JP2009200415A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂の染み出しの抑制が図られた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】環状の枠体１１０と、枠体１１０内に位置し、配線１１２，１１３が接続された素子とを準備する工程と、枠体１１０の一方の軸方向端面によって規定される開口部を閉塞すると共に、配線１１２，１１３および素子を覆うように上金型２１０を配置する工程と、第１および下金型２１１が枠体１１０を挟持して、上金型２１０を一方の軸方向端面に圧着させて、第１軸方向端面を変形させると共に、下金型２１１を他方の軸方向端面に圧着させて、第２軸方向端面を変形させる工程と、第１および下金型２１１と、枠体１１０とによって規定される内部空間内に樹脂を充填して、内部空間内に位置する配線１１２，１１３および素子上を覆う樹脂部を形成する工程とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特にモールド樹脂で封止された半導体装置および半導体意装置の製造方法に関する。

従来から各種工夫が施された半導体装置が提案されている。たとえば、特開２００２−３１２７４４号公報に記載された半導体装置は、外部接続用端子となる導体を含む配線基板と、この配線基板上に形成された樹脂枠体と、この樹脂枠体の内側に形成された集積回路素子および接続手段と、集積回路素子や接続手段を覆う封止樹脂とを備えている。

さらに、特開２００２−３１２７４４号公報に記載された半導体装置の製造方法によれば、まず、集積回路素子上に形成された入出力電極と、外部接続用端子とをワイヤーボンディングによって接続する。そして、上型、下型、ゲート、およびランナーを有する成形金型を用いて、樹脂枠体の内部に封止樹脂を充填する。

特開２００２−７６１９５号公報に記載されたＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）の実装構造は、電気的に分離された複数の導電路と、所望の該導電路上にゲート電極およびソース電極を固着されたＭＯＳＦＥＴチップと、該ＭＯＳＦＥＴチップのドレイン電極を所望の導電路と接続する金属接続板と、ＭＯＳＦＥＴチップを被覆し且つ導電路を一体に支持する絶縁性樹脂とを備えている。

特開２００２−７６１９５号公報に記載されたＭＯＳＦＥＴの実装構造の製造方法は、導電箔上にＭＯＳＦＥＴチップを実装した後に、絶縁性樹脂を導電箔上に形成している。

特開２００６−１７９７３２号公報に記載された半導体パワーモジュールは、セラミックス基板に高純度ＡｌもしくはＡｌ合金を直接接触させて接合させた絶縁基板と、半田を介して搭載されたＳｉチップと、絶縁基板およびＳｉチップとを覆うように形成されたエポキシ系樹脂とを備えている。

特開２００６−１７９７３２号公報に記載された半導体パワーモジュールの製造方法においては、トランスファモールドでエポキシ系樹脂を形成する。
特開２００２−３１２７４４号公報 特開２００２−７６１９５号公報 特開２００６−１７９７３２号公報

しかし、特開２００２−３１２７４４号公報に記載された半導体装置の製造方法においては、樹脂枠体の内部に封止樹脂を充填する際に、樹脂枠体と金型との隙間に樹脂が入り込み、外部接続端子の表面上に樹脂が付着するおそれがある。

さらに、特開２００２−３１２７４４号公報に記載された半導体装置においては、樹脂枠体と、この樹脂枠体内に形成された封止樹脂とが互いに位置ずれする場合がある。

特開２００２−７６１９５号公報に記載されたＭＯＳＦＥＴの実装構造の製造方法においては、絶縁基板およびＳｉチップを覆うようにエポキシ系樹脂を充填する際に、金型と充電箔との間を樹脂が通り、導電箔の表面のうち、Ｓｉチップの搭載面と反対側の面にまで樹脂が形成されるおそれがある。

特開２００６−１７９７３２号公報に記載された半導体パワーモジュールの製造方法においては、エポキシ樹脂を形成する際に、素子に接続されたリードを金型に形成された穴部に挿入した状態で、樹脂を充填している。しかし、リードと金型との間の隙間内に樹脂が入り込み、エポキシ樹脂から突出させるリードの表面にも樹脂が付着するおそれがある。

本発明は、上記のような課題を鑑みてなされたものであって、その目的は、樹脂の染み出しの抑制が図られた半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明の第２の目的は、枠体と、該枠体内にモールド樹脂が充填された半導体装置において、枠体内に形成された樹脂部が枠体に対して相対的に位置ずれしたり、樹脂部が枠体から脱落することを抑制することができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、環状の枠体と、枠体の内周面から張り出す配線と、枠体内に位置し、配線が接続された素子とを準備する工程と、枠体の一方の軸方向端面によって規定される開口部を閉塞すると共に、配線および素子を覆うように第１金型を配置する工程と、枠体の他方の軸方向端面によって規定される開口部を閉塞すると共に、配線および素子を覆うように第２金型を配置する工程とを含む。さらに、第１および第２金型が枠体を挟持して、第１金型を一方の軸方向端面に圧着させて、第１軸方向端面を変形させると共に、第２金型を他方の軸方向端面に圧着させて、第２軸方向端面を変形させる工程と、第１および第２金型と、枠体とによって規定される内部空間内に樹脂を充填して、内部空間内に位置する配線および素子上を覆う樹脂部を形成する工程とを備える。

本発明に係る半導体装置は、環状の枠体と、枠体内に充填された樹脂部と、樹脂部内に埋設された素子と、枠体の内周面から引き出され、素子に接続されると共に、枠体の一方の軸方向端面の引き出し部から引き出された配線とを備え、樹脂部は、枠体の一方の軸方向端面のうち、配線より内周縁部側に位置する部分の一部を覆い、引出部よりも枠体の内周側に位置する部分と係合する配線第１係合部と、枠体の他方の軸方向端面の一部を覆う第２係合部とを含む。

本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、枠体内に樹脂が充填され、枠体内に配置された素子等が樹脂部によって覆われた半導体装置を製造する過程において、枠体内に樹脂を充填する際に、枠体と金型との間から樹脂が染み出し、配線のうち、外部配線等と接続される部分に樹脂が付着することを抑制することができると共に、樹脂によって形成されるバリの発生を抑制することができる。

本発明に係る半導体装置によれば、枠体内に樹脂が充填され、枠体内に配置された素子等が樹脂部によって覆われた半導体装置において、樹脂部が枠体に対して相対的に変位したり、樹脂部が枠体から脱落することを抑制することができる。

本発明に係る半導体装置および半導体装置の製造方法について、図１から図１６を用いて説明する。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１００の断面図である。この図１に示されるように、半導体装置１００は、環状に形成された枠体１１０と、この枠体１１０内に充填されたモールド樹脂部１１１と、このモールド樹脂部１１１内に埋設されたパワーチップ１１７と、枠体１１０の内周面から引き出された配線１１２および配線１１３とを備えている。ここで、配線１１２は、軸方向端面１２２上に位置する引出部１１４から引き出されており、配線１１３は、軸方向端面１２２上に位置する引出部１１５から引き出されている。

枠体１１０と配線１１２および配線１１３とは、たとえば、インジェクション成形によって一体成形されている。

枠体１１０は、一方の軸方向端面１２２に形成され、環状に延びる環状凸部１３０と、他方の軸方向端面１２３に形成され、環状に延びる環状凸部１３１とを備えている。

環状凸部１３０は、軸方向端面１２２の内周縁部と外周縁部との間に位置しており、環状凸部１３１も、軸方向端面１２３の内周縁部と外周縁部との間に位置している。特に、環状凸部１３０は、軸方向端面１２２のうち、引出部１１４および引出部１１５に対して、軸方向端面１２２の内周縁部側に位置する部分に形成されている。

モールド樹脂部１１１は、軸方向端面１２２のうち、環状凸部１３０に対して、軸方向端面１２２の内周縁部側に位置する部分および環状凸部１３０の内側面１３２を覆う係合部１３８を含む。さらに、モールド樹脂部１１１は、軸方向端面１２３のうち、環状凸部１３１に対して、軸方向端面１２３の内周縁部側に位置する部分および環状凸部１３１の内側面１３５を覆う、係合部１３９を含む。ここで、係合部１３８は、軸方向端面１２２のうち、配線１１２の引出部１１４および配線１１３の引出部１１５に対して、軸方向端面１２２の内周側に位置する部分と係合している。そして、モールド樹脂部１１１の周面には、環状凹部１２１が形成されており、枠体１１０は、この環状凹部１２１内にはめ込まれている。

ここで、モールド樹脂部１１１が枠体１１０に対して、軸方向端面１２３から軸方向端面１２２に向かう方向に向けて相対的に変位しようとしても、係合部１３９が軸方向端面１２３に係合すると共に、環状凹部１２１に枠体１１０が嵌めこまれているため、モールド樹脂部１１１と枠体１１０との相対的な位置ずれが抑制されている。同様に、モールド樹脂部１１１が枠体１１０に対して、軸方向端面１２２から軸方向端面１２３に向かう方向に相対的に変位しようとしても、係合部１３８が軸方向端面１２２と係合すると共に、環状凹部１２１内に枠体１１０が嵌め込まれているため、モールド樹脂部１１１と枠体１１０との相対的な変位が抑制されている。このように、モールド樹脂部１１１は、枠体１１０に対して相対的に移動したり、モールド樹脂部１１１が枠体１１０から脱落することが抑制されている。

ここで、枠体１１０の幅は、たとえば、１ｍｍ以上２ｍｍ以下程度であることが好ましい。枠体１１０の幅が１ｍｍより小さくなると、枠体１１０の剛性が小さくなり、後述する樹脂を枠体１１０内に充填する際に、金型からの押圧力によって大きく変形するおそれがあるためである。さらに、枠体１１０の幅が２ｍｍより大きくなると、半導体装置１００のコンパクト化を阻害するためである。環状凸部１３０の幅は、たとえば、０．５ｍｍ程度となっている。そして、軸方向端面１２２のうち、環状凸部１３０に対して、軸方向端面１２２の内周縁部側に位置する部分の幅は、たとえば、１ｍｍ程度となっており、環状凸部１３０の幅よりも、大きくなっている。

これにより、たとえば、モールド樹脂部１１１と枠体１１０との熱膨張率が異なり、モールド樹脂部１１１および枠体１１０の温度が上昇したときにおいても、係合部１３８，１３９が枠体１１０と良好に係合することができ、モールド樹脂部１１１と枠体１１０との係合状態を維持することができる。

なお、枠体１１０は、熱可塑性樹脂から形成されており、モールド樹脂部１１１は、熱硬化性樹脂によって構成されている。

配線１１２は、枠体１１０の内周面から枠体１１０内に引き出され、モールド樹脂部１１１内に埋設されている。そして、モールド樹脂部１１１内に位置する配線１１２の端部には、電極１５１が連設されている。この電極１５１には、ボンディングワイヤー１２０の一方の端部が接続されており、ボンディングワイヤー１２０の他方の端部は、パワーチップ１１７の上面に接続されている。

配線１１２は、軸方向端面１２２のうち、環状凸部１３０に対して軸方向端面１２２の外周縁部側に位置する引出部１１４から引き出されている。

配線１１３は、枠体１１０の内周面から引き出されており、半田１１６を介してパワーチップ１１７の底面に接続されている。さらに、配線１１３は、枠体１１０の軸方向端面１２２のうち、環状凸部１３０に対して外周縁部側に位置する引出部１１５から引き出されている。

配線１１３のうち、枠体１１０内に位置する端部には、電極１５０が連設されている。この電極１５０の上面には、半田１１６を介してパワーチップ１１７が搭載されている。電極１５０は、配線１１２，１１３が引き出された軸方向端面１２２側に位置するモールド樹脂部１１１の一方の端面１４７よりも他方の端面１４８側に近接している。

そして、モールド樹脂部１１１の端面１４８には、冷却器１４９が装着される。これにより、パワーチップ１１７を冷却器１４９に近接させることができ、パワーチップ１１７を良好に冷却することができる。

電極１５０の表面のうち、パワーチップ１１７が搭載された主表面と反対側に位置する主表面と、装着される冷却器１４９との間には、モールド樹脂部１１１が充填されている。このため、パワーチップ１１７から半田１１６を介して電極１５０に伝達された熱は、モールド樹脂部１１１を介して冷却器１４９に良好に放熱される。

電極１５０は、たとえば、ＮｉメッキされたＣｕ板とされている。電極１５０の厚みは、０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下程度とされており、パワーチップ１１７からの熱が良好に電極１５０に伝達され、そして、電極１５０からモールド樹脂部１１１に良好に放熱される。

なお、電極１５１は、たとえば、Ｎｉメッキが施されたＣｕ板とされている。電極１５１は、ボンディングワイヤー１２０を電極１５１に接続する際に必要な剛性を有しておればよく、電極１５１の厚みは、たとえば、０．５ｍｍ程度とされている。このように、電極１５１の厚みは、電極１５０よりも薄く形成されている。

電極１５０を薄く形成することで、電極１５１と電極１５０とが、半導体装置１００の厚み方向（軸方向端面１２２と軸方向端面１２３の一方から他方に向かう方向）に重なり合う場合には、半導体装置１００の厚みを薄くすることができ、半導体装置１００のコンパクト化を図ることができる。

さらに、配線１１２および配線１１３は、いずれも、軸方向端面１２２から引き出されており、冷却器１４９は、軸方向端面１２３側に配置されるため、冷却器１４９と、配線１１２および配線１１３との間の沿面距離を長く確保することができる。

配線１１２および配線１１３と、冷却器１４９との沿面距離が確保することができれば、半導体装置１００の厚みを薄くして、半導体装置１００のコンパクト化を図ることができる。

また、配線１１２および配線１１３を枠体１１０の軸方向端面１２２から引き出すことにより、配線１１２および配線１１３を枠体１１０の周面から引き出す場合と比較して、半導体装置１００のコンパクト化を図ることができる。

図２から図４を用いて、本実施の形態１に係る半導体装置１００の製造方法について説明する。

図２は、半導体装置１００の製造工程を示す断面図である。この図２に示すように、まず、配線１１２および配線１１３が設けられた枠体１１０と、半田１１６を介して、電極１５０上に搭載され、ボンディングワイヤー１２０によって電極１５１に接続されたパワーチップ１１７とを備えるユニット１６０を形成する。そして、金型２００を用いて、ユニット１６０の枠体１１０内に樹脂を充填して、モールド樹脂部１１１を形成する。金型２００は、上金型２１０と下金型２１１とを備え、内部にキャビティー２０１が規定されている。この図２に示す例においては、下金型２１１には凹部２０６が形成されており、凹部２０６の底面２０９は、形成されるモールド樹脂部１１１の端面１４８を規定する。凹部２０６の内側面２０７は、環状凸部１３１の外側面１３６を支持する。

下金型２１１の上面のうち、凹部２０６と隣り合う部分は、平坦面状の支持面２０８とされており、枠体１１０の軸方向端面１２３のうち、環状凸部１３１に対して外周側に位置する部分を支持すると共に、上金型２１０の下面と当接するパーティング面とされている。

下金型２１１には、凹部２０６に達するランナ２２１と、このランナ２２１に連通するポット２２０とが形成されており、ポット２２０内には、プランジャ２２２がポット２２０内を摺動可能に設けられている。

上金型２１０には、凹部２０５が形成されており、この凹部２０５は、枠体１１０、配線１１２、および配線１１３を収容する凹部２０５が形成されている。凹部２０５は、枠体収容部２０３と、配線受入部２０２および配線受入部２０４とから規定されている。

枠体収容部２０３の内周面は、枠体１１０の外周面を模るように形成されており、枠体１１０を受け入れ可能となっている。さらに、配線受入部２０２は、配線１１２のうち、枠体１１０の軸方向端面１２２から突出する部分を受け入れ可能とされており、配線受入部２０４は、配線１１３のうち、軸方向端面１２２から突出する部分を受け入れ可能とされている。

そして、キャビティー２０１内にユニット１６０を配置すると、下金型２１１は、枠体１１０の軸方向端面１２３によって規定される開口部を閉塞すると共に、枠体１１０内に位置するパワーチップ１１７や、配線１１２および配線１１３のうち、枠体１１０内に位置する部分を覆うように位置する。

さらに、上金型２１０は、モールド樹脂部１１１の軸方向端面１２２によって規定される開口部を閉塞すると共に、枠体１１０内に位置するパワーチップ１１７と、配線１１２および配線１１３のうち、枠体１１０内に位置する部分とを覆うように位置する。そして、枠体収容部２０３内に枠体１１０が位置し、配線１１２および配線１１３のうち、枠体１１０の軸方向端面１２２から突出する部分は、配線受入部２０２および配線受入部２０４内に収容される。

図３は、金型２００内にユニット１６０を収容したときにおける環状凸部１３０およびその近傍の状態を示す断面図である。なお、この図３に示す状態においては、上金型２１０と下金型２１１とは僅かに離間している。この図３に示すように、凹部２０５の上部は、平坦面状の上面２２４と、この上面２２４の外周縁部に位置し、環状に延びる傾斜面２２６と、傾斜面２２６に対して、上面２２４と反対側に位置する配線受入部２０２および配線受入部２０４とによって規定されている。

そして、この図３に示すように、上金型２１０と下金型２１１とが近接すると、環状凸部２２５の傾斜面２２６と、環状凸部１３０の傾斜面２２６との間の距離が縮まる。

この際、環状凸部１３０の頂点部１３４と、凹部２０５との間の距離は、上金型２１０と下金型２１１との離間距離よりも小さくなっている。

図４は、上金型２１０と下金型２１１とが互いに当接して、キャビティー２０１が規定されたときにおける環状凸部１３０およびその近傍の状態を示す断面図である。

この図４に示すように、上金型２１０と下金型２１１とが当接すると、上金型２１０の上面２２４が、環状凸部１３０の頂点部１３４と当接し、上金型２１０と環状凸部１３０とが圧着する。この図４に示す例においては、環状凸部１３０の頂点部１３４は、上面２２４によって押圧されることで、塑性変形している。ここで、枠体１１０の材料として、熱可塑性樹脂を用いることで、上記のような塑性変形が可能となっており、環状凸部１３０の頂点部の変形により、上金型２１０との密着が確実に得られる。

これにより、上金型２１０の上面２２４の平面度が数μｍ〜数百μｍ程度であったとしても、環状凸部１３０が変形することで、環状凸部１３０の全周の上端部と、上金型２１０の上面２２４とが隙間なく密着（圧着）する。さらに、環状凸部２２５の傾斜面２２６と、環状凸部１３０の外側面１３３とが密着する。

また、枠体１１０の軸方向端面１２３に形成された環状凸部１３１も、下金型２１１の底面２０９と当接して、変形する。これにより、下金型２１１の底面２０９の平面度が、数μｍ以上〜数百μｍ程度であったとしても、環状凸部１３１の頂点部１３４が塑性変形することで、環状凸部１３１の全周に亘って、環状凸部１３１の上端部と底面２０９とが密着する。ここで、枠体１１０の材料として、熱可塑性樹脂を用いることで、上記のような塑性変形が可能となっており、環状凸部１３１の頂点部の変形により、下金型２１１との密着が確実に得られ、さらに、下金型２１１の内側面２０７と、環状凸部１３１の外周面とが密着する。

このように、樹脂をキャビティー２０１内に充填する前に、予め、上金型２１０と下金型２１１とが枠体１１０の外周縁部を挟持して、上金型２１０が枠体１１０の軸方向端面１２２を塑性変形させると共に、下金型２１１が枠体１１０の軸方向端面１２３を塑性変形させる。そして、軸方向端面１２２と上金型２１０とを、軸方向端面１２２の周方向の全周に亘って密着させると共に、軸方向端面１２３と下金型２１１とを、軸方向端面１２３の周方向の全周に亘って密着させる。

その後、キャビティー２０１内に樹脂を供給する。樹脂が充填される際には、金型２００は、たとえば、１８０度程度にまで昇温し、樹脂タブレット２２３が融解する。そして、プランジャ２２２が樹脂タブレット２２３を押圧して、融解した樹脂が、ランナ２２１を通って、上金型２１０、下金型２１１、および枠体１１０によって規定された空間内に充填される。そして、この樹脂が硬化することで、モールド樹脂部１１１が形成され、半導体装置１００が製造される。

樹脂タブレット２２３としては、たとえば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が採用される。なお、枠体１１０は、樹脂タブレット２２３が熱硬化する温度よりも、融解温度が高い熱可塑性樹脂から形成されている。これにより、樹脂が充填される際に、枠体１１０が融解することを抑制することができる。なお、通常の熱硬化性樹脂の反応硬化温度は、１８０℃とされている。

ここで、上金型２１０と下金型２１１と枠体１１０とによって規定された空間内に樹脂が充填される際、上金型２１０と環状凸部１３０とが環状凸部１３０の全周に亘って密着すると共に、下金型２１１と環状凸部１３１とが環状凸部１３１の全周に亘って密着しているため、充填された樹脂が、上金型２１０と枠体１１０との間および下金型２１１と枠体１１０との間から染み出すことを抑制することができる。

さらに、環状凸部１３０の外側面１３３と、環状凸部２２５の傾斜面２２６とが密着すると共に、環状凸部１３１の外側面と、下金型２１１の内側面２０７とが見密着することで、さらに、樹脂の染み出しを抑制することができる。

その上、環状凸部１３０の外側面１３３と環状凸部２２５の傾斜面２２６とが密着することで、樹脂が環状凸部１３０より外側に達するするまでの経路長が長くなり、樹脂が環状凸部１３０より外側に達することを抑制することができる。また、環状凸部１３１の外側面と、内側面２０７とが密着することで、キャビティー２０１内の樹脂が環状凸部１３１より外側に達するまでの経路長が長くなり、樹脂が環状凸部１３１より外側に染み出すことを抑制することができる。

このように、樹脂の染み出しを抑制することができるので、上記の配線１１２や配線１１３のうち、枠体１１０の軸方向端面１２２から突出する部分に、樹脂が付着することを抑制することができる。さらに、染み出した樹脂が硬化して、バリが形成されることを抑制することができる。

枠体１１０の軸方向端面１２２の塑性変形部位が環状となるように、上金型２１０を枠体１１０に圧着すると共に、枠体１１０の軸方向端面１２３の塑性変形部位が環状となるように、下金型２１１を枠体１１０に圧着させることで、金型２００の上面２２４および凹部２０６の平面度が数百μｍ程度であったとしても、樹脂を充填する工程において、樹脂の染み出しを抑制することができる。

このため、平面度の優れた金型２００を用いる必要がなく、金型２００の製造コストおよび金型２００を成形する際の成形時間の短縮を図ることができる。

ここで、半導体装置の製造方法としては、チップを搭載する基板となる部分と、リードとなる部分と、環状の枠部を備えたフレームを準備する工程と、環状の枠部を上金型と下金型とのパーティング面内に配置する工程と、上金型と下金型とで枠部を挟みこんだ後、樹脂を充填する工程と、フレームの枠体部分を除去する工程とを備えた製造方法が考えられる（比較例の製造方法）。

この比較例の製造方法においては、フレームの枠体は、樹脂の漏れ出しを抑制するために、金型で挟持する部分として必要である一方で、その後、除去廃棄される部分であり、結果として、使用率は、原材料である圧延ロール材の５０％程度である。これに対して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、枠体１１０に搭載した後、配線１１２、１１３の一部を廃棄する必要がなく、原材料である圧延ロール材の８０％以上の使用効率を図ることができる。さらに、配線１１２および配線１１３を異なる厚みの配線を選択することができる。

（実施の形態２）
図５から図８を用いて、本発明の実施の形態２に係る半導体装置および半導体装置の製造方法について説明する。なお、上記図１から図４に示された構成と同一の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。

図５は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置１００の断面図である。この図５に示すように、半導体装置１００は、環状に形成された枠体１１０と、この枠体１１０内に充填されたモールド樹脂部１１１と、モールド樹脂部１１１内に埋設されたパワーチップ１１７とを備えている。

枠体１１０は、環状に形成された外側枠体１１８と、この外側枠体１１８の内周面から突出する環状の突出部１４２とを備えている。

このため、枠体１１０の軸方向端面１２２は、突出部１４２の内径端面１２４と、外側枠体１１８の外径端面１２５とによって規定されており、枠体１１０の軸方向端面１２３は、突出部１４２の内径端面１２６と、外側枠体１１８の外径端面１２７とによって規定されている。

突出部１４２は、内径端面１２４のうち、突出部１４２の内周縁部と外側枠体１１８との間に位置する部分に、周方向に延びる環状の溝部１４４を含む。さらに、突出部１４２は、内径端面１２６のうち、突出部１４２の内周縁部と、外側枠体１１８との間に位置する部分に、周方向に延びる環状の溝部１４３を含む。このため、突出部１４２は、外側枠体１１８の内周面から突出する基部１４１と、溝部１４４および溝部１４３を介して、基部１４１の内周側に位置する張出部１４０とを備えている。

そして、モールド樹脂部１１１は、張出部１４０の軸方向の両端面上にまで張り出しており、モールド樹脂部１１１と枠体１１０とが互いに係合している。そして、モールド樹脂部１１１の外周面には、環状に延びる環状凹部１２１が形成されており、この環状凹部１２１内に張出部１４０が嵌め込まれている。

ここで、図６から図８を用いて、本発明の実施の形態２に係る半導体装置１００の製造方法について説明する。

図６は、本実施の形態２に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。この図６に示すように、モールド樹脂が形成されていないユニット１６１を金型２００内に配置する。

ユニット１６１は、外側枠体１１８および突出部１４２を含む環状の枠体１１０と、枠体１１０の軸方向端面１２２から引き出された配線１１２および配線１１３と、枠体１１０内に配置されたパワーチップ１１７とを備えている。

配線１１２は、枠体１１０の内周面から引き出されており、配線１１３の枠体１１０内の端部には、平坦面状の電極１５０が連設されており、この電極１５０の上面上に半田１１６を介してパワーチップ１１７が搭載されている。

そして、配線１１２のうち、枠体１１０内の端部には、平板状の電極１５１が連設されており、電極１５１とパワーチップ１１７とは、ボンディングワイヤー１２０によって接続されている。

金型２００は、下金型２１１と、上金型２１０とを含む。下金型２１１には、環状に延びる挿入部２３６が形成されている。下金型２１１の上面のうち、挿入部２３６に対して外周側には、枠体１１０の軸方向端面１２３を支持すると共に、上金型２１０の底面を支持するパーティング面として機能する平坦部２３８が形成されている。

挿入部２３６は、下金型２１１の上面から上方に向けて突出すると共に、枠体１１０の突出部１４２を支持可能な基部２３５と、この基部２３５から上方に向けて突出する突起部２３４とを備えている。基部２３５および突起部２３４は、いずれも、環状に延びている。

上金型２１０の表面のうち、キャビティー２０１を規定する凹部２０５の底部には、環状に延びる挿入部２３３が形成されている。凹部２０５の内周面うち、挿入部２３３の外側には、配線１１２を受け入れ可能な配線受入部２０２と、配線１１３を受け入れ可能な配線受入部２０４とが形成されている。

図７は、金型２００内にユニット１６１を収容したときにおける挿入部２３３およびその近傍の状態を示す断面図である。なお、この図７に示す状態においては、上金型２１０と下金型２１１とは、僅かに離間している。

図８は、上金型２１０と下金型２１１とが互いに当接して、キャビティー２０１が規定されたときにおける挿入部２３３およびその近傍の状態を示す断面図である。

これら、図７および図８に示すように、上金型２１０と下金型２１１とが互いに近接するにつれて、挿入部２３３の突起部２３１が、突出部１４２に近接する。

そして、上金型２１０と下金型２１１とが互いに当接する際には、図８に示すように、突起部２３１は、突出部１４２の内径端面１２６と当接し、さらに、突出部１４２内に入り込む。これにより、内径端面１２６上に、環状の溝部１４４が形成される。

このように、突起部２３１は突出部１４２を塑性変形させて、突起部２３１が突出部１４２内に入り込み、突出部１４２と溝部１４４の内表面とが密着または圧着する。なお、突起部２３１および溝部１４４はいずれも、環状に形成されており、互いの密着部も環状に延びている。

また、挿入部２３６の突起部２３４も同様に、突出部１４２内に入り込み、環状の溝部１４３を形成する。これにより、突起部２３４と溝部１４３の内表面とが互いに密着および圧着する。

このように、突起部２３１および突起部２３４を突出部１４２内に挿入した後、キャビティー２０１内に樹脂を充填する。ここで、突起部２３１および突起部２３４が、溝部１４４および溝部１４３の内表面と密着しているので、充填された樹脂が、突起部２３１と溝部１４４との間および突起部２３４と溝部１４３との間を通って、配線受入部２０２および配線受入部２０４内に入り込むことを抑制することができる。さらに、キャビティー２０１内の樹脂が、配線受入部２０４または配線受入部２０２内に達するには、溝部１４４の内表面および突起部２３１の間と、外側枠体１１８の内周面および基部２３０の外周面の間を通る必要があり、樹脂の染み出し経路が長くなっている。

これにより、配線１１２および配線１１３のうち、枠体１１０の軸方向端面１２２から引き出された部分に、樹脂が付着することを抑制することができる。さらに、樹脂が染み出すことで形成されれるバリの発生を抑制することができる。

（実施の形態３）
図９を用いて、本実施の形態３に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、図９において、上記図１から図８に示された構成と同一の構成については、同一の符号を付してその説明の省略する場合がある。

図９は、ユニットをキャビティー２０１内に収容したときにおいて、キャビティー２０１、ランナ２２１およびポット２２０の近傍の構成を示す断面図である。なお、この図９においては、上金型２１０と下金型２１１とは、互いに当接しており、キャビティー２０１が規定されている。

上金型２１０は、環状に延びる突起部２６０が形成されており、上金型２１０と下金型２１１とが当接することで、枠体１１０の軸方向端面１２２に、突起部２６０が入り込み、環状の環状溝部２６１が形成されている。また、同様に、下金型２１１にも、ランナ２２１の開口部２５５が位置する部分を除いて、環状に延びる突起部が形成されており、
枠体１１０の軸方向端面１２３内に入り込んでいる。

このため、上金型２１０と枠体１１０とが互いに密着する密着部は、軸方向端面１２２上において、環状に延びており、下金型２１１と枠体１１０とが互いに密着する密着部も、軸方向端面１２３上において、環状に延びている。そして、枠体１１０に形成された切欠部２５０と、ランナ２２１のうち、キャビティー２０１側の端部とによってゲート部２６５が形成されている。

図１０は、ゲート部２６５およびその近傍の構成を示す断面図である。この図１０に示すように、ゲート部２６５は、枠体１１０に形成された切欠部２５０と、ランナ２２１を規定する下金型２１１の内表面とによって規定されている。

切欠部２５０は、軸方向端面１２３のうち、枠体１１０の外周縁部と内周縁部との間に位置する部分から枠体１１０の内周縁部に亘って延びている。そして、切欠部２５０の内表面は、枠体１１０の内周縁部側から外周縁部側に向かうにしたがって、枠体１１０の軸方向端面１２２側に向かうように湾曲している。これにより、切欠部２５０のうち、外周縁部側には、凹部２５２が形成されている。そして、凹部２５２から枠体１１０の内周縁部に向かうにしたがって、下金型２１１に向けて近接するように傾斜するテーパ部２６７が形成されている。

ここで、ゲート部２６５は、切欠部２５０の凹部２５２、テーパ部２６７、ランナ２２１の底部２６２およびテーパ面２６３によって規定された膨張部２６８と、この膨張部２６８に連通し、膨張部２６８に対して、軸方向端面１２３の内周縁部側に形成された吐出口２５１とを含む。膨張部２６８の高さ（軸方向端面１２３から軸方向端面１２２に向かう方向の長さ）は、吐出口２５１の高さよりも高く、膨張部２６８における樹脂の流通面積は、吐出口２５１における樹脂の流通面積よりも大きくなっている。

ここで、ゲート部２６５、膨張部２６８および吐出口２５１における樹脂の流通面積とは、ゲート部２６５、膨張部２６８および吐出口２５１のそれぞれの延在方向に対して垂直な断面における断面積とする。

そして、トランスファモールド成形法により、樹脂をキャビティー２０１内に供給する際、樹脂は、ランナ２２１内を流れ、ゲート部２６５に達する。ゲート部２６５における樹脂の流通面積は、ランナ２２１における樹脂の流通面積よりも大きいため、樹脂の流通速度は、一旦遅くなる。

これにより、樹脂の運動エネルギーは、小さくなり、樹脂の温度が高くなることが抑制されている。このため、キャビティー２０１内に供給される前においては、樹脂の温度が高くなることが抑制されており、樹脂が熱硬化することが抑制されている。

その後、吐出口２５１内を樹脂が流れる際には、樹脂の流通面積がゲート部２６５よりも小さいため、吐出口２５１を通る樹脂の流通速度は速くなり、樹脂の運動エネルギーが大きくなる。この結果、キャビティー２０１内における樹脂の温度を高めることができ、キャビティー２０１内において、樹脂が熱硬化することを促進させることができる。

ここで、ゲート部２６５を規定する切欠部２５０は、枠体１１０によって形成されており、枠体１１０は、キャビティー２０１内に樹脂を充填する度に異なる枠体１１０が配置される。このため、樹脂を充填する度に、新たな枠体１１０によって規定されたゲート部２６５によって樹脂を充填することができ、キャビティー２０１内における樹脂の熱硬化の促進効果を得ることができる。

たとえば、上金型２１０および下金型２１１によって、ゲート部２６５が規定された場合においては、樹脂の充填を繰り返す度に、上金型２１０が磨耗していくが、本実施の形態においては、このような上金型２１０の磨耗が問題とならない。

さらに、樹脂が、ゲート部２６５内を流通する際、樹脂は、ゲート部２６５を規定する枠体１１０の表面を押圧する。これにより、枠体１１０は上金型２１０の内表面に密着し、枠体１１０と上金型２１０との間の密着性が上昇する。

これに伴い、キャビティー２０１内に充填された樹脂が上金型２１０と枠体１１０との間に入り込むことを抑制することができる。特に、枠体１１０は、図１０中の矢印Ａ方向に向けて押圧されるため、枠体１１０の外周面と枠体１１０の内周面との間に樹脂が入り込むことを抑制することができる。これにより、樹脂のバリが生じることを抑制することができる。さらに、枠体１１０の軸方向端面１２２から突出する配線の表面に樹脂が付着することを抑制することができる。

（実施の形態４）
図１１および図１２を用いて、本実施の形態４に係る半導体装置について説明する。なお、図１１および図１２に示す構成において、上記図１から図１０に示された構成と同一の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。

図１１は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。この図１１に示されるように、パワーチップ１１７の上面には、電極１５１が半田１１９を介して接続されており、電極１５１は、配線１１２に連設されている。パワーチップ１１７の下面には、半田１１６を介して、電極１５０が接続されており、電極１５０は、配線１１３に連設されている。

ここで、この半導体装置１００を製造する過程において、まず、配線１１２と配線１１３と枠体１１０とをインジェクション成形法によって一体成形する。この際、配線１１２と配線１１３とは、それぞれ厚みの異なる配線を採用することができる。

たとえば、電極１５０は、パワーチップ１１７からの熱を良好に吸熱すると共に、モールド樹脂部１１１に放熱するために、所定の厚みを有する金属板を採用する。その一方で、電極１５１においては、パワーチップ１１７の上面に半田付けする際に必要な剛性を有する金属板を採用すればよく、電極１５１の厚みを電極１５０の厚みよりも薄くすることができる。

電極１５０の上面上にパワーチップ１１７を搭載する際には、配線１１２の端部に連設された電極１５１は、たとえば、配線１１２の端部から軸方向端面１２２に向けて屈曲するように曲げられている。そして、電極１５０の上面上に、パワーチップ１１７を搭載する。その後、電極１５１をパワーチップ１１７の上面上に沿うように屈曲させて、半田１１９で接続する。

ここで、電極１５１の厚みを薄くすることで、パワーチップ１１７の上面上に位置する電極１５１から、パワーチップ１１７の下面に位置する電極１５０までの距離を小さくすることができ、半導体装置１００の厚みを薄くすることができる。

なお、この図１１に示す例においても、上記実施の形態１に係る半導体装置と同様に、枠体１１０の軸方向端面１２２および軸方向端面１２３には、環状凸部１３０および環状凸部１３１が形成されている。このため、モールド樹脂部１１１を形成する工程において、樹脂が枠体１１０から突出する配線１１２や配線１１３に付着することを抑制することができる。

なお、図１２は、図１１に示された半導体装置の変形例を示す断面図である。この図１２に示す例においても、パワーチップ１１７の上面上に半田１１９を介して、電極１５１が接続されており、パワーチップ１１７の下面に、半田１１６を介して電極１５０が接続されている。この図１２に示す例においても、図１１に示す例と同様に、配線１１２の厚みは、配線１１３よりも薄く形成されている。このため、パワーチップ１１７の上面上に位置する電極１５１から、パワーチップ１１７下に位置する電極１５０との間の距離を小さくすることができ、半導体装置１００の薄型化を図ることができる。

（実施の形態５）
図１３から図１６を用いて、本発明の実施の形態５に係る半導体装置３００およびその製造方法について説明する。

図１３は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置３００の斜視図である。この図１３に示すように、半導体装置３００は、枠体３１０と、枠体３１０内に充填されたモールド樹脂３１１と、枠体３１０の上面から突出する配線３１２と、枠体３１０に形成された台部３７０の上面に沿って屈曲する配線３１３Ａ〜３１３Ｃとを備えている。

図１４は、半導体装置３００の断面図である。この図１４に示すように、半導体装置３００は、筒状の枠体３１０と、この枠体３１０内に充填されたモールド樹脂３１１と、半導体装置３００の下面３３２側に配置された絶縁板３３０と、この絶縁板３３０の上面上に配置された電極３１４とを備えている。

さらに、半導体装置３００は、電極３１４の上面上に間隔を隔てて搭載されたパワーチップ３１７およびパワーチップ３１８と、パワーチップ３１７およびパワーチップ３１８の上面上に配置され、半田３８０および半田３８１を介して、パワーチップ３１７およびパワーチップ３１８に接続された電極３１５Ａと、パワーチップ３１７にボンディングワイヤー３２０を介して接続された配線３１６Ａとを備えている。

配線３１６Ａは、枠体３１０の内周面から枠体３１０内に引き出されると共に、枠体３１０側の端部に設けられたワイヤボンド用電極３３３を備えている。配線３１６Ａは、枠体３１０内を通って、枠体３１０の上面３３１側の端面から引き出されている。そして、配線３１６Ａのうち、枠体３１０から突出する部分に、図示されない外部配線が接続される。

配線３１３Ａは、台部３７０の上面に沿うよう延びる上部配線３３４と、上部配線３３４の端部に連設され台部３７０内を通り、台部３７０の下面に達する内部配線３３５とを含む。そして、内部配線３３５の端部には、電極３１５Ａが連設されている。

ここで、配線３１３Ａのうち、台部３７０上に位置する上部配線３３４は、台部３７０内に埋設されたナットのネジ穴に対応する部分に貫通孔が形成されている。そして、配線３１３Ａは、図示されない外部配線と共に、図示されないボルト等の締結部材によって固定されている。

配線３１３Ａと外部配線との接続位置は、半導体装置１００の上面３３１上に位置しており、さらに、配線３１６Ａと外部配線との接続位置も、枠体３１０の上方に位置している。このように、各配線３１３Ａ，３１６Ａが枠体３１０に対して、枠体３１０の周面から張り出すように延びておらず、さらに、半導体装置１００の上面３３１に外部配線を配置することができ、半導体装置１００のコンパクト化が図られている。

電極３１５Ａのうち、パワーチップ３１８の上方に位置する部分には、貫通孔３５１Ａが形成されており、パワーチップ３１７の上方に位置する部分にも、貫通孔３５２Ａが形成されている。

半田３８０は、貫通孔３５２Ａ内に充填されると共に、電極３１５Ａからパワーチップ３１７上に達している。半田３８１は、貫通孔３５１Ａ内に充填されると共に、電極３１５Ａからパワーチップ３１８に達している。

図１５は、モールド樹脂３１１を充填する前の状態におけるユニット３００Ａの斜視図である。さらに、図１６は、モールド樹脂３１１を充填する前における配線３１３Ａ〜３１３Ｃ、電極３１５Ａ〜３１５Ｃ、電極３１４，３２４および配線３１６Ａ，３１６Ｂ等を示す斜視図である。

ここで、図１５および図１６に示すユニット３００Ａを構成するには、まず、電極３１４上に、パワーチップ３１７およびパワーチップ３１８を間隔を隔てて配置すると共に、パワーチップ３２７上に、パワーチップ３２８およびパワーチップ３２７を間隔を隔てて搭載する。

その一方で、配線３１３Ａ〜３１３Ｃおよび配線３１６Ａ，３１６Ｂがはめ込まれた枠体３１０を形成する。ここで、配線３１３Ａは、パワーチップ３１８およびパワーチップ３１７上に配置された電極３１５Ａとを含む。配線３１３Ｂは、電極３１４上に位置する接続部３２９Ｂと、パワーチップ３２８およびパワーチップ３２７上に位置する電極３１５Ｂとを含む。配線３１３Ｃは、電極３２４上に延びる接続部３２９Ｃを含む。

そして、パワーチップ３１７〜パワーチップ３１８が搭載された電極３１４，３２４上に、配線３１３Ａ〜３１３Ｃおよび配線３１６Ａ，３１６Ｂがはめ込まれた枠体３１０を配置する。

電極３１５Ａに形成された貫通孔３５１Ａ，３５２Ａから半田を充填して、電極３１５Ａと、パワーチップ３１８，３１７を接続する。さらに、接続部３２９Ｂに形成された貫通孔３５３Ｂ内に半田を充填して、配線３１３Ｂと電極３１４とを接続し、また、接続部３２９Ｃの貫通孔３５３内に半田を充填して、電極３２４と配線３１３Ｃとを接続する。

さらに、電極３１５Ｂに形成された貫通孔３５１Ｂ，３５２Ｂに半田を充填して、電極３１５Ｂとパワーチップ３２７，３２８とを接続する。配線３１６Ａ，３１６Ｂと、パワーチップ３１７，３２７をボンディングワイヤー３２０で接続する。

このようにして、ユニット３００Ａを構成する。その後、枠体３１０内にモールド樹脂３１１を充填する。

ここで、図１５に示すように、モールド樹脂３１１を充填する前には、枠体３１０の上面上には、枠体３１０の開口部３７６の開口縁部に沿って延びる環状突起部３７５が形成されている。さらに、枠体３１０の下面にも、枠体３１０の下面側の開口部に沿って延びる環状突起部が形成されている。配線３１３Ａ〜３１３Ｃおよび配線３１６Ａ，３１６Ｂは、枠体３１０の上面から上方に突出するように延びており、環状突起部３７５に対して、枠体３１０の外周面側に位置している。

そして、枠体３１０内にモールド樹脂３１１を充填する際、ユニット１００Ａを金型のキャビティー内に配置する。上金型には、配線３１３Ａ〜３１３Ｃを受け入れ可能な凹部と、配線３１６Ａ，３１６Ｂを受け入れ可能な凹部とが形成されており、配線３１３Ａ〜３１３Ｃおよび配線３１６Ａ，３１６Ｂが各凹部内に収容される。

そして、枠体３１０の環状突起部３７５は、上金型によって押圧され塑性変形する。ここで、上金型は、環状突起部３７５の全周に亘って密着し、枠体３１０と上金型との密着部は、開口部３７６の周囲に沿って環状に亘って延びる。さらに、ユニット１００Ａがキャビティー内に配置された後、枠体３１０の下面側に形成された環状突起部は、下金型によって押圧され、塑性変形する。ここで、下金型は、環状突起部の全周に亘って圧着し、下金型と枠体３１０との圧着部は、枠体３１０の下面側に位置する開口部に沿って環状に延びる。

このように、上金型および下金型が、枠体３１０が挟持して、上金型および下金型と、枠体３１０とを密着させた状態で、モールド樹脂を枠体３１０内に充填する。これにより、枠体３１０、上金型および下金型によって規定される充填空間から樹脂が染み出すことを抑制することができる。これにより、配線３１６Ａ，３１６Ｂおよび配線３１３Ａ〜３１３Ｃのうち、枠体３１０の上面から突出する部分に樹脂が付着することを抑制することができる。さらに、樹脂が染み出すことにより形成されるバリの発生を抑制することができる。さらに、パワーチップ３１７およびパワーチップ３２７の厚みを、電極３１４および電極３２４の厚みよりも薄くすることで、半導体装置３００の厚みを薄くすることができる。

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に好適である。

本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。 半導体装置の製造工程を示す断面図である。 金型内にユニットを収容したときにおける環状凸部およびその近傍の状態を示す断面図である。 上金型と下金型とが互いに当接して、キャビティーが規定されたときにおける環状凸部およびその近傍の状態を示す断面図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。 本実施の形態２に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。 金型内にユニットを収容したときにおける挿入部およびその近傍の状態を示す断面図である。 上金型と下金型とが互いに当接して、キャビティーが規定されたときにおける挿入部およびその近傍の状態を示す断面図である。 ユニットをキャビティー内に収容したときにおいて、キャビティー、ランナおよびポットの近傍の構成を示す断面図である。 ゲート部およびその近傍の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。 図１１に示された半導体装置の変形例を示す断面図である。 本発明の実施の形態５に係る半導体装置の斜視図である。 半導体装置の断面図である。 モールド樹脂を充填する前の状態におけるユニットの斜視図である。 モールド樹脂を充填する前における配線、電極、電極および配線等を示す斜視図である。

符号の説明

１００，３００ 半導体装置、１１０ 枠体、１１１ モールド樹脂部、１１２，１１３ 配線、１１４，１１５ 引出部、１１７ パワーチップ、１３０，１３１ 環状凸部、１３８，１３９ 係合部、１４０ 張出部、１４１ 基部、１４２ 突出部、２００ 金型、２０１ キャビティー、２０２，２０４ 配線受入部、２０３ 枠体収容部、２１０ 上金型、２１１ 下金型、２２０ ポット、２２１ ランナ、２２２ プランジャ、２２３ 樹脂タブレット。

Claims (8)

1. 環状の枠体と、前記枠体の内周面から張り出す配線と、前記枠体内に位置し、前記配線が接続された素子とを準備する工程と、
   前記枠体の一方の軸方向端面によって規定される開口部を閉塞すると共に、前記配線および前記素子を覆うように第１金型を配置する工程と、
   前記枠体の他方の軸方向端面によって規定される開口部を閉塞すると共に、前記配線および前記素子を覆うように第２金型を配置する工程と、
   前記第１および第２金型が前記枠体を挟持して、前記第１金型を前記一方の軸方向端面に圧着させて、前記第１軸方向端面を変形させると共に、前記第２金型を前記他方の軸方向端面に圧着させて、前記第２軸方向端面を変形させる工程と、
   前記第１および第２金型と、前記枠体とによって規定される内部空間内に樹脂を充填して、前記内部空間内に位置する前記配線および前記素子上を覆う樹脂部を形成する工程と、
   を備えた、半導体装置の製造方法。
2. 前記配線は、前記一方の軸方向端面上の引出部から引き出され、
   前記第１および第２金型が前記枠体を挟持する工程において、前記第１金型が前記一方の軸方向端面のうち、前記配線の引出部よりも内側に位置する部分を変形させる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記枠体は、前記一方の軸方向端面のうち、該一方の軸方向端面の内周縁部と前記引出部との間に位置する部分に形成された環状の第１突起部と、前記他方の軸方向端面に形成された環状の第２突起部とを含み、
   前記第１および第２金型が前記枠体を挟持する工程において、前記第１金型が前記第１突起部を全周に亘ってを変形させ、前記第２金型が前記第２突起部を全周に亘って変形させる、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１金型は、環状に延びる第１環状凸部を含み、前記第２金型は、環状に延びる第２環状凸部とを含み、
   前記第１および第２金型が前記枠体を挟持する工程において、前記第１環状凸部が、前記枠体の前記一方の軸方向端面のうち、該一方の軸方向端面の内周縁部と前記引出部との間に位置する部分を変形して、第１溝部を形成すると共に、前記第２環状凸部が、前記枠体の前記他方の軸方向端面を変形して、第２溝部を形成する、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第２金型に、前記樹脂が吐出する吐出口が形成され、
   前記枠体には、前記他方の軸方向端面のうち、前記他の軸方向端面の外周縁部より内周縁部側に位置する部分から該内周縁部に達する切欠部が形成され、
   前記切欠部を規定する前記枠体の内周面のうち、前記内周縁部よりも外周縁部側に位置する部分は、前記内周縁部に位置する部分よりも前記一方の端部に近接するように凹まされ、
   前記切欠部が前記吐出口に位置するように、前記枠体を前記第２金型に配置して、ゲート部を規定する工程をさらに備える、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記枠体は、熱可塑性樹脂から形成され、前記樹脂部は、熱硬化性樹脂から形成された、請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 環状の枠体と、
   前記枠体内に充填された樹脂部と、
   前記樹脂部内に埋設された素子と、
   前記枠体の内周面から引き出され、前記枠体の一方の軸方向端面の引き出し部から引き出された配線と、
   を備え、
   前記樹脂部は、前記枠体の前記一方の軸方向端面のうち、前記配線より内周縁部側に位置する部分の一部を覆い、前記引出部よりも前記枠体の内周側に位置する部分と係合する前記配線第１係合部と、前記枠体の他方の軸方向端面の一部を覆う第２係合部とを含む、半導体装置。
8. 前記配線は、前記端子に接続された第１配線と、前記素子に接続され、前記第１配線より厚さが薄い第２配線とを含み、前記第１配線と前記第２配線との少なくとも一部が、前記枠体の一方の軸方向端面から他方の軸方向端面に向かう方向に互いに重なり合う、請求項７に記載の半導体装置。

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