JP2010267799A - 直流結合レーザー駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】マッチング抵抗の値を大きくすることなくレーザー素子ＬＤでの電圧ドロップによる出力不整合を補償し、変調振幅を大きくするとともにレーザー電流のアイパタンを改善する回路を提供する。
【解決手段】データに応じた差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを生成し、該差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを第１のマッチング抵抗および第２のマッチング抵抗を介してレーザー素子のアノードおよびカソードに直流結合し、レーザー素子の発光強度を変調する直流結合レーザー駆動回路において、第２のマッチング抵抗の一端をプルアップ抵抗を介して、レーザー素子の電源電位以上かつ差動信号ＬＤＮの平均電位より高いプルアップ電源電位に接続し、差動信号ＬＤＮの電位を差動信号ＬＤＰの電位またはその近傍に引き上げる構成である。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザー素子ＬＤを直流結合（ＤＣ結合）によって駆動する直流結合レーザー駆動回路に関する。なお、レーザー素子には、ＴＯＳＡ(Transmitter Optical Sub-Assembly)やＢＯＳＡ(Bidirectional Optical Sub-Assembly)などの光学モジュールを含む。

図９は、従来の直流結合レーザー駆動回路の構成例を示す。ここでは、レーザー素子ＬＤと直流結合される直流結合レーザー駆動回路の構成を模式的に示す。

図において、直流結合レーザー駆動回路は、変調回路１０、バイアス回路２０、自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）３０およびマッチング抵抗ＲＭＰ，ＲＭＮにより構成される。バイアス回路２０は、レーザー素子ＬＤにバイアス電流を与える。変調回路１０は、ゲート回路１１、プリバッファ回路１２、エミッタフォロワ（レベル変換）回路１３、出力バッファ回路１４を縦属に接続した構成であり、出力バッファ回路１４の差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮがマッチング抵抗ＲＭＰ，ＲＭＮを介してレーザー素子ＬＤのアノードおよびカソードに接続され、変調回路１０に入力するデータに応じてレーザー素子ＬＤの発光強度を変調する。また、変調回路１０のゲート回路１１、バイアス回路２０およびＡＰＣ回路３０は、バースト制御信号ＴＸＥＮによってオンオフし、レーザー素子ＬＤの発光と消光を制御する。さらに、ＡＰＣ回路３０の出力ＶＣＳＭは変調回路１０の差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮの変調電流を制御し、ＡＰＣ回路３０の出力ＶＣＳＢはバイアス回路２０のバイアス電流を調整し、レーザー素子ＬＤの発光強度を安定化させる。なお、直流結合レーザー駆動回路とレーザー素子ＬＤを含めて光送信器が構成される。

ここで、直流結合は、レーザー素子ＬＤの発光と消光の切り替えを高速に制御できるため、ＰＯＮ(Passive Optical Network) 通信システムにおいて断続的なデータ送信が必要な光送信器に適している。

図１０は、出力バッファ回路１４とレーザー素子ＬＤの直流結合を示す。
図において、出力バッファ回路１４の差動増幅トランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタと負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２との間から取り出される差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮは、マッチング抵抗ＲＭＰ，ＲＭＮを介してレーザー素子ＬＤのアノードおよびカソードに接続される。これは、変調回路１０の出力インピーダンスとレーザー素子ＬＤのインピーダンスの整合を図るためであるが、ＤＣ結合ではＡＣ結合に比べて多くの不整合成分を伴うため、慎重な設計が必要である。例えば、ＤＣ結合ではレーザー素子ＬＤの電圧ドロップＶf がそのまま変調回路１０の出力端子電位に影響を与える。ここで、レーザー素子ＬＤの電源電位をＶCCLD、出力バッファ回路１４の電源電位をＶCCDRV とする。

アノード側出力端子電圧Ｖldp は、変調電流をＩmod とすると、
Ｖldp ＝ＶCCLD−Ｉmod ×ＲＭＰ …(1)
であり、カソード側出力端子電圧Ｖldn は、
Ｖldn ＝ＶCCLD−Ｉmod ×ＲＭＮ−Ｖf …(2)
となる。

これは、差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮが異なる電位で動作することを意味し、とりわけＬＤＮでは大電流駆動において電位が低下し、変調回路１０のヘッドルーム不足を招き、変調波形の劣化をもたらすことになる。そこで、マッチング抵抗ＲＭＰ，ＲＭＮの値を同一にせず、ＲＭＰ＞ＲＭＮとなる関係で抵抗値を設計することが行われてきた（例えば非特許文献１）。

マキシム・ジャパン株式会社アプリケーションノート HFAN-02.6.0「低速(<622Mbps)光トランスミッタのノイズとワンダの低減」

従来の直流結合レーザー駆動回路では、マッチング抵抗の非対称化により、変調回路１０の差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮの電位差を縮小し、レーザー素子ＬＤでの電圧ドロップによって引き起こされる出力不整合を補償することができる。ただし、マッチング抵抗による効果は（ＲＭＰ−ＲＭＮ）の範囲に限定されてしまう。すなわち、マッチング抵抗の非対称化による効果を大きくするためには（ＲＭＰ−ＲＭＮ）を大きくする必要があるが、ＲＭＮをゼロ以下にできないためにＲＭＰを大きくせざるをえない。

一方、マッチング抵抗ＲＭＰ，ＲＭＮは、どちらも変調回路１０とレーザー素子ＬＤとの接続部に直流挿入される抵抗であるから、この値を大きくすることは、駆動パワーのロスをもたらし、変調振幅が小さくなってしまうことを意味する。

本発明は、マッチング抵抗の値を大きくすることなくレーザー素子ＬＤでの電圧ドロップによる出力不整合を補償し、変調振幅を大きくするとともにレーザー電流のアイパタンを改善することができる直流結合レーザー駆動回路を提供することを目的とする。

第１の発明は、データに応じた差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを生成し、該差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを第１のマッチング抵抗および第２のマッチング抵抗を介してレーザー素子のアノードおよびカソードに直流結合し、レーザー素子の発光強度を変調する直流結合レーザー駆動回路において、第２のマッチング抵抗の一端をプルアップ抵抗を介して、レーザー素子の電源電位以上かつ差動信号ＬＤＮの平均電位より高いプルアップ電源電位に接続し、差動信号ＬＤＮの電位を差動信号ＬＤＰの電位またはその近傍に引き上げる構成である。

第２の発明は、データに応じた差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを生成し、該差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを第１のマッチング抵抗および第２のマッチング抵抗を介してレーザー素子のアノードおよびカソードに直流結合し、レーザー素子の発光強度を変調する直流結合レーザー駆動回路において、第１のマッチング抵抗の一端をプルダウン抵抗を介して、差動信号ＬＤＮの平均電位より低いプルダウン電源電位に接続し、差動信号ＬＤＰの電位を差動信号ＬＤＮの電位またはその近傍に引き下げる構成である。

第３の発明は、データに応じた差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを生成し、該差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを第１のマッチング抵抗および第２のマッチング抵抗を介してレーザー素子のアノードおよびカソードに直流結合し、レーザー素子の発光強度を変調する直流結合レーザー駆動回路において、第２のマッチング抵抗の一端をプルアップ抵抗を介して、レーザー素子の電源電位以上かつ差動信号ＬＤＮの平均電位より高いプルアップ電源電位に接続し、第１のマッチング抵抗の一端をプルダウン抵抗を介して、差動信号ＬＤＮの平均電位より低いプルダウン電源電位に接続し、差動信号ＬＤＮの電位を引き上げ、差動信号ＬＤＰの電位を引き下げ、両者を近接させる構成である。

第１〜第３の発明の直流結合レーザー駆動回路において、第２のマッチング抵抗の値が第１のマッチング抵抗の値より小さいものとする。

第１の発明の直流結合レーザー駆動回路において、プルアップ抵抗と並列に、抵抗素子と容量素子の直列回路を接続した構成である。第２の直流結合レーザー駆動回路において、プルダウン抵抗と並列に、抵抗素子と容量素子の直列回路を接続した構成である。第３の発明の直流結合レーザー駆動回路において、プルアップ抵抗と並列に、またはプルダウン抵抗と並列に、またはプルアップ抵抗およびプルダウン抵抗とそれぞれ並列に、抵抗素子と容量素子の直列回路を接続した構成である。

本発明の直流結合レーザー駆動回路では、直流結合に伴う差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮの動作電圧不整合に対して、プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗を介して差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮの電位をプルアップまたはプルダウンにより補正することができる。これにより、マッチング抵抗の値を大きくすることなくレーザー素子ＬＤでの電圧ドロップによる出力不整合を補償し、変調振幅を大きくするとともにレーザー電流のアイパタンを改善することができる。

本発明の実施例１の構成例を示す図である。 実施例１におけるレーザー電流のアイパタンのシミュレーション結果を示す図である。 実施例１における差動信号出力ＬＤＰ、ＬＤＮの電圧波形のシミュレーション結果を示す図である。 本発明の実施例２の構成例を示す図である。 実施例２におけるレーザー電流のアイパタンのシミュレーション結果を示す図である。 実施例２における差動信号出力ＬＤＰ、ＬＤＮの電圧波形のシミュレーション結果を示す図である。 本発明の実施例３の構成例を示す図である。 本発明の実施例４の構成例を示す図である。 従来の直流結合レーザー駆動回路の構成例を示す図である。 出力バッファ回路１４とレーザー素子ＬＤの直流結合を示す図である。

図１は、本発明の直流結合レーザー駆動回路の実施例１の構成例を示す。ここでは、変調回路１０の出力バッファ回路１４とレーザー素子ＬＤのＤＣ結合部分の構成を抽出して示す。

図において、出力バッファ回路１４の差動増幅トランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタと負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２との間から取り出される差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮは、マッチング抵抗ＲＭＰ，ＲＭＮを介してレーザー素子ＬＤのアノードおよびカソードに接続される。マッチング抵抗ＲＭＰ，ＲＭＮの抵抗値は、ＲＭＰ＝ＲＭＮまたはＲＭＰ＞ＲＭＮである。

なお、出力バッファ回路１４の構成は一例であり、図１のトランジスタ回路構成に限定されるものではない。また、ここでは簡単のために差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮとレーザー素子ＬＤがマッチング抵抗ＲＭＰ，ＲＭＮのみで結合されているが、実際には、ＩＣとパッケージ間のボンディングワイヤや、パッケージのピン、基板線路、ＴＯＳＡなど光モジュールを構成するピン、フレキシブルプリント基板、レーザー素子マウント基板の線路、レーザー素子のボンディングワイヤなど、付随する構成要素が挿入される。

本実施例の特徴は、変調回路１０の差動信号出力ＬＤＮをプルアップ抵抗ＲＰＵＮを介してレーザー素子ＬＤの電源電位ＶCCLDに接続し、レーザー素子ＬＤの電圧ドロップＶf の影響で低下したＬＤＮ電位を強制的に引き上げるところにある。なお、プルアップ電源電位は、必ずしもレーザー素子ＬＤの電源電位ＶCCLDである必要はなく、変調回路１０の差動信号出力ＬＤＮの平均電位より高ければよい。ただし、プルアップ電源電位をレーザー素子ＬＤの電源電位ＶCCLDよりも低く設定することはできない。その理由は、バースト送信において、送信禁止時間帯にレーザー素子ＬＤの発光は許されず、消光している必要があるためである。すなわち、プルアップ電源電位をＶCCLDよりも低く設定すると、プルアップ抵抗ＲＰＵＮを介して電流パスが形成され、消光時においてもレーザー素子ＬＤに電流が流れて完全に消光できない恐れがある。したがって、プルアップ電源電位は、レーザー素子ＬＤの電源電位ＶCCLD以上かつ差動信号出力ＬＤＮの平均電位より高い電位とする必要がある。

プルアップ抵抗ＲＰＵＮの値は、変調回路の駆動力や接続されるレーザー素子ＬＤの特性に合せて最適化される。抵抗値が大きすぎるとプルアップの効果が小さく、抵抗値が小さすぎると出力パワーがプルアップ抵抗ＲＰＵＮを介して流出してしまい、変調振幅が小さくなる恐れがある。通常、10Ω〜 200Ω程度が有効である。

変調回路１０の電源電位ＶCCDRV は、レーザー素子ＬＤの電源電位ＶCCLDと同じ電圧レベルでもよいが、差動信号出力ＬＤＮの電位が高くなるとＬＤＮからカソードへ向けて変調電流が多く流れてしまい、バイアス回路２０がより多くの電流を流す必要が生じるため、ＤＣ結合ではＶCCDRV ＜ＶCCLDとすることが有効である。もちろん、この場合は出力バッファ回路１４の負荷抵抗を介してレーザー素子ＬＤ側からＶCCDRV へ電流が流れるため、このままでは消光できない。したがって、負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２を数ｋΩ以上の大きな値にしたり、ダイオードを挿入してＶCCDRV への電流流出を抑制する必要がある。また、変調回路１０の出力インピーダンスは、帰還構造を用いて適切に合成したり、出力送端に終端回路を付加するなどして調整してもよい。

本実施例では、ＶCCDRV ＝ＶCCLDとしている。図２は、実施例１におけるレーザー電流のアイパタンを示す。図３は、実施例１における差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮの電圧波形を示す。図２(a) および図３(a) は従来構成においてＲＭＰ＝ＲＭＮとした場合、図２(b) および図３(b) は従来構成においてＲＭＰ＞ＲＭＮとした場合、図２(c) および図３(c) はＲＭＰ＞ＲＭＮかつプルアップ抵抗ＲＰＵＮを接続した実施例１の場合を示す。

従来構成においても、ＲＭＰ＞ＲＭＮとすることにより、図３(b) に示すように差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮの動作レベルを接近させることができ、図２(b) に示すようにレーザー電流のアイパタンもジッタや低周波成分（ Lowレベル、Highレベル）のワンダリングについて改善がなされる。また、ＲＭＰ＝ＲＭＮの場合に比べてトータルの直列挿入抵抗が減ったため、出力振幅も増大している。一方、図２(c) および図３(c) に示す実施例１の構成では、差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮの動作レベルがさらに接近し、振幅と出力レベルが低下したものの、波形はさらに改善され、特に Lowレベル、Highレベルに改善が顕著である。また、プルアップによる改善は、変調回路１０の出力電位を引き上げるため出力端子からＶEEまでの電圧が増加し、出力バッファ回路１４のヘッドルームが拡大する効果ももたらしており、波形改善に貢献している。

なお、プルアップ抵抗ＲＰＵＮは、マッチング抵抗ＲＭＮとレーザー素子ＬＤのカソードとの間に接続しても同様の効果がある。特に、ＲＭＰ＞ＲＭＮとした場合には、マッチング抵抗ＲＭＮの抵抗値が小さいことから、プルアップ抵抗ＲＰＵＮがマッチング抵抗ＲＭＮのどちら側に接続されていてもその効果の違いはほとんどない。

図４は、本発明の直流結合レーザー駆動回路の実施例２の構成例を示す。
本実施例の特徴は、実施例１の構成におけるプルアップ接続構成に代えて、変調回路１０の差動信号出力ＬＤＰをプルダウン抵抗ＲＰＤＰを介して接地（ＶEE）に接続したところにある。なお、プルダウン抵抗ＲＰＤＰを接地するのではなく、変調回路１０の差動信号出力ＬＤＰの平均電位より低い電位に接続してもよいが、電源種を増やすことになって経済的でない。プルダウン抵抗ＲＰＤＰの効果の強さは、プルダウン抵抗ＲＰＤＰの抵抗値で調整するのが望ましい。また、プルダウン抵抗ＲＰＤＰは、マッチング抵抗ＲＭＰとレーザー素子ＬＤのアノードとの間に接続しても同様の効果がある。

本実施例においてもＲＭＰ＝ＲＭＮまたはＲＭＰ＞ＲＭＮとする。実施例１では、カソード側の電位を引き上げる原理を用いて差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮの動作レベルを接近させた。この手法の欠点は、カソード側の出力レベルが上昇すると、差動信号出力ＬＤＮからカソードを介してバイアス回路２０に電流が流れ込み、レーザー素子ＬＤに流れるべき正味のバイアス電流が減ってしまうことである。バイアス回路２０が制御する電流Ｉbiasは、レーザー電流Ｉldと変調電流Ｉmod の合計であるから、
Ｉbias＝Ｉld＋Ｉmod …(3)
の関係があり、変調電流Ｉmod が増加すると、レーザー電流Ｉldを確保するために、バイアス回路２０はより多くの電流Ｉbiasを流さなければならなくなる。

本実施例では、差動信号出力ＬＤＰの電位を引き下げるので、差動信号出力ＬＤＮの電位には影響を与えずに差動信号出力レベルを整合させることができる。従来技術で同様の効果をもたらすには、前述の通りマッチング抵抗ＲＭＰを増やさなければならず、パワーロスをもたらしてしまう。

図５は、実施例２におけるレーザー電流のアイパタンを示す。図６は、実施例２における差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮの電圧波形を示す。図５(a) および図６(a) は従来構成においてＲＭＰ＝ＲＭＮとした場合、図５(b) および図６(b) は従来構成においてＲＭＰ＞ＲＭＮとした場合、図５(c) および図６(c) はＲＭＰ＞ＲＭＮかつプルダウン抵抗ＲＰＤＰを接続した実施例２の場合を示す。図５(c) および図６(c) に示す実施例２の構成では、出力レベルの不整合が改善され、レーザー電流のアイパタンが改善していることがわかる。ただし、実施例１よりもアイパタンの改善が小さいのは、実施例１における差動信号出力ＬＤＮの電位上昇による出力バッファ回路１４のヘッドルーム拡大の効果が実施例２では得られないことに因る。

図７は、本発明の直流結合レーザー駆動回路の実施例３の構成例を示す。
本実施例の特徴は、実施例１の構成におけるプルアップ抵抗ＲＰＵＮと、実施例２の構成におけるプルダウン抵抗ＲＰＤＰを併用したところにある。ＲＰＵＮとＲＰＤＰの抵抗チャネルはそれぞれ個別に最適化することができる。また、プルアップ抵抗ＲＰＵＮはマッチング抵抗ＲＭＮとレーザー素子ＬＤのカソードとの間に接続してもよいし、プルダウン抵抗ＲＰＤＰはマッチング抵抗ＲＭＰとレーザー素子ＬＤのアノードとの間に接続してもよい。

本実施例においてもＲＭＰ＝ＲＭＮまたはＲＭＰ＞ＲＭＮとする。本実施例の構成では、差動信号出力ＬＤＮ側のヘッドルームを拡大しつつ、差動信号出力ＬＤＰ，ＬＤＮの不整合を解消でき、かつバイアス電流のロスを最小限に抑制できるため、低消費電力化と出力波形改善を両立させることができる。

図８は、本発明の直流結合レーザー駆動回路の実施例４の構成例を示す。
本実施例の特徴は、実施例１の構成におけるプルアップ抵抗ＲＰＵＮに並列に、抵抗素子ＲＰＵＮ２と容量素子ＣＰＵＮの直列回路を接続したところにある。この並列接続の回路をプルアップ回路４０という。

実施例１の構成は、実施例２で説明したとおり、差動信号出力ＬＤＮの電圧レベルが上昇する副作用として、バイアス電流の効率が低下することがあった。本実施例では、高周波におけるプルアップ効果を維持しつつも、ＤＣレベルではＬＤＮの上昇を抑制するために、差動信号出力ＬＤＮにプルアップ回路４０を接続している。このプルアップ回路４０は、低周波では、そのインピーダンスがほぼプルアップ抵抗ＲＰＵＮに等しくなり、高周波ではプルアップ抵抗ＲＰＵＮ，ＲＰＵＮ２の並列抵抗値に近づく。このように周波数特性を付与することで、差動信号出力ＬＤＮの不要な上昇を抑制しつつ、差動信号出力ＬＤＮ，ＬＤＰのレベルを整合させ、ヘッドルームの確保も期待できる。

同様に、実施例２の構成におけるプルダウン抵抗ＲＰＤＰに並列に、プルダウン抵抗と容量の直列回路を接続してもよい。この並列接続の回路をプルダウン回路という。

また、実施例３の構成において、プルアップ抵抗ＲＰＵＮに代えて、またはプルダウン抵抗ＲＰＤＰに代えて、またはプルアップ抵抗ＲＰＵＮおよびプルダウン抵抗ＲＰＤＰにそれぞれ代えて、プルアップ回路４０およびプルダウン回路を接続してもよい。また、プルアップ回路４０はマッチング抵抗ＲＭＮとレーザー素子ＬＤのカソードとの間に接続してもよいし、プルダウン回路はマッチング抵抗ＲＭＰとレーザー素子ＬＤのアノードとの間に接続してもよい。

本発明の直流結合レーザー駆動回路では、プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の抵抗値の選択により出力不整合の補償効果を調整できるので、シミュレーションまたは実測によるレーザー素子ＬＤと直流結合レーザー駆動回路の最適化調整を容易かつ迅速に行うことができる。

１０ 変調回路
１１ ゲート回路
１２ プリバッファ回路
１３ エミッタフォロワ（レベル変換）回路
１４ 出力バッファ回路
２０ バイアス回路
３０ 自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）
４０ プルアップ回路
ＬＤ レーザー素子
ＲＭＰ，ＲＭＮ マッチング抵抗
ＲＰＵＮ プルアップ抵抗
ＲＰＤＰ プルダウン抵抗

Claims (7)

1. データに応じた差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを生成し、該差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを第１のマッチング抵抗および第２のマッチング抵抗を介してレーザー素子のアノードおよびカソードに直流結合し、レーザー素子の発光強度を変調する直流結合レーザー駆動回路において、
   前記第２のマッチング抵抗の一端をプルアップ抵抗を介して、前記レーザー素子の電源電位以上かつ前記差動信号ＬＤＮの平均電位より高いプルアップ電源電位に接続し、前記差動信号ＬＤＮの電位を前記差動信号ＬＤＰの電位またはその近傍に引き上げる構成である
   ことを特徴とする直流結合レーザー駆動回路。
2. データに応じた差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを生成し、該差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを第１のマッチング抵抗および第２のマッチング抵抗を介してレーザー素子のアノードおよびカソードに直流結合し、レーザー素子の発光強度を変調する直流結合レーザー駆動回路において、
   前記第１のマッチング抵抗の一端をプルダウン抵抗を介して、前記差動信号ＬＤＮの平均電位より低いプルダウン電源電位に接続し、前記差動信号ＬＤＰの電位を前記差動信号ＬＤＮの電位またはその近傍に引き下げる構成である
   ことを特徴とする直流結合レーザー駆動回路。
3. データに応じた差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを生成し、該差動信号ＬＤＰ，ＬＤＮを第１のマッチング抵抗および第２のマッチング抵抗を介してレーザー素子のアノードおよびカソードに直流結合し、レーザー素子の発光強度を変調する直流結合レーザー駆動回路において、
   前記第２のマッチング抵抗の一端をプルアップ抵抗を介して、前記レーザー素子の電源電位以上かつ前記差動信号ＬＤＮの平均電位より高いプルアップ電源電位に接続し、
   前記第１のマッチング抵抗の一端をプルダウン抵抗を介して、前記差動信号ＬＤＮの平均電位より低いプルダウン電源電位に接続し、
   前記差動信号ＬＤＮの電位を引き上げ、前記差動信号ＬＤＰの電位を引き下げ、両者を近接させる構成である
   ことを特徴とする直流結合レーザー駆動回路。
4. 請求項１〜請求項３のいずれかに記載の直流結合レーザー駆動回路において、
   前記第２のマッチング抵抗の値が前記第１のマッチング抵抗の値より小さいことを特徴とする直流結合レーザー駆動回路。
5. 請求項１に記載の直流結合レーザー駆動回路において、
   前記プルアップ抵抗と並列に、抵抗素子と容量素子の直列回路を接続した構成であることを特徴とする直流結合レーザー駆動回路。
6. 請求項２に記載の直流結合レーザー駆動回路において、
   前記プルダウン抵抗と並列に、抵抗素子と容量素子の直列回路を接続した構成であることを特徴とする直流結合レーザー駆動回路。
7. 請求項３に記載の直流結合レーザー駆動回路において、
   前記プルアップ抵抗と並列に、または前記プルダウン抵抗と並列に、または前記プルアップ抵抗および前記プルダウン抵抗とそれぞれ並列に、抵抗素子と容量素子の直列回路を接続した構成であることを特徴とする直流結合レーザー駆動回路。

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