[go: up one dir, main page]

JP2010199547A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010199547A
JP2010199547A JP2009268587A JP2009268587A JP2010199547A JP 2010199547 A JP2010199547 A JP 2010199547A JP 2009268587 A JP2009268587 A JP 2009268587A JP 2009268587 A JP2009268587 A JP 2009268587A JP 2010199547 A JP2010199547 A JP 2010199547A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting device
emitting element
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009268587A
Other languages
English (en)
Inventor
Mototaka Ikenobe
元孝 伊延
Motokazu Yamada
元量 山田
Kazuhiro Kamata
和宏 鎌田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2009268587A priority Critical patent/JP2010199547A/ja
Priority to US12/695,163 priority patent/US8415693B2/en
Priority to CN201310061757.7A priority patent/CN103199178B/zh
Priority to CN2010101069415A priority patent/CN101794855B/zh
Priority to TW099102651A priority patent/TWI481077B/zh
Publication of JP2010199547A publication Critical patent/JP2010199547A/ja
Priority to US13/789,677 priority patent/US8889459B2/en
Priority to US14/517,965 priority patent/US9525115B2/en
Priority to US15/350,330 priority patent/US10319888B2/en
Priority to US16/395,321 priority patent/US10505089B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856Reflecting means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/819Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/822Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/853Encapsulations characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364Manufacture or treatment of packages of interconnections

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】発光素子からの光を支持体や他の部材によって吸収されるのを抑制し、光の取り出し効率の優れた発光装置等を提供する。
【解決手段】支持体と、支持体の表面に設けられた、銀含有金属を有する金属部材と、支持体上に載置された発光素子と、金属部材と発光素子とを導通させる導電性ワイヤと、支持体上に設けられ、発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、金属部材の表面の少なくとも一部を被覆する絶縁部材と、を有し、絶縁部材を、発光素子の側面と接するように設けている。これにより、発光素子からの光が支持体から漏れるのを抑制し、光取り出し効率の高い発光装置が得られる。
【選択図】図2C

Description

本発明は、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源等に利用可能な発光装置及びその製造方法に関し、特に、光の取り出し効率に優れるとともに、信頼性の高い発光装置及びその製造方法に関する。
近年、高出力の半導体発光素子(以下、単に発光素子とも言う)を用いた発光ダイオード(LED)やレーザダイオード(LD)等の発光装置が種々開発されている。
近年、様々な電子部品が提案・実用化されており、これらに求められる性能も高くなっている。特に厳しい使用環境下でも安定した性能を長時間発現することが求められている。発光ダイオードをはじめとする発光装置も同様で、一般照明分野、車載照明分野等で求められる性能は日増しに高まっており、特に、高出力化、高信頼性が要求されている。さらに、これらの特性を満たしつつ低価格で供給することが要求されている。
一般に発光装置は、半導体発光素子(以下、発光素子ともいう)や保護素子等の電子部品が搭載される基体と、それら電子部品に電力を供給するための導電部材とを有している。さらに、外部環境から電子部品を保護するための透光性の封止部材を有している。
高出力化のためには、用いる発光素子自体の出力を向上させることの他に、基体や導電部材、封止部材等の材料や形状等によって、光の取り出し効率を向上させることが有効である。
例えば、導電部材としては、導電性のよい金属部材が用いられており、この表面に銀を鍍金することで発光素子からの光を効率よく反射させることができる。また、封止部材としては、発光素子からの光を透過しやすい樹脂が適しており、中でも耐候性、耐熱性に優れたシリコーン樹脂を用いることで、長寿命化を図ることができる。
しかしながら、銀は大気中の硫黄成分等によって劣化し易いという傾向がある。そのため、例えば特許文献1には、有機系の銀変色防止剤を用いることが開示されている。他にも、銀の上に貴金属鍍金を施すこと(特許文献2)や、ゾルゲルガラスで被覆すること(特許文献3)等が開示されている。
また、発光素子だけでなく、ツェナーダイオードやサブマウント等の電子部品を搭載した発光装置も開発されており、これにより信頼性が高く長寿命な発光装置とすることができる。これら電子部品は発光素子からの光を吸収し易いため、それらを被覆するような反射層を設けることで、光の損失を少なくしている(例えば特許文献4)。
特開2004−207258号公報 特開2006―303069号公報 特開2007−324256号公報 特開2005−26401号公報
しかしながら、有機物で銀を被覆した場合、耐候性に問題があるため経時変化しやすい。また、貴金属の鍍金では、耐候性は問題ないものの反射率の低下は避けられないため、初期の段階で銀に比べると出力の低下は避けられない。また、ゾルゲルガラスでは膜厚を制御しにくいという問題があり、量産性に問題がある上に、コスト的にも問題があった。
本発明は、従来のこのような問題に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、電極としての金属部材等に用いられる銀の劣化を抑制し、高出力で信頼性の高い発光装置及びその製造方法を提供することにある。
課題を解決するための手段及び発明の効果
以上の目的を達成するため、本発明の第1の発光装置によれば、支持体と、前記支持体の表面に設けられた、銀含有金属を有する金属部材と、前記支持体上に載置された発光素子と、前記金属部材と前記発光素子とを導通させる導電性ワイヤと、前記支持体上に設けられ、前記発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、前記金属部材の表面の少なくとも一部を被覆する絶縁部材と、を有し、前記絶縁部材を、前記発光素子の側面と接するように設けることができる。これにより、発光素子からの光が支持体から漏れるのを抑制し、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。特に、発光素子からの光が支持体から漏れ出すのを防ぎ、かつ、効率よく光を反射する光反射樹脂を発光素子の近傍に設け、また、銀の劣化を効率よく抑制することができるため、光の取り出し効率が向上された発光装置が得られる。また、導電性ワイヤや保護素子等と用いる場合、それらによる光の吸収を抑制することができ、光の損失が少ない発光装置を容易に得ることができる。
また第2の発光装置によれば、前記支持体は、底面と側面とを有する凹部を有し、該凹部は、前記発光素子が載置される第1の凹部と、該第1の凹部内であって、前記第1の凹部よりも低い位置に底面を有する第2の凹部とを有し、前記光反射樹脂を、前記第2の凹部内の金属部材上に設けることができる。
さらに第3の発光装置によれば、前記第2の凹部の、前記第1の凹部と連なる側面を、前記絶縁性部材で被覆することができる。
さらにまた第4の発光装置によれば、前記光反射樹脂を、前記第2の凹部から上方に延び、前記第1の凹部よりも高い位置まで延長させることができる。
さらにまた第5の発光装置によれば、支持体と、前記支持体の表面に設けられた、銀含有金属を有する金属部材と、前記支持体上に載置された発光素子と、前記金属部材と前記発光素子とを導通させる導電性ワイヤと、前記支持体上に設けられ、前記発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、前記金属部材の表面の少なくとも一部を被覆する絶縁部材と、を有し、前記絶縁部材を、前記金属部材の表面と前記発光素子の上面とが連続するように設けることができる。これにより、発光素子からの光が支持体から漏れるのを抑制し、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。特に、発光素子からの光が支持体から漏れ出すのを防ぎ、かつ、効率よく光を反射する光反射樹脂を発光素子の近傍に設け、また、銀の劣化を効率よく抑制することができるため、光の取り出し効率が向上された発光装置が得られる。また、導電性ワイヤや保護素子等と用いる場合、それらによる光の吸収を抑制することができ、光の損失が少ない発光装置を容易に得ることができる。
さらにまた第6の発光装置によれば、前記絶縁部材が、前記金属部材と前記光反射樹脂との間に介在するよう設けられており、該絶縁部材を前記発光素子の上面と連続させることができる。
さらにまた第7の発光装置によれば、前記絶縁部材が、前記光反射樹脂の表面に設けられており、該絶縁部材を前記発光素子の上面と連続させることができる。
さらにまた第8の発光装置によれば、前記絶縁性部材を、前記発光素子の上面から連なって、前記導電性ワイヤの表面を被覆するよう設けることができる。
さらにまた第9の発光装置によれば、前記絶縁性部材で、前記支持体の上面の略全体を被覆することができる。
さらにまた第10の発光装置によれば、さらに前記支持体の上面で、前記発光素子、導電性ワイヤのほぼ全面、及び絶縁性部材の少なくとも一部を封止する封止部材を備えることができる。
さらにまた第11の発光装置によれば、前記絶縁性部材が透光性を有することができる。
さらにまた第12の発光装置によれば、前記絶縁性部材を無機化合物とすることができる。
さらにまた第13の発光装置によれば、前記絶縁性部材をSiO2とすることができる。
さらにまた第14の発光装置によれば、前記発光素子が、前記金属部材上に載置されており、前記金属部材は電極として機能することができる。
さらにまた第15の発光装置の製造方法によれば、第1の凹部と、該第1の凹部内であって、前記第1の凹部よりも低い位置に底面を有する第2の凹部とを有する支持体を設ける工程と、前記支持体の上面に金属部材を設ける工程と、前記金属部材の上面に発光素子を設け、前記金属部材と前記発光素子とを導電性ワイヤで接続する工程と、前記第2の凹部内の底面を被覆する前記金属部材の表面から、前記第1の凹部と連なる側面、前記第1の凹部における前記金属部材の表面、前記発光素子の表面、前記導電性ワイヤと連なるように、絶縁性部材で被覆する工程と、前記第2の凹部に前記発光素子からの光を反射させる光反射樹脂を設ける工程と、を含むことができる。これにより、発光素子からの光が支持体から漏れるのを抑制し、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。特に、発光素子からの光が支持体から漏れ出すのを防ぎ、かつ、効率よく光を反射する光反射樹脂を発光素子の近傍に設け、また、銀の劣化を効率よく抑制することができるため、光の取り出し効率が向上された発光装置が得られる。また、導電性ワイヤや保護素子等と用いる場合、それらによる光の吸収を抑制することができ、光の損失が少ない発光装置を容易に得ることができる。
実施の形態1に係る発光装置を示す斜視図である。 図1Aに係る発光装置のIB−IB’断面における断面図である。 実施の形態2に係る発光装置を示す斜視図である。 図2Aに係る発光装置の内部を示す上面図である。 図2Aに係る発光装置のIIC−IIC’断面における断面図である。 実施の形態3に係る発光装置の断面図である。 実施の形態4に係る発光装置の断面図である。 実施の形態5に係る発光装置の断面図である。 実施の形態6に係る発光装置の断面図である。
以下、本発明の実施の形態及び実施例を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態等は、本発明の技術思想を具体化するための、発光装置及びその製造方法を例示するものであって、本発明は、発光装置及びその製造方法を以下のものに特定しない。特に特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態等の部材に特定するものでは決してない。また実施の形態等に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。また、一部の実施の形態等において説明された内容は、他の実施の形態や実施例に利用可能なものもある。さらに、本明細書において、層上等でいう「上」とは、必ずしも上面に接触して形成される場合に限られず、離間して上方に形成される場合も含んでおり、層と層の間に介在層が存在する場合も包含する意味で使用する。
<実施の形態1>
本実施の形態の発光装置100を、図1A、図1Bに示す。図1Aは発光装置100の斜視図、図1Bは図1Aに示す発光装置100のIB−IB’断面における断面図を示す。本実施の形態において、発光装置100は、上面に金属部材103A、103B、103Cが配された略矩形の支持体101と、支持体101上に設けられる金属部材103A上に載置された複数の発光素子104とを有している。電極として用いる金属部材103A、103Bは、発光素子104と導電性ワイヤ105を介して直接或いは間接的に導通(電気的に接続)されている。金属部材103Cは、電極として機能する金属部材103A、103Bと同一材料からなるが、電気的に接続させるものではなく、発光装置の極性を示す目印(カソードマーク/アノードマーク)として設けられている。
そして、本実施の形態においては、発光素子104の周囲には、発光素子からの光を反射させる光反射樹脂102が設けられ、金属部材103A、103Bと光反射樹脂102との間に絶縁部材107を有し、この絶縁部材107が発光素子104の上まで連続するように設けられている。さらに、光反射樹脂102を側壁として形成される凹部内に透光性の封止部材106が充填され発光素子104等を外部から保護している。このような構成とすることで、金属部材の銀めっきが劣化するのを絶縁部材で抑制すると共に、構造的に銀を設けることのできない正負電極間で露出する支持体からの光の漏れを光反射樹脂で効率よく反射させることができる。
(光反射樹脂)
光反射樹脂は、発光素子からの光を効率よく反射可能な部材であり、本実施の形態においては、図1A及び図1Bに示すように発光素子104の周囲を取り囲むように設けられる。これらの光反射樹脂は、金属部材103A、103Bの一部を被覆するように設けられており、光反射樹脂と金属部材との間に設けられる絶縁部材107が、発光素子104の上まで連続するように設けられている。このような構成は、発光素子を金属部材上に載置後に、絶縁部材107を支持体101上の全面に設け、その後に光反射樹脂102を形成することで容易に設けることができる。このようにすることで、光反射樹脂内に埋もれている金属部材上にも絶縁部材を設けることができるため、銀の変色をより効果的に抑制できる。また、絶縁部材107がパッシベーション膜として機能し、Agのマイグレーションを抑制できる。また、構成部材によっては光反射樹脂102等の樹脂部との密着力を上げることができる。
光反射樹脂を構成する具体的な材料としては絶縁性部材が好ましく、また、発光素子からの光や、外光等が透過や吸収しにくい部材が好ましい。また、ある程度の強度を有するもので、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができ、より具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジンや、PPAやシリコーン樹脂等が挙げられる。これら母体となる樹脂に、発光素子からの光を吸収し難く、かつ母体となる樹脂に対して屈折率差の大きい反射部材(例えばTiO2、Al23、ZrO2、MgO)等の粉末を分散することで、効率よく光を反射させることができる。
このような光反射樹脂は、ポッティング法、印刷法、描画法等を用いて形成することができる。例えば、図1Aに示すように、ほぼ平らな支持体上に発光素子を取り囲むよう枠状に設ける場合は、硬化後に発光素子よりも水平面高さが高い光反射樹脂となるよう、ある程度粘度の高い樹脂を用い、それをノズル先端から噴出させながら直線状に光反射樹脂を形成し、その後、その直線と交差する方向の光反射樹脂を噴出するように描画することで、複数個の発光装置を形成することができる。
(絶縁部材)
絶縁部材は、光反射樹脂と金属部材との間に設けられるとともに、発光素子の上まで連続するよう設けられるものである。尚、ここで「連続するよう設ける」とは、図1B等に示すように、粉末状、或いは針状の絶縁部材が、部分的に空隙を有しつつも略全体に設けられている状態を含み、例えばスパッタや蒸着等によって形成される、無機粉体からなる膜(層)を含む。そして、これら絶縁部材によって金属部材表面に設けられる、銀に対して変質作用を有するガスや水分等が遮断することができる。そのため、光反射樹脂によって出力効率を高めた発光装置において、その優れた効果を下げかねない銀の劣化を効率よく抑制することができる。また、導電性ワイヤを金属部材に接続した後に絶縁部材を設けることで、図1Bに示すように導電性ワイヤ105上にも連続するような絶縁部材を形成することができる。これにより、導電性ワイヤと封止部材、光反射樹脂等との密着性を向上させることができる。
絶縁部材の材料としては、透光性のものが好ましく、また、主として無機化合物を用いるのが好ましい。具体的には、SiO2、Al23、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb25、MgO、SrO、In23、TaO2、HfO、SeO、Y23等の酸化物や、SiN、AlN、AlON等の窒化物、MgF2等のフッ化物があげられる。これらは、単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。或いは、積層させるようにしてもよい。
絶縁部材の膜厚については、封止部材、絶縁部材、金属部材等の各界面での多重反射で光の損失が起きないよう薄くするのが好ましい一方で、硫黄成分含有ガス等が通過しないような厚みも必要である。これは、用いる材料によって好ましい膜厚は多少変化するが、約1nm〜100nmが好ましい。多層とする場合は、層全体の膜厚がこの範囲内とするのが好ましい。また、硫黄等のガスが通過しにくいよう、緻密な膜として形成するのが好ましい。
(支持体)
支持体は、上面に凹部の開口部を有するものであり、導体配線としての金属部材を配するとともに、発光素子や保護素子等が載置可能な絶縁性の略板状部材である。具体的な材料としては、セラミックス、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等をあげることができる。特に、セラミックスを主な材料として用いることで、耐候性、耐熱性に優れた支持体とすることができる。
セラミックスは、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、炭化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。これらを主成分として製造する場合、例えば、アルミナの場合は、原料粉末としてアルミナを90〜96重量%程度用い、これに焼結助剤として粘土、タルク、マグネシア、カルシア、シリカ等を4〜10%程度添加したものを1500℃〜1700℃程度の温度範囲で焼結させたセラミックスを用いることができる。或いは、原料粉末として40〜60重量%程度のアルミナと、焼結助剤として60〜40重量%程度の硼珪酸ガラス、コージュライト、フォルステライト、ムライト等を添加したものを800℃〜1200℃程度の温度範囲で焼結させたセラミックス等を用いることができる。
また、セラミックスの粉体と、バインダー樹脂を混合して得られる材料をシート状に成型して得られるセラミックスグリーンシートを積層させて焼成することにより、所望の形状の支持体とすることもできる。或いは、セラミックスグリーンシートに種々の大きさのスルーホールを形成して積層させることにより、凹部を有する支持体とすることができる。このような支持体に配される金属部材は、未焼成のセラミックスグリーンシートの段階で、タングステン、モリブデンのような高融点金属の微粒子を含む導体ペーストを所定のパターンに塗布したものを焼成することにより得ることができる。更に、セラミックスグリーンシートを焼成した後、あらかじめ形成させておいた金属部材にニッケル、金、銀等をメッキすることもできる。
尚、セラミックスを材料とする支持体は、上述のように金属部材(導体配線)と絶縁部材(セラミックス)とを一体的に形成する他、あらかじめ焼成されたセラミックスの板材に、金属部材を形成することもできる。
支持体として、ガラスエポキシ樹脂を用いる場合は、硝子クロス入りエポキシ樹脂やエポキシ樹脂を半硬化させたプリプレグに銅板を張り付けて熱硬化させる。その後フォトリソグラフィー法を用いて銅を所望の形状にパターニングする事により形成することができる。
(金属部材)
本実施の形態において、金属部材は、銀含有金属を有するものであり、支持体の上面に形成され、支持体の内部や表面等を介して裏面にまで連続するよう設けられ、外部と電気的な接続が取れるような機能を有するものである。金属部材の大きさや形状は、種々選択することができ、光反射樹脂102に端部が埋設されるように大きく形成することもできる。好ましくは、光反射樹脂で囲まれた領域では、支持体が露出しないよう、すなわち、金属部材が光反射樹脂内側において全面に形成されるように設けるのが好ましい。これにより、セラミック等の支持体から裏面側に光が漏れ出すことを抑制することができる。また、外部とは電気的な接続が無く、光反射材として機能する物も含む。具体的には、銀含有金属に加え、銅、アルミニウム、金、白銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅等が挙げられ、これらを単一で、又は複数の層状に形成させることができる。特に、銀含有金属を表面に形成するのが好ましく、更に銀を表面に鍍金したものが好ましい。
(封止部材)
封止部材は、凹部(光反射樹脂で囲まれた領域)内に充填されるものであり、発光素子や保護素子、導電性ワイヤ等の電子部品を、塵芥、水分や外力等から保護する部材である。また、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化のしにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。更に、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも1種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。さらにまた、これらの有機物に限られず、ガラス、シリカゲル等の無機物も用いることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー、波長変換部材(蛍光部材)等を含有させることもできる。封止部材の充填量は、上記電子部品が被覆される量であればよい。
また、封止樹脂の表面の形状については配光特性等に応じて種々選択することができる。例えば、凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状等とすることで、指向特性を調整することができる。また、封止部材とは別に、レンズ部材を設けてもよい。
(ダイボンド部材)
ダイボンド部材は、支持体や金属部材上に発光素子や保護素子等を載置させるための接合部材であり、載置する素子の基板によって導電性ダイボンド部材又は絶縁性ダイボンド部材のいずれかを選択することができる。例えば、絶縁性基板であるサファイア上に窒化物半導体層を積層させた半導体発光素子の場合、ダイボンド部材は絶縁性でも導電性でも用いることができ、SiC基板等の導電性基板を用いる場合は、導電性ダイボンド部材を用いることで導通を図ることができる。絶縁性ダイボンド部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、半導体発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、半導体発光素子裏面にAl膜等の反射率の高い金属層を設けることができる。この場合、蒸着やスパッタあるいは薄膜を接合させる等の方法を用いることができる。また、導電性ダイボンド部材としては、銀、金、パラジウム等の導電性ペーストや、Au−Sn共晶等の半田、低融点金属等のろう材を用いることができる。さらに、これらダイボンド部材のうち、特に透光性のダイボンド部材を用いる場合は、その中に半導体発光素子からの光を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光部材を含有させることもできる。
(導電性ワイヤ)
発光素子の電極と、支持体に設けられる金属部材(導電部材)とを接続する導電性ワイヤは、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。特に、熱抵抗等に優れた金を用いるのが好ましい。尚、図1B等に示すように、導電性ワイヤ105を、発光素子104間において連続するように設けることもできるし、各発光素子ごとに支持体の導電部材と接続するように設けることもできる。
(波長変換部材)
上記封止部材/レンズ部材中に、波長変換部材として半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。
蛍光部材としては、半導体発光素子からの光を、より長波長に変換させるものの方が効率がよい。蛍光部材は、1種の蛍光物質等を単層で形成してもよいし、2種以上の蛍光物質等が混合された単層を形成してもよいし、1種の蛍光物質等を含有する単層を2層以上積層させてもよいし、2種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層を2層以上積層させてもよい。
蛍光部材としては、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光素子からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、または、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩またはEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。好ましくは、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体である、Y3Al512:Ce、(Y0.8Gd0.23Al512:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2512:Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)512の組成式で表されるYAG系蛍光体である。また、Yの一部もしくは全部をTb、Lu等で置換したTb3Al512:Ce、Lu3Al512:Ce等もある。さらに、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。
(半導体発光素子)
本発明においては、半導体発光素子として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
半導体発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaPを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaP等を用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数等は目的に応じて適宜選択することができる。
蛍光物質を有する発光装置とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、半導体発光素子とともに、受光素子等を搭載することができる。
<実施の形態2>
実施の形態2の発光装置200を、図2A、図2B、図2Cに示す。これらの図において図2Aは発光装置200の斜視図、図2Bは図2Aに示す発光装置200の封止部材206が透けた状態を示す平面図、図2Cは図2Aに示す発光装置200のIIC−IIC’断面における断面図を、それぞれ示す。実施の形態2において、発光装置200は、底面と側面とを有する凹部が設けられた支持体201と、凹部底面に設けられた金属部材203Aの上に載置される複数の発光素子204と、金属部材203Bと発光素子204とを電気的に接続させるための導電性ワイヤ205と、発光素子104及び導電性ワイヤ等を被覆する封止部材106とを有する。凹部は、発光素子204が載置される第1の凹部208と、この第1の凹部208内であって第1の凹部の底面よりも低い位置に底面を有する第2の凹部209と、を有している。そして、第2の凹部209の底面に設けられる金属部材203Bを覆うように光反射樹脂202が設けられており、この金属部材203Bと光反射樹脂202との間に設けられる絶縁部材207が、発光素子204の上にまで連続するよう設けられている。これにより絶縁部材207がパッシベーション膜として機能し、Agのマイグレーションを抑制できる。また、構成部材によっては光反射樹脂202等の樹脂部との密着力を上げることができる。
実施の形態2においては、支持体に凹部が形成されている点が実施の形態1と異なっており、用いる部材等については実施の形態1と同様のものを用いることができる。以下、実施の形態1と異なる点について詳説する。
(凹部)
実施の形態2発光装置200において、凹部は、発光素子が載置される第1の凹部208と、この第1の凹部内であって第1の凹部の底面よりも低い位置に底面を有する第2の凹部209を有している。以下、それぞれの凹部について詳説する。
(第1の凹部)
第1の凹部は、底面に金属部材が設けられており、この上に発光素子が載置される。そして、第1の凹部の底面より低い位置に底面を有する第2の凹部を有している。言い換えれば、本形態の凹部は、2段階の凹部が形成されていることになり、開口径の大きい第1の凹部の中に、それよりも開口径の小さい第2の凹部が形成された形状を有している。
第1の凹部の底面は、第2の凹部以外の領域に発光素子を載置させるのに必要な面積を確保できる広さを有していればよく、かつ、発光素子が第2の凹部と重ならないよう(第2の凹部の開口部を塞がないよう)、発光素子の底面積以上の面積を有するような連続する領域を有していればよい。例えば図2B等に示すように、発光装置200は、発光素子204を9個搭載しており、これらの発光素子204全てが載置可能なだけの面積を有する底面としている。このように複数個の発光素子を載置する場合は、連続する金属部材上に全ての発光素子を載置させるのが好ましい。また、サブマウント等別部材上に発光素子を載置させる場合は、そのサブマウントが載置可能な面積を有するような領域を有していればよい。尚、第1の凹部は複数設けられてもよく、例えば、2つの第1の凹部にそれぞれ発光素子が載置されるとともに、それぞれ第2の凹部を有するようにしてもよい。
第1の凹部の底面に設けられる金属部材は、発光素子に給電させるためのリード電極として用いることができる。また、通電させずに、光の反射率を向上させたり、放熱性を向上させたりする機能を有する部材として用いてもよい。
特に、支持体としてセラミックスを用いる場合は、金属部材は、第1の凹部の底面の全面(第2の凹部を除く全面)に設けるのが好ましい。これにより、支持体が露出しないようにすることができ、光の漏れを低減させることができる。例えば、図2B等に示すように、金属部材203Aは、第1の凹部208の底面のほぼ全面に設けられている。そして、第2の凹部の底面の金属部材203Bに、導電性ワイヤ205が接続されており、ここでは、この金属部材203Bを電極(導電部材)として用いている。第1の凹部の底面に設けられる金属部材203Aは、通電には寄与しない部材であり、主として光を効率よく反射させる反射部材として用いている。
第1の凹部の底面の形状は、図2B等に示すような略四角形だけに限らず、円形、楕円形等、任意の形状とすることができ、同様に凹部の上部である開口部についても、任意の形状とすることができる。更に、ここでは第1の凹部の底面の形状と開口部の形状とは、相似形状としているが、必ずしもこれに限らず、例えば略四角形の底面として開口部の形状を略円形にする等、異なる形状とすることもできる。
第1の凹部の側面は、底面に対して垂直あるいは傾斜した面とすることができ、第2の凹部の側面の一部と連続するように設けることもできる。あるいは、図2Cに示すように第2の凹部が第1の凹部の側面に接する位置に設けてもよい。また、第1の凹部の側面は、また、段差を有していてもよい。さらに、第1の凹部208の側面にも、金属部材を設けることもできる。
(第2の凹部)
第2の凹部は、第1の凹部の中にさらに設けられる凹部であり、第1の凹部の底面よりも低い位置に底面を有している。そして、実施の形態2においては、第2の凹部の底面に金属部材が設けられているとともに、第2の凹部内に光反射樹脂が充填されている。そして、この金属部材と光反射樹脂との間に絶縁部材を有し、絶縁部材は発光素子の上まで連続するよう設けられている。
第2の凹部の底面に設けられる金属部材は、発光素子への給電のための電極として機能しているものであり、光反射樹脂で導電性ワイヤの一部と共に埋設されている。1つの第2の凹部内に、又は複数の第2の凹部内にそれぞれ、図2Bに示すような正負一対の電極として金属部材を設けてもよいし、正負いずれかの電極としての金属部材を設けてもよい。また、正負いずれかの電極として第2の凹部内に金属部材を設ける場合は、もう一方の電極としては、第1の凹部の底面に設けた金属部材か、或いは他の第2の凹部の底面に設けた金属部材とすることができる。或いは、発光素子からの導電性ワイヤを、一方は第1の凹部の底面に設けられた金属部材(正極)と、他方は第2の凹部内に設けられた金属部材(負極)とに接続させることで、導通を図るようにしてもよい。
第2の凹部は、第1の凹部の底面に、1つ又は2つ以上設けることができ、その開口部の大きさは、発光素子の載置を妨げないような大きさ(開口径)とする。設ける位置については、任意に選択することができ、例えば図2B等に示すように、略四角形の第1の凹部208の底面の2辺に略トラック形状(楕円形状)の開口部形状の第2の凹部209をそれぞれ1つ、計2つの第2の凹部209を設けることができる。ここでは、2つの第2の凹部は同じ大きさ及び形状とし、図2Bのように対称位置に設けているが、これに限らず、異なる開口部の面積、異なる大きさ等の第2の凹部としてもよい。また、いずれの第2の凹部209においても、同じように金属部材203Bが設けられているが、これら全てを導通のために使用しなくてもよい。
また、図2Bに示すようの第2の凹部209内に保護素子210を載置する場合は、保護素子210の底面積よりも広い底面積の第2の凹部及び金属部材とする必要があり、導電性ワイヤ205を接合させる場合等は、ワイヤーボンダ装置が凹部内に浸入可能な開口部の広さとする必要がある。
(金属部材)
実施の形態2において、金属部材は第1の凹部の底面及び第2の凹部の底面に設けられる。特に、第1の凹部の底面のほぼ全面に設けるのが好ましく、これによって光が支持体に入射するのを防ぎ光の損失を低減させることができる。この場合、第2の凹部の底面の金属部材を一対の電極として用いることで、第1の凹部の底面に設けられる金属部材を電極として機能させる必要はなく、単なる高反射率部材として、或いは、高放熱部材として機能させる部材として用いることができる。このような広い面積で設けられる金属部材をガスが透過しにくい絶縁部材で覆うことで、劣化を抑制することができる。好ましい材料としては、実施の形態1と同様の材料をあげることができる。第1の凹部に設けられる金属部材203Aと、第2の底面に設けられる金属部材203Bとは、同じ材料を用いてもよく、或いは別の材料を用いるのが好ましい。発光素子からの光の多くが照射される位置、すなわち、第1の凹部に設けられる金属部材203Aは、表面が銀又は銀含有金属とするのが好ましく、特に銀が好ましい。
実施の形態2においては、光反射樹脂は、図2Cに示すように第2の凹部209の内部に充填される。ここでは、断面視において凹状の曲面を有するよう、第2の凹部209内に充填されるとともに、第1の凹部の側面上部、すなわち、支持体201の上面にまで達するように設けられており、これにより、支持体201から光が漏れるのを防止することができる。このような形状の光反射樹脂は、粘度が調整された液状の樹脂を所定の量滴下することで、支持体の側面を這い上がることによって形成されるものであり、比較的容易な方法で形成することができる。
光反射樹脂は、第2の凹部の底面だけでなく、側面のほぼ全面を覆うように設けるのが好ましく、更には第1の凹部の側面の大部分をも覆うように設けるのが好ましい。更に、複数の第2の凹部を有する場合、例えば、図2Bに示すように、互いに離間する第2の凹部を有する場合、それらに充填される光反射樹脂が、第1の凹部底面において連続するように形成するのが好ましい。更に、その連続して形成された光反射樹脂も、第1の凹部の底面から支持体の上面にまで達するように形成するのが好ましい。このとき、第2の凹部の側面における光反射樹脂の膜厚は、発光素子からの光を反射可能(透過しにくい)な膜厚とすればよく、光反射樹脂自体の透過率等に応じて、最低の膜厚を規定することができる。また、第2の凹部の側面の全体の全体に亘って同じ膜厚でなくてもよく、例えば第2の凹部の上方に向かって徐々に膜厚が薄くなるような膜厚としてもよい。光反射樹脂を構成する具体的な材料としては、実施の形態1に記載したものと同様の材料をあげることができる。
(絶縁部材)
実施の形態2においても、実施の形態1と同様に、絶縁部材が光反射樹脂と金属部材との間に設けられるとともに、発光素子の上まで連続するように設けられている。この絶縁部材は、図2Cに示すように、第1の凹部の側面や第2の凹部の側面にも形成されており、更には支持体201の上面にも設けられている。ガスが透過しにくい緻密な膜である絶縁部材が、比較的空隙の多い材料、例えばセラミック等からなる支持体の表面を覆うことで、封止部材206を透過するガスの他、支持体側面や上面等からのガスの透過を抑制することができる。なお、絶縁部材を第2の凹部の底面や側面に、第1の凹部底面と同じ厚みに均一に形成するのは困難である場合が多い。例えばスパッタや蒸着等の乾式方法では、第2の凹部内部は影になって薄くなり易く、液状コート剤を用いる湿式方法では逆に、液が溜まって厚くなり過ぎた部位に亀裂や剥離が発生する場合がある。しかし第2の凹部は光反射樹脂で充填されるため、必ずしも第2の凹部の内部全体に絶縁部材を形成する必要はなく、仮に第2の凹部内で銀含有金属(銀めっき)の変色が発生しても影響は無い。よって、絶縁部材を形成するには、様々な方法から最も簡便な手段を選定すればよい。
<実施の形態3>
実施の形態3の発光装置300の断面図を、図3に示す。実施の形態3において、発光装置300の外観は図1Aに示す発光装置100と同様の形状をしており、異なるのは絶縁部材307の形成される位置である。すなわち、実施の形態3では、表面に銀含有金属を有する金属部材303(303A、303B、303C)が配された支持体301と、支持体上に載置された発光素子304と、金属部材303B上と発光素子304とを導通させる導電性ワイヤ305と、光反射樹脂302で囲まれた凹部領域内に充填される封止部材306と、支持体301上に設けられ発光素子304からの光を反射させる光反射樹脂302と、この光反射樹脂302の表面に絶縁部材307を有している。この絶縁部材307は、発光素子304の上まで連続するように設けられている。このような構成とすることで、金属部材の銀めっきが劣化するのを抑制すると共に、絶縁部材307がパッシベーション膜として機能し、Agのマイグレーションを抑制できる。また、構成部材によっては光反射樹脂302等の樹脂部との密着力を上げることができる。また、特に光反射樹脂302の母体樹脂に、酸化により劣化・着色し易い樹脂を用いていても、絶縁部材307が酸素を遮断するため、光反射樹脂302の劣化・着色を抑制することができる。
<実施の形態4>
実施の形態4の発光装置400の断面図を、図4に示す。実施の形態4において、発光装置400の外観や内部構造は図2A、図2Bに示す発光装置200と同様の形状をしており、異なるのは絶縁部材407の形成される位置である。すなわち、実施の形態4では、表面に銀含有金属を有する金属部材403(403A、403B)が配された支持体401と、支持体上に載置された発光素子404と、金属部材403B上と発光素子404とを導通させる導電性ワイヤ405と、光反射樹脂402で囲まれた凹部領域内に充填される封止部材406とを有している。凹部は、発光素子404が載置される第1の凹部408と、この第1の凹部408内であって第1の凹部の底面よりも低い位置に底面を有する第2の凹部409と、を有している。そして、第2の凹部409の底面に設けられる金属部材403Bを覆うように光反射樹脂402が設けられており、この光反射樹脂402の表面に絶縁部材407を有し、絶縁部材407が発光素子404の上まで連続するように設けられている。このような構造とすることで、金属部材の銀めっきが劣化するのを抑制すると共に、絶縁部材407がパッシベーション膜として機能し、Agのマイグレーションを抑制できる。また、構成部材によっては光反射樹脂402等の樹脂部との密着力を上げることができる。また、特に光反射樹脂402の母体樹脂に、酸化により劣化・着色し易い樹脂を用いていても、絶縁部材407が酸素を遮断するため、光反射樹脂402の劣化・着色を抑制することができる。
<実施の形態5>
実施の形態5の発光装置300の断面図を、図5に示す。実施の形態5において、発光装置500の外観は図1Aに示す発光装置100と同様の形状をしており、異なるのは絶縁部材507の形成される位置である。すなわち、実施の形態5では、表面に銀含有金属を有する金属部材503(503A、503B、503C)が配された支持体501と、支持体上に載置された発光素子504と、金属部材503B上と発光素子504とを導通させる導電性ワイヤ505と、光反射樹脂502で囲まれた凹部領域内に充填される封止部材506と、支持体501上に設けられ発光素子504からの光を反射させる光反射樹脂502と、金属部材503と光反射樹脂502の間に絶縁部材507を有している。この絶縁部材507は、発光素子504と接するよう連続するように設けられている。実施の形態5では、絶縁部材は発光素子の上には設けられておらず、発光素子の側面に接するように設けられている。このような構成とすることで、金属部材の銀めっきが劣化するのを抑制すると共に、絶縁部材507がパッシベーション膜として機能し、Agのマイグレーションを抑制できる。また、構成部材によっては光反射樹脂502等の樹脂部との密着力を上げることができる。
<実施の形態6>
実施の形態6の発光装置600の断面図を、図6に示す。実施の形態6において、発光装置600の外観や内部構造は図2A、図2Bに示す発光装置200と同様の形状をしており、異なるのは絶縁部材607が形成される位置である。すなわち、実施の形態6では、表面に銀含有金属を有する金属部材603(603A、603B)が配された支持体601と、支持体上に載置された発光素子604と、金属部材603B上と発光素子604とを導通させる導電性ワイヤ605と、光反射樹脂602で囲まれた凹部領域内に充填される封止部材606とを有している。凹部は、発光素子604が載置される第1の凹部608と、この第1の凹部608内であって第1の凹部の底面よりも低い位置に底面を有する第2の凹部609と、を有している。そして、第2の凹部609の底面に設けられる金属部材603Bを覆うように光反射樹脂602が設けられており、この光反射樹脂602の表面に絶縁部材607を有し、絶縁部材607が発光素子604と接するよう連続するように設けられている。実施の形態6では、絶縁部材は発光素子の上には設けられておらず、発光素子の側面に接するように設けられている。このような構造とすることで、金属部材の銀めっきが劣化するのを抑制すると共に、絶縁部材607がパッシベーション膜として機能し、Agのマイグレーションを抑制できる。また、構成部材によっては光反射樹脂602等の樹脂部との密着力を上げることができる。
本発明に係る発光装置及びその製造方法は、発光素子からの光が支持体から漏れにくい構造を有するものであり、これにより光の損失を低減し、高出力化が可能な発光装置を得ることができる。これらの発光装置は、各種表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源、さらには、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等にも利用することができる。
100、200、300、400、500、600…発光装置
101、201、301、401、501、601…支持体
102、202、302、402、502、602…光反射樹脂
103、103A、103B、103C、203、203A、203B、303、303A、303B、303C、403、403A、403B、503、503A、503B、503C、603、603A、603B…金属部材
104、204、304、404、504、604…発光素子
105、205、305、405、505、605…導電ワイヤ
106、206、306、406、506、606…封止部材
107、207、307、407、507、607…絶縁部材
208、408、608…第1の凹部
209、409、609…第2の凹部
210…保護素子

Claims (15)

  1. 支持体と、
    前記支持体の表面に設けられた、銀含有金属を有する金属部材と、
    前記支持体上に載置された発光素子と、
    前記金属部材と前記発光素子とを導通させる導電性ワイヤと、
    前記支持体上に設けられ、前記発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、
    前記金属部材の表面の少なくとも一部を被覆する絶縁部材と、
    を有し、
    前記絶縁部材が、前記発光素子の側面と接するように設けられていることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置であって、
    前記支持体は、底面と側面とを有する凹部を有し、
    該凹部は、
    前記発光素子が載置される第1の凹部と、
    該第1の凹部内であって、前記第1の凹部よりも低い位置に底面を有する第2の凹部と
    を有し、
    前記光反射樹脂が、前記第2の凹部内の金属部材上に設けられていることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項2に記載の発光装置であって、
    前記第2の凹部の、前記第1の凹部と連なる側面を、前記絶縁性部材で被覆してなることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項2又は3に記載の発光装置であって、
    前記光反射樹脂が、前記第2の凹部から上方に延び、前記第1の凹部よりも高い位置まで延長されてなることを特徴とする発光装置。
  5. 支持体と、
    前記支持体の表面に設けられた、銀含有金属を有する金属部材と、
    前記支持体上に載置された発光素子と、
    前記金属部材と前記発光素子とを導通させる導電性ワイヤと、
    前記支持体上に設けられ、前記発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、
    前記金属部材の表面の少なくとも一部を被覆する絶縁部材と、
    を有し、
    前記絶縁部材が、前記金属部材の表面と前記発光素子の上面とが連続するように設けられていることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項5に記載の発光装置であって、
    前記絶縁部材が、前記金属部材と前記光反射樹脂との間に介在するよう設けられており、該絶縁部材が前記発光素子の上面と連続していることを特徴とする発光装置。
  7. 請求項5に記載の発光装置であって、
    前記絶縁部材が、前記光反射樹脂の表面に設けられており、該絶縁部材が前記発光素子の上面と連続していることを特徴とする発光装置。
  8. 請求項1から7のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記絶縁性部材が、前記発光素子の上面から連なって、前記導電性ワイヤの表面を被覆するよう設けられることを特徴とする発光装置。
  9. 請求項1から8のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記絶縁性部材が、前記支持体の上面の略全体を被覆することを特徴とする発光装置。
  10. 請求項1から9のいずれか一に記載の発光装置であって、さらに、
    前記支持体の上面で、前記発光素子、導電性ワイヤのほぼ全面、及び絶縁性部材の少なくとも一部を封止する封止部材を備えることを特徴とする発光装置。
  11. 請求項1から10のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記絶縁性部材が、透光性を有することを特徴とする発光装置。
  12. 請求項1から11のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記絶縁性部材が、無機化合物であることを特徴とする発光装置。
  13. 請求項1から12のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記絶縁性部材が、SiO2であることを特徴とする発光装置。
  14. 請求項1から13のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記発光素子が、前記金属部材上に載置されており、
    前記金属部材が、電極として機能することを特徴とする発光装置。
  15. 発光装置の製造方法であって、
    第1の凹部と、該第1の凹部内であって、前記第1の凹部よりも低い位置に底面を有する第2の凹部とを有する支持体を設ける工程と、
    前記支持体の上面に金属部材を設ける工程と、
    前記金属部材の上面に発光素子を設け、前記金属部材と前記発光素子とを導電性ワイヤで接続する工程と、
    前記第2の凹部内の底面を被覆する前記金属部材の表面から、前記第1の凹部と連なる側面、前記第1の凹部における前記金属部材の表面、前記発光素子の表面、前記導電性ワイヤと連なるように、絶縁性部材で被覆する工程と、
    前記第2の凹部に前記発光素子からの光を反射させる光反射樹脂を設ける工程と、
    を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2009268587A 2009-01-30 2009-11-26 発光装置及びその製造方法 Pending JP2010199547A (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009268587A JP2010199547A (ja) 2009-01-30 2009-11-26 発光装置及びその製造方法
US12/695,163 US8415693B2 (en) 2009-01-30 2010-01-28 Light emitting semiconductor device and method of manufacture thereof
CN201310061757.7A CN103199178B (zh) 2009-01-30 2010-01-29 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
CN2010101069415A CN101794855B (zh) 2009-01-30 2010-01-29 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
TW099102651A TWI481077B (zh) 2009-01-30 2010-01-29 Semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US13/789,677 US8889459B2 (en) 2009-01-30 2013-03-08 Method of manufacturing light emitting device
US14/517,965 US9525115B2 (en) 2009-01-30 2014-10-20 Light emitting device
US15/350,330 US10319888B2 (en) 2009-01-30 2016-11-14 Method of manufacturing light emitting device
US16/395,321 US10505089B2 (en) 2009-01-30 2019-04-26 Method of manufacturing light emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009019412 2009-01-30
JP2009268587A JP2010199547A (ja) 2009-01-30 2009-11-26 発光装置及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014103824A Division JP2014158052A (ja) 2009-01-30 2014-05-19 発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010199547A true JP2010199547A (ja) 2010-09-09

Family

ID=42396960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009268587A Pending JP2010199547A (ja) 2009-01-30 2009-11-26 発光装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (5) US8415693B2 (ja)
JP (1) JP2010199547A (ja)
CN (2) CN103199178B (ja)
TW (1) TWI481077B (ja)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011258611A (ja) * 2010-06-04 2011-12-22 Sharp Corp 発光装置
JP2012089539A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2012099572A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2012182256A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2012199378A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2013120874A (ja) * 2011-12-08 2013-06-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013149906A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Stanley Electric Co Ltd 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
JP2014072414A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2014154582A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Asahi Glass Co Ltd 発光素子用基板および発光装置
JP2015026872A (ja) * 2014-11-06 2015-02-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2015154007A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
US9190585B2 (en) 2012-01-13 2015-11-17 Nichia Corporation Light emitting device and lighting equipment
JP2015225942A (ja) * 2014-05-28 2015-12-14 サンケン電気株式会社 発光装置
US9373767B2 (en) 2013-09-30 2016-06-21 Nichia Corporation Light emitting device with light reflecting member having protrusion over bonding ball of wire
JP2017069458A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017120802A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2017126743A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 シチズン電子株式会社 Ledパッケージ
JP2017143304A (ja) * 2011-05-13 2017-08-17 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2019117851A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN110030946A (zh) * 2019-04-12 2019-07-19 杭州思看科技有限公司 一种手持式三维扫描设备多模式和状态的指示装置和方法
US10424699B2 (en) 2016-02-26 2019-09-24 Nichia Corporation Light emitting device
KR20200083311A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
JP2020107629A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージ及び発光装置
JP2020202341A (ja) * 2019-06-13 2020-12-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7515035B1 (ja) 2023-09-14 2024-07-11 シチズン電子株式会社 発光装置
JP7553830B2 (ja) 2022-04-19 2024-09-19 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
US20120161186A1 (en) * 2009-10-29 2012-06-28 Kyocera Corporation Light-emitting device
DE102010024864B4 (de) * 2010-06-24 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010031945A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP5864089B2 (ja) * 2010-08-25 2016-02-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP2447595B1 (en) * 2010-10-27 2017-08-02 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting module
JP5886584B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
USD712850S1 (en) 2010-11-18 2014-09-09 Cree, Inc. Light emitter device
USD721339S1 (en) 2010-12-03 2015-01-20 Cree, Inc. Light emitter device
US8564000B2 (en) * 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
USD707192S1 (en) 2010-11-18 2014-06-17 Cree, Inc. Light emitting device
US8575639B2 (en) * 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US8624271B2 (en) * 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
USD706231S1 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Cree, Inc. Light emitting device
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
CN102593307A (zh) * 2011-01-07 2012-07-18 钰桥半导体股份有限公司 发光二极管光学反射结构
US8809880B2 (en) 2011-02-16 2014-08-19 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
US10211380B2 (en) * 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
KR101817807B1 (ko) 2011-09-20 2018-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
USD705181S1 (en) 2011-10-26 2014-05-20 Cree, Inc. Light emitting device component
JP5988073B2 (ja) * 2011-11-01 2016-09-07 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
KR20140097284A (ko) 2011-11-07 2014-08-06 크리,인코포레이티드 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법
JP6038443B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US8564004B2 (en) * 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US8895998B2 (en) 2012-03-30 2014-11-25 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
CN104115291A (zh) * 2012-02-13 2014-10-22 克利公司 改进的发光设备和方法
AT14124U1 (de) * 2012-02-13 2015-04-15 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Flächenverguß
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US9538590B2 (en) 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
US20150091029A1 (en) * 2012-04-06 2015-04-02 Citizen Electronics Co., Ltd. Led light emitting apparatus
JP6147977B2 (ja) * 2012-09-26 2017-06-14 ローム株式会社 Led照明器具およびledユニット
WO2014080816A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US10295124B2 (en) * 2013-02-27 2019-05-21 Cree, Inc. Light emitter packages and methods
US9431590B2 (en) * 2013-03-15 2016-08-30 Cree, Inc. Ceramic based light emitting diode (LED) devices and methods
USD738542S1 (en) 2013-04-19 2015-09-08 Cree, Inc. Light emitting unit
DE102013104840A1 (de) * 2013-05-10 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
JP6232792B2 (ja) * 2013-07-17 2017-11-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20150054017A1 (en) * 2013-08-20 2015-02-26 Prolight Opto Technology Corporation Led chip package
JP6331376B2 (ja) * 2013-12-17 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
KR20150074649A (ko) * 2013-12-24 2015-07-02 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
KR102237112B1 (ko) 2014-07-30 2021-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD778848S1 (en) * 2015-04-07 2017-02-14 Cree, Inc. Solid state light emitter component
JP6424738B2 (ja) * 2015-05-26 2018-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP6296024B2 (ja) * 2015-08-28 2018-03-20 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
DE102015118433A1 (de) * 2015-10-28 2017-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6459930B2 (ja) * 2015-11-27 2019-01-30 オムロン株式会社 接合構造体の製造方法および接合構造体
JP6213582B2 (ja) * 2016-01-22 2017-10-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10388566B2 (en) 2016-03-11 2019-08-20 International Business Machines Corporation Solder fill into high aspect through holes
JP6493348B2 (ja) * 2016-09-30 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10439114B2 (en) * 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods
DE102017105035B4 (de) * 2017-03-09 2024-09-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierendes bauteil und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauteils
US10497842B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Innolux Corporation Display device and lighting apparatus
US10546979B2 (en) 2017-05-31 2020-01-28 Innolux Corporation Display device and lighting apparatus
US10854787B2 (en) 2017-08-03 2020-12-01 Osam Oled Gmbh Component having boundary element
WO2019048066A1 (en) * 2017-09-11 2019-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC DEVICE
KR102425807B1 (ko) * 2017-09-25 2022-07-28 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
US10672960B2 (en) 2017-10-19 2020-06-02 Lumileds Llc Light emitting device package with a coating layer
TWI826913B (zh) * 2021-03-10 2023-12-21 群創光電股份有限公司 發光模組及包含其之顯示裝置
EP4464933A1 (en) * 2023-05-18 2024-11-20 Toshiba Lighting & Technology Corporation Vehicle lighting device, vehicle lamp, and method for manufacturing vehicle lighting device
CN118472155A (zh) * 2024-07-12 2024-08-09 江西省兆驰光电有限公司 一种led光源及其封装方法及灯具

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237462A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Sanyo Electric Co Ltd Led発光装置
JP2004040099A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
JP2007324256A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Toyoda Gosei Co Ltd Led装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008205511A (ja) * 2001-10-12 2008-09-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2008282754A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Akita Denshi Systems:Kk 照明装置及びその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01282844A (ja) 1988-05-09 1989-11-14 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP4163932B2 (ja) 2002-10-28 2008-10-08 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4397394B2 (ja) * 2003-01-24 2010-01-13 ディジタル・オプティクス・インターナショナル・コーポレイション 高密度照明システム
JP4166611B2 (ja) 2003-04-01 2008-10-15 シャープ株式会社 発光装置用パッケージ、発光装置
CN100587560C (zh) 2003-04-01 2010-02-03 夏普株式会社 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置
JP2005026401A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP4659421B2 (ja) * 2004-09-30 2011-03-30 株式会社トクヤマ 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP2006303069A (ja) 2005-04-19 2006-11-02 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子搭載用パッケージ
JP2007059419A (ja) 2005-08-22 2007-03-08 Showa Denko Kk 化合物半導体発光素子を有するledパッケージ
CN101017815A (zh) * 2006-02-06 2007-08-15 亿光电子工业股份有限公司 二合一发光二极管封装结构
CN101410974B (zh) * 2006-03-23 2013-02-20 台湾积体电路制造股份有限公司 增强型电子键合引线封装
WO2008081836A1 (ja) * 2006-12-28 2008-07-10 Showa Denko K.K. 発光素子封止用樹脂組成物およびランプ
JP2008179756A (ja) * 2006-12-28 2008-08-07 Showa Denko Kk 発光素子封止用樹脂組成物およびランプ
CN100438111C (zh) * 2007-01-11 2008-11-26 鹤山丽得电子实业有限公司 发光二极管封装结构的制作方法
US8049237B2 (en) * 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
JP5307824B2 (ja) * 2008-09-30 2013-10-02 パナソニック株式会社 光半導体装置用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237462A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Sanyo Electric Co Ltd Led発光装置
JP2008205511A (ja) * 2001-10-12 2008-09-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2004040099A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
JP2007324256A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Toyoda Gosei Co Ltd Led装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008282754A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Akita Denshi Systems:Kk 照明装置及びその製造方法

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011258611A (ja) * 2010-06-04 2011-12-22 Sharp Corp 発光装置
JP2012089539A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2012099572A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2012182256A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2012199378A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP7252665B2 (ja) 2011-05-13 2023-04-05 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2017143304A (ja) * 2011-05-13 2017-08-17 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2022009093A (ja) * 2011-05-13 2022-01-14 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2019117939A (ja) * 2011-05-13 2019-07-18 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2013120874A (ja) * 2011-12-08 2013-06-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US9190585B2 (en) 2012-01-13 2015-11-17 Nichia Corporation Light emitting device and lighting equipment
JP2013149906A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Stanley Electric Co Ltd 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
JP2014072414A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2014154582A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Asahi Glass Co Ltd 発光素子用基板および発光装置
US9373767B2 (en) 2013-09-30 2016-06-21 Nichia Corporation Light emitting device with light reflecting member having protrusion over bonding ball of wire
JP2015154007A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2015225942A (ja) * 2014-05-28 2015-12-14 サンケン電気株式会社 発光装置
JP2015026872A (ja) * 2014-11-06 2015-02-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017069458A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017120802A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US10038125B2 (en) 2015-12-28 2018-07-31 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP7101455B2 (ja) 2016-01-12 2022-07-15 シチズン電子株式会社 Ledパッケージ
JP2017126743A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 シチズン電子株式会社 Ledパッケージ
US10424699B2 (en) 2016-02-26 2019-09-24 Nichia Corporation Light emitting device
JP2019117851A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7174218B2 (ja) 2017-12-27 2022-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2020107629A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージ及び発光装置
KR20200083311A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
US11189765B2 (en) 2018-12-28 2021-11-30 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US11616179B2 (en) 2018-12-28 2023-03-28 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US12080835B2 (en) 2018-12-28 2024-09-03 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
KR102824965B1 (ko) 2018-12-28 2025-06-24 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
CN110030946A (zh) * 2019-04-12 2019-07-19 杭州思看科技有限公司 一种手持式三维扫描设备多模式和状态的指示装置和方法
CN110030946B (zh) * 2019-04-12 2020-12-25 杭州思看科技有限公司 一种手持式三维扫描设备多模式和状态的指示装置和方法
JP2020202341A (ja) * 2019-06-13 2020-12-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7364858B2 (ja) 2019-06-13 2023-10-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7553830B2 (ja) 2022-04-19 2024-09-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7515035B1 (ja) 2023-09-14 2024-07-11 シチズン電子株式会社 発光装置
WO2025057678A1 (ja) * 2023-09-14 2025-03-20 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2025042574A (ja) * 2023-09-14 2025-03-27 シチズン電子株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20100193822A1 (en) 2010-08-05
US10319888B2 (en) 2019-06-11
US20130183787A1 (en) 2013-07-18
CN101794855A (zh) 2010-08-04
US10505089B2 (en) 2019-12-10
US8415693B2 (en) 2013-04-09
TWI481077B (zh) 2015-04-11
CN103199178B (zh) 2016-12-28
CN101794855B (zh) 2013-04-03
CN103199178A (zh) 2013-07-10
US8889459B2 (en) 2014-11-18
US20190252583A1 (en) 2019-08-15
US9525115B2 (en) 2016-12-20
US20170062682A1 (en) 2017-03-02
US20150034992A1 (en) 2015-02-05
TW201044645A (en) 2010-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10505089B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP5521325B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP4241870B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP4858032B2 (ja) 発光装置
JP5169263B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
CN101878540B (zh) 发光装置及其制造方法
JP5582048B2 (ja) 発光装置
JP2009295892A (ja) 発光装置
JP5648422B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2012099544A (ja) 発光装置の製造方法
JP2017117858A (ja) 発光装置
JP6015734B2 (ja) 発光装置
JP5644967B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2014093311A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6326830B2 (ja) 発光装置及びそれを備える照明装置
JP6985615B2 (ja) 発光装置
JP2014158052A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2015092622A (ja) 発光装置
JP3169827U (ja) 発光装置
JP6519127B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP7248939B2 (ja) 発光装置
JP2020061521A (ja) 発光装置
HK1127161B (en) Light emitting device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121120

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140114

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140218