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JP2011014744A - 半導体装置 - Google Patents

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JP2011014744A
JP2011014744A JP2009158174A JP2009158174A JP2011014744A JP 2011014744 A JP2011014744 A JP 2011014744A JP 2009158174 A JP2009158174 A JP 2009158174A JP 2009158174 A JP2009158174 A JP 2009158174A JP 2011014744 A JP2011014744 A JP 2011014744A
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JP
Japan
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electrodes
wiring member
semiconductor device
igbt module
joined
Prior art date
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JP2009158174A
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English (en)
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Masanori Sugiura
雅宣 杉浦
Hajime Kosugi
肇 小杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
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Abstract

【課題】半導体素子と配線部材との接合寿命を向上させることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用のＩＧＢＴモジュール１０の表面にその中心から側辺に向けて長方形状に延設された三列の電極１１〜１３にそれぞれ配線部材Ｗ１〜Ｗ３が接合される。ここでは特に、これら配線部材Ｗ１〜Ｗ３を、長方形状に延設された各電極１１〜１３の延設方向端部を含めて接合する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電力の変換や各種電力制御等に用いられる電力用の半導体素子の表面電極にバスバーやボンディングワイヤ等の配線部材が電気的かつ機械的に接合されている半導体装置に関する。
こうした半導体装置としては、例えばハイブリッド車や電気自動車などにあって、車載バッテリから供給される直流電力を三相交流等に変換してモータ駆動用の電力変換を行うインバータ装置が知られている。図８に、従来一般に用いられているインバータ装置について、その回路構成の一例を示す。
図８に示されるように、このインバータ装置における直流電源Ｂの正極母線である正極バスバーＢＢＰと負極母線である負極バスバーＢＢＮとの間には、直流電源Ｂから印加される直流電圧を平滑化する平滑コンデンサＣ及び同直流電圧を三相交流に変換するインバータ回路ＩＮＶが接続されている。インバータ回路ＩＮＶは、上アームを構成する３つのスイッチング素子（ＩＧＢＴ：絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ）Ｔ１Ｕ、Ｔ３Ｖ、Ｔ５Ｗと、下アームを構成する３つのスイッチング素子Ｔ２Ｕ、Ｔ４Ｖ、Ｔ６Ｗとが三相ブリッジ接続されている。
また、スイッチング素子Ｔ１Ｕ、Ｔ３Ｖ、Ｔ５Ｗの各エミッタ電極、及びスイッチング素子Ｔ２Ｕ、Ｔ４Ｖ、Ｔ６Ｗの各コレクタ電極の結線部であるＵ相出力電極、Ｖ相出力電極、Ｗ相出力電極は、それぞれ出力線ＯＷＵ、ＯＷＶ、ＯＷＷを介して三相交流モータＭのＵ相コイル、Ｖ相コイル、Ｗ相コイルに接続されている。
ここで、上記各スイッチング素子Ｔ１Ｕ、Ｔ３Ｖ、Ｔ５Ｗ、及びスイッチング素子Ｔ２Ｕ、Ｔ４Ｖ、Ｔ６Ｗのエミッタ電極とコレクタ電極との間には、それぞれ整流素子である還流ダイオードＤ１Ｕ、Ｄ３Ｖ、Ｄ５Ｗ、及び還流ダイオードＤ２Ｕ、Ｄ４Ｖ、Ｄ６Ｗが逆並列に接続されている。
こうして、Ｕ相アームとしての半導体装置ＳＤＵが、スイッチング素子Ｔ１Ｕ、Ｔ２Ｕ及び還流ダイオードＤ１Ｕ、Ｄ２Ｕによって構成されている。また、Ｖ相アームとしての半導体装置ＳＤＶが、スイッチング素子Ｔ３Ｖ、Ｔ４Ｖ及び還流ダイオードＤ３Ｖ、Ｄ４Ｖによって構成されている。また一方、Ｗ相アームとしての半導体装置ＳＤＷが、スイッチング素子Ｔ５Ｗ、Ｔ６Ｗ及び還流ダイオードＤ５Ｗ、Ｄ６Ｗによって構成されている。
こうした半導体装置ＳＤＵ、ＳＤＶ、ＳＤＷは、一例として半導体装置ＳＤＵの構成例を図９に示すように、スイッチング素子Ｔ１Ｕ及びＴ２ＵからなるＩＧＢＴモジュール１０と還流ダイオードＤ１Ｕ及びＤ２Ｕからなるダイオードモジュール２０とによって構成されている。
このうち、ＩＧＢＴモジュール１０では、上記スイッチング素子Ｔ１Ｕのエミッタ端子及びスイッチング素子Ｔ２Ｕのコレクタ端子に対して電気的に接続された電極１１を有している。そして、上記出力線ＯＷＵを構成する配線部材Ｗ１には、こうした電極１１が電気的に接続されるとともにダイオードモジュール２０の表面に設けられた還流ダイオードＤ２Ｕのアノード側の電極２１が接続され、これによってそれら電極１１と電極２１との電気的な接続が行なわれている。また、上記負極バスバーＢＢＮを構成する配線部材Ｗ２には、ＩＧＢＴモジュール１０を構成するスイッチング素子Ｔ２Ｕのエミッタ端子に電気
的に接続された電極１２とダイオードモジュール２０を構成する還流ダイオードＤ２Ｕのカソード側の電極２２とが接続され、これによってそれら電極１２と電極２２との電気的な接続が行なわれている。そして、上記正極バスバーＢＢＰを構成する配線部材Ｗ３には、ＩＧＢＴモジュール１０を構成するスイッチング素子Ｔ１Ｕのコレクタ端子に電気的に接続された電極１３とダイオードモジュール２０を構成する還流ダイオードＤ１Ｕのカソード側の電極２３とが接続され、これによってそれら電極１３と電極２３との電気的な接続が行なわれている。また、スイッチング素子Ｔ１Ｕ及びＴ２Ｕの各ゲート電極が、それぞれ電極１４及び１５に電気的に接続されている。
ここで、こうした配線部材が用いられる半導体装置としては、例えば特許文献１や特許文献２に記載の半導体装置がある。このうち、特許文献１に記載の半導体装置では、厚さが０．１５ｍｍ〜０．６ｍｍ、幅が０．８４ｍｍ以上の断面角形をなす帯状の配線部材が半導体素子の電極に超音波接合されることにより、各半導体素子の電極間の電気的な接続が行なわれている。また、特許文献２に記載の半導体装置では、半導体素子の表面の電極の接合面に形成された凹部を有する配線部材が、その凹部内に向けて変形した状態で半導体素子の各電極に接合されることによって、各半導体素子の電極間の電気的な接続が行なわれている。
特開２００７−５４７４号公報 特開２００７−２２０７０４号公報
ところで、上記半導体装置は通常、図１０（ａ）及び（ｂ）にその一例を示すように、各配線部材Ｗ１〜Ｗ３の一端がＩＧＢＴモジュール１０の表面に長方形状に延設された各電極１１〜１３の中央付近で接合されるとともに、これら配線部材Ｗ１〜Ｗ３の途中で中継電極を兼ねるダイオードモジュール２０の各電極２１〜２３に接合されている。
半導体装置としてこのような構成によれば、上記各配線部材Ｗ１〜Ｗ３によって各電極が電気的に接続されるようにはなる。しかし、上記インバータ装置のように、配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合対象が電力用の半導体素子のような場合には、その動作に伴う温度上昇が大きいことから、上記各電極１１〜１３にて接合された配線部材Ｗ１〜Ｗ３に対して加わる熱ストレスが増大することとなる。この結果、こうした熱ストレスの増大に起因して、半導体素子と配線部材との接合寿命が低下する等、半導体装置としての劣化を早期に招くことにもなりかねない。
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体素子と配線部材との接合寿命を向上させることのできる半導体装置を提供することにある。
以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。
請求項１に記載の発明は、電力用の半導体素子の表面にその中心から側辺に向けて長方形状に延設された１乃至複数の電極に配線部材が接合されてなる半導体装置において、前記配線部材は、前記長方形状に延設された電極の延設方向端部を含めて接合されてなることを要旨とする。
上記電力用の半導体素子は、その動作時において、熱源となる同半導体素子の中央部が温度上昇率の高い高温領域となる一方、同半導体素子の端部は通常、温度上昇率が低い。
そこで、上記構成によるように、半導体素子の上記長方形状に延設された電極の延設方向端部を含めて配線部材を接合することとすれば、上記温度上昇率が低い領域となる延設方向端部を含むかたちで配線部材と電極とが接合されることから、配線部材と電極との接合部に対する熱ストレスが低減されるようになる。これにより、こうした配線部材によって各電極間の電気的な接合を行なう上で、半導体素子と配線部材との接合寿命を向上させることができるようになる。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置前記配線部材は、前記長方形状に延設された電極の延設方向両端部に対して接合されてなることを要旨とする。
上記構成によるように、長方形状に延設された電極の延設方向両端部に対して配線部材を接合することとすれば、配線部材の接合対象となる電極のうち、特に上記温度上昇率が低い領域での接合が可能となる。これにより、配線部材に対する熱ストレスをより確実に低減することができるようになる。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の半導体装置において、前記電極は前記半導体素子の表面に複数配列されてなり、前記配線部材は、それら電極のうち、前記半導体素子の角部に位置する部位を含めて接合されてなることを要旨とする。
上記構成によれば、例えばスイッチング素子のように配線部材の接合対象となる電極を複数有する場合であれ、それら電極のうちの素子角部に位置する部位を含めて配線部材が接合されることによって、半導体素子の発熱の影響の最も少ない部位での各電極と配線部材との接合が可能となる。
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記配線部材が、バスバーまたはボンディングワイヤであることを要旨とする。
この発明は、請求項４にかかる発明のように、配線部材としてバスバーまたはボンディングワイヤを用いる場合に特に有効であり、これらバスバー及びボンディングワイヤに対する熱ストレスの低減を通じて、半導体素子と接合部材との接合寿命の向上が図られるようになる。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記配線部材が、アルミニウムからなることを要旨とする。
上記構成によるように、アルミニウムからなる配線部材を用いることとすれば、アルミニウムの硬度が低いことから、半導体素子と配線部材との接合寿命の向上はもとより、配線部材としての接合形状の自由度が高められるようになる。
請求項６に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記配線部材が、銅からなることを要旨とする。
上記構成によるように、銅からなる配線部材を用いることとすれば、銅の導電性が高いことから、半導体素子と配線部材との接合寿命の向上はもとより、配線部材としての導電性の向上が図られるようになる。
本発明にかかる半導体装置の一実施の形態について、（ａ）は配線部材によるＩＧＢＴモジュールとダイオードモジュールとの接合態様を模式的に示す平面図、（ｂ）は同装置を側面から見た側面構造を模式的に示す側面図。 同実施の形態の半導体装置を構成するＩＧＢＴモジュールの熱分布を示す平面図。 配線部材が接合される半導体素子（ＩＧＢＴ）の素子温度変化量と、同配線部材と半導体素子との接合寿命との関係を示すグラフ。 本発明にかかる半導体装置の他の実施の形態について、（ａ）は配線部材によるＩＧＢＴモジュールとダイオードモジュールとの接合態様を模式的に示す平面図、（ｂ）は同装置を側面から見た側面構造を模式的に示す側面図。 本発明にかかる半導体装置の他の実施の形態について、（ａ）は配線部材によるＩＧＢＴモジュールとダイオードモジュールとの接合態様を模式的に示す平面図、（ｂ）は同装置を側面から見た側面構造を模式的に示す側面図。 本発明にかかる半導体装置の他の実施の形態について、（ａ）は配線部材によるＩＧＢＴモジュールとダイオードモジュールとの接合態様を模式的に示す平面図、（ｂ）は同装置を側面から見た側面構造を模式的に示す側面図。 本発明にかかる半導体装置の他の実施の形態について、（ａ）は配線部材によるＩＧＢＴモジュールとダイオードモジュールとの接合態様を模式的に示す平面図。（ｂ）は同装置を側面から見た側面構造を模式的に示す側面図。 直流−三相交流変換を行うインバータ装置の一般的な構成例を示す回路図。 インバータ装置の一部を構成する一般的な半導体装置の構成例としてＩＧＢＴモジュールとダイオードモジュールとの接続態様を模式的に示す等価回路図。 上記ＩＧＢＴモジュールとダイオードモジュールを有する従来の半導体装置について、（ａ）は配線部材によるＩＧＢＴモジュールとダイオードモジュールとの接合態様を模式的に示す平面図、（ｂ）は同装置を側面から見た側面構造を模式的に示す側面図。
図１に、本発明にかかる半導体装置を具現化した一実施の形態についてその構成を示す。
本実施の形態の半導体装置も、例えば先の図８及び図９に示したインバータ装置に用いられる半導体装置として構成されており、大きくは図１に示されるＩＧＢＴモジュール１０とダイオードモジュール２０とを有して構成されている。なお、図１（ａ）は同装置の平面構造を示しており、図１（ｂ）は同装置を側面から見た側面構造を示している。
図１（ａ）に示すように、半導体装置を構成するＩＧＢＴモジュール１０の表面には、その中心から側辺に向けて長方形状に延設された三列の電極１１〜１３と前記ゲート電極に接続されている電極１４及び１５とが設けられている。こうしたＩＧＢＴモジュール１０の各電極のうち、特に電極１１〜１３には、ＩＧＢＴモジュール１０の角部に位置する部位を含めるかたちで各電極１１〜１３の延設方向両端部に例えばバスバー、ボンディングワイヤ、金属リボン等からなる配線部材Ｗ１〜Ｗ３が接合されている。こうして、各電極１１〜１３に接合された各配線部材Ｗ１〜Ｗ３は、各電極１１〜１３の延設方向に沿って配線されるとともに、その途中で中継電極を兼ねるダイオードモジュール２０の表面に設けられた各電極２１〜２３に接合されている。なお、上記配線部材Ｗ１〜Ｗ３としては、その接合形状の自由度を優先する上では硬度の低いアルミニウムが望ましく、配線部材としての導電率を優先する上では導電性の高い銅が望ましい。
こうして、同図１（ｂ）に示す側面構造からも明らかなように、各配線部材Ｗ１〜Ｗ３は、その一端がＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３の上端に接合されている。また、これら各配線部材Ｗ１〜Ｗ３には、各電極１１〜１３との接合部から各電極１１〜１３の延設方向に沿って配線される途中において、ＩＧＢＴモジュール１０の中心部を避けるかたちで同モジュール１０の外側に一端屈曲されたのちに各電極１１〜１３の下端に接合されている。
こうした各配線部材Ｗ１〜Ｗ３は、ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３との接合部からそれら電極１１〜１３の延設方向に沿ってさらに延びるとともに、その途中でダイオードモジュール２０の表面に設けられた三列の電極２１〜２３に接合されている。こ
うして、ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３とダイオードモジュール２０の各電極２１〜２３とが電気的に接続された半導体装置が構成される。
次に、こうした半導体装置を構成するＩＧＢＴモジュール１０の動作時における熱分布について図２を参照して説明する。
すなわちいま、先のインバータ装置の駆動に伴ってＩＧＢＴモジュール１０に電流が流れたとすると、ＩＧＢＴモジュール１０は全面を熱源としてその温度が上昇するようになる。そして、ＩＧＢＴモジュール１０の中心部から周辺にかけて熱抵抗が低くなるため中央部のみの温度が高くなる。このため、こうしたＩＧＢＴモジュール１０の熱分布を図２に示すように、同ＩＧＢＴモジュール１０の中心部が最も温度の高い高温領域となる。一方、こうしたＩＧＢＴモジュール１０の中心部との距離が離れるにつれて同モジュール１０の温度は低くなるため、ＩＧＢＴモジュール１０の角部が最も温度上昇率の低い領域となる。そこで、本実施の形態では、先の図１（ａ）、（ｂ）に示したように、上記各電極１１〜１３の延設方向両端部、すなわちＩＧＢＴモジュール１０の表面における温度上昇率の低い領域上に上記各配線部材Ｗ１〜Ｗ３を接合することとする。そしてこれにより、これら各電極１１〜１３と各配線部材Ｗ１〜Ｗ３との接合部では、ＩＧＢＴモジュール１０の発熱に伴う熱ストレスが低減されるようにしている。
次に、上記配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合対象とされる半導体素子の素子温度変化量ΔＴｊと配線部材Ｗ１〜Ｗ３及び半導体素子の接合寿命との関係を、図３を参照して説明する。
図３に示すように、上記配線部材Ｗ１〜Ｗ３に対して加えられる温度と同配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合寿命とは相関する関係にあり、配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合対象とされる半導体素子の素子温度変化量ΔＴｊが大きいほど、すなわち、配線部材Ｗ１〜Ｗ３に伝播する熱が高くなるほど、これに起因して配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合寿命も短くなる。一方、配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合対象とされる半導体素子の素子温度変化量ΔＴｊが小さいほど、すなわち、配線部材Ｗ１〜Ｗ３に伝播する熱が低くなるほど、これに起因して配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合寿命は長くなる。このため、先の図１０に示したように、配線部材Ｗ１〜Ｗ３が、ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３のうち高温領域となる同モジュール１０の中心付近に接合された場合には、その配線部材Ｗ１〜Ｗ３に伝播する熱も高くなり、これに起因して各電極１１〜１３に接合された配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合寿命は短くなる。
一方、本実施の形態にかかる半導体装置として先の図１（ａ）、（ｂ）に示したように、配線部材Ｗ１〜Ｗ３がＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３のうち温度上昇率の低い領域となる延設方向両端部に接合された場合には、同配線部材Ｗ１〜Ｗ３に伝播する熱も低くなることから、配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合寿命は長くなる。
このように、上記半導体装置では、ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３のうち、温度上昇率の低い領域となる各電極１１〜１３の延設方向両端部に配線部材Ｗ１〜Ｗ３が接合されたことによって、これら各電極１１〜１３と各配線部材Ｗ１〜Ｗ３との接合にかかる寿命の長期化、ひいては、上記半導体装置としての寿命の長期化が図られるようになる。
以上説明したように、本実施の形態にかかる半導体装置によれば、以下に列記する効果が得られるようになる。
（１）上記各配線部材Ｗ１〜Ｗ３を、ＩＧＢＴモジュール１０の表面に長方形状に延設された各電極１１〜１３の延設方向両端部に対して接合することとした。これにより、ＩＧＢＴモジュール１０に各配線部材Ｗ１〜Ｗ３を接合する上で接合対象とされる各電極１１〜１３のうち特に温度上昇率の低い領域での各配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合が可能となり、ひいては、ＩＧＢＴモジュール１０と各配線部材Ｗ１〜Ｗ３との接合寿命の向上が図ら
れるようになる。
（２）上記各配線部材Ｗ１〜Ｗ３を、接合対象とされる各電極１１〜１３のうちＩＧＢＴモジュール１０の角部に位置する部位を含めて接合することとした。これにより、接合対象とされる各電極１１〜１３のうち、より温度上昇率の低い領域でのＩＧＢＴモジュール１０と各配線部材Ｗ１〜Ｗ３との接合が担保されるようになり、ひいては、それら接合にかかる信頼性がより高められるようになる。
（３）配線部材として、アルミニウムまたは銅によって形成された配線部材Ｗ１〜Ｗ３を用いることとした。これにより、これら配線部材Ｗ１〜Ｗ３によってＩＧＢＴモジュール１０とダイオードモジュール２０とを電気的に接続する上で、その接合形状の自由度や配線部材としての導電性の向上が図られるようになる。
なお、上記実施の形態は、以下のような形態をもって実施することもできる。
・上記各配線部材Ｗ１〜Ｗ３を、ＩＧＢＴモジュール１０の角部に位置する部位を含めて上記各電極１１〜１３の延設方向両端に対して接合することとした。しかし、これら配線部材Ｗ１〜Ｗ３の接合位置は、各電極１１〜１３の延設方向両端であればよく、それら各電極１１〜１３の延設方向端部のうちのＩＧＢＴモジュール１０の角部以外の部位に対して各配線部材Ｗ１〜Ｗ３を接合するようにしてもよい。
・上記配線部材Ｗ１〜Ｗ３を、ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３の延設方向両端部に対して接合することとした。これに限らず、先の図１（ａ）及び（ｂ）に対応する図として図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３の延設方向下端のみに対して各配線部材Ｗ１〜Ｗ３の一端を接合するようにしてもよい。また、同じく図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３の延設方向上端のみに対して各配線部材Ｗ１〜Ｗ３の一端を接合するようにしてもよい。また一方、同じく図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１及び１３にはその延設方向上端のみに対して配線部材Ｗ１及びＷ３の一端を接合するとともに、ＩＧＢＴモジュール１０の電極１２についてはその延設方向下端のみに対して配線部材Ｗ２の一端を接合するようにしてもよい。他方、これも同じく図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＧＢＴモジュール１０の電極１２にはその延設方向上端のみに対して配線部材Ｗ２の一端を接合するとともに、ＩＧＢＴモジュール１０の電極１１及び１３についてはその延設方向下端のみに対して配線部材Ｗ１及びＷ３の一端を接合するようにしてもよい。
要は、配線部材Ｗ１〜Ｗ３が上記長方形状に延設された各電極１１〜１３の延設方向端部を含めて接合されるものであればよく、これらに限定されるものではない。
・アルミニウムまたは銅からなる配線部材Ｗ１〜Ｗ３を用いることとしたが、例えば、アルミニウム合金や銅合金等からなる配線部材を用いることも可能であり、これらに限定されるものではない。要は、これら配線部材としては、上記ＩＧＢＴモジュール１０の各電極１１〜１３とダイオードモジュール２０の各電極２１〜２３との接合を通じて、接続対象とする各電極同士を電気的に接続可能なものであればよい。
・上記配線部材の接合対象として、ＩＧＢＴモジュール１０の表面に設けられた三列の電極１１〜１３を有するインバータ用の半導体素子（ＩＧＢＴ）を用いることとした。しかし、上記配線部材の接合対象としては、この他、電力用トランジスタやダイオード等であってもよく、その表面に長方形状に延設された１乃至複数の電極を有するものであれば本発明の適用は可能である。
１０…ＩＧＢＴモジュール、１１〜１３…ＩＧＢＴモジュールの各電極、２０…ダイオードモジュール、２１〜２３…ダイオードモジュールの各電極、Ｂ…直流電源、ｃ…平滑コンデンサ、Ｍ…三相交流モータ、Ｗ１〜Ｗ３…配線部材（バスバー、ワイヤボンディング、リボン）、ＢＢＮ…負極バスバー、ＢＢＰ…正極バスバー、Ｄ１Ｕ、Ｄ２Ｕ、Ｄ３Ｖ、Ｄ５Ｗ…還流ダイオード、ＩＮＶ…インバータ回路、ＯＷＵ、ＯＷＶ、ＯＷＷ…出力線、ＳＤＵ、ＳＤＶ、ＳＤＷ…半導体装置、Ｔ１Ｕ、Ｔ２Ｕ、Ｔ３Ｖ、Ｔ５Ｗ…スイッチング素子。

Claims (6)

  1. 電力用の半導体素子の表面にその中心から側辺に向けて長方形状に延設された１乃至複数の電極に配線部材が接合されてなる半導体装置において、
    前記配線部材は、前記長方形状に延設された電極の延設方向端部を含めて接合されてなる
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記配線部材は、前記長方形状に延設された電極の延設方向両端部に対して接合されてなる
    請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記電極は前記半導体素子の表面に複数配列されてなり、前記配線部材は、それら電極のうち、前記半導体素子の角部に位置する部位を含めて接合されてなる
    請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 前記配線部材が、バスバーまたはボンディングワイヤである
    請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  5. 前記配線部材が、アルミニウムからなる
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
  6. 前記配線部材が、銅からなる
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
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