JP2010283341A - 共通の陽極を備えたｏｌｅｄディスプレイ、および、それを製造するための方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイに関するピクセルおよびかかるピクセルを製造する方法を提供する。
【解決手段】ピクセル（１０）は、基板、基板の上に形成されるトランジスタ（１２）、および、基板の上に形成されたＯＬＥＤを含む。トランジスタは、ゲート（２６）、ソース（２８）およびドレイン（３０）を含む。ＯＬＥＤは、陽極、陽極の上に形成された放射層、および、放射層の上に形成された陰極を含む。陰極は、トランジスタ（１４）のドレイン（３６）に電気的に接続される。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイデバイスに関し、特に共通の陽極を備えたＯＬＥＤディスプレイデバイスおよびそのディスプレイデバイスを製造する方法に関する。

近年、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のようなフラットパネルディスプレイデバイスは、例えば航空機のような乗り物のオペレータに情報を表示するメカニズムとしてますます普及している。その理由のうちの1つは、この種の表示が、例えば動作温度および周囲照明状況のような幅広い環境条件のユーザによって、非常に良く容易に見られるイメージを提供することが可能であるということである。

アクティブ・マトリックス（ＡＭ）ＯＬＥＤディスプレイが、画質および視聴角度に関して現在のＡＭ ＬＣＤディスプレイに勝る著しい利点を提供する。その上、ＡＭ ＯＬＥＤディスプレイは、より速い応答時間を提供し、より軽く、より薄く、より高価でなくて（すなわち、バックライトまたはカラーフィルタが必要でなく）、より少ない消費電力を提供する。しかし、技術の可能性が完全に実現される前に、解決されることを必要とするＡＭ ＯＬＥＤに関連する技術的な問題がある。

現在、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）技術が、ＡＭ ＯＬＥＤでは典型的に用いられている。ＬＴＰＳ ＴＦＴがモバイル用途のための小型、高解像度ディスプレイに用いられるのが適当であり、特に、画面フラットパネルＡＭ ＬＣＤに一般的に使用されるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴ技術と比較して、大画面ディスプレイを製造することはよりかなり高価である。

しかし、ａ−Ｓｉ ＴＦＴは、n-チャネル・モードだけで作動する。ＯＬＥＤは、典型的にはＴＦＴのソース・サイド上にあり、共通の陰極アーキテクチャを有する。このように、ＯＬＥＤデバイス（すなわちピクセル）におけるいかなるバリエーションも、ドライブＴＦＴのゲートポテンシャルのバリエーションに結果としてなり、不均一なピクセル輝度を生じる。共通の陽極アーキテクチャを備えた画素回路のドレイン・サイド上にＯＬＥＤを備えたn-チャンネルトランジスタは、ＡＭ ＯＬＥＤピクセルを駆動させるのに理想的に適している。しかし、過去において、インジウム・スズ酸化物（ITO）陽極層をＯＬＥＤデバイススタックの有機層の上に堆積させることが困難なため、共通の陽極アーキテクチャを備えたＡＭ ＯＬＥＤディスプレイを組み立てることは可能でなかった。例えば、有機層の上へのITO陽極層の堆積は、スパッタ堆積プロセスの間、酸素への暴露のために有機層にダメージを与える。

その上、ａ−Ｓｉ ＴＦＴの低い移動度のため、ドライブ回路はピクセル上の著しい表面積を占め、それによって、ピクセル口径比および、平均ピクセル輝度を減らすことになる。その結果、ピクセルは、要求される平均ピクセル輝度を達成するために望ましくない高圧及びパワーレベルで、しばしば作動され、それはピクセルの有用寿命を短くする。

したがって、ＯＬＥＤディスプレイのａ−ＳｉＴＦＴを用いる関連するこれらの問題に対処する方法およびシステムを提供することは望ましい。さらに、他の望ましい特徴および本発明の特徴は次の発明の詳細な説明および添付の請求の範囲を添付の図面およびこの発明の背景と連動して考慮することにより明らかになる。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイに関するピクセルを提供する。ピクセルは、基板、基板の上に形成されるｎ−チャンネルトランジスタ、および、基板の上に形成されたＯＬＥＤを含む。ｎ−チャンネルトランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインを含む。ＯＬＥＤは、陽極、陽極の上に形成された放射層、および、放射層の上に形成された陰極を含む。陰極は、ｎ−チャンネルトランジスタのドレインに電気的に接続される。

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ＯＬＥＤディスプレイ装置を提供する。ＴＦＴ ＯＬＥＤディスプレイ装置は、少なくとも一つの基板、少なくとも一つの基板の上に形成された複数のＴＦＴ、および、少なくとも一つの基板に形成された複数のＯＬＥＤを含む。複数のＴＦＴの各々は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。複数のＯＬＥＤの各々は、陽極、陽極の上に形成された放射層、および、放射層の上に形成された半透明の陰極を含む。複数のＯＬＥＤの陽極は、共通の陽極を共通に形成するために電気的に相互接続される。

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイのピクセルを形成する方法を提供する。複数のｎ−チャネルＴＦＴが、基板の上に形成される。複数のｎ−チャネルＴＦＴの各々が、ゲート、ソース、および、ドレインを含む。絶縁層が基板上に形成され、複数のｎ−チャネルＴＦＴの少なくともいくつかのドレインの上に少なくとも部分的に形成される。複数のＯＬＥＤが、基板の上に形成される。複数のＯＬＥＤの各々を形成することは、陽極が複数のｎ−チャネルＴＦＴのそれぞれの一つのドレインから絶縁されるように、絶縁層の上に陽極を形成することと、陽極の上に放射層を形成することと、放射層の上に半透明の陰極を形成することを含む。複数のＯＬＥＤの陽極は、共通の陽極を共通に形成するために電気的に相互接続される。

本発明を、図面を一緒に参照しながら以下に説明する。ここで同様な参照番号は同様のエレメントを表す。

図１は、本発明のある実施形態による、アクティブ・マトリックス（ＡＭ）有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ピクセル回路の略図である。 図２は、図１のＡＭ ＯＬＥＤピクセルのＯＬＥＤ領域とドライブトランジスタとを有する基板の断面側面図である。 図３は、図２の基板の上に形成されるＯＬＥＤスタックの断面側面図である。 図４は、本発明のある実施形態による、ＡＭ ＯＬＥＤディスプレイシステムの略図である。 図５は、図１のディスプレイシステムが実装されることができる車両の概略ブロック図である。

以下の詳細な説明は、単に事実上の典型例であり、本発明の用途または応用を制限することを目的とするものではない。さらに、前述の発明の技術分野、背景、課題解決手段または以下の発明の詳細な説明に説明されまたは意図された理論によっても制限されない。図１乃至５は単に例示であり、縮尺比率は一定ではない描画であることは注意すべきである。

図１乃至4は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイに関するピクセルおよびかかるピクセルを形成する方法を例示する。ピクセルは、基板、基板の上に形成されるトランジスタ、および、基板の上に形成されたＯＬＥＤを包含する。トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインを含む。ＯＬＥＤは陽極、陽極の上に形成される放射層、および、放射層の上に形成された陰極を含む。陰極は、トランジスタのドレインに電気的に接続されている。ある実施形態では、ＯＬＥＤの陽極は、絶縁体によるトランジスタのドレインから電気的に絶縁され、共通であるか、またはグローバルな陽極である。

図１は、本発明のある実施形態による、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アクティブ・マトリックス（ＡＭ）有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ピクセル（またはピクセル回路）１０を例示する。ピクセル10は、スキャン（または第1の）トランジスタ12、ドライブ（または第２の）トランジスタ14、ＯＬＥＤ 16、記憶コンデンサ18、ゲート・バスライン（または導体）20、データバスライン22、および、電力供給バスライン（VDD）24を含む。一般的に理解されているようなスキャントランジスタ12は、ゲート（またはゲート端子）26、ソース（またはソース端子）28、および、ドレイン（またはドレイン端子）30を含む。ドライブトランジスタ14は、同様に、ゲート32、ソース34およびドレイン36を含む。

示すように、スキャントランジスタ12のゲート26は、ゲート・バスライン20に電気的に接続され（または結合され）、スキャントランジスタ12のドレイン30は、データバスライン22に電気的に接続され、スキャントランジスタ12のソース28は、記憶ノード38を介してドライブトランジスタ14および記憶コンデンサ18のゲート32に電気的に接続される。ドライブトランジスタ14のソース34は、電気的に接地され（またはアース端子に接続され）、ドライブトランジスタ14のドレイン36は電気的にＯＬＥＤ 16に接続している。ある実施形態では、スキャントランジスタ12およびドライブトランジスタ14は、一般的に理解されているように、n-チャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。記憶コンデンサ18が別々の構成要素として図式的に示されるにもかかわらず、記憶コンデンサ18は、スキャントランジスタ12（すなわち、記憶コンデンサ18の第一の電極）のソース28、および、ドライブトランジスタ14（すなわち、記憶コンデンサ18の第二の電極）のソース34と、以下に示すような２つの電極間の二酸化ケイ素（SiO₂）または窒化ケイ素（SiN_x）のような絶縁層を備えて、形成されることができる。

ＯＬＥＤ 16は、部分的に、陽極40および陰極42を含む。本発明のある態様によれば、ＯＬＥＤ 16はドライブトランジスタ14のドレイン36に電気的に接続している。特に、ＯＬＥＤ 16の陰極42はドライブトランジスタ14のドレイン36に電気的に接続され、ＯＬＥＤ 16の陽極40は電力供給バスライン24に電気的に接続される。

図２は、本発明のある実施形態によれば、図１のピクセル10が形成され得る基板44の一部を例示する。ある実施形態では、基板44は、共通またはグローバルな陽極アーキテクチャを備えた、頂部放射アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴ ＡＭＯＬＥＤディスプレイである。当業者には明らかであるように、ピクセル10は、複数のフォトレジスト層（図示せず）を堆積、露出、および除去することを用いてしばしば製造される種々の層の材料を形成、および、エッチングすることを含む、ＯＬＥＤディスプレイを形成するための従来の処理技術を使用して、基板44上に形成されることができる。基板44の一部だけが図2に示されるにもかかわらず、後述するプロセスが、一般的に理解されているように、トランジスタおよびＯＬＥＤ（ＯＬＥＤSのさまざまな色を含む）のアレイを同時に形成するために基板全体に実行されうると理解されるべきである。

本発明のある態様では、共通の陽極は、ＯＬＥＤスタック堆積の前に従来の方法を使用して形成される。ＯＬＥＤスタックの有機層は、次いで、シャドーマスク堆積またはインクジェットプリンティングのような従来の方法によって堆積される。有機層のシャドーマスク堆積の場合には、要求される有機層をpixelatingすることに加えて、有機層堆積の間、シャドーマスクは、ピクセルでカソード電極への次の接続のためにドライブＴＦＴのドレインコンタクトを保護する。透明なカソード電極は、次いで、適当なシャドーマスクを使用してＯＬＥＤ層の上に堆積される。陰極は、図2に示すようにドライブＴＦＴのドレイン電極と接触する。

再び図２を参照すると、ある実施形態では、基板44は、実質的にガラスから作られ、他の構成要素の間に、それの第１部分46の上に形成されるドライブトランジスタ14と、それの第2の部分４８の上に形成されたＯＬＥＤ 16を有する。

ピクセル10を造る際に、ゲート金属層50は、最初に基板の第１部分46の上に形成される（例えば、堆積され、パターンニングされ、エッチングされる）。ゲート金属層50は、例えば、アルミニウムでできていてよく、0.05および1マイクロメートル（μm）の間の厚みを有する。次いで、ゲート誘電体膜52が、ゲート金属層50の上に部分的に形成され、例えば、窒化ケイ素でできていてもよく、0.1μmと1μmの間の厚みを有する。次いで、チャネル層54は、ゲート誘電体膜52の上に形成される。ある実施形態では、チャネル層54は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）でできており、0.05μmと1μmの間の厚みを有することができる。

次いで、合金誘電層56は、ゲート金属層50、チャネル層54、および、基板44の第２部分48の露出部の上に形成される。合金誘電層56は、窒化ケイ素からなり、0.1μmと2μmの間の厚みを有することができる。図2に示すように、合金誘電層56は、チャネル層54のソース部分58およびドレイン部分60それぞれを露出するように選択的にエッチングされる。特に示されないにもかかわらず、合金誘電層56はまた、記憶コンデンサ18（図1）のための誘電体として役立ち得る。

次いで、メタル層は、ソース電極62（すなわち、ドライブトランジスタ14のソース34）、ドレイン電極64（すなわち、ドライブトランジスタ14のドレイン36）、および、パワー導体66（すなわち電力供給バスライン24（VDD））を形成するために堆積され、エッチングされる。示すように、ソースおよびドレイン電極62、64は、チャネル層54の露出したソース58およびドレイン60の一部と接触する。ソース電極62、ドレイン電極64およびパワー導体66を形成するのに用いられるメタル層は、例えば、アルミニウムで作られ、0.2μmと2μmの間の厚みを有する。ソースおよびドレイン電極62、64の形成は、ドライブトランジスタ14の形成を実質的に完了する。

次いで、絶縁（またはパッシベーション）層68は、ドライブトランジスタ14および基板44の第２部分の上に形成される。絶縁層68は、例えば、二酸化ケイ素からなってよく、0.5μmと5μmの間の厚みを有することができる。示すように、絶縁層68は、開口部を形成し、ドレイン電極64のドレインコンタクト部分70およびパワー導体66のパワーコンタクト部分72をさらすために選択的にエッチングされる。また、基板44の第２部分48の上の絶縁ボディ74は、絶縁層68から作製され、それはドレイン電極64と部分的に重なる。

次いで、反射層（または反射器）76が絶縁体74上に形成される。反射層76が、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、または、類似の高い反射率材料で作られ、0.1μmと1μmの間の厚みを有する。次いで、マイクロキャビティ（または、μキャビティ）誘電層78は、それの1つの部分が基板44の第２部分48の上に配置され、それの他の部分がドライブトランジスタ14の上に配置されるように、堆積され、エッチングされる。例えば、マイクロキャビティ誘電層78で使用されうる材料の例示は、窒化ケイ素、二酸化ケイ素および酸化ジルコニウム（ZrO₂）を含む。マイクロキャビティ誘電層78の厚さは、ディスプレイにおいて効果的な赤・緑・青ピクセル放射を成し遂げるために各々のそれぞれの赤・緑・青ＯＬＥＤピクセルに関して調整される。示すように、パワー導体66のパワーコンタクト部分72が露出されるままであるように、マイクロキャビティ誘電層78は、エッチングされうる。

次いで、陽極電極80（例えば、ＯＬＥＤ 16の陽極40）は、マイクロキャビティ誘電層78の上に、そして、パワー導体66のパワーコンタクト部分72上に形成される。ある実施形態では、陽極電極80は、インジウム・スズ酸化物（ITO）でできていて、0.05μmと2μmの間の厚みを有することができる。陽極電極82がドライブトランジスタ14の上に形成されるように、その他の陽極電極が同時に形成されることができる点に留意する必要がある。陽極電極80の形成が、ドレインコンタクト部70の形成（または、露出）の前に起こりうることにも注意すべきである。陽極電極80が、ドレイン電極64のドレインコンタクト部分70に延びず、絶縁層68によって、特に絶縁体74によってドレイン電極64から切り離されて、電気的に絶縁される点に留意する必要がある。

次いで、一つ以上の有機層84は、陽極電極80の上に堆積され、ＯＬＥＤスタック88を形成するために、陰極電極層（または、カソード電極）まで続けられる。本発明の一実施形態によれば、図3はＯＬＥＤスタック88を例示する。ＯＬＥＤスタック88は、陽極電極80、有機層84およびカソード電極86を含む。ある実施形態では、有機層84は、一般的に理解されるように、ホール輸送は層（HTL）90、放射層（EML）92、および、電子輸送層（ETL）94という３つのサブ層を含む。HTL 90は陽極電極80の上に形成され、EML 92はHTL 90の上に形成され、ETL 94はEML 92の上に形成される。有機層84は、例えば、ポリマーＯＬＥＤ層（または、構造）または小さい分子のＯＬＥＤ層を包含し、インクジェット式の印刷方法または「シャドーマスク」プロセスを使用して形成されることができ、ポテンシャル電圧が陽極電極80およびカソード電極86にわたって印加されるときに、ＯＬＥＤ 16が特定の色（例えば、赤、緑、又は、青）を生成するように、選択的に変更できる。有機層84（または、有機層の異なるセット）がまた、陽極電極82の上に形成され得ることができる点に留意すべきである。ＯＬＥＤスタック88が、効果的な真性ＯＬＥＤデバイス動作を成し遂げるために電子障壁層（EBL）または正孔障壁層（HBL）のような追加的な有機層を組み込むことができる点に留意する必要がある。

再び図２を参照すると、カソード電極86は有機層84の上に形成される。特に重要なことは、カソード電極86が、ドレイン電極64のドレインコンタクト部分70で、ドライブトランジスタ14のドレイン電極64と接触するということである。一般によく理解されているように、カソード電極86は、少なくとも部分的に透明（例えば、半透明）であってもよい。半透明のカソード電極86は、フッ化リチウム（LiF）（例えば、厚さ0.5ナノメートル（ｎｍ））、フッ化リチウムの上に形成されるアルミニウム（例えば、厚さ1ナノメートル（ｎｍ））、および、アルミニウムまたはそれらの組合せの上に形成された銀（例えば、厚さ20ナノメートル）のような複数の層からなってよい。カソード電極86の形成は、上部放射ＯＬＥＤ 16の形成を実質的に完了する。

その上、カソード電極86は、基板44の第１部分46の上に延び、特に、ドライブトランジスタ14、およびスキャントランジスタ12のいかなる有機層84ような他のピクセルアドレッシング回路の上に形成されることができる。このように、図２に示すように、追加的なＯＬＥＤ 91の領域は、反射層76（有機層84）の一部分、ドライブトランジスタ14の上に形成されることができ、カソード電極86はそれを越えて、陽極電極82と結合される。ＯＬＥＤ 91内の特定の有機層84は、ＯＬＥＤ 16で使用されるものと同様であり、その結果、ＯＬＥＤ 91によって発生する光が、ＯＬＥＤ 16によって発生するものと同じ周波数（すなわち、色）のものである。隣接したピクセル領域（図２には図示せず）において使用するＯＬＥＤ層は、フルカラーディスプレイを達成するために、異なる色（すなわち、異なるＯＬＥＤ放射層）を有することができる。特に示されないけれども、次いで、追加的な透明基板（例えば、ガラス）は、それから本発明のある態様に従って、実質的にＡＭ ＯＬＥＤディスプレイを完了するために、ドライブトランジスタ14およびＯＬＥＤS 16および91の上にラミネートされうる。

図4は、本発明のある実施形態によるＡＭ ＯＬＥＤディスプレイシステム（または装置）１００に関する例示的な概略図である。システム100は、（例えば、上記ピクセル10と同様の）基板の上に形成されたピクセル10（例えば、9ピクセル）のアレイ、ゲート・ドライバ回路102、データ・ドライバ回路104、および、電力供給106（VDD）を含む。ゲート・ドライバ回路102およびデータ・ドライバ回路104は、ゲート・バスライン20およびデータバスライン22にそれぞれ電気的に接続され、ピクセル10をそれに対して作動させるように適当なゲート駆動信号および入力データ信号電圧を印加するように構成されることは当業者には明らかであろう。電力供給バスライン24は、電気的に相互接続して、電力供給106に接続している。上述の通り、各々のピクセル10の中で、電力供給バスライン24は、ＯＬＥＤ 16の陽極40（および／または陽極電極80）に電気的に接続している。このように、陽極40（および／または陽極電極80）は、共通の、または、グローバルな陽極を一緒に形成する。

1つの効果は、ＯＬＥＤデバイスが共通の陽極アーキテクチャを備えたＴＦＴのドレイン側に組み立てられるということは一つの利点である。これにより、ドライブＴＦＴのソース-ドレイン電圧が、影響を受けないことを保証し、このように、ディスプレイにわたるＯＬＥＤデバイス特徴におけるいかなる変化にもよって、ＴＦＴおよびＯＬＥＤドライブ電流は影響を受けない。その結果、ディスプレイの輝度の均一性は、改良される。他の利点は、共通の陽極アーキテクチャを備えた頂部放射ＯＬＥＤが提供されるということである。ピクセル口径比を増やすことに加えて、従来の頂部放射ＯＬＥＤ設計のように、マイクロキャビティ ＯＬＥＤ構造を調整することによるピクセルの異なる色（例えば、赤・緑・青）の色チューニングの最適化と同様に、この設計は、陰極のシート抵抗へのいかなる著しい制約なしで、最適の光抽出のために透明な陰極の最適化を許容し、それは結果として改良された色スペクトルを生じる。その上、共通の陽極電極が、アクティブ・マトリックスアレイのグローバル・パワー・バス（V_DD）に接続しているので、表示均一性問題を引き起こしているいかなる電圧低下なしでも、陽極可能性の均一性は改良される。更なる効果は、ピクセル記憶コンデンサが、ドライブＴＦＴのゲート電極、および、ピクセルでドライブＴＦＴのソース電極をそれぞれ使用して造られるということである。その結果、ディスプレイを形成するのに用いられた多くの処理ステップは、かくして、全体のコストが下げられ得る。

図５は、本発明のある実施形態によって実装され得る上述のディスプレイシステム100（図4）における航空機のような車両200を例示する。ある実施形態では、車両200は、例えば、プライベートのプロペラまたはジェットエンジン駆動航空機、商業的なジェット・ライナー、若しくは、ヘリコプターのような多くの異なるタイプのうちの一つであってもよい。表された実施形態では、車両200は、フライトデッキ202（またはコックピット）および航空電子工学/飛行システム204を含む。特に例示されないにもかかわらず、車両200はまた、一般によく理解されているように、フライトデッキ202および航空電子工学/飛行システム204が接続されるフレームまたはボディを含むと理解されるべきである。車両200が単に典型的で、１又はそれ以上の表された構成要素、システムおよびデータソースなしで実装され得ることはまた注意されるべきである。更に、車両200が一つ以上の追加的な構成要素、システムまたはデータソースによって実装されることができることは明らかであろう。加えて、システム100は、航空機ではなく、閉じたコックピット（例えば、タンクまたは装甲兵員輸送車）または高機動多目的装輪車両クラス車両のような開いている車両での有人の車両のような車両で有用であることを理解すべきである。更に、ディスプレイシステム100は、ラップトップ・コンピュータのような携帯型コンピュータ、および、ＬＣＤディスプレイを備えた他の類似したモバイルデバイスで使うことができる。

フライトデッキ202は、ユーザ・インタフェース206、ディスプレイデバイス208（例えば、主たる飛行ディスプレイ（PFD））、通信ラジオ210、ナビゲーション・ラジオ212、および、音声装置214を含む。ユーザ・インタフェース206は、ユーザ211（例えば、パイロット）からの入力を受け取り、ユーザ入力に応答して、航空電子工学/飛行システム204に指令信号を供給するように構成される。ユーザ・インタフェース206は、航空管制、並びに、例えばマウス、トラックボール、または、ジョイスティック、および／または、キーボード、一つ以上のボタン、スイッチまたはノブのようなカーソル制御装置（CCD）を含むがこれに限定されない種々の周知のユーザ・インタフェース装置の一つまたはそれらの組み合わせを含む。表された実施形態では、ユーザ・インタフェース206は、CCD 216およびキーボード218を含む。ユーザ211は、他の物の間で、ディスプレイデバイス208上のカーソル・シンボルを移動させるようにCCD 216を使用し、他の物の間で、テキストデータを入力するためにキーボード218を使用する。

また図１を参照すると、上述したフラットパネル・ディスプレイシステムを含むディスプレイデバイス208が、グラフィック、アイコン、および／または、テキスト・フォーマットで種々のイメージおよびデータを表示するために用いられ、ユーザ・インタフェース206にユーザ211により提供されるユーザ入力コマンドに応答してユーザ211にビジュアル・フィードバックを供給するように用いられる。

通信ラジオ210は、一般に理解されているように、他の航空機の航空管制官およびパイロットのような、車両200の外側で実体と通信するために用いられる。ナビゲーション・ラジオ212は、外側のソースから受信し、Global Positioning Satellite（GPS）システムおよびAutomatic Direction Finder（ADF）（後述）のような車両の位置に関するユーザの種々のタイプの情報を通信するために用いる。ある実施形態では、音声装置214は、フライトデッキ202の中に取り付けられるオーディオスピーカである。

航空電子工学/飛行システム204は、滑走路認識およびアドヴァイザリー・システム（RAAS）220と、計器着陸装置（ILS）222と、フライトディレクター224と、天気データソース226と、地形回避警告システム（TAWS）228と、
交通および衝突回避システム（TCAS）230と、複数のセンサ232（例えば、気圧の圧力センサ、温度計および風速センサ）と、一つ以上の地形データベース234と、一つ以上のナビゲーション・データベース236、ナビゲーション及び制御システム（または、航行コンピュータ）238と、プロセッサ240とを含む。航空電子工学/飛行システム204のさまざまな構成要素は、データバス242（または、航空電子工学バス）を介して通信操作可能である。例示されないにもかかわらず、ナビゲーションおよび制御システム238は、飛行管理システム（FMS）、制御ディスプレイ装置（CDU）、自動操縦または自動誘導装置、多数の航空管制表面（例えば、補助翼、エレベータ、および、舵）、Air Data Computer（ADC）、高度計、Air Data System（ADS）、Global Positioning Satellite（GPS）システム、自動方向探知機（ADF）、コンパス、少なくとも一つのエンジンおよびギア（すなわち、着陸装置）を含むことができる。

プロセッサまたは演算処理システム240は、プログラム指示に応答して作動する多数の周知の多目的マイクロプロセッサまたはアプリケーション特定プロセッサの一つでもあってもよい。表された実施形態では、プロセッサ240は、オンボードのRＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）244、および、オンボードROM（読出し専用メモリ）246を含む。プロセッサ240を制御するプログラム指示が、RＡＭ 244およびROM 246の一方または両方に格納されうる。例えば、オペレーティング・システム・ソフトウェアは、ROM 246に格納され、さまざまなオペレーティング・モード・ソフトウェア・ルーチンおよびさまざまなオペレーション・パラメータはRＡＭ 244に格納されることができる。これは、オペレーティング・システム・ソフトウェアおよびソフトウェア・ルーチンを格納するための単なるひとつの例示スキームであり、他の種々の格納スキームも実装可能である。プロセッサ240が、単なるプログラマブルプロセッサではなく、さまざまな他の回路を使用して実装されることができることはまた明らかであろう。例えば、デジタル論理回路およびアナログ信号処理回路がまた、用いられ得る。特に示されないにもかかわらず、プロセッサ240はまた、少なくとも部分的にゲート・ドライバ回路102、および、データ・ドライバ回路104（図４）を含むことができる。

少なくとも一つの典型的な実施形態を前述の詳細な説明に示したが、非常に多くのバリエーションが存在すると認められるべきであろう。典型的な実施形態または典型的な実施形態を例示しただけであって、いかなる形であれ範囲、適用性または本発明の構成を制限することを目的としないことはまた、認められなければならない。むしろ、前述の詳細な説明は、当業者に典型的な実施形態または典型的な実施形態を実行することの便利なロードマップを提供する。さまざまな変化が請求項に記載したように機能および本発明の範囲内において、要素の配置およびそれの均等な範囲でなされることができると理解されなければならない。

Claims (3)

1. 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイに関するピクセル（１０）であって、前記ピクセル（１０）が、
   基板（４４）と、
   前記基板（４４）上に形成されたｎチャネルトランジスタ（１２）であって、ゲート（２６）、ソース（２８）およびドレイン（３０）を包含することを特徴とするｎチャネルトランジスタ（１２）と、
   前記基板（４４）上に形成されたＯＬＥＤ（１６）であって、アノード（４０）、前記アノード（４０）の上に形成された放射層（９２）、前記放射層（９２）の上に形成されたカソード（４２）とを包含するＯＬＥＤ（１６）と、
   を有し、
   前記カソード（４２）が、前記ｎチャネルトランジスタ（１２）のドレイン（３０）に電気的に接続されていることを特徴とするＯＬＥＤディスプレイに関するピクセル（１０）。
2. 前記基板（４４）の上に形成された絶縁ボディ（７４）を更に有し、
   前記絶縁ボディ（７４）が、前記ｎチャネルトランジスタ（１２）のドレイン（３０）からＯＬＥＤ（１６）のアノード（４０）を絶縁することを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤディスプレイに関するピクセル（１０）。
3. 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイのピクセルを形成する方法であって、
   基板（４４）に複数のｎチャネルＴＦＴ（１２）を形成するステップであって、複数のｎチャネルＴＦＴ（１２）の各々がゲート（２６）、ソース（２８）およびドレイン（３０）を包含することを特徴とする形成するステップと、
   前記基板（４４）に絶縁層（６８）を形成するステップであって、前記複数のｎチャネルＴＦＴ（１２）の少なくともいくつかのドレイン（３０）の上に少なくとも部分的に形成することを特徴とする絶縁層（６８）を形成するステップと、
   前記基板（１４）に複数のＯＬＥＤ（１６）を形成するステップと、
   を有し、前記複数のＯＬＥＤ（１６）の各々を形成するステップが、
   前記絶縁層（６８）の上にアノード（４０）を形成するステップであって、前記アノード（４０）が複数のｎチャネルＴＦＴ（１２）の各々のドレイン（３０）から絶縁されることを特徴とするステップと、
   前記アノード（４０）の上に放射層（９２）を形成するステップと、
   前記放射層（９２）の上に半透明カソード（４２）を形成するステップと、
   を含み、
   前記複数のＯＬＥＤ（１６）のアノード（４０）が共通のアノードを共通に形成するように電気的に相互接続される、ことを特徴とする方法。

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