[go: up one dir, main page]

JP2009283618A - Method of designing layout for integrated circuit device and method of manufacturing the device, micro cell, integrated circuit device, and electronic device - Google Patents

Method of designing layout for integrated circuit device and method of manufacturing the device, micro cell, integrated circuit device, and electronic device Download PDF

Info

Publication number
JP2009283618A
JP2009283618A JP2008133141A JP2008133141A JP2009283618A JP 2009283618 A JP2009283618 A JP 2009283618A JP 2008133141 A JP2008133141 A JP 2008133141A JP 2008133141 A JP2008133141 A JP 2008133141A JP 2009283618 A JP2009283618 A JP 2009283618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dummy pattern
pattern
macro cell
layout
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008133141A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Kurashima
健司 倉島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008133141A priority Critical patent/JP2009283618A/en
Publication of JP2009283618A publication Critical patent/JP2009283618A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】設計工数をほとんど増加させることなく、マクロセルの配置ミスを容易に発見することができる集積回路装置のレイアウト設計方法及び製造方法、マクロセル、集積回路装置並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の集積回路装置のレイアウト設計方法は、マクロセルに形成された所定のデザインルールを満たさない第1のダミーパターンに対応させて、マクロセルの配置予定領域の一部に所定のデザインルールを満たさない第2のダミーパターンを作成(S20)し、マクロセルを配置し(S30)、マクロセル配置後のレイアウトパターンが所定のデザインルールを満たすかチェックする(S40)。マクロセルが配置予定領域に配置された場合は第1、第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは所定のデザインルールを満たし、マクロセルが配置予定領域に配置されなかった場合は当該ダミーパターンは所定のデザインルールを満たさない。
【選択図】図3
Provided are an integrated circuit device layout design method and manufacturing method, a macro cell, an integrated circuit device, and an electronic device that can easily find a macro cell arrangement error without increasing design man-hours.
An integrated circuit device layout design method according to the present invention provides a predetermined design in a part of a planned layout area of a macro cell in correspondence with a first dummy pattern that does not satisfy a predetermined design rule formed in a macro cell. A second dummy pattern that does not satisfy the rule is created (S20), a macro cell is arranged (S30), and it is checked whether the layout pattern after the macro cell arrangement satisfies a predetermined design rule (S40). The dummy pattern formed by the first and second dummy patterns satisfies a predetermined design rule when the macro cell is arranged in the planned arrangement area, and the dummy pattern is predetermined when the macro cell is not arranged in the planned arrangement area. Does not meet the design rules.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、集積回路装置のレイアウト設計方法及び製造方法、マクロセル、集積回路装置並びに電子機器に関する。   The present invention relates to an integrated circuit device layout design method and manufacturing method, a macro cell, an integrated circuit device, and an electronic apparatus.

集積回路装置(LSI)の大規模化・多機能化に伴う製品開発工数の増大を抑制するために、複数の基本機能セルを組み合わせてより複雑な機能を実現するマクロセルを利用した回路設計手法が広く知られている。例えば、通信用インターフェース回路、メモリ、PLL、CPU等のマクロセルがLSIの設計資産として広く利用されており、マクロセルはIP(Intellectual Property)モジュールとも呼ばれる。
特開2006−133835号公報 特開2001−142923号公報 特開2000−286342号公報
In order to suppress the increase in the number of product development man-hours associated with the increase in scale and multifunction of integrated circuit devices (LSIs), there is a circuit design method using a macro cell that realizes more complex functions by combining multiple basic function cells. Widely known. For example, macrocells such as communication interface circuits, memories, PLLs, and CPUs are widely used as LSI design assets, and the macrocells are also called IP (Intellectual Property) modules.
JP 2006-133835 A JP 2001-142923 A JP 2000-286342 A

マクロセルを利用したLSIの設計手法では、例えば、LSIのレイアウト領域にマクロセルのレイアウトパターンを所定の位置に配置し、当該レイアウトパターン上に形成された信号入出力用のポートに必要な信号線を接続する配線パターンを作成することによりLSIのレイアウト設計が行われる。あるいは、LSIのレイアウト領域に、当該配線パターンを作成した後、マクロセルを所定の位置に配置することによりLSIのレイアウト設計が行われる。レイアウト設計の各段階において、作成したレイアウトパターンがデザインルールを満たすか否かを判断するために適当なタイミングでDRC(Design Rule Check)検証が行われる。そして、最終的に完成したLSIのレイアウトパターンをLSIの回路接続情報と比較するLVS(Layout versus Schematic)検証が行われ、最終的なレイアウトパターンの正当性が確認される。   In an LSI design method using a macro cell, for example, a macro cell layout pattern is placed at a predetermined position in an LSI layout area, and necessary signal lines are connected to signal input / output ports formed on the layout pattern. LSI layout design is performed by creating a wiring pattern to be performed. Alternatively, after the wiring pattern is created in the LSI layout area, the layout of the LSI is designed by placing the macro cell at a predetermined position. At each stage of layout design, DRC (Design Rule Check) verification is performed at an appropriate timing in order to determine whether or not the created layout pattern satisfies the design rule. Then, LVS (Layout versus Schematic) verification is performed in which the layout pattern of the finally completed LSI is compared with the circuit connection information of the LSI, and the correctness of the final layout pattern is confirmed.

しかし、従来のレイアウト設計方法では、マクロセルの配置位置を間違ったとしても、DRC検証では必ずしもデザインルールエラーが存在するとは限らない。特に、ポートの位置が全く同じであるが種類の異なるマクロセルが複数存在する場合には、配置すべきマクロセルの種類を間違ったとしてもデザインルールエラーが発生しないケースが容易に想像できる。従って、レイアウト設計の各段階においてDRC検証を行っていたとしても、最終的なLVS検証の結果にエラーを確認するまでマクロセルの配置ミスに気付かない場合があった。そのため、最悪の場合にはレイアウトの大幅なやり直しのために設計工数を費やす場合もあった。また、最終的なLVS検証の結果にエラーが存在する場合でも、最終的なLSIのレイアウトパターンは複雑であるため実際に配線ミスが存在すると思い込んで無駄な解析工数を費やす場合もあった。このような事態を避けるために、レイアウトの各段階においてDRC検証だけでなくLVS検証を行うことが考えられる。しかし、レイアウトの各段階においてLVS検証を行うには、各段階のレイアウトパターンに対応する回路接続情報を作成しなければならず設計工数が増大する。また、LVS検証の結果にエラーが存在する場合でも、やはり実際に配線ミスが存在すると思い込んで無駄な解析工数を費やすことを避けるのは難しい。さらに、LVS検証の実行時間はDRC検証の実行時間と比較してかなり長いので設計工数の増大の原因にもなる。   However, in the conventional layout design method, even if the placement position of the macro cell is wrong, there is not always a design rule error in DRC verification. In particular, when there are a plurality of different types of macro cells with the same port position, it is easy to imagine a case in which a design rule error does not occur even if the type of macro cell to be arranged is wrong. Therefore, even if DRC verification is performed at each stage of layout design, there is a case where a macro cell arrangement error is not noticed until an error is confirmed in the final LVS verification result. For this reason, in the worst case, design man-hours may be expended for a large redo of the layout. Even if there is an error in the final LVS verification result, the layout pattern of the final LSI is complicated, so that there is a case where a wasteful analysis man-hour is spent assuming that a wiring error actually exists. In order to avoid such a situation, it is conceivable to perform not only DRC verification but also LVS verification at each stage of the layout. However, in order to perform LVS verification at each stage of layout, circuit connection information corresponding to the layout pattern at each stage must be created, which increases the number of design steps. Even if there is an error in the LVS verification result, it is difficult to avoid spending unnecessary analysis steps assuming that there is actually a wiring error. Furthermore, the execution time of the LVS verification is considerably longer than the execution time of the DRC verification, which causes an increase in design man-hours.

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、設計工数をほとんど増加させることなく、マクロセルの配置ミスを容易に発見することができる集積回路装置のレイアウト設計方法及び製造方法、マクロセル、集積回路装置並びに電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and a layout design method and a manufacturing method for an integrated circuit device that can easily find a macro cell arrangement error without substantially increasing the design man-hours. An object of the present invention is to provide a macro cell, an integrated circuit device, and an electronic device.

(1)本発明は、
レイアウトパターン情報を有するマクロセルを含む集積回路装置のレイアウト設計方法であって、
前記マクロセルの前記レイアウトパターン情報に含まれる少なくとも1つのレイヤーのレイアウトパターンにおいて形成された所定のデザインルールを満たさない第1のダミーパターンに対応させて、前記集積回路装置のレイアウト領域に含まれる前記マクロセルの配置予定領域の一部に、前記所定のデザインルールを満たさない第2のダミーパターンを作成するダミーパターン作成ステップと、
前記集積回路装置のレイアウト領域に前記マクロセルを配置するマクロセル配置ステップと、
前記マクロセルを配置した後の前記集積回路装置のレイアウトパターンが前記所定のデザインルールを満たすか否かをチェックするデザインルールチェックステップと、を含み、
前記マクロセル配置ステップにおいて、
前記マクロセルが前記配置予定領域に配置された場合には、前記第1のダミーパターンと前記第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは前記所定のデザインルールを満たし、前記マクロセルが前記配置予定領域に配置されなかった場合には、前記第1のダミーパターンと前記第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは前記所定のデザインルールを満たさないことを特徴とする。
(1) The present invention
A layout design method for an integrated circuit device including a macro cell having layout pattern information,
The macro cell included in the layout area of the integrated circuit device in association with a first dummy pattern that does not satisfy a predetermined design rule formed in a layout pattern of at least one layer included in the layout pattern information of the macro cell. A dummy pattern creating step for creating a second dummy pattern that does not satisfy the predetermined design rule in a part of the arrangement planned area;
A macro cell placement step of placing the macro cell in a layout region of the integrated circuit device;
A design rule check step for checking whether or not a layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell is arranged satisfies the predetermined design rule,
In the macro cell placement step,
When the macro cell is placed in the planned placement area, the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern satisfies the predetermined design rule, and the macro cell is placed in the planned placement area. If not arranged, the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern does not satisfy the predetermined design rule.

第1のダミーパターンは、例えば、ポリシリコン配線層、メタル1配線層〜メタル6配線層等のいずれか1つのレイヤーにおいて形成されていてもよいし、2つ以上のレイヤーに形成されていてもよい。   For example, the first dummy pattern may be formed in any one layer such as a polysilicon wiring layer, a metal 1 wiring layer to a metal 6 wiring layer, or may be formed in two or more layers. Good.

第1のダミーパターンは1種類のデザインルールを満たさないように形成されていてもよいし、2種類以上のデザインルールを満たさないように形成されていてもよい。   The first dummy pattern may be formed so as not to satisfy one type of design rule, or may be formed so as not to satisfy two or more types of design rules.

第2のダミーパターンは1種類のデザインルールを満たさないように作成してもよいし、2種類以上のデザインルールを満たさないように作成してもよい。   The second dummy pattern may be created so as not to satisfy one type of design rule, or may be created so as not to satisfy two or more types of design rules.

マクロセルが配置予定領域に配置された場合に第1のダミーパターンと第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは、所定のデザインルールを満たす最小値を有するように形成されるようにしてもよい。例えば、当該ダミーパターンは、その線幅又は面積がデザインルールを満たす最小の線幅又は最小の面積となるように形成されるようにしてもよい。   When the macro cell is arranged in the planned arrangement area, the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern may be formed so as to have a minimum value satisfying a predetermined design rule. . For example, the dummy pattern may be formed so that the line width or area thereof is the minimum line width or the minimum area that satisfies the design rule.

本発明によれば、マクロセルが配置予定領域に正しく配置された場合には、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは所定のデザインルールを満たす。一方、第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンはともに所定のデザインルールを満たさないように形成されているので、マクロセルが配置予定領域に正しく配置されなかった場合には、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは所定のデザインルールを満たさない。従って、本発明によれば、マクロセルを配置した後の集積回路装置のレイアウトパターンに対してデザインルールチェックを実行することによりマクロセルが配置予定領域に正しく配置されたか否かを簡単かつ確実にチェックすることができる。   According to the present invention, when the macro cell is correctly arranged in the planned arrangement area, the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern satisfies a predetermined design rule. On the other hand, since both the first dummy pattern and the second dummy pattern are formed so as not to satisfy the predetermined design rule, if the macro cell is not correctly arranged in the planned arrangement area, the first dummy pattern The dummy pattern formed by the second dummy pattern does not satisfy a predetermined design rule. Therefore, according to the present invention, a design rule check is performed on the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell is arranged to easily and surely check whether the macro cell is correctly arranged in the planned arrangement area. be able to.

また、本発明によれば、集積回路装置の最終的なチップレイアウトが完成する前に、マクロセルを配置した後の集積回路装置のレイアウトパターンに対してデザインルールチェックを実行することにより、マクロセルの配置ずれを早期に発見することができる。   In addition, according to the present invention, before the final chip layout of the integrated circuit device is completed, the macro cell placement is performed by performing the design rule check on the layout pattern of the integrated circuit device after the placement of the macro cell. Misalignment can be detected early.

(2)本発明の集積回路装置のレイアウト設計方法は、
前記ダミーパターン作成ステップにおいて、
前記マクロセルの前記レイアウトパターン情報に含まれる前記少なくとも1つのレイヤーのレイアウトパターンにおいて前記第1のダミーパターンを作成するようにしてもよい。
(2) The integrated circuit device layout design method of the present invention includes:
In the dummy pattern creating step,
The first dummy pattern may be created in the layout pattern of the at least one layer included in the layout pattern information of the macro cell.

(3)本発明の集積回路装置のレイアウト設計方法は、
前記ダミーパターン作成ステップにおいて、
前記所定のデザインルールを満たすダミーパターンを作成し、当該ダミーパターンを分割して前記第1のダミーパターン及び前記第2のダミーパターンを作成し、
前記マクロセル配置ステップにおいて、
前記マクロセルが前記配置予定領域に配置された場合には、前記第1のダミーパターンと前記第2のダミーパターンによって前記所定のデザインルールを満たす前記ダミーパターンが形成されるするようにしてもよい。
(3) An integrated circuit device layout design method of the present invention includes:
In the dummy pattern creating step,
Creating a dummy pattern satisfying the predetermined design rule, dividing the dummy pattern to create the first dummy pattern and the second dummy pattern;
In the macro cell placement step,
When the macro cell is arranged in the arrangement planned area, the dummy pattern satisfying the predetermined design rule may be formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern.

ダミーパターンは、所定のデザインルールを満たす最小値を有するように作成してもよい。例えば、当該ダミーパターンは、その線幅又は面積がデザインルールを満たす最小の線幅又は最小の面積となるように作成してもよい。   The dummy pattern may be created so as to have a minimum value that satisfies a predetermined design rule. For example, the dummy pattern may be created so that the line width or area thereof is the minimum line width or the minimum area that satisfies the design rule.

本発明によれば、まず所定のデザインルールを満たすダミーパターンを形成した後、当該ダミーパターンを分割して第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンを作成する。従って、当該ダミーパターンを所定のデザインルールを満たす最小値を有するように作成すれば、当該所定のデザインルールを満たさない第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンを容易に作成することができる。   According to the present invention, first, after forming a dummy pattern satisfying a predetermined design rule, the dummy pattern is divided to create a first dummy pattern and a second dummy pattern. Therefore, if the dummy pattern is created so as to have a minimum value that satisfies the predetermined design rule, the first dummy pattern and the second dummy pattern that do not satisfy the predetermined design rule can be easily created.

(4)本発明の集積回路装置のレイアウト設計方法は、
前記第1のダミーパターン及び前記第2のダミーパターンの形状は、非線対称かつ非点対称であってもよい。
(4) An integrated circuit device layout design method of the present invention includes:
The shapes of the first dummy pattern and the second dummy pattern may be non-linearly symmetric and astigmatic.

本発明によれば、第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンの形状は、線対称及び点対称のいずれでもない形状のレイアウトパターンであるので、配置予定領域に左右や上下を逆にしてマクロセルを配置した場合にもデザインルールエラーが発生する。従って、集積回路装置の最終的なチップレイアウトが完成する前に、マクロセルを配置した後の集積回路装置のレイアウトに対してデザインルールチェックを実行することにより、マクロセルの配置方向の間違いを早期に発見することができる。   According to the present invention, the shape of the first dummy pattern and the second dummy pattern is a layout pattern having a shape that is neither a line symmetry nor a point symmetry. A design rule error also occurs when placing. Therefore, before the final chip layout of the integrated circuit device is completed, a design rule check is performed on the layout of the integrated circuit device after the placement of the macro cell, so that an error in the placement direction of the macro cell can be detected early. can do.

(5)本発明の集積回路装置のレイアウト設計方法は、
前記第1のダミーパターンは、前記マクロセルの種類を識別可能なレイアウトパターンであり、
前記マクロセル配置ステップにおいて、
前記マクロセルが前記配置予定領域に配置された場合には、前記第1のダミーパターンと前記第2のダミーパターンによって前記マクロセルの種類を識別可能な前記所定のデザインルールを満たすダミーパターンが形成されるようにしてもよい。
(5) An integrated circuit device layout design method of the present invention includes:
The first dummy pattern is a layout pattern that can identify the type of the macro cell,
In the macro cell placement step,
When the macro cell is arranged in the planned arrangement area, a dummy pattern satisfying the predetermined design rule capable of identifying the type of the macro cell is formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern. You may do it.

マクロセルの種類を識別可能なレイアウトパターンは、文字や数字を形取った形状のレイアウトパターンであってもよい。   The layout pattern that can identify the type of the macro cell may be a layout pattern in the shape of letters and numbers.

本発明によれば、第1のダミーパターンはマクロセルの種類を識別可能なレイアウトパターンであるので、配置予定領域に間違った種類のマクロセルを配置した場合にもデザインルールエラーが発生する。従って、集積回路装置の最終的なチップレイアウトが完成する前に、マクロセルを配置した後の集積回路装置のレイアウトに対してデザインルールチェックを実行することにより、配置したマクロセルの種類の間違いを早期に発見することができる。   According to the present invention, since the first dummy pattern is a layout pattern that can identify the type of the macro cell, a design rule error also occurs when an incorrect type of macro cell is arranged in the arrangement planned area. Therefore, before the final chip layout of the integrated circuit device is completed, a design rule check is performed on the layout of the integrated circuit device after the placement of the macro cell, so that an error in the type of the placed macro cell can be quickly detected. Can be found.

(6)本発明の集積回路装置のレイアウト設計方法は、
前記所定のデザインルールは、レイアウトパターンの線幅を規定するデザインルール及びレイアウトパターンの面積を規定するデザインルールの少なくとも一方のデザインルールであってもよい。
(6) The integrated circuit device layout design method of the present invention comprises:
The predetermined design rule may be at least one of a design rule that defines a line width of a layout pattern and a design rule that defines an area of the layout pattern.

第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンはともに、横方向の線幅がデザインルールを満たさない矩形パターンと、縦方向の線幅がデザインルールを満たさない矩形パターンを含んで構成されていてもよい。これらの矩形パターンは、さらにその面積がデザインルールを満たさないように形成されていてもよい。さらに、マクロセルが配置予定領域に配置された場合に当該第1のダミーパターン及び当該第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは、横方向の線幅がデザインルールを満たす最小線幅の矩形パターンと、縦方向の線幅がデザインルールを満たす最小線幅の矩形パターンを含むように形成されるようにしてもよい。これらの矩形パターンは、さらにその面積がデザインルールを満たす最小面積になるように形成されるようにしてもよい。   Both the first dummy pattern and the second dummy pattern may include a rectangular pattern in which the horizontal line width does not satisfy the design rule and a rectangular pattern in which the vertical line width does not satisfy the design rule. Good. These rectangular patterns may be formed such that the area does not satisfy the design rule. Further, when the macro cell is arranged in the arrangement planned area, the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern is a rectangular pattern having a minimum line width satisfying the design rule in the horizontal line width. In addition, the vertical line width may be formed so as to include a rectangular pattern having a minimum line width that satisfies the design rule. These rectangular patterns may be further formed so that the area thereof is the minimum area that satisfies the design rule.

また、第1のダミーパターンは、横方向の線幅及び縦方向の線幅がデザインルールを満たさない矩形パターンにより構成され、第2のダミーパターンは、矩形パターンから第1のダミーパターンの形状をくり抜いた形状のパターンにより構成されていてもよい。第1のダミーパターンと第2のダミーパターンはともに、さらにその面積がデザインルールを満たさないように形成されていてもよい。さらに、マクロセルが配置予定領域に配置された場合に当該第1のダミーパターン及び当該第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは、横方向の線幅及び縦方向の線幅がともにデザインルールを満たす最小線幅の矩形パターンとして形成されるようにしてもよい。この矩形パターンは、さらにその面積がデザインルールを満たす最小面積になるように形成されるようにしてもよい。   The first dummy pattern is configured by a rectangular pattern in which the horizontal line width and the vertical line width do not satisfy the design rule, and the second dummy pattern changes the shape of the first dummy pattern from the rectangular pattern. You may be comprised by the pattern of the hollow shape. Both the first dummy pattern and the second dummy pattern may be formed so that the area does not satisfy the design rule. Further, when the macro cell is arranged in the arrangement planned area, the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern has a design rule for both the horizontal line width and the vertical line width. You may make it form as a rectangular pattern of the minimum line | wire width to satisfy | fill. This rectangular pattern may be formed so that the area thereof is the minimum area that satisfies the design rule.

このように、第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンがともに、横方向の線幅及び縦方向の線幅がデザインルールを満たさないように構成されており、マクロセルが配置予定領域に配置された場合に第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンの面積がデザインルールを満たす最小面積になる場合には、マクロセルが配置予定領域に対して少しでもずれて配置されると線幅及び面積の少なくとも一方のデザインルールを満たさないダミーパターンが形成される。従って、マクロセルの配置ずれを容易に発見することができる。   As described above, both the first dummy pattern and the second dummy pattern are configured such that the horizontal line width and the vertical line width do not satisfy the design rule, and the macro cell is arranged in the planned arrangement area. If the area of the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern is the minimum area satisfying the design rule, the macro cell is arranged with a slight deviation from the planned arrangement area. A dummy pattern that does not satisfy at least one of the line width and area design rules is formed. Therefore, it is possible to easily find the displacement of the macro cell.

(7)本発明は、
上記のいずれかに記載のレイアウト設計方法によって前記集積回路装置のレイアウトパターンを設計するステップと、
前記レイアウトパターンが描画されたフォトマスクを作成するステップと、
前記フォトマスクを用いて集積回路を半導体基板に形成するステップと、を含むことを特徴とする集積回路装置の製造方法である。
(7) The present invention
Designing a layout pattern of the integrated circuit device by the layout design method according to any one of the above,
Creating a photomask on which the layout pattern is drawn;
Forming an integrated circuit on a semiconductor substrate using the photomask. A method for manufacturing an integrated circuit device, comprising:

(8)本発明は、
集積回路装置の設計に使用されるマクロセルであって、
少なくとも1つのレイヤーのレイアウトパターンにおいて所定のデザインルールを満たさないダミーパターンが形成されたレイアウトパターン情報を含むことを特徴とする。
(8) The present invention
A macrocell used in the design of an integrated circuit device,
It includes layout pattern information in which a dummy pattern that does not satisfy a predetermined design rule is formed in a layout pattern of at least one layer.

(9)本発明のマクロセルにおいて、
前記ダミーパターンの形状は、非線対称かつ非点対称であってもよい。
(9) In the macro cell of the present invention,
The shape of the dummy pattern may be non-linearly symmetric and astigmatic.

(10)本発明のマクロセルにおいて、
前記ダミーパターンは、前記マクロセルの種類を識別可能なレイアウトパターンであってもよい。
(10) In the macro cell of the present invention,
The dummy pattern may be a layout pattern that can identify the type of the macro cell.

(11)本発明のマクロセルにおいて、
前記所定のデザインルールは、レイアウトパターンの線幅を規定するデザインルール及びレイアウトパターンの面積を規定するデザインルールの少なくとも一方のデザインルールであってもよい。
(11) In the macro cell of the present invention,
The predetermined design rule may be at least one of a design rule that defines a line width of a layout pattern and a design rule that defines an area of the layout pattern.

(12)本発明は、
上記のいずれかに記載のマクロセルを含む集積回路装置である。
(12) The present invention
An integrated circuit device including the macro cell according to any one of the above.

(13)本発明は、
上記に記載の集積回路装置と、
前記集積回路装置の処理対象となるデータの入力手段と、
前記集積回路装置により処理されたデータを出力するための出力手段とを含むことを特徴とする電子機器である。
(13) The present invention provides:
An integrated circuit device as described above;
Data input means to be processed by the integrated circuit device;
An electronic device comprising: output means for outputting data processed by the integrated circuit device.

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Moreover, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

1.マクロセル(IPモジュール)
図1は、本実施形態のマクロセル(IPモジュール)について説明するための図である。
1. Macro cell (IP module)
FIG. 1 is a diagram for explaining a macro cell (IP module) of the present embodiment.

マクロセル1は、回路接続情報10、レイアウトパターン情報20、シミュレーション用遅延情報30などにより構成される。   The macro cell 1 includes circuit connection information 10, layout pattern information 20, simulation delay information 30, and the like.

回路接続情報10は、マクロセル1の機能を実現するための回路に含まれる複数の素子及び素子間を接続するネットを規定する情報である。回路接続情報10は、例えば、トランジスタ、抵抗、キャパシタ等の素子とこれらの素子間の接続するネットを規定するアナログ回路接続情報であってもよい。また、回路接続情報10は、例えば、論理素子とこれらの素子間の接続するネットを規定するデジタル回路接続情報であってもよい。回路接続情報10は、例えば、Verilogネットリストファイルであってもよい。   The circuit connection information 10 is information that defines a plurality of elements included in a circuit for realizing the function of the macro cell 1 and a net that connects the elements. The circuit connection information 10 may be, for example, analog circuit connection information that defines elements such as transistors, resistors, capacitors, etc. and a net connected between these elements. Further, the circuit connection information 10 may be, for example, digital circuit connection information that defines a logic element and a net connecting between these elements. The circuit connection information 10 may be, for example, a Verilog netlist file.

レイアウトパターン情報20は、ポリシリコン層やメタル配線層等の各レイヤー毎のレイアウトパターンを含む情報である。マクロセル1は、少なくとも1つのレイヤー(例えば、メタル5配線層)のレイアウトパターンにおいてダミーパターン(第1のダミーパターン)が形成されている。ここで、ダミーパターンは、マクロセル1の本来の機能(回路接続情報に基づいて発揮される機能)を実現するためには必要とされないパターンである。レイアウトパターン情報20は、例えば、GDSIIファイルであってもよい。   The layout pattern information 20 is information including a layout pattern for each layer such as a polysilicon layer or a metal wiring layer. In the macro cell 1, a dummy pattern (first dummy pattern) is formed in a layout pattern of at least one layer (for example, a metal 5 wiring layer). Here, the dummy pattern is a pattern that is not required in order to realize the original function of the macro cell 1 (function exhibited based on circuit connection information). The layout pattern information 20 may be a GDSII file, for example.

シミュレーション用遅延情報30は、回路接続情報10において規定された各ネット間を信号が伝搬する時間を規定する情報であり、論理シミュレーションや回路シミュレーションの実行時に使用される。回路接続情報10において規定された各ネット間を信号が伝搬する時間は、例えば、レイアウトパターン情報20から抽出された寄生容量や寄生抵抗に基づいて計算される。シミュレーション用遅延情報30は、例えば、SDFファイルであってもよい。   The simulation delay information 30 is information that defines the time during which a signal propagates between the nets defined in the circuit connection information 10, and is used when a logic simulation or a circuit simulation is executed. The time for which the signal propagates between the nets defined in the circuit connection information 10 is calculated based on, for example, the parasitic capacitance and parasitic resistance extracted from the layout pattern information 20. The simulation delay information 30 may be, for example, an SDF file.

図2(A)〜図2(D)に、マクロセルのレイアウトパターン情報に含まれる第1のダミーパターンの例を示す。第1のダミーパターンは、少なくとも1つのレイヤー(例えば、メタル5配線層)のレイアウトパターンにおいて、所定のデザインルールを満たさないように形成される。図2(A)〜図2(D)に示すように、第1のダミーパターンは、例えば、1つのレイヤーのレイアウトパターンに対して許容される最小線幅(例えば、メタル5層配線の最小線幅)を規定するデザインルール(Minimum-Widthルール)を満たさないように形成されていてもよい。また、第1のダミーパターンは、例えば、1つのレイヤーのレイアウトパターンに対して許容される最小面積を規定するデザインルール(Minimum-Areaルール)を満たさないように形成されていてもよい。また、第1のダミーパターンは、例えば、1つのレイヤーのレイアウトパターンに対してMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールをともに満たさないように形成されていてもよい。   2A to 2D show examples of the first dummy pattern included in the layout pattern information of the macro cell. The first dummy pattern is formed so as not to satisfy a predetermined design rule in the layout pattern of at least one layer (for example, a metal 5 wiring layer). As shown in FIGS. 2A to 2D, the first dummy pattern has, for example, the minimum line width allowed for the layout pattern of one layer (for example, the minimum line of metal five-layer wiring) It may be formed so as not to satisfy the design rule (Minimum-Width rule) that defines (width). Further, the first dummy pattern may be formed so as not to satisfy a design rule (Minimum-Area rule) that defines a minimum area allowed for a layout pattern of one layer, for example. Further, the first dummy pattern may be formed so as not to satisfy both the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule with respect to the layout pattern of one layer, for example.

図2(A)に示す第1のダミーパターン100は、13個の矩形パターン101〜113により構成されている。13個の矩形パターン101〜113は1つのレイヤーにおいて形成されていてもよいし、2つ以上のレイヤーにおいて形成されていてもよい。例えば、パターン101、103、105、107、109、111、113はメタル6配線層において形成され、パターン102、104、106、108、110、112はメタル5配線層において形成されていてもよい。   A first dummy pattern 100 shown in FIG. 2A is composed of 13 rectangular patterns 101 to 113. The 13 rectangular patterns 101 to 113 may be formed in one layer, or may be formed in two or more layers. For example, the patterns 101, 103, 105, 107, 109, 111, 113 may be formed in the metal 6 wiring layer, and the patterns 102, 104, 106, 108, 110, 112 may be formed in the metal 5 wiring layer.

ここで、矩形パターン101、104、106、111の各々の縦の辺の長さ(線幅)w、w、w、w11はデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。一方、矩形パターン102、103、105、107、108、109、110、112、113の各々の横の辺の長さ(線幅)w、w、w、w7、、w、w10、w12、13はデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。すなわち、矩形パターン101〜113はすべてMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。 Here, the lengths (line widths) w 1 , w 4 , w 6 , and w 11 of the vertical sides of each of the rectangular patterns 101, 104, 106, and 111 are smaller than the minimum line width allowed in the design rule. On the other hand, the length (line width) w 2 , w 3 , w 5 , w 7, w 8 , w of each horizontal side of each of the rectangular patterns 102, 103, 105, 107, 108, 109, 110, 112, 113. 9, w 10, w 12, w 13 is smaller than the minimum line width allowed in the design rule. That is, all the rectangular patterns 101 to 113 are formed so as not to satisfy the Minimum-Width rule.

さらに、矩形パターン101〜113の各々の面積はデザインルールにおいて許容される最小面積よりも小さい。すなわち、矩形パターン101〜113はすべてMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。   Furthermore, the area of each of the rectangular patterns 101 to 113 is smaller than the minimum area allowed in the design rule. That is, all the rectangular patterns 101 to 113 are formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

従って、第1のダミーパターン100はMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールをともに満たさない。   Accordingly, the first dummy pattern 100 does not satisfy both the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule.

また、第1のダミーパターン100は、矩形パターン101〜113により「P01」の文字を形取った形状をしている。ここで、「P01」の文字はマクロセルの種類を識別可能な文字である。すなわち、マクロセル1の第1のダミーパターン100は「P01」を形取った形状をしているが、他の種類のマクロセルの第1のダミーパターンは、例えば「P02」、「P03」、・・・のように「P01」と異なる文字を形取った形状をしている。このように、マクロセルのレイアウトパターン情報においてマクロセルの種類を表すユニークな文字を形取った形状の第1のダミーパターンを形成しておくことにより、レイアウトパターン情報からマクロセルの種類を視覚的に簡単に識別することができる。   The first dummy pattern 100 has a shape in which the characters “P01” are formed by the rectangular patterns 101 to 113. Here, the character “P01” is a character that can identify the type of the macro cell. That is, the first dummy pattern 100 of the macro cell 1 has a shape of “P01”, but the first dummy patterns of other types of macro cells are, for example, “P02”, “P03”,.・ It has a shape that is different from “P01”. In this way, by forming the first dummy pattern in the shape of the unique character representing the type of the macro cell in the layout pattern information of the macro cell, the type of the macro cell can be easily visually determined from the layout pattern information. Can be identified.

図2(B)に示す第1のダミーパターン120は、10個の矩形パターン121〜130により構成されている。10個の矩形パターン121〜130は1つのレイヤーにおいて形成されていてもよいし、2つ以上のレイヤーにおいて形成されていてもよい。例えば、パターン121、123、125、127、129はメタル6配線層において形成され、パターン122、124、126、128、130はメタル5配線層において形成されていてもよい。   The first dummy pattern 120 shown in FIG. 2B is composed of ten rectangular patterns 121-130. The ten rectangular patterns 121 to 130 may be formed in one layer, or may be formed in two or more layers. For example, the patterns 121, 123, 125, 127, and 129 may be formed in the metal 6 wiring layer, and the patterns 122, 124, 126, 128, and 130 may be formed in the metal 5 wiring layer.

ここで、矩形パターン124、126の各々の縦の辺の長さ(線幅)w、wはデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。一方、矩形パターン121、122、123、125、127、128、129、130の各々の横の辺の長さ(線幅)w、w、w、w5、、w、w、w10はデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。すなわち、矩形パターン121〜130はすべてMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。 Here, the lengths (line widths) w 4 and w 6 of the vertical sides of each of the rectangular patterns 124 and 126 are smaller than the minimum line width allowed in the design rule. On the other hand, the lengths (line widths) w 1 , w 2 , w 3 , w 5, w 7 , w 8 , of the horizontal sides of each of the rectangular patterns 121, 122, 123, 125, 127, 128, 129, 130, w 9 and w 10 are smaller than the minimum line width allowed in the design rule. That is, the rectangular patterns 121 to 130 are all formed so as not to satisfy the Minimum-Width rule.

さらに、矩形パターン121〜130の各々の面積はデザインルールにおいて許容される最小面積よりも小さい。すなわち、矩形パターン121〜130はすべてMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。   Furthermore, the area of each of the rectangular patterns 121 to 130 is smaller than the minimum area allowed in the design rule. That is, the rectangular patterns 121 to 130 are all formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

また、ダミーパターン120の形状はマクロセル1に固有のものであり、他の種類のマクロセルのダミーパターンの形状はダミーパターン120の形状と異なるように形成されていてもよい。このように、マクロセルのレイアウトパターン情報においてマクロセルの種類を表すユニークな形状の第1のダミーパターンを形成しておくことにより、レイアウトパターン情報からマクロセルの種類を視覚的に識別することができる。   Further, the shape of the dummy pattern 120 is unique to the macro cell 1, and the shape of the dummy pattern of another type of macro cell may be different from the shape of the dummy pattern 120. As described above, by forming the first dummy pattern having a unique shape representing the type of the macro cell in the layout pattern information of the macro cell, the type of the macro cell can be visually identified from the layout pattern information.

図2(C)に示す第1のダミーパターン140は、1個のL字型パターン141により構成されている。   The first dummy pattern 140 shown in FIG. 2C is composed of one L-shaped pattern 141.

ここで、L字型パターン141の線幅w、wはデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。すなわち、L字型パターン141はMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。 Here, the line widths w 1 and w 2 of the L-shaped pattern 141 are smaller than the minimum line width allowed in the design rule. That is, the L-shaped pattern 141 is formed so as not to satisfy the Minimum-Width rule.

さらに、L字型パターン141の面積はデザインルールにおいて許容される最小面積よりも小さい。すなわち、L字型パターン141はMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。   Furthermore, the area of the L-shaped pattern 141 is smaller than the minimum area allowed in the design rule. That is, the L-shaped pattern 141 is formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

従って、第1のダミーパターン140はMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールをともに満たさない。   Therefore, the first dummy pattern 140 does not satisfy both the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule.

なお、L字型パターン141の面積はデザインルールにおいて許容される最小面積以上であってもよい。すなわち、L字型パターン141はMinimum-Areaルールを満たすように形成されていてもよい。その場合は、第1のダミーパターン140はMinimum-Widthルールを満たさないがMinimum-Areaルールを満たす。   Note that the area of the L-shaped pattern 141 may be greater than or equal to the minimum area allowed in the design rule. That is, the L-shaped pattern 141 may be formed so as to satisfy the Minimum-Area rule. In that case, the first dummy pattern 140 does not satisfy the Minimum-Width rule but satisfies the Minimum-Area rule.

図2(D)に示す第1のダミーパターン160は、2個の矩形パターン161、162により構成されている。2個の矩形パターン161、162は1つのレイヤーにおいて形成されていてもよいし、2つ以上のレイヤーにおいて形成されていてもよい。例えば、パターン161はメタル6配線層において形成され、パターン162はメタル5配線層において形成されていてもよい。   The first dummy pattern 160 shown in FIG. 2D is composed of two rectangular patterns 161 and 162. The two rectangular patterns 161 and 162 may be formed in one layer, or may be formed in two or more layers. For example, the pattern 161 may be formed in the metal 6 wiring layer, and the pattern 162 may be formed in the metal 5 wiring layer.

ここで、矩形パターン161の横の辺の長さ(線幅)wはデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。一方、矩形パターン162の縦の辺の長さ(線幅)wはデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。すなわち、矩形パターン161、162はともにMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。 Here, the length (line width) w 1 of the horizontal side of the rectangular pattern 161 is smaller than the minimum line width allowed in the design rule. On the other hand, the length of the longitudinal sides of the rectangular pattern 162 (line width) w 2 is less than the minimum line width allowed in the design rule. That is, the rectangular patterns 161 and 162 are both formed so as not to satisfy the Minimum-Width rule.

さらに、矩形パターン161、162の各々の面積はデザインルールにおいて許容される最小面積よりも小さい。すなわち、矩形パターン161、162はともにMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。   Further, the area of each of the rectangular patterns 161 and 162 is smaller than the minimum area allowed in the design rule. That is, the rectangular patterns 161 and 162 are both formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

従って、第1のダミーパターン160はMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールをともに満たさない。   Therefore, the first dummy pattern 160 does not satisfy both the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule.

2.集積回路装置のレイアウト設計方法
図3は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト設計方法について説明するためのフローチャート図である。
2. Integrated Circuit Device Layout Design Method FIG. 3 is a flowchart for explaining the integrated circuit device layout design method of this embodiment.

まず、マクロセル(IPモジュール)のレイアウトパターン情報に含まれる少なくとも1つのレイヤーのレイアウトパターンにおいて、所定のデザインルールを満たさない第1のダミーパターンを作成する(ステップS10)。例えば、マクロセル(IPモジュール)のレイアウトパターン情報に含まれる少なくとも1つのレイヤーのレイアウトパターンにおいて、図2(A)〜図2(D)のいずれかのダミーパターン(Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールの少なくとも一方を満たさないダミーパターン)を第1のダミーパターンとして作成してもよい。   First, in the layout pattern of at least one layer included in the layout pattern information of the macro cell (IP module), a first dummy pattern that does not satisfy a predetermined design rule is created (step S10). For example, in the layout pattern of at least one layer included in the layout pattern information of the macro cell (IP module), any one of the dummy patterns (Minimum-Width rule and Minimum-Area rule) shown in FIGS. (A dummy pattern that does not satisfy at least one of the above) may be created as the first dummy pattern.

次に、第1のダミーパターンに対応させて、集積回路装置のレイアウト領域に含まれるマクロセル(IPモジュール)の配置予定領域の一部に、所定のデザインルールを満たさない第2のダミーパターンを作成する(ステップS20)。ステップS10及びS20はダミーパターン作成ステップに対応する。   Next, in correspondence with the first dummy pattern, a second dummy pattern that does not satisfy the predetermined design rule is created in a part of the planned layout area of the macro cell (IP module) included in the layout area of the integrated circuit device. (Step S20). Steps S10 and S20 correspond to a dummy pattern creation step.

次に、集積回路装置のレイアウト領域にマクロセル(IPモジュール)を配置する(ステップS30)。ステップS30はマクロセル配置ステップに対応する。   Next, a macro cell (IP module) is arranged in the layout area of the integrated circuit device (step S30). Step S30 corresponds to a macro cell placement step.

次に、ステップS30でマクロセル(IPモジュール)を配置した後の集積回路装置のレイアウトパターンが所定のデザインルールを満たすか否かをチェックする(ステップS40)。ステップS40はデザインルールチェックステップに対応する。   Next, it is checked whether or not the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell (IP module) is arranged in step S30 satisfies a predetermined design rule (step S40). Step S40 corresponds to a design rule check step.

ステップS30においてマクロセルが配置予定領域に正しく配置された場合には、ステップS10で作成した第1のダミーパターンとステップS20で作成した第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは所定のデザインルールを満たす。一方、第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンはともに所定のデザインルールを満たさないように形成されているので、ステップS30においてマクロセルが配置予定領域に正しく配置されなかった場合には、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは所定のデザインルールを満たさない。従って、マクロセルを配置した後の集積回路装置のレイアウトパターンに対してデザインルールチェックを実行することによりマクロセルが配置予定領域に正しく配置されたか否かを簡単かつ確実にチェックすることができる。   If the macro cell is correctly placed in the planned placement area in step S30, the dummy pattern formed by the first dummy pattern created in step S10 and the second dummy pattern created in step S20 has a predetermined design rule. Fulfill. On the other hand, since both the first dummy pattern and the second dummy pattern are formed so as not to satisfy the predetermined design rule, if the macro cell is not correctly arranged in the arrangement planned area in step S30, the first dummy pattern and the second dummy pattern are displayed. The dummy pattern formed by the dummy pattern and the second dummy pattern do not satisfy a predetermined design rule. Therefore, it is possible to easily and surely check whether or not the macro cell is correctly arranged in the planned arrangement area by executing the design rule check on the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell is arranged.

所定のデザインルールに関するエラーが存在する場合(ステップS50でYesの場合)、マクロセル(IPモジュール)の配置位置を修正し(ステップS60)、ステップS40のデザインルールチェックステップを再度実行する。   If an error relating to a predetermined design rule exists (Yes in step S50), the arrangement position of the macro cell (IP module) is corrected (step S60), and the design rule check step in step S40 is executed again.

一方、所定のデザインルールに関するエラーが存在しない場合(ステップS50でNoの場合)は処理を終了する。   On the other hand, if there is no error relating to the predetermined design rule (No in step S50), the process ends.

図4(A)〜図4(D)は、図3のフローチャートのステップS20において作成される第2のダミーパターンの例を示す図である。   FIGS. 4A to 4D are diagrams illustrating examples of the second dummy pattern created in step S20 of the flowchart of FIG.

図4(A)〜図4(D)に示すダミーパターンは、図2(A)〜図2(D)の第1のダミーパターンの各々が形成されたマクロセルが配置される配置予定領域の一部の領域において、図2(A)〜図2(D)の第1のダミーパターンに対応して作成される第2のダミーパターンの例である。   The dummy pattern shown in FIGS. 4A to 4D is one of the planned arrangement regions where the macro cells in which the first dummy patterns of FIGS. 2A to 2D are formed are arranged. FIG. 3B is an example of a second dummy pattern created corresponding to the first dummy pattern in FIGS. 2A to 2D in the area of the portion.

第2のダミーパターンは所定のデザインルールを満たさないように作成される。例えば、図4(A)〜図4(D)に示すように、第2のダミーパターンは、レイアウトパターンの最小線幅を規定するデザインルール(Minimum-Widthルール)及びレイアウトパターンの最小面積(Minimum-Areaルール)を規定するデザインルールの少なくとも一方のデザインルールを満たさないように作成されてもよい。   The second dummy pattern is created so as not to satisfy a predetermined design rule. For example, as shown in FIGS. 4A to 4D, the second dummy pattern includes a design rule (Minimum-Width rule) that defines the minimum line width of the layout pattern and a minimum area (Minimum of the layout pattern). -Area rule) may be created so as not to satisfy at least one design rule.

図4(A)に示す第2のダミーパターン200は、13個の矩形パターン201〜213により構成されている。13個の矩形パターン201〜213は1つのレイヤーにおいて形成されてもよいし、2つ以上のレイヤーにおいて形成されてもよい。ただし、矩形パターン201〜213は図2(A)の矩形パターン101〜113とそれぞれ同じレイヤーに形成される。例えば、図2(A)の矩形パターン101、103、105、107、109、111、113がメタル6配線層において形成され、パターン102、104、106、108、110、112がメタル5配線層において形成されている場合には、パターン201、203、205、207、209、211、213はメタル6配線層において形成され、パターン202、204、206、208、210、212はメタル5配線層において形成される。   The second dummy pattern 200 shown in FIG. 4A is composed of 13 rectangular patterns 201-213. The 13 rectangular patterns 201 to 213 may be formed in one layer, or may be formed in two or more layers. However, the rectangular patterns 201 to 213 are formed in the same layer as the rectangular patterns 101 to 113 in FIG. For example, the rectangular patterns 101, 103, 105, 107, 109, 111, and 113 in FIG. 2A are formed in the metal 6 wiring layer, and the patterns 102, 104, 106, 108, 110, and 112 are formed in the metal 5 wiring layer. If formed, the patterns 201, 203, 205, 207, 209, 211, and 213 are formed in the metal 6 wiring layer, and the patterns 202, 204, 206, 208, 210, and 212 are formed in the metal 5 wiring layer. Is done.

ここで、矩形パターン201〜213の形状は、それぞれ図2(A)の第1のダミーパターン100を構成する矩形パターン101〜113の形状と同じである。すなわち、矩形パターン201〜213はそれぞれ幅w〜w13がMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。また、矩形パターン201〜213はすべてMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。 Here, the shapes of the rectangular patterns 201 to 213 are the same as the shapes of the rectangular patterns 101 to 113 constituting the first dummy pattern 100 of FIG. That is, the rectangular patterns 201 to 213 are formed such that the widths w 1 to w 13 do not satisfy the Minimum-Width rule. The rectangular patterns 201 to 213 are all formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

また、第2のダミーパターン200は、矩形パターン201〜213により「P01」の文字を形取った形状をしている。ここで、「P01」の文字は、配置予定領域に配置すべきマクロセルの種類を示す。そして、配置予定領域に他の種類のマクロセルを配置する場合は、第2のダミーパターンは、例えば「P02」、「P03」、・・・のように「P01」と異なる文字を形取った形状をしている。このように、マクロセルの種類を示す文字を形取った形状の第2のダミーパターンを作成することにより、配置可能領域に配置すべきマクロセルの種類を視覚的に簡単に識別することができる。   The second dummy pattern 200 has a shape in which the characters “P01” are taken by the rectangular patterns 201 to 213. Here, the characters “P01” indicate the type of macro cell to be placed in the planned placement area. When another type of macro cell is placed in the planned placement area, the second dummy pattern has a shape that is different from “P01” such as “P02”, “P03”,. I am doing. In this way, by creating the second dummy pattern having a shape indicating the type of macro cell, the type of macro cell to be placed in the placeable area can be easily identified visually.

図4(B)に示す第2のダミーパターン220は、10個の矩形パターン221〜230により構成されている。10個の矩形パターン221〜230は1つのレイヤーにおいて形成されてもよいし、2つ以上のレイヤーにおいて形成されてもよい。ただし、矩形パターン221〜230は図2(B)の矩形パターン121〜130とそれぞれ同じレイヤーに形成される。例えば、図2(B)の矩形パターン121、123、125、127、129がメタル6配線層において形成され、パターン122、124、126、128、130がメタル5配線層において形成されている場合には、パターン221、223、225、227、229はメタル6配線層において形成され、パターン222、224、226、228、230はメタル5配線層において形成される。   The second dummy pattern 220 shown in FIG. 4B is composed of ten rectangular patterns 221 to 230. The ten rectangular patterns 221 to 230 may be formed in one layer, or may be formed in two or more layers. However, the rectangular patterns 221 to 230 are formed in the same layer as the rectangular patterns 121 to 130 in FIG. For example, when the rectangular patterns 121, 123, 125, 127, and 129 of FIG. 2B are formed in the metal 6 wiring layer, and the patterns 122, 124, 126, 128, and 130 are formed in the metal 5 wiring layer. The patterns 221, 223, 225, 227, and 229 are formed in the metal 6 wiring layer, and the patterns 222, 224, 226, 228, and 230 are formed in the metal 5 wiring layer.

ここで、矩形パターン221〜230の形状は、それぞれ図2(B)の第1のダミーパターン120を構成する矩形パターン121〜130の形状と同じである。すなわち、矩形パターン221〜230はそれぞれ幅w〜w10がMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。また、矩形パターン221〜230はすべてMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。 Here, the shapes of the rectangular patterns 221 to 230 are the same as the shapes of the rectangular patterns 121 to 130 constituting the first dummy pattern 120 of FIG. That is, the rectangular patterns 221 to 230 are formed such that the widths w 1 to w 10 do not satisfy the Minimum-Width rule. The rectangular patterns 221 to 230 are all formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

また、第2のダミーパターン220の形状は、配置予定領域に配置するマクロセルの種類毎に固有のものであり、配置予定領域に他の種類のマクロセルを配置する場合には第2のダミーパターンの形状はダミーパターン220の形状と異なるように作成する。このように、配置するマクロセルの種類毎に異なる形状の第2のダミーパターンを作成すれば、配置しようとするマクロセルが配置すべきマクロセルか否かを視覚的に識別することができる。   The shape of the second dummy pattern 220 is unique to each type of macro cell to be arranged in the planned arrangement area. When another type of macro cell is arranged in the planned arrangement area, the second dummy pattern 220 The shape is created so as to be different from the shape of the dummy pattern 220. In this manner, if the second dummy pattern having a different shape is created for each type of macro cell to be arranged, it can be visually identified whether the macro cell to be arranged is a macro cell to be arranged.

図4(C)に示す第2のダミーパターン240は、矩形パターンからL字型パターンをくり抜いたパターン241を含んで構成されている。パターン241は図2(C)のL字型パターン141と同じレイヤーに形成される。ここで、パターン241においてくり抜かれたL字型の形状は、図2(C)のL字型パターン241の形状と同じである。   The second dummy pattern 240 shown in FIG. 4C includes a pattern 241 obtained by hollowing out an L-shaped pattern from a rectangular pattern. The pattern 241 is formed in the same layer as the L-shaped pattern 141 in FIG. Here, the L-shaped shape cut out in the pattern 241 is the same as the L-shaped pattern 241 in FIG.

また、パターン241の幅w〜wはデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。すなわち、パターン241はMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。さらに、パターン241の面積はデザインルールにおいて許容される最小面積よりも小さい。すなわち、パターン241はMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。 In addition, the widths w 1 to w 4 of the pattern 241 are smaller than the minimum line width allowed in the design rule. That is, the pattern 241 is formed so as not to satisfy the Minimum-Width rule. Further, the area of the pattern 241 is smaller than the minimum area allowed in the design rule. That is, the pattern 241 is formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

なお、パターン241の面積はデザインルールにおいて許容される最小面積以上であってもよい。すなわち、パターン241はMinimum-Areaルールを満たすように形成されていてもよい。その場合は、第2のダミーパターン240はMinimum-Widthルールを満たさないがMinimum-Areaルールを満たす。   Note that the area of the pattern 241 may be equal to or larger than the minimum area allowed in the design rule. That is, the pattern 241 may be formed so as to satisfy the Minimum-Area rule. In that case, the second dummy pattern 240 does not satisfy the Minimum-Width rule but satisfies the Minimum-Area rule.

図4(D)に示す第2のダミーパターン260は、2個の矩形パターン261、262により構成されている。2個の矩形パターン261、262は1つのレイヤーにおいて形成されていてもよいし、2つ以上のレイヤーにおいて形成されていてもよい。ただし、矩形パターン261、262は図2(D)の矩形パターン161、162とそれぞれ同じレイヤーに形成される。例えば、図2(D)の矩形パターン161がメタル6配線層において形成され、パターン162がメタル5配線層において形成されている場合には、パターン261はメタル6配線層において形成され、パターン262はメタル5配線層において形成される。   The second dummy pattern 260 shown in FIG. 4D is composed of two rectangular patterns 261 and 262. The two rectangular patterns 261 and 262 may be formed in one layer, or may be formed in two or more layers. However, the rectangular patterns 261 and 262 are formed in the same layer as the rectangular patterns 161 and 162 in FIG. For example, when the rectangular pattern 161 of FIG. 2D is formed in the metal 6 wiring layer and the pattern 162 is formed in the metal 5 wiring layer, the pattern 261 is formed in the metal 6 wiring layer, and the pattern 262 is It is formed in the metal 5 wiring layer.

ここで、矩形パターン261、262の形状は、それぞれ図2(D)の矩形パターン161、162の形状と同じである。すなわち、矩形パターン261、262はそれぞれ幅w、wがMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。また、矩形パターン261、262はともにMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。 Here, the shapes of the rectangular patterns 261 and 262 are the same as the shapes of the rectangular patterns 161 and 162 in FIG. That is, the rectangular patterns 261 and 262 are formed so that the widths w 1 and w 4 do not satisfy the Minimum-Width rule. The rectangular patterns 261 and 262 are both formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

図5(A)及び図5(B)は、図3のフローチャートのステップS30において、集積回路装置のレイアウト領域にマクロセルを配置する例を示す図である。   FIGS. 5A and 5B are diagrams illustrating an example in which macro cells are arranged in the layout region of the integrated circuit device in step S30 of the flowchart of FIG.

図5(A)に示すように、図3のフローチャートのステップS10において、マクロセル1のレイアウトパターン情報20には、例えば図2(A)の第1のダミーパターン100が作成されている。一方、図3のフローチャートのステップS20において、集積回路装置のレイアウト領域300におけるマクロセル1の配置予定領域310の一部には、例えば図4(A)の第2のダミーパターン200が作成されている。   As shown in FIG. 5A, in step S10 of the flowchart of FIG. 3, for example, the first dummy pattern 100 of FIG. 2A is created in the layout pattern information 20 of the macro cell 1. On the other hand, in step S20 of the flowchart of FIG. 3, for example, the second dummy pattern 200 of FIG. 4A is created in a part of the layout planned area 310 of the macro cell 1 in the layout area 300 of the integrated circuit device. .

また、集積回路装置のレイアウト領域300には、マクロセル1の電源を供給するための高電圧電源ライン(VDD電源)のレイアウトパターン320及び低電圧電源ライン(VDD電源)のレイアウトパターン330や、マクロセル1の入力ポートや出力ポートに接続される信号線のレイアウトパターン340、342、344、346等が形成されていてもよい。例えば、既存製品に含まれるIPを他の種類のIPに置き換えて新製品を開発するような場合には、IPを配置する前に電源ラインのレイアウトパターン320、330及び信号線のレイアウトパターン340、342、344、346が形成されている場合もある。なお、マクロセル1を配置した後に電源ラインのレイアウトパターン320、330や信号線のレイアウトパターン340、342、344、346を作成してもよい。   Further, in the layout area 300 of the integrated circuit device, a layout pattern 320 of a high voltage power supply line (VDD power supply) and a layout pattern 330 of a low voltage power supply line (VDD power supply) for supplying power to the macrocell 1 and the macrocell 1 The signal line layout patterns 340, 342, 344, and 346 connected to the input ports and output ports may be formed. For example, when a new product is developed by replacing an IP included in an existing product with another type of IP, the power line layout patterns 320 and 330 and the signal line layout pattern 340 are arranged before the IP is arranged. 342, 344, 346 may be formed. Note that, after the macro cell 1 is arranged, the power line layout patterns 320 and 330 and the signal line layout patterns 340, 342, 344, and 346 may be created.

図3のフローチャートのステップS30において、集積回路装置のレイアウト領域300にマクロセル1が配置される。ここで、通常は、マクロセル1の基準点50が、ユーザが指定したレイアウト領域300上の座標(X,Y)で示される位置350に一致するようにマクロセル1が配置(自動配置又は手配置)される。従って、位置350の設定が正しく、かつ、マクロセル1の基準点50が位置350に一致すれば、マクロセル1は配置予定領域200に正しく配置されたことになる。マクロセル1が配置予定領域200に正しく配置された後の集積回路装置のレイアウトパターンの例を図5(B)に示す。マクロセル1が配置予定領域200に正しく配置された場合は、第1のダミーパターン100と第2のダミーパターン200により形成されるダミーパターン400は所定のデザインルールを満たす。一方、マクロセル1が配置予定領域200に正しく配置されなかった場合は、第1のダミーパターン100と第2のダミーパターン200により形成されるダミーパターンは所定のデザインルールを満たさない。   In step S30 of the flowchart of FIG. 3, the macro cell 1 is arranged in the layout region 300 of the integrated circuit device. Here, normally, the macro cell 1 is arranged so that the reference point 50 of the macro cell 1 coincides with the position 350 indicated by the coordinates (X, Y) on the layout area 300 specified by the user (automatic arrangement or manual arrangement). Is done. Therefore, if the setting of the position 350 is correct and the reference point 50 of the macro cell 1 coincides with the position 350, the macro cell 1 is correctly arranged in the planned arrangement area 200. FIG. 5B shows an example of the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell 1 is correctly placed in the planned placement area 200. When the macro cell 1 is correctly arranged in the planned arrangement area 200, the dummy pattern 400 formed by the first dummy pattern 100 and the second dummy pattern 200 satisfies a predetermined design rule. On the other hand, when the macro cell 1 is not correctly arranged in the arrangement planned area 200, the dummy pattern formed by the first dummy pattern 100 and the second dummy pattern 200 does not satisfy a predetermined design rule.

また、マクロセルの種類毎に異なる第1のダミーパターンが形成されている場合には、間違った種類のマクロセルが配置予定領域に正しく配置されても第1のダミーパターンと第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンはデザインルールを満たさない。   Further, when different first dummy patterns are formed for each type of macro cell, even if the wrong type of macro cell is correctly arranged in the planned arrangement region, it is formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern. Dummy pattern does not meet the design rules.

図6(A)〜図6(C)は、図2(A)の第1のダミーパターンと図4(A)の第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図である。   6A to 6C are diagrams for explaining a dummy pattern formed by the first dummy pattern in FIG. 2A and the second dummy pattern in FIG. 4A. .

図6(A)は、マクロセルが配置予定領域に正しく配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 6A is a diagram showing a dummy pattern formed when the macro cell is correctly arranged in the planned arrangement area.

ダミーパターン400は、第1のダミーパターン100を構成する13個の矩形パターン101〜113と第2のダミーパターン200を構成する13個の矩形パターン201〜213がそれぞれ縦方向又は横方向に接することにより形成される13個の矩形パターンを含む。ダミーパターン400に含まれる13個の矩形パターンはすべてMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たす。ここで、ダミーパターン400に含まれる13個の矩形パターンは、幅及び面積の少なくとも一方がデザインルールで許容される最小値になるようにしてもよい。例えば、矩形パターン101と201により形成される矩形パターンは、その幅がデザインルールで許容される最小値になるように形成されるようにしてもよい。また、矩形パターン102と202により形成される矩形パターンは、その面積がデザインルールで許容される最小値になるように形成されるようにしてもよい(さらに、幅もデザインルールで許容される最小値になるように形成されてもよい)。   In the dummy pattern 400, the 13 rectangular patterns 101 to 113 constituting the first dummy pattern 100 and the 13 rectangular patterns 201 to 213 constituting the second dummy pattern 200 are in contact with each other in the vertical direction or the horizontal direction. 13 rectangular patterns formed by All 13 rectangular patterns included in the dummy pattern 400 satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. Here, in the 13 rectangular patterns included in the dummy pattern 400, at least one of the width and the area may be the minimum value allowed by the design rule. For example, the rectangular pattern formed by the rectangular patterns 101 and 201 may be formed so that the width thereof is the minimum value allowed by the design rule. Further, the rectangular pattern formed by the rectangular patterns 102 and 202 may be formed so that the area thereof is the minimum value allowed by the design rule (and the width is also the minimum allowed by the design rule). Value).

図6(B)は、マクロセルが配置予定領域に対して横方向にずれて配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 6B is a diagram showing a dummy pattern that is formed when the macro cell is arranged so as to be shifted in the horizontal direction with respect to the planned arrangement area.

ダミーパターン400’は、Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。例えば、矩形パターン101と201で形成されるパターンはMinimum-Widthルールを満たさない。また、矩形パターン103と203は接触していないため2つの独立したパターンとなり、ともにMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。   The dummy pattern 400 'does not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. For example, the pattern formed by the rectangular patterns 101 and 201 does not satisfy the Minimum-Width rule. Further, since the rectangular patterns 103 and 203 are not in contact with each other, they become two independent patterns, and both do not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule.

図6(C)は、マクロセルが配置予定領域に対して縦方向にずれて配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 6C is a diagram showing a dummy pattern that is formed when the macro cell is arranged so as to be shifted in the vertical direction with respect to the arrangement planned area.

ダミーパターン400’’は、Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。例えば、矩形パターン102と202で形成されるパターンはMinimum-Widthルールを満たさない。また、矩形パターン104と204は接触していないため2つの独立したパターンとなり、ともにMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。   The dummy pattern 400 ″ does not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. For example, the pattern formed by the rectangular patterns 102 and 202 does not satisfy the Minimum-Width rule. Further, since the rectangular patterns 104 and 204 are not in contact with each other, they become two independent patterns, and both do not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule.

図7(A)〜図7(C)は、図2(B)の第1のダミーパターンと図4(B)の第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図である。   FIGS. 7A to 7C are diagrams for explaining a dummy pattern formed by the first dummy pattern of FIG. 2B and the second dummy pattern of FIG. 4B. .

図7(A)は、マクロセルが配置予定領域に正しく配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 7A is a diagram showing a dummy pattern formed when a macro cell is correctly arranged in a planned arrangement area.

ダミーパターン420は、第1のダミーパターン120を構成する10個の矩形パターン121〜130と第2のダミーパターン220を構成する10個の矩形パターン221〜230がそれぞれ縦方向又は横方向に接することにより形成される10個の矩形パターンを含む。ダミーパターン420に含まれる10個の矩形パターンはすべてMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たす。ここで、ダミーパターン420に含まれる10個の矩形パターンは、幅及び面積の少なくとも一方がデザインルールで許容される最小値になるようにしてもよい。例えば、矩形パターン121と221により形成される矩形パターンは、その幅がデザインルールで許容される最小値になるように形成されるようにしてもよい。また、矩形パターン122と222により形成される矩形パターンは、その面積がデザインルールで許容される最小値になるように形成されるようにしてもよい(さらに、幅もデザインルールで許容される最小値になるように形成されてもよい)。   In the dummy pattern 420, the ten rectangular patterns 121 to 130 constituting the first dummy pattern 120 and the ten rectangular patterns 221 to 230 constituting the second dummy pattern 220 are in contact with each other in the vertical direction or the horizontal direction. 10 rectangular patterns formed by All ten rectangular patterns included in the dummy pattern 420 satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. Here, the ten rectangular patterns included in the dummy pattern 420 may be such that at least one of the width and the area is the minimum value allowed by the design rule. For example, the rectangular pattern formed by the rectangular patterns 121 and 221 may be formed so that the width becomes the minimum value allowed by the design rule. Further, the rectangular pattern formed by the rectangular patterns 122 and 222 may be formed such that the area thereof is the minimum value allowed by the design rule (and the width is also the minimum allowable by the design rule). Value).

図7(B)は、マクロセルが配置予定領域に対して横方向にずれて配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 7B is a diagram showing a dummy pattern that is formed when the macro cell is arranged so as to be shifted in the horizontal direction with respect to the planned arrangement area.

ダミーパターン420’は、Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。例えば、矩形パターン124と224で形成されるパターンはMinimum-Widthルールを満たさない。また、矩形パターン122と222は一部が重なっている。従って、図7(A)において矩形パターン122と222により形成される矩形パターンの幅及び面積がともにデザインルールで許容される最小値になる場合は、図7(B)において矩形パターン122と222により形成される矩形パターンはMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。   The dummy pattern 420 'does not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. For example, the pattern formed by the rectangular patterns 124 and 224 does not satisfy the Minimum-Width rule. The rectangular patterns 122 and 222 partially overlap. Accordingly, when both the width and area of the rectangular pattern formed by the rectangular patterns 122 and 222 in FIG. 7A are the minimum values allowed by the design rule, the rectangular patterns 122 and 222 in FIG. The formed rectangular pattern does not satisfy the Minimum-Width rule and Minimum-Area rule.

図7(C)は、マクロセルが配置予定領域に対して縦方向にずれて配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 7C is a diagram showing a dummy pattern that is formed when the macro cell is arranged so as to be shifted in the vertical direction with respect to the arrangement planned area.

ダミーパターン420’’は、Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。例えば、矩形パターン121と221で形成されるパターンはMinimum-Widthルールを満たさない。また、矩形パターン126と226は接触していないため2つの独立したパターンとなり、ともにMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。   The dummy pattern 420 ″ does not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. For example, the pattern formed by the rectangular patterns 121 and 221 does not satisfy the Minimum-Width rule. Further, since the rectangular patterns 126 and 226 are not in contact with each other, they become two independent patterns, and both do not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule.

図8(A)〜図8(C)は、図2(C)の第1のダミーパターンと図4(C)の第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図である。   FIGS. 8A to 8C are diagrams for explaining a dummy pattern formed by the first dummy pattern of FIG. 2C and the second dummy pattern of FIG. 4C. .

図8(A)は、マクロセルが配置予定領域に正しく配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 8A is a diagram showing a dummy pattern formed when the macro cell is correctly arranged in the planned arrangement area.

ダミーパターン440は、第1のダミーパターン140(L字型パターン141)が、第2のダミーパターン240(矩形パターンからL字型パターンをくり抜いたパターン241)にぴったりとはまることにより矩形パターンとして形成される。ダミーパターン440は、Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たす。なお、ダミーパターン440は、幅及び面積がデザインルールで許容される最小値になるように形成されてもよい。   The dummy pattern 440 is formed as a rectangular pattern by the first dummy pattern 140 (L-shaped pattern 141) being closely fitted to the second dummy pattern 240 (pattern 241 obtained by hollowing out an L-shaped pattern from the rectangular pattern). Is done. The dummy pattern 440 satisfies the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. The dummy pattern 440 may be formed such that the width and area are the minimum values allowed by the design rule.

図8(B)は、マクロセルが配置予定領域に対して横方向にずれて配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 8B is a diagram showing a dummy pattern that is formed when the macro cell is arranged so as to be shifted in the horizontal direction with respect to the planned arrangement area.

ダミーパターン440’は、幅w、w、w、wにおいてMinimum-Widthルールを満たさない。また、ダミーパターン440’は、第1のダミーパターン140(L字型パターン141)と第2のダミーパターン240(矩形パターンからL字型パターンをくり抜いたパターン241)が一部重複するようにして形成されている。従って、図8(A)のダミーパターン440の面積がデザインルールで許容される最小値になる場合は、図8(B)のダミーパターン440’はMinimum-Areaルールを満たさない。 The dummy pattern 440 ′ does not satisfy the Minimum-Width rule in the widths w 1 , w 2 , w 3 , and w 4 . Further, the dummy pattern 440 ′ is formed so that the first dummy pattern 140 (L-shaped pattern 141) and the second dummy pattern 240 (pattern 241 obtained by hollowing out the L-shaped pattern from the rectangular pattern) partially overlap. Is formed. Therefore, when the area of the dummy pattern 440 in FIG. 8A is the minimum value allowed by the design rule, the dummy pattern 440 ′ in FIG. 8B does not satisfy the Minimum-Area rule.

図8(C)は、マクロセルが配置予定領域に対して縦方向及び横方向にずれて配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 8C is a diagram showing a dummy pattern that is formed when the macro cell is arranged so as to be shifted in the vertical direction and the horizontal direction with respect to the planned arrangement region.

ダミーパターン440’’は、第1のダミーパターン140(L字型パターン141)と第2のダミーパターン240(矩形パターンからL字型パターンをくり抜いたパターン241)が接するようにして形成されている。従って、ダミーパターン440’’の面積は、図8(A)のダミーパターン440の面積と同じであるため、ダミーパターン440’’はMinimum-Areaルールを満たす。しかし、ダミーパターン440’’は、幅w、w、w、wにおいてMinimum-Widthルールを満たさない。 The dummy pattern 440 ″ is formed so that the first dummy pattern 140 (L-shaped pattern 141) and the second dummy pattern 240 (pattern 241 obtained by hollowing out the L-shaped pattern from the rectangular pattern) are in contact with each other. . Therefore, since the area of the dummy pattern 440 ″ is the same as the area of the dummy pattern 440 in FIG. 8A, the dummy pattern 440 ″ satisfies the Minimum-Area rule. However, the dummy pattern 440 ″ does not satisfy the Minimum-Width rule in the widths w 1 , w 2 , w 3 , and w 4 .

図9(A)〜図9(C)は、図2(D)の第1のダミーパターンと図4(D)の第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図である。   9A to 9C are diagrams for explaining a dummy pattern formed by the first dummy pattern in FIG. 2D and the second dummy pattern in FIG. 4D. .

図9(A)は、マクロセルが配置予定領域に正しく配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 9A is a diagram showing a dummy pattern formed when a macro cell is correctly arranged in a planned arrangement area.

ダミーパターン460は、第1のダミーパターン160を構成する2個の矩形パターン161、162と第2のダミーパターン260を構成する2個の矩形パターン261、262がそれぞれ横方向及び縦方向に接することにより形成される2個の矩形パターンを含む。ダミーパターン460に含まれる2個の矩形パターンはともにMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たす。ここで、ダミーパターン460に含まれる2個の矩形パターンは、幅及び面積の少なくとも一方がデザインルールで許容される最小値になるようにしてもよい。また、ダミーパターン460に含まれる2個の矩形パターンは、幅及び面積のいずれもデザインルールで許容される最小値になるようにしてもよい。   In the dummy pattern 460, the two rectangular patterns 161 and 162 constituting the first dummy pattern 160 and the two rectangular patterns 261 and 262 constituting the second dummy pattern 260 are in contact with each other in the horizontal direction and the vertical direction, respectively. Including two rectangular patterns. Both of the two rectangular patterns included in the dummy pattern 460 satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. Here, in the two rectangular patterns included in the dummy pattern 460, at least one of the width and the area may be a minimum value allowed by the design rule. Further, the two rectangular patterns included in the dummy pattern 460 may have minimum values allowed by the design rule for both width and area.

図9(B)は、マクロセルが配置予定領域に対して横方向にずれて配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 9B is a diagram showing a dummy pattern formed when the macro cell is arranged so as to be shifted in the horizontal direction with respect to the planned arrangement area.

ダミーパターン460’に含まれる2個のパターンは、矩形パターン161と261、矩形パターン162と262がそれぞれ接するようにして形成されている。そのため、図9(A)のダミーパターン460及び図9(B)のダミーパターン460’において、矩形パターン161と261によって形成されるパターンの面積は同じである。同様に、図9(A)のダミーパターン460及び図9(B)のダミーパターン460’において、矩形パターン162と262によって形成されるパターンの面積は同じである。従って、ダミーパターン460’はMinimum-Areaルールを満たす。しかし、ダミーパターン460’は、矩形パターン162と262によって形成されるパターンの幅w、wにおいてMinimum-Widthルールを満たさない。 The two patterns included in the dummy pattern 460 ′ are formed such that the rectangular patterns 161 and 261 and the rectangular patterns 162 and 262 are in contact with each other. Therefore, in the dummy pattern 460 in FIG. 9A and the dummy pattern 460 ′ in FIG. 9B, the areas of the patterns formed by the rectangular patterns 161 and 261 are the same. Similarly, in the dummy pattern 460 in FIG. 9A and the dummy pattern 460 ′ in FIG. 9B, the areas of the patterns formed by the rectangular patterns 162 and 262 are the same. Accordingly, the dummy pattern 460 ′ satisfies the Minimum-Area rule. However, the dummy pattern 460 ′ does not satisfy the Minimum-Width rule in the widths w 1 and w 2 of the pattern formed by the rectangular patterns 162 and 262.

図9(C)は、マクロセルが配置予定領域に対して縦方向にずれて配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 9C is a diagram showing a dummy pattern that is formed when the macro cell is arranged so as to be shifted in the vertical direction with respect to the arrangement planned area.

ダミーパターン460’’に含まれる2個のパターンは、矩形パターン161と261、矩形パターン162と262がそれぞれ接するようにして形成されている。そのため、図9(A)のダミーパターン460及び図9(C)のダミーパターン460’’において、矩形パターン161と261によって形成されるパターンの面積は同じである。同様に、図9(A)のダミーパターン460及び図9(C)のダミーパターン460’’において、矩形パターン162と262によって形成されるパターンの面積は同じである。従って、ダミーパターン460’’はMinimum-Areaルールを満たす。しかし、ダミーパターン460’’は、矩形パターン161と261によって形成されるパターンの幅w、wにおいてMinimum-Widthルールを満たさない。 The two patterns included in the dummy pattern 460 ″ are formed such that the rectangular patterns 161 and 261 and the rectangular patterns 162 and 262 are in contact with each other. Therefore, in the dummy pattern 460 in FIG. 9A and the dummy pattern 460 ″ in FIG. 9C, the areas of the patterns formed by the rectangular patterns 161 and 261 are the same. Similarly, in the dummy pattern 460 of FIG. 9A and the dummy pattern 460 ″ of FIG. 9C, the areas of the patterns formed by the rectangular patterns 162 and 262 are the same. Accordingly, the dummy pattern 460 ″ satisfies the Minimum-Area rule. However, the dummy pattern 460 ″ does not satisfy the Minimum-Width rule in the widths w 1 and w 2 of the pattern formed by the rectangular patterns 161 and 261.

以上説明したように、本実施形態の集積回路装置の設計方法によれば、マクロセル1が配置予定領域310に正しく配置された場合には、第1のダミーパターン100、120、140、160と第2のダミーパターン200、220、240、260によってそれぞれ形成されるダミーパターン400、420、440、460はMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たす。一方、第1のダミーパターン100、120、140、160及び第2のダミーパターン200、220、240、260はともにMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールの少なくとも一方を満たさないように形成されているので、マクロセル1が配置予定領域310に正しく配置されなかった場合には、第1のダミーパターン100、120、140、160と第2のダミーパターン200、220、240、260によってそれぞれ形成されるダミーパターン400’、420’、440’、460’又は400’’、420’’、440’’、460’’等はMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールの少なくとも一方を満たさない。従って、本実施形態の集積回路装置の設計方法によれば、マクロセル1を配置した後の集積回路装置のレイアウトパターンに対してデザインルールチェックを実行することによりマクロセル1が配置予定領域310に正しく配置されたか否かを簡単かつ確実にチェックすることができる。   As described above, according to the integrated circuit device design method of the present embodiment, when the macro cell 1 is correctly arranged in the arrangement planned area 310, the first dummy patterns 100, 120, 140, 160 and The dummy patterns 400, 420, 440, and 460 formed by the two dummy patterns 200, 220, 240, and 260 satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule, respectively. On the other hand, the first dummy patterns 100, 120, 140, 160 and the second dummy patterns 200, 220, 240, 260 are all formed so as not to satisfy at least one of the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. Therefore, if the macro cell 1 is not correctly placed in the planned placement area 310, the dummy formed by the first dummy patterns 100, 120, 140, 160 and the second dummy patterns 200, 220, 240, 260, respectively. The patterns 400 ′, 420 ′, 440 ′, 460 ′ or 400 ″, 420 ″, 440 ″, 460 ″, etc. do not satisfy at least one of the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. Therefore, according to the integrated circuit device design method of the present embodiment, the macro cell 1 is correctly placed in the planned placement region 310 by executing the design rule check on the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell 1 is placed. It is possible to easily and reliably check whether or not it has been done.

また、本実施形態の集積回路装置の設計方法によれば、集積回路装置の最終的なチップレイアウトが完成する前に、マクロセル1を配置した後の集積回路装置のレイアウトパターンに対してデザインルールチェックを実行することにより、マクロセル1の配置ずれを早期に発見することができる。   Also, according to the integrated circuit device design method of the present embodiment, the design rule check is performed on the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell 1 is arranged before the final chip layout of the integrated circuit device is completed. By executing the above, it is possible to detect the displacement of the macro cell 1 at an early stage.

また、第1のダミーパターン100、120、140、160は、いずれも線対称及び点対称のいずれでもない形状のレイアウトパターンである。従って、本実施形態の集積回路装置の設計方法によれば、マクロセル1が配置された後の集積回路装置のレイアウトパターンに対してデザインルールチェックを実行することにより、マクロセル1の配置方向の間違いを容易にチェックすることができる。   The first dummy patterns 100, 120, 140, and 160 are layout patterns having shapes that are neither line-symmetric nor point-symmetric. Therefore, according to the design method of the integrated circuit device of the present embodiment, the design rule check is executed on the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell 1 is placed, so that the mistake in the placement direction of the macro cell 1 is avoided. It can be easily checked.

図10(A)及び図10(B)は、配置するマクロセルの種類を間違った場合に第1のダミーパターンと第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図である。   FIGS. 10A and 10B are diagrams for explaining a dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern when the type of the macro cell to be arranged is wrong.

図10(A)は、図2(A)の第1のダミーパターンが形成されたマクロセル1と種類が異なるマクロセルにおいて形成されている第1のダミーパターンの例を示す図である。   FIG. 10A is a diagram illustrating an example of a first dummy pattern formed in a macro cell of a different type from the macro cell 1 in which the first dummy pattern in FIG. 2A is formed.

第1のダミーパターン180は、16個の矩形パターン181〜196により構成されている。   The first dummy pattern 180 is composed of 16 rectangular patterns 181 to 196.

ここで、矩形パターン181、184、186、191、192、194、196の各々の縦の辺の長さ(線幅)w、w、w、w11、w12、w14、w16はデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。一方、矩形パターン182、183、185、187、188、189、190、193、195の各々の横の辺の長さ(線幅)w、w、w、w7、、w、w10、w13、15はデザインルールにおいて許容される最小線幅よりも小さい。すなわち、矩形パターン181〜196はすべてMinimum-Widthルールを満たさないように形成されている。 Here, the length (line width) w 1 , w 4 , w 6 , w 11 , w 12 , w 14 , w of each vertical side of each of the rectangular patterns 181, 184, 186, 191, 192, 194, 196 16 is smaller than the minimum line width allowed in the design rule. On the other hand, the length (line width) w 2 , w 3 , w 5 , w 7, w 8 , w of each side of each of the rectangular patterns 182, 183, 185, 187, 188, 189, 190, 193, 195 9 , w 10 , w 13, and w 15 are smaller than the minimum line width allowed in the design rule. That is, the rectangular patterns 181 to 196 are all formed so as not to satisfy the Minimum-Width rule.

さらに、矩形パターン181〜196の各々の面積はデザインルールにおいて許容される最小面積よりも小さい。すなわち、矩形パターン181〜196はすべてMinimum-Areaルールを満たさないように形成されている。   Further, the area of each of the rectangular patterns 181 to 196 is smaller than the minimum area allowed in the design rule. That is, the rectangular patterns 181 to 196 are all formed so as not to satisfy the Minimum-Area rule.

従って、第1のダミーパターン180はMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールをともに満たさない。なお、矩形パターン181〜191は、図2(A)の矩形パターン101〜111と同じ大きさ、同じ形状であり、かつ、同じ位置関係にあってもよい。   Therefore, the first dummy pattern 180 does not satisfy both the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. Note that the rectangular patterns 181 to 191 may have the same size and the same shape as the rectangular patterns 101 to 111 in FIG.

また、第1のダミーパターン180は、矩形パターン181〜196により「P02」の文字を形取った形状をしている。ここで、「P02」の文字はマクロセルの種類を識別可能な文字である。   Further, the first dummy pattern 180 has a shape in which the characters “P02” are taken by the rectangular patterns 181 to 196. Here, the character “P02” is a character that can identify the type of the macro cell.

図10(B)は、間違った種類のマクロセルが配置予定領域に配置された場合に形成されるダミーパターンを示す図である。   FIG. 10B is a diagram showing a dummy pattern formed when a wrong type of macro cell is arranged in the planned arrangement area.

ダミーパターン480は、第1のダミーパターン180に含まれる11個の矩形パターン181〜191と第2のダミーパターン200に含まれる11個の矩形パターン201〜211がそれぞれ縦方向又は横方向に接することにより形成される11個の矩形パターンを含む。この11個の矩形パターンはMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たす。しかし、第1のダミーパターン180に含まれる5個の矩形パターン192〜196と第2のダミーパターン200に含まれる2個の矩形パターン212、213により形成されるパターンは、Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。   In the dummy pattern 480, 11 rectangular patterns 181 to 191 included in the first dummy pattern 180 and 11 rectangular patterns 201 to 211 included in the second dummy pattern 200 are in contact with each other in the vertical direction or the horizontal direction. 11 rectangular patterns formed by These eleven rectangular patterns satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. However, a pattern formed by the five rectangular patterns 192 to 196 included in the first dummy pattern 180 and the two rectangular patterns 212 and 213 included in the second dummy pattern 200 is a minimum-width rule and a minimum. -Area rules are not met.

本実施形態の集積回路装置の設計方法によれば、第1のダミーパターン100はマクロセル1の種類を識別可能なレイアウトパターンであるので、配置予定領域310に間違った種類のマクロセルを配置した場合にもデザインルールエラーが発生する。従って、集積回路装置の最終的なチップレイアウトが完成する前に、マクロセルを配置した後の集積回路装置のレイアウトに対してデザインルールチェックを実行することにより、配置したマクロセルの種類の間違いを早期に発見することができる。   According to the design method of the integrated circuit device of this embodiment, since the first dummy pattern 100 is a layout pattern that can identify the type of the macro cell 1, when the wrong type of macro cell is arranged in the arrangement planned area 310, the first dummy pattern 100 can be identified. Even a design rule error occurs. Therefore, before the final chip layout of the integrated circuit device is completed, a design rule check is performed on the layout of the integrated circuit device after the placement of the macro cell, so that an error in the type of the placed macro cell can be quickly detected. Can be found.

図11は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト設計方法の変形例について説明するためのフローチャート図である。   FIG. 11 is a flowchart for explaining a modified example of the layout design method of the integrated circuit device of the present embodiment.

まず、所定のデザインルールを満たすダミーパターンを作成する(ステップS100)。例えば、図6(A)のダミーパターン400(Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たすダミーパターン)を作成してもよい。   First, a dummy pattern that satisfies a predetermined design rule is created (step S100). For example, the dummy pattern 400 shown in FIG. 6A (dummy pattern satisfying the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule) may be created.

次に、ステップS100で作成したダミーパターンを分割して、所定のデザインルールを満たさない第1のダミーパターン(Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさないダミーパターン)及び第2のダミーパターン(Minimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさないダミーパターン)を作成する(ステップS102)。例えば、図6(A)のダミーパターン400を分割して、図2(A)の第1のダミーパターン100と図4(A)の第2のダミーパターン200を作成してもよい。   Next, the dummy pattern created in step S100 is divided, and a first dummy pattern that does not satisfy the predetermined design rule (a dummy pattern that does not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule) and a second dummy pattern ( A dummy pattern that does not satisfy the Minimum-Width rule and Minimum-Area rule is created (step S102). For example, the dummy pattern 400 in FIG. 6A may be divided to create the first dummy pattern 100 in FIG. 2A and the second dummy pattern 200 in FIG.

次に、マクロセル(IPモジュール)のレイアウトパターン情報に含まれる少なくとも1つのレイヤーにステップS102で作成した第1のダミーパターンを配置する(ステップS110)。   Next, the first dummy pattern created in step S102 is placed on at least one layer included in the layout pattern information of the macro cell (IP module) (step S110).

次に、第1のダミーパターンに対応させて、集積回路装置のレイアウト領域に含まれるマクロセル(IPモジュール)の配置予定領域の一部にステップS102で作成した第2のダミーパターンを配置する(ステップS120)。ステップS100、S102、S110及びS120はダミーパターン作成ステップに対応する。   Next, in correspondence with the first dummy pattern, the second dummy pattern created in Step S102 is arranged in a part of the planned arrangement area of the macro cell (IP module) included in the layout area of the integrated circuit device (Step S102). S120). Steps S100, S102, S110, and S120 correspond to a dummy pattern creation step.

次に、集積回路装置のレイアウト領域にマクロセル(IPモジュール)を配置する(ステップS130)。ステップS130はマクロセル配置ステップに対応する。   Next, a macro cell (IP module) is arranged in the layout area of the integrated circuit device (step S130). Step S130 corresponds to a macro cell placement step.

次に、ステップS130でマクロセル(IPモジュール)を配置した後の集積回路装置のレイアウトパターンが所定のデザインルールを満たすか否かをチェックする(ステップS140)。ステップS140はデザインルールチェックステップに対応する。   Next, it is checked whether or not the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell (IP module) is arranged in step S130 satisfies a predetermined design rule (step S140). Step S140 corresponds to a design rule check step.

ステップS130においてマクロセルが配置予定領域に正しく配置された場合には、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンによって所定のデザインルールを満たすダミーパターン(ステップS100で作成したダミーパターン)が形成される。例えば、図6(A)のダミーパターン400はMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たす。一方、第1のダミーパターン及び第2のダミーパターンはともに所定のデザインルールを満たさないように形成されているので、ステップS130においてマクロセルが配置予定領域に正しく配置されなかった場合には、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは所定のデザインルールを満たさない。例えば、図6(B)のダミーパターン400’及び図6(C)のダミーパターン400’’はMinimum-Widthルール及びMinimum-Areaルールを満たさない。   If the macro cell is correctly arranged in the planned arrangement area in step S130, a dummy pattern (dummy pattern created in step S100) satisfying a predetermined design rule is formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern. . For example, the dummy pattern 400 in FIG. 6A satisfies the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule. On the other hand, since both the first dummy pattern and the second dummy pattern are formed so as not to satisfy the predetermined design rule, if the macro cell is not correctly placed in the planned placement area in step S130, the first dummy pattern and the second dummy pattern are The dummy pattern formed by the dummy pattern and the second dummy pattern do not satisfy a predetermined design rule. For example, the dummy pattern 400 ′ in FIG. 6B and the dummy pattern 400 ″ in FIG. 6C do not satisfy the Minimum-Width rule and the Minimum-Area rule.

従って、マクロセルを配置した後の集積回路装置のレイアウトパターンに対してデザインルールチェックを実行することによりマクロセルが配置予定領域に正しく配置されたか否かを簡単かつ確実にチェックすることができる。   Therefore, it is possible to easily and surely check whether or not the macro cell is correctly arranged in the planned arrangement area by executing the design rule check on the layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell is arranged.

所定のデザインルールに関するエラーが存在する場合(ステップS150でYesの場合)、マクロセル(IPモジュール)の配置位置を修正し(ステップS160)、ステップS140のデザインルールチェックステップを再度実行する。   If an error relating to a predetermined design rule exists (Yes in step S150), the arrangement position of the macro cell (IP module) is corrected (step S160), and the design rule check step in step S140 is executed again.

一方、所定のデザインルールに関するエラーが存在しない場合(ステップS150でNoの場合)は処理を終了する。   On the other hand, if there is no error relating to the predetermined design rule (No in step S150), the process ends.

本実施形態の集積回路装置の設計方法によれば、まず所定のデザインルールを満たすダミーパターン400を形成した後、ダミーパターン400を分割して第1のダミーパターン100及び第2のダミーパターン200を作成する。従って、ダミーパターン400を所定のデザインルールを満たす最小値を有するように作成すれば、当該所定のデザインルールを満たさない第1のダミーパターン100及び第2のダミーパターン200を容易に作成することができる。   According to the integrated circuit device design method of the present embodiment, first, a dummy pattern 400 satisfying a predetermined design rule is formed, and then the dummy pattern 400 is divided to form the first dummy pattern 100 and the second dummy pattern 200. create. Therefore, if the dummy pattern 400 is created so as to have a minimum value that satisfies a predetermined design rule, the first dummy pattern 100 and the second dummy pattern 200 that do not satisfy the predetermined design rule can be easily created. it can.

3.集積回路装置の製造方法
本実施形態の集積回路装置の製造方法は、まず、図3のフローチャート又は図11のフローチャートに基づくレイアウト設計方法によって集積回路装置のレイアウトパターンを設計する。次に、設計されたレイアウトパターンが描画されたフォトマスクを作成する。最後に、作成したフォトマスクを用いて既存の製造プロセスにより集積回路を半導体基板に形成することにより、集積回路装置を製造する。
3. Method of Manufacturing Integrated Circuit Device In the method of manufacturing an integrated circuit device according to the present embodiment, first, a layout pattern of an integrated circuit device is designed by a layout design method based on the flowchart of FIG. 3 or the flowchart of FIG. Next, a photomask on which the designed layout pattern is drawn is created. Finally, an integrated circuit device is manufactured by forming an integrated circuit on a semiconductor substrate by an existing manufacturing process using the created photomask.

4.集積回路装置
図12は、本実施の形態の集積回路装置のブロック図の一例である。
4). Integrated Circuit Device FIG. 12 is an example of a block diagram of the integrated circuit device of this embodiment.

マイクロコンピュータ700は、CPU510、キャッシュメモリ520、ROM710、RAM720、MMU730、LCDコントローラ530、リセット回路540、プログラマブルタイマ550、リアルタイムクロック(RTC)560、DMAコントローラ570、割り込みコントローラ580、通信制御回路590、バスコントローラ600、A/D変換器610、D/A変換器620、入力ポート630、出力ポート640、I/Oポート650、クロック発生装置660、プリスケーラ670、クロック停止制御回路740及びそれらを接続する汎用バス680、専用バス750等、各種ピン690等を含む。   The microcomputer 700 includes a CPU 510, a cache memory 520, a ROM 710, a RAM 720, an MMU 730, an LCD controller 530, a reset circuit 540, a programmable timer 550, a real time clock (RTC) 560, a DMA controller 570, an interrupt controller 580, a communication control circuit 590, and a bus. Controller 600, A / D converter 610, D / A converter 620, input port 630, output port 640, I / O port 650, clock generator 660, prescaler 670, clock stop control circuit 740, and general purpose for connecting them A bus 680, a dedicated bus 750, etc., various pins 690, etc. are included.

CPU510、ROM710、RAM720、LDコントローラ530等は本実施の形態のマクロセルであり、マイクロコンピュータ700は、本実施の形態の集積回路装置又は本実施の形態の集積回路装置の製造方法を用いて製造された集積回路装置である。   The CPU 510, the ROM 710, the RAM 720, the LD controller 530, and the like are macrocells of this embodiment, and the microcomputer 700 is manufactured by using the integrated circuit device of this embodiment or the manufacturing method of the integrated circuit device of this embodiment. Integrated circuit device.

5.電子機器
図13に、本実施の形態の電子機器のブロック図の一例を示す。本電子機器800は、マイクロコンピュータ(集積回路装置)810、入力部820、メモリ830、電源生成部840、LCD850、音出力部860を含む。
5. Electronic Device FIG. 13 shows an example of a block diagram of an electronic device of this embodiment. The electronic apparatus 800 includes a microcomputer (integrated circuit device) 810, an input unit 820, a memory 830, a power generation unit 840, an LCD 850, and a sound output unit 860.

ここで、入力部820は、種々のデータを入力するためのものである。マイクロコンピュータ810は、この入力部820により入力されたデータに基づいて種々の処理を行うことになる。メモリ830は、マイクロコンピュータ810などの作業領域となるものである。電源生成部840は、電子機器800で使用される各種電源を生成するためのものである。LCD850は、電子機器が表示する各種の画像(文字、アイコン、グラフィック等)を出力するためのものである。   Here, the input unit 820 is for inputting various data. The microcomputer 810 performs various processes based on the data input by the input unit 820. The memory 830 serves as a work area for the microcomputer 810 and the like. The power generation unit 840 is for generating various power sources used in the electronic device 800. The LCD 850 is for outputting various images (characters, icons, graphics, etc.) displayed by the electronic device.

音出力部860は、電子機器800が出力する各種の音(音声、ゲーム音等)を出力するためのものであり、その機能は、スピーカなどのハードウェアにより実現できる。   The sound output unit 860 is for outputting various sounds (sound, game sound, etc.) output from the electronic device 800, and the function can be realized by hardware such as a speaker.

図14(A)に、電子機器の1つである携帯電話950の外観図の例を示す。この携帯電話950は、入力部として機能するダイヤルボタン952や、電話番号や名前やアイコンなどを表示するLCD954や、音出力部として機能し音声を出力するスピーカ956を備える。   FIG. 14A illustrates an example of an external view of a cellular phone 950 that is one of electronic devices. The cellular phone 950 includes a dial button 952 that functions as an input unit, an LCD 954 that displays a telephone number, a name, an icon, and the like, and a speaker 956 that functions as a sound output unit and outputs sound.

図14(B)に、電子機器の1つである携帯型ゲーム装置960の外観図の例を示す。この携帯型ゲーム装置960は、入力部として機能する操作ボタン962、十字キー964や、ゲーム画像を表示するLCD966や、音出力部として機能しゲーム音を出力するスピーカ968を備える。   FIG. 14B illustrates an example of an external view of a portable game device 960 that is one of electronic devices. The portable game device 960 includes an operation button 962 that functions as an input unit, a cross key 964, an LCD 966 that displays a game image, and a speaker 968 that functions as a sound output unit and outputs game sound.

図14(C)に、電子機器の1つであるパーソナルコンピュータ970の外観図の例を示す。このパーソナルコンピュータ970は、入力部として機能するキーボード972や、文字、数字、グラフィックなどを表示するLCD974、音出力部976を備える。   FIG. 14C illustrates an example of an external view of a personal computer 970 that is one of electronic devices. The personal computer 970 includes a keyboard 972 that functions as an input unit, an LCD 974 that displays characters, numbers, graphics, and the like, and a sound output unit 976.

本実施の形態の集積回路装置を図14(A)〜図14(C)の電子機器に組み込むことにより、コストパフォーマンスの高い電子機器を短期間で提供することができる。   By incorporating the integrated circuit device of this embodiment into the electronic devices in FIGS. 14A to 14C, an electronic device with high cost performance can be provided in a short period of time.

なお、本実施形態を利用できる電子機器としては、図14(A)〜図14(C)に示すもの以外にも、携帯型情報端末、ページャー、電子卓上計算機、タッチパネルを備えた装置、プロジェクタ、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置等の種々の電子機器を考えることができる
なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
Note that electronic devices that can use this embodiment include, in addition to those shown in FIGS. 14A to 14C, portable information terminals, pagers, electronic desk calculators, devices equipped with touch panels, projectors, Various electronic devices such as a word processor, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, and the like can be considered. The present invention is not limited to this embodiment, and various electronic devices can be used within the scope of the present invention. Can be implemented.

例えば、図1のフローチャートにおいて、第1のダミーパターンを含むマクロセルがあらかじめ用意されている場合はステップS10の処理は不要である。すなわち、例えば、第1のダミーパターンを含むIPを購入してステップS20以降の処理を行う場合であっても、本発明の範囲に含まれる。   For example, in the flowchart of FIG. 1, when a macro cell including the first dummy pattern is prepared in advance, the process of step S10 is unnecessary. That is, for example, even when the IP including the first dummy pattern is purchased and the processing after step S20 is performed, it is included in the scope of the present invention.

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

本実施形態のマクロセル(IPモジュール)について説明するための図。The figure for demonstrating the macrocell (IP module) of this embodiment. 図2(A)〜図2(D)は、マクロセルのレイアウトパターン情報に含まれる第1のダミーパターンの例を示す図。FIG. 2A to FIG. 2D are diagrams showing examples of a first dummy pattern included in layout pattern information of a macro cell. 本実施形態の集積回路装置のレイアウト設計方法について説明するためのフローチャート図。FIG. 5 is a flowchart for explaining a layout design method of the integrated circuit device according to the embodiment. 図4(A)〜図4(D)は、第1のダミーパターンに対応して作成される第2のダミーパターンの例を示す図。FIG. 4A to FIG. 4D are diagrams showing examples of second dummy patterns created corresponding to the first dummy patterns. 図5(A)及び図5(B)は、集積回路装置のレイアウト領域にマクロセルを配置する例を示す図。FIGS. 5A and 5B are diagrams illustrating examples in which macro cells are arranged in a layout region of an integrated circuit device. 図6(A)〜図6(C)は、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図。FIG. 6A to FIG. 6C are diagrams for explaining a dummy pattern formed by a first dummy pattern and a second dummy pattern. 図7(A)〜図7(C)は、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図。FIGS. 7A to 7C are diagrams for describing a dummy pattern formed by a first dummy pattern and a second dummy pattern. 図8(A)〜図8(C)は、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図。FIG. 8A to FIG. 8C are diagrams for explaining a dummy pattern formed by a first dummy pattern and a second dummy pattern. 図9(A)〜図9(C)は、第1のダミーパターンと第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図。FIG. 9A to FIG. 9C are diagrams for explaining a dummy pattern formed by a first dummy pattern and a second dummy pattern. 図10(A)及び図10(B)は、配置するマクロセルの種類を間違った場合に第1のダミーパターンと第2のダミーパターンにより形成されるダミーパターンについて説明するための図。10A and 10B are diagrams for explaining a dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern when the type of the macro cell to be arranged is wrong. 本実施形態の集積回路装置のレイアウト設計方法の変形例について説明するためのフローチャート図。FIG. 9 is a flowchart for explaining a modification of the layout design method for the integrated circuit device according to the embodiment. 本実施の形態の集積回路装置のブロック図の一例。1 is an example of a block diagram of an integrated circuit device of an embodiment. 集積回路装置を含む電子機器のブロック図の一例。1 is an example of a block diagram of an electronic device including an integrated circuit device. 図14(A)〜図14(C)は、種々の電子機器の外観図の例。14A to 14C are examples of external views of various electronic devices.

符号の説明Explanation of symbols

1 マクロセル(IPモジュール)、10 回路接続情報、20 レイアウトパターン情報、30 シミュレーション用遅延時間情報、50 基準点、100 第1のダミーパターン、101〜113 矩形パターン、120 第1のダミーパターン、121〜130 矩形パターン、140 第1のダミーパターン、141 L字型パターン、160 第1のダミーパターン、161〜162 矩形パターン、180 第1のダミーパターン、181〜196 矩形パターン、200 第2のダミーパターン、201〜213 矩形パターン、220 第2のダミーパターン、221〜230 矩形パターン、240 第2のダミーパターン、241 L字型パターンをくり抜いたパターン、260 第2のダミーパターン、261〜262 矩形パターン、300 レイアウト領域、310 マクロセルの配置予定領域、320 電源ラインのレイアウトパターン、330 電源ラインのレイアウトパターン、340 信号線のレイアウトパターン、342 信号線のレイアウトパターン、344 信号線のレイアウトパターン、346 信号線のレイアウトパターン、350 座標(X,Y)で示される位置、400 ダミーパターン、400’ ダミーパターン、400’’ ダミーパターン、420 ダミーパターン、420’ ダミーパターン、420’’ ダミーパターン、440 ダミーパターン、440’ ダミーパターン、440’’ ダミーパターン、460 ダミーパターン、460’ ダミーパターン、460’’ ダミーパターン、480 ダミーパターン、510 CPU、520 キャッシュメモリ、530 LCDコントローラ、540 リセット回路、550 プログラマブルタイマ、560 リアルタイムクロック(RTC)、570 DMAコントローラ、580 割り込みコントローラ、590 通信制御回路、600 バスコントローラ、610 A/D変換器、620 D/A変換器、630 入力ポート、640 出力ポート、650 I/Oポート、660 クロック発生装置、670 プリスケーラ、680 汎用バス、690 各種ピン、700 マイクロコンピュータ(半導体集積回路装置)、710 ROM、720 RAM、730 MMU、740 クロック停止制御回路、750 専用バス、800 電子機器、810 マイクロコンピュータ(半導体集積回路装置)、820 入力部、830 メモリ、840 電源生成部、850 LCD、860 音出力部、950 携帯電話、952 ダイヤルボタン、954 LCD、956 スピーカ、960 携帯型ゲーム装置、962 操作ボタン、964 十字キー、966 LCD、968 スピーカ、970 パーソナルコンピュータ、972 キーボード、974 LCD、976 音出力部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Macrocell (IP module), 10 Circuit connection information, 20 Layout pattern information, 30 Simulation delay time information, 50 Reference point, 100 1st dummy pattern, 101-113 Rectangular pattern, 120 1st dummy pattern, 121- 130 rectangular pattern, 140 first dummy pattern, 141 L-shaped pattern, 160 first dummy pattern, 161-162 rectangular pattern, 180 first dummy pattern, 181-196 rectangular pattern, 200 second dummy pattern, 201-213 rectangular pattern, 220 second dummy pattern, 221-230 rectangular pattern, 240 second dummy pattern, 241 pattern cut out of L-shaped pattern, 260 second dummy pattern, 261-262 rectangular pattern , 300 Layout area, 310 Macro cell planned layout area, 320 Power line layout pattern, 330 Power line layout pattern, 340 Signal line layout pattern, 342 Signal line layout pattern, 344 Signal line layout pattern, 346 Signal line Layout pattern, position indicated by 350 coordinates (X, Y), 400 dummy pattern, 400 ′ dummy pattern, 400 ″ dummy pattern, 420 dummy pattern, 420 ′ dummy pattern, 420 ″ dummy pattern, 440 dummy pattern, 440 ′ dummy pattern, 440 ″ dummy pattern, 460 dummy pattern, 460 ′ dummy pattern, 460 ″ dummy pattern, 480 dummy pattern, 510 CPU, 520 Cache memory, 530 LCD controller, 540 reset circuit, 550 programmable timer, 560 real-time clock (RTC), 570 DMA controller, 580 interrupt controller, 590 communication control circuit, 600 bus controller, 610 A / D converter, 620 D / A conversion 630 input port, 640 output port, 650 I / O port, 660 clock generator, 670 prescaler, 680 general purpose bus, 690 various pins, 700 microcomputer (semiconductor integrated circuit device), 710 ROM, 720 RAM, 730 MMU 740 clock stop control circuit, 750 dedicated bus, 800 electronic equipment, 810 microcomputer (semiconductor integrated circuit device), 820 input unit, 830 memory, 40 power generation unit, 850 LCD, 860 sound output unit, 950 mobile phone, 952 dial button, 954 LCD, 956 speaker, 960 portable game device, 962 operation button, 964 cross key, 966 LCD, 968 speaker, 970 personal computer 972 Keyboard, 974 LCD, 976 sound output unit

Claims (13)

レイアウトパターン情報を有するマクロセルを含む集積回路装置のレイアウト設計方法であって、
前記マクロセルの前記レイアウトパターン情報に含まれる少なくとも1つのレイヤーのレイアウトパターンにおいて形成された所定のデザインルールを満たさない第1のダミーパターンに対応させて、前記集積回路装置のレイアウト領域に含まれる前記マクロセルの配置予定領域の一部に、前記所定のデザインルールを満たさない第2のダミーパターンを作成するダミーパターン作成ステップと、
前記集積回路装置のレイアウト領域に前記マクロセルを配置するマクロセル配置ステップと、
前記マクロセルを配置した後の前記集積回路装置のレイアウトパターンが前記所定のデザインルールを満たすか否かをチェックするデザインルールチェックステップと、を含み、
前記マクロセル配置ステップにおいて、
前記マクロセルが前記配置予定領域に配置された場合には、前記第1のダミーパターンと前記第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは前記所定のデザインルールを満たし、前記マクロセルが前記配置予定領域に配置されなかった場合には、前記第1のダミーパターンと前記第2のダミーパターンによって形成されるダミーパターンは前記所定のデザインルールを満たさないことを特徴とする集積回路装置のレイアウト設計方法。
A layout design method for an integrated circuit device including a macro cell having layout pattern information,
The macro cell included in the layout area of the integrated circuit device in association with a first dummy pattern that does not satisfy a predetermined design rule formed in a layout pattern of at least one layer included in the layout pattern information of the macro cell. A dummy pattern creating step for creating a second dummy pattern that does not satisfy the predetermined design rule in a part of the arrangement planned area;
A macro cell placement step of placing the macro cell in a layout region of the integrated circuit device;
A design rule check step for checking whether a layout pattern of the integrated circuit device after the macro cell is arranged satisfies the predetermined design rule,
In the macro cell placement step,
When the macro cell is placed in the planned placement area, the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern satisfies the predetermined design rule, and the macro cell is placed in the planned placement area. In the integrated circuit device layout design method, the dummy pattern formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern does not satisfy the predetermined design rule.
請求項1において、
前記ダミーパターン作成ステップにおいて、
前記マクロセルの前記レイアウトパターン情報に含まれる前記少なくとも1つのレイヤーのレイアウトパターンにおいて前記第1のダミーパターンを作成することを特徴とする集積回路装置のレイアウト設計方法。
In claim 1,
In the dummy pattern creating step,
A layout design method for an integrated circuit device, wherein the first dummy pattern is created in a layout pattern of the at least one layer included in the layout pattern information of the macro cell.
請求項2において、
前記ダミーパターン作成ステップにおいて、
前記所定のデザインルールを満たすダミーパターンを作成し、当該ダミーパターンを分割して前記第1のダミーパターン及び前記第2のダミーパターンを作成し、
前記マクロセル配置ステップにおいて、
前記マクロセルが前記配置予定領域に配置された場合には、前記第1のダミーパターンと前記第2のダミーパターンによって前記所定のデザインルールを満たす前記ダミーパターンが形成されることを特徴とする集積回路装置のレイアウト設計方法。
In claim 2,
In the dummy pattern creating step,
Creating a dummy pattern satisfying the predetermined design rule, dividing the dummy pattern to create the first dummy pattern and the second dummy pattern;
In the macro cell placement step,
When the macro cell is arranged in the planned arrangement area, the dummy pattern satisfying the predetermined design rule is formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern. Device layout design method.
請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記第1のダミーパターン及び前記第2のダミーパターンの形状は、非線対称かつ非点対称であることを特徴とする集積回路装置のレイアウト設計方法。
In any one of Claims 1 thru | or 3,
A layout design method for an integrated circuit device, wherein shapes of the first dummy pattern and the second dummy pattern are non-linearly symmetric and asymmetrical.
請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記第1のダミーパターンは、前記マクロセルの種類を識別可能なレイアウトパターンであり、
前記マクロセル配置ステップにおいて、
前記マクロセルが前記配置予定領域に配置された場合には、前記第1のダミーパターンと前記第2のダミーパターンによって前記マクロセルの種類を識別可能な前記所定のデザインルールを満たすダミーパターンが形成されることを特徴とする集積回路装置のレイアウト設計方法。
In any one of Claims 1 thru | or 4,
The first dummy pattern is a layout pattern that can identify the type of the macro cell,
In the macro cell placement step,
When the macro cell is arranged in the planned arrangement area, a dummy pattern satisfying the predetermined design rule capable of identifying the type of the macro cell is formed by the first dummy pattern and the second dummy pattern. A layout design method for an integrated circuit device.
請求項1乃至5のいずれかにおいて、
前記所定のデザインルールは、レイアウトパターンの線幅を規定するデザインルール及びレイアウトパターンの面積を規定するデザインルールの少なくとも一方のデザインルールであることを特徴とする集積回路装置のレイアウト設計方法。
In any one of Claims 1 thru | or 5,
The layout design method for an integrated circuit device, wherein the predetermined design rule is at least one of a design rule that defines a line width of a layout pattern and a design rule that defines an area of the layout pattern.
請求項1乃至6のいずれかに記載のレイアウト設計方法によって前記集積回路装置のレイアウトパターンを設計するステップと、
前記レイアウトパターンが描画されたフォトマスクを作成するステップと、
前記フォトマスクを用いて集積回路を半導体基板に形成するステップと、を含むことを特徴とする集積回路装置の製造方法。
A step of designing a layout pattern of the integrated circuit device by the layout design method according to claim 1;
Creating a photomask on which the layout pattern is drawn;
Forming an integrated circuit on a semiconductor substrate using the photomask. A method for manufacturing an integrated circuit device, comprising:
集積回路装置の設計に使用されるマクロセルであって、
少なくとも1つのレイヤーのレイアウトパターンにおいて所定のデザインルールを満たさないダミーパターンが形成されたレイアウトパターン情報を含むことを特徴とするマクロセル。
A macrocell used in the design of an integrated circuit device,
A macro cell comprising layout pattern information in which a dummy pattern not satisfying a predetermined design rule is formed in a layout pattern of at least one layer.
請求項8において、
前記ダミーパターンの形状は、非線対称かつ非点対称であることを特徴とするマクロセル。
In claim 8,
The macro cell according to claim 1, wherein the dummy pattern has a non-linear symmetry and a point symmetry.
請求項8又は9において、
前記ダミーパターンは、前記マクロセルの種類を識別可能なレイアウトパターンであることを特徴とするマクロセル。
In claim 8 or 9,
The macro cell according to claim 1, wherein the dummy pattern is a layout pattern capable of identifying a type of the macro cell.
請求項8乃至10のいずれかにおいて、
前記所定のデザインルールは、レイアウトパターンの線幅を規定するデザインルール及びレイアウトパターンの面積を規定するデザインルールの少なくとも一方のデザインルールであることを特徴とするマクロセル。
In any one of Claims 8 thru | or 10.
The macro cell according to claim 1, wherein the predetermined design rule is at least one of a design rule that defines a line width of a layout pattern and a design rule that defines an area of the layout pattern.
請求項8乃至11のいずれかに記載のマクロセルを含む集積回路装置。   An integrated circuit device comprising the macro cell according to claim 8. 請求項12に記載された集積回路装置と、
前記集積回路装置の処理対象となるデータの入力手段と、
前記集積回路装置により処理されたデータを出力するための出力手段とを含むことを特徴とする電子機器。
An integrated circuit device according to claim 12;
Data input means to be processed by the integrated circuit device;
And an output means for outputting data processed by the integrated circuit device.
JP2008133141A 2008-05-21 2008-05-21 Method of designing layout for integrated circuit device and method of manufacturing the device, micro cell, integrated circuit device, and electronic device Withdrawn JP2009283618A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008133141A JP2009283618A (en) 2008-05-21 2008-05-21 Method of designing layout for integrated circuit device and method of manufacturing the device, micro cell, integrated circuit device, and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008133141A JP2009283618A (en) 2008-05-21 2008-05-21 Method of designing layout for integrated circuit device and method of manufacturing the device, micro cell, integrated circuit device, and electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009283618A true JP2009283618A (en) 2009-12-03

Family

ID=41453783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008133141A Withdrawn JP2009283618A (en) 2008-05-21 2008-05-21 Method of designing layout for integrated circuit device and method of manufacturing the device, micro cell, integrated circuit device, and electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009283618A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6675139B1 (en) Floor plan-based power bus analysis and design tool for integrated circuits
US10713410B2 (en) Method for legalizing mixed-cell height standard cells of IC
KR102514044B1 (en) Integrated circuit and method for designing integrated circuit
US20150074627A1 (en) Semiconductor device design method, system and computer program product
TWI684110B (en) Methods, systems, and computer program products providing layout data for integrated circuits
US11170150B2 (en) Method for making a semiconductor device
US20170344692A1 (en) Computer-implemented method of designing an integrated circuit
CN105488244A (en) Method and system for designing semiconductor device
CN108959693A (en) The method of integrated design circuit, and the method for manufacture integrated circuit
KR102717096B1 (en) Integrated circuit and computer-implemented method for manufacturing the same
KR20160023542A (en) Method of designing layout of integrated circuit and method of manufacturing the integrated circuit
JP5444985B2 (en) Information processing device
US20050251776A1 (en) Integrated circuit design system
CN114444426A (en) Chip design method, device, storage medium and electronic equipment
JP4999379B2 (en) Semiconductor integrated circuit design method and semiconductor integrated circuit design apparatus
JP2009283618A (en) Method of designing layout for integrated circuit device and method of manufacturing the device, micro cell, integrated circuit device, and electronic device
US8555232B2 (en) Wire routing using virtual landing pads
JP2010003965A (en) Layout designing method and production method for integrated circuit device, and electronic apparatus
CN116502586A (en) Method for designing semiconductor integrated circuit layout and design system for executing the method
US11092885B2 (en) Manufacturing methods of semiconductor devices
CN109872990B (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10509888B1 (en) System and method for forming integrated device
US10733353B2 (en) System and method for forming integrated device
JP2008251599A (en) Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device, hard macro, microcomputer, electronic device
US9734277B2 (en) Semiconductor device designing method, designing apparatus, and computer-readable storage medium

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20110802