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JP2010192606A - 発光装置 - Google Patents

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JP2010192606A
JP2010192606A JP2009034130A JP2009034130A JP2010192606A JP 2010192606 A JP2010192606 A JP 2010192606A JP 2009034130 A JP2009034130 A JP 2009034130A JP 2009034130 A JP2009034130 A JP 2009034130A JP 2010192606 A JP2010192606 A JP 2010192606A
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light emitting
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JP2009034130A
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Akiko Saito
明子 斉藤
Kiyoko Kawashima
淨子 川島
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Toshiba Lighting and Technology Corp
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Toshiba Lighting and Technology Corp
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Abstract

【課題】コストを低減する上では有利であるとともに、光の取出し効率及び半導体発光素子の固着強度を向上できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置1は、装置基板2、複数の部品搭載部4、及び複数のLED(半導体発光素子)14を具備する。装置基板2の少なくとも基板正面側部位2aを絶縁材製とする。各部品搭載部4を基板正面側部位2a上に配設する。これら部品搭載部4の少なくとも表層(部品搭載正面部位)6をAl製とし、その表面粗さを鏡面より粗くする。LED14は透光性の素子基板14aの厚み方向の一面に発光層14bを有する。透光性のダイボンド材15を用いて素子基板14aの厚み方向の他面を表層6に固着して、各部品搭載部4上にLED14を夫々搭載したことを特徴としている。
【選択図】図1

Description

本発明は、LED(発光ダイオード)等の半導体発光素子を複数備え、これらを一斉に発光させて例えば照明器具の面状光源等として使用される発光装置に関する。
絶縁基板上に、反射領域と金めっき端子部を設けるとともに、反射領域上に片面電極型のLED製発光素子を搭載し、この発光素子の素子電極と金めっき端子をボンディングワイヤで電気的に接続してなるLED装置が、従来技術として知られている(例えば、特許文献1参照。)。
前記反射領域は、絶縁基板上に下地として積層された銅めっき層と、この上に積層された金めっき層と、この金めっき層上に積層された銀めっき層とからなる三層構造である。この反射領域は、銀めっき層で光を反射するので、白色系の光で照明をするLED装置に好適である。これとともに、前記金めっき端子部は、絶縁基板上に下地として積層された銅めっき層と、この上に積層された金めっき層とからなる二層構造である。又、片面電極型のLEDは、その片面にアノード側の素子電極とカソード側の素子電極を設けて形成されている。
この従来のLED装置は、その反射領域をプリント配線板の回路導体とは電気的に接続されない構成としたことで、高精細化に拘らずに、シルバーマイグレーション現象の発生をなくすようにしている。
特開2007−189006号公報
しかし、特許文献1に記載されたLED装置は、金めっき端子部より大きく形成された反射領域が金めっき層を有しているので、LED装置のコストを低減する上では不利である。
更に、特許文献1に記載されたLED装置では、そのLEDと反射領域との関係が明らかではない。ところで、LED装置を正面側から見て反射領域に対するLEDの投影面積に、LEDが有した発光層から放射された光の内で発光層の裏側に出射された光が入射して、それが反射領域の銀めっき層で反射されるとした場合、特許文献1のLED装置は、光の取出し効率を向上させる上では改善の余地がある。
すなわち、反射領域の反射層が、銀のめっき層で形成されていることに伴い、このめっき面は鏡面となっているので、前記投影領域に入射した光の反射は、正反射し易く、拡散反射をし難い。したがって、片面電極型のLEDの発光層の内で、一対の素子電極の真裏に位置された発光部位から発して鏡面からなる前記投影領域に直角に入射された光は、銀めっき層で正反射されて素子電極に入射する。一対の素子電極は金属製であるので、これらに入射された銀メッキ層からの反射光は素子電極で遮られ、その分、光の取出しにとっては損失となる。
又、銀めっき層の鏡面となっている表面にダイボンドされたLEDの反射領域に対する接着面積は、前記投影面積に略等しい。この接着面積が大きいほど反射領域に対するLEDの固着強度は向上する。しかし、LEDの小形化は進行しつつあり前記接着面積は小さくなる傾向にあるので、それにも拘らずに、反射領域に対するLEDの固着強度を確保できる対策が望まれている。
以上のように従来技術は、コストを低減する上では不利であるとともに、光の取出し効率及び半導体発光素子の固着強度を向上する上では改善の余地がある、という課題がある。
前記の課題を解決するために、請求項1の発明は、少なくとも基板正面側部位が絶縁材で作られた装置基板と;金属層により形成されて前記基板正面側部位上に複数配設され、少なくとも搭載正面部位がAl製であるとともに、この搭載正面部位の表面粗さが鏡面より粗く形成されている部品搭載部と;透光性の素子基板の厚み方向の一面に発光層を有するとともに、この発光層側に一対の素子電極を有し、透光性のダイボンド材を用いて前記素子基板の厚み方向の他面を前記搭載正面部位に固着して、前記各部品搭載部上に夫々搭載された複数の片面電極型半導体発光素子と;を具備したことを特徴としている。
この発明及び以下の各発明で、装置基板は、単層又は複層の絶縁材で全体が形成された絶縁基板であっても、或いは金属製のベース上に絶縁層を積層して形成された金属ベース基板であってもよく、その基板正面側部位とは、部品搭載部が固着される装置基板の表面部を指している。この発明及び以下の各発明で、金属層は、Ag又はAu以外の金属を用いた金属層が好ましく、例えばCu等からなる下地金属層上にAl層を積層してなる金属層、Alの単層からなる金属層を挙げることができ、その搭載正面部位とは、半導体発光素子が搭載される表面部を指している。
この発明及び以下の各発明で、搭載正面部位の表面粗さが鏡面より粗く形成されているとは、搭載正面部位がめっきにより設けられたものでもなく、又、Alの地肌面に研磨等の鏡面加工が施されておらず、その結果として、搭載正面部位の地肌面が拡散反射面となっていることを指しているが、この搭載正面部位の地肌面は、この面を荒らす粗面付与加工を施して鏡面より粗くすることも可能である。
この発明及び以下の各発明で、半導体発光素子には、LED(発光ダイオード)を好適に使用でき、この場合、高密度実装を実現する上ではチップ状のLEDを用いることが好ましい。この発明及び以下の各発明で片面電極型半導体発光素子とは、素子基板の厚み方向の一面に有した発光層側にアノード側の素子電極とカソード側の素子電極を有した発光素子を指している。この発明及び以下の各発明で、透光性のダイボンド材には、透明合成樹脂又は透明ガラス等を用いることができ、特に半導体発光素子の熱に十分に耐えて熱による変色等の恐れがない透明シリコーン樹脂を用いることが好ましい。
請求項1の発明の発光装置では、その部品搭載部がAg又はAuを含まない金属層により形成されていることに加えて、部品搭載部の少なくとも搭載正面部位が、材料コストが安価なAl製であるので、部品搭載部のコストを低減できることに応じて発光装置のコスト低減に寄与できる。
又、請求項1の発明の発光装置は、その部品搭載部の搭載正面部位がAl製であるので、半導体発光素子から放射された光の内でダイボンド材を通って入射された光を反射する反射面がAu製又はAg製である場合に比較して、部品搭載部の材料コストを低減できる。更に、発光装置を正面側から見て部品搭載部に対する半導体発光素子の投影領域で反射された光の一部が、素子電極で遮られ難いので、光の取出し効率を向上できる。すなわち、搭載正面部位の表面粗さは鏡面より粗いので、前記投影領域での反射は、これに対して直角に入射された光であっても拡散反射されるようになり、正反射を減らすことができる。このため、一対の素子電極の真裏に位置された発光部位から発して前記投影領域に直角に入射された光の反射光が素子電極で遮られ難くなるに伴い、その分光の取出し効率を向上できる。
更に、部品搭載部の搭載正面部位の表面粗さが鏡面より粗いので、搭載正面部位に対するダイボンド材の接着強度が高められる。それに伴い、部品搭載部に対する半導体発光素子の固着強度を向上できる。
請求項2の発明は、少なくとも基板正面側部位が絶縁材で作られた装置基板と;金属層により形成されて前記基板正面側部位上に複数配設され、少なくとも搭載正面部位がAl製であるとともに、この搭載正面部位の表面粗さが鏡面より粗く形成されている部品搭載部と;透光性の素子基板の厚み方向の一面に発光層を有するとともに、この発光層側に一対の素子電極を有し、透光性のダイボンド材を用いて前記素子基板の厚み方向の他面を前記搭載正面部位に固着して、前記各部品搭載部上に夫々搭載された複数の片面電極型半導体発光素子と;前記装置基板の基板正面側部位上に前記各部品搭載部と交互に配設され、少なくともパッド正面側部位がAu又はAl若しくはCuで作られた複数のパッドと;前記パッドとこれに隣接された前記部品搭載部上の前記半導体発光素子の素子電極を電気的に接続して設けられたボンディングワイヤと;を具備したことを特徴としている。
この請求項2の発明は、請求項1の発明が具備した装置基板、部品搭載部、及び半導体発光素子を備えているので、請求項1の発明と同様に、部品搭載部の材料コストを低減できることに加えて、部品搭載部の搭載正面側部位で反射された光の一部が、片面電極型半導体発光素子が有した素子電極で遮られ難いことにより、光の取出し効率を向上できるとともに、部品搭載部に対する半導体発光素子の固着強度を向上できる。
請求項3の発明は、少なくとも基板正面側部位が絶縁材で作られた装置基板と;金属層により形成されて前記基板正面側部位上に複数配設され、少なくとも搭載正面部位がAl製であるとともに、この搭載正面部位の表面粗さが鏡面より粗く形成されている部品搭載部と;透光性の素子基板の厚み方向の一面に発光層を有するとともに、この発光層側に一対の素子電極を有し、透光性のダイボンド材を用いて前記素子基板の厚み方向の他面を前記搭載正面部位に固着して、前記各部品搭載部上に夫々搭載された複数の片面電極型半導体発光素子と;この半導体発光素子の一方の素子電極とこの電極を有した発光素子が搭載された前記部品搭載部とを電気的に接続した第1のボンディングワイヤと;前記半導体発光素子が搭載された前記部品搭載部とこれに隣接されている他の前記部品搭載部に搭載された前記半導体発光素子の他方の素子電極を電気的に接続して設けられた第2のボンディングワイヤと;を具備したことを特徴としている。
この請求項3の発明も、請求項1の発明が具備した装置基板、部品搭載部、及び半導体発光素子を備えているので、請求項1の発明と同様に、部品搭載部の材料コストを低減できることに加えて、部品搭載部の搭載正面側部位で反射された光の一部が、片面電極型半導体発光素子が有した素子電極で遮られ難いことにより、光の取出し効率を向上できるとともに、部品搭載部に対する半導体発光素子の固着強度を向上できる。
請求項4の発明は、請求項1から3の内のいずれか一項において、前記部品搭載部が、前記搭載正面部位をなすAl製の表層と、この面層の裏面に貼り合わされていて前記基板正面側部位に固定されたCu製の下地層とからなるクラッド材であることを特徴としている。
この請求項4の発明では、Al製の表層とCu製の下地層とからなるクラッド材で部品搭載部を形成したので、クラッド材の製造過程によりAl層の地肌が鏡面より粗い状態の拡散反射面になっていることを利用できる。このため、格別な加工を要することなく搭載正面部位を得ることができ、この点でコストの低減に寄与できる。
請求項1から3の発明によれば、部品搭載部の材料コストを低減できるに伴い装置全体のコストを低減する上で有利であり、部品搭載部の搭載正面側部位で反射された光の一部が、片面電極型半導体発光素子の素子電極で遮られることを抑制できるに伴い、光の取出し効率を向上できるとともに、搭載正面側部位とダイボンド材との接着強度が高められたことに伴い、部品搭載部に対する半導体発光素子の固着強度を向上できる、という効果がある。
請求項4の発明によれば、請求項1から3の発明において、更に、装置全体のコストを低減する上でより有利である、という効果がある。
(A)は本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の一部を切欠いて示す正面図。(B)は図1(A)中矢印F1B−F1B線に沿って示す拡大断面図である。 図1(A)中矢印F2−F2線に沿って示す拡大断面図である。 (A)〜(K)の夫々は図1の発光装置の製造工程を順に示す断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る発光装置の一部を示す図2相当の断面図である。 (A)〜(F)の夫々は図4の発光装置の製造工程を順に示す断面図である。 (A)は本発明の第3の実施の形態に係る発光装置の一部を切欠いて示す正面図。(B)は図6(A)中矢印F6B−F6B線に沿って示す拡大断面図である。
以下、図1〜図3を参照して本発明の第1の実施の形態について、詳細に説明する。
図1(A)(B)中符号1は第1実施形態に係る発光装置を示している。この発光装置1は、例えば照明器具の面状光源として用いられるものであって、図1(B)に示すように装置基板2と、複数の部品搭載部4と、複数のパッド8と、一対の端子部11,12と、複数の半導体発光素子例えば発光ダイオード14(以下LED14と略称する)と、ダイボンド材15、第1のボンディングワイヤ16と、第2のボンディングワイヤ17と、枠部材18と、封止部材19を具備している。
装置基板2は、リジット基板であり、電気的な絶縁材、例えば単層の合成樹脂、具体的にはガラスエポキシ樹脂で作られている。装置基板2の形状は、例えば四角形状具体的には長四角形である。この装置基板2の表面部を基板正面側部位2aと称する。この基板正面側部位2aは装置基板2全体が絶縁材からなるので、当然に絶縁材製である。
各部品搭載部4は基板正面側部位2a上に配設されている。この場合、図1(A)に例示したように各部品搭載部4は、装置基板2の縦横方向に夫々所定間隔毎に整列して設けられていて、マトリックス状に配設されているが、これに制約されず、基板正面側部位2a上への配設の形態は種々変更できる。第1実施形態では、各部品搭載部4の形状は四角形であるとともに、これら部品搭載部4の個々の面積は、後述するLED14から伝えられた熱を拡散して装置基板2に放出できるようにLED14の正面視形状より大きい。
これらの部品搭載部4は、図1(B)及び図2に示すように下地層5と、この下地層5に積層された表層6とで形成されている。下地層5はCu製であり、表層6は本実施形態においては後述するパッド表層10をなす金属とは異なる金属具体的にはAl製である。このように各部品搭載部4は、材料コストが高いAg又はAuを含まず、かつ、材料コストが安いCu及びAlを用いた二層の金属層で作られている。これらの部品搭載部4は、その下地層5の裏面を基板正面側部位2aに接着してこの基板正面側部位2a上に積層されている。
これら部品搭載部4の表層6は搭載正面部位をなしている。表層6の表面6aは、光反射面として機能するものであるが、鏡面ではなく、鏡面よりも粗い表面粗さの乱反射面をなしている。そのために、例えば表層6の地肌面がそのまま利用されている。
各パッド8は、ボンディング用のものであって、図1(A)に示すように部品搭載部4に対し交互に配置されて装置基板2の基板正面側部位2a上に設けられている。これらパッド8は、例えば四角形をなしており、その大きさは基板正面側部位2aより小さい。図1(B)及び図2に示すように各パッド8は、パッド下地層9とこの下地層に積層されたパッド表層10とで形成されている。パッド下地層9はCu製であり、パッド表層10はAu製である。このように各パッド8は二層の金属層で作られている。これらのパッド8は、そのパッド下地層9の裏面を基板正面側部位2aに接着してこの基板正面側部位2a上に積層されている。各パッド表層10がAu製であることは、この面での光反射性能により光の取出し性能が良いとともに、後述するワイヤボンディングによりパッド表層10に接合されたボンディングワイヤとの接合に高い信頼性を確保できる点で好ましい。
各部品搭載部4と各パッド8は、例えば図1(A)に示すように装置基板2の長手方向一端部で折り返された形態で交互に配列されており、その列の両端の延長上に位置して端子部11,12が基板正面側部位2a上に設けられている。これら端子部11,12は、長四角形をなしているとともに、図示しないが各パッド8と同様にCu製の端子部下地層とこの下地層に積層されたAu製の端子部表層とで形成されていて、その端子部下地層の裏面を基板正面側部位2aに接着してこの基板正面側部位2a上に積層されている。
各LED14には片面電極型のチップ状LEDが用いられている。これらLED14は、図1(B)及び図2に示すように素子基板14aの厚み方向一面に発光層14bを有しているとともに、この発光層14b側に一対の素子電極14c,14dを設けて形成された、ベアチップであり、部品搭載部4及びパッド8より小さい。素子基板14aはサファイア等の透光性絶縁材料からなる。発光層14bは、素子電極14c,14dへの給電に伴って例えば青色の光を放射する半導体からなる。したがって、各LED14は青色発光をするチップ状の青色LEDである。素子電極14c,14dの一方は、アノード側であり、他方はカソード側である。
図1(B)及び図2に示すように各LED14は、その素子基板14aの厚み方向の他面をダイボンド材15により表層6に接着止め(固着)することによって、部品搭載部4に夫々搭載されている。ダイボンド材15は、透光性材料からなり、例えば透明シリコーン樹脂製である。
第1のボンディングワイヤ16と第2のボンディングワイヤ17は、いずれも金属細線好ましくはAu製の細線からなる。これら第1のボンディングワイヤ16と第2のボンディングワイヤ17は、パッド8とこれに隣接された部品搭載部4上のLED14の素子電極とを電気的に接続して設けられているとともに、前記列の両端と端子部11,12を電気的に接続している。これにより、各LED14は直列接続されている。
このために、第1のボンディングワイヤ16は、その一端を例えば一方の素子電極14cにボールボンディングにより接合するとともに、他端をパッド8又は端子部11にウエッジボンディングにより接合して設けられている。同様に、第2のボンディングワイヤ17は、その一端を例えば他方の素子電極14dにボールボンディングにより接合するとともに、他端をパッド8又は端子部12にウエッジボンディングにより接合して設けられている。
枠部材18は、装置基板2の形に見合った枠形状でかつ装置基板2より短く形成されていて、各パッド8及び各LED14を収納して装置基板2に固定されている。図1(A)に示すように前記一対の端子部11,12の一端部は枠部材18の外部に突出されていて、この突出された部位に、図示しない電源供給装置から延出された絶縁被覆電線(図示しない)が半田付けされるようになっている。
封止部材19は枠部材18内に充填されていて、部品搭載部4、パッド8、LED14、第1のボンディングワイヤ16、及び第2のボンディングワイヤ17を埋めて、これらを封止して設けられている。封止部材19は、透光性であり、例えば透明シリコーン樹脂が用いられている。この封止部材19内には白色の光を得るために粉末状の図示しない蛍光体が混ぜられている。この蛍光体には、LED14が青色の光を発するので、この光によって励起されて黄色の光を放射する黄色蛍光体が用いられている。なお、演色性を向上させるために赤色蛍光体及び緑色蛍光体を添加することも可能である。
次に、以上の構成の発光装置1の枠部材18及び封止部材19を除いた部分の製造方法を図3(A)〜(K)を参照して説明する。
図3(A)に示した第1工程では、アルミニウム板C1と銅板C2を重ねて圧延ローラ間に通すことによって貼り合せて形成されたクラッド材Cを、その銅板C2をガラスエポキシ樹脂製の装置基板2に接着させて、この装置基板2に積層する。
図3(B)に示した第2工程では、クラッド材Cのアルミニウム板C1上に感光性のエッチングレジストE1を塗布する。
図3(C)に示した第3工程では、エッチングレジストE1を露光して、このエッチングレジストE1の不要領域を除去する。ここに、除去される領域は、各部品搭載部4、各パッド8、及び端子部11,12の予定領域以外の領域であり、この工程を得ることにより、前記各予定領域上にエッチングレジストE1が残留する。こうしたエッチングレジストE1の残留部位をマスクM1と称する。
図3(D)に示した第4工程は、1回目のエッチング工程であり、マスクM1で覆われていない部分の金属をエッチング液により除去する。
図3(E)に示した第5工程では、マスクM1を除去する。これにより、部品搭載部4、各パッド8、及び端子部11,12の予定領域に、銅板C2とアルミニウム板C1の積層体が残される。
図3(F)に示した第6工程では、感光性のエッチングレジストE2を塗布する。
図3(G)に示した第7工程では、エッチングレジストE2を露光して、このエッチングレジストE2の不要領域を除去する。ここに、除去される領域は、各部品搭載部4の予定領域以外の領域であり、この工程を得ることにより、各部品搭載部4の予定領域上にのみエッチングレジストE2が残留する。こうしたエッチングレジストE2の残留部位をマスクM2と称する。これとともに、各パッド8及び端子部11,12の予定領域でエッチングレジストE2が除去されたことにより、同一でアルミニウム板C1が露出される。
図3(H)に示した第8工程では、2回目のエッチング工程であり、エッチング液によりマスクM2で覆われていない部分において、露出されていたアルミニウム板C1を除去する。なお、この除去は、アルミニウム板C1だけであり、銅板C2は除去されず、この銅板C2は第8工程を得ることで露出される。この露出された銅板C2は、次工程でめっきされるA金属の下地をなすパッド下地層9、及び端子部11,12の端子部下地層として用いられる。
図3(I)に示した第9工程では、Auをめっきする工程である。これにより、各パッド8及び端子部11,12の予定領域において露出されていた銅板C2の上にAuがめっきにより積層される。言い換えれば、パッド下地層9上にAu製のパット表層10が積層されて各パッド8が形成されるとともに、端子部下地層の上にAu製の端子部表層10が積層されて端子部11,12が形成される。
図3(J)に示した第10工程では、各部品搭載部4の予定領域を覆っていたマスクM2を除去して、各部品搭載部4のアルミニウム板C1を露出させる。これにより、Cu製の下地層5上にAl製の表層6が積層された各部品搭載部4が形成される。
図3(K)に示した第11工程では、各部品搭載部4にLED14を、ダイボンド材15を用いて搭載するとともに、これらLED14がワイヤボンディングにより直列接続される。
なお、この後には装置基板2上に枠部材18を固定した後に、この枠部材18内に封止部材19を充填して、それを加熱し固化する工程を得て発光装置1が製造される。
こうした製造法によれば、AlとCuのクラッド材Cを用いて交互に配設される部品搭載部4とパッド8、及び一対の端子部11,12を形成できる。
以上の構成の発光装置1は、その装置基板2の裏面(図1(B)及び図2では下面)を図示しない天井直付け型器具本体に接触させるとともに封止部材19を下向きにした姿勢で、この器具本体に装着され面状光源として使用される。この発光装置1は、通電されることにより、各LED14が一斉に発光するので、白色の光で下方を照明できる。すなわち、LED14の発光層14bから放射された青色の光と、この光の一部が蛍光体を励起することにより作られた黄色の光とが混ざって、白色の光となって下方照明に供される。
こうした照明において、LED14の発光層14bは、光の利用方向である下方以外に、この発光層14bの裏側に在る素子基板14aに向けても青色の光を出射する。こうして裏側への出射された光は、いずれも透光性の素子基板14a及びダイボンド材15を通って部品搭載部4の表層6に入射されて、この表層6で光の利用方向に反射される。この場合、表層6がAl製であるので、表層がAu製である場合に比較して、表層への入射光を効率よく光の利用方向に反射できる。
すなわち、Al製の表層6の表面粗さは鏡面より粗いので、発光装置1を正面側から見て表層6へのLED14の投影領域での反射は、この投影領域に発光層14bから直角に入射された光であっても拡散反射されて、正反射を減らすことができる。このため、発光層14bにおいて一対の素子電極14c,14dの真裏に位置する発光部位から発して表層6の前記投影領域に直角に入射された光の反射光が、素子電極14c,14dで遮られ難くなる。このように発光装置1を正面側から見て部品搭載部4に対するLED14の投影領域で反射された光の一部が、素子電極14c,14dで遮られ難いので、光の取出し効率を向上できる。
しかも、部品搭載部4はAl製の表層6とCu製の下地層5とからなるクラッド材で形成されているので、このクラッド材の製造過程により表層6の地肌は鏡面より粗い状態となっている。このため、格別な加工を要することなく入射光を拡散反射させる表層6を得ることができるに伴い、コストを低減できる。
加えて、以上の構成の発光装置1の部品搭載部4は、Ag又はAuを含まない金属層により形成されている。しかも、部品搭載部4の表層6は、Ag又はAuより材料コストが安価なAl製である。したがって、部品搭載部4のコストを低減できるので、それに応じて発光装置1のコストを低減できる。
又、以上の構成の発光装置1では、部品搭載部4の表層6の表面粗さが鏡面より粗いので、この表層6に対するダイボンド材15の接着強度が高められる。それに伴い、部品搭載部4に対するチップ状のLED14の接着面積が前記投影面積に略等し区、その面積が小さいにも係わらず、部品搭載部4に対するLED14の固着強度を向上できる。
図4及び図5を参照して本発明の第2の実施形態を説明する。この第2実施形態は、部品搭載部4及びパッド8の構成が第1実施形態とは異なり、それ以外の構成は図4及び図5に示されない構成を含めて第1実施形態と同じある。このため、第1実施形態と同じ構成については第1実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
第2実施形態では、各部品搭載部4及び各パッド8が、いずれもAlの単層で形成されている。
この第2実施形態の発光装置1の図示しない枠部材及び封止部材19を除いた部分は、図5(A)〜(F)に示した製造工程を順に得て製造される。
すなわち、図5(A)に示した第1工程では、アルミニウム板C1をガラスエポキシ樹脂製の装置基板2に積層する。
図5(B)に示した第2工程では、アルミニウム板C1上に感光性のエッチングレジストE1を塗布する。
図5(C)に示した第3工程では、エッチングレジストE1を露光して、このエッチングレジストE1の不要領域を除去する。ここに、除去される領域は、各部品搭載部4、各パッド8、及び端子部11,12の予定領域以外の領域であり、この工程を得ることにより、前記各予定領域上にエッチングレジストE1が残留する。こうしたエッチングレジストE1の残留部位をマスクMと称する。
図5(D)に示した第4工程は、エッチング工程であり、アルミニウム板C1のマスクMで覆われていない部分をエッチング液により除去する。
図5(E)に示した第5工程では、マスクを除去する。これにより、アルミニウム板C1の単層からなる部品搭載部4、各パッド8、及び一対の図示しない端子部が、露出した状態に残される。
図5(F)に示した第6工程では、各部品搭載部4にLED14を、ダイボンド材15を用いて搭載するとともに、これらLED14がワイヤボンディングにより直列接続される。このワイヤボンディングにおいて使用するボンディングワイヤ16,17及びLED14の図示しない一対の素子電極は、接合強度を高める上からアルミニウム製とすることが好ましい。
なお、この後には装置基板2上に図示しない枠部材を固定した後に、この枠部材内に封止部材19を充填して、それを加熱し固化する工程を得て発光装置1が製造される。
こうした製造法によれば、部品搭載部4、各パッド8、及び図示しない端子部の夫々がアルミニウムの単層で作られるので、第1実施形態に比較して工程数が少ないことに加えて、パッド8及び図示しない一対の端子部にもAuの層を用いないので、より低コストで製造できる。
以上説明した事項以外の第2実施形態の発光装置1の構成は、図4及び図5に示されない構成を含めて第1実施形態と同じである。したがって、この第2実施形態の発光装置1も、第1実施形態で既に説明した理由と同様な理由により、本発明の課題を解決できる。
簡単に説明すれば、第2実施形態の発光装置1は、部品搭載部4及び図示しない端子部がAg又はAuを含まない金属具体的にはAl製であるので、部品搭載部4及び端子部11,12の材料コストを低減できるに伴い装置全体のコストを低減する上で有利である。これとともに、アルミニウム製の部品搭載部4に片面電極型のLED14から入射された光を、鏡面より粗い部品搭載部4の表面で拡散反射させることができるので、その反射光の一部が、LED14が有した一対の素子電極14c,14dで遮られることを抑制できるに伴い、光の取出し効率を向上できる。更に、アルミニウム製の部品搭載部4の表面粗さが粗いことに伴い、ダイボンド材15を介しての部品搭載部4に対するLED14の固着強度を向上できる。
なお、第2実施形態では、部品搭載部4、各パッド8、及び図示しない端子部の夫々を、アルミニウムの単層としたが、これに代えて銅の単層で形成することもできる。この場合、ボンディングワイヤ16,17及びLED14の素子電極14c,14dは、接合強度を高める上からアルミニウム製とすることが好ましい。こうした構成においても、本発明の課題を解決できる。
図6(A)(B)は本発明の第3の実施形態を示している。この第3実施形態の以下の説明において、第1実施形態と同じ構成については第1実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
第3実施形態では、装置基板2上に設けられた複数の部品搭載部4の夫々が、部品搭載部領域4aとパッド領域8aを一体に連続して形成されている。そのため、パッド領域8aを有した部品搭載部4は、図6(B)に示すようにCu製の下地層5と、これに積層されて載置正面部位をなしたAl製の表層6とで二層に形成されている。
これとともに、所定の配列に並べられた部品搭載部4群仮名した列の一端に配置された端部部品搭載部21は、部品搭載部領域4aと一方の端子部12を一体に連続して形成されている。したがって、端子部12を有した端部部品搭載部21も、部品搭載部4と同様にCu製の下地層5と、これに積層されて載置正面部位をなしたAl製の表層6とで二層に形成されている。
又、残りの端子部11は、前記列の他端に配置された部品搭載部4に隣接して設けられている。この端子部11は部品搭載部4と同様に、Cu製の下地層5とこれに積層されたAl製の表層6とで二層に形成されている。
更に、第3実施形態では、図6(A)に示すように第1のボンディングワイヤ16は、LED14の一方の素子電極14cと、このLED14が搭載された部品搭載部4に隣接されている他の部品搭載部4の例えばパッド領域8a、又は端子部11とを電気的に接続してワイヤボンディングされている。同様に、第2のボンディングワイヤ17は、LED14の他方の素子電極14dとこのLED14が搭載された部品搭載部4とを、この部品搭載部4の例えば部品搭載部領域4aとを電気的に接続してワイヤボンディングされている。端部部品搭載部21についても同様である。
そのため、部品搭載部領域4aを有した各部品搭載部4及び端部部品搭載部21は、発光装置1への給電に伴い電位が与えられる。
以上説明した事項以外の第3実施形態の発光装置1の構成は第1実施形態と同じである。したがって、この第3実施形態の発光装置1も、第1実施形態で既に説明した理由と同様な理由により、本発明の課題を解決できる。
簡単に説明すれば、第3実施形態の発光装置1は、各部品搭載部4及び端部部品搭載部21の部品搭載部領域4a及びパッド領域8a、端部部品搭載部21の部品搭載部領域4a及び端子部12、並びに端子部11が、Ag又はAuを含まない金属具体的にはAl製である。このため、部品搭載部領域4aを有した部品搭載部4及び端部部品搭載部21と端子部11,12の材料コストを低減できるに伴い、装置全体のコストを低減する上で有利である。これとともに、表層6がアルミニウムからなる部品搭載部領域4aに片面電極型のLED14から入射された光を、表面粗さが鏡面より粗い表層6の表面で拡散反射させることができるので、その反射光の一部が、LED14が有した一対の素子電極14c,14dで遮られることを抑制できるに伴い、光の取出し効率を向上できる。更に、アルミニウム製の表層6の表面粗さが粗いことに伴い、ダイボンド材15を介しての部品搭載部4及び端部部品搭載部21に対するLED14の固着強度を向上できる。
又、この第3実施形態の発光装置1では、その通電中、互いに近接されている各金属導体、つまり、各部品搭載部4、端部部品搭載部21、及び端子部11に電位が与えられる。しかし、これら各金属導体は、いずれもCuとAlのクラッド材により形成されていて、Agの層を含んでいない。そのため、隣接した核金属導体間にシルバーマイグレーションを発生する恐れがなく使用できるとともに、各金属導体を高密度に配設して発光装置1の小形化を促進する上で好ましい。
1…発光装置、2…装置基板、2a…基盤正面側部位、4…部品搭載部、5…下地層、6…表層(搭載正面部位)、8…パッド、9…パッド下地層、10…パッド表層(パッド正面部位)14…LED(半導体発光素子)、14a…素子基板、14b…発光層、14c,14d…素子電極、15…ダイボンド材、16…第1のボンディングワイヤ、17…第2のボンディングワイヤ、C…クラッド材、C1…アルミニウム板、C2…銅板、4a…部品搭載部領域、8a…パッド領域

Claims (4)

  1. 少なくとも基板正面側部位が絶縁材で作られた装置基板と;
    金属層により形成されて前記基板正面側部位上に複数配設され、少なくとも搭載正面部位がAl製であるとともに、この搭載正面部位の表面粗さが鏡面より粗く形成されている部品搭載部と;
    透光性の素子基板の厚み方向の一面に発光層を有するとともに、この発光層側に一対の素子電極を有し、透光性のダイボンド材を用いて前記素子基板の厚み方向の他面を前記搭載正面部位に固着して、前記各部品搭載部上に夫々搭載された複数の片面電極型半導体発光素子と;
    を具備したことを特徴とする発光装置。
  2. 少なくとも基板正面側部位が絶縁材で作られた装置基板と;
    金属層により形成されて前記基板正面側部位上に複数配設され、少なくとも搭載正面部位がAl製であるとともに、この搭載正面部位の表面粗さが鏡面より粗く形成されている部品搭載部と;
    透光性の素子基板の厚み方向の一面に発光層を有するとともに、この発光層側に一対の素子電極を有し、透光性のダイボンド材を用いて前記素子基板の厚み方向の他面を前記搭載正面部位に固着して、前記各部品搭載部上に夫々搭載された複数の片面電極型半導体発光素子と;
    前記装置基板の基板正面側部位上に前記各部品搭載部と交互に配設され、少なくともパッド正面側部位がAu又はAl若しくはCuで作られた複数のパッドと;
    前記パッドとこれに隣接された前記部品搭載部上の前記半導体発光素子の素子電極を電気的に接続して設けられたボンディングワイヤと;
    を具備したことを特徴とする発光装置。
  3. 少なくとも基板正面側部位が絶縁材で作られた装置基板と;
    金属層により形成されて前記基板正面側部位上に複数配設され、少なくとも搭載正面部位がAl製であるとともに、この搭載正面部位の表面粗さが鏡面より粗く形成されている部品搭載部と;
    透光性の素子基板の厚み方向の一面に発光層を有するとともに、この発光層側に一対の素子電極を有し、透光性のダイボンド材を用いて前記素子基板の厚み方向の他面を前記搭載正面部位に固着して、前記各部品搭載部上に夫々搭載された複数の片面電極型半導体発光素子と;
    この半導体発光素子の一方の素子電極とこの電極を有した発光素子が搭載された前記部品搭載部とを電気的に接続した第1のボンディングワイヤと;
    前記半導体発光素子が搭載された前記部品搭載部とこれに隣接されている他の前記部品搭載部に搭載された前記半導体発光素子の他方の素子電極を電気的に接続して設けられた第2のボンディングワイヤと;
    を具備したことを特徴とする発光装置。
  4. 前記部品搭載部が、前記搭載正面部位をなすAl製の表層と、この表層の裏面に貼り合わされていて前記基板正面側部位に固定されたCu製の下地層とからなるクラッド材であることを特徴とする請求項1から3の内のいずれか一項に記載の発光装置。
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