JP2010020832A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010020832A JP2010020832A JP2008179835A JP2008179835A JP2010020832A JP 2010020832 A JP2010020832 A JP 2010020832A JP 2008179835 A JP2008179835 A JP 2008179835A JP 2008179835 A JP2008179835 A JP 2008179835A JP 2010020832 A JP2010020832 A JP 2010020832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- recording medium
- magnetic recording
- layer
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【解決手段】非磁性支持体上に強磁性金属材料からなる磁性層が形成され、当該磁性層上にダイヤモンドライクカーボン(DLC)からなる保護層が形成されてなる薄膜型の磁気記録媒体であって、上記磁性層表面に形成される保護層表面を覆うためにドライプロセスに用いるフッ素化合物のフッ素原子数が炭素原子数に対して0.35〜1.2倍で厚さ2nm以上である。
【選択図】なし
Description
この下地層を成膜した支持体を冷却回転支持体上で走行させながら、表面に酸素を導入する斜方真空蒸着法によりCoから成る厚さ約50nmの強磁性金属薄膜を磁性層として形成した。
支持体上に下地層、磁性層を順次積層形成した磁性層側へ、炭素を主成分とする硬質炭素の保護層を形成した。保護層はプラズマCVD法によって成膜した。プラズマCVD法による保護層の成膜は真空槽内に請求項1または実施例で示すフッ素含有材料ガスまたは請求項3で示したフッ素を含有しない材料ガスを導入し、トータルガス圧を4.0×101Pa(0.3Torr)に保ちながら、周波数20KHz、電圧1500Vの交流と1000Vの直流を重畳し、これを放電管内の電極に印加してプラズマを形成し、導入材料ガスをプラズマのエネルギーにより一度分解し、カーボンを再結合させることにより厚さ約2nm以上のDLC膜を形成した。この際に、保護層の膜質を改善する目的でN2、H2などの添加ガスを導入しても構わない。真空槽内には冷却装置が配置された冷却キャンロールにより、支持体の磁性膜上への保護膜形成時の温度上昇による支持体の熱変形等を防止している。
次に、バックコート層は、通常、カーボンブラックや、その他の無機粒子よりなる非磁性顔料と、結合剤樹脂とを有機溶媒とともに分散、混練することで調製した塗料を、磁性層形成側とは反対側の面に、塗布、乾燥することにより形成した。この塗布方法により形成されるバックコート層の厚さは、規格で求められる磁気記録媒体の透過率を満足しかつ安定した表面性が得られる厚みとして、約0.3から0.6μm程度とした。バックコート層を形成する塗料は、少なくとも非磁性顔料であるカーボンブラックと、結合剤とを含有してなり、カーボンブラックの平均粒径は20〜50nmであり、結合剤には、スルホン酸金属塩を含有するポリウレタン樹脂が含まれているものとする。上記主成分の他、防錆剤、帯電防止剤等、分散剤、などの添加剤を加えてもよい。
次に、本発明の潤滑層材料は、イソプロピルアルコールとフッ素系溶媒とを混合した混合有機溶媒に溶解し、塗布液を、23±5度、70±10%RH環境下で、リバースロールコータを用いて湿式塗布法で塗布した後、乾燥した。表面エネルギーが小さい保護層表面に用いる潤滑剤はカルボン酸を含むフッ素化合物であり、保護層表面処理または保護層材料ガスにより表面エネルギーを大きくした保護層表面に用いる潤滑剤はカルボン酸を含むフッ素化合物であってもカルボン酸を含まないフッ素化合物であっても構わない。
上述製造方法にて真空槽内へ第一の保護層としてm−フロロトルエン(常圧沸点115度)のガスを導入して合計厚さ約10nmの膜を形成した。用いる有機化合物はガスとして真空槽内へ導入するため常圧での融点が200℃以下の化合物を選択した。
第一の保護層として1,3,5−トリフルオロベンゼン(常圧沸点75度)を用いた以外は実施例1と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層として1,2,3−トリフルオロベンゼン(常圧沸点94度)を用いた以外は実施例1、実施例2と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層としてベンジリデントリフルオライド(常圧沸点102度)を用いた以外は実施例1〜実施例3と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層としてα,α,α,4−テトラフルオロトルエン(常圧沸点103度)を用いた以外は実施例1〜実施例4と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層として2,3,4,5,6−ペンタフルオロトルエン(常圧沸点117度)を用いた以外は実施例1〜実施例5と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層としてm−(トリフルオロメチル)アニリン(常圧沸点187度)を用いた以外は実施例1〜実施例6と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層として2,6−ジフルオロトルエン(沸点112度−987hPa)を用いた以外は実施例1〜実施例7と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層として2,3,5,6−テトラフルオロベンゾトリフルオライド(常圧沸点111度)を用いた以外は実施例1〜実施例8と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層としてヘキサフルオロ−m−キシレン(常圧沸点116度)を用いた以外は実施例1〜実施例9と同様に磁気記録媒体を作製した。
第一の保護層として3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−ヘプタデカフルオロ−1−デセン(常圧沸点146度)を用いた以外は実施例1〜実施例10と同様に磁気記録媒体を作製した。
ベンゼン(常圧沸点79度)を用いた以外は実施例と同様に磁気記録媒体を作製した。
トルエン(常圧沸点111度)を用いた以外は比較例1と同様に磁気記録媒体を作製した。
p−キシレン(常圧沸点138度)を用いた以外は比較例1、比較例2と同様に磁気記録媒体を作製した。
2,2,4−トリメチルペンタン(常圧沸点99度)を用いた以外は比較例1〜比較例3と同様に磁気記録媒体を作製した。
2−メチルヘプタン(常圧沸点118度)を用いた以外は比較例1〜比較例4と同様に磁気記録媒体を作製した。
N,N−ジエチルアリルアミン(常圧沸点112度)を用いた以外は比較例1〜比較例5と同様に磁気記録媒体を作製した。
オクタデカフルオロデカハイドロナフタレン(常圧沸点142度)を用いた以外は比較例1〜比較例6と同様に磁気記録媒体を作製した。
オクタデカフルオロオクタン(常圧沸点104度)を用いた以外は比較例1〜比較例7と同様に磁気記録媒体を作製した。
撥水撥油性は表面エネルギーにて確認した。表面エネルギーは協和界面科学株式会社製表面自由エネルギー解析システムEG−25を用い、水、ヨウ化メチレン、α−ブロモナフタレンの3種液体の磁気記録媒体表面との接触角から算出した。
静摩擦係数を確認した。
走行時の保護層面へ1回のみRa=70±10nm、7mmφのAlTiC製のシリンダーが角度180度で接する様に配置し、約20mmの磁気記録媒体を23±2度、45±5%RH環境下で、張力0.64Nで10mm、30mm/minで引っ張ったときの摩擦係数を確認した。
記録媒体の耐浸透性を確認した。
Claims (3)
- 非磁性支持体上に強磁性金属材料からなる磁性層が形成され、当該磁性層上にダイヤモンドライクカーボン(DLC)からなる保護層が形成されてなる薄膜型の磁気記録媒体であって、上記磁性層表面に形成される保護層表面を覆うためにドライプロセスに用いるフッ素化合物のフッ素原子数が炭素原子数に対して0.35〜1.2倍で厚さ2nm以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
- 炭素環上にカルボン酸基を有するフッ素化合物を潤滑剤として用いることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- フッ素原子を含まない第二の保護層が請求項1に記載の保護層表面を厚さ3nm以上で覆うことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008179835A JP2010020832A (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008179835A JP2010020832A (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010020832A true JP2010020832A (ja) | 2010-01-28 |
Family
ID=41705568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008179835A Pending JP2010020832A (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010020832A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012060023A1 (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 富士電機株式会社 | 保護膜および該保護膜を備えた磁気記録媒体、保護膜を製造する方法 |
JP2017157252A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 磁気テープ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117733A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-05 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH0438715A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Ube Ind Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH0644559A (ja) * | 1992-04-20 | 1994-02-18 | Nec Corp | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
JPH06203376A (ja) * | 1992-12-10 | 1994-07-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 重合体薄膜を形成する方法及び磁気記録体 |
JPH09134523A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Kao Corp | 保護膜及び磁気記録媒体並びに磁気記録媒体の製造方法 |
JPH11302225A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Sony Corp | 含フッ素芳香族化合物およびこれを用いた磁気記録媒体 |
JP2000173040A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 記録媒体 |
-
2008
- 2008-07-10 JP JP2008179835A patent/JP2010020832A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117733A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-05 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH0438715A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Ube Ind Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH0644559A (ja) * | 1992-04-20 | 1994-02-18 | Nec Corp | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
JPH06203376A (ja) * | 1992-12-10 | 1994-07-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 重合体薄膜を形成する方法及び磁気記録体 |
JPH09134523A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Kao Corp | 保護膜及び磁気記録媒体並びに磁気記録媒体の製造方法 |
JPH11302225A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Sony Corp | 含フッ素芳香族化合物およびこれを用いた磁気記録媒体 |
JP2000173040A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 記録媒体 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012060023A1 (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 富士電機株式会社 | 保護膜および該保護膜を備えた磁気記録媒体、保護膜を製造する方法 |
JP2012099180A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Fuji Electric Co Ltd | 保護膜および該保護膜を備えた磁気記録媒体 |
US8980448B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-03-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium including an amorphous carbon protective film |
JP2017157252A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 磁気テープ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4654339B2 (ja) | 磁気ディスク | |
JP5631604B2 (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
JP4407904B2 (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
JPWO2007116812A1 (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
JP2010250929A (ja) | 磁気ディスク用潤滑剤化合物、磁気ディスク及びその製造方法 | |
JP2006131874A (ja) | 潤滑剤および磁気記録媒体 | |
JP2007299511A (ja) | 保護被膜のための接着層 | |
JPH09282642A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2817502B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JP5123268B2 (ja) | 磁気ディスクおよび製造方法 | |
JP2010020832A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP5578215B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP3365043B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3661949B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH10251676A (ja) | 潤滑剤組成物およびこれを用いた磁気記録媒体 | |
JP2893240B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2010020831A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59107428A (ja) | 磁気記録媒体の潤滑層形成法 | |
JPH0877541A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2897156B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2010013593A (ja) | 磁気記録媒体の潤滑剤 | |
JP2008047284A (ja) | 磁気ディスク | |
JP2005139429A (ja) | 潤滑剤、記録媒体、及びカルボン酸系化合物 | |
JP2005120146A (ja) | 潤滑剤及び記録媒体 | |
JP4510144B2 (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110107 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20110215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20120417 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |