JP2010282987A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (1)
- 半導体基板の主面に形成された第１メモリセルおよび第２メモリセルを有する半導体装置であって、
前記第１、第２メモリセルはそれぞれ、前記半導体基板中に形成された第１導電型のウエルと、
前記ウエル上に形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたコントロールゲートと、
前記コントロールゲートの一方の側壁、および、前記ウエル上に延在して形成された第２ゲート絶縁膜と、
前記コントロールゲートの一方の側壁に形成され、前記第２ゲート絶縁膜を介して前記コントロールゲートおよび前記半導体基板と絶縁されたメモリゲートと、
前記コントロールゲートの近傍の前記半導体基板に形成された前記第１導電型とは反対の導電型となる第２導電型の半導体領域からなるドレイン領域と、
前記メモリゲートの近傍の前記半導体基板に形成された前記第２導電型の半導体領域からなるソース領域とを有し、
前記第１メモリセルのメモリゲートのゲート長は、前記第２メモリセルのメモリゲートのゲート長よりも長いことを特徴とする半導体装置。
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