[go: up one dir, main page]

JP2010062116A - 有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010062116A
JP2010062116A JP2008229609A JP2008229609A JP2010062116A JP 2010062116 A JP2010062116 A JP 2010062116A JP 2008229609 A JP2008229609 A JP 2008229609A JP 2008229609 A JP2008229609 A JP 2008229609A JP 2010062116 A JP2010062116 A JP 2010062116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
insulating material
glass
glass substrate
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008229609A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5012739B2 (ja
Inventor
Koichi Tanaka
幸一 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP2008229609A priority Critical patent/JP5012739B2/ja
Publication of JP2010062116A publication Critical patent/JP2010062116A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5012739B2 publication Critical patent/JP5012739B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】酸素や水の浸入を防ぎ、有機EL素子の劣化を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法を提供する
【解決手段】ガラス基板2と、ガラス基板2上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子3と、有機エレクトロルミネッセンス素子3のガラス基板2との接触部以外を被覆する絶縁材9と、絶縁材9の上面に形成される金属シート層10と、金属シート層10の上面及び絶縁材9の側面を被覆するとともに、絶縁材9とガラス基板2の上面との接触部部分の外周部と密着して形成される金属封止ガラス12と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージ1である。
【選択図】図2

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子)は、アノードとカソードとの間に有機化合物層が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、有機化合物層内で電子と正孔が再結合を引き起こして有機化合物層が発光する。それぞれ赤、緑、青に発光する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をサブピクセルとして基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが実現化されている。
有機EL素子は、水や酸素により劣化し、ダークエリアやダークスポットを生じやすい。このため、有機EL素子は水や酸素が到達するのを防ぐパッケージ内に封入される(例えば特許文献1参照)。
特開2003−264061号公報
ところで、水や酸素が有機EL素子に到達するのを防ぐために、原子間距離が水分子や酸素分子よりも小さい金属で有機EL素子を被覆することが検討されている。
ガラス基板上に設けた有機EL素子を金属で被覆するためには、ガラス基板と金属とを密着させる必要がある。しかし、ガラスと金属という異種材料の接合面は密着性が低いという問題があった。
本発明の課題は、酸素や水の浸入を防ぎ、有機EL素子の劣化を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法を提供することである。
以上の課題を解決するため、一の態様によれば、ガラス基板と、前記ガラス基板の一面上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記ガラス基板の前記一面との接触部分以外を被覆する絶縁材と、前記絶縁材の側面を被覆するとともに、前記絶縁材と前記ガラス基板の前記一面との接触部分の外周部と密着して形成される金属封止ガラスと、を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージが提供される。
好ましくは、前記絶縁材の上面に形成される金属シート層を備え、前記金属封止ガラスは、前記金属シート層の上面を被覆する。
好ましくは、前記金属シート層は、Ni、Fe、Cr、Co、Au、Ag、Al、Cu、Pdのいずれかの金属単体からなる。
好ましくは、前記金属シート層は、Ni、Fe、Cr、Co、Au、Ag、Al、Cu、Pdの少なくともいずれかを含む合金からなる。
好ましくは、前記金属封止ガラスはスパッタ成膜方法により形成される。
好ましくは、前記金属封止ガラスはPd、Cu、Si、Al、Zr、希土類、Ti、Fe、Mgのいずれかを主成分もしくは添加成分とする。
本発明の他の態様によれば、ガラス基板の一面上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記ガラス基板の前記一面との接触部分以外を被覆するように絶縁材を形成する工程と、前記絶縁材の側面を被覆するとともに、前記絶縁材と前記ガラス基板の前記一面との接触部分の外周部と密着するように金属封止ガラスを形成する工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージの製造方法が提供される。
好ましくは、前記絶縁材の上面に金属シート層を形成する工程を含み、前記金属封止ガラスを形成する工程は、前記金属シート層の上面を被覆するように前記金属封止ガラスを形成する工程を含む。
好ましくは、前記金属封止ガラスを形成する工程は、前記ガラス基板の前記一面上の前記絶縁材の側面と離間する位置にスパッタ用のマスクを形成する工程と、スパッタ成膜方法により前記マスクの上方から前記金属封止ガラスを成膜する工程と、前記マスクを除去する工程と、を含む。
本発明によれば、酸素や水の浸入を防ぎ、有機EL素子の劣化を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図1は本発明の実施形態に係る有機EL素子パッケージ1の平面図であり、図2は図1のII−II矢視断面図である。有機EL素子パッケージ1は、ガラス基板2と、有機EL素子3と、絶縁材9と、金属シート層10と、金属封止ガラス12と、等から概略構成される。
有機EL素子3はガラス基板2上に形成されており、アノード5と、有機層6と、カソード7と、アノード端子5aと、カソード端子7aとを備える。
アノード5は、有機層6にホールを注入する電極であり、ITO等の仕事関数が高い材料が使用される。
有機層6は、発光層を有し、さらに正孔注入層、電子注入層等を含んでもよい。
カソード7は、有機層6に電子を注入する電極であり、例えば金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、若しくはバリウム、又はこれらの少なくとも1種を含む合金や混合物等が使用される。あるいは、これらの材料からなる層を積層した構造としてもよい。
アノード5、カソード7には、それぞれアノード端子5a、カソード端子7aの一端が接続されている。有機EL素子3は、アノード端子5a、カソード端子7aの他端を除き、絶縁材9により封止されている。
絶縁材9は、有機EL素子3と、金属シート層10及び金属封止ガラス12とを絶縁するものであり、例えばエポキシ樹脂を主成分にシリカ充填材等を加えた熱硬化性成型材料、熱可塑性成型材料、又は光硬化性成型材料等を用いることができる。
金属シート層10は、絶縁材9の上部に形成されている。金属シート層10は、例えば、Ni、Fe、Cr、Co、Au、Ag、Al、Cu、Pd等の金属単体又は合金であり、酸素や水を遮蔽する。
金属封止ガラス12は、Pd、Cu、Si、Al、Zr、希土類、Ti、Fe、Mgのいずれかを主成分もしくは添加成分とした金属ガラスで構成され、例えばZr75Cu19Al(以下、Zr金属ガラス)、Pd76CuSi17(以下、Pd金属ガラス)を使用することができる。金属ガラスは、(1)ガラス転移点を有する、(2)全く結晶粒界等を含まず原子が長範囲ランダム配列である、(3)高ち密無秩序充填である、(4)ステップカバレッジ性も良好であるといった特徴を有する。すなわち、金属ガラスは、酸素や水の遮蔽に優れた金属と腐食に強いガラスの両方の性質を持ち、金属とガラスの両者に対して密着性が良い。また、金属ガラスは概ね200μΩ・cmより小さい抵抗率を有する導電性を有する。具体的には、上記Zr金属ガラスはステンレスよりも硬く、抵抗率は160μΩ・cm程度の値を有する。上記Pd系金属ガラスは,Zr系金属ガラスに比べて抵抗率が低く、抵抗率は60μΩ・cm程度の値を有して導電性が比較的高い。また,いずれの金属ガラスも引張強度に比べて縦弾性係数が低い材料特性を有している。
また、金属ガラスには、結晶構造に起因する欠陥がないため、腐食を生じず、膜剥離等を起こさない。このため、金属ガラスをガスバリア膜として使用することで、有機EL素子1の信頼性を向上させることが可能である。
次に、有機EL素子3のパッケージ方法について図3〜図6を用いて説明する。なお、図3は絶縁材9により被覆された有機EL素子3を示す平面図であり、図4は図3のIV−IV矢視断面図である。また、図5は上部にマスク13が形成されたガラス基板2を示す平面図であり、図6は図5のVI−VI矢視断面図である。
まず、図3、図4に示すように、ガラス基板2の上部に形成された有機EL素子3を絶縁材9により被覆し、絶縁材9の上部に金属シート層10を形成する。なお、アノード端子5a、カソード端子7aのアノード5、カソード7と接続されていない端部は、絶縁材9により封止されず、露出されている。金属シール層8は、例えば、粒径0.1μm〜0.01μmの金属微粒子を吹き付けることで形成される。
次に、図5、図6に示すように、ガラス基板2の上部において、絶縁材9の側面と離間するようにマスク13を設ける。ただし、図5に示すように、アノード端子5a及びカソード端子7aが絶縁材9から露出している部分にもマスク13を設ける。マスク13は例えば金属からなるものである。
次に、スパッタ装置でマスク13の上方から2000Å〜1μmの膜厚の金属薄膜ガラスを成膜する。このとき、金属シート層10の上部が金属薄膜ガラスにより被覆されるとともに、絶縁材9の側面も金属薄膜ガラスにより被覆される。
その後、マスク13を取り除くことで、図1、図2に示すように金属封止ガラス12が形成される。以上により有機EL素子パッケージ1が形成される。
このような有機EL素子パッケージ1によれば、金属封止ガラス12が金属シート層10全体を覆い、ガラス基板2と金属シート層10との間の絶縁材9の側面も覆うように形成されるため、酸素や水が絶縁材9を通過して有機EL素子3に到達するのを防ぐことができる。さらに、金属封止ガラス12はアモルファス構造であるため、同じくアモルファス構造のガラス基板2と密着する。このため、金属封止ガラス12とガラス基板2との間から酸素や水が浸入することがなく、有機EL素子3の劣化を抑制することができる。
本発明の実施形態に係る有機EL素子パッケージ1の平面図である。 図1のII−II矢視断面図である。 絶縁材9により被覆された有機EL素子3を示す平面図である。 図3のIV−IV矢視断面図である。 上部にマスク13が形成されたガラス基板2を示す平面図である。 図5のVI−VI矢視断面図である。
符号の説明
1 有機EL素子パッケージ
2 ガラス基板
3 有機EL素子
9 絶縁材
10 金属シート層
12 金属封止ガラス

Claims (9)

  1. ガラス基板と、
    前記ガラス基板の一面上に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、
    前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記ガラス基板の前記一面との接触部分以外を被覆する絶縁材と、
    前記絶縁材の側面を被覆するとともに、前記絶縁材と前記ガラス基板の前記一面との接触部分の外周部と密着して形成される金属封止ガラスと、
    を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージ。
  2. 前記絶縁材の上面に形成される金属シート層を備え、
    前記金属封止ガラスは、前記金属シート層の上面を被覆することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージ。
  3. 前記金属シート層は、Ni、Fe、Cr、Co、Au、Ag、Al、Cu、Pdのいずれかの金属単体からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージ。
  4. 前記金属シート層は、Ni、Fe、Cr、Co、Au、Ag、Al、Cu、Pdの少なくともいずれかを含む合金からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージ。
  5. 前記金属封止ガラスはスパッタ成膜方法により形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージ。
  6. 前記金属封止ガラスはPd、Cu、Si、Al、Zr、希土類、Ti、Fe、Mgのいずれかを主成分もしくは添加成分としたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージ。
  7. ガラス基板の一面上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
    前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記ガラス基板の前記一面との接触部分以外を被覆するように絶縁材を形成する工程と、
    前記絶縁材の側面を被覆するとともに、前記絶縁材と前記ガラス基板の前記一面との接触部分の外周部と密着するように金属封止ガラスを形成する工程と、
    を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージの製造方法。
  8. 前記絶縁材の上面に金属シート層を形成する工程を含み、
    前記金属封止ガラスを形成する工程は、前記金属シート層の上面を被覆するように前記金属封止ガラスを形成する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージの製造方法。
  9. 前記金属封止ガラスを形成する工程は、
    前記ガラス基板の前記一面上の前記絶縁材の側面と離間する位置にスパッタ用のマスクを形成する工程と、
    スパッタ成膜方法により前記マスクの上方から前記金属封止ガラスを成膜する工程と、
    前記マスクを除去する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージの製造方法。
JP2008229609A 2008-09-08 2008-09-08 有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP5012739B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008229609A JP5012739B2 (ja) 2008-09-08 2008-09-08 有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008229609A JP5012739B2 (ja) 2008-09-08 2008-09-08 有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010062116A true JP2010062116A (ja) 2010-03-18
JP5012739B2 JP5012739B2 (ja) 2012-08-29

Family

ID=42188676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008229609A Expired - Fee Related JP5012739B2 (ja) 2008-09-08 2008-09-08 有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5012739B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101560931B1 (ko) 2013-12-20 2015-10-15 주식회사 포스코 방열성이 우수한 유리층이 형성된 금속 봉지재 및 그 제조방법
KR101811341B1 (ko) * 2010-12-09 2017-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
JPH1197169A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Casio Comput Co Ltd 発光素子及び発光素子用の保護材料
JP2001185348A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toppan Printing Co Ltd 光電変換素子及びその製造方法
JP2003297549A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Mitsumi Electric Co Ltd 有機elディスプレイ及びその製造方法
JP2004083379A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Central Glass Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子保護用ガラス組成物
WO2005046291A1 (ja) * 2003-11-07 2005-05-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 発光表示装置用バリア膜及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
JPH1197169A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Casio Comput Co Ltd 発光素子及び発光素子用の保護材料
JP2001185348A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toppan Printing Co Ltd 光電変換素子及びその製造方法
JP2003297549A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Mitsumi Electric Co Ltd 有機elディスプレイ及びその製造方法
JP2004083379A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Central Glass Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子保護用ガラス組成物
WO2005046291A1 (ja) * 2003-11-07 2005-05-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 発光表示装置用バリア膜及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101811341B1 (ko) * 2010-12-09 2017-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101560931B1 (ko) 2013-12-20 2015-10-15 주식회사 포스코 방열성이 우수한 유리층이 형성된 금속 봉지재 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP5012739B2 (ja) 2012-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9583546B2 (en) Organic light emitting device and method of fabricating the same
TWI659529B (zh) 有機發光顯示裝置
US8456084B2 (en) Organic light-emitting device
US9312316B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
CN101730949A (zh) 用于将薄膜封装层组件施加至有机器件的方法,以及具有优选用该方法施加的薄膜封装层组件的有机器件
US10170531B2 (en) Organic light emitting diode display including reaction blocking member on common voltage line
US8791634B2 (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR100994850B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI531058B (zh) 電容器和有機發光顯示裝置
FR2831764A1 (fr) Dispositif electroluminescent organique et son procede de fabrication
KR20090087815A (ko) 유기 el 장치
US8461575B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US6696699B2 (en) Luminescent display device and method of manufacturing same
US11201312B2 (en) Organic light-emitting display panel and encapsulation film each having auxiliary encapsulation layer doped with water absorbing material and manufacturing method thereof
JP5012739B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子パッケージおよびその製造方法
KR101643012B1 (ko) 표시장치
JP5130024B2 (ja) 有機el発光素子
US20200395571A1 (en) Electronic device
CN100380704C (zh) 有机发光显示面板
KR102482208B1 (ko) 표시품질이 향상된 유기발광소자
JP2005101008A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2009158249A (ja) 有機el素子
JP2013051218A (ja) 有機el素子
KR100756859B1 (ko) 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP2011023287A (ja) 有機elパネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110323

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120508

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120521

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5012739

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees