JP2009288064A - Semiconductor test apparatus and method - Google Patents
Semiconductor test apparatus and method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009288064A JP2009288064A JP2008140815A JP2008140815A JP2009288064A JP 2009288064 A JP2009288064 A JP 2009288064A JP 2008140815 A JP2008140815 A JP 2008140815A JP 2008140815 A JP2008140815 A JP 2008140815A JP 2009288064 A JP2009288064 A JP 2009288064A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- unit
- dut
- semiconductor
- calibration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 337
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 4
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体デバイスの試験を行う半導体試験装置及び方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus and method for testing a semiconductor device.
半導体試験装置は、被試験対象である半導体デバイス(以下、DUT(Device Under Test)という)に試験信号を印加し、DUTから得られる信号と所定の期待値とを比較することでDUTの試験を行う。この半導体試験装置においては、DUTに印加する試験信号の値(電圧値又は電流値)やDUTに供給する電源電圧等に誤差が生じていたり、試験信号の印加タイミングやDUTから得られる信号と期待値との比較タイミング等にずれが生じているとDUTの試験を精度良く行うことができない。このため、半導体試験装置では、定期的又はユーザの必要に応じて各種の校正が行われる。 A semiconductor test apparatus applies a test signal to a semiconductor device to be tested (hereinafter referred to as a DUT (Device Under Test)) and compares the signal obtained from the DUT with a predetermined expected value to test the DUT. Do. In this semiconductor test apparatus, there is an error in the value (voltage value or current value) of the test signal applied to the DUT, the power supply voltage supplied to the DUT, etc. If there is a deviation in the timing of comparison with the value, the DUT test cannot be performed with high accuracy. For this reason, in the semiconductor test apparatus, various calibrations are performed periodically or as required by the user.
図4は、従来の半導体試験装置の構成の概要を示すブロック図である。図4に示す通り、従来の半導体試験装置100は、CPU(中央処理装置)101とテストモジュール102とから概略構成されている。CPU101は、ユーザによって作成された試験プログラムに従ってテストモジュール102を制御して、DUT200に対する電源電圧供給及びDUT200の機能試験を実施させる。また、テストモジュール102で各種の校正を行う場合には、校正に係るシーケンス制御を行う。
FIG. 4 is a block diagram showing an outline of the configuration of a conventional semiconductor test apparatus. As shown in FIG. 4, a conventional
テストモジュール102は、DUT200に試験信号を印加するとともにDUT200からの信号を受信するピンエレクトロニクス及びDUT200に電源電圧を供給する電原供給部(何れも図示省略)等を備えており、CPU101の制御の下で、DUT200に対する電源電圧供給及び機能試験を実施する。また、CPU101のシーケンス制御に従って各種の校正を行う。ここで、テストモジュール102で行われる校正としては、例えばDUT200に供給される電流値の校正が挙げられる。この校正では、抵抗値が既知の基準抵抗が用いられ、この基準抵抗に流れる電流による電圧降下を測定し、電圧降下が所定の値になるように電流値が校正される。
The
尚、以下の特許文献1には、半導体テスタ等の測定装置の直流電圧レベルを校正する従来の校正装置が開示されている。
ところで、図4に示す従来の半導体試験装置100は、DUT200の機能試験を行っている最中にテストモジュール102の校正を実施することはできず、逆に、テストモジュール102の校正を実施している最中にDUT200の試験を行うことはできない。これは、校正に用いられる部品又は回路がDUT200の試験中も使用されるからである。このため、テストモジュール102の校正は、DUT200の試験を中断して行う必要があり、これによって試験効率が低下するという問題があった。
By the way, the conventional
また、試験精度を向上させる為には頻繁にテストモジュール102の校正を行う必要が望ましい。しかしながら、上述した通り、テストモジュール102の校正はDUT200の試験を中断する必要があるため、試験効率の低下を防止する為には頻繁に校正を行うことができない。現状ではDUTの試験に必要な精度は得られているものの、今後高い精度が要求される試験を行う場合には校正が頻繁に必要になることが考えられ試験効率の低下が予想される。
Further, it is desirable to frequently calibrate the
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、校正に必要な時間の短縮と試験精度の向上とを同時に実現することができる半導体試験装置及び方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus and method capable of simultaneously reducing the time required for calibration and improving test accuracy.
上記課題を解決するために、本発明の半導体試験装置は、半導体デバイス(50、50a〜50d)に試験信号を印加して得られる信号に基づいて前記半導体デバイスの試験を行う半導体試験装置(1〜3)において、前記半導体デバイスの試験を行う複数の試験部(12a、12b、24、27)と、前記複数の試験部の各々に対応して設けられ、対応する試験部の校正を制御する校正制御部(13a、13b、25、28)と、前記複数の試験部と半導体デバイスとの接続関係を切り替えるスイッチ部(14a、14b、26、29a〜29d、31)とを備えることを特徴としている。
この発明によると、複数の試験部のうちの1つの試験部を用いて半導体デバイスの試験が行われている間に、複数の試験部のうちの他の1つの試験部の校正が半導体デバイスの試験と並行して行われる。
また、本発明の半導体試験装置は、前記試験部が、前記半導体デバイスに対して電源電圧供給と前記半導体デバイスの機能試験との少なくとも一方を行うことを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記校正制御部が、対応する試験部の校正を制御する場合には当該対応する試験部が前記半導体デバイスから電気的に切り離されるよう前記スイッチ部を制御し、対応する試験部によって前記半導体デバイスの試験が行われる場合には当該対応する試験部が前記半導体デバイスに接続されるよう前記スイッチ部を制御することを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記複数の試験部のうちの特定の1つの試験部が、他の試験部が校正されている場合には当該他の試験部に代わって前記半導体デバイスの試験を行うことを特徴としている。
更に、本発明の半導体試験装置は、前記複数の試験部のうちの何れか1つの試験部が校正されている場合には、当該試験部に代わって他の試験部が前記半導体デバイスの試験を行うことを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の半導体試験方法は、半導体デバイス(50)に試験信号を印加して得られる信号に基づいて前記半導体デバイスの試験を行う半導体試験方法において、前記半導体デバイスの試験を行う第1,第2試験部(12a、12b)のうちの第1試験部(12a)を用いて前記半導体デバイスの試験を行うとともに前記第2試験部(12b)の校正を行う第1ステップと、前記第1試験部に代えて校正された前記第2試験部を用いて前記半導体デバイスの試験を行う第2ステップとを含むことを特徴としている。
In order to solve the above problems, a semiconductor test apparatus according to the present invention is a semiconductor test apparatus (1) that tests a semiconductor device based on a signal obtained by applying a test signal to the semiconductor devices (50, 50a to 50d). -3) are provided corresponding to each of the plurality of test units (12a, 12b, 24, 27) for testing the semiconductor device and the plurality of test units, and controls calibration of the corresponding test unit. A calibration control unit (13a, 13b, 25, 28) and a switch unit (14a, 14b, 26, 29a to 29d, 31) for switching the connection relationship between the plurality of test units and the semiconductor device are provided. Yes.
According to the present invention, while the test of the semiconductor device is performed using one test unit of the plurality of test units, the calibration of the other test unit of the plurality of test units is performed on the semiconductor device. Performed in parallel with the test.
The semiconductor test apparatus of the present invention is characterized in that the test unit performs at least one of a power supply voltage supply and a function test of the semiconductor device on the semiconductor device.
The semiconductor test apparatus of the present invention controls the switch unit so that the corresponding test unit is electrically disconnected from the semiconductor device when the calibration control unit controls calibration of the corresponding test unit. When the test of the semiconductor device is performed by the corresponding test unit, the switch unit is controlled so that the corresponding test unit is connected to the semiconductor device.
Further, in the semiconductor test apparatus of the present invention, when one specific test unit among the plurality of test units is calibrated with another test unit, the semiconductor device is replaced with the other test unit. It is characterized by conducting a test.
Furthermore, in the semiconductor test apparatus according to the present invention, when any one of the plurality of test units is calibrated, another test unit can test the semiconductor device instead of the test unit. It is characterized by doing.
In order to solve the above-described problems, a semiconductor test method of the present invention is a semiconductor test method for testing a semiconductor device based on a signal obtained by applying a test signal to a semiconductor device (50). The first test unit (12a) of the first and second test units (12a, 12b) to be tested is used to test the semiconductor device and to calibrate the second test unit (12b). And a second step of testing the semiconductor device using the calibrated second test unit instead of the first test unit.
本発明によれば、複数の試験部のうちの1つの試験部を用いて半導体デバイスの試験を行っている間に、複数の試験部のうちの他の1つの試験部の校正を半導体デバイスの試験と並行して行っているため、試験部の校正に要する時間を見かけ上ほぼ零にすることができる。このため、試験部の校正を頻繁に行っても試験効率が低下することがなく、校正に必要な時間の短縮と試験精度の向上とを同時に実現することができるという効果がある。 According to the present invention, while the test of the semiconductor device is performed using one test unit of the plurality of test units, the calibration of the other test unit of the plurality of test units is performed. Since it is performed in parallel with the test, the time required for calibration of the test section can be apparently made substantially zero. For this reason, even if the test part is frequently calibrated, the test efficiency does not decrease, and it is possible to simultaneously reduce the time required for calibration and improve the test accuracy.
以下、図面を参照して本発明の実施形態による半導体試験装置及び方法について詳細に説明する。 Hereinafter, a semiconductor test apparatus and method according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。図1に示す通り、本実施形態の半導体試験装置1は、CPU11、テストモジュール12a,12b(試験部)、コントローラ13a,13b(校正制御部)、及びスイッチ14a,14b(スイッチ部)を備えており、DUT50に試験信号を印加して得られる信号に基づいてDUT50の試験を行う。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of the semiconductor test apparatus according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the
CPU11は、ユーザによって作成された試験プログラムに従ってテストモジュール12a,12bを制御して、DUT50に対する電源電圧供給及びDUT50の機能試験の少なくとも一方を実施させる。テストモジュール12a,12bは、DUT50に試験信号を印加するとともにDUT50からの信号を受信するピンエレクトロニクス及びDUT50に電源電圧を供給する電原供給部(何れも図示省略)の少なくとも一方を備えており、CPU11の制御の下で、DUT50に対する電源電圧供給及び機能試験の少なくとも一方を実施する。
The
また、テストモジュール12a,12bは、コントローラ13a,13bのシーケンス制御に従ってそれぞれ各種の校正を行う。ここで、テストモジュール12a,12bで行われる校正としては、例えばDUT50に供給される電流値の校正が挙げられる。この校正では、抵抗値が既知の基準抵抗が用いられ、この基準抵抗に流れる電流による電圧降下を測定し、電圧降下が所定の値になるように電流値が校正される。
The
コントローラ13a,13bは、テストモジュール12a,12bに対応してそれぞれ設けられており、対応するテストモジュール12a,12bの校正に係るシーケンス制御を行う。また、コントローラ13a,13bは、テストモジュール12a,12bに接続されているスイッチ14a,14bの開閉制御を行う。
The
具体的に、コントローラ13aは、対応するテストモジュール12aの校正に係るシーケンス制御を行う場合には、テストモジュール12aがDUT50から電気的に切り離されるようスイッチ14aを開状態にする。これに対し、対応するテストモジュール12aによってDUT50の試験が行われる場合にはテストモジュール12aがDUT50に接続されるようスイッチ14aを閉状態にする。同様に、コントローラ13bは、対応するテストモジュール12bの校正に係るシーケンス制御を行う場合にはスイッチ14bを開状態にし、対応するテストモジュール12bによってDUT50の試験が行われる場合にはスイッチ14bを閉状態にする。
Specifically, when performing the sequence control related to calibration of the
ここで、図1に示す半導体試験装置1は、複数のテストモジュール12a,12bに加えて、これらテストモジュール12a,12bに対応してコントローラ13a,13bを備える構成であり、回路規模の増大及びコストの上昇を招く可能性が考えられる。このため、回路規模の増大及びコストの上昇を抑える観点から、コントローラ13a,13bは、FPGA(Field Programmable Gate Array)やASIC(Application Specific Integrated Circuit)で実現するのが望ましい。
Here, the
スイッチ14a,14bは、テストモジュール12a,12bをDUT50に接続したり又は電気的に切り離すために設けられており、コントローラ13a,13bによって開閉状態がそれぞれ制御される。このスイッチ14a,14bとしては、トランジスタ等を用いた電子的なスイッチ、又はリレー等の機械的なスイッチを用いることができる。
The
次に、上記構成における半導体試験装置1の動作について説明する。尚、ここでは最初にテストモジュール12aを用いてDUT50の試験が行われ、かかる試験中にテストモジュール12bの校正が行われる場合を例に挙げて説明する。まず、CPU11からコントローラ13aに対してテストモジュール12aで試験が行われる旨を示す信号が出力され、CPU11からコントローラ13bに対してテストモジュール12bを校正すべき旨を示す信号が出力される。これにより、コントローラ13aの制御によってスイッチ14aが閉状態にされ、コントローラ13bの制御によってスイッチ14bが開状態にされる。
Next, the operation of the
次いで、CPU11からテストモジュール12aに対してDUT50の試験開始を指示する制御信号が出力され、これによりDUT50の試験が開始される。DUT50の試験が開始されると、テストモジュール12aから試験信号等がスイッチ14aを介してDUT50に印加される。そして、試験信号等の印加によりDUT50から出力される信号をテストモジュール12aが受信してパス/フェイルの判定を行う。
Next, a control signal for instructing the
以上のテストモジュール12aによるDUT50の試験が行われている最中は、スイッチ14bによってテストモジュール12bがDUT50から電気的に切り離されており、テストモジュール12bの校正が可能な状態である。このため、コントローラ13bのシーケンス制御によってテストモジュール12bの校正が実施される(第1ステップ)。例えば、抵抗値が既知の基準抵抗に電流を流したときに測定される電圧降下が所定の値になるように電流値が校正される。尚、電流値や電圧値以外に、試験信号の印加タイミングやパス/フェイルの判定タイミングの校正を行っても良い。テストモジュール12bの校正が終了すると、校正終了を示す校正終了信号がコントローラ13bからCPU11に出力される。
While the test of the
テストモジュール12aによるDUT50の試験が終了すると、試験終了を示す試験終了信号がテストモジュール12aからCPU11に出力される。この試験終了信号が入力された時点で、CPU11がコントローラ13bからの校正終了信号を受信していれば、CPU11の制御の下でDUT50の試験を行うテストモジュールの切り替えが行われる(第2ステップ)。
When the test of the
つまり、CPU11からコントローラ13bに対してテストモジュール12bで試験が行われる旨を示す信号が出力され、CPU11からコントローラ13aに対してテストモジュール12aを校正すべき旨を示す信号が出力される。これにより、コントローラ13bの制御によってスイッチ14bが閉状態にされる一方で、コントローラ13aの制御によってスイッチ14aが開状態にされ、スイッチ14a,14bの開閉状態が切り替えられる。そして、CPU11からテストモジュール12bに対してDUT50の試験開始を指示する制御信号が出力されるとDUT50の試験が開始される。
That is, the
テストモジュール12bによるDUT50の試験が行われている最中は、スイッチ14aによってテストモジュール12aがDUT50から電気的に切り離されており、テストモジュール12aの校正が可能な状態である。このため、コントローラ13aのシーケンス制御によってテストモジュール12aの校正が実施される。テストモジュール12aの校正が終了すると、校正終了を示す校正終了信号がコントローラ13aからCPU11に出力される。
While the test of the
テストモジュール12bによるDUT50の試験が終了すると、試験終了を示す試験終了信号がテストモジュール12bからCPU11に出力される。この試験終了信号が入力された時点で、CPU11がコントローラ13aからの校正終了信号を受信していれば、CPU11の制御の下でコントローラ13a,13bによりスイッチ14a,14bの開閉状態が切り替えられる。そして、校正を終えたテストモジュール12aによりDUT50の試験が行われる。以下、同様の動作が繰り返される。
When the test of the
以上説明した通り、本実施形態では、テストモジュール12a,12bの何れか一方を用いてDUT50の試験を行っている間に、テストモジュール12a,12bの何れか他方の校正をDUT50の試験と並行して行っているため、DUT50の試験を中断することなくテストモジュール12a,12bの校正を行うことができるとともに、テストモジュール12a,12bの校正に要する時間を見かけ上ほぼ零にすることができる。これにより、試験精度の向上を図るべくテストモジュール12a,12bの校正を頻繁に行っても試験効率が低下することが無いため、テストモジュール12a,12bの校正に必要な時間の短縮と試験精度の向上とを同時に実現することができる。
As described above, in the present embodiment, while the test of the
〔第2実施形態〕
図2は、本発明の第2実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。図2に示す通り、本実施形態の半導体試験装置2は、CPU21、メインユニット22a〜22d、及びサブユニット23を備えており、複数のDUT50a〜50dを同時に試験する。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a block diagram showing a main configuration of a semiconductor test apparatus according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the
CPU21は、ユーザによって作成された試験プログラムに従ってメインユニット22a〜22d及びサブユニット23を制御して、複数のDUT50a〜50dに対して電源電圧供給及びDUT50a〜50dの機能試験の少なくとも一方を実施させる。メインユニット22a〜22dは、テストモジュール24(試験部)、コントローラ25(構成制御部)、及びスイッチ26(スイッチ部)を備えており、CPU21の制御の下でDUT50a〜50dの試験をそれぞれ実施する。尚、メインユニット22a〜22dは同様の構成であるため、ここでは、メインユニット22aを代表させてその内部構成を説明する。
The
メインユニット22aのテストモジュール24は、DUT50aに試験信号を印加するとともにDUT50aからの信号を受信するピンエレクトロニクス及びDUT50aに電源電圧を供給する電原供給部(何れも図示省略)の少なくとも一方を備えており、CPU21の制御の下で、DUT50aに対する電源電圧供給及び機能試験の少なくとも一方を実施する。また、メインユニット22aのコントローラ25のシーケンス制御に従って第1実施形態で説明した校正と同様の各種の校正を行う。
The
メインユニット22aのコントローラ25は、メインユニット22aのテストモジュール24に対応して設けられており、そのテストモジュール24の校正に係るシーケンス制御を行う。また、メインユニット22aのスイッチ26の開閉制御を行う。具体的に、このコントローラ25は、メインユニット22aのテストモジュール24の校正に係るシーケンス制御を行う場合にはメインユニット22aのスイッチ26を開状態にし、メインユニット22aのテストモジュール24によってDUT50aの試験が行われる場合にはメインユニット22aのスイッチ26を閉状態にする。
The
コントローラ25は、図1に示す半導体試験装置1に設けられたコントローラ13a,13bと同様に、FPGA(Field Programmable Gate Array)やASIC(Application Specific Integrated Circuit)で実現するのが望ましい。また、スイッチ26は、図1に示す半導体試験装置1に設けられたスイッチ14a,14bと同様に、トランジスタ等を用いた電子的なスイッチ、又はリレー等の機械的なスイッチを用いることができる。
The
サブユニット23は、テストモジュール27(試験部)、コントローラ28(校正制御部)、及び複数のスイッチ29a〜29d(スイッチ部)を備えており、メインユニット22a〜22dの何れかについて校正が行われている場合に、校正が行われているメインユニットに代わってDUTの試験を行う。テストモジュール27はメインユニット22a〜22dが備えるテストモジュール24と同様のものであり、コントローラ28はメインユニット22a〜22dが備えるコントローラ25と同様のものである。
The
スイッチ29a〜29dは、テストモジュール27をDUT50a〜50dの何れか1つに接続し、或いはテストモジュール27をDUT50a〜50dから電気的に切り離すためのものであり、各々の開閉状態はコントローラ28によって制御される。これらスイッチ29a〜29dとしては、トランジスタ等を用いた電子的なスイッチ、又はリレー等の機械的なスイッチを用いることができる。
The
次に、上記構成における半導体試験装置2の動作について説明する。まず、CPU21からメインユニット22a〜22dのコントローラ25に対して、テストモジュール24で試験が行われる旨を示す信号が出力され、CPU21からサブユニット23のコントローラ28に対してテストモジュール27を校正すべき旨を示す信号が出力される。これにより、メインユニット22a〜22dのコントローラ25の制御によってメインユニット22a〜22dのスイッチ26がそれぞれ閉状態にされ、サブユニット23のコントローラ28の制御によってサブユニット23のスイッチ29a〜29dの全てが開状態にされる。
Next, the operation of the
次いで、CPU21からメインユニット22a〜22dのテストモジュール24に対してDUT50a〜50dの試験開始を指示する制御信号がそれぞれ出力され、これによりDUT50a〜50dの試験が開始される。また、DUT50a〜50dの試験が行われている最中において、サブユニット23のコントローラ28によってサブユニット23のテストモジュール27の校正が実施される(第1ステップ)。尚、テストモジュール27の校正が終了した場合には、校正終了を示す校正終了信号がサブユニット23のコントローラ28からCPU21に出力される。
Next, the
いま、メインユニット22aのテストモジュール24によるDUT50aの試験が終了したとすると、試験終了を示す試験終了信号がメインユニット22aのテストモジュール24からCPU21に出力される。この試験終了信号が入力された時点で、CPU21がサブユニット23のコントローラ28からの校正終了信号を受信していれば、CPU21の制御の下でDUT50aの試験を行うテストモジュールの切り替えが行われる(第2ステップ)。
Now, assuming that the test of the
つまり、CPU21からサブユニット23のコントローラ28に対してテストモジュール27で試験が行われる旨を示す信号が出力され、CPU21からメインユニット22aのコントローラ25に対してメインユニット22aのテストモジュール24を校正すべき旨を示す信号が出力される。これにより、サブユニット23のコントローラ28の制御によってスイッチ29aのみが閉状態にされる一方で、メインユニット22aのコントローラ25の制御によってメインユニット22aのスイッチ26が開状態にされる。そして、CPU21からサブユニット23のテストモジュール27に対して試験開始を指示する制御信号が出力されるとDUT50aの試験が開始される。
That is, a signal indicating that the test is performed by the
サブユニット23のテストモジュール27によるDUT50aの試験が行われている最中において、メインユニット22aのコントローラ25によってメインユニット22aのテストモジュール24の校正が実施される。尚、メインユニット22aのテストモジュール24の校正が終了した場合には、校正終了を示す校正終了信号がメインユニット22aのコントローラ25からCPU21に出力される。
While the test of the
サブユニット23のテストモジュール27によるDUT50aの試験が終了すると、試験終了を示す試験終了信号がサブユニット23のテストモジュール27からCPU21に出力される。この試験終了信号が入力された時点で、CPU21がメインユニット22aのコントローラ25からの校正終了信号を受信していれば、CPU21の制御の下でメインユニット22aのコントローラ25及びサブユニット23のコントローラ28によりスイッチ26及びスイッチ29aの開閉状態が切り替えられる。そして、校正を終えたメインユニット22aのテストモジュール24によりDUT50aの試験が行われる。
When the test of the
以上、メインユニット22aに設けられたテストモジュール24の校正が行われる場合の動作について説明したが、メインユニット22b〜22dの何れかに設けられたテストモジュール24の校正が行われる場合にも上述した動作と同様の動作が行われる。ここで、メインユニット22bのテストモジュール24が校正される場合にはスイッチ29bが閉状態にされ、メインユニット22cのテストモジュール24が校正される場合にはスイッチ29cが閉状態にされ、メインユニット22dのテストモジュール24が校正される場合にはスイッチ29dが閉状態にされて、サブユニット23のテストモジュール27によりDUT50b,50c,50dの試験がそれぞれ行われる。
The operation when the
以上説明した通り、本実施形態では、DUT50a〜50dの試験を行うためのメインユニット22a〜22dとは別にサブユニット23を設けている。そして、メインユニット22a〜22dでDUT50a〜50dの試験を行っている間にサブユニット23のテストモジュール27を校正し、メインユニット22a〜22dの何れか1つのテストモジュール24を校正している場合には、校正が行われているメインユニットに代わってサブユニット23のテストモジュール27を用いてDUTの試験を行っている。
As described above, in the present embodiment, the
これにより、DUT50a〜50dの試験を中断することなくメインユニット22a〜22dに設けられたテストモジュール24及びサブユニット23に設けられたテストモジュール27の校正を行うことができるとともに、これらの校正に要する時間を見かけ上ほぼ零にすることができる。このため、本実施形態では、テストモジュール24の校正に必要な時間の短縮と試験精度の向上とを同時に実現することができる。
Thereby, it is possible to calibrate the
〔第3実施形態〕
図3は、本発明の第3実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。図3に示す通り、本実施形態の半導体試験装置3は、図2に示す半導体試験装置2が備えるサブユニット23をメインユニット22eに代え、メインユニット22a〜22eとDUT50a〜50dとの接続関係を任意に切り替えることが可能な切り替え部31(スイッチ部)を設けた構成であり、半導体試験装置2と同様に複数のDUT50a〜50dを同時に試験する。
[Third Embodiment]
FIG. 3 is a block diagram showing a main configuration of a semiconductor test apparatus according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the
メインユニット22eは、他のメインユニット22a〜22dと同様の構成であり、テストモジュール24、コントローラ25、及びスイッチ26を備える。切り替え部31は複数のクロスポイントスイッチを備えており、メインユニット22a〜22eに設けられたコントローラ25が複数のクロスポイントスイッチを制御することにより、メインユニット22a〜22eとDUT50a〜50dとの接続関係を任意に切り替えることができる。
The
つまり、図2に示す半導体試験装置2ではメインユニット22a〜22dの試験対象がDUT50a〜50dにそれぞれ固定されていたが、本実施形態ではメインユニット22a〜22eの試験対象が固定されていない。よって、例えば、メインユニット22aでDUT50dの試験を行い、メインユニット22eでDUT50bの試験を行うことが可能である。
That is, in the
また、図2に示す半導体試験装置2ではメインユニット22a〜22dの何れか1つについて校正が行われている場合には、校正が行われているメインユニットに代わってサブユニット23を用いてDUTの試験を行っていた。しかしながら、本実施形態では、メインユニット22a〜22eの何れか1つについて校正が行われている場合には、校正が行われているメインユニットに代わって他のメインユニットを用いたDUTの試験が行われる。
In the
例えば、メインユニット22aでDUT50dの試験が行われていた場合に、メインユニット22aについて校正が行われるときには、メインユニット22aに代わってメインユニット22cがDUT50dの試験を行う。同様に、例えばメインユニット22eでDUT50bの試験が行われていた場合に、メインユニット22eについて校正が行われるときには、メインユニット22eに代わってメインユニット22bがDUT50bの試験を行う。尚、本実施形態の半導体試験装置3の動作は基本的には図2に示す半導体試験装置2と同様であるため、詳細な説明は省略する。
For example, when the
以上説明した通り、本実施形態では、DUT50a〜50dの試験を行うためのメインユニット22a〜22eを設け、メインユニット22a〜22eの何れか1つのテストモジュール24を校正している場合には、校正が行われているメインユニットに代わって他のメインユニットのテストモジュール24を用いてDUTの試験を行っている。これにより、DUT50a〜50dの試験を中断することなくメインユニット22a〜22eに設けられたテストモジュール24の校正を行うことができるとともに、これらの校正に要する時間を見かけ上ほぼ零にすることができる。このため、本実施形態も第2実施形態と同様に、テストモジュール24の校正に必要な時間の短縮と試験精度の向上とを同時に実現することができる。
As described above, in this embodiment, when the
以上、本発明の実施形態による半導体試験装置及び方法について説明したが、本発明は上述した実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記第3実施形態では、メインユニット22a〜22eに設けられたコントローラ25が切り替え部31を制御するとしていたが、切り替え部31の制御をCPU21が直接行っても良く、又は切り替え部31の制御を行う専用の制御装置を設けても良い。
Although the semiconductor test apparatus and method according to the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be freely modified within the scope of the present invention. For example, in the third embodiment, the
また、上述した実施形態では、説明を簡単にするために、1つのDUT50のみを試験する場合、及び4つのDUT50a〜50dを同時に試験する場合について説明したが、同時に試験が可能なDUTの数は4つに限られる訳ではなく、任意の数に設定することができる。同時試験が可能なDUTの最大数をn(nは1以上の整数)とすると、図2に示す半導体試験装置2では、n個のメインユニットと少なくとも1つのサブユニットとを備える構成にする必要がある。また、図3に示す半導体試験装置では、少なくとも(n+1)個のメインユニットを備える構成にする必要がある。
Further, in the above-described embodiment, for the sake of simplicity, the case where only one
1〜3 半導体試験装置
12a,12b テストモジュール
13a,13b コントローラ
14a,14b スイッチ
24 テストモジュール
25 コントローラ
26 スイッチ
27 テストモジュール
28 コントローラ
29a〜29d スイッチ
31 切り替え部
50 DUT
50a〜50d DUT
1-3
50a-50d DUT
Claims (6)
前記半導体デバイスの試験を行う複数の試験部と、
前記複数の試験部の各々に対応して設けられ、対応する試験部の校正を制御する校正制御部と、
前記複数の試験部と半導体デバイスとの接続関係を切り替えるスイッチ部と
を備えることを特徴とする半導体試験装置。 In a semiconductor test apparatus for testing the semiconductor device based on a signal obtained by applying a test signal to the semiconductor device,
A plurality of test units for testing the semiconductor device;
A calibration control unit that is provided corresponding to each of the plurality of test units and controls calibration of the corresponding test unit;
A semiconductor test apparatus comprising: a switch unit that switches a connection relationship between the plurality of test units and the semiconductor device.
前記半導体デバイスの試験を行う第1,第2試験部のうちの第1試験部を用いて前記半導体デバイスの試験を行うとともに前記第2試験部の校正を行う第1ステップと、
前記第1試験部に代えて校正された前記第2試験部を用いて前記半導体デバイスの試験を行う第2ステップと
を含むことを特徴とする半導体試験方法。 In a semiconductor test method for testing the semiconductor device based on a signal obtained by applying a test signal to the semiconductor device,
A first step of performing a test of the semiconductor device and a calibration of the second test unit using a first test unit of the first and second test units for testing the semiconductor device;
And a second step of testing the semiconductor device using the calibrated second test unit instead of the first test unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008140815A JP2009288064A (en) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | Semiconductor test apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008140815A JP2009288064A (en) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | Semiconductor test apparatus and method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009288064A true JP2009288064A (en) | 2009-12-10 |
Family
ID=41457417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008140815A Withdrawn JP2009288064A (en) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | Semiconductor test apparatus and method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009288064A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021022878A1 (en) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | 深圳面元智能科技有限公司 | Seismic exploration device tester |
CN113311374A (en) * | 2021-07-28 | 2021-08-27 | 绅克半导体科技(苏州)有限公司 | Method for calibrating direct current parameters of multiple test channels of semiconductor test machine |
KR20230079554A (en) * | 2021-11-29 | 2023-06-07 | 주식회사 엑시콘 | Apparatus for testing semiconductor devices and test method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06273488A (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Advantest Corp | Ic tester |
JPH08101253A (en) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor test equipment |
JPH10227839A (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuit testing device and method |
JP2004163194A (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Yokogawa Electric Corp | Ic tester and testing module |
-
2008
- 2008-05-29 JP JP2008140815A patent/JP2009288064A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06273488A (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Advantest Corp | Ic tester |
JPH08101253A (en) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor test equipment |
JPH10227839A (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuit testing device and method |
JP2004163194A (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Yokogawa Electric Corp | Ic tester and testing module |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021022878A1 (en) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | 深圳面元智能科技有限公司 | Seismic exploration device tester |
CN113311374A (en) * | 2021-07-28 | 2021-08-27 | 绅克半导体科技(苏州)有限公司 | Method for calibrating direct current parameters of multiple test channels of semiconductor test machine |
CN113311374B (en) * | 2021-07-28 | 2021-11-09 | 绅克半导体科技(苏州)有限公司 | Method for calibrating direct current parameters of multiple test channels of semiconductor test machine |
KR20230079554A (en) * | 2021-11-29 | 2023-06-07 | 주식회사 엑시콘 | Apparatus for testing semiconductor devices and test method thereof |
KR102649542B1 (en) * | 2021-11-29 | 2024-03-20 | 주식회사 엑시콘 | Apparatus for testing semiconductor devices and test method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8018362B2 (en) | A/D conversion circuit and test method | |
US9885746B2 (en) | Switching matrix and testing system for semiconductor characteristic measurement using the same | |
JP2009251252A (en) | Driving circuit for display device, and test circuit, and test method | |
JP5183447B2 (en) | Test apparatus and diagnostic method | |
US20200174073A1 (en) | Device inspection method | |
TWI396855B (en) | Device under test, test device and test method | |
JP6104578B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP2009288064A (en) | Semiconductor test apparatus and method | |
US7281181B2 (en) | Systems, methods and computer programs for calibrating an automated circuit test system | |
US20050030056A1 (en) | Apparatus for measuring VS parameters in a wafer burn-in system | |
JP5205881B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method for measuring power supply voltage drop in semiconductor integrated circuit | |
JP2010002315A (en) | Semiconductor testing device and method for testing dc characteristic thereof | |
JP2003107128A (en) | Semiconductor testing device and test method | |
JP4061533B2 (en) | IC tester | |
JP4840730B2 (en) | Device tester, timing calibration method | |
JP6197573B2 (en) | Switching element inspection method and electronic circuit unit | |
JP2012042276A (en) | Semiconductor testing device and method for detecting off capacity abnormality of relay | |
JP2009236516A (en) | Semiconductor testing apparatus having timing calibration function | |
JP5202401B2 (en) | Test apparatus and calibration method | |
JP2004184186A (en) | Capacity measuring system | |
US6411115B2 (en) | Apparatus for testing a semiconductor and process for the same | |
JP2006038791A (en) | Prober needle switching device, prober device and method for measuring semiconductor element | |
JP2008203073A (en) | Semiconductor testing device | |
KR100916763B1 (en) | Semiconductor device test system | |
JP5614354B2 (en) | Semiconductor device and output circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120705 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20121203 |