JP2010282980A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子を駆動する回路部が形成される基体側からの酸素や水分等の透過を抑え、発光素子の劣化を防止することができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】基体２００上に、複数の第１電極２３と、第１電極２３の形成位置に対応した複数の開口部２２１ａを有するバンク構造体２５，２２１と、開口部２２１ａのそれぞれに配置される電気光学層６０と、バンク構造体２５，２２１及び電気光学層６０を覆う第２電極５０と、第２電極５０を覆う封止層３０或いは封止部材４０とを有する電気光学装置１において、バンク構造体２５，２２１は、無機絶縁層２５と、無機絶縁層２５上に配置される有機バンク層２２１とから形成されるとともに、無機絶縁層２５が基体２００の外周部において封止層３０或いは封止部材４０と接触するようにした。
【選択図】図３

Description

本発明は、電気光学装置及びその製造方法と、電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。

電気光学装置の分野では、酸素や水分等に対する耐久性向上が課題となっている。例えば、上記電気光学装置の一例である有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）表示装置では、発光層（電気光学層）を構成する電気光学材料（有機ＥＬ材料，正孔注入注入材料，電子注入材料等）の酸素や水分等による劣化や、陰極の酸素や水分等による導電性低下等により、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生してしまい、発光素子としての寿命が短くなるという課題がある。
このような課題を解決するために、表示装置の基板にガラスや金属の蓋を取り付けて水分等を封止する方法（缶封止）が採られてきた。そして、近年では、表示装置の大型化及び軽薄化に対応するために、発光素子上に透明でガスバリア性に優れた珪素窒化物、珪素酸化物、セラミックス等の無機化合物薄膜（封止膜）を高密度プラズマ成膜法（例えば、イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表面波プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤ等）により成膜させる薄膜封止と呼ばれる技術が用いられている。

特開２００２−２３１４４３号公報

上述した缶封止或いは薄膜封止により、発光素子が酸素や水分等と触れることが回避され、発光素子の劣化が防止されている。
しかしながら、ガラスや金属の蓋、或いは薄膜と接する基板、すなわち、発光素子を駆動する回路部が形成される基体には、有機樹脂材料により形成される層が存在するため、長期的には、酸素や水分等がこの層を透過してしまう。このため、発光素子が徐々に劣化し、鮮やかな発光を長時間維持することができないという問題がある。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、発光素子を駆動する回路部が形成される基体側からの酸素や水分等の透過を抑え、発光素子の劣化を防止することができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、基体上に、複数の第１電極と、第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、バンク構造体及び電気光学層を覆う第２電極と、第２電極を覆う封止層或いは封止部材とを有する電気光学装置において、バンク構造体は、無機絶縁層と、無機絶縁層上に配置される有機バンク層とから形成されるとともに、無機絶縁層が基体の外周部において封止層或いは封止部材と接触するように形成されるようにした。この発明によれば、基体の外周部において、封止層或いは封止部材と、第１電極及び電気光学層を区画する無機絶縁層とが接するので、第１電極及び無機絶縁層によって基体を透過した酸素や水分等が遮断される。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。

また、複数の無機絶縁層を備える基体上に、複数の第１電極と、第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、バンク構造体及び電気光学層を覆う第２電極と、第２電極を覆う封止層或いは封止部材とを有する電気光学装置において、封止層或いは封止部材は、基体の外周部において複数の無機絶縁層のうちのいずれかの層に接触するように形成されるようにした。この発明によれば、基体の外周部に形成される無機絶縁層と、封止層或いは封止部材とが接するので、有機バンク層及び電気光学層が露出せず、外部環境の水分や酸素を遮断する。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。

また、複数の無機絶縁層が、基体に下地保護層、ゲート絶縁層、第１層間絶縁層、第２層間絶縁層の順に形成される層のうちのいずれかであるものでは、基体に形成される複数の層のうちのいずれかをガスバリア性の高い珪素化合物などの無機材料により形成することにより、酸素や水分等が基体内に透過することを容易に阻止でき、発光素子の劣化を防止することができる。
また、第１層間絶縁層または第２層間絶縁層上に、基体に形成される回路形成面上を平坦化させる有機平坦化層が形成されるものでは、有機平坦層により、第１電極と、第１電極を区画する無機絶縁層が平坦化されるので、第１電極と無機絶縁層とによる封止性を向上させ、さらに電気光学層の形成精度を向上させることができる。
また、電気光学層からなる表示領域の外側の領域にて、無機絶縁層が、下地保護層、ゲート絶縁層、第１層間絶縁層、第２層間絶縁層のうちのいずれか一つと接触するように形成されるものでは、無機絶縁層及び下地保護層、ゲート絶縁層、第１層間絶縁層、第２層間絶縁層のいずれかとによって基体を透過した酸素や水分等が遮断される。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。
また、第１電極と回路部とを接続させるコンタクトホール上に形成される凹部を平坦化させる有機平坦層を備えるものでは、バンク構造体及びバンク構造体を覆う第２電極や封止層にかかる応力が緩和できるため、封止性を向上させることができる。

第２の発明は、基体上に、複数の第１電極と、第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、バンク構造体及び電気光学層を覆う第２電極と、第２電極を覆う封止層或いは封止部材と、を有する電気光学装置の製造方法において、第１電極を区画する無機絶縁層を基体の外周部まで形成し、無機絶縁層上に有機バンク層を形成してバンク構造体を設ける工程と、基体の外周部において、無機絶縁層と接触するように封止層或いは封止部材を形成する工程と、を有するようにした。この発明によれば、基体の外周部において、封止層或いは封止部材と、第１電極及び電気光学層を区画する無機絶縁層とが接するので、第１電極及び無機絶縁層によって基体を透過した酸素や水分等が遮断される。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。

また、複数の無機絶縁層を備える基体上に、複数の第１電極と、第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、バンク構造体及び電気光学層を覆う第２電極と、第２電極を覆う封止層或いは封止部材と、を有する電気光学装置の製造方法において、基体の外周部において、複数の無機絶縁層のうちのいずれかの層と接触するように封止層或いは封止部材を形成する工程を有するようにした。この発明によれば、基体の外周部に形成される複数の無機絶縁層と、封止層或いは封止部材とが接するので、無機絶縁層によって酸素や水分等が基体内に透過することが阻止される。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。

また、基体に形成される回路部上を平坦化させる有機平坦化層を形成する工程を有するものでは、有機平坦層により、第１電極と、第１電極を区画する無機絶縁層が平坦化されるので、第１電極と無機絶縁層とによる封止性を向上させることができる。
また、第１電極と前記回路部とを接続させるコンタクトホール上に第１電極を形成する工程と、第１電極上の凹部に、有機絶縁材料を液滴吐出法により塗布して、凹部を平坦化させる有機平坦層を形成する工程と、を有するものでは、バンク構造体及びバンク構造体を覆う第２電極や封止層にかかる応力が緩和されるので、封止性を向上させることができる。

第３の発明は、電子機器が、第１の発明の電気光学装置、或いは第２の発明の製造方法により製造された電気光学装置を備えるようにした。この発明によれば、水分等が基体を透過して電気発光層に達することがなく、発光層の劣化が防止される。したがって、鮮やかな画像を長時間表示することができる電子機器を得ることができる。

ＥＬ表示装置の配線構造を示す図。 ＥＬ表示装置の構成を示す模式図。 図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。 図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。 回路部を示す拡大断面図。 ＥＬ表示装置の製造方法を工程順に示す図。 図６に続く工程を示す図。 図７に続く工程を示す図。 図８に続く工程を示す図。 図９に続く工程を示す図。 図１０に続く工程を示す図。 下地保護層又はゲート絶縁層とガスバリア層とを接触させた場合を示す図。 封止部材を設けた場合を示す図。 電子機器を示す図。

以下、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の実施形態について図を参照して説明する。
電気光学装置として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。
図１は、ＥＬ表示装置１の配線構造を示す図である。ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。

ＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、図１に示すように、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に画素領域Ｘが設けられる。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続される。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続される。

さらに、画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、スイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）２３と、画素電極２３と陰極（第２電極）５０との間に挟み込まれた電気光学層１１０が設けられる。画素電極２３と陰極５０と電気光学層１１０により、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成される。

このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに電気光学層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。電気光学層１１０に含まれる有機発光層６０（図３参照）は、これを流れる電流量に応じて発光する。

次に、ＥＬ表示装置１の具体的な構成について図２〜図５を参照して説明する。
ＥＬ表示装置１は、図２に示すように電気絶縁性を備えた基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
なお、本発明においては、基板２０と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用ＴＦＴや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体と称している。（図３、４中では符号２００で示している。）

画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画される。
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置される。これら走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下側に配置されたものである。

さらに、実表示領域４の図２中上側には、検査回路９０が配置される。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されたものである。

走査線駆動回路８０および検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して、印加されるよう構成される。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して、送信および印加される。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。

また、ＥＬ表示装置１は、図３、図４に示すように基体２００上に画素電極２３と有機発光層６０と陰極５０とを備えた発光素子（有機ＥＬ素子）を多数形成し、さらにこれらを覆ってガスバリア層３０を形成させたものである。
なお、電気光学層１１０の、主要な層としては有機発光層６０（エレクトロルミネッセンス層）であるが、挟まれる２つの電極との間に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層（ホールブロック層）、電子阻止層（エレクトロンブロック層）を備えるものであってもよい。

基体２００を構成する基板２０としては、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合、この基板２０の対向側であるガスバリア層３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものがあり、また耐衝撃性や軽量化を考慮して熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などを用いてもよい。

また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に発光素子（有機ＥＬ素子）が多数設けられる。発光素子は、図３、図４に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されたものである。
このような構成のもとに、発光素子はその有機発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより発光する。

画素電極２３は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要がなく、したがって適宜な導電材料によって形成される。
正孔輸送層７０の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液などが用いられる。

有機発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような有機発光層６０の上にカルシウムやマグネシウム、リチウム、ナトリウム、ストロンチウム、バリウム、セシウムを主成分とした金属又は金属化合物からなる電子注入層を形成してもよい。

また、本実施形態において正孔輸送層７０と有機発光層６０とは、図３、図４に示すように基体２００上にて格子状に形成された無機絶縁層（バンク構造体）２５及び有機バンク層（バンク構造体）２２１とによって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔輸送層７０および有機発光層６０は単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を構成する素子層となる。
なお、無機絶縁層２５は、図３、図４に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、基体２００の外周部まで覆うように形成される。

陰極５０は、図３、図４に示すように、有機発光層６０と有機バンク層２２１の上面、さらには有機バンク層２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体２００上に形成されたものである。なお、この陰極５０は、図４に示すように有機バンク層２２１の外側で基体２００の外周部に形成された陰極用配線２０２に接続される。この陰極用配線２０２にはフレキシブル基板２０３が接続されており、これによって陰極５０は、陰極用配線２０２を介してフレキシブル基板２０３上の図示しない駆動ＩＣ（駆動回路）に接続される。また、陰極用配線２０２と同様、駆動電圧導通部３１０および駆動制御信号導通部３２０を介して、走査線駆動回路８０はフレキシブル基板２０３上の図示しない駆動ＩＣ（駆動回路）に接続される。

陰極５０を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）が好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー（登録商標））、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。

陰極５０の上層部には、陰極保護層（不図示）を形成してもよい。陰極保護層は、製造プロセス時に陰極５０が腐食されてしまうことを防止するために設けられる層であり、珪素化合物や金属化合物などの無機化合物により形成される。陰極５０を無機化合物からなる陰極保護層で覆うことにより、陰極５０への酸素や水分、有機材料等の接触による腐食を良好に防止することができる。なお、陰極保護層は、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成される。

陰極５０の上には、有機バンク層２２１よりも広い範囲で、かつ陰極５０を覆うガスバリア層（封止層）３０が設けられる。そして、ガスバリア層３０は、基体２００の外周部まで形成され、無機絶縁層２５と接触する。
ガスバリア層３０は、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極５０や有機発光層６０への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極５０や有機発光層６０の劣化等を抑えるようにしたものである。
また、ガスバリア層３０は、例えば無機化合物からなるもので、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などを高密度プラズマ成膜法によって形成される。ただし、珪素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどからなっていてもよい。

また、ガスバリア層３０としては、例えば珪素窒化物と珪素窒酸化物の２層構造やＩＴＯと珪素酸窒化物など珪素化合物を含みつつ異なる材料によって積層した構造としてもよい。このように無機化合物からなる下地層を形成することで、密着性を向上させたり、応力を緩和したり、珪素化合物からなるガスバリア層の緻密性を向上させたりすることができる。
さらに、ガスバリア層の下地層として、有機材料からなる有機中間層を形成してもよい。これは、有機バンク層の凹凸と工程中に付着したパーティクル等の突起から発生する集中した応力を緩和するもので、主に有機溶剤などで希釈してスリットコート法などのＷＥＴプロセスにより塗布及び乾燥させて１〜１０μｍの膜厚で形成する。

このようなガスバリア層３０の厚さとしては、１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であるのが好ましい。１０ｎｍ未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、５００ｎｍを越えると、応力による割れが生じてしまうおそれがあるからである。
また、本実施形態ではトップエミッション型としていることから、ガスバリア層３０は透光性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上にしている。

更に、ガスバリア層３０の外側に、ガスバリア層３０を覆う保護層２０４を設けてもよい（図１１参照）。この保護層２０４は、ガスバリア層３０側に設けられた接着層２０５と表面保護層２０６とからなる。
接着層２０５は、ガスバリア層３０上に表面保護層２０６を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有するもので、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂からなり、後述する表面保護層２０６より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。なお、このような接着剤には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層２０５とガスバリア層３０との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。
また、特にガスバリア層３０が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層３０との密着性を向上させることができ、したがってガスバリア層３０のガスバリア性を高めることができる。

表面保護層２０６は、接着層２０５上に設けられて、保護層２０４の表面側を構成するものであり、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる層である。具体的には、ガラス基板や最表面にＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）層、珪素酸化物層、酸化チタン層などがコーティングされたプラスチックフィルムなどによって形成されるものである。
なお、この例のＥＬ表示装置においては、トップエミッション型にする場合に表面保護層２０６、接着層２０５を共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はない。

上述の発光素子の下方には、図５に示すように、回路部１１が設けられる。
この回路部１１は、基板２０上に形成されて基体２００を構成するものである。すなわち、基板２０の表面には下地としてＳｉＯ₂を主体とする下地保護層２８１が形成され、その上にはシリコン層２４１が形成される。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ₂および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成される。

また、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされる。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、例えば原料ガスとして、モノシランと一酸化二窒素との混合ガスや、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）と酸素、ジシランとアンモニア等を用いるプラズマＣＶＤ法等により、珪素酸化物や珪素窒化物などの珪素化合物を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成される。

また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を形成する。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続される。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続される。

ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えば珪素窒化物や珪素酸化物、珪素酸窒化物などのガスバリア性を有する珪素化合物を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、例えば、珪素窒化物（ＳｉＮ）や珪素酸化物（ＳｉＯ₂）などの珪素化合物層とアクリル樹脂などの配線平坦化層とからなる。そして、ＩＴＯからなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の表面上に形成されるとともに、第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続される。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続される。

また、図５に示すように、コンタクトホール２３ａ上に画素電極２３を形成すると、コンタクトホール２３ａの形状に起因した凹部２９５が残る。このため、この凹部２９５上には、有機平坦層２９６を形成し、凹部２９５を埋めて平坦化させている。有機平坦層２９６としは、アクリル樹脂、有機珪素化合物等が好ましい。このように、有機バンク層２２１の下地を平坦化させることにより、有機バンク層２２１を覆うガスバリア層３０の上面を平坦化して封止性を向上させることができる。

なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされる。

画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面には、画素電極２３と、上述した無機絶縁層２５及び有機バンク層２２１とが設けられる。無機絶縁層２５は、例えばＳｉＯ₂などの無機材料からなるものであり、有機バンク層２２１は、アクリル樹脂やポリイミドなどの有機材料からなるものである。そして、画素電極２３の上には、無機絶縁層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク層２２１に囲まれてなる開口部２２１ａの内部に、正孔輸送層７０と有機発光層６０とがこの順に積層される。
以上に説明した基板２０上の第２層間絶縁層２８４までの層が、回路部１１を構成する。

ここで、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各有機発光層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成される。例えば、有機発光層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機発光層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機発光層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機発光層６０Ｂとをそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成される。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、例えば有機バンク層２２１と無機絶縁層２５との間に形成される。

次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例を、図６〜１１を参照して説明する。図６〜８に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応した図である。
なお、本実施形態においては、電気光学装置としてのＥＬ表示装置１がトップエミッション型である場合である。

まず、図６（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。

次いで、図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。

次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。

また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０¹²／ｃｍ²のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０¹⁷／ｃｍ³の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。

次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクに対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入されて、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。

次に、図６（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、あるいはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、パターニング法により、図６（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。

続いて、図６（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。

次に、図７（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５１中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。したがって、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。

次いで、図７（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて第１層間絶縁層２８３をパターニングすることにより、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。

次に、図７（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、導電層５０４をパターニングして、図８（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。

次いで、図８（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う第２層間絶縁層２８４を形成する。この第２層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。

次いで、図８（ｊ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。その後、表面に回路部１１が形成された基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。
そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図９（ｋ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する。
なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。ダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされる。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有する。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。

次いで、図９（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である無機絶縁層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて無機絶縁層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層である無機絶縁層２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。
続いて、無機絶縁層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部に不図示のＢＭ（ブラックマトリックス）を形成する。具体的には、無機絶縁層２５の凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
また、コンタクトホール２３ａの形状に起因した凹部２９５（図５参照）には、有機平坦層２９６を形成する。有機平坦層２９６は、多価アルコール（ポリビニルアルコール）、アクリル樹脂（ポリ酢酸ビニル）、ポリアクリル酸ビニル）、有機珪素化合物（テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）やアニノプロピルトリメトキシシラン等）を水或いはアルコールで溶解し、インクジェット法等の液滴吐出法により塗布して、形成する。

そして、図９（ｍ）に示すように、無機絶縁層２５の所定位置、詳しくは上述したＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミドなどのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機層を形成する。なお、有機層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。

更に、有機層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機層に開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機バンク層２２１を形成する。
なお、この場合、有機バンク層２２１は、少なくとも駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとする。

次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成する。具体的には、プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、無機絶縁層２５の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。

すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ₄プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。

なお、このＣＦ₄プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび無機絶縁層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび無機絶縁層２５の構成材料であるＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。

次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層７０の形成を行う。この正孔輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スリットコート法などにより、正孔輸送層材料を電極面２３ｃ上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔輸送層７０を形成する。正孔輸送層材料を例えばインクジェット法で選択的に塗布する場合には、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔輸送層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを無機絶縁層２５に形成された開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層７０を形成する。

ここで、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面２３ｃ上にて広がり、無機絶縁層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、その上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が無機絶縁層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。
なお、この正孔輸送層形成工程以降は、正孔輸送層７０および有機発光層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。

次いで、発光層形成工程によって有機発光層６０の形成を行う。この発光層形成工程では、例えばインクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機発光層６０を形成する。この発光層形成工程では、正孔輸送層７０の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
なお、この発光層形成工程では、インクジェット法によって例えば青色（Ｂ）の発光層形成材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）についてもそれぞれその表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。
また、必要に応じて、上述したようにこのような有機発光層６０の上にカルシウムやマグネシウム、リチウム、ナトリウム、ストロンチウム、バリウム、セシウムを主成分とした金属又は金属化合物からなる電子注入層を蒸着法等で形成してもよい。

次いで、図１０（ｎ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０の形成を行う。この陰極層形成工程では、例えば高密度プラズマ成長法等の気相成長法によりＩＴＯを成膜して、陰極５０とする。このとき、この陰極５０については、有機発光層６０と有機バンク層２２１の上面を覆うのはもちろん、有機バンク層２２１の外側部を形成する壁面についてもこれを覆った状態となるように形成する。
なお、陰極５０上に陰極保護層を形成させる場合には、高密度プラズマ成長法などの気相成長法により酸化チタンや珪素酸窒化物等を陰極５０上に成膜させる。

次いで、図１０（ｏ）に示すように、基体２００上にて露出する陰極５０の全ての部位を覆った状態にガスバリア層３０を形成する。
ここで、このガスバリア層３０の形成方法としては、高密度プラズマ成長法により珪素酸窒化物などの珪素化合物を形成する。

また、ガスバリア層３０の形成については、上述したように珪素化合物によって単層で形成してもよく、また２層以上の珪素化合物や珪素化合物とは異なる例えば有機材料からなる平坦性を向上させる層と組み合わせて複数の層に積層して形成してもよく、さらには、単層で形成するものの、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして形成してもよい。

そして、図１１（ｐ）に示すように、ガスバリア層３０上に接着層２０５と表面保護層２０６からなる保護層２０４が設けられる。接着層２０５は、スクリーン印刷法やスリットコート法などによりガスバリア層３０上に略均一に塗布され、その上に表面保護層２０６が貼り合わされる。
このようにガスバリア層３０上に保護層２０４を設ければ、表面保護層２０６が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、有機発光層６０や陰極５０、さらにはガスバリア層もこの表面保護層２０６によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、接着層２０５が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層３０やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。

以上のようにして、ＥＬ表示装置１が形成される。
このようなＥＬ表示装置１にあっては、基体２００の外周部において、画素電極２３を区画する無機絶縁層２５と、ガスバリア層３０とが接するので、画素電極２３或いは無機絶縁層２５によって基体２００を透過した酸素や水分等が遮断される。これにより、有機発光層６０子の劣化を防止することができる。

なお、上述した実施形態では、トップエミッション型のＥＬ表示装置１を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、ボトムエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
ボトムエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合には、基体２００に形成するスイッチング用ＴＦＴ１１２や駆動用ＴＦＴ１２３については、発光素子の直下ではなく、無機絶縁層２５および有機バンク層２２１の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。
また、ＥＬ表示装置１では本発明における第１の電極を陽極として機能させ、第２の電極を陰極として機能させたが、これらを逆にして第１の電極を陰極、第２の電極を陽極としてそれぞれ機能させるよう構成してもよい。ただし、その場合には、有機発光層６０と正孔輸送層７０との形成位置を入れ替えるようにする必要がある。

また、上述した実施形態では、第１層間絶縁層２８３及び第２層間絶縁層２８４の材料について触れなかったが、有機樹脂材料により形成しても、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂などの無機絶縁材料を用いて形成してもよい。有機樹脂材料はスピンコートやスリットコートなどＷＥＴプロセスで形成されるため平坦性を向上させることができ、ＴＦＴや配線が形成された後に用いることが好ましい。例えば、有機平坦層２９１を、第１層間絶縁層２８３と無機絶縁層２５の間の第２層間絶縁層として用いてもよく、また、第２層間絶縁層２８４と無機絶縁層２５の間に形成してもよい。さらに、第１層間絶縁層２８３における駆動用ＴＦＴ１２３が形成される領域の上部に有機平坦層２９１を設け、それ以外の領域（外周部）には第２層間絶縁層２８４を形成してもよい。
有機平坦層２９１は、駆動用ＴＦＴ１２３の上面を平坦化させるために設けられる層であって、例えばアクリル系の樹脂材料から形成される。そして、有機平坦層２９１により、駆動用ＴＦＴ１２３の上面を平坦化させることにより、有機平坦層２９１上に形成される画素電極２３及び無機絶縁層２５が平坦化され、これらの層による封止性能の向上と、インクジェット法による有機発光層などの形成精度を向上させることができる。

また、画素電極２３を区画する無機絶縁層２５と、ガスバリア層３０とが基体２００の外周部において接触する場合について説明したが、図１２に示すように、基体２００の外周部に下地保護層２８１或いはゲート絶縁層２８２のいずれかを露出させて、その上にガスバリア層３０を被膜するようにしてもよい。また、第１層間絶縁層２８３及び第２層間絶縁層２８４を無機絶縁材料で形成した場合には、第１層間絶縁層２８３或いは第２層間絶縁層２８４上にガスバリア層３０を被膜するようにしてもよい。
このように、無機材料からなる第１層間絶縁層２８３、第２層間絶縁層２８４、下地保護層２８１、ゲート絶縁層２８２のいずれかと、ガスバリア層３０とが接触することにより、有機発光層６０から封止され、酸素や水分等による劣化が長期的に防止できる。

また、上述した実施形態において、ガスバリア層３０に替えて、図１３に示すように、封止部材４０を用いてもよい。図１３においては、封止部材４０は、接着層４１を介して無機絶縁材料からなる第２層間絶縁層２８４上に配置される。
封止部材４０を用いる場合には、基板２０側から発光光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型のＥＬ表示装置となるので、例えば、基板２０としては、透明あるいは半透明のものが採用する必要がある。具体的には、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。

また、上述した実施形態では、電気光学装置にＥＬ表示装置１を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、基本的に第２電極が基体の外側に設けられるものであれば、どのような形態の電気光学装置にも適用可能である。

次に、本発明の電子機器について説明する。電子機器は、上述したＥＬ表示装置（電気光学装置）１を表示部として有したものであり、具体的には図１４に示すものが挙げられる。
図１４（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４（ａ）において、携帯電話１０００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１００１を備える。
図１４（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１４（ｂ）において、時計（電子機器）１１００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１１０１を備える。
図１４（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１４（ｃ）において、情報処理装置（電子機器）１２００は、キーボードなどの入力部１２０２、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１２０６、情報処理装置本体（筐体）１２０４を備える。
図１４（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図１４（ｄ）において、薄型大画面テレビ（電子機器）１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１３０６を備える。
図１４（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述したＥＬ表示装置１を有した表示部（電気光学装置）１００１，１１０１，１２０６を備えているので、表示部を構成するＥＬ表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。
また、図１４（ｄ）に示す電子機器は、表示部（電気光学装置）１３０６の面積に関係なくＥＬ表示装置１が封止することができる本発明を適用したので、従来と比較して大面積（例えば対角２０インチ以上）の表示部を備えるものとなる。

１ 表示装置（電気光学装置）、 ２３ 画素電極（第１電極）、 ２３ａ コンタクトホール、 ２５ 無機絶縁層（バンク構造体）、 ３０ ガスバリア層（封止層）、 ４０ 封止部材、 ５０ 陰極（第２電極）、 ６０ 有機発光層、 １１０ 電気光学層、 ２００ 基体、 ２２１ 有機バンク層（バンク構造体）、 ２２１ａ 開口部、 ２２１ａ 開口部、 ２８１ 下地保護層、 ２８２ ゲート絶縁層、 ２８３ 第１層間絶縁層、 ２８４ 第２層間絶縁層、 ２９１ 有機平坦層、 ２９５ 凹部、 ２９６ 有機平坦層、 １０００ 携帯電話（電子機器）、 １１００ 時計（電子機器）、 １２００ 情報処理装置（電子機器）、 １３００ 薄型大画面テレビ（電子機器）、 １００１，１１０１，１２０６，１３０６ 表示部（電気光学装置）。

Claims (11)

1. 基体上に、複数の第１電極と、
   前記基体上と前記複数の第１電極上の少なくとも一部に設けられ、前記複数の第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、
   前記開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、
   前記バンク構造体の少なくとも一部及び前記電気光学層を覆う第２電極と、
   少なくとも前記第２電極の端部と接触して前記第２電極を覆う封止層と、を備え、
   前記封止層は、無機材料からなり、
   前記バンク構造体は、無機絶縁層と、前記無機絶縁層上の少なくとも一部に設けられる有機バンク層と、を有し、
   前記無機絶縁層は、前記第２電極の端部より外側まで設けられ、かつ前記封止層と接していることを特徴とする電気光学装置。
2. 基体上に、複数の第１電極と、
   前記基体上と前記複数の第１電極上の少なくとも一部に設けられ、前記複数の第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有する無機絶縁層と、
   前記無機絶縁層上の少なくとも一部に設けられる有機バンク層と、
   前記開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、
   前記有機バンク層及び前記電気光学層を覆う第２電極と、
   少なくとも前記第２電極の端部と接触して前記第２電極を覆う封止層と、を備え、
   前記封止層は、無機材料からなり、
   前記無機絶縁層は、前記第２電極の端部より外側まで設けられ、かつ前記封止層と接していることを特徴とする電気光学装置。
3. 基体上に、無機絶縁層と、
   前記無機絶縁層上の少なくとも一部に設けられる有機バンク層と、
   前記有機バンク層により設けられた複数の開口部のそれぞれに対応して設けられる第１電極と、
   前記第１電極上に配置される電気光学層と、
   前記有機バンク層及び前記電気光学層を覆う第２電極と、
   少なくとも前記第２電極の端部と接触して前記第２電極を覆う封止層と、を備え、
   前記封止層は、無機材料からなり、
   前記無機絶縁層は、前記第２電極の端部より外側まで設けられ、かつ前記封止層と接していることを特徴とする電気光学装置。
4. 前記基体は、前記画素電極に電気的に接続されたトランジスタを含み、
   前記画素電極と前記トランジスタを接続するコンタクト部は、前記無機絶縁層および有機バンク層と平面的に重なる位置に設けられ、
   前記コンタクト部において、前記無機絶縁層と前記有機バンク層との間に有機平坦層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記無機絶縁層および前記有機バンク層が設けられた領域は、表示に寄与する実表示領域と、表示に寄与しないダミー領域とを有し、
   前記ダミー領域において、前記無機絶縁層は、前記開口部を有さないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記複数の第１電極は、前記第１の電極に電流を供給する電源線と電気的に接続されており、
   前記実表示領域に設けられた前記第１電極は、前記電源線と電気的に接続されており、
   前記ダミー領域に設けられた前記第１電極は、前記電源線と電気的に接続されていないことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 基体上に複数の第１電極と、前記基体上と前記複数の第１電極上の少なくとも一部に設けられ、前記複数の第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、前記開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、前記バンク構造体の少なくとも一部及び前記電気光学層を覆う第２電極と、少なくとも前記第２電極の端部と接触して前記第２電極を覆う無機材料からなる封止層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記第２電極の端部より外側まで設けられるように形成する無機絶縁層と、前記無機絶縁層上の少なくとも一部に有機バンク層を形成して前記バンク構造体を形成する工程と、
   前記第２電極の端部より外側において、前記無機絶縁層と接するように前記封止層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 基体上に複数の第１電極と、前記基体上と前記複数の第１電極上の少なくとも一部に設けられ、前記複数の第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有する無機絶縁層と、前記無機絶縁層上の少なくとも一部に設けられる有機バンク層と、前記開口部のそれぞれに配置される電気光学層と、前記有機バンク層及び前記電気光学層を覆う第２電極と、少なくとも前記第２電極の端部と接触して前記第２電極を覆う無機材料からなる封止層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記第２電極の端部より外側まで設けられるように形成する無機絶縁層と、前記無機絶縁層上の少なくとも一部に有機バンク層とを形成する工程と、
   前記第２電極の端部より外側において、前記無機絶縁層と接するように前記封止層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 基体上に無機絶縁層と、前記無機絶縁層上の少なくとも一部に設けられる有機バンク層と、前記有機バンク層により設けられた複数の開口部のそれぞれに対応して設けられる第１電極と、前記第１電極上に配置される電気光学層と、前記有機バンク層及び前記電気光学層を覆う第２電極と、少なくとも前記第２電極の端部と接触して前記第２電極を覆う無機材料からなる封止層と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記第２電極の端部より外側まで設けられるように形成する無機絶縁層と、前記無機絶縁層上の少なくとも一部に有機バンク層とを形成する工程と、
   前記第２電極の端部より外側において、前記無機絶縁層と接するように前記封止層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 前記基体は、前記第１電極に電気的に接続されたトランジスタを含み、
    前記第１電極と前記トランジスタとを接続させるコンタクト部の上に前記無機絶縁層を形成する工程と、
    前記コンタクト部の前記無機絶縁層上に有機絶縁材料を液滴吐出法により塗布して、平坦化させる有機平坦層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の電気光学装置、或いは請求項７から請求項１０のいずれか一項に記載の製造方法により製造された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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