JP2009241095A - エネルギービーム加工装置及びエネルギービーム加工物製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板Ｗの移動に必要なスペースをなるべく小さくしつつ、基板を観察位置から加工位置に移動させる際における回転精度の悪化を防止し、及び、傾きのずれの発生を防止できるようにすること。
【解決手段】精密電子デバイス用被加工物を支持可能な第１支持部２２と、第１支持部２２を回転させる第１回転機構部２６と、第１支持部２２を観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて及びその逆向けに移動させる第１搬送機構部３０とを備える。同様構成の第２支持部４２と、第２回転機構部４６と、第２搬送機構部５０とを備える。観察エリアＥ１には観察系装置６０が設けられ、加工エリアＥ２にはレーザー照射装置７０が設けられる。観察エリアＥ１における回転調整処理及び加工エリアＥ２におけるレーザー加工処理の並列的な処理終了後、基板Ｗが異なる高さ位置ですれ違う状態で、互いに逆方向に移動する。
【選択図】図１

Description

この発明は、精密電子デバイス用被加工物に対して、エネルギービームによる加工を行う技術に関する。

基板に対してレーザー光の照射による加工を施す際には、事前に基板の位置調整を行うことで、より正確な加工が可能となる。

この種の位置調整を行う装置として、特許文献１に開示のものがある。特許文献１に開示の装置は、第１移動ユニット及び第２移動ユニットとを備えており、第１移動ユニット側で半導体基材を載置した基材ホルダの位置決めが行われ、第２移動ユニット側で基材ホルダに載置された半導体基材に対する露光が行われるようになっている。また、この特許文献１では、第１移動ユニット及び第２移動ユニットは、基材ホルダを同高さ位置で水平面に沿って移動自在に支持しており、第１移動ユニットと第２移動ユニットとは、当該水平面において異なる経路を通って基材ホルダの授受を行うようになっている。

特表２０００−５１１７０４号公報

しかしながら、特許文献１に開示の装置では、第１移動ユニットと第２移動ユニットとは、水平面において異なる経路を通って基材ホルダの授受を行うため、位置決めを行う位置と露光処理を行う位置との間で、半導体基材を移動させるのに必要となるスペースが大きくなってしまう傾向にある。

また、第１移動ユニットと第２移動ユニットとが基材ホルダの授受を行う際、半導体基板の位置決め精度が悪化してしまい、加工精度が悪くなる恐れがある。

そこで、本発明は、精密電子デバイス用被加工物の移動に必要なスペースをなるべく小さくしつつ、精密電子デバイス用被加工物を観察位置から加工位置に移動させる際における回転精度の悪化を防止し、及び、傾きのずれの発生を防止できるようにすることを目的とする。

上記課題を解決するため、第１の態様に係るエネルギービーム加工装置は、精密電子デバイス用被加工物を回転調整した後、エネルギービームによる加工を行うエネルギービーム加工装置であって、精密電子デバイス用被加工物を支持可能な第１支持部と、前記第１支持部を回転させる第１回転機構部と、前記第１支持部を、観察エリアから加工エリアに向けて及びその逆向けに移動させる第１搬送機構部と、精密電子デバイス用被加工物を支持可能な第２支持部と、前記第２支持部を回転させる第２回転機構部と、前記第１支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物と前記第２支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物とが異なる高さですれ違う状態で、前記第２支持部を、前記観察エリアから前記加工エリアに向けて及びその逆向けに移動させる第２搬送機構部と、前記観察エリアで、前記第１支持部又は前記第２支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物の支持状態を検出する支持状態検出部と、前記加工エリアで、前記第１支持部又は前記第２支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物に対して、エネルギービームを照射するエネルギービーム照射装置と、を備え、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち一方を前記観察エリアに配設した状態で、前記観察エリアにおいて、前記支持状態検出部からの検出結果に基づいて、前記第１回転機構部又は前記第２回転機構部を回転駆動させて精密電子デバイス用被加工物に対する回転調整を行う処理と、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち他方を前記加工エリアに配設した状態で、前記加工エリアにおいて、前記エネルギービーム照射装置から精密電子デバイス用被加工物に対してエネルギービームを照射して加工を行う処理とを並列的に実行し、これらの処理終了後に、前記第１搬送機構部と前記第２搬送機構部との移動駆動により、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち前記観察エリアに配設されたものを前記加工エリアに向けて移動させると共に、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち前記加工エリアに配設されたものを逆向けに移動させるものである。

第２の態様は、第１の態様に係るエネルギービーム加工装置であって、前記観察エリアにおいて、前記支持状態検出部からの検出結果に基づいて、前記第１搬送機構部又は前記第２搬送機構部を移動駆動させて、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行い、その調整後の位置を基準にして、前記第１搬送機構部又は前記第２搬送機構部の移動駆動により、前記第１支持部又は前記第２支持部を前記観察エリアから前記加工エリアに向けて移動させるものである。

第３の態様は、第１又は第２の態様に係るエネルギービーム加工装置であって、前記加工エリアにおいて、前記第１搬送機構部又は前記第２搬送機構部の移動駆動により、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの照射位置を変更するものである。

第４の態様は、第１〜第３のいずれかの態様に係るエネルギービーム加工装置であって、前記第１支持部を、前記第１搬送機構部による移動方向に対して交わる方向に移動させる第１搬送交差系移動機構部と、前記第２支持部を、前記第２搬送機構部による移動方向に対して交わる方向に移動させる第２搬送交差系移動機構部と、をさらに備え、前記観察エリアにおいて、前記支持状態検出部からの検出結果に基づいて、前記第１搬送交差系移動機構部又は前記第２搬送交差系移動駆動部を移動駆動させて、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行うものである。

第５の態様は、第４の態様に係るエネルギービーム加工装置であって、前記加工エリアにおいて、前記第１搬送交差系移動機構部又は前記第２搬送交差系移動機構部の移動駆動により、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの照射位置を変更するものである。

第６の態様は、第１〜第５のいずれかの態様に係るエネルギービーム加工装置であって、前記第１支持部及び前記第２支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物の高さ位置を検出可能な高さ検出部が設けられ、前記加工エリアにおいて、前記高さ検出部の検出結果に基づいて、前記エネルギービーム照射装置による焦点位置を調整するものである。

第７の態様は、第１〜第６のいずれかの態様に係るエネルギービーム加工装置であって、前記加工エリアにおいて、前記第１回転機構部又は第２回転機構部の回転駆動により精密電子デバイス用被加工物を回転させて、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの走査方向を変えるものである。

また、上記課題を解決するため、第８の態様に係るエネルギービーム加工物製造方法は、精密電子デバイス用被加工物を回転調整した後、エネルギービームによる加工を行うエネルギービーム加工物製造方法であって、観察エリアで、精密電子デバイス用被加工物の支持状態を観察し、その観察結果に基づいて精密電子デバイス用被加工物を支持した支持部を回転させることで、精密電子デバイス用被加工物に対する回転調整を行う調整ステップと、加工エリアで、支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物に対してエネルギービームを照射して加工を行う加工ステップと、精密電子デバイス用被加工物が異なる高さですれ違う状態で、前記観察エリアに配設された前記支持部を前記加工エリアに向けて移動させると共に、前記加工エリアに配設された支持部を逆向けに移動させる搬送ステップと、を備えたものである。

第９の態様は、第８の態様に係るエネルギービーム加工物製造方法であって、前記調整ステップでは、精密電子デバイス用被加工物の観察結果に基づいて 精密電子デバイス用被加工物を支持した支持部を、水平面でも移動させることで、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行うものである。

第１０の態様は、第８又は第９の態様に係るエネルギービーム加工物製造方法であって、前記調整ステップでは、精密電子デバイス用被加工物の高さ位置を観察し、前記加工ステップでは、対応して観察された高さ位置に基づいて、エネルギービームの照射位置を調整するものである。

第１の態様によると、第１搬送機構部及び第２搬送部機構部は、第１支持部及び第２支持部のそれぞれに支持された精密電子デバイス用被加工物を、異なる高さですれ違う状態で、観察エリアから前記加工エリアに向けて及びその逆向けに移動させる。このため、精密電子デバイス用被加工物の移動に必要なスペースを小さくすることができる。

また、観察エリアにおいて精密電子デバイス用被加工物を回転調整を行う処理と、加工エリアにおいて前記エネルギービーム照射装置から精密電子デバイス用被加工物に対してエネルギービームを照射して加工を行う処理とが並列的に実行されるため、これらの処理を迅速に行うことができる。そして、これらの処理終了後に、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち前記観察エリアに配設されたものを前記加工エリアに向けて移動させると共に、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち前記加工エリアに配設されたものを逆向けに移動させる。このため、精密電子デバイス用被加工物を観察エリアから加工エリアに移動させる際における回転精度の悪化を防止し、及び、傾きのずれの発生を防止することができる。

第２の態様によると、観察エリアにおいて、搬送機構部による移動方向においても、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行うことができる。しかも、精密電子デバイス用被加工物を観察エリアと加工エリアとの間で移動させるための第１搬送機構部及び第２搬送機構部によって、当該移動方向における位置調整を行うことができ、構成の簡易化を図ることができる。

第３の態様によると、前記第１搬送機構部又は前記第２搬送機構部の駆動により、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの照射位置を変更するため、構成の簡易化を図ることができる。

また、第４の態様によると、観察エリアにおいて、移動方向に対して交わる方向においても、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行うことができる。

また、第５の態様によると、前記第１搬送交差系移動機構部又は前記第２搬送機構部の駆動により、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの照射位置を変更するため、構成の簡易化を図ることができる。

第６の態様によると、精密電子デバイス用被加工物の高さ位置に応じて適切な位置にエネルギービームを照射できる。

第７の態様によると、前記第１回転機構部又は第２回転機構部によって、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの走査方向を変えることができる。

第８の態様に係るエネルギービーム加工物製造方法によると、精密電子デバイス用被加工物が異なる高さですれ違う状態で、前記観察エリアに配設された前記支持部を前記加工エリアに向けて移動させると共に、前記加工エリアに配設された支持部を逆向けに移動させる。このため、精密電子デバイス用被加工物の移動に必要なスペースをなるべく小さくすることができる。

また、観察エリアで、精密電子デバイス用被加工物の支持状態を観察し、その観察結果に基づいて精密電子デバイス用被加工物を支持した支持部を回転させることで、精密電子デバイス用被加工物に対する回転調整を行う調整ステップと、加工エリアで、支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物に対してエネルギービームを照射して加工を行う加工ステップとを備えているため、これらの各ステップを並列的に行うことができ、これらの処理を迅速に行うことができる。そして、これらのステップ終了後、観察エリアに配設された支持部を精密電子デバイス用被加工物と共に前記加工エリアに向けて移動させることができる。このため、精密電子デバイス用被加工物を観察エリアから加工エリアに移動させる際における回転精度の悪化を防止し、及び、傾きのずれの発生を防止することができる。

第９の態様によると、観察エリアにおいて、水平面においても、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行うことができる。

第１０の態様によると、精密電子デバイス用被加工物の高さ位置に応じて適切な位置にエネルギービームを照射できる。

以下、実施形態に係るレーザー加工装置及びレーザ加工物製造方法について説明する。図１は実施形態に係るレーザー加工装置を示す平面図であり、図２は同レーザー加工装置を示す側面図であり、図３は同レーザー加工装置を示す背面図である。

このレーザー加工装置１０は、基板Ｗに対して回転調整した後、レーザー光による加工を行う装置である。

ここで、対象となる基板Ｗとしては、基板材料上に複数のデバイスパターンが形成されたもの、特に、サファイア等硬度が高くかつ脆性を有する基板材料に、短波長ＬＤ（レーザーダイオード）やＬＥＤ（発光ダイオード）等のデバイスパターンが複数縦横に並ぶように形成されたもの、が想定される。本レーザー加工装置１０は、上記のような基板Ｗに対してレーザー光を照射することで、デバイス単位に分割する際の基点となる分割ラインを形成するための装置として用いられる。分割ラインは、基板Ｗに対して形成された所定深さの溝又は、基板の結晶構造をアモルファス、微細に砕けた結晶片、または細かな多結晶等に変質させた微小部分が線上に連なった領域として形成される。

レーザー加工装置１０は、基板供給部１２と、基板搬出入機構部１８と、第１基板支持移動機構部２０と、第２基板支持移動機構部４０と、観察系装置６０と、レーザ照射装置７０とを備えている。このレーザー加工装置１０の概略動作は次の通りである。すなわち、基板供給部１２に格納された基板Ｗは、第１基板支持移動機構部２０と第２基板支持移動機構部４０とのうちの一方によって、観察系装置６０を経てレーザ照射装置７０に搬送移動された後、基板供給部１２に戻される。基板Ｗが観察系装置６０に対応する位置に配設された状態では、基板Ｗに対する回転調整等が行われ、基板Ｗがレーザ照射装置７０に対応する位置配設された状態では、基板Ｗに対するレーザー加工が施される。このレーザ加工装置１０では、第１基板支持移動機構部２０と第２基板支持移動機構部４０とのうちの一方によって搬送移動された基板Ｗをレーザ照射装置７０によってレーザー加工する処理と、第１基板支持移動機構部２０と第２基板支持移動機構部４０とのうちの他方によって、基板Ｗを観察系装置６０に搬送移動して基板Ｗに対する回転調整等を行う処理とを並列的に行うことで、基板Ｗに対する傾き調整及びレーザ加工処理を順次効率よく行えるようになっている。

以下、各部構成についてより詳細に説明する。

基板供給部１２は、複数の基板Ｗを連続的に供給可能に構成されている。ここでは、基板供給部１２は、マガジン１４と、マガジン１４に対して着脱自在とされたカセット１３とを有し、上記第１基板支持移動機構部２０及び第２基板支持移動機構部４０の近傍位置に配設されている。カセット１３は、複数の基板Ｗを略水平姿勢でかつ鉛直方向に間隔をあけた整列姿勢で出し入れ可能に格納された構成となっている。また、マガジン１４は、カセット１３を昇降移動させて出し入れに適した位置に保持可能に構成されている。そして、当該カセット１３に格納された複数の基板Ｗが連続的に供給されるようになっている。

もっとも、基板Ｗは、上記カセット１３に格納された形態で供給される態様に限られず、連続的に供給可能な構成であればよい。

基板搬出入機構部１８は、基板供給部１２と第１基板支持移動機構部２０及び第２基板支持移動機構部４０との間で、基板Ｗを搬出入可能に構成されている。ここでは、基板搬出入機構部１８は、基板供給部１２と、第１基板支持移動機構部２０及び第２基板支持移動機構部４０との間に配設されている。そして、図示省略の基板保持部によって基板供給部１２に格納された基板を保持した状態で、当該基板保持部を図示省略の移動機構部によって第１基板支持移動機構部２０及び第２基板支持移動機構部４０側に向けて移動させて基板保持部による基板Ｗの保持を解除することによって、基板供給部１２に格納された基板Ｗを第１基板支持移動機構部２０及び第２基板支持移動機構部４０の一方に搬入できるようになっている。また、これとは逆に動作することで、第１基板支持移動機構部２０及び第２基板支持移動機構部４０の一方に存在する基板Ｗを、基板供給部１２に戻すように搬出できるようになっている。上記の基板保持部としては、基板Ｗの周縁部を掴む機構或は基板Ｗの主面を吸引する機構等を採用することができ、上記移動機構部としてはエアシリンダやリニアモータ等のリニアアクチュエータを用いることができる。これらの構成については、基板Ｗを搬送する周知構成を含む種々の構成によって実現可能であるので、詳細な説明は省略する。

第１基板支持移動機構部２０と第２基板支持移動機構部４０とは、隣設して配設されており、それぞれ基板Ｗを支持した状態で移動可能に構成されている。また、第１基板支持移動機構部２０と第２基板支持移動機構部４０との間の一端部寄りの位置に観察系装置６０が配設されると共に、当該間の他端部寄りの位置にレーザ照射装置７０が配設されている。ここでは、平面視において、観察系装置６０が配設された位置を囲む領域を観察エリアＥ１といい、レーザ照射装置７０が配設された位置を囲む領域を加工エリアＥ２という。

第１基板支持移動機構部２０は、第１支持部２２と、第１回転機構部２６と、第１搬送機構部３０と、第１搬送交差系移動機構部３４とを有している。

第１支持部２２は、基板Ｗを略水平姿勢で支持可能に構成されている。ここでは、第１支持部２２は、略円板状に形成されており、その一主面上に基板Ｗを載置状に支持可能に構成されている。第１支持部２２に支持される基板Ｗは、第１支持部２２に形成された吸引孔を通じた吸引、或は、エキスパンドテープ、或はそれらの併用によって、固定されることが好ましい。また、第１支持部２２は、観察系装置６０による観察光及びレーザ照射装置７０によるレーザー光に対して実質的に透過性を呈する部材により形成されている。

第１回転機構部２６は、上記第１支持部２２を鉛直方向に沿った回転軸周りに回転駆動可能に支持している（矢符θ１参照）。ここでは、第１回転機構部２６は、略方形板状に形成されており、その一端部側の支持端部に、第１支持部２２を回転可能に支持可能な凹部２６ｈが形成されると共に回転駆動部２７ａが組込まれている。回転駆動部２７ａは、第１支持部２２を正逆両方向に回転駆動可能に構成されている。このような回転駆動部２７ａは、例えば、モータ等の駆動力発生部からの駆動力を、ギヤ又はベルト等の伝達部によって、第１支持部２２を回転させる力として第１支持部２２に伝達する構成として実現することができる。

第１搬送交差系移動機構部３４は、第１支持部２２を、第１搬送機構部３０による移動方向に対して交わる方向、ここでは、略直交する方向に移動駆動可能に構成されている（矢符Ｘ１参照）。より具体的には、第１搬送交差系移動機構部３４は、リニアアクチュエータによって構成されており、上記第１回転機構部２６と第１支持部２２とを一体的に移動駆動可能に支持している。そして、第１搬送交差系移動機構部３４の駆動により、第１回転機構部２６の支持端部を、第１基板支持移動機構部２０と第２基板支持移動機構部４０との間に片持ち突出状に配設することで、第１支持部２２及びそれに支持された基板Ｗが、観察エリアＥ１又は加工エリアＥ２に配置される。また、この状態から第１回転機構部２６の支持端部を退避移動可能に構成されている。なお、第１搬送交差系移動機構部３４を構成するリニアアクチュエータとしては、ネジ溝を形成したシャフトに雌ネジ部材を螺合させて、両者をモータ等で相対回転させ雌ネジ部材を移動させることで、移動駆動を行う構成等、比較的高精度で移動駆動可能な構成のものを用いることが好ましい。

第１搬送機構部３０は、第１支持部２２を、観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて及びその逆向けに移動可能に構成されている。より具体的には、第１搬送機構部３０は、リニアアクチュエータによって構成されており、上記第１搬送交差系移動機構部３４と第１回転機構部２６と第１支持部２２とを一体的に移動駆動可能に支持している。そして、第１搬送機構部３０の駆動により、第１搬送交差系移動機構部３４を観察エリアＥ１と加工エリアＥ２との間で往復移動させることで、第１支持部２２及びそれに支持された基板Ｗが観察エリアＥ１と加工エリアＥ２との間で往復搬送移動可能に構成される。なお、移動中、第１支持部２２の高さ位置及びＸ１方向での位置は、一定に保たれるようになっている。また、ここでは、第１搬送機構部３０は、第１搬送交差系移動機構部３４を、観察エリアＥ１よりも外方の位置である基板供給部１２側方位置にも移動可能に構成されている。そして、第１搬送交差系移動機構部３４を、観察エリアＥ１よりも外方の位置である基板供給部１２側方位置に移動させた状態で、第１回転機構部２６の支持端部を退避移動させることで、第１支持部２２と基板搬出入機構部１８との間で、基板Ｗの受渡しが可能とされる。

第２基板支持移動機構部４０は、第２支持部４２と、第２回転機構部４６と、第２搬送機構部５０と、第２搬送交差系移動機構部５４とを有している。

第２支持部４２は上記第１支持部２２と同様構成とされている。また、第２回転機構部４６は上記第２回転機構部４６と同様に回転駆動部４７ａを有する構成とされ、第２支持部４２を鉛直方向に沿った回転軸周りに回転駆動可能に支持している（矢符θ２参照）。

第２搬送交差系移動機構部５４は、上記第１搬送交差系移動機構部３４に対比して、第２支持部４２及び第２回転機構部４６を支持することについて共通しており、それらを移動する方向に関しては異なるが、その他は同様構成とされている。

すなわち、第２搬送交差系移動機構部５４は、第２支持部４２を、第２搬送機構部５０による移動方向（矢符Ｙ２参照）に対して交わる方向、ここでは、略直交する方向に移動可能に構成されている（矢符Ｘ２参照）。ここでは、第１搬送機構部３０の移動経路（矢符Ｙ１参照）と第２搬送機構部５０の移動経路（矢符Ｙ２参照）とは略同じ方向であるから、第１搬送交差系移動機構部３４による移動経路（矢符Ｘ１参照）と第２搬送交差系移動機構部５４による移動経路（矢符Ｘ２参照）とは略同じ方向である。そして、第２搬送交差系移動機構部５４の駆動により、第２回転機構部４６の支持端部を、第１基板支持移動機構部２０と第２基板支持移動機構部４０との間に片持ち突出状に配設することで、第２支持部４２及びそれに支持された基板Ｗが、観察エリアＥ１又は加工エリアＥ２に配置される。また、この状態から第２回転機構部４６の支持端部をさらに突出移動可能に構成されている。

第２搬送機構部５０は、第１搬送機構部３０に対して、観察エリアＥ１及び加工エリアＥ２を挟んで対向する位置に配設されている。この第２搬送機構部５０は、第１搬送機構部３０による移動経路（矢符Ｙ１参照）と略平行な経路に沿って、第２支持部４２を、観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて及びその逆向けに移動可能に構成されている（矢符Ｙ２参照）。そして、本第２搬送機構部５０の駆動により、第２搬送交差系移動機構部５４を観察エリアＥ１と加工エリアＥ２との間で往復移動させることで、第２支持部４２及びそれに支持された基板Ｗが観察エリアＥ１と加工エリアＥ２との間で往復移動可能に構成される。また、この第２搬送機構部５０は、第２搬送交差系移動機構部５４を、観察エリアＥ１よりも外方の位置である基板供給部１２側方位置にも移動可能に構成されている。そして、第２搬送交差系移動機構部５４を、当該位置に移動させた状態で、第２回転機構部４６の支持端部をさらに突出移動させることで、第２支持部４２と基板搬出入機構部１８との間で、基板Ｗの受渡しが可能とされる。

また、第２搬送機構部５０は、基台５１上に載置されており、第１搬送機構部３０よりも上方位置に設置されている。これにより、第２支持部４２は、第１支持部２２よりも上方位置に支持されており、第１支持部２２及びこれに支持された基板Ｗと、第２支持部４２及びこれに支持された基板Ｗとが、異なる高さですれ違う状態で（図２参照）、観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて及びその逆向けに移動可能とされている。なお、第１搬送機構部３０と第２搬送機構部５０とを同一高さ位置に設置し、第２搬送交差系移動機構部５４と第２支持部４２との間に別部材を介在させること等により、第２支持部４２の配設位置を、第１支持部２２の配設位置よりも上方位置にするようにしてもよい。

観察系装置６０は、第１搬送機構部３０及び第２搬送機構部５０間であってそれらによる移動方向（矢符Ｘ１，Ｘ２参照）に沿った一端寄りの位置、すなわち、観察エリアＥ１に配設されている。基板Ｗは、観察系装置６０を経てレーザー加工装置に移動されることから、効率よく基板Ｗを移動させるという観点から、基板Ｗが搬入される側に配設されていることが好ましい。

観察系装置６０は、上側観察装置６２と下側観察装置６４とを備えている。なお、基板Ｗに対する照明装置も必要に応じて設定されるが、これについては図示を省略している。

上側観察装置６２は、観察エリアＥ１に配設される基板Ｗの上方位置に配設されている。上側観察装置６２は、ＣＣＤ及びレンズを有する撮像カメラ部６２ａと、撮像カメラ部６２ａを昇降移動させるカメラ昇降機構部６２ｂとを有しており、カメラ昇降機構部６２ｂの駆動により基板Ｗの上面に対して遠近自在な移動を可能としている。

下側観察装置６４は、観察エリアＥ１に配設される基板Ｗの上方位置に配設されている。下側観察装置６４は、ＣＣＤ及びレンズを有する撮像カメラ部６４ａと、撮像カメラ部６４ａを昇降移動させるカメラ昇降機構部６４ｂとを有しており、カメラ昇降機構部６４ｂの駆動により基板Ｗの下面に対して接離移動可能とされている。

そして、上側観察装置６２によって得られた基板Ｗの上方からの撮像画像と、下側観察装置６４によって得られた基板Ｗの下方からの撮像画像とが、基板Ｗの支持状態の検出結果として出力されるようになっている。

なお、これらの上側観察装置６２と下側観察装置６４とは、基板Ｗを撮像する際に、カメラ昇降機構部６２ｂ，６４ｂによって撮像カメラ部６２ａ，６４ａを昇降移動させることによって、焦点合せを行う。この際の昇降量の一方又は平均値に基づいて、基板Ｗの高さ位置の検出結果とすることができる。かかる焦点合わせのための構成自体は、マスク投影法された撮像画像を利用した焦点合わせ等、周知構成を含む種々の構成によって実現可能である。

このように、本観察系装置６０は、第１支持部２２又は第２支持部に支持された基板Ｗの支持状態を検出する支持状態検出部と、基板Ｗの高さ位置を検出する高さ検出部としての構成を有している。

もっとも、高さ検出部は別途設けられていてもよい。この場合、高さ検出部は、第１支持部２２が観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に移動される経路と第２支持部４２が同方向に移動される経路との重複位置に設けられていればよい。例えば、観察エリアＥ１と加工エリアＥ２との間に設けられていてもよいし、また、加工エリアＥ２、基板搬出搬入機構部１８、または、基板搬出搬入機構部へ向かう経路に設けられていてもよい。また、高さ検出部としても、上記焦点合わせに伴う処理を利用する他、種々の距離センサを用いることができる。

レーザー照射装置７０は、第１搬送機構部３０及び第２搬送機構部５０間であってそれらによる移動方向（矢符Ｘ１，Ｘ２参照）に沿った他端寄りの位置、すなわち、加工エリアＥ２に配設されている。そして、レーザー照射装置７０は、レーザー発振器、レーザー光径を適切な大きさに整えるためやパワーを制御するためのレーザ光学系、レーザー光を集光させるためのレンズ系等を有しており、加工エリアＥ２で第１支持部２２又は第２支持部に支持された基板Ｗに対して、レーザー光を照射する。また、レーザー照射装置７０がレーザー光を照射する際、外部から与えられる指示に基づいて、図示省略の昇降機構によってレンズ系を移動等することで、基板Ｗの高さ位置に応じてレーザー光の焦点位置を調整可能に構成されている。ここで、レーザー光の焦点位置は、例えば、基板Ｗの主面の位置から加工上必要とされる深さの位置に設定される。

図４はレーザー加工装置１０を示すブロック図である。同図に示すように、本レーザー加工装置１０は、全体動作制御を司る制御ユニット８０を備えている。制御ユニット８０は、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭ等を備える一般的なマイクロコンピュータによって構成されており、基板搬出入機構部１８と第１回転機構部２６と第１搬送機構部３０と第１搬送交差系移動機構部３４と第２支持部４２と第２回転機構部４６と第２搬送機構部５０と第２搬送交差系移動機構部５４と観察系装置６０とレーザ照射装置７０とに対して信号を授受可能に接続されている。そして、本制御ユニット８０は、予め記憶部に格納されたソフトウェアプログラムによって本装置全体の動作を制御する処理を実行可能に構成されている。

なお、本制御ユニット８０による処理は、物理的に一つの制御装置によって実現されるものであっても、物理的に複数の演算装置によって分散処理されるものであってもよい。

図５は本制御ユニット８０によるレーザー加工装置１０の制御処理を示すフローチャートである。制御ユニット８０による制御処理を、レーザー加工装置１０の実際の動作と共に説明する。

まず、初期状態では、図６に示すように、一方の第２支持部４２が基板搬出入機構部１８との間で基板Ｗの授受が可能な搬出入位置に位置すると共に、他方の第２支持部４２が加工エリアＥ２に位置しているとする。

この状態で処理が開始されると、ステップＳ１に示すように、制御ユニット８０は、基板供給部１２に格納された複数の基板Ｗのうちの一枚を搬出入位置に位置する第２支持部４２上に載置するように、基板搬出入機構部１８に搬入指示を与える。これにより、図６の矢符Ｐ１に示すように、基板供給部１２に格納された一枚の基板Ｗが第２支持部４２上に搬入され載置状に支持される。

次に、ステップＳ２において、制御ユニット８０は、第２支持部４２を観測エリアＥ１に移動させるように、第２搬送機構部５０及び第２搬送交差系移動機構部４４に移動指示を与える。これにより、図７の矢符Ｐ２，Ｐ３及び図８に示すように、第２支持部４２及びそれに載置された基板Ｗが移動して、観察エリアＥ１に位置する状態となる。

次に、ステップＳ３において、制御ユニット８０は、観察系装置６０に対して撮像指示を与えると共に、その撮像結果に基づいて第２回転機構部４６に対して所定方向への所定回転量での回転指示を与える。ここで、撮像結果に基づく回転方向及び回転量の決定は、公知手法を含む種々の手法を採用することができる。例えば、基板Ｗに予め距離をあけて所定形状のアライメント用マーカーを２つ形成しておき、観察系装置６０により得られる基板Ｗの一主面側の撮像画像からパターンマッチング処理等によって２つのアライメント用マーカーを抽出してそれらの位置を求め、その２つのアライメント用マーカーを結ぶ直線の傾きを求め、その傾きを補正するように、第２回転機構部４６による回転方向及び回転量を決定するとよい。

これにより、第２支持部４２を観察エリアＥ１に配設した状態で、撮像結果に基づいて第２回転機構部４６が回転駆動されて、基板Ｗに対する回転調整がなされる。

なお、ここでは、基板Ｗの上方に上側観察装置６２が設けられると共に、下方に下側観察装置６４が設けられている。上記回転方向及び回転量の決定を行う際の撮像画像としては、どちらの撮像画像を用いてもよいし、或は、双方の撮像画像の合成画像を用いてもよい。

また、上記のように観察系装置６０によって基板Ｗが撮像される際に上記のようにして得られた基板Ｗの高さ位置の検出結果が、観察系装置６０から制御ユニット８０に与えられる。制御ユニット８０は、当該基板Ｗの高さ位置の検出結果を自己のメモリ等に記憶する。

また、ここでは、観察エリアＥ１において、観察系装置６０からの撮像結果に基づいて、水平面での基板Ｗの位置調整をも行う。

すなわち、制御ユニット８０は、撮像結果に基づいて第２搬送機構部５０及び第２搬送交差系移動機構部５４に対して所定方向への所定量の移動指示を与える。ここで、撮像結果に基づく移動方向及び移動量の決定は、公知手法を含む種々の手法を採用することができる。例えば、観察系装置６０により得られる基板Ｗの一主面側の撮像画像からパターンマッチング処理等によって２つのアライメント用マーカーを抽出してそれらの位置を求め、上記回転補正（傾きを解消する補正）を行った上で、所定の基準位置からのアライメント用マーカーのＸ２方向及びＹ２方向でのシフト方向及びシフト量を求め、その位置ずれを補正するように、第２搬送機構部５０及び第２搬送交差系移動機構部５４に対する移動方向及び移動量を決定するとよい。

これにより、第２支持部４２を観察エリアＥ１に配設した状態で、撮像結果に基づいて、第２搬送機構部５０が移動駆動されてＹ２方向での基板Ｗの位置調整がなされると共に、第２搬送交差系移動機構部５４が移動駆動されてＸ２方向での基板Ｗの位置調整がなされ、その結果、水平面における基板Ｗの位置調整が行われる。

この後、制御ユニット８０は、ステップＳ４及びステップＳ５に示す処理と、ステップＳ６〜Ｓ９に示す処理とを並列的に実行する。なお、ここで並列的に実行するとは、両処理に関する演算処理が別々の演算装置等によって同時処理されるという意味だけではなく、本レーザー加工装置における前記双方の処理が同時進行で実行可能であれば、前記各ステップが必ずしも複数同時に実行されることに限定されるものでなく、直列状に順次実行する場合も含むことを、意味する。従って、ステップＳ４及びステップＳ５に示す処理と、ステップＳ６〜Ｓ９に示す処理とは、制御ユニット８０に含まれる演算装置によって時分割的に交互に処理される態様であってもよい。

ステップＳ４では、制御ユニット８０は、第２支持部４２を観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて移動させるように、第２搬送機構部５０に移動指示を与える。これにより、第２支持部４２及びそれに載置された基板Ｗは、図９の矢符Ｐ４及び図１０の矢符Ｐ５に示すように、観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて移動され、加工エリアＥ２に位置する。

ここでの第２搬送機構部５０による第２支持部４２の移動量は、上記ステップＳ３において位置調整なされた後の第２支持部４２の位置を基準として、観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて移動可能な一定の移動量として設定されている。従って、上記ステップＳ３において、Ｙ２方向に関して位置調整がなされると、当該Ｙ２方向に関する位置補正関係が維持されたままの態様で、第２支持部４２及び基板Ｗが加工エリアＥ２に位置することとなる。また、Ｘ２方向における位置補正後、基板Ｗが加工エリアＥ２に位置するまで、第２搬送交差系移動機構部５４による移動は行われず第２搬送機構部５０による移動のみが行われるため、当該Ｘ２方向に関する位置補正関係も維持されたままの態様で、第２支持部４２及び基板Ｗが加工エリアＥ２に位置することとなる。

次ステップＳ５では、制御ユニット８０は、レーザー照射装置７０、第２搬送機構部５０及び第２搬送交差系移動機構部５４に対して、基板Ｗに対してレーザー加工を行うための指示を与える。これにより、レーザー照射装置７０から基板Ｗに対してレーザー光を照射した加工が行われる。この際、制御ユニット８０は、予め観察系装置６０にて検出された基板Ｗの高さ位置に関する情報を、レーザー照射装置７０に対して与える。これにより、レーザー照射装置７０は、当該基板Ｗの高さ位置に応じてレーザー光の焦点位置を調整して、レーザー光を基板Ｗに向けて照射する。これにより、第１支持部２２及び第２支持部４２の高さの違い、及び、基板Ｗの載置状態に拘らず、基板Ｗに対して適切な焦点位置でレーザー光が照射される。

一方ステップS６では、制御ユニット８０は、第１支持部２２を加工エリアＥ２から観察エリアＥ１に向けて、さらにステップＳ７にて搬出入位置に向けて、移動するように指示を与える。つまり、制御ユニット８０は、ステップＳ６およびステップＳ７で、第１支持部２２を、第２支持部４２とは逆向けに移動させるように、第１搬送機構部３０に指示を与え、第１搬送機構部３０による移動が終了すると、第１支持部２２を基板搬出入機構部１８近くに移動させるように、第１搬送交差系移動機構部３４に移動指示を与える。

これにより、第１支持部２２は、図９の矢符Ｑ１及び図１０の矢符Ｑ２、Ｑ３に示すように、加工エリアＥ２から観察エリアＥ１を経由して搬出入位置に向けて移動する。

ここで、第２支持部４２が観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて移動するタイミングと、第１支持部２２が逆向けに移動するタイミングとは略同じであるため、観察エリアＥ１と加工エリアＥ２との間で、第２支持部４２と第１支持部２２とが重なる事態が生じ得る。しかしながら、第２支持部４２と第１支持部２２とは異なる高さ位置に配設されているため、第２支持部４２と第１支持部２２とは相互干渉することなく、異なる高さですれ違って互いに逆方向に移動することができる（図２参照）。

引き続き、前記ステップＳ７では、第１支持部２２に対して上記ステップＳ１と同様の処理がなされる。なお、本ステップＳ７において、搬出入位置に位置する第１支持部２２又は第２支持部４２上に加工済の基板Ｗが載置されている場合には、制御ユニット８０は、当該加工済の基板Ｗを基板供給部１２に格納するように、基板搬出入機構部１８に搬出指示を与えた後、ステップＳ１と同様の処理を行う。

次ステップＳ８では、第１支持部２２に対して上記ステップＳ２と同様の処理がなされ、次ステップＳ９では上記ステップＳ３と同様の処理がなされる。

そして、ステップＳ４及びステップＳ５に示す処理と、ステップＳ６〜Ｓ９に示す処理との双方が完了すると、ステップＳ１０に進む。基板Ｗに対する加工処理と、基板Ｗに対する回転調整処理とで、処理に要する時間の長短がわかっている場合には、長時間を要する処理終了に合わせて、次ステップＳ１０に進むとよい。基板Ｗに対する加工処理として後述するように縦横にレーザー光を照射する処理を想定した場合、当該処理には、基板Ｗに対する回転調整処理よりも長時間を要するため、基板Ｗに対する加工処理終了後をもってステップＳ１０に進むとよい。

ステップＳ１０では、カセット１３に格納された基板Ｗ全てに対して加工が終了したか否かが判別される。ここでの判別は、例えば、予め入力されたカセット１３の格納数と、別途カウントした基板Ｗに対する加工数とを比較することでなされる。そして、カセット１３に格納された基板Ｗ全てに対する加工が終了していないと判断されると、ステップＳ４及びステップＳ５に示す処理と、ステップＳ６〜Ｓ９に示す処理とを再度並列的に実行する。繰返しの処理では、第１基板支持移動機構部２０と第２基板支持移動機構部４０とを入替えて上記と同様の処理を行うことになる。

ステップＳ１０で、カセット１３に格納された基板Ｗ全てに対して加工が終了したと判断されると、加工中の基板Ｗを上記と同様にして基板供給部１２に格納した後、処理を終了する。

加工エリアにおける加工処理例について説明する。図１１は、図５のステップＳ５において行われるレーザー加工処理を示すフローチャートである。図１２及び図１３は加工中におけるレーザ加工痕跡線を示す図である。図１２及び図１３においては、説明の便宜上、基板Ｗの一側部に直線的な切欠状のオリフラＯＦを形成したものを示している。また、基板Ｗにおいて、このオリフラＯＦに沿った方向を第１走査方向といい、第１走査方向に略直交する方向を第２走査方向という。

まず、レーザー加工処理を行う初期状態において、基板Ｗは、第１支持部２２又は第２支持部４２上に載置状に支持されている。基板ＷのオリフラＯＦは、第２搬送交差系移動機構部５４による移動経路である方向Ｘ２に沿って配設されている。また、レーザー照射装置７０によるレーザー光の照射先は、基板Ｗの周縁部に位置付けられているとする。以下では、基板Ｗが第２支持部４２上に載置状に支持されている例で説明するが、第１支持部２２上に載置された基板Ｗについても同様に加工される。

まず、ステップＳ１１において、制御ユニット８０は、レーザー照射装置７０に対してレーザー光の照射開始指示を与えると共に、レーザー光が基板Ｗの第１走査方向に沿って照射されるように、第２搬送交差系移動機構部５４に対して移動指令を与える。これにより、基板ＷがＸ２方向に沿って移動し、基板Ｗの主面に、第１走査方向に沿ってレーザー光による加工痕跡線Ｌａが形成される（このような加工は、スクライブとも呼ばれる）。基板Ｗの周縁部に至るまで加工痕跡線Ｌａが形成されると、次ステップＳ１２に進む。

ステップＳ１２では、制御ユニット８０は、第１走査方向における加工が終了したか否か、第２走査方向における加工が終了したか否かを判断する。ここでの判断は、例えば、第１走査方向において形成すべき加工痕跡線Ｌａの予定数、及び、第２走査方向において形成すべき加工痕跡線Ｌｂの予定数を、それまでにカウントした第１走査方向（或は第２走査方向）への走査した回数と比較することでなされる。また、第１走査方向ににおいて形成すべき加工痕跡線Ｌａの予定数、及び、第２走査方向において形成すべき加工痕跡線Ｌｂの予定数は、例えば、その各加工痕跡線Ｌａ，Ｌｂのピッチ、基板Ｗの直径等に応じて決定される。

ステップＳ１２において、第１走査方向における加工終了前でかつ第２走査方向における加工終了前と判断されると、ステップＳ１４に進む。

ステップＳ１４では、制御ユニット８０は、基板Ｗを１ピッチ分移動させるように、第２搬送機構部５０に移動指令を与える。これにより、基板ＷがＹ２方向に沿って移動し、前回の加工痕跡線Ｌａに対して１ピッチ分離れた位置で、基板の外形に応じた走査長で、レーザー光が基板Ｗに対して照射されるようになる。つまり、基板Ｗに対するレーザー光の照射位置を変更するように、第２搬送機構部５０による移動駆動を行わせる。

この後、ステップＳ１１に戻り、上記と同様にして、前回の加工痕跡線Ｌａから１ピッチ分離れた位置で、基板Ｗの主面に、第１走査方向に沿ってレーザー光による加工痕跡線Ｌａを形成する。これにより、図１２に示すように、第１走査方向に沿って、複数の加工痕跡線Ｌａが略平行姿勢で形成される。

ステップＳ１１からステップＳ１２，ステップＳ１４に至る処理を複数回繰返した後、ステップＳ１２において、制御ユニット８０が第１走査方向における加工が終了したと判断すると、ステップＳ１３に進む。

ステップＳ１３では、制御ユニット８０は、第２回転機構部４６に対して略９０度の回転指示を与える。これにより、基板Ｗは略９０度回転する。この後、ステップＳ１１に戻る。

ステップＳ１１では、上記と同様の処理を行う。この際、基板Ｗは略９０度回転した状態となっているので、以降の処理では、上記第１走査方向とは略直交する方向において、加工痕跡線Ｌｂが形成される。そして、上記と同様にして、ステップＳ１１からステップＳ１２，ステップＳ１４に至る処理を複数回繰返す。これにより、図１３に示すように、第２走査方向に沿って、複数の加工痕跡線Ｌｂが略平行姿勢で形成される。つまり、基板Ｗに対するレーザー光の走査方向を変えるように、第２回転機構部４６の回転駆動により基板Ｗを回転させている。

そして、ステップＳ１２において、制御ユニット８０が、第１走査方向における加工及び第２走査方向における加工の双方が終了したと判断すると、加工処理を終了する。これにより、レーザー加工物として、縦横に加工痕跡線Ｌａ，Ｌｂが形成された基板Ｗが製造される。

以上のように構成されたレーザー加工装置１０及びレーザ加工物製造方法によると、観察エリアＥ１において基板Ｗに対する回転調整を行う処理（ステップＳ９参照）と加工エリアＥ２において基板Ｗに対してレーザー光を照射して加工を行う処理（ステップＳ５参照）とが並列的に実行されるため、複数の基板Ｗに対する連続的なレーザー加工処理を迅速に行うことができる。

また、上記の並列的な処理の終了後に、第１支持部２２及びそれに支持された基板Ｗと、第２支持部４２及びそれに支持された基板Ｗとを、異なる高さですれ違う状態で、観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に向けて及びその逆向けに移動させているため、それらの移動に必要なスペースをなるべく小さくすることができる。

また、観察エリアＥ１において、第１支持部２２又は第２支持部４２に支持された基板Ｗに対する回転調整を行った後、基板Ｗを載置状に支持した第１支持部２２又は第２支持部４２を、受渡し等することなく、そのまま加工エリアＥ２に移動させるため、基板Ｗを観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に移動させる際における基板Ｗの回転精度の悪化を防止し、及び、傾きのずれの発生を防止することができる。

また、観察エリアＥ１において、観察系装置６０からの撮像結果に基づいて、第１搬送機構部３０又は第２搬送機構部５０を移動駆動させて、それらの移動方向（矢符Ｙ１、Ｙ２参照）において基板Ｗの位置調整を行っている。そして、その調整後の位置を基準にして、基板Ｗを支持した第１支持部２２又は第２支持部４２を観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に移動させている。このため、基板Ｗを観察エリアＥ１から加工エリアＥ２に移動させるための第１搬送機構部３０又は第２搬送機構部５０によって、それらの移動方向（矢符Ｙ１、Ｙ２参照）における基板Ｗの位置調整を行うことができ、構成の簡易化を図ることができる。

また、第１搬送機構部３０又は第２搬送機構部５０は、加工エリアＥ２において、基板Ｗに対するレーザー光の照射位置を変更させるようにも動作する。このため、構成の簡易化を図りつつ、第１搬送機構部３０又は第２搬送機構部５０による移動方向（矢符Ｙ１、Ｙ２参照）においてレーザー光の照射位置を変更することができる。

また、観察エリアＥ１において、観察系装置６０からの撮像結果に基づいて、第１搬送交差系移動機構部３４又は第２搬送交差系移動機構部５４を移動駆動させて、それらの移動方向（矢符Ｘ１、Ｘ２参照）において基板Ｗの位置調整を行っている。これにより、それらの移動方向（矢符Ｘ１、Ｘ２参照）における基板Ｗの位置調整を行うことができ、構成の簡易化を図ることができる。

また、第１搬送交差系移動機構部３４又は第２搬送交差系移動機構部５４は、加工エリアＥ２において、基板Ｗに対するレーザー光の照射位置を変更させるようにも動作する。このため、構成の簡易化を図りつつ、第１搬送交差系移動機構部３４又は第２搬送交差系移動機構部５４による移動方向（矢符Ｘ１、Ｘ２参照）においてレーザー光の照射位置を変更することができる。

また、観察系装置６０による基板Ｗの高さ位置の検出結果に基づいて、加工エリアＥ２において、レーザー照射装置７０による焦点位置を調整しているため、基板Ｗの高さ位置に応じて適切な位置にレーザー光を照射できる。

また、加工エリアＥ２において、回転調整を行う第１回転機構部２６及び第２回転機構部４６によって、基板Ｗを回転させることで、基板Ｗに対するレーザー光の走査方向を変えているため、構成の簡易化を図りつつ、走査方向の変更が可能となる。

｛変形例｝
以上実施形態について説明したが、上記は全ての局面において、例示であって、本発明がそれに限定されるものではない。

例えば、本実施形態では、加工物が基板Ｗである例で説明したが、その他、回転調整を行った上で精密加工が施される精密電子デバイス用被加工物に対して適用可能である。

また、本実施形態では、レーザー光を照射する例で説明したが、その他、精密電子デバイス用被加工物に対して何らかの物理的作用をおよぼして加工することができるエネルギービームを照射して加工を施す場合に適用可能である。

また、本実施形態では、加工エリアＥ２において、第１回転機構部２６又は第２回転機構部４６によって基板Ｗを回転させて走査方向を変更する構成について説明したが、必ずしもその必要はない。観察エリアＥ１において、第１回転機構部２６又は第２回転機構部４６によって基板Ｗを回転させて走査方向を変更するようにしてもよい。この場合、基板Wの回転後、観察エリアE１にて再度傾き調整等及び高さ位置の測定等を行うようにしてもよい。また、この場合、観察エリアＥ１にある基板Ｗについては加工エリアＥ２に移動させてレーザー光照射による加工を施すようにしてもよい。

また、本実施形態では、基板Ｗを回転させて走査方向を変更することを、第１回転機構部２６や第２回転機構部４６で基板Ｗを回転することで行う構成について説明したが、必ずしもその必要はない。第１回転機構部２６や第２回転機構部４６とは別途設けた回転機構部によって、基板Ｗを回転させて走査方向を変更するようにしてもよい。この別途に回転機構部を設ける場合、設ける場所は、加工エリアＥ２でも、観察エリアＥ１でもよい。

また、本実施形態では、第１回転機構部２６や第２回転機構部４６で基板Ｗを回転することで、走査方向を変更する構成について説明したが、必ずしもその必要はない。走査方向を変更するためには、第１回転機構部２６も第２回転機構部４６も使用せず、基板Ｗの第１走査方向に沿ったレーザー光照射は、第１搬送交差系移動機構部３４と第２搬送交差系移動機構部５４が基板ＷをＸ１方向やＸ２方向に沿って移動することで行い、基板Ｗの第２走査方向に沿ったレーザー光照射は、第１搬送機構部３０と第２搬送機構部５０が基板ＷをＹ１方向やＹ２方向に沿って移動することで行うようにしてもよい。なお、基板Ｗの第１走査方向に沿ったレーザー光照射は、第１搬送機構部３０と第２搬送機構部５０が基板ＷをＹ１方向やＹ２方向に沿って移動することで行い、基板Ｗの第２走査方向に沿ったレーザー光照射は、第１搬送交差系移動機構部３４と第２搬送交差系移動機構部５２が基板ＷをＸ１方向やＸ２方向に沿って移動することで行うようにしてもよい。また、第１回転機構部２６もしくは第２回転機構部４６による回転角の確認測定ができる別途観察系を、加工エリアＥ２内に置いてもよい。

また、本実施形態では、観察エリアでＸ方向、Ｙ方向の位置調整を行った後、位置補正関係を維持したまま加工エリアに移動する構成について説明したが、所定の位置精度を実現できるのであれば、観察位置で傾き調整を行った後、それぞれの位置補正情報を制御ユニット８０の自己メモリ等に記憶させ、その情報を用いて加工エリアにて位置補正を行ってもよい。

また、上記実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組合わせることができる。

実施形態に係るレーザー加工装置を示す平面図である。 同上のレーザー加工装置を示す側面図である。 同上のレーザー加工装置を示す背面図である。 同上のレーザー加工装置のブロック図である。 同上のレーザー加工装置の制御処理を示すフローチャートである。 同上のレーザー加工装置の動作を示す説明図である。 同上のレーザー加工装置の動作を示す説明図である。 同上のレーザー加工装置の動作を示す説明図である。 同上のレーザー加工装置の動作を示す説明図である。 同上のレーザー加工装置の動作を示す説明図である。 加工エリアにおけるレーザー加工処理を示すフローチャートである。 レーザー加工中における基板Ｗの状態を示す図である。 レーザー加工中における基板Ｗの状態を示す図である。

符号の説明

１０ レーザー加工装置
２０ 第１基板支持移動機構部
２２ 第１支持部
２６ 第１回転機構部
３０ 第１搬送機構部
３４ 第１搬送交差系移動機構部
４０ 第２基板支持移動機構部
４２ 第２支持部
４６ 第２回転機構部
５０ 第２搬送機構部
５４ 第２搬送交差系移動機構部
６０ 観察系装置
７０ レーザー照射装置
８０ 制御ユニット
Ｅ１ 観察エリア
Ｅ２ 加工エリア
Ｗ 基板

Claims (10)

1. 精密電子デバイス用被加工物を回転調整した後、エネルギービームによる加工を行うエネルギービーム加工装置であって、
   精密電子デバイス用被加工物を支持可能な第１支持部と、
   前記第１支持部を回転させる第１回転機構部と、
   前記第１支持部を、観察エリアから加工エリアに向けて及びその逆向けに移動させる第１搬送機構部と、
   精密電子デバイス用被加工物を支持可能な第２支持部と、
   前記第２支持部を回転させる第２回転機構部と、
   前記第１支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物と前記第２支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物とが異なる高さですれ違う状態で、前記第２支持部を、前記観察エリアから前記加工エリアに向けて及びその逆向けに移動させる第２搬送機構部と、
   前記観察エリアで、前記第１支持部又は前記第２支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物の支持状態を検出する支持状態検出部と、
   前記加工エリアで、前記第１支持部又は前記第２支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物に対して、エネルギービームを照射するエネルギービーム照射装置と、
   を備え、
   前記第１支持部と前記第２支持部とのうち一方を前記観察エリアに配設した状態で、前記観察エリアにおいて、前記支持状態検出部からの検出結果に基づいて、前記第１回転機構部又は前記第２回転機構部を回転駆動させて精密電子デバイス用被加工物に対する回転調整を行う処理と、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち他方を前記加工エリアに配設した状態で、前記加工エリアにおいて、前記エネルギービーム照射装置から精密電子デバイス用被加工物に対してエネルギービームを照射して加工を行う処理とを並列的に実行し、これらの処理終了後に、前記第１搬送機構部と前記第２搬送機構部との移動駆動により、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち前記観察エリアに配設されたものを前記加工エリアに向けて移動させると共に、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち前記加工エリアに配設されたものを逆向けに移動させる、エネルギービーム加工装置。
2. 請求項１記載のエネルギービーム加工装置であって、
   前記観察エリアにおいて、前記支持状態検出部からの検出結果に基づいて、前記第１搬送機構部又は前記第２搬送機構部を移動駆動させて、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行い、その調整後の位置を基準にして、前記第１搬送機構部又は前記第２搬送機構部の移動駆動により、前記第１支持部又は前記第２支持部を前記観察エリアから前記加工エリアに向けて移動させる、エネルギービーム加工装置。
3. 請求項１又は請求項２記載のエネルギービーム加工装置であって、
   前記加工エリアにおいて、前記第１搬送機構部又は前記第２搬送機構部の移動駆動により、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの照射位置を変更する、エネルギービーム加工装置。
4. 請求項１〜請求項３のいずれかに記載のエネルギービーム加工装置であって、
   前記第１支持部を、前記第１搬送機構部による移動方向に対して交わる方向に移動させる第１搬送交差系移動機構部と、
   前記第２支持部を、前記第２搬送機構部による移動方向に対して交わる方向に移動させる第２搬送交差系移動機構部と、
   をさらに備え、
   前記観察エリアにおいて、前記支持状態検出部からの検出結果に基づいて、前記第１搬送交差系移動機構部又は前記第２搬送交差系移動駆動部を移動駆動させて、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行う、エネルギービーム加工装置。
5. 請求項４記載のエネルギービーム加工装置であって、
   前記加工エリアにおいて、前記第１搬送交差系移動機構部又は前記第２搬送交差系移動機構部の移動駆動により、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの照射位置を変更する、エネルギービーム加工装置。
6. 請求項１〜請求項５のいずれかに記載のエネルギービーム加工装置であって、
   前記第１支持部及び前記第２支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物の高さ位置を検出可能な高さ検出部が設けられ、
   前記加工エリアにおいて、前記高さ検出部の検出結果に基づいて、前記エネルギービーム照射装置による焦点位置を調整する、エネルギービーム加工装置。
7. 請求項１〜請求項６のいずれかに記載のエネルギービーム加工装置であって、
   前記加工エリアにおいて、前記第１回転機構部又は第２回転機構部の回転駆動により精密電子デバイス用被加工物を回転させて、精密電子デバイス用被加工物に対するエネルギービームの走査方向を変える、エネルギービーム加工装置。
8. 精密電子デバイス用被加工物を回転調整した後、エネルギービームによる加工を行うエネルギービーム加工物製造方法であって、
   観察エリアで、精密電子デバイス用被加工物の支持状態を観察し、その観察結果に基づいて精密電子デバイス用被加工物を支持した支持部を回転させることで、精密電子デバイス用被加工物に対する回転調整を行う調整ステップと、
   加工エリアで、支持部に支持された精密電子デバイス用被加工物に対してエネルギービームを照射して加工を行う加工ステップと、
   精密電子デバイス用被加工物が異なる高さですれ違う状態で、前記観察エリアに配設された前記支持部を前記加工エリアに向けて移動させると共に、前記加工エリアに配設された支持部を逆向けに移動させる搬送ステップと、
   を備えたエネルギービーム加工物製造方法。
9. 請求項８記載のエネルギービーム加工物製造方法であって、
   前記調整ステップでは、
   精密電子デバイス用被加工物の観察結果に基づいて 精密電子デバイス用被加工物を支持した支持部を、水平面でも移動させることで、精密電子デバイス用被加工物の位置調整を行う、エネルギービーム加工物製造方法。
10. 請求項８又は請求項９記載のエネルギービーム加工物製造方法であって、
    前記調整ステップでは、精密電子デバイス用被加工物の高さ位置を観察し、
    前記加工ステップでは、対応して観察された高さ位置に基づいて、エネルギービームの照射位置を調整する、エネルギービーム加工物製造方法。

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