[go: up one dir, main page]

JP2009259573A - Organic el device - Google Patents

Organic el device Download PDF

Info

Publication number
JP2009259573A
JP2009259573A JP2008106721A JP2008106721A JP2009259573A JP 2009259573 A JP2009259573 A JP 2009259573A JP 2008106721 A JP2008106721 A JP 2008106721A JP 2008106721 A JP2008106721 A JP 2008106721A JP 2009259573 A JP2009259573 A JP 2009259573A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
layer
substrate
organic
emitting region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008106721A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tajio Urushiya
多二男 漆谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008106721A priority Critical patent/JP2009259573A/en
Publication of JP2009259573A publication Critical patent/JP2009259573A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】発光領域内における発光波長をより均一にした有機EL装置を提供すること。
【解決手段】均一な屈折率を有する基板部21と、基板部21上に形成されて発光領域Aを区画する隔壁27と、基板部21上に形成された陽極層45及び陰極層47と、陽極層45及び陰極層47の間に配置された発光層46とを備え、基板部21の上面における発光領域Aの外周縁よりも内側には、貫通孔42Aが形成されている。
【選択図】図2
An organic EL device having a more uniform emission wavelength in a light emitting region is provided.
A substrate portion 21 having a uniform refractive index, a partition wall 27 formed on the substrate portion 21 to partition a light emitting region A, an anode layer 45 and a cathode layer 47 formed on the substrate portion 21; A light emitting layer 46 disposed between the anode layer 45 and the cathode layer 47, and a through hole 42 </ b> A is formed inside the outer peripheral edge of the light emitting region A on the upper surface of the substrate portion 21.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、例えば画像形成装置のラインヘッドとして用いられる有機EL装置に関するものである。   The present invention relates to an organic EL device used as, for example, a line head of an image forming apparatus.

電子転写式を利用したプリンタとして、ラインプリンタ(画像形成装置)が知られている。このラインプリンタは、被露光部となる感光ドラムの周面上に、帯電器、ライン状のプリンタヘッド(ラインヘッド)、現像器、転写器などの装置を近接配置したものである。すなわち、帯電器により帯電された感光ドラムの周面上に、プリンタヘッドに設けられた発光素子の選択的な発光動作で露光を行うことにより、静電潜像を形成し、この潜像を現像器から供給されるトナーで現像して、そのトナー像を転写器で用紙に転写するものである。
ところで、近年、このようなプリンタヘッドの発光素子としては、EL素子(エレクトロルミネッセンス素子)、特に発光点を精度よく作り込める有機EL素子を発光素子とする有機EL装置をプリンタヘッドとして備える画像形成装置が提案されている。
A line printer (image forming apparatus) is known as a printer using an electronic transfer method. In this line printer, devices such as a charger, a line-shaped printer head (line head), a developing device, and a transfer device are arranged close to each other on the peripheral surface of a photosensitive drum serving as an exposed portion. That is, an electrostatic latent image is formed on the peripheral surface of the photosensitive drum charged by the charger by selective light emission operation of a light emitting element provided in the printer head, and this latent image is developed. The toner image is developed with toner supplied from the device, and the toner image is transferred onto the paper by the transfer device.
By the way, in recent years, as a light emitting element of such a printer head, an EL element (electroluminescence element), in particular, an organic EL device having a light emitting element as an organic EL element capable of producing a light emitting point with high accuracy is used as a printer head. Has been proposed.

このような有機EL装置では、基板上に形成された隔壁によって発光領域を区画しており、隔壁の開口部内に発光層が塗布されている。ここで、発光層は、隔壁の内側面と接する外周縁部分が中央部分よりも上側に位置することがある。このため、発光層は、外周縁部分が中央部分と比較して厚くなる。そして、発光層に厚さムラが生じることで、発光領域内の発光効率及び発光の取出効率にばらつきが発生して、発光層が短寿命化してしまう。
そこで、発光領域の中央部分に凹部を形成することで、内周縁部分が中央部分よりも上側に位置しても内周縁部分の厚さと中央部分の厚さとを揃えることが提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。
特開2005−294205号公報 特開2005−322469号公報
In such an organic EL device, a light emitting region is partitioned by a partition formed on a substrate, and a light emitting layer is applied in an opening of the partition. Here, in the light emitting layer, the outer peripheral edge portion that is in contact with the inner side surface of the partition wall may be located above the central portion. For this reason, as for a light emitting layer, an outer peripheral part becomes thick compared with a center part. When the thickness unevenness occurs in the light emitting layer, the light emitting efficiency in the light emitting region and the emission extraction efficiency vary, and the life of the light emitting layer is shortened.
Therefore, it has been proposed to form a recess in the central portion of the light emitting region so that the thickness of the inner peripheral portion is equal to the thickness of the central portion even if the inner peripheral portion is located above the central portion (for example, Patent Documents 1 and 2).
JP 2005-294205 A JP 2005-322469 A

しかしながら、上記従来の有機EL装置においても、発光領域内における発光波長をより均一とすることが望まれている。
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされてもので、発光領域内における発光波長をより均一にした有機EL装置を提供することを目的とする。
However, also in the conventional organic EL device described above, it is desired to make the emission wavelength in the light emitting region more uniform.
The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide an organic EL device in which the emission wavelength in the light emitting region is made more uniform.

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる有機EL装置は、基板部と、該基板部上に形成されて発光領域を区画する隔壁と、前記基板部上における前記発光領域に形成された陽極層及び陰極層と、前記陽極層及び陰極層の間に配置された発光層と、前記発光層よりも上層に配置された反射層とを備え、前記基板部は、少なくとも前記発光領域において均一な屈折率を有すると共に、上面における前記発光領域の外周縁よりも内側に形成された凹部を有することを特徴とする。   The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, an organic EL device according to the present invention includes a substrate portion, a partition wall formed on the substrate portion to partition a light emitting region, an anode layer and a cathode layer formed on the light emitting region on the substrate portion, A light emitting layer disposed between the anode layer and the cathode layer, and a reflective layer disposed above the light emitting layer, the substrate unit having a uniform refractive index at least in the light emitting region; It has the recessed part formed inside the outer periphery of the said light emission area | region in an upper surface, It is characterized by the above-mentioned.

この発明では、発光領域において屈折率が均一な基板部に凹部を形成することで、発光層の厚さが均一となって発光効率を均一化できると共に、基板部を透過する光において干渉が発生しにくくなって射出光の取出効率を均一化できる。これにより、発光領域内の発光強度が均一化される。すなわち、陽極層及び陰極層間に電圧を印加することで発光層において光が発生する。ここで、発光領域の中央部分に凹部が形成されているため、発光層において周縁部の位置が中央部の位置よりも高くなっても、発光層の膜厚が均一となる。このため、発光領域内の発光効率が均一化される。そして、発光層において発生した光のうち上層に向かう成分は、反射層において基板部に向けて反射される。このとき、基板部が発光領域において均一な屈折率を有するため、凹部の外周辺部を透過する光が基板部を透過する際に干渉せず、外周辺部を透過する光のスペクトル変化が抑制される。このため、発光領域内のスペクトルが均一化される。したがって、発光領域における発光効率及び取出効率が均一化されて発光強度が均一化し、有機EL装置の長寿命化が図れる。   In this invention, by forming a recess in the substrate portion having a uniform refractive index in the light emitting region, the thickness of the light emitting layer can be made uniform to make the light emitting efficiency uniform, and interference occurs in the light transmitted through the substrate portion. The extraction efficiency of the emitted light can be made uniform. Thereby, the light emission intensity in the light emitting region is made uniform. That is, light is generated in the light emitting layer by applying a voltage between the anode layer and the cathode layer. Here, since the concave portion is formed in the central portion of the light emitting region, the film thickness of the light emitting layer is uniform even if the position of the peripheral portion in the light emitting layer is higher than the position of the central portion. For this reason, the luminous efficiency in the light emitting region is made uniform. And the component which goes to the upper layer among the light which generate | occur | produced in the light emitting layer is reflected toward a board | substrate part in a reflection layer. At this time, since the substrate portion has a uniform refractive index in the light emitting region, the light transmitted through the outer peripheral portion of the recess does not interfere when passing through the substrate portion, and the spectral change of the light transmitted through the outer peripheral portion is suppressed. Is done. For this reason, the spectrum in the light emitting region is made uniform. Therefore, the light emission efficiency and the extraction efficiency in the light emission region are made uniform, the light emission intensity is made uniform, and the life of the organic EL device can be extended.

また、本発明の有機EL装置は、前記基板部が、基板本体と、該基板本体上に形成されて該基板本体と同等の屈折率を有する凹部形成層とを備え、前記凹部が、前記凹部形成層に形成されていることとしてもよい。
この発明では、基板本体上に基板本体と同等の屈折率を有して発光領域の中央部分と対応する部分に凹部が形成された凹部形成層を積層することにより、発光層の厚さの均一化を図る。
In the organic EL device of the present invention, the substrate unit includes a substrate body and a recess forming layer formed on the substrate body and having a refractive index equivalent to that of the substrate body. It may be formed in the formation layer.
In this invention, the thickness of the light emitting layer is made uniform by laminating a concave portion forming layer having a refractive index equivalent to that of the substrate main body and having a concave portion formed in a portion corresponding to the central portion of the light emitting region. Plan

また、本発明の有機EL装置は、前記基板部が、基板本体で形成されており、前記凹部が、前記基板本体の上面に形成されていることとしてもよい。
この発明では、基板本体上面に凹部を形成することにより、発光層の厚さの均一化を図る。
In the organic EL device of the present invention, the substrate portion may be formed of a substrate body, and the concave portion may be formed on an upper surface of the substrate body.
In the present invention, the thickness of the light emitting layer is made uniform by forming a recess in the upper surface of the substrate body.

また、本発明の有機EL装置は、基板部と、該基板部上に形成されて発光領域を区画する隔壁と、前記基板部上における前記発光領域に形成された陽極層及び陰極層と、前記陽極層及び陰極層の間に配置された発光層と、前記発光層よりも下層に配置された反射層とを備え、前記基板部は、上面における前記発光領域の外周縁よりも内側に形成された凹部を有することを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、発光領域における発光効率及び取出効率が均一化されて発光強度が均一化し、有機EL装置の長寿命化が図れる。ここで、発光層において発生した光のうち下層に向かう成分は、反射層において上層に向けて反射される。
Further, the organic EL device of the present invention includes a substrate portion, a partition wall formed on the substrate portion to partition a light emitting region, an anode layer and a cathode layer formed on the light emitting region on the substrate portion, A light emitting layer disposed between the anode layer and the cathode layer; and a reflective layer disposed below the light emitting layer, wherein the substrate portion is formed on the inner side of the outer peripheral edge of the light emitting region on the upper surface. It is characterized by having a concave part.
In the present invention, as described above, the light emission efficiency and the extraction efficiency in the light emitting region are made uniform, the light emission intensity is made uniform, and the life of the organic EL device can be extended. Here, the component which goes to the lower layer among the light generated in the light emitting layer is reflected toward the upper layer in the reflection layer.

[第1の実施形態]
以下、本発明における有機EL装置の第1の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図1は有機EL装置を示す概略平面図、図2は素子基板を示す断面図である。
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of an organic EL device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used in the following description, the scale is appropriately changed to make each member a recognizable size. Here, FIG. 1 is a schematic plan view showing an organic EL device, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing an element substrate.

〔有機EL装置〕
本発明における有機EL装置1は、光プリンタにおける露光ヘッドのラインヘッドとして用いられており、図1に示すように、平面視でほぼ矩形の素子基板2に複数の発光領域Aを一列に配列した構成となっている。なお、発光領域Aは、例えば千鳥状に2列形成するなど、他の構成であってもよい。複数の発光領域Aは、平面視でほぼ円形をなしており、有機EL素子11が設けられている。
また、素子基板2には、各有機EL素子11を駆動するTFT素子12と、各有機EL素子11に電力を供給する電源線13、14と、走査線15と、TFT素子12の駆動を制御する駆動制御回路16とが形成されている。
[Organic EL device]
The organic EL device 1 according to the present invention is used as a line head of an exposure head in an optical printer. As shown in FIG. 1, a plurality of light emitting areas A are arranged in a line on a substantially rectangular element substrate 2 in plan view. It has a configuration. Note that the light emitting regions A may have other configurations, for example, formed in two rows in a staggered manner. The plurality of light emitting areas A are substantially circular in a plan view, and the organic EL element 11 is provided.
In addition, the element substrate 2 controls the TFT elements 12 that drive the organic EL elements 11, power supply lines 13 and 14 that supply power to the organic EL elements 11, the scanning lines 15, and the driving of the TFT elements 12. Drive control circuit 16 is formed.

次に、素子基板2の発光領域Aにおける詳細な構成について、図2を参照しながら説明する。
素子基板2は、図2に示すように、基板部21と、基板部21上に積層された下地膜22、ゲート絶縁膜23、第1から第3層間絶縁膜24〜26及び隔壁27とを備えている。また、素子基板2は、下地膜22上に形成された半導体層31と、ゲート絶縁膜23上に形成されたゲート電極32と、第1層間絶縁膜24上に形成されたソース電極33及びドレイン電極34と、第3層間絶縁膜26上に形成された有機EL素子11とを備えている。なお、本明細書において、基板部21から見て隔壁27側を上方向とする。
Next, a detailed configuration of the light emitting region A of the element substrate 2 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 2, the element substrate 2 includes a substrate portion 21, a base film 22, a gate insulating film 23, first to third interlayer insulating films 24 to 26, and a partition wall 27 stacked on the substrate portion 21. I have. The element substrate 2 includes a semiconductor layer 31 formed on the base film 22, a gate electrode 32 formed on the gate insulating film 23, and a source electrode 33 and a drain formed on the first interlayer insulating film 24. The electrode 34 and the organic EL element 11 formed on the third interlayer insulating film 26 are provided. In this specification, the partition wall 27 side is an upward direction when viewed from the substrate portion 21.

基板部21は、基板本体41と、基板本体41上に積層された凹部形成層42とを備えている。
基板本体41は、例えばガラスなどの透光性材料で形成されており、全体として均一な屈折率を有している。
凹部形成層42は、基板本体41と同等の屈折率を有するSiOで形成されており、その厚さが例えば0.7μmとなっている。そして、凹部形成層42において発光領域Aの外周縁よりも内側には、平面視で発光領域Aの外周形状と同様の形状の円形をなす貫通孔(凹部)42Aが形成されている。なお、貫通孔42Aの直径は、例えば100μmとなっている。したがって、基板部21において発光領域Aの外周縁よりも内側には、貫通孔42Aの形状に応じた上向きに開口する凹部が形成されている。
The substrate unit 21 includes a substrate body 41 and a recess forming layer 42 stacked on the substrate body 41.
The substrate body 41 is made of a light-transmitting material such as glass, for example, and has a uniform refractive index as a whole.
The recess forming layer 42 is made of SiO 2 having a refractive index equivalent to that of the substrate body 41, and has a thickness of 0.7 μm, for example. And in the recessed part formation layer 42, the through-hole (recessed part) 42A which makes the shape similar to the outer periphery shape of the light emission area A by planar view is formed inside the outer periphery of the light emission area A. As shown in FIG. The diameter of the through hole 42A is, for example, 100 μm. Therefore, a concave portion that opens upward in accordance with the shape of the through hole 42 </ b> A is formed inside the outer peripheral edge of the light emitting region A in the substrate portion 21.

下地膜22は、例えばSiNなどの透光性材料で形成されている。
ゲート絶縁膜23は、例えばSiOなどの透光性材料で形成されており、下地膜22上に形成された半導体層31を被覆している。
第1層間絶縁膜24は、例えばSiOなどの透光性材料で形成されており、ゲート絶縁膜23上に形成されたゲート電極32を被覆している。
第2層間絶縁膜25は、例えばアクリルなどの透光性樹脂材料で形成されている。
第3層間絶縁膜26は、例えばSiNなどの透光性材料で形成されている。
The base film 22 is formed of a light transmissive material such as SiN, for example.
The gate insulating film 23 is made of a light-transmitting material such as SiO 2 and covers the semiconductor layer 31 formed on the base film 22.
The first interlayer insulating film 24 is made of a light-transmitting material such as SiO 2 and covers the gate electrode 32 formed on the gate insulating film 23.
The second interlayer insulating film 25 is made of a translucent resin material such as acrylic.
The third interlayer insulating film 26 is formed of a light transmissive material such as SiN, for example.

隔壁27は、第3層間絶縁膜26上から順に無機バンク43及び有機バンク44を積層した構成となっている。隔壁27は、複数の発光領域Aそれぞれを区画しており、発光領域Aに対応して形成された平面視でほぼ円形の貫通孔27Aを有する。なお、この貫通孔27Aは、凹部形成層42に形成された貫通孔42Aと同心状となっており、その直径が例えば150μmとなっている。
無機バンク43は、例えばSiOなどの透光性材料で形成されており、第3層間絶縁膜26上に形成されて有機EL素子11を構成する後述する陽極層45を被覆している。 有機バンク44は、例えばアクリルなどの樹脂材料で形成されており、無機バンク43上に形成されている。
The partition wall 27 has a configuration in which an inorganic bank 43 and an organic bank 44 are laminated in order from the third interlayer insulating film 26. The partition wall 27 divides each of the plurality of light emitting regions A, and has a substantially circular through hole 27A formed corresponding to the light emitting region A in a plan view. The through hole 27A is concentric with the through hole 42A formed in the recess forming layer 42, and has a diameter of, for example, 150 μm.
The inorganic bank 43 is formed of a light-transmitting material such as SiO 2 and covers an anode layer 45 (to be described later) that is formed on the third interlayer insulating film 26 and constitutes the organic EL element 11. The organic bank 44 is formed of a resin material such as acrylic and is formed on the inorganic bank 43.

半導体層31は、チャネル領域と、不純物イオンを打ち込むことによって形成されたソース領域及びドレイン領域とを有している。そして、チャネル領域は、ゲート絶縁膜23を介してゲート電極32と対向配置されている。また、ソース領域は、ゲート絶縁膜23及び第1層間絶縁膜24を貫通するコンタクトホールを介してソース電極33に接続されている。そして、ドレイン領域は、ゲート絶縁膜23及び第1層間絶縁膜24を貫通するコンタクトホールを介してドレイン電極34に接続されている。
ゲート電極32は、走査線15の一部を構成している。また、ソース電極33は、電源線14に接続されている。そして、ドレイン電極34は、TFT素子12のドレインに接続されている。これら半導体層31、ゲート電極32、ソース電極33及びドレイン電極34により、TFT素子12が形成される。このTFT素子12は、走査線15を介して駆動制御回路16から供給された走査信号に応じて、電源線13を介して電力を陽極層45に供給する構成となっている。
The semiconductor layer 31 has a channel region and a source region and a drain region formed by implanting impurity ions. The channel region is disposed to face the gate electrode 32 with the gate insulating film 23 interposed therebetween. The source region is connected to the source electrode 33 through a contact hole that penetrates the gate insulating film 23 and the first interlayer insulating film 24. The drain region is connected to the drain electrode 34 through a contact hole that penetrates the gate insulating film 23 and the first interlayer insulating film 24.
The gate electrode 32 constitutes a part of the scanning line 15. The source electrode 33 is connected to the power supply line 14. The drain electrode 34 is connected to the drain of the TFT element 12. The TFT element 12 is formed by the semiconductor layer 31, the gate electrode 32, the source electrode 33 and the drain electrode 34. The TFT element 12 is configured to supply power to the anode layer 45 via the power supply line 13 in accordance with the scanning signal supplied from the drive control circuit 16 via the scanning line 15.

有機EL素子11は、基板部21側から順に積層された陽極層45、発光層46及び陰極層47を備えている。
陽極層45は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透光性の導電材料で形成されており、第2及び第3層間絶縁膜25、26に形成されたコンタクトホールHを介してドレイン電極34に接続されている。また、陽極層45は、隔壁27に形成された貫通孔27Aにより、隔壁27の開口領域において露出している。
The organic EL element 11 includes an anode layer 45, a light emitting layer 46, and a cathode layer 47 that are sequentially stacked from the substrate unit 21 side.
The anode layer 45 is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, and the drain electrode 34 via the contact hole H formed in the second and third interlayer insulating films 25 and 26. It is connected to the. The anode layer 45 is exposed in the opening region of the partition wall 27 through the through hole 27 </ b> A formed in the partition wall 27.

発光層46は、隔壁27の貫通孔27Aによる開口領域内において露出している陽極層45上に形成されている。また、発光層46は、発光層46の構成材料を液滴吐出法やスピンコート法などの湿式法を用いて塗布し、これを乾燥させることによって形成されている。ここで、発光層46において発光領域Aの周縁部と中央部との間の積層方向における高さの差は、例えば40nmとなっている。
なお、発光層46及び陽極層45の間と、発光層46及び陰極層47との間には、正孔注入層や正孔輸送層、電子輸送層など、他の機能層を配置してもよい。
The light emitting layer 46 is formed on the anode layer 45 exposed in the opening region by the through hole 27 </ b> A of the partition wall 27. The light emitting layer 46 is formed by applying the constituent material of the light emitting layer 46 using a wet method such as a droplet discharge method or a spin coat method, and drying it. Here, in the light emitting layer 46, the difference in height in the stacking direction between the peripheral portion and the central portion of the light emitting region A is, for example, 40 nm.
Note that other functional layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer may be disposed between the light emitting layer 46 and the anode layer 45 and between the light emitting layer 46 and the cathode layer 47. Good.

陰極層47は、発光層46側から順にLiF(フッ化リチウム)膜及びAl(アルミニウム)膜を積層した構成となっており、隔壁27上に形成されている。なお、陰極層47は、電源線14に接続されており、複数の発光領域Aの全域にわたる共通電極となっている。ここで、陰極層47を構成するAl膜は、発光層46で発生した光を陽極層45に向けて反射する反射層として機能する。すなわち、有機EL装置1は、反射層として機能する陰極層47が発光層46よりも基板部21から離間して配置された、ボトムエミッション構造となっている。
また、陰極層47上には、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコン窒酸化物などのシリコン化合物のような無機化合物で形成されており、製造工程において陰極層47が腐食することを防止する陰極層保護膜(図示略)が設けられている。
The cathode layer 47 has a structure in which a LiF (lithium fluoride) film and an Al (aluminum) film are stacked in this order from the light emitting layer 46 side, and is formed on the partition wall 27. The cathode layer 47 is connected to the power line 14 and serves as a common electrode over the entire light emitting region A. Here, the Al film constituting the cathode layer 47 functions as a reflective layer that reflects the light generated in the light emitting layer 46 toward the anode layer 45. In other words, the organic EL device 1 has a bottom emission structure in which the cathode layer 47 that functions as a reflective layer is disposed farther from the substrate portion 21 than the light emitting layer 46.
The cathode layer 47 is formed of an inorganic compound such as a silicon compound such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon nitride oxide, and prevents the cathode layer 47 from corroding in the manufacturing process. A cathode layer protective film (not shown) is provided.

このような構成の有機EL装置1では、陽極層45及び陰極層47間に電圧を印加すると、正孔が陽極層45から陰極層47に向けて移動すると共に、電子が陰極層47から陽極層45に向けて移動する。そして、発光層46では、正孔及び電子が再結合することで発光する。このとき、発光層46において発光領域Aの周縁部と中央部との間の膜厚が同等となっているため、発光領域A内の発光強度が均一化される。
そして、発生した光は、陰極層47に向かう成分が陰極層47において基板本体41に向けて反射されることで基板本体41の下面から射出される。このとき、発生した光が基板部21を透過する際、凹部形成層42が基板本体41と同等の屈折率を有するため、凹部形成層42と基板本体41との界面において反射がほぼ発生しない。このため、発光領域Aの周縁部と中央部との間でスペクトルの変化が抑制され、均一な強度の光が射出される。
In the organic EL device 1 having such a configuration, when a voltage is applied between the anode layer 45 and the cathode layer 47, holes move from the anode layer 45 toward the cathode layer 47, and electrons move from the cathode layer 47 to the anode layer. Move towards 45. The light emitting layer 46 emits light by recombination of holes and electrons. At this time, since the film thickness between the peripheral portion and the central portion of the light emitting region A is equal in the light emitting layer 46, the light emission intensity in the light emitting region A is made uniform.
Then, the generated light is emitted from the lower surface of the substrate body 41 as a component toward the cathode layer 47 is reflected toward the substrate body 41 in the cathode layer 47. At this time, when the generated light is transmitted through the substrate portion 21, the recess forming layer 42 has a refractive index equivalent to that of the substrate main body 41, so that almost no reflection occurs at the interface between the recess forming layer 42 and the substrate main body 41. For this reason, the change in the spectrum is suppressed between the peripheral portion and the central portion of the light emitting region A, and light having a uniform intensity is emitted.

ここで、基板部21に凹部を形成する場合と凹部を形成しない場合とにおける、発光領域内の位置と発光強度との関係を図3に示す。図3に示すように、基板部21に凹部を形成することで、発光層46の発光強度が均一化されることがわかる。   Here, FIG. 3 shows the relationship between the position in the light emitting region and the light emission intensity when the concave portion is formed in the substrate portion 21 and when the concave portion is not formed. As shown in FIG. 3, it can be understood that the light emission intensity of the light emitting layer 46 is made uniform by forming the concave portion in the substrate portion 21.

〔露光ヘッド〕
そして、上述した有機EL装置1は、例えば図4に示すような露光ヘッド50に設けられている。ここで、図4は、露光ヘッド50を示す概略構成図である。
この露光ヘッド50は、筐体51と、筐体51に支持固定された筐体51及び感光ドラム52の間に配置された光学部材53とを備えている。そして、筐体51には、感光ドラム52側に開口部が形成されており、この開口部に向けて有機ELからの光が射出するように有機EL装置1を固定している。
[Exposure head]
The organic EL device 1 described above is provided in an exposure head 50 as shown in FIG. 4, for example. Here, FIG. 4 is a schematic block diagram showing the exposure head 50.
The exposure head 50 includes a housing 51 and an optical member 53 disposed between the housing 51 supported and fixed to the housing 51 and the photosensitive drum 52. The housing 51 has an opening formed on the photosensitive drum 52 side, and the organic EL device 1 is fixed so that light from the organic EL is emitted toward the opening.

〔画像形成装置〕
さらに、上述した露光ヘッド50は、例えば図5に示すような光プリンタ60に用いられる。ここで、図5は、光プリンタを示す概略構成図である。
この光プリンタ60は、露光ヘッド50と、感光ドラム52と、コロナ帯電器61と、現像ローラ62と、転写ローラ63と、クリーニング装置64と、例えば紙などの転写媒体65とを備えている。
[Image forming apparatus]
Further, the above-described exposure head 50 is used in an optical printer 60 as shown in FIG. 5, for example. Here, FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing the optical printer.
The optical printer 60 includes an exposure head 50, a photosensitive drum 52, a corona charger 61, a developing roller 62, a transfer roller 63, a cleaning device 64, and a transfer medium 65 such as paper.

感光ドラム52は、図5に示す時計回りで回転する構成となっており、感光ドラム52が露光ヘッド50の射出面と対向する位置に到達したときに露光ヘッド50から露光光が照射される構成となっている。すなわち、感光ドラム52は、回転によって周面が所定位置に到達するごとに、露光ヘッド50により順次ライン走査される構成となっている。
コロナ帯電器61は、上記所定位置よりも感光ドラム52の回転方向における上流側に配置されており、感光ドラム52の周面を一様に帯電させる構成となっている。
The photosensitive drum 52 is configured to rotate clockwise as shown in FIG. 5, and the exposure light is irradiated from the exposure head 50 when the photosensitive drum 52 reaches a position facing the emission surface of the exposure head 50. It has become. That is, the photosensitive drum 52 is configured such that line scanning is sequentially performed by the exposure head 50 every time the circumferential surface reaches a predetermined position by rotation.
The corona charger 61 is disposed upstream of the predetermined position in the rotation direction of the photosensitive drum 52 and is configured to uniformly charge the peripheral surface of the photosensitive drum 52.

現像ローラ62は、上記所定位置よりも感光ドラム52の回転方向における下流側に配置されており、感光ドラム52に形成された静電潜像に現像剤であるトナーを付与して可視像(トナー像)を形成する構成となっている。
転写ローラ63は、現像ローラ62よりも感光ドラム52の回転方向における下流側に配置されており、感光ドラム52に形成された可視像を転写媒体に転写する構成となっている。
クリーニング装置64は、感光ドラム52の回転方向における転写ローラ63とコロナ帯電器61との間に配置されており、転写媒体65への可視像の転写後に、感光ドラム52の表面に残留しているトナーを除去する構成となっている。
The developing roller 62 is disposed downstream of the predetermined position in the rotation direction of the photosensitive drum 52. The developing roller 62 applies a toner as a developer to the electrostatic latent image formed on the photosensitive drum 52 so that a visible image ( Toner image).
The transfer roller 63 is disposed downstream of the developing roller 62 in the rotation direction of the photosensitive drum 52, and is configured to transfer a visible image formed on the photosensitive drum 52 to a transfer medium.
The cleaning device 64 is disposed between the transfer roller 63 and the corona charger 61 in the rotation direction of the photosensitive drum 52, and remains on the surface of the photosensitive drum 52 after the transfer of the visible image to the transfer medium 65. The toner is removed.

以上のように、本実施形態における有機EL装置1によれば、基板本体41上に同等の屈折率を有して貫通孔42Aが形成された凹部形成層42を積層することで、発光層46の厚さが均一化されて発光強度が均一化される。また、凹部形成層42と基板本体41との界面における反射を防止されるので、基板部21を透過する光に干渉が発生することを抑制して射出光のスペクトルが均一化される。したがって、有機EL装置1の長寿命化が図れる。   As described above, according to the organic EL device 1 in the present embodiment, the light emitting layer 46 is formed by laminating the concave portion forming layer 42 having the same refractive index and having the through hole 42 </ b> A formed on the substrate body 41. The thickness of the light is made uniform, and the light emission intensity is made uniform. Further, since reflection at the interface between the recess forming layer 42 and the substrate main body 41 is prevented, interference of light transmitted through the substrate portion 21 is suppressed, and the spectrum of the emitted light is made uniform. Therefore, the lifetime of the organic EL device 1 can be extended.

[第2の実施形態]
次に、本発明における有機EL装置の第2の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、上述した第1の実施形態と発光層で発生した光の取出方向が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。ここで、図6は、有機EL装置を示す断面図である。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the organic EL device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, since the direction of extraction of light generated in the light emitting layer is different from that in the first embodiment described above, this point will be mainly described, and the same reference numerals are given to the components described in the above embodiment. A description thereof will be omitted. Here, FIG. 6 is a cross-sectional view showing the organic EL device.

本実施形態における有機EL装置100では、図6に示すように、素子基板101の陽極層102が例えばAlなどの反射特性を有する導電材料で形成されている。したがって、陽極層102は、反射層としての機能を有する。すなわち、有機EL装置100は、反射層として機能する陽極層102が発光層46よりも基板部21に近接して配置された、トップエミッション構造となっている。
また、陰極層103は、例えばITOなどの透光性導電材料で形成されている。
このような構成の有機EL装置100においても、発光層46において発光領域Aの周縁部と中央部との間の膜厚が同等となっているため、発光領域A内の発光強度が均一化される。
また、発生した光は、陽極層102に向かう成分が陽極層102において陰極層103に向けて反射されることで陰極層103の上面から射出される。
In the organic EL device 100 according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, the anode layer 102 of the element substrate 101 is formed of a conductive material having reflection characteristics such as Al. Therefore, the anode layer 102 has a function as a reflective layer. That is, the organic EL device 100 has a top emission structure in which the anode layer 102 functioning as a reflective layer is disposed closer to the substrate unit 21 than the light emitting layer 46.
The cathode layer 103 is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO.
Also in the organic EL device 100 having such a configuration, since the film thickness between the peripheral portion and the central portion of the light emitting region A is equal in the light emitting layer 46, the light emission intensity in the light emitting region A is made uniform. The
Further, the generated light is emitted from the upper surface of the cathode layer 103 as a component directed to the anode layer 102 is reflected toward the cathode layer 103 in the anode layer 102.

以上のように、本実施形態における有機EL装置100においても、上述した第1の実施形態と同様の作用、効果を奏する。   As described above, also in the organic EL device 100 according to the present embodiment, the same operations and effects as those of the first embodiment described above are exhibited.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、発光領域の平面形状は、円形に限らず、他の形状であってもよい。同様に、凹部の平面形状は、発光領域と同心状の円形に限らず、他の形状であってもよい。
また、発光領域の開口部に対する凹部の外周部の内側への突出量は、発光層の厚さを均一化できれば、適宜変更してもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, the planar shape of the light emitting region is not limited to a circle and may be other shapes. Similarly, the planar shape of the recess is not limited to a circular shape concentric with the light emitting region, and may be another shape.
In addition, the amount of protrusion to the inside of the outer periphery of the recess with respect to the opening of the light emitting region may be appropriately changed as long as the thickness of the light emitting layer can be made uniform.

また、第1の実施形態において、平板上の基板本体上に貫通孔が形成された凹部形成層を積層することで基板部に凹部を形成しているが、凹部形成層を設けずに基板本体の上面に凹部を形成する構成としてもよい。
そして、第2の実施形態において、凹部は、反射層として機能する陽極層よりも下層に形成されていればよく、例えば第2層間絶縁膜に形成されてもよい。また、発光層で発生した光が基板部を透過しないため、基板本体と凹部形成層との屈折率が同一である必要はなく、上述と同様に凹部形成層を設けずに基板本体の上面に凹部を形成する構成としてもよい。
In the first embodiment, the concave portion is formed in the substrate portion by laminating the concave portion forming layer in which the through hole is formed on the flat plate substrate main body, but the substrate main body is not provided with the concave portion forming layer. It is good also as a structure which forms a recessed part in the upper surface of this.
In the second embodiment, the concave portion only needs to be formed below the anode layer functioning as the reflective layer, and may be formed, for example, in the second interlayer insulating film. In addition, since the light generated in the light emitting layer does not pass through the substrate portion, the refractive index of the substrate body and the recessed portion forming layer need not be the same, and the recessed portion forming layer is not provided on the upper surface of the substrate body as described above. It is good also as a structure which forms a recessed part.

また、第1の実施形態において陰極層が反射層としても機能しているが、陰極層よりも上層に反射層を別途設けてもよい。同様に、第2の実施形態において陽極層が反射層としても機能しているが、陽極層よりも下層に反射層を別途設けてもよい。
そして、有機EL装置は、光プリンタにおけるラインヘッドを構成しているが、ラインヘッドに限らず、表示装置に用いられてもよい。有機EL装置を備える電子機器としては、ラインヘッドに限らず、携帯電話機やPDA(Personal Digital Assistant:携帯情報端末機)、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、POS端末、タッチパネルを備える機器、照明装置などのような他の電子機器であってもよい。
In the first embodiment, the cathode layer also functions as a reflective layer, but a reflective layer may be separately provided above the cathode layer. Similarly, in the second embodiment, the anode layer also functions as a reflective layer, but a reflective layer may be separately provided below the anode layer.
The organic EL device constitutes a line head in the optical printer, but is not limited to the line head and may be used in a display device. Electronic devices including an organic EL device are not limited to line heads, but include cellular phones, PDAs (Personal Digital Assistants), personal computers, notebook personal computers, workstations, digital still cameras, in-vehicle monitors, Car navigation system, head-up display, digital video camera, television receiver, viewfinder type or monitor direct-view type video tape recorder, pager, electronic organizer, calculator, electronic book or projector, word processor, video phone, POS terminal, touch panel It may be another electronic device such as a device including a lighting device or a lighting device.

本発明の第1の実施形態における有機EL装置を示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 素子基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an element substrate. 発光領域内の発光強度を示すグラフである。It is a graph which shows the emitted light intensity in a light emission area | region. 本発明を適用可能なラインヘッドモジュールを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the line head module which can apply this invention. ラインヘッドモジュールを備える光プリンタを示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an optical printer provided with a line head module. 第2の実施形態における有機EL装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the organic electroluminescent apparatus in 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1,100 有機EL装置、27 隔壁、27A 貫通孔(開口部)、31 基板部、41 基板本体、42 凹部形成層、45 陽極層、46 発光層、47 陰極層(反射層)、102 陽極層(反射層)、103 陰極層、A 発光領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 Organic EL device, 27 Partition, 27A Through-hole (opening), 31 Substrate part, 41 Substrate body, 42 Recess formation layer, 45 Anode layer, 46 Light emitting layer, 47 Cathode layer (reflection layer), 102 Anode layer (Reflective layer), 103 cathode layer, A light emitting region

Claims (4)

基板部と、
該基板部上に形成されて発光領域を区画する隔壁と、
前記基板部上における前記発光領域に形成された陽極層及び陰極層と、
前記陽極層及び陰極層の間に配置された発光層と、
前記発光層よりも上層に配置された反射層とを備え、
前記基板部は、少なくとも前記発光領域において均一な屈折率を有すると共に、上面における前記発光領域の外周縁よりも内側に形成された凹部を有することを特徴とする有機EL装置。
A substrate section;
A partition wall formed on the substrate portion and defining a light emitting region;
An anode layer and a cathode layer formed in the light emitting region on the substrate part;
A light emitting layer disposed between the anode layer and the cathode layer;
A reflective layer disposed above the light emitting layer,
2. The organic EL device according to claim 1, wherein the substrate portion has a uniform refractive index at least in the light emitting region, and has a recess formed on an upper surface of the outer peripheral edge of the light emitting region.
前記基板部が、基板本体と、該基板本体上に積層されて該基板本体と同等の屈折率を有する凹部形成層とを備え、
前記凹部が、前記凹部形成層に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
The substrate portion includes a substrate body, and a recess forming layer that is laminated on the substrate body and has a refractive index equivalent to that of the substrate body,
The organic EL device according to claim 1, wherein the recess is formed in the recess forming layer.
前記基板部が、基板本体で形成されており、
前記凹部が、前記基板本体の上面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
The substrate portion is formed of a substrate body;
The organic EL device according to claim 1, wherein the recess is formed on an upper surface of the substrate body.
基板部と、
該基板部上に形成されて発光領域を区画する隔壁と、
前記基板部上における前記発光領域に形成された陽極層及び陰極層と、
前記陽極層及び陰極層の間に配置された発光層と、
前記発光層よりも下層に配置された反射層とを備え、
前記基板部は、上面における前記発光領域の外周縁よりも内側に形成された凹部を有することを特徴とする有機EL装置。
A substrate section;
A partition wall formed on the substrate portion and defining a light emitting region;
An anode layer and a cathode layer formed in the light emitting region on the substrate part;
A light emitting layer disposed between the anode layer and the cathode layer;
A reflective layer disposed below the light emitting layer, and
The organic EL device according to claim 1, wherein the substrate portion has a concave portion formed on an inner side of an outer peripheral edge of the light emitting region on the upper surface.
JP2008106721A 2008-04-16 2008-04-16 Organic el device Withdrawn JP2009259573A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008106721A JP2009259573A (en) 2008-04-16 2008-04-16 Organic el device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008106721A JP2009259573A (en) 2008-04-16 2008-04-16 Organic el device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009259573A true JP2009259573A (en) 2009-11-05

Family

ID=41386750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008106721A Withdrawn JP2009259573A (en) 2008-04-16 2008-04-16 Organic el device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009259573A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9859342B2 (en) 2013-04-30 2018-01-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with corresponding color filters

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9859342B2 (en) 2013-04-30 2018-01-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with corresponding color filters
TWI631700B (en) * 2013-04-30 2018-08-01 南韓商三星顯示器有限公司 Organic light emitting diode display
US10504970B2 (en) 2013-04-30 2019-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with color filters having recess portion or convex portion

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109904347B (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, and display apparatus
CN108336126B (en) Pixel structure, display device, and fabrication method of pixel structure
JP4642823B2 (en) Illumination device and liquid crystal display device
CN111211145A (en) display device
WO2006035811A1 (en) Organic electroluminescence display device
CN110867473B (en) Display substrate, display panel and display device
CN101752400A (en) Image display device, image display system and manufacturing method thereof
US20210408440A1 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
CN111200083A (en) Method and display device for patterning light-emitting element
US7906899B2 (en) Organic EL device, line head, and electronic apparatus with light shield
JP2004334205A (en) Upper substrate, liquid crystal display device having the same, and method of manufacturing the same
US20160041493A1 (en) Light emitting apparatus and image forming apparatus
JP2007287462A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2008234922A5 (en)
JP7366756B2 (en) Pixel structure, display device, and method for manufacturing pixel structure
JP7226419B2 (en) electro-optical devices and electronics
JP2007207962A (en) LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
CN111883563B (en) Display Devices
JP2009259573A (en) Organic el device
JP4760080B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP4924390B2 (en) Light emitting device, electronic equipment
JP2009259574A (en) Organic el device
JP2007299689A (en) Organic electroluminescence device and electronic device
JP2007048644A (en) LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
CN111710796A (en) Light-emitting device, display panel and preparation method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110406

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20111222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20111226