JP2009224496A - ウェーハエッジ研削方法、ウェーハエッジ研削ユニット及びウェーハ裏面研削装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 86
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 14
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 155
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】ウェーハの外周部分を高精度に外周研削することができるウェーハエッジ研削方法、ウェーハエッジ研削ユニット及びウェーハ裏面研削装置を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された表面にBGテープ13が貼り付けられているウェーハのエッジを研削するウェーハエッジ研削方法であって、表面が上向きになるようにウェーハ10をテーブル5に保持することと、鉛直方向ないしこの鉛直方向に対して所定角度傾けた方向に回転軸Gを有するカップ砥石8をウェーハ10の周囲に配置することと、BGテープ13から露出しているウェーハ10の外周部分に沿って段部14を形成するように、カップ砥石8を回転させながらウェーハ10の外周部分に接触させてウェーハ10の外周部分を外周研削することと、を備える。
【選択図】図2
【解決手段】回路パターンが形成された表面にBGテープ13が貼り付けられているウェーハのエッジを研削するウェーハエッジ研削方法であって、表面が上向きになるようにウェーハ10をテーブル5に保持することと、鉛直方向ないしこの鉛直方向に対して所定角度傾けた方向に回転軸Gを有するカップ砥石8をウェーハ10の周囲に配置することと、BGテープ13から露出しているウェーハ10の外周部分に沿って段部14を形成するように、カップ砥石8を回転させながらウェーハ10の外周部分に接触させてウェーハ10の外周部分を外周研削することと、を備える。
【選択図】図2
Description
本発明は、ウェーハ裏面研削の前工程で実施されるウェーハエッジ研削方法、ウェーハエッジ研削ユニット及び装ウェーハ裏面装置に関するものである。
半導体ウェーハの厚みを薄くする加工方法として、半導体ウェーハの裏面を研削する方法がある。この加工方法は、半導体ウェーハと砥石との相対的回転運動により、半導体ウェーハを所定の厚さまで加工する方法である。半導体ウェーハは、100μmより薄く加工されることがある。しかし、半導体ウェーハの厚みが薄くなるほど、外周部分がシャープエッジ(ナイフエッジ)になるため、ウェーハの外周部分に欠けやチッピングが生じやすくなるという問題があった。
図8には、回路パターン41を保護するフィルム(テープ)が接着されている表面側を下向きにしてテーブル50に保持された、裏面研削後の半導体ウェーハ40が示されている。図示されるように、ウェーハ外周部分のエッジ43は、裏面研削前のウェーハ40の外周部分に丸みなどの面取部42が形成されているものほど鋭くなり、いわゆるシャープエッジの様相を呈するものとなる。ウェーハ40の外周部分に形成された丸い面取部42は、ウェーハ40の外周部分にチッピングなどの欠けやクラックなどが生じることを防止するために形成されたものであるが、皮肉にも裏面研削されたウェーハの欠けなどを助長するものとなっている。
ウェーハ外周部分での欠けなどを防止する従来の方法の一例として、特許文献1に開示されているものがある。この方法は、高圧水を使用してウェーハ外周部分を切断する方法であり、特許文献1の段落番号[0009]には、「周縁部切断工程では、半導体ウェハの周縁部を周方向に沿って切断して、裏面に対して略垂直な垂直切断面、または裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面を形成する。次いで、裏面研削工程では、上記周縁部切断工程で周縁部が切断された半導体ウェハの裏面を、垂直切断面または傾斜切断面を残存させながら平面研削する」と記載されている。
また、同じく特許文献1の段落番号[0011]には、「周縁部切断工程では、面取り加工によりR形状となっている半導体ウェーハの周縁部の全部または一部を切除して、半導体ウェーハの裏面側の周縁部のエッジ角度を、少なくとも90°以上にすることができる。即ち、裏面研削時に鋭角形状となりうる箇所を予め除去して、半導体ウェハの裏面側に裏面研削用の面取り加工を行うことができる。このため、裏面研削工程では、裏面研削が進行し半導体ウェハが薄くなっても、研削に伴う負荷を、略直角若しくは鈍角のエッジで受けることができるので、裏面側の周縁部に生ずるチッピングや半導体ウェハの割れを抑制できる」と記載されている。
また、他の一例として、面取部を有するウェーハ外周部分をダイシングブレードで切断する方法がある。この方法は、保護フィルムが接着されているウェーハの表面側が上向きになるようにウェーハをテーブルに保持した状態で、ウェーハの外周部分を外周研削する方法である。
特許文献1で開示されている高圧水を使用する方法や、ダイシングブレードを用いて研削する方法では、切断中又は研削中にウェーハの外周部分に振動が誘発され、高精度に切断又は研削を行うことができない心配があった。
本発明は、上記した点に鑑み、ウェーハの外周部分を高精度に研削することができるウェーハエッジ研削方法、ウェーハエッジ研削ユニット及びウェーハ裏面研削装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1記載のウェーハエッジ研削方法は、回路パターンが形成された表面に保護フィルムが貼り付けられているウェーハのエッジを研削するウェーハエッジ研削方法であって、前記ウェーハの表面が上向きになるように該ウェーハをテーブル上で保持することと、鉛直方向ないし該鉛直方向に対して所定角度傾けた方向に回転軸を有するカップ砥石を前記ウェーハの周囲に配置することと、前記保護フィルムから露出している前記ウェーハの外周部分に沿って段部を形成するように、前記カップ砥石を回転させながら前記ウェーハの外周部分に接触させて前記ウェーハの外周部分を外周研削することと、を備えることを特徴とする。
また、請求項2記載の発明は、請求項1に記載のウェーハエッジ研削方法において、前記外周研削では、前記段部の高さを前記ウェーハの裏面研削後の目標厚みと同程度ないしはそれより大きい寸法にすることを特徴とする。
また、請求項3記載の発明は、請求項1又は2に記載のウェーハエッジ研削方法において、前記外周研削では、前記ウェーハの外周部分に逆テーパ状の傾斜面を形成することを特徴とする。
また、請求項4記載の発明は、請求項3に記載のウェーハエッジ研削方法において、鉛直方向に対して所定角度傾けた前記回転軸周りで前記カップ砥石を回転させて前記外周研削することにより、前記傾斜面を形成することを特徴とする。
また、請求項5記載の発明は、請求項1〜3の何れか1項に記載のウェーハエッジ研削方法において、前記外周研削では、前記ウェーハと前記カップ砥石とを同一方向に回転させることを特徴とする。
また、請求項6記載の発明は、請求項1に記載のウェーハエッジ研削方法において、前記保護フィルムから露出している前記ウェーハの外周部分は、前記保護フィルムを前記ウェーハの外周に沿って切断することにより形成されることを特徴とする。
また、請求項7記載のウェーハエッジ研削ユニットは、保護フィルムが接着されているウェーハの表面が上向きになるように該ウェーハを保持するテーブルと、鉛直方向ないし該鉛直方向に対して所定角度傾いた方向に回転軸を有し、前記保護フィルムから露出している前記ウェーハの外周部分を外周研削するカップ砥石であって、前記ウェーハの外周部分に沿って段部を形成するように、回転しながら前記ウェーハの外周部分に接触して外周研削するカップ砥石と、を備えたことを特徴とする。
また、請求項8記載の発明は、請求項7に記載のウェーハエッジ研削ユニットにおいて、前記カップ砥石は、カップ状の台金と、該台金の先端面に環状に配設された砥石部とを有し、該砥石部において内周側の砥粒が外周側の砥粒より細かいようにしたことを特徴とする。
また、請求項9記載の発明は、請求項7又は8記載のウェーハエッジ研削ユニットにおいて、前記保護フィルムは、前記ウェーハの外周部分が露出するように前記ウェーハの外周に沿って切断されていることを特徴とする。
また、請求項10記載のウェーハ裏面研削装置は、表面に回路パターンが形成されているウェーハの裏面を研削するウェーハ裏面研削装置であって、請求項7〜9の何れか1項に記載のウェーハエッジ研削ユニットを備えたことを特徴とする。
以上の如く、カップ砥石でウェーハの外周研削を行うことにより、カップ砥石を回転軸周りで安定した状態で回転させながらウェーハの外周部分を研削することができる。したがって、研削抵抗が低くなり、研削中における振動の発生が回避され、ウェーハの外周部分を高精度に研削することができる。
また、ウェーハの外周部分に形成された逆テーパ状の傾斜面は、ウェーハの裏面を研削した後に、鈍角の面取り部として残るため、ウェーハ外周部分を強化することができる。これにより、ウェーハ外周部分の欠けなどを効果的に防止することができる。
また、ウェーハとカップ砥石とを同一方向に回転させることで、インフィード研削方式でウェーハの加工を行うことができる。これにより、ウェーハに対するカップ砥石の喰い付きと離脱がスムーズに行われ、ウェーハ外周部分における欠けなどを有効に防止することができる。
また、カップ砥石の砥石部において、内周側の砥粒が外周側の砥粒より細かいから、従来のように複数の研削砥石を用いることなく、一つのカップ砥石で荒加工から仕上げ加工までを行うことができる。このため、加工能率を高めることができると共に、加工コストを低減することができる。
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハエッジ研削方法、ウェーハエッジ研削ユニット及びウェーハ裏面研削装置の好ましい実施形態について詳説する。図1には、本発明に係るウェーハ裏面研削装置の一実施形態を説明するために用いられる平面図である。
図1に示されるウェーハ裏面研削装置1は、カップ砥石8(図2)を用いてウェーハ10の外周部分を外周研削(エッジ研削)するエッジ研削ユニット2と、ウェーハ10の裏面を平面研削する裏面研削ユニット3と、ウェーハ10の裏面を研磨する研磨ユニット4と、を含んでいる。これら各ユニット2〜4は、図示しない制御装置によって制御されている。
裏面研削装置1には、研削前のウェーハ10がウェーハカセット6Aに収納されて提供され、研削後のウェーハ10がウェーハカセット6Bに収納されて次工程に搬送されるようになっている。研削前のウェーハ10の表面11Aには、前工程において複数の回路パターン12(図4)が形成されると共に、回路パターン12を保護する所定厚みのBGテープ(保護フィルム)13が貼着されている。BGテープ13は弾力性があるため、ウェーハ10の表面11Aの凹凸、いわゆるバンプを吸収することができ、これにより、裏面研削中におけるウェーハ10の割れなどが防止されるようになっている。
ウェーハカセット6Aからは、ロボットアーム8Aによってウェーハ10が一枚ずつ取り出されるようになっている。取り出されたウェーハ10は、表面側(図2)を上方に向けた状態でテーブル5に載置され、テーブル5上で真空チャックにより吸着保持されるようになっている。
エッジ研削ユニット2は、ユニット本体と、ウェーハ10を吸着保持するテーブル5と、BGテープ13の外側に露出しているウェーハ10の外周部分をエッジ研削するカップ砥石8と、カップ砥石8を垂直方向(鉛直方向)の回転軸G(図2)の回りで回転させる主軸ヘッド(図示せず)と、を有している。テーブル5には、真空チャックテーブルを適用することができる。ウェーハ10は、負圧の利用によりテーブル5の吸着面に吸着され、破損することなく保持されるようになっている。このユニット2では、回転軸Gが垂直方向に配置されているため、回転軸が水平方向を向いているユニットに比べて高剛性となり、カップ砥石8の振れを小さくすることができる。このため、高精度にウェーハ10の外周部分を研削することができる。なお、ウェーハ10より小さいBGテープを貼り付けて、ウェーハ10の外周部分を露出させてもよく、あるいは、レーザでBGテープ13をウェーハ10の外周部分に沿って切断することにより、ウェーハ10の外周部分を露出させてもよい。
カップ砥石8は、ウェーハ10の外周部分に沿って段部14を形成するように、回転しながらウェーハ10の外周部分に内接してエッジ研削する。図2は、ウェーハ10の外周部分に段部14が形成された状態が示されている。カップ砥石8は、カップ状の台金9aと、この台金9aの先端面に環状に配設された砥石部9bとを有している。砥石部9bは、硬質砥粒と、結合材とから構成されている。硬質砥粒の種類や結合材の種類は任意であるが、硬質砥粒にはダイヤモンド砥粒が好適し、結合材には弾性を有するレジンボンドが好適する。主軸ヘッドには、上下運動と回転運動を同時に行うことができるロータリボールスプラインを適用することができる。
図3には、カップ砥石8の内側にウェーハ10が配置された状態で、カップ砥石8が自転しながらウェーハ10の外周部分に接してウェーハ10のエッジ研削を行なう様子が示されている。すなわち、カップ砥石8は、自転しながら回転軸Gに直交する水平面内で円運動することにより、砥石部9bの内周側がウェーハ10の外周部分に接してウェーハ10のエッジ研削が行われるようになっている。従って、図3において、カップ砥石8の回転軸Gはウェーハ10の中心軸Wの周囲を円軌道Cを描いて移動し、カップ砥石8の回転軸Gとウェーハ10の中心軸Wの軸間距離はeに保たれるようになっている。
図2には、エッジ研削ユニット2で、エッジ研削されたウェーハ10が示されている。ウェーハ10の外周部分には、切欠状の段部14がウェーハ10の外周に沿うように形成されている。段部14の高さtは、ウェーハ10の裏面研削後の目標厚みと同程度ないしはそれより大きい寸法になっている。
裏面研削ユニット3は、荒研削を実施するサブユニット20Aと仕上げ研削を実施するサブユニット20Bから構成されている。各サブユニット20A,20Bの構成は、使用されるダイヤモンドホイールの種類が異なることを除いてほぼ同じである。図4には、サブユニット20Aにおいて、鉛直方向に回転軸Rを有するダイヤモンドホイール18を用いて裏面11Bが平面研削されたウェーハ10が示されている。裏面研削では、エッジ研削により形成された段部14が完全に除去されるまで平面研削されるようになっている。予めウェーハ10の外周部分に段部14を形成することにより、ウェーハ10の厚みが薄くなっても外周部分にシャープエッジが形成されることが回避されている。
次に、図5に基づいて、ウェーハエッジ研削方法の変形例について説明する。この変形例は、カップ砥石30の回転軸Gを鉛直方向Pに対して角度θだけ傾けた状態でウェーハ10の外周部分をエッジ研削する例を示したものである。カップ砥石30を斜めに傾けることにより、ウェーハ外周部分の段部14Aの壁面を逆テーパ状の傾斜面15aに形成することができる。本実施形態において、傾斜面15aの傾斜角度βは回転軸Gを鉛直方向Pに対して傾斜させた角度θに等しくなっている。図2において、段部14は互いに直交する垂直な壁面と水平な壁面とを有しているのに対し、この変形例の段部14Aは傾斜面15aと水平な壁面15bとを有している。傾斜面15aは、図6に示すように、ウェーハ10の裏面を研削した後もそのまま残り、鈍角の面取り部として機能し、ウェーハ外周部分を強化する効果を奏するものとなる。この変形例において、傾斜面15aが逆テーパ状に傾斜していることが重要であり、傾斜面15aに交差する壁面15bは水平でなくてもよい。
また、この変形例のカップ砥石30は、砥石部31bの構成を除いて図2に示すカップ砥石8と略同様である。この変形例では、砥石部31bは三層構造をなしており、内側に位置する砥石部32aの砥粒が、中間に位置する砥石部32bの砥粒及び外側に位置する砥石部32cの砥粒より細かくなっている。また、中間に位置する砥石部32bの砥粒は、外側に位置する砥石部32cの砥粒より細かくなっている。この変形例のように、砥石部31bの砥粒サイズを内周側で細かくし、外周側で粗くすることにより、複数のカップ砥石を用いることなく、一つのカップ砥石で荒加工、中仕上げ加工、仕上げ加工を一度に行うことができる。本実施形態のカップ砥石30を用いてウェーハ10のエッジ研削を行った場合のメカニズムは、砥粒の粗い外側砥石部32cがウェーハ10にマイクロクラックを生成させ、中間砥石部32bがマイクロクラックを進展させ、内側砥石部32aがウェーハ材料の除去を行うものと考えられている。このため、カップ砥石30を用いることにより、荒加工から仕上げ加工までを一度に行うことができ、研削加工能率を高めることが可能となる。
なお、この変形例において、カップ砥石30傾けることにより、ウェーハ10の外周部分に傾斜面15aを有する段部14Aが形成されているが、図7に示すように、砥石部35bの内周面に所定のすくい角αを形成したカップ砥石35を用いることによっても、同様の段部14Aを形成することが可能である。
次に、ウェーハ10の裏面研削が終了した後は、ウェーハ10は次工程の研磨ユニット4(図1)に搬送され、研削条痕などを取り除くためにラッピングマシンなどで研磨される。このようにして、ウェーハ10は、外周部分において欠けなどを生ずることなく、例えば、100μm以下まで薄く加工されることができる。研磨が終了した後、ウェーハ10はロボットアーム8Bによってウェーハカセット6Bに収納され、次工程に搬送される。
以上のように、本実施形態によれば、回転軸Gが鉛直方向ないし鉛直方向に対して任意の角度傾いている方向に配置されているカップ砥石8,30,35を用いてウェーハ外周部分をエッジ研削することで、研削中におけるカップ砥石8,30,35の振れ回りや振動の発生を抑えることができ、ウェーハ10の外周部分を高精度に精密研削することができる。また、ウェーハ10の外周部分に形成された逆テーパ状の傾斜面15aは、ウェーハ10の裏面を研削した後も鈍角の面取部として残るため、ウェーハ外周部分を強化することができ、ウェーハ外周部分の欠けなどを効果的に防止することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本実施形態では、ウェーハ10の外周部分に段部14,14Aが形成されているが、段部14,14Aを形成せずにウェーハ10外周部分を完全に切断することもできる。また、ウェーハ外周部分のエッジ研削において、ウェーハ10をテーブル5と一体的にカップ砥石8と同一方向に回転させながら、インフィード研削方式でエッジ研削することも可能である。この方法によると、ウェーハ10に対するカップ砥石8の喰い付きと離脱がスムーズに行われ、ウェーハ外周部分における欠けなどを有効に防止することができる。
1 ウェーハ裏面研削装置
2 エッジ研削ユニット
3 裏面研削ユニット
8,30,35 カップ砥石
9a 台金
9b 砥石部
10 ウェーハ
13 BGテープ(保護フィルム)
14,14A 段部
2 エッジ研削ユニット
3 裏面研削ユニット
8,30,35 カップ砥石
9a 台金
9b 砥石部
10 ウェーハ
13 BGテープ(保護フィルム)
14,14A 段部
Claims (10)
- 回路パターンが形成された表面に保護フィルムが貼り付けられているウェーハのエッジを研削するウェーハエッジ研削方法であって、
前記ウェーハの表面が上向きになるように該ウェーハをテーブル上で保持することと、
鉛直方向ないし該鉛直方向に対して所定角度傾けた方向に回転軸を有するカップ砥石を前記ウェーハの周囲に配置することと、
前記保護フィルムから露出している前記ウェーハの外周部分に沿って段部を形成するように、前記カップ砥石を回転させながら前記ウェーハの外周部分に接触させて前記ウェーハの外周部分を外周研削することと、
を備えるウェーハエッジ研削方法。 - 前記外周研削では、前記段部の高さを前記ウェーハの裏面研削後の目標厚みと同程度ないしはそれより大きい寸法にする、請求項1に記載のウェーハエッジ研削方法。
- 前記外周研削では、前記段部に逆テーパ状の傾斜面を形成する、請求項1又は2に記載のウェーハエッジ研削方法。
- 鉛直方向に対して所定角度傾けた前記回転軸周りで前記カップ砥石を回転させて前記外周研削することにより、前記傾斜面を形成する、請求項3に記載のウェーハエッジ研削方法。
- 前記外周研削では、前記ウェーハと前記カップ砥石とを同一方向に回転させる、請求項1〜3の何れか1項に記載のウェーハエッジ研削方法。
- 前記保護フィルムから露出している前記ウェーハの外周部分は、前記保護フィルムを前記ウェーハの外周に沿って切断することにより形成される、請求項1に記載のウェーハエッジ研削方法。
- 保護フィルムが接着されているウェーハの表面が上向きになるように該ウェーハを保持するテーブルと、
鉛直方向ないし該鉛直方向に対して所定角度傾いた方向に回転軸を有し、前記保護フィルムから露出している前記ウェーハの外周部分を外周研削するカップ砥石であって、前記ウェーハの外周部分に沿って段部を形成するように、回転しながら前記ウェーハの外周部分に接触して外周研削するカップ砥石と、を備えたウェーハエッジ研削ユニット。 - 前記カップ砥石は、カップ状の台金と、該台金の先端面に環状に配設された砥石部とを有し、該砥石部において内周側の砥粒が外周側の砥粒より細かいようにした、請求項7に記載のウェーハエッジ研削ユニット。
- 前記保護フィルムは、前記ウェーハの外周部分が露出するように前記ウェーハの外周に沿って切断されている、請求項7又は8記載のウェーハエッジ研削ユニット。
- 表面に回路パターンが形成されているウェーハの裏面を研削するウェーハ裏面研削装置であって、
請求項7〜9の何れか1項に記載のウェーハエッジ研削ユニットを備えたウェーハ裏面研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008066311A JP2009224496A (ja) | 2008-03-14 | 2008-03-14 | ウェーハエッジ研削方法、ウェーハエッジ研削ユニット及びウェーハ裏面研削装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009224496A (ja) |
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