JP2011009623A - 電子部品パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】安定的に電気的接続を確立することができる電子部品パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品パッケージ１５の製造にあたって、樹脂材２８は空所３１に充填される。樹脂材２８は電子部品チップ２２の周囲で基板１６の表面に受け止められる。樹脂材２８が熱処理に応じて硬化すると、樹脂材２８は基板１６の表面に定着する。温度が降下すると、樹脂材２８は収縮する。樹脂材２８は構造体２７ごと電子部品チップ２２を包み込むことから、構造体２７上の樹脂材２８は基板１６の表面に向かって引き寄せられる。こうして樹脂材２８の収縮に応じて電子部品チップ２２には基板１６の表面に向かって押し付け力が作用する。電子部品チップ２２および基板１６の間で安定的な電気的接続が確立される。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えばＬＳＩ（大規模集積回路）チップパッケージといった電子部品パッケージに関する。

ＬＳＩチップはパッケージ基板に例えばフリップチップ実装される。フリップチップ実装にあたって、例えば熱圧着が実施される。パッケージ基板上の導電パッド上にＬＳＩチップの裏面に配列される導電バンプが押し付けられる。パッケージ基板およびＬＳＩチップの間には液体のアンダーフィル材が挟み込まれる。アンダーフィル材は硬化に基づき収縮する。収縮に基づきＬＳＩチップはパッケージ基板に引き寄せられる。こうして導電バンプおよび導電パッドの間で電気的接続が確立される。

その後、パッケージ基板の表面でＬＳＩチップは流動体の樹脂材で包み込まれる。樹脂材はＬＳＩチップの輪郭の周囲でパッケージ基板の表面に広がる。樹脂材は硬化する。樹脂材が室温まで冷却されると、樹脂材は収縮する。収縮に基づき樹脂材はパッケージ基板の表面に向かって引き寄せられる。その結果、樹脂材はパッケージ基板の表面に向かってＬＳＩチップを押し付ける。こうした押し付け力はＬＳＩチップおよびパッケージ基板の間で電気的接続の確立を補強する。

特開２００２−１４１４４４号公報 特開２００５−１５０２２０号公報 特開平８−３１８７２号公報

ＬＳＩチップパッケージの薄型化の要求に応じて導電バンプの小型化が求められる。小型化にあたって導電バンプの高さは減少する。こうしてパッケージ基板の表面からＬＳＩチップの高さは減少する。アンダーフィル材の膜厚も減少してしまう。その結果、アンダーフィル材や樹脂材の収縮によってもＬＳＩチップはパッケージ基板に向かって十分な押し付け力で押し付けられることができない。ＬＳＩチップおよびパッケージ基板の間で電気的接続の不安定さが懸念される。

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、安定的に電気的接続を確立することができる電子部品パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、電子部品パッケージの製造方法の一具体例は、基板に第１面で向き合わせられつつ、前記第１面の裏側の第２面に重ね合わせられる第１線膨張係数の構造体ごと電子部品チップを前記基板の表面に実装する工程と、前記構造体ごと前記電子部品チップを包み込み前記電子部品チップの周囲で前記基板の表面に接する空所に、前記第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数の絶縁材料の流動体を充填する工程と、規定の温度よりも高い温度下で前記流動体を硬化させ、前記電子部品チップの輪郭の周囲で前記基板の表面から立ち上がりつつ前記電子部品チップの第２面に覆い被さる成形体を形成する工程とを備える。

上記目的を達成するために、開示の電子部品パッケージの一具体例は、基板と、前記基板に第１面で向き合わせられつつ前記基板の表面に実装される電子部品チップと、前記電子部品チップの前記第１面の裏側の第２面に重ね合わせられて、第１線膨張係数を有する構造体と、前記構造体ごと前記電子部品チップを包み込み前記電子部品チップの周囲で前記基板の表面に接する空所に充填され、前記第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数を有する絶縁材料の成形体とを備える。

以上のように開示の電子部品パッケージおよびその製造方法によれば、安定的に電気的接続を確立することができる。

電子機器の一具体例すなわちサーバコンピュータ装置の外観を概略的に示す斜視図である。 本発明の第１実施形態に係る電子部品パッケージの構造を概略的に示すプリント基板ユニットの断面図である。 図２の３−３線に沿った断面図である。 ウェハに円盤を貼り付ける工程を概略的に示す斜視図である。 ウェハリング内でダイシングテープにウェハを貼り付ける工程を概略的に示す斜視図である。 図５の６−６線に沿った断面図である。 大判のパッケージ基板上にＬＳＩチップをフリップチップ実装する工程を概略的に示す斜視図である。 図７の８−８線に沿った断面図である。 金型のキャビティ内でパッケージ基板上に空所を区画する工程を概略的に示す断面図である。 金型のキャビティ内に流動体を流し込む工程を概略的に示す断面図である。 パッケージ基板上に成形体を形成する工程を概略的に示す斜視図である。 ウェハリング内でダイシングテープにウェハを貼り付ける工程を概略的に示す断面図である。 ウェハリング内で円盤にウェハを貼り付ける工程を概略的に示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る電子部品パッケージの構造を概略的に示すプリント基板ユニットの断面図である。 図１４の１５−１５線に沿った断面図である。 本発明の第３実施形態に係る電子部品パッケージの構造を概略的に示すプリント基板ユニットの断面図である。 図１６の１７−１７線に沿った断面図である。

以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。

図１は電子機器の一具体例すなわちサーバコンピュータ装置１１の外観を概略的に示す。サーバコンピュータ装置１１は筐体１２を備える。筐体１２内には収容空間が区画される。収容空間にはマザーボードが配置される。マザーボードには例えば電子部品パッケージやメインメモリが実装される。電子部品パッケージは、例えば一時的にメインメモリに保持されるソフトウェアプログラムやデータに基づき様々な演算処理を実行する。こういったサーバコンピュータ装置１１は例えばラックに搭載される。

図２は、一具体例に係るプリント基板ユニットすなわちマザーボード１３の構造を概略的に示す。マザーボード１３は大型のプリント配線板１４を備える。プリント配線板１４の表面には本発明の第１実施形態に係る電子部品パッケージすなわちＬＳＩ（大規模集積回路）チップパッケージ１５が実装される。ＬＳＩチップパッケージ１５は基板すなわちパッケージ基板１６を備える。パッケージ基板１６はガラスエポキシ樹脂といった樹脂製基板で形成される。パッケージ基板１６の形成にあたってガラス繊維はエポキシ樹脂に含浸される。パッケージ基板１６は例えば矩形といった多角形の輪郭を備える。

ＬＳＩチップパッケージ１５は、パッケージ基板１６の輪郭の内側でプリント配線板１４の表面に配置される複数個の導電バンプすなわち導電バンプ１７を備える。導電バンプ１７はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）ボールから形成される。導電バンプ１７ははんだ材から形成される。例えばはんだ材にはいわゆる無鉛はんだが用いられる。無鉛はんだは例えば錫、銀および銅の合金で構成される。導電バンプ１７は、プリント配線板１４の表面に配列される導電パッド１８と、パッケージ基板１６の裏面に配列される導電パッド１９とを接続する。導電パッド１８は導電パッド１９に１対１で対応する。

導電バンプ１７はプリント配線板１４上で封止される。すなわち、プリント配線板１４の表面とパッケージ基板１６の裏面との間で導電バンプ１７を含む空間は固体の封止材すなわちアンダーフィル材２１で充填される。アンダーフィル材２１は絶縁性樹脂材料から形成される。同時に、アンダーフィル材２１は熱硬化性樹脂材料から形成される。ここでは、アンダーフィル材２１には例えばエポキシ樹脂が用いられる。こうしたアンダーフィル材２１の働きで、ＬＳＩチップパッケージ１５はプリント配線板１４の表面に固定される。ＬＳＩチップパッケージ１５およびプリント配線板１４の間で電気的接続が確立される。

ＬＳＩチップパッケージ１５は、パッケージ基板１６の表面に実装される電子部品チップすなわちＬＳＩチップ２２を備える。ＬＳＩチップ２２は例えば矩形といった多角形の輪郭を備える。ＬＳＩチップ２２は第１面すなわち裏面でパッケージ基板１６の表面に向き合う。ＬＳＩチップ２２は例えばシリコンから形成される。パッケージ基板１６の表面には複数個の導電パッド２３が配列される。導電パッド２３は例えば銅といった導電材料から形成される。銅の表面にはニッケルめっき膜や金めっき膜が形成される。導電パッド２３にはパッケージ基板１６の表面に形成される例えば導電パターン（図示されず）が接続される。

導電パッド２３上には導電端子すなわち導電バンプ２４が配置される。導電バンプ２４は例えば金といった導電材料から形成される。導電バンプ２４上にはＬＳＩチップ２２の裏面に配列される導電パッド２５が受け止められる。導電バンプ２４は導電パッド２５に例えば超音波接合される。その一方で、導電バンプ２４は導電パッド２３上に受け止められる。導電パッド２５は導電パッド２３に１対１で対応する。導電パッド２５は例えばアルミニウムといった導電材料から形成される。導電パッド２５の形成にあたって例えばエッチング処理が実施される。

導電バンプ２４はパッケージ基板１６上で封止される。すなわち、ＬＳＩチップ２２の裏面とパッケージ基板１６の表面との間で導電バンプ２４を含む空間は固体の封止材すなわちアンダーフィル材２６で充填される。アンダーフィル材２６は絶縁性樹脂材料から形成される。同時に、アンダーフィル材２６は熱硬化性樹脂材料から形成される。ここでは、アンダーフィル材２６には例えばエポキシ樹脂が用いられる。こうしたアンダーフィル材２６の働きで、ＬＳＩチップ２２はパッケージ基板１６の表面に固定される。ＬＳＩチップ２２とパッケージ基板１６との間で電気的接続が確立される。

ＬＳＩチップ２２の裏面の裏側に規定される第２面すなわち表面には構造体２７が重ね合わせられる。構造体２７は例えば接着剤に基づきＬＳＩチップ２２の表面に貼り付けられる。構造体２７は、所定の第１線膨張係数を有する材料から形成される。構造体２７には、例えば銅やアルミニウムといった金属材料、セラミック材料、樹脂材料のいずれかの材料が用いられる。構造体２７の裏面の輪郭はＬＳＩチップ２２の表面の輪郭に一致する。こうして構造体２７はＬＳＩチップ２２の表面の全面を覆う。構造体２７の厚みはＬＳＩチップ２２の表面に沿って均一に設定される。

ＬＳＩチップパッケージ１５は、ＬＳＩチップ２２の表面に覆い被さる成形体すなわち樹脂材２８を備える。樹脂材２８は、パッケージ基板１６の表面に垂直方向にパッケージ基板１６の表面の輪郭の移動軌跡で描かれる空間２９内に規定される空所３１に充填される。空所３１は、構造体２７ごとＬＳＩチップ２２を包み込みつつＬＳＩチップ２２の周囲でパッケージ基板１６の表面に接する。こうして樹脂材２８は、ＬＳＩチップ２２の輪郭の周囲でパッケージ基板１６の表面から立ち上がる。樹脂材２８は、構造体２７の材料の第１線膨張係数より大きい第２線膨張係数を有する絶縁材料から形成される。同時に、樹脂材２８には熱硬化性樹脂材料が用いられる。ここでは、樹脂材２８には例えばエポキシ樹脂が用いられる。

パッケージ基板１６の表面から樹脂材２８の高さは均一に設定される。図３を併せて参照し、空所３１はＬＳＩチップ２２の周囲に途切れなく規定される。樹脂材２８の輪郭は例えば矩形に形成される。樹脂材２８の輪郭はパッケージ基板１６の輪郭に一致する。こうしてパッケージ基板１６の表面にはＬＳＩチップ２２の輪郭の外側で全面にわたって樹脂材２８が受け止められる。導電バンプ２４は例えばＬＳＩチップ２２の裏面の輪郭に沿って１列に配列される。

次にＬＳＩチップパッケージ１５の製造方法を説明する。まず、図４に示されるように、例えばシリコン製のウェハ４１が用意される。ウェハ４１には、任意の行数および列数でＬＳＩチップ２２が作り込まれる。ウェハ４１の裏面には導電パッド２５が予め作り込まれる。導電パッド２５には導電バンプ２４が予め接合される。接合にあたって例えば超音波接合が実施される。その後、ウェハ４１の表面には円盤４２が貼り付けられる。円盤４２は前述の構造体２７の材料から形成される。貼り付けにあたって接着剤が用いられる。ここでは、円盤４２の輪郭はウェハ４１の輪郭に一致する。こうして積層体４３が形成される。

図５に示されるように、環状のウェハリング４４内で積層体４３はダイシングテープ４５に貼り付けられる。図６を併せて参照し、ダイシングテープ４５はウェハリング４４のを受け止める。積層体４３は円盤４２でダイシングテープ４５に貼り付けられる。ウェハ４１およびダイシングテープ４５の間に円盤４２が挟み込まれる。このとき、ウェハ４１の表面に直交する相互に平行な切断面で積層体４３から複数個のＬＳＩチップ２２が切り出される。こうしてＬＳＩチップ２２の輪郭に沿って構造体２７が同時に切り出される。ＬＳＩチップ２２の切り出し時、構造体２７の働きでＬＳＩチップ２２の変形は低減される。

こうしてダイシングテープ４５からＬＳＩチップ２２および構造体２７の積層体４６が取り外される。図７に示されるように、複数個の積層体４６が大判の１枚のパッケージ基板４７上に受け止められる。図８を併せて参照し、パッケージ基板４７上には予め導電パッド２３が形成される。導電パッド２３上にＬＳＩチップ２２の導電バンプ２４が受け止められる。ＬＳＩチップ２２およびパッケージ基板４７の間には予め液体のアンダーフィル材２６が塗布される。積層体４６がパッケージ基板４７に押し付けられつつアンダーフィル材２６は熱処理に基づき規定の温度よりも高い温度下で加熱される。熱処理に基づきアンダーフィル材２６は硬化する。アンダーフィル材２６は室温まで冷却される。アンダーフィル材２６は収縮する。収縮に基づきＬＳＩチップ２２はパッケージ基板１６に向かって押し付けられる。こうして積層体４６はパッケージ基板４７にフリップチップ実装される。

図９に示されるように、パッケージ基板４７は金型４８のキャビティ４９内に配置される。キャビティ４９内では積層体４６を包み込みつつ各ＬＳＩチップ２２の輪郭の周囲でパッケージ基板４７の表面に接する空所３１が区画される。空所３１は各ＬＳＩチップ２２ごとに個別に区画される。このとき、図１０に示されるように、流動体５１がキャビティ４９内に流し込まれる。こうしてキャビティ４９内には流動体５１が充填される。流動体５１は、前述の第１線膨張係数より大きい第２線膨張係数の絶縁材料から形成される。流動体５１には例えばエポキシ樹脂といった絶縁性の熱硬化樹脂材料から形成される。キャビティ４９内で流動体５１は熱処理に基づき規定の温度より高い温度下で加熱される。規定の温度は流動体５１の硬化温度に設定される。熱処理に基づき流動体５１は硬化する。硬化後、流動体５１は室温まで冷却される。

その後、パッケージ基板４７は金型４８のキャビティ４９から取り出される。図１１に示されるように、１枚のパッケージ基板４７上には成形材すなわち樹脂材５２が形成される。樹脂材５２の輪郭はパッケージ基板４７の輪郭に一致する。樹脂材５２の形成後、パッケージ基板４７の表面に直交する相互に平行な切断面でパッケージ基板４７から複数個のパッケージ基板１６が切り出される。パッケージ基板１６の切り出しと同時に、個々のＬＳＩチップ２２が切り出される。樹脂材５２からの切り出しに基づきパッケージ基板１６上でＬＳＩチップ２２を封止する樹脂材２８が形成される。その後、パッケージ基板１６の裏面に形成される導電パッド１９には導電バンプ１７が接合される。こうしてＬＳＩチップパッケージ１５が製造される。

以上のようなＬＳＩチップパッケージ１５の製造にあたって、樹脂材２８は空所３１に充填される。樹脂材２８はＬＳＩチップ２２の周囲でパッケージ基板１６の表面に受け止められる。樹脂材２８が熱処理に応じて硬化すると、樹脂材２８はパッケージ基板１６の表面に定着する。温度が降下すると、樹脂材２８は収縮する。樹脂材２８は構造体２７ごとＬＳＩチップ２２を包み込むことから、構造体２７上の樹脂材２８はパッケージ基板１６の表面に向かって引き寄せられる。こうして樹脂材２８の収縮に応じてＬＳＩチップ２２にはパッケージ基板１６の表面に向かって押し付け力が作用する。ＬＳＩチップ２２およびパッケージ基板１６の間で安定的な電気的接続が確立される。

仮に、構造体２７が省略されると、構造体２７の占有空間は構造体２７に代えて樹脂材２８で充填される。樹脂材２８は構造体２７に比べて収縮量が大きいことから、構造体２７と同形の占有空間は構造体２７の場合よりも薄型化される。占有空間の薄型化は、占有空間の上面から作用する押し付け力を打ち消す方向に働く。たとえ占有空間の上面から同等な押し付け力が作用しても、占有空間の底面に伝達される押し付け力は構造体２７の場合よりも樹脂材２８の場合は弱められる。したがって、樹脂材２８に比べて構造体２７は大きな押し付け力の実現に貢献することができる。

図１２に示されるように、ＬＳＩチップパッケージ１５の製造にあたって、円盤４２はウェハリング４４の輪郭と同一の輪郭を規定してもよい。こうしてウェハリング４４は円盤４２上に受け止められる。こうして円盤４２はウェハ４１の径より大きい径を有することから、ウェハ４１の輪郭は円盤４２の輪郭に合わせ込まれる必要はない。製造工程は簡略化される。このとき、図１３に示されるように、円盤４２はダイシングテープ４５の機能を有してもよい。すなわち、円盤４２の表面には粘着性が付与される。こうした粘着性の働きでウェハ４１は円盤４２に簡単に貼り付けられることができる。製造工程は一層簡略化される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。

図１４は本発明の第２実施形態に係るＬＳＩチップパッケージ１５ａの構造を概略的に示す。このＬＳＩチップパッケージ１５ａでは、構造体２７はＬＳＩチップ２２の表面に部分的に重ね合わせられる。構造体２７は、ＬＳＩチップ２２の裏面に規定される導電バンプ２４の配置領域をＬＳＩチップ２２の表面に反映した領域に配置される。図１５を併せて参照し、構造体２７はＬＳＩチップ２２の表面の輪郭に沿って矩形の枠形に形成される。構造体２７の外側の輪郭はＬＳＩチップ２２の表面の輪郭より内側に規定される。こうした構造体２７の形成にあたって、ウェハ４１に貼り付けられる円盤４２にエッチング処理が施されればよい。その他、前述のマザーボード１３と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。

こうしたＬＳＩチップパッケージ１５ａでは、前述と同様に、構造体２７上の樹脂材２８はパッケージ基板１６の表面に向かって引き寄せられる。こうして樹脂材２８の収縮に応じてＬＳＩチップ２２にはパッケージ基板１６の表面に向かって押し付け力が作用する。構造体２７は導電バンプ２４の配置領域上に配置されることから、構造体２７からＬＳＩチップ２２の導電バンプ２４に大きな押し付け力が集中的に作用する。その結果、導電バンプ２４はパッケージ基板１６の導電パッド２３に大きな押し付け力で押し付けられる。こうしてＬＳＩチップ２２およびパッケージ基板１６の間で安定的に電気的接続が確立される。

図１６は本発明の第３実施形態に係るＬＳＩチップパッケージ１５ｂの構造を概略的に示す。このＬＳＩチップパッケージ１５ｂでは、前述と同様に、構造体２７はＬＳＩチップ２２の表面に部分的に重ね合わせられる。ここでは、構造体２７は、ＬＳＩチップ２２の裏面に規定される導電バンプ２４より内側の領域をＬＳＩチップ２２の表面に反映した領域に配置される。図１７を併せて参照し、構造体２７はＬＳＩチップ２２の表面の輪郭に沿って矩形に形成される。こうした構造体２７は、ウェハ４１に貼り付けられる円盤４２へのエッチング処理に基づき形成される。その他、前述のマザーボード１３と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。

こうしたＬＳＩチップパッケージ１５ｂでは、ＬＳＩチップ２２に大きな押し付け力が集中的に作用する。導電バンプ２４より内側では、ＬＳＩチップ２２の裏面に例えばポリイミド膜といった絶縁膜が形成される一方で、パッケージ基板１６の表面に金の配線パターンが形成される。これらの絶縁膜や配線パターンとアンダーフィル材２１との接合強度は弱い。したがって、導電バンプ２４より内側でＬＳＩチップ２２に大きな押し付け力が作用すれば、絶縁膜や配線パターンとアンダーフィル材２１との間で剥離は回避される。こうしてＬＳＩチップ２２およびパッケージ基板１６の間で安定的に電気的接続が確立される。

以上の実施形態に関し出願人はさらに以下の付記を開示する。

（付記１） 基板に第１面で向き合わせられつつ、前記第１面の裏側の第２面に重ね合わせられる第１線膨張係数の構造体ごと電子部品チップを前記基板の表面に実装する工程と、
前記構造体ごと前記電子部品チップを包み込み前記電子部品チップの周囲で前記基板の表面に接する空所に、前記第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数の絶縁材料の流動体を充填する工程と、
規定の温度よりも高い温度下で前記流動体を硬化させ、前記電子部品チップの輪郭の周囲で前記基板の表面から立ち上がりつつ前記電子部品チップの第２面に覆い被さる成形体を形成する工程とを備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。

（付記２） 付記１に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記電子部品チップの実装にあたって前記電子部品チップの第１面と前記基板の表面との間には絶縁性樹脂材料の封止材が形成されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。

（付記３） 付記２に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記封止材は熱硬化性樹脂材であることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。

（付記４） 付記１〜３のいずれか１項に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記絶縁材料は熱硬化性樹脂材であることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。

（付記５） 付記１〜４のいずれか１に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記電子部品チップの第１面には複数個の導電端子が配列され、前記基板の表面には、個別に前記導電端子を受け止める複数の導電パッドが形成されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。

（付記６） 付記１〜５のいずれか１項に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記流動体の充填にあたって金型のキャビティ内で前記空所を区画する工程と、前記キャビティ内に前記流動体を流し込む工程とをさらに備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。

（付記７） 付記６に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記キャビティ内には、複数個の前記電子部品チップを表面に受け止める１枚の前記基板が配置され、当該１枚の前記基板上で前記成形体が形成され、前記成形体の形成後に前記基板から個々の前記電子部品チップが切り出されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。

（付記８） 基板と、
前記基板に第１面で向き合わせられつつ前記基板の表面に実装される電子部品チップと、
前記電子部品チップの前記第１面の裏側の第２面に重ね合わせられて、第１線膨張係数を有する構造体と、
前記構造体ごと前記電子部品チップを包み込み前記電子部品チップの周囲で前記基板の表面に接する空所に充填され、前記第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数を有する絶縁材料の成形体とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。

（付記９） 付記８に記載の電子部品パッケージにおいて、前記電子部品チップの第２面と前記基板の表面との間に充填される絶縁性樹脂材料の封止材をさらに備えることを特徴とする電子部品パッケージ。

（付記１０） 付記９に記載の電子部品パッケージにおいて、前記封止材は熱硬化性樹脂材であることを特徴とする電子部品パッケージ。

（付記１１） 付記８〜１０のいずれか１項に記載の電子部品パッケージにおいて、前記絶縁材料は熱硬化性樹脂材であることを特徴とする電子部品パッケージ。

（付記１２） 付記８〜１１のいずれか１項に記載の電子部品パッケージにおいて、前記電子部品チップの第１面に配列される複数個の導電端子と、前記基板の表面に形成されて、個別に前記導電端子を受け止める複数の導電パッドとをさらに備えることを特徴とする電子部品パッケージ。

１５〜１５ｂ 電子部品パッケージ、２２ 電子部品チップ（ＬＳＩチップ）、２３ 導電パッド、２４ 導電端子（導電バンプ）、２６ 封止材（アンダーフィル材）、２７ 構造体、２８ 成形体（樹脂材）、３１ 空所、４７ 基板、４８ 金型、４９ キャビティ、５１ 流動体、５２ 成形体（樹脂材）。

Claims (10)

1. 基板に第１面で向き合わせられつつ、前記第１面の裏側の第２面に重ね合わせられる第１線膨張係数の構造体ごと電子部品チップを前記基板の表面に実装する工程と、
   前記構造体ごと前記電子部品チップを包み込み前記電子部品チップの周囲で前記基板の表面に接する空所に、前記第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数の絶縁材料の流動体を充填する工程と、
   規定の温度よりも高い温度下で前記流動体を硬化させ、前記電子部品チップの輪郭の周囲で前記基板の表面から立ち上がりつつ前記電子部品チップの第２面に覆い被さる成形体を形成する工程とを備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
2. 請求項１に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記電子部品チップの実装にあたって前記電子部品チップの第１面と前記基板の表面との間には絶縁性樹脂材料の封止材が形成されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
3. 請求項２に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記封止材は熱硬化性樹脂材であることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記絶縁材料は熱硬化性樹脂材であることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記電子部品チップの第１面には複数個の導電端子が配列され、前記基板の表面には、個別に前記導電端子を受け止める複数の導電パッドが形成されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記流動体の充填にあたって金型のキャビティ内で前記空所を区画する工程と、前記キャビティ内に前記流動体を流し込む工程とをさらに備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
7. 請求項６に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記キャビティ内には、複数個の前記電子部品チップを表面に受け止める１枚の前記基板が配置され、当該１枚の前記基板上で前記成形体が形成され、前記成形体の形成後に前記基板から個々の前記電子部品チップが切り出されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
8. 基板と、
   前記基板に第１面で向き合わせられつつ前記基板の表面に実装される電子部品チップと、
   前記電子部品チップの前記第１面の裏側の第２面に重ね合わせられて、第１線膨張係数を有する構造体と、
   前記構造体ごと前記電子部品チップを包み込み前記電子部品チップの周囲で前記基板の表面に接する空所に充填され、前記第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数を有する絶縁材料の成形体とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
9. 請求項８に記載の電子部品パッケージにおいて、前記電子部品チップの第２面と前記基板の表面との間に充填される絶縁性樹脂材料の封止材をさらに備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
10. 請求項９に記載の電子部品パッケージにおいて、前記封止材は熱硬化性樹脂材であることを特徴とする電子部品パッケージ。

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