JP2010066396A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】広視野角化が可能であるとともに、表示品位の良好な横電界方式の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持し、マトリクス状に配置された画素からなる表示エリアを備えた液晶表示パネルＬＰＮを備え、
アレイ基板ＡＲは、
各画素に配置されたボトムゲート型のスイッチング素子Ｗと、
スイッチング素子を覆う第１絶縁膜２４と、
第１絶縁膜の上において表示エリアの全体にわたって配置された第１電極Ｅ１と、
第１電極を覆う第２絶縁膜２６と、
第２絶縁膜の上において各画素に配置され、スイッチング素子に接続され、第１電極と対向するスリットＳＬが形成された第２電極Ｅ２と、を備え、
第１電極には、スイッチング素子のチャネルＣＨＮと対向する開口部ＡＰ１が形成されたことを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

この発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示装置を構成する一方の基板に一対の電極を備えた構造の液晶表示装置に関する。

近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、各種分野に適用されている。このような液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を保持した構成であり、画素電極とコモン電極との間の電界によって液晶層を通過する光に対する変調率を制御し、画像を表示するものである。

このような液晶表示装置において、広視野角化の観点から、横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が特に注目されている。

Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＩＰＳ）モードや、Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ（ＦＦＳ）モードなどの横電界方式の液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と共通電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングするように構成されている。

例えば、特許文献１によれば、横電界方式の液晶表示装置において、走査線に印加される高電圧の信号に基づく直流電界がその近傍の液晶に印加されないようにシールド電極を設け、しかも、このシールド電極を各画素の共通電極間を接続するコモン配線として利用する技術が開示されている。
特開２００８−４６１８４号公報

この発明の目的は、広視野角化が可能であるとともに、表示品位の良好な横電界方式の液晶表示装置を提供することにある。

この発明の態様による液晶表示装置は、
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持し、マトリクス状に配置された画素からなる表示エリアを備えた液晶表示パネルを備え、
前記第１基板は、
各画素に配置されたボトムゲート型のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上において前記表示エリアの全体にわたって配置された第１電極と、
前記第１電極を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜の上において各画素に配置され、前記スイッチング素子に接続され、前記第１電極と対向するスリットが形成された第２電極と、を備え、
前記第１電極には、前記スイッチング素子のチャネルと対向する開口部が形成されたことを特徴とする。

この発明によれば、広視野角化が可能であるとともに、表示品位の良好な横電界方式の液晶表示装置を提供することができる。

以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。ここでは、一方の基板に第１電極及び第２電極を備え、これらの間に形成される横電界（基板の主面にほぼ平行な電界）を主に利用して液晶分子をスイッチングする液晶モードとして、ＦＦＳモードの液晶表示装置を例に説明する。

図１乃至図３に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示エリア（アクティブエリア）ＤＳＰを備えている。この表示エリアＤＳＰは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数）。

アレイ基板ＡＲは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板２０を用いて形成されている。すなわち、このアレイ基板ＡＲは、表示エリアＤＳＰにおいて、絶縁基板２０の上に、各画素ＰＸの行方向Ｈに沿ってそれぞれ延出したｎ本のゲート線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、各画素ＰＸの列方向Ｖに沿ってそれぞれ延出したｍ本のソース線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各画素ＰＸにおいてゲート線Ｙとソース線Ｘとの交差部を含む領域に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子Ｗ、表示エリアＤＳＰの全体にわたって配置された第１電極Ｅ１、各画素ＰＸに配置された第２電極Ｅ２などを備えている。

ゲート線Ｙは、ゲート絶縁膜２２を介してソース線Ｘに交差している。このようなゲート線Ｙ及びソース線Ｘは、例えばモリブデン、アルミニウム、タングステン、チタンなどの導電材料によって形成されている。

スイッチング素子Ｗは、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。スイッチング素子Ｗの半導体層は、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能であり、ここではアモルファスシリコンによって形成されている。

ゲート線Ｙは、絶縁基板２０の上に配置されている。また、スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、ゲート線Ｙに電気的に接続されている（あるいは絶縁基板２０の上においてゲート線Ｙと一体的に形成されている）。これらのゲート線Ｙ及びゲート電極ＷＧは、同一材料を用いて同一工程で形成可能である。このようなゲート線Ｙ及びゲート電極ＷＧは、ゲート絶縁膜２２によって覆われている。このゲート絶縁膜２２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。

ソース線Ｘは、ゲート絶縁膜２２の上に配置されている。また、スイッチング素子Ｗの半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜２２の上においてゲート電極ＷＧと対向するように配置されている。

スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、ゲート絶縁膜２２の上に配置されている。ソース電極ＷＳは、ソース線Ｘに電気的に接続される（あるいはソース線Ｘと一体的に形成される）とともに、半導体層ＳＣにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、第２電極Ｅ２に電気的に接続されるとともに、ソース電極ＷＳから離れて半導体層ＳＣにコンタクトしている。半導体層ＳＣにおいて、ソース電極ＷＳにコンタクトした領域とドレイン電極ＷＤにコンタクトした領域との間は、チャネルＣＨＮとして機能する。

これらのソース線Ｘ、ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、同一材料を用いて同一工程で形成可能である。このような半導体層ＳＣ、ソース線Ｘ、ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第１絶縁膜２４によって覆われている。この第１絶縁膜２４は、パッシベーション膜として機能し、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。

このように、本実施の形態においては、スイッチング素子Ｗとして、ゲート電極ＷＧが下側（絶縁基板２０側）にあり、チャネル（半導体層ＳＣでソース・ドレイン間の電流が流れる部分）が上側（液晶層ＬＱ側）にある構造のボトムゲート型の薄膜トランジスタを適用している。

第１電極Ｅ１は、第１絶縁膜２４の上において表示エリア全体にわたって配置されている。すなわち、この第１電極Ｅ１は、各画素ＰＸに対応して配置されるとともに画素間にも配置された概ねベタ状であり、ゲート線Ｙ及びソース線Ｘを覆うように配置されている。このような第１電極Ｅ１は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。

図２及び図３に示した実施の形態においては、第１電極Ｅ１は、概ねスイッチング素子Ｗも覆うように配置されているが、第１電極Ｅ１の少なくともチャネルＣＨＮに対向する領域には第１開口部ＡＰが形成されている。ここに示した例では、第１開口部ＡＰ１は、半導体層ＳＣの全体に対向するように形成されている。

また、第１電極Ｅ１には、第１開口部ＡＰとは別に、第１開口部ＡＰから離間した領域に第２開口部ＡＰ２が形成されている。この第２開口部ＡＰ２は、第２電極Ｅ２とスイッチング素子Ｗとを接続するためのコンタクト部に相当する。このような第１電極Ｅ１は、第２絶縁膜２６によって覆われている。この第２絶縁膜２６は、第１絶縁膜２４と同様に、パッシベーション膜として機能し、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。

第２電極Ｅ２は、第２絶縁膜２６の上において各画素ＰＸに配置されている。すなわち、各第２電極Ｅ２は、第２絶縁膜２６を介して第１電極Ｅ１と対向している。この第２電極Ｅ２は、各画素ＰＸにおいて画素形状に対応した島状、例えば、四角形の面状に形成されている。

また、この第２電極Ｅ２には、第１電極Ｅ１と対向する複数のスリットＳＬが形成されている。スリットＳＬは、例えば概ね長方形状あるいは長円形状に形成されている。図２に示した例では、このスリットＳＬは、その長軸Ｌが行方向Ｈ及び列方向Ｖと非平行となるように形成されている。このような複数のスリットＳＬは、列方向Ｖに並んでいる。

図２及び図３に示した実施の形態においては、第２電極Ｅ２は、第１絶縁膜２４及び第２絶縁膜２６を貫通するコンタクトホールＣＨ及び第１電極Ｅ１の第２開口部ＡＰ２を介してスイッチング素子Ｗのドレイン電極ＥＤにコンタクトしている。

このような第２電極Ｅ２は、第１電極Ｅ１と同様に、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。第２電極Ｅ２は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。この第１配向膜ＡＬ１は、例えばポリイミドによって形成されている。

各ゲート線Ｙは、表示エリア外に引き出され、コントローラＣＮＴによって制御されるゲートドライバＹＤに接続されている。各ソース線Ｘは、表示エリア外に引き出され、コントローラＣＮＴによって制御されるソースドライバＸＤに接続されている。第１電極Ｅ１には、コントローラＣＮＴなどから供給されたコモン電圧が印加されている。

ゲートドライバＹＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいてｎ本のゲート線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。また、ソースドライバＸＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいて各行のスイッチング素子Ｗが走査信号によってオンするタイミングでｍ本のソース線Ｘにそれぞれ映像信号（駆動信号）を供給する。各行の第２電極Ｅ２は、第１電極Ｅ１の電位に対して、対応するスイッチング素子Ｗを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。

一方、対向基板ＣＴは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。特に、カラー表示タイプの液晶表示装置においては、図３に示したように、対向基板ＣＴは、絶縁基板３０の内面（すなわち液晶層ＬＱに対向する側）に、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３２、ブラックマトリクス３２によって囲まれた各画素ＰＸに配置されたカラーフィルタ層３４などを備えている。また、対向基板ＣＴは、さらに、カラーフィルタ層３４の表面の凹凸を平坦化するように比較的厚い膜厚で配置されたオーバーコート層などを備えて構成してもよい。

ブラックマトリクス３２は、絶縁基板３０上において、アレイ基板ＡＲに設けられたゲート線Ｙやソース線Ｘ、さらにはスイッチング素子Ｗなどの配線部に対向するように配置されている。このブラックマトリクス３２は、例えば黒色に着色された着色樹脂によって形成されている。

カラーフィルタ層３４は、絶縁基板３０上に配置され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂、及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素、及び緑色画素に対応して配置されている。

このようなカラーフィルタ層３４は、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。この第２配向膜ＡＬ２は、たとえばポリイミドによって形成されている。

上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間には、図示しないスペーサ（例えば、樹脂材料によって一方の基板と一体的に形成された柱状スペーサ）が配置され、これにより、所定のギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。

液晶層ＬＱは、これらのアレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間に形成されたギャップに封入された液晶分子ＬＭを含む誘電率異方性が正の液晶組成物によって構成されている。

第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子ＬＭの配向を規制するようにラビング処理されている。液晶分子ＬＭは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２による規制力によってホモジニアス配向されている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２のラビング方向Ｓは、スリットＳＬの長軸Ｌに対して非平行且つ非直角の方向である。

透過型の液晶表示パネルＬＰＮを備えた液晶表示装置は、さらに、液晶表示パネルＬＰＮに対してアレイ基板ＡＲ側に配置された照明ユニットすなわちバックライトユニットＢＬを備えている。このバックライトユニットＢＬは、アレイ基板ＡＲ側から液晶表示パネルＬＰＮを照明する。このようなバックライトとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。

また、この液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面（すなわちアレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱと接する面とは反対の面）に設けられた光学素子ＯＤ１を備え、また、液晶表示パネルＬＰＮの他方の外面（すなわち対向基板ＣＴの液晶層ＬＱと接する面とは反対の面）に設けられた光学素子ＯＤ２を備えている。

これらの光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、それぞれ偏光板を含み、例えば第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電位差が形成されていない（つまり、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電界が形成されていない）無電界時において、液晶表示パネルＬＰＮの透過率が最低となる（つまり、黒色画面を表示する）ノーマリーブラックモードを実現している。

すなわち、このような液晶表示装置においては、無電界時には、液晶分子ＬＭは、その長軸Ｄが第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２のラビング方向Ｓと平行な方位を向くように配向されている。このような状態では、バックライトユニットＢＬからのバックライト光は、光学素子ＯＤ１を透過した後、液晶表示パネルＬＰＮを透過し、光学素子ＯＤ２に吸収される（黒色画面表示）。

第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に電位差が形成された場合（つまり、第２電極Ｅ２に第１電極Ｅ１とは異なる電位の電圧が印加された電圧印加時）には、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に横電界（フリンジ電界）が形成される。この横電界は、スリットＳＬを介してその長軸Ｌに対して直交する方位に形成される。

このとき、液晶分子ＬＭの配向状態は、その長軸Ｄがラビング方向Ｓから横電界に平行な方向を向くように変化する。このように、液晶分子ＬＭの長軸Ｄの方位がラビング方向Ｓから変化すると、液晶層ＬＱを透過する光に対する変調率が変化する。このため、バックライトユニットＢＬから出射され液晶表示パネルＬＰＮを透過したバックライト光の一部は、第２光学素子ＯＤ２を透過する（白色画面表示）。このようにして選択的にバックライト光を液晶表示パネルＬＰＮで選択的に透過し、画像を表示する。

上述した本実施の形態における液晶表示パネルＬＰＮの構造は、第１電極Ｅ１を挟んで上側（すなわち対向基板側）が画素ＰＸを構成する液晶駆動部、下側（すなわちバックライト側）がスイッチング素子Ｗ、ゲート線Ｙ、ソース線Ｘなどの駆動制御部あるいは配線部というように、完全に電気的に分離（シールド）されていることが特徴である。

このような構造によれば、ゲート線Ｙやソース線Ｘに駆動信号が供給されても、その影響（寄生容量によるカップリング等）が液晶駆動部に及ぶことが無く、カップリングによるクロストーク等を抑制することが可能であり、高品質な画像を得ることができる。

一方で、発明者は、ドレインＷＤと第２電極Ｅ２とのコンタクト部を除いて第１電極Ｅ１に開口部を設けていない基本構造では不具合があることを発見し、その解析に基づいて本発明の構成に至った。それについて、以下に述べる。

すなわち、発明者は、実際に基本構造のＦＦＳモードの液晶表示装置を試作し、実際に駆動してみたところ、顕著な焼き付きが観察された。解析の結果、基本構造においては、スイッチング素子が第１電極Ｅ１によって覆われているため、ゲート選択時に第１電極の電位によってスイッチング素子の半導体層におけるチャネルでのキャリア発生が妨げられ、スイッチング素子のＶ−Ｔ特性（閾値）が正側にシフトし、スイッチング素子の充電能力が著しく低下するためであることがわかった。

液晶層には、１フレーム毎に正−負の極性の映像信号が書き込まれるが、このうち、特に正極性側において充電能力が低下するため（正極性側はソース線の電位からみたときのゲートＯＮ電位がもともと低く、Ｖ−Ｔ特性の正側シフトが起こったときのＯＮ電流の低下のしかたが著しいため）、液晶層に保持される電圧の正負平均（ＤＣ成分）としてみたときに負側にシフトすることになり、液晶層に不要なＤＣ成分が印加され、これに起因して、焼き付きが顕著になったと考えられる。

以上の経緯から、本実施の形態では、第１電極Ｅ１において、スイッチング素子Ｗの少なくともチャネルＣＨＮの真上の部分に対向するような第１開口部ＡＰ１を形成している。これにより、第１電極Ｅ１からチャネルＣＨＮへの余分な電界の発生を抑えることができ、焼き付きを改善することが可能となる。

実際に図３に示したようなレイアウトでＦＦＳモードの液晶表示装置を試作したところ、焼き付きは殆ど観測されなかった。これにより、チャネルＣＨＮの真上の部分の第１電極Ｅ１をくり抜くことが焼き付き対策として有効であることが確認された。

さらに我々は、第１電極Ｅ１とチャネルＣＨＮとの間にある第１絶縁膜２４の膜厚依存性についても調べた。具体的には、基本構造（チャネルの真上にも第１電極が配置されている構造）及び本実施形態の構造（第１電極のチャネル真上に第１開口部が形成された構造）のそれぞれについて、第１絶縁膜２４が３００〜７００ｎｍの範囲の膜厚を有する液晶表示装置を試作し、焼き付きの評価を行った。

その結果を図４に示す。すなわち、基本構造によれば、第１絶縁膜２４の膜厚を薄くするに従って焼き付きが顕著になっていくことが明らかになり、特に、第１絶縁膜２４の膜厚が５００ｎｍ以下の場合、固定パターンを１時間連続して表示した後で顕著な焼き付きが発生した。これは、第１絶縁膜２４の膜厚が薄いほどチャネルＣＨＮが第１電極Ｅ１の電位の影響を受けやすくなるためと考えられる。

一方で、本実施の形態の構造によれば、第１絶縁膜２４の膜厚に関係なく、固定パターンを１２時間連続して表示した後でも焼き付きは視認されなかった。特に、本実施の形態の構造は、５００ｎｍ以下の膜厚の第１絶縁膜２４を適用する場合に極めて有効であることが確認された。

なお、第１開口部ＡＰ１としては、チャネルＣＨＮに対向する必要最小限の部分だけに形成すれば十分である。実際には、製造時のマスク合わせなどによりチャネルＣＨＮと第１電極Ｅ１に形成する第１開口部ＡＰ１の位置関係がずれることもありうるため、その分をマージンとしてチャネルＣＨＮの外形寸法よりやや大きめのサイズの第１開口部ＡＰ１を形成することが望ましい。

一方で、第１開口部ＡＰ１の外形寸法が大きすぎると、ゲート線Ｙと第２電極Ｅ２との間に余計な寄生容量が発生し、液晶駆動部と駆動制御部あるいは配線部（スイッチング素子、ソース線、ゲート線等）を電気的に分離するという本来のシールドの効果が失われてしまうため、望ましくない。

以上説明したように、本実施の形態によれば、大きな開口率を確保できるので高輝度化が可能であり、かつ広視野角化が可能な横電界方式の液晶表示装置であって、焼き付きがなく、表示品位の良好な液晶表示装置を得ることができる。

なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

たとえば、上述した実施の形態においては、第１電極Ｅ１には、チャネルＣＨＮに対向する第１開口部ＡＰ１と、スイッチング素子Ｗと第２電極Ｅ２とを接続するための第２開口部ＡＰ２とを別々に形成したが、連結して単一の開口部ＡＰとして形成してもよい。

すなわち、図５及び図６に示すように、第１電極Ｅ１は、概ね表示エリアＤＳＰの全体にわたって配置されているが、第１電極Ｅ１の少なくともチャネルＣＨＮに対向する領域には、第２電極Ｅ２とスイッチング素子Ｗとを接続するためのコンタクト部と一体の開口部ＡＰが形成されている。

第２電極Ｅ２は、第１絶縁膜２４及び第２絶縁膜２６を貫通するコンタクトホールＣＨ及び第１電極Ｅ１の開口部ＡＰを介してスイッチング素子Ｗのドレイン電極ＥＤにコンタクトしている。

このようなレイアウトを採用しても、上述した実施の形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。

また、上述した実施の形態では、チャネルＣＨＮと第１電極との間にある第１絶縁膜は窒化シリコン（ＳｉＮ）膜であると説明したが、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜や有機絶縁膜などであっても勿論かまわない。

図１は、この発明の一実施の形態に係る横電界を利用した液晶モードの液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した液晶表示装置に適用される画素の構成を概略的に示す平面図である。 図３は、図２に示した液晶表示装置の構造を示す概略的に示す断面図である。 図４は、第１絶縁膜の膜厚に対する焼き付きの発生状況を測定した結果を示す図である。 図５は、図１に示した液晶表示装置に適用される画素の他の構成を概略的に示す平面図である。 図６は、図５に示した液晶表示装置の構造を示す概略的に示す断面図である。

符号の説明

ＬＰＮ…液晶表示パネル
ＡＲ…アレイ基板 ＣＴ…対向基板 ＬＱ…液晶層
ＤＳＰ…表示エリア ＰＸ…画素
Ｙ…ゲート線 Ｘ…ソース線
Ｗ…スイッチング素子
Ｅ１…第１電極 ＡＰ…開口部
Ｅ２…第２電極 ＳＬ…スリット
ＡＬ１…第１配向膜 ＡＬ２…第２配向膜

Claims (7)

1. 第１基板と第２基板との間に液晶層を保持し、マトリクス状に配置された画素からなる表示エリアを備えた液晶表示パネルを備え、
   前記第１基板は、
   各画素に配置されたボトムゲート型のスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子を覆う第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜の上において前記表示エリアの全体にわたって配置された第１電極と、
   前記第１電極を覆う第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜の上において各画素に配置され、前記スイッチング素子に接続され、前記第１電極と対向するスリットが形成された第２電極と、を備え、
   前記第１電極には、前記スイッチング素子のチャネルと対向する開口部が形成されたことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１電極には、前記開口部から離間して、前記スイッチング素子と前記第２電極とを接続するためのコンタクト部が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記開口部は、前記スイッチング素子と前記第２電極とを接続するためのコンタクト部と一体に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記スイッチング素子のチャネルと前記第１電極との間の前記第１絶縁膜の膜厚は、５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１電極及び前記第２電極は、光透過性を有する導電材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１基板は、絶縁基板と前記第１絶縁膜との間に、各画素の行方向に沿って延出したゲート線、及び、各画素の列方向に沿って延出したソース線を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 前記スイッチング素子は、アモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

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