲気ガスと接しているのみならず、ｐ^＋型半導体領域７の表面上に光学的に透明な膜が形成されている場合も含む。本実施形態では、ｐ^＋型半導体領域７の表面における不規則な凹凸１１が形成された領域は、保護層１３にて覆われておらず、露出している。保護層１３は、光学的に透明である場合、ｐ^＋型半導体領域７の表面における不規則な凹凸１１が形成された領域を覆うように形成されてもよい。保護層１３が光学的に透明でない場合には、保護層１３は、ｐ^＋型半導体領域７の表面における不規則な凹凸１１が形成された領域を覆わないように形成される。

フォトダイオードＰＤ１は、図８に示されるように、第２主面１ｂが光入射面とされるように配置される。第２主面１ｂ側からフォトダイオードＰＤ１に光が入射すると、入射した光のうち近赤外を含む長波長帯域の光Ｌ１は、シリコン基板１内を長く進み、ｐ^＋型半導体領域７の表面に形成された不規則な凹凸１１に到達する。

通常、Ｓｉの屈折率ｎ＝３．５に対して、空気の屈折率ｎ＝１．０である。フォトダイオードでは、光入射面に垂直な方向から光が入射した場合、フォトダイオード（シリコン基板）内で吸収されなかった光は、光入射面の裏面にて反射する光成分とフォトダイオードを透過する光成分に分かれる。フォトダイオードを透過した光は、フォトダイオードの感度には寄与しない。光入射面の裏面にて反射した光成分は、フォトダイオード内で吸収され、光電流となる。

フォトダイオードＰＤ１では、光入射面（第２主面１ｂ）に垂直な方向から光が入射した場合、近赤外を含む長波長帯域の光Ｌ１がｐ^＋型半導体領域７の表面に形成された不規則な凹凸１１に到達すると、凹凸１１からの出射方向に対して１６．６°以上の角度にて到達した光成分は、凹凸１１にて全反射される。凹凸１１は、不規則に形成されていることから、出射方向に対して様々な角度を有しており、全反射した光成分は様々な方向に拡散する。このため、全反射した光成分は、更にｎ⁻型半導体領域３を進み、ｎ⁻型半導体領域３内部で吸収される。吸収されなかった光は、この後、ｎ^＋型半導体領域５を進み、シリコン基板１の表面等でその一部が反射してシリコン基板１の内部を長く進むことになる。ｎ^＋型半導体領域５でも光は吸収されるが、ｎ^＋型半導体領域５で吸収された光は感度には寄与しない。このように、近赤外を含む長波長帯域の光Ｌ１は、シリコン基板１の内部を長い距離進むうちに、ｎ⁻型半導体領域３で吸収された分が、光電流として検出されることとなる。

フォトダイオードＰＤ１に入射した光のうち近赤外を含む長波長帯域の光Ｌ１は、その大部分がフォトダイオードＰＤ１を透過することなく、走行距離が長くされて、ｎ⁻型半導体領域３で吸収されることとなる。そして、光Ｌ１により発生したキャリアは、ｐｎ接合へ移動し、光電流として検出される。したがって、フォトダイオードＰＤ１では、近赤外の波長帯域での分光感度特性が向上する。

一方、フォトダイオードＰＤ１に光が入射した光のうち短波長帯域の光Ｌ２は、シリコン基板１に入射した後、シリコン基板１内を長く進むことなく、光入射面（第２主面１ｂ）から比較的浅い位置でキャリアを発生させるが、光入射面（第２主面１ｂ）側にはｎ^＋型半導体領域５が存在しているので、短波長帯域の光Ｌ２により発生したキャリアは、ｎ^＋型半導体領域５でトラップされて、ｐｎ接合へ移動し難い。このため、短波長帯域の光Ｌ２は、フォトダイオードＰＤ１の光検出感度に寄与し難い。フォトダイオードＰＤ１が有する分光感度特性における短波長側の限界は、ｎ^＋型半導体領域５の厚みにより制御可能である。

以上のことから、フォトダイオードＰＤ１は、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有することとなる。

ここで、本実施形態において近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有し得る効果を確認するための実験を行なった。

上述した構成を備えたフォトダイオード（実施例１と称する）を作製し、それぞれの分光感度特性を調べた。シリコン基板１のサイズは、６．５ｍｍ×６．５ｍｍに設定した。ｎ⁻型半導体領域３及びｎ^＋型半導体領域５の厚みは、それぞれ上述した３００μｍと２００μｍとに設定した。ｐ^＋型半導体領域７、すなわち光感応領域のサイズは、５．８ｍｍ×５．８ｍｍに設定した。フォトダイオードに印加するバイアス電圧ＶＲは、０Ｖに設定した。

比較例１として、ｎ⁻型半導体基板にｐ^＋型半導体領域を形成した、一般的なフォトダイオードを採用した。比較例１におけるｎ⁻型半導体基板のサイズは、厚みを除いて、上述した実施例１におけるシリコン基板１のサイズと同等に設定した。ｎ⁻型半導体基板の厚みは、１．５ｍｍに設定した。比較例１におけるｐ^＋型半導体領域のサイズは、上述した実施例１におけるｐ^＋型半導体領域７のサイズと同等に設定した。

結果を図９に示す。図９において、実施例１の分光感度特性は特性Ｔ１で示され、比較例１の分光感度特性は特性Ｔ２で示されている。図９において、縦軸は分光感度（ｍＡ／Ｗ）を示し、横軸は光の波長（ｎｍ）を示している。破線にて示されている特性は、量子効率（ＱＥ）が１００％となる分光感度特性を示している。

図９から分かるように、比較例１のフォトダイオードに比して、実施例１のフォトダイオードは、近赤外（例えば、１１００〜１１５０ｎｍ）を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有している。

フォトダイオードといった半導体光検出素子において、シリコンからなる半導体基板を厚く設定することにより（例えば、数百μｍ〜２ｍｍ程度）、近赤外の波長帯域に分光感度特性を有する半導体光検出素子を実現することは可能である。しかしながら、単に半導体基板を厚く設定するだけでは、上述した実施例１のように、近赤外の波長帯域で実用上十分な分光感度特性を有する半導体光検出素子を実現することは難しい。

すなわち、本実施形態に係るフォトダイオードＰＤ１では、上述したように、ｐ^＋型半導体領域７の表面に不規則な凹凸１１が形成されていることにより、フォトダイオードＰＤ１に入射した光のうち近赤外を含む長波長帯域の光の走行距離が長くなる。このため、シリコン基板１（ｎ⁻型半導体領域３）、特に光感応領域であるｐｎ接合に対応する部分を厚くすることなく、近赤外の波長帯域で実用上十分な分光感度特性を有するフォトダイオードを実現することができる。したがって、半導体基板を厚くすることにより近赤外の波長帯域に分光感度特性を有するフォトダイオードよりも、上記フォトダイオードＰＤ１は、暗電流の増加が抑制され、フォトダイオードＰＤ１の検出精度が向上する。更に、シリコン基板１（ｎ⁻型半導体領域３）の厚みが薄いことから、フォトダイオードＰＤ１の応答速度も向上する。

本実施形態では、不規則な凹凸１１を形成した後に、シリコン基板１を熱処理している。これにより、不規則な凹凸１１を形成する工程で生じた結晶損傷の回復と再結晶化とが図られ、暗電流の増加等の不具合を防ぐことができる。

本実施形態では、ｐ^＋型半導体領域７の厚みを、不規則な凹凸１１の高低差よりも大きくしている。このため、ｐ^＋型半導体領域７を形成した後に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１１を形成しても、ｐ^＋型半導体領域７が確実に残ることとなる。したがって、ｎ⁻型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７とで確実にｐｎ接合を形成することができる。

本実施形態では、ピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１１を形成している。これにより、不規則な凹凸１１を適切で且つ容易に形成することができる。

本実施形態では、シリコン基板１を熱処理した後に、電極１５，１７を形成している。これにより、電極１５，１７に比較的融点の低い材料を用いる場合でも、熱処理により電極１５，１７が溶融するようなことはなく、熱処理の影響を受けることなく電極１５，１７を適切に形成することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、本発明は、図１０に示されるように、複数のｐ^＋型半導体領域７が形成されたフォトダイオードアレイＰＤＡ１にも適用可能である。

本実施形態に係るフォトダイオードＰＤ１及びフォトダイオードアレイＰＤＡ１におけるｐ型及びｎ型の各導電型を上述したものとは逆になるよう入れ替えてもよい。

本発明は、フォトダイオードなどの半導体光検出素子に利用できる。

１…シリコン基板、１ａ…第１主面、１ｂ…第２主面、３…ｎ⁻型半導体領域、５…ｎ^＋型半導体領域、７…ｐ^＋型半導体領域、１１…不規則な凹凸、１５，１７…電極、ＰＤ１…フォトダイオード、ＰＤＡ１…フォトダイオードアレイ、ＰＬ…パルスレーザ光。

Claims (5)

1. 被検出光が入射される光入射面と、該光入射面に対向する裏面と、を有するシリコン基板を備え、
   前記シリコン基板は、前記裏面側に第１導電型の第１半導体層を有し、前記光入射面側に前記第１半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第２半導体層を有しており、
   前記第１半導体層には、該第１半導体層とでｐｎ接合を形成する第２導電型の第３半導体領域が設けられ、
   前記第３半導体領域は、光学的に露出していると共に、不規則な凹凸が形成されていることを特徴とする半導体光検出素子。
2. 前記第３半導体領域の厚みが、不規則な前記凹凸の高低差よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体光検出素子。
3. 互いに対向する第１及び第２主面を有すると共に、前記第１主面側に第１導電型の第１半導体層を有し且つ前記第２主面側に前記第１半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第２半導体層を有するシリコン基板を準備する工程と、
   前記第１半導体層に、第２導電型の第３半導体領域を形成する工程と、
   前記第３半導体領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸を形成する工程と、
   不規則な前記凹凸が形成された前記シリコン基板を熱処理する工程と、を備えることを特徴とする半導体光検出素子の製造方法。
4. 前記第３半導体領域の厚みを、不規則な前記凹凸の高低差よりも大きくすることを特徴とする請求項３に記載の半導体光検出素子の製造方法。
5. 不規則な前記凹凸を形成する前記工程では、パルスレーザ光としてピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光を照射することを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体光検出素子の製造方法。