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JP2010175489A - 回路基板検査装置および回路基板検査方法 - Google Patents

回路基板検査装置および回路基板検査方法 Download PDF

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JP2010175489A JP2009021070A JP2009021070A JP2010175489A JP 2010175489 A JP2010175489 A JP 2010175489A JP 2009021070 A JP2009021070 A JP 2009021070A JP 2009021070 A JP2009021070 A JP 2009021070A JP 2010175489 A JP2010175489 A JP 2010175489A
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Abstract

【課題】数多くの導体パターン、および導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板に対する検査の効率を向上させる。
【解決手段】電子部品(E1〜E4)が接続されている第1導体パターン群Gf内の導体パターン(P1〜P12)と電子部品が接続されていない第2導体パターン群Gs内の導体パターン(P13〜P24)との間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査において絶縁状態が良好と判別したときに、第1導体パターン群Gf内の導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査、および第2導体パターン群Gs内の導体パターン間の絶縁状態を検査する第3絶縁検査を実行すると共に、第2、第3絶縁検査のいずれもが実行されていない導体パターンの導通状態を検査する導通検査を両絶縁検査の少なくとも一方と並行して実行する検査部を備えている。
【選択図】図2

Description

本発明は、複数の導体パターン、および導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板における各導体パターン間の絶縁状態および各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査装置および回路基板検査方法に関するものである。
この種の回路基板検査装置として、特開2001−66351号公報に開示された回路基板検査装置が知られている。この回路基板検査装置は、フィクスチャおよび接続計測部を備えて、回路基板における各導体パターン(ランドパターン)の導通検査や各導体パターンの間の絶縁検査を実行可能に構成されている。この場合、フィクスチャは、回路基板の各導体パターンに対応する複数のプローブピンがその上面に突出形成された下側フィクスチャと、回路基板の他面に実装された各電子部品間の隙間に対応して複数の当接ピンがその下面に形成されると共に昇降機構によって上下方向に移動させられる上側フィクスチャとで構成されている。この回路基板検査装置では、下側フィクスチャと上側フィクスチャとの間に回路基板を挟み込むことによって下側フィクスチャのプローブピンを各導体パターンに接触させて所定のプローブピンに信号を供給した状態で、接続計測部がプローブピンを介して入力する信号に基づいて各導体パターンの間の絶縁検査や各導体パターンの導通検査を行う。この場合、この種の回路基板検査装置では、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方が行われる。
特開2001−66351号公報(第3−5頁、第1図)
ところが、上記した回路基板検査装置を含む従来の回路基板検査装置には、以下の問題点がある。すなわち、従来の回路基板検査装置では、絶縁検査および導通検査の一方を行った後に両検査の他方を行っている。このため、従来の回路基板検査装置には、数多くの導体パターンを有する回路基板に対する検査を行う際には、導通検査および絶縁検査のそれぞれに多くの時間を要する結果、検査効率の向上が困難であるという問題点が存在する。
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、数多くの導体パターン、および導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板に対する検査の効率を向上し得る回路基板検査装置および回路基板検査方法を提供することを主目的とする。
上記目的を達成すべく請求項1記載の回路基板検査装置は、複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板における当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する検査部を備えた回路基板検査装置であって、前記検査部は、前記電子部品が接続されている前記導体パターンで構成される第1導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位とすると共に当該電子部品が接続されていない前記導体パターンで構成される第2導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該第1導体パターン群内の当該導体パターンと当該第2導体パターン群内の当該導体パターンとの間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査を実行し、当該第1絶縁検査において当該絶縁状態が良好と判別したときに、前記第1導体パターン群内の前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査、および前記第2導体パターン群内の前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第3絶縁検査を実行すると共に、前記第2絶縁検査および前記第3絶縁検査のいずれもが実行されていない前記導体パターンの導通状態を検査する導通検査を当該両絶縁検査の少なくとも一方と並行して実行する。
また、請求項2記載の回路基板検査装置は、請求項1記載の回路基板検査装置において、前記検査部は、前記第2絶縁検査において、前記第1導体パターン群内の前記各導体パターンのうちの前記電子部品を介して互いに接続されている導体パターンで構成される第3導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ、当該第3導体パターン群内の当該導体パターンと、当該第1導体パターン群内であってかつ当該第3導体パターン群外の前記導体パターンとの間の絶縁状態を検査する。
また、請求項3記載の回路基板検査装置は、請求項1または2記載の回路基板検査装置において、前記電子部品が接続されている前記導体パターンを特定可能な接続データを記憶する記憶部と、前記接続データに基づいて前記各導体パターン群を特定する特定処理を実行する処理部とを備えている。
また、請求項4記載の回路基板検査方法は、複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板における当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査方法であって、前記電子部品が接続されている前記導体パターンで構成される第1導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位とすると共に当該電子部品が接続されていない前記導体パターンで構成される第2導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該第1導体パターン群内の当該導体パターンと当該第2導体パターン群内の当該導体パターンとの間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査を実行し、当該第1絶縁検査において当該絶縁状態が良好と判別したときに、前記第1導体パターン群内の前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査、および前記第2導体パターン群内の前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第3絶縁検査を実行すると共に、前記第2絶縁検査および前記第3絶縁検査のいずれもが実行されていない前記導体パターンの導通状態を検査する導通検査を当該両絶縁検査の少なくとも一方と並行して実行する。
請求項1記載の回路基板検査装置、および請求項4記載の回路基板検査方法では、第1絶縁検査において絶縁状態が良好と判別したときに、第2絶縁検査および第3絶縁検査を実行すると共に、第2絶縁検査および第3絶縁検査のいずれもが実行されていない導体パターンの導通状態を検査する導通検査を第2絶縁検査および第3絶縁検査の少なくとも一方と並行して実行する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を実行した後に両検査の他方を実行する従来の回路基板検査装置と比較して、第1絶縁検査および第2絶縁検査の少なくとも一方と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することができる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、数多くの導体パターンを有する回路基板に対する検査を行う際の検査効率を十分に向上させることができる。
また、請求項2記載の回路基板検査装置では、検査部が第2絶縁検査において、第1導体パターン群内の各導体パターンのうちの電子部品を介して互いに接続されている導体パターンで構成される第3導体パターン群内の導体パターンを互いに同電位としつつ、その第3導体パターン群内の導体パターンと、第1導体パターン群内であってかつその第3導体パターン群外の導体パターンとの間の絶縁状態を検査する。このため、この回路基板検査装置によれば、同一の第3導体パターン群内における各導体パターンの間に電位差が生じることに起因する電子部品の損傷を確実に回避することができる。
また、請求項3記載の回路基板検査装置によれば、処理部が、記憶部に記憶されている接続データに基づいて各導体パターン群を特定することにより、どの導体パターンが電子部品によって接続されているかを調査して各導体パターン群を特定する作業を不要とすることができる結果、その分、検査効率を向上させることができる。
回路基板検査装置1の構成を示す構成図である。 回路基板100の構成を示す構成図である。 接続データDcの構成を概念的に示すデータ構成図である。 導体パターン群データDgの構成を概念的に示すデータ構成図である。 検査処理50のフローチャートである。
以下、本発明に係る回路基板検査装置および回路基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
最初に、回路基板検査装置1の構成について説明する。図1に示す回路基板検査装置1は、本発明に係る回路基板検査装置の一例であって、例えば、複数の導体パターンP1〜P24(図2参照:以下、区別しないときには「導体パターンP」ともいう)、および導体パターンPに接続された電子部品E1〜E4(同図参照:以下、区別しないときには「電子部品E」ともいう)を有する回路基板100における各導体パターンPの間の絶縁状態および各導体パターンPの導通状態を、本発明に係る回路基板検査方法に従って検査可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置1は、図1に示すように、基板保持部2、プローブユニット3、移動機構4および検査部5を備えて構成されている。
基板保持部2は、保持板と、保持板に取り付けられて回路基板100の端部を挟み込んで固定するクランプ機構(いずれも図示せず)とを備えて、回路基板100を保持可能に構成されている。プローブユニット3は、複数のプローブピン21を備えて治具型に構成されている。この場合、プローブユニット3は、回路基板100の各導体パターンPに設けられている電気部品接続用の接続点H(図2参照)の位置に応じて、プローブピン21の数や配列パターンが規定されている。移動機構4は、制御部15の制御に従い、上下方向にプローブユニット3を移動させることによってプロービングを実行する。
検査部5は、図1に示すように、スキャナ部11、検査用信号生成部12、測定部13、記憶部14および制御部15を備えて構成されている。スキャナ部11は、複数のスイッチ(図示せず)を備えて構成され、制御部15の制御に従って各スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、プローブユニット3におけるプローブピン21と検査用信号生成部12との接断(接続および切断)、およびプローブピン21と測定部13との接断を行う。
検査用信号生成部12は、電圧信号生成回路31および電流信号生成回路32を備えて構成されている。電圧信号生成回路31は、制御部15の制御に従い、電圧信号Sv(本発明における絶縁検査用信号)を生成する。電流信号生成回路32は、制御部15の制御に従い、電流信号Si(本発明における導通検査用信号)を生成する。測定部13は、電圧信号Svの供給に伴って導体パターンP間に流れる電流(本発明における物理量の一例)を測定する。また、測定部13は、電流信号Siの供給に伴って導体パターンPの両端部間(両接続点H,H間)に生じる電圧(本発明における物理量の他の一例)を測定する。
記憶部14は、制御部15によって実行される検査処理50(図5参照)において用いられる接続データDcを記憶する。この場合、接続データDcは、本発明における接続データの一例であって、図3に概念的に示すように、回路基板100に実装されている各電子部品E1〜E4が接続されている導体パターンPを特定可能な情報を含んで構成されている。また、記憶部14は、制御部15によって生成される導体パターン群データDg(図4参照)を記憶する。
制御部15は、図外の操作部から出力される操作信号に従って移動機構4および検査部5を構成する各構成要素を制御する。具体的には、制御部15は、移動機構4によるプローブユニット3の移動を制御する。また、制御部15は、検査用信号生成部12による電圧信号Svおよび電流信号Siの生成を制御すると共にスキャナ部11による接断処理を制御することにより、回路基板100の導体パターンPに対して電圧信号Svおよび電流信号Siを供給させる。また、制御部15は、検査処理50において、後にそれぞれ詳述する、第1絶縁検査、第2絶縁検査、第3絶縁検査および導通検査を実行する。
また、制御部15は、本発明における処理部として機能し、回路基板100における各導体パターンPの中から、電子部品Eが接続されている全ての導体パターンPで構成される第1導体パターン群Gf(図2参照)を接続データDcに基づいて特定する。また、制御部15は、電子部品Eが接続されていない全ての導体パターンPで構成される第2導体パターン群Gs(同図参照)を接続データDcに基づいて特定する。さらに、制御部15は、電子部品Eを介して互いに接続されている導体パターンPで構成される第3導体パターン群Gt1〜Gt3(同図参照:以下、区別しないときには「第3導体パターン群Gt」ともいう)を接続データDcに基づいて特定する。また、制御部15は、各導体パターン群Gf,Gs,Gtをそれぞれ構成する導体パターンPを示す情報を含んだ導体パターン群データDg(図4参照)を生成して記憶部14に記憶させる。なお、各導体パターン群Gf,Gs,Gtを特定する処理が本発明における特定処理に相当する。
次に、回路基板検査装置1を用いて本発明に係る回路基板検査方法に従い、回路基板100における各導体パターンPの間の絶縁状態および各導体パターンPの導通状態を検査する方法、およびその際の回路基板検査装置1の動作について、図面を参照して説明する。
まず、検査対象の回路基板100を基板保持部2における保持板(図示せず)に載置し、次いで、基板保持部2のクランプ機構(図示せず)で回路基板100の端部を挟み込んで固定することにより、回路基板100を基板保持部2に保持させる。続いて、図外の操作部を用いて検査開始操作を行う。この際に、制御部15が、操作部から出力された操作信号に従い、移動機構4を制御してプローブユニット3を下向きに移動させる。これにより、プローブユニット3の各プローブピン21の先端部が各導体パターンPの各接続点Hに接触(プロービング)させられる。
次いで、制御部15は、図5に示す検査処理50を実行する。この検査処理50では、制御部15は、記憶部14から接続データDcを読み出す(ステップ51)。続いて、制御部15は、接続データDcに基づいて各導体パターン群Gf,Gs,Gtを特定する特定処理を実行する(ステップ52)。この特定処理では、制御部15は、図2に示すように、いずれかの電子部品Eが接続されている導体パターンP1〜P12で構成される第1導体パターン群Gfを特定すると共に、電子部品Eが接続されていない導体パターンP13〜P24で構成される第2導体パターン群Gsを特定する。また、制御部15は、同図に示すように、電子部品E1を介して接続されている導体パターンP1〜P8で構成される第3導体パターン群Gt1、電子部品E2,E3を介して接続されている導体パターンP9,P10で構成される第3導体パターン群Gt2、および電子部品E4を介して接続されている導体パターンP11,P12で構成される第3導体パターン群Gt3を特定する。次いで、制御部15は、各導体パターン群Gf,Gs,Gtをそれぞれ構成する導体パターンPを示す情報を含んだ導体パターン群データDg(図4参照)を生成して記憶部14に記憶させる(ステップ53:導体パターン群データDgの生成および記録)。
この場合、上記したように、この回路基板検査装置1では、制御部15が接続データDcに基づいて第1導体パターン群Gf、第2導体パターン群Gsおよび第3導体パターン群Gtを特定する。このため、この回路基板検査装置1では、どの導体パターンPが電子部品Eによって接続されているかを調査して各導体パターン群Gf,Gs,Gtを特定する作業が不要なため、その分、検査効率を向上させることが可能となっている。
続いて、制御部15は、第1絶縁検査を実行する(ステップ54)。この第1絶縁検査では、制御部15は、検査用信号生成部12の電圧信号生成回路31を制御して電圧信号Sv(一例として、10V〜1000V程度の高い直流電圧)を生成させる。次いで、制御部15は、記憶部14から導体パターン群データDgを読み出して、その導体パターン群データDgに基づいて第1導体パターン群Gfを構成する導体パターンP1〜P12、および第2導体パターン群Gsを構成する導体パターンPを特定する。
続いて、制御部15は、スキャナ部11を制御して、第1導体パターン群Gf内の(第1導体パターン群Gfを構成する)全ての導体パターンP1〜P12の各接続点Hに接触しているプローブピン21を電圧信号生成回路31に接続すると共に、第2導体パターン群Gs内(第2導体パターン群Gsを構成する)の全ての導体パターンP13〜P24の各接続点Hに接触しているプローブピン21をグランド電位に接続する。これにより、電圧信号Svが各プローブピン21を介して、第1導体パターン群Gf内の各導体パターンPと第2導体パターン群Gs内の各導体パターンPとの間に供給(印加)される。
この場合、上記したように、第1導体パターン群Gf内の全ての導体パターンPがプローブピン21を介して検査用信号生成部12に接続されて各導体パターンPが同電位(この例では、電圧信号Svの電位)に維持され、第2導体パターン群Gs内の全ての導体パターンPがプローブピン21を介してグランド電位に接続されて各導体パターンPが同電位(この例では、グランド電位)に維持されている。このため、第1導体パターン群Gf内の各導体パターンPの間に大きな電位差が生じることに起因して各導体パターンPの間に接続されている電子部品Eが破損する事態が確実に防止される。
次いで、制御部15は、測定部13に対して、電圧信号Svの供給に伴って第1導体パターン群Gfと第2導体パターン群Gsとの間に流れる電流を測定させる。続いて、制御部15は、測定部13によって測定された電流の測定値および電圧信号Svの電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較して第1導体パターン群Gf内の導体パターンPと第2導体パターン群Gs内の導体パターンPとの間の絶縁状態の良否を検査する。この場合、制御部15は、算出した抵抗値が基準値未満のときには、絶縁状態が不良と判別して、その旨を図外の表示部に表示させて検査処理50を終了する。
一方、上記の第1絶縁検査において、算出した抵抗値が基準値以上のときには、制御部15は、絶縁状態が良好と判別して、次いで、第2絶縁検査を実行する(ステップ55)。この第2絶縁検査では、制御部15は、検査用信号生成部12の電圧信号生成回路31を制御して電圧信号Svを生成させる。続いて、制御部15は、記憶部14から導体パターン群データDgを読み出して、その導体パターン群データDgに基づき、各第3導体パターン群Gtのうちの1つの第3導体パターン群Gt(例えば、第3導体パターン群Gt1:図2参照)を構成する導体パターンP(この例では、導体パターンP1〜P8:同図参照)を特定すると共に、他の第3導体パターン群Gt(例えば、第3導体パターン群Gt2:同図参照)を構成する導体パターンP(この例では、導体パターンP9,P10:同図参照)を特定する。次いで、制御部15は、スキャナ部11を制御して、第3導体パターン群Gt1内の全ての導体パターンP1〜P8の各接続点Hに接触しているプローブピン21を電圧信号生成回路31に接続すると共に、第3導体パターン群Gt1以外の他の第3導体パターン群Gt2内の全ての導体パターンP9,P10の各接続点Hに接触しているプローブピン21をグランド電位に接続する。
これにより、電圧信号Svが、第3導体パターン群Gt1内の各導体パターンPと、第3導体パターン群Gt2内の各導体パターンPとの間に各プローブピン21を介して供給(印加)される。なお、この例では、第3導体パターン群Gt1側から見たときの第3導体パターン群Gt2内の各導体パターンP、および第3導体パターン群Gtf2側から見たときの第3導体パターン群Gt1内の各導体パターンPが、本発明における「第1導体パターン群内であってかつ第3導体パターン群外の導体パターン」にそれぞれ相当する。
この場合、この第2絶縁検査においても、第3導体パターン群Gt1内の全ての各導体パターンPが同電位に維持され、第3導体パターン群Gt2内の全ての各導体パターンPが同電位に維持されているため、上記した第1絶縁検査と同様にして、同じ第3導体パターン群Gt内の各導体パターンP間に接続されている電子部品Eが破損する事態が確実に防止される。
続いて、制御部15は、測定部13に対して、電圧信号Svの供給に伴って第3導体パターン群Gt1と第3導体パターン群Gt2との間に流れる電流を測定させる。次いで、制御部15は、測定部13によって測定された電流の測定値および電圧信号Svの電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較して第3導体パターン群Gt1内の導体パターンPと第3導体パターン群Gt2内の導体パターンPとの間(電圧信号Svを供給している導体パターンPの間)の絶縁状態の良否を検査する。
続いて、制御部15は、上記と同様にして、第3導体パターン群Gt1内の導体パターンPと第3導体パターン群Gt3内の導体パターンPとの間、および第3導体パターン群Gt2内の導体パターンPと第3導体パターン群Gt3内の導体パターンPとの間の絶縁状態の良否検査を順次行う。
次いで、制御部15は、全ての第3導体パターン群Gt間についての絶縁状態の良否検査が終了したときには、各第3導体パターン群Gt内の各導体パターンPの間の絶縁状態の良否を検査する。この場合、制御部15は、電圧信号生成回路31を制御して、電子部品Eに印加しても破損しない程度の低電圧の電圧信号Sv(一例として、0.1V〜0.5V程度の直流電圧)を生成させる。続いて、各第3導体パターン群Gtの1つ(例えば第3導体パターン群Gt1)内の各導体パターンPの中から2つの導体パターンPを選択して、一方の導体パターンPの接続点Hに接触しているプローブピン21を電圧信号生成回路31に接続すると共に、他方の導体パターンPの接続点Hに接触しているプローブピン21をグランド電位に接続する。これにより、低電圧の電圧信号Svが各プローブピン21を介して、両導体パターンPの間に供給(印加)される。
次いで、制御部15は、測定部13に対して、電圧信号Svの供給に伴って両導体パターンPの間に流れる電流を測定させる。続いて、制御部15は、測定部13によって測定された電流の測定値および電圧信号Svの電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較して両導体パターンPの間の絶縁状態の良否を検査する。次いで、制御部15は、第3導体パターン群Gt1内の各導体パターンPの中から2つを選択する全ての組み合わせについての絶縁状態の良否検査を順次行う。続いて、制御部15は、同様にして、他の第3導体パターン群Gt内における導体パターンPの間の絶縁状態の良否検査を行い、全ての第3導体パターン群Gtについての良否検査を終了したときには、検査結果を図外の表示部に表示させる。
この場合、2つの導体パターンPに電圧信号Svを供給して行う絶縁状態の良否検査を、第3導体パターン群Gt内の各導体パターンPの中から2つを選択する全ての組み合わせについて行う上記の方式(総当たり方式)の検査に代えて、バルクショート方式で検査を行うこともできる。このバルクショート方式の検査では、第3導体パターン群Gt内の各導体パターンPの中から1つの導体パターンPを選択し、その1つを除く他の全ての導体パターンPを互いに接続した状態で、上記1つの導体パターンPと互いに接続した他の各導体パターンPとの間に電圧信号Svを供給して、その1つの導体パターンと他の各導体パターンPとの間の抵抗値を測定し、その抵抗値と基準値とを比較して絶縁状態を検査する。このバルクショート方式の検査では、(第3導体パターン群Gt内の全ての導体パターンPの数−1)回の検査を行うことで、第3導体パターン群Gt内の全ての導体パターンPについての絶縁状態の良否検査を行うことができるため、第3絶縁検査の検査効率の向上が可能となる。
また、上記した総当たり方式の検査やバルクショート方式の検査に代えて、いわゆるマルチプル方式で検査を行うこともできる。このマルチプル方式の検査では、第3導体パターン群Gt内の各導体パターンPを2つのグループ(Aグループ、Bグループ)にグループ分けし、各グループ内において各導体パターンPを互いに同電位としつつ各導体パターンPに電圧信号Svを供給して、各導体パターンP間の絶縁状態が良好であるか否かを検査する。そして、この検査を、グループ分けの内容(各グループに所属させる導体パターンPやその数)を所定の規則に従って変更しつつ所定の回数だけ行う。この場合、全ての導体パターンP間の絶縁状態が良好であるか否かを検査するのに必要な検査回数(グループ分けの回数)は、全ての導体パターンPの数をNとしたときに、logN以上であってlogNに最も近い整数で規定される(例えば、N=8のときには3回)。このため、このマルチプル方式の検査では、上記した総当たり方式の検査やバルクショート方式の検査よりもさらに少ない検査回数で第3導体パターン群Gt内の全ての導体パターンPについての絶縁状態の良否検査を行うことができる。
次いで、制御部15は、第3絶縁検査を実行する(ステップ56)。この第3絶縁検査では、制御部15は、検査用信号生成部12の電圧信号生成回路31を制御して電圧信号Svを生成させる。続いて、制御部15は、記憶部14から導体パターン群データDgを読み出して、その導体パターン群データDgに基づいて第2導体パターン群Gsを構成する導体パターンP13〜P24を特定する。
次いで、制御部15は、スキャナ部11を制御して、第2導体パターン群Gs内の(第2導体パターン群Gsを構成する)各導体パターンPの中から2つの導体パターンPを選択して、一方の導体パターンPの接続点Hに接触しているプローブピン21を電圧信号生成回路31に接続すると共に、他方の導体パターンPの接続点Hに接触しているプローブピン21をグランド電位に接続する。これにより、電圧信号Svが各プローブピン21を介して、両導体パターンPの間に供給(印加)される。
続いて、制御部15は、測定部13に対して、電圧信号Svの供給に伴って両導体パターンPの間に流れる電流を測定させる。次いで、制御部15は、測定部13によって測定された電流の測定値および電圧信号Svの電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較して両導体パターンPの間の絶縁状態の良否を検査する。続いて、制御部15は、第2導体パターン群Gs内の各導体パターンPの中から2つを選択する全ての組み合わせについての絶縁状態の良否検査を順次行う。次いで、制御部15は、全ての導体パターンPの間についての絶縁状態の良否検査を終了したときには、検査結果を図外の表示部に表示させる。この場合、第2絶縁検査と同様にして、総当たり方式の検査に代えて、上記したバルクショート方式やマルチプル方式で検査を行うこともできる。
また、制御部15は、上記した第2絶縁検査および第3絶縁検査の少なくとも一方(いずれかまたは双方)に並行して導通検査を実行する(ステップ57)。この導通検査では、制御部15は、検査用信号生成部12の電流信号生成回路32を制御して電流信号Siを生成させる。続いて、制御部15は、各導体パターンPの中から、第2絶縁検査および第3絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンP(両絶縁検査の対象となっていない導体パターンP)を導通検査対象の導体パターンPとして選択する。次いで、制御部15は、スキャナ部11を制御して、選択した導体パターンPの一端部の接続点Hに接触しているプローブピン21を電流信号生成回路32に接続すると共に、その導体パターンPの他端部の接続点Hに接触しているプローブピン21をグランド電位に接続する。これにより、その導体パターンPに電流信号Siが供給される。
続いて、制御部15は、測定部13に対して、電流信号Siの供給に伴って導通検査対象の導体パターンPの両端部間(両接続点H,H間)に生じる電圧を測定させる。次いで、制御部15は、測定部13によって測定された電圧の測定値および電流信号Siの電流値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較してその導体パターンPの導電状態を検査する。続いて、制御部15は、導通検査対象の導体パターンPを他の導体パターンPに変更して導通検査を順次実行する。
次いで、制御部15は、第2絶縁検査、第3絶縁検査および導通検査の全てが完了したときには、検査処理50を終了する。この場合、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法では、上記したように第1絶縁検査および第2絶縁検査の少なくとも一方と導通検査とを並行して実行している。このため、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法では、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方を行う従来の回路基板検査装置と比較して、第1絶縁検査および第2絶縁検査の少なくとも一方と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することが可能となっている。
このように、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法では、第1絶縁検査において絶縁状態が良好と判別したときに、第2絶縁検査および第3絶縁検査を実行すると共に、第2絶縁検査および第3絶縁検査のいずれもが実行されていない導体パターンPの導通状態を検査する導通検査を第2絶縁検査および第3絶縁検査の少なくとも一方と並行して実行する。このため、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法によれば、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を実行した後に両検査の他方を実行する従来の回路基板検査装置と比較して、第1絶縁検査および第2絶縁検査の少なくとも一方と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することができる。したがって、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法によれば、数多くの導体パターンPを有する回路基板に対する検査を行う際の検査効率を十分に向上させることができる。
また、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法では、第2絶縁検査において、第1導体パターン群Gf内の各導体パターンPのうちの電子部品Eを介して互いに接続されている導体パターンPで構成される第3導体パターン群Gt内の導体パターンPを互いに同電位としつつ第1導体パターン群Gf内であってかつその第3導体パターン群Gt外の他の導体パターンPとの間に電圧信号Svを供給したときに生じる電流値に基づいて電圧信号Svが供給されている導体パターンPの間の絶縁状態を検査する。このため、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法によれば、同一の第3導体パターン群Gt内における各導体パターンPの間に電位差が生じることに起因する電子部品Eの損傷を確実に回避することができる。
また、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法によれば、記憶部14に記憶されている接続データDcに基づいて各導体パターン群Gf,Gs,Gtを特定することにより、どの導体パターンPが電子部品Eによって接続されているかを調査して各導体パターン群Gf,Gs,Gtを特定する作業を不要とすることができる結果、その分、検査効率を向上させることができる。
なお、本発明は、上記した構成および方法に限定されない。例えば、第2絶縁検査を実行した後に第3絶縁検査を実行し、これらの両絶縁検査の少なくとも一方と並行して導通検査を実行する例について上記したが、第3絶縁検査を実行した後に第2絶縁検査を実行し、これらの両絶縁検査の少なくとも一方と並行して導通検査を実行する構成および方法を採用することもできる。また、第2絶縁検査と第3絶縁検査とを並行して実行し、さらに両絶縁検査と並行して導通検査を実行する構成および方法を採用することもできる。また、上記した第1絶縁検査、第2絶縁検査、第3絶縁検査および導通検査に加えて電子部品Eの良否検査を行う回路基板検査装置および回路基板検査方法に適用することもできる。
また、第2絶縁検査において、各第3導体パターン群Gt内の各導体パターンPを同電位として高電圧の電圧信号Sv(上記の例では、10V〜1000V程度の直流電圧)を用いて絶縁状態の良否検査を行った後に、低電圧の電圧信号Sv(上記の例では、0.1V〜0.5V程度の直流電圧)を用いて各第3導体パターン群Gt内の各導体パターンPの間の絶縁状態の良否検査を行う例について上記したが、第1導体パターン群Gf内の全ての導体パターンP(つまり、全ての第3導体パターン群Gt内の全ての導体パターンP)を対象として、低電圧の電圧信号Svを用いて、総当たり方式、バルクショート方式およびマルチプル方式のいずれかの方式で絶縁状態の良否検査を行う構成および方法を採用することもできる。
さらに、一面に導体パターンPが形成された回路基板100に対する検査を実行する構成および方法について上記したが、一対のプローブユニット3を備えて、両面に導体パターンPが形成された回路基板に対して検査を実行する構成および方法に適用することもできる。また、多層の回路基板や、基板内部に電子部品が内蔵された部品内蔵型の回路基板を検査する構成および方法に適用することもできる。さらに、プローブユニット3を備えて各導体パターンPにプローブピン21を一度に接触させる構成例について上記したが、一対(または複数対)のプローブピンを移動させて、電圧信号Svを供給すべき導体パターンPにのみプローブピンを接触させるフライングプローブタイプの回路基板検査装置に適用することもできる。また、3個の第3導体パターン群Gt、および12個の単独の導体パターンPを有する回路基板100に対して検査を実行する例について上記したが、第3導体パターン群Gtの数や単独の導体パターンPの数が回路基板100とは異なる各種の回路基板に対して検査を実行する際にも上記と同様の効果を実現することができるのは勿論である。
1 回路基板検査装置
5 検査部
14 記憶部
15 制御部
100 回路基板
Dc 接続データ
E1〜E4 電子部品
Gf 第1導体パターン群
Gs 第2導体パターン群
Gt1〜Gt3 第3導体パターン群
P1〜P24 導体パターン
Si 電流信号
Sv 電圧信号

Claims (4)

  1. 複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板における当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する検査部を備えた回路基板検査装置であって、
    前記検査部は、前記電子部品が接続されている前記導体パターンで構成される第1導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位とすると共に当該電子部品が接続されていない前記導体パターンで構成される第2導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該第1導体パターン群内の当該導体パターンと当該第2導体パターン群内の当該導体パターンとの間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査を実行し、当該第1絶縁検査において当該絶縁状態が良好と判別したときに、
    前記第1導体パターン群内の前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査、および前記第2導体パターン群内の前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第3絶縁検査を実行すると共に、前記第2絶縁検査および前記第3絶縁検査のいずれもが実行されていない前記導体パターンの導通状態を検査する導通検査を当該両絶縁検査の少なくとも一方と並行して実行する回路基板検査装置。
  2. 前記検査部は、前記第2絶縁検査において、前記第1導体パターン群内の前記各導体パターンのうちの前記電子部品を介して互いに接続されている導体パターンで構成される第3導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ、当該第3導体パターン群内の当該導体パターンと、当該第1導体パターン群内であってかつ当該第3導体パターン群外の前記導体パターンとの間の絶縁状態を検査する請求項1記載の回路基板検査装置。
  3. 前記電子部品が接続されている前記導体パターンを特定可能な接続データを記憶する記憶部と、前記接続データに基づいて前記各導体パターン群を特定する特定処理を実行する処理部とを備えている請求項1または2記載の回路基板検査装置。
  4. 複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板における当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査方法であって、
    前記電子部品が接続されている前記導体パターンで構成される第1導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位とすると共に当該電子部品が接続されていない前記導体パターンで構成される第2導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該第1導体パターン群内の当該導体パターンと当該第2導体パターン群内の当該導体パターンとの間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査を実行し、当該第1絶縁検査において当該絶縁状態が良好と判別したときに、
    前記第1導体パターン群内の前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査、および前記第2導体パターン群内の前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第3絶縁検査を実行すると共に、前記第2絶縁検査および前記第3絶縁検査のいずれもが実行されていない前記導体パターンの導通状態を検査する導通検査を当該両絶縁検査の少なくとも一方と並行して実行する回路基板検査方法。
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