JP2009168832A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スペーサ粒子を所望の箇所に配置する。
【解決手段】液晶表示装置は、平行に重ねられるＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０と、両基板１０，２０を所定の間隔に保持するスペーサ粒子３１と、両基板１０，２０同士の間に封入された液晶３２とを備えている。ＴＦＴ基板１０におけるＣＦ基板２０との対向面には、スペーサ粒子３１を配置すべき配置領域１７を全周に亘って包囲する突部１８が形成されているので、インクに含有させた状態で配置領域１７内に塗着されたスペーサ粒子３１は、配置領域１７の外へ移動することがなく、スペーサ粒子３１は、確実に配置領域１７内に配置される。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特にスペーサ粒子によって透明基板同士の間隔を保持する液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。

液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたガラス製の透明基板と、ＲＧＢ画素が分布されてカラーフィルターを構成するガラス製の透明基板との間に液晶を挟持してなるものである。このような液晶パネルにおいて、液晶層の厚みいわゆるセルギャップは、液晶パネルの表示むら等を防ぐためにもその値が均一であることが要求される。そして、このセルギャップを均一にする手段として、例えば特許文献１に記載のもののように、球状のスペーサ粒子を透明基板の間に配してその間隔を透明基板の全面に亘って均一に保持する構成のものが製造されている。
特開２００５−１０４１２公報

しかしながら、このような球状のスペーサ粒子が、液晶表示装置の表示領域に混入してしまうと、表示領域の液晶分子の配列が乱れて表示品質に支障をきたす怖れがある。このため、できる限り画像表示に関与しない遮光領域内におさまるように配設することが望まれるが、球状のスペーサ粒子を遮光領域等の所望の箇所に配設することは困難であった。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、スペーサ粒子を所望の箇所に配置した液晶表示装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、平行に重ねられる一対の透明基板と、前記一対の透明基板を所定の間隔に保持するスペーサ粒子と、前記一対の透明基板同士の間に封入された液晶とを備えた液晶表示装置であって、前記一対の透明基板のうち少なくとも一方の透明基板における相手側の透明基板との対向面には、前記スペーサ粒子を配置すべき配置領域を概ね全周に亘って包囲する突部が形成されているところに特徴を有する。

請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、前記突部が概ね方形の枠状をなしているところに特徴を有する。

請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載のものにおいて、前記突部が、前記配置領域を全周に亘って連続して包囲する枠状をなしているところに特徴を有する。

請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のものにおいて、前記配置領域と前記突部が、駆動素子に接続される帯状の電極線上に設けられているところに特徴を有する。

請求項５の発明は、請求項４に記載のものにおいて、前記突部が、前記電極線の長さ方向と平行な一対のリブと、前記電極線の幅方向と平行な一対のリブとによって構成されているところに特徴を有する。

請求項６の発明は、請求項４又は請求項５に記載のものにおいて、前記電極線がゲート電極線であり、前記突部が、前記ゲート電極線に対してその表面側に重なるように交差するソース電極線と同種材料によって構成されているところに特徴を有する。

請求項７の発明は、請求項１ないし請求項３に記載のものにおいて、一方の前記透明基板には、格子状の黒色遮光膜によって区画された複数の画素を配設した形態のカラーフィルターが形成され、前記配置領域と前記突部が、前記黒色遮光膜上に設けられているところに特徴を有する。

請求項８の発明は、請求項７に記載のものにおいて、前記画素の表面には、前記画素の表面に積層される配向膜を部分的に嵩上げして前記透明基板に対して傾いた斜面を形成する隆起部が形成されており、前記突部が、前記隆起部と同種材料のリブによって構成されているところに特徴を有する。

請求項９の発明は、請求項７又は請求項８に記載のものにおいて、前記突部の断面形状が、前記突部の表面をアーチ状に湾曲させることで前記配置領域に向かって下り勾配となったテーパ面を有する形状をなしているところに特徴を有する。

請求項１０の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のものにおいて、前記一対の透明基板のうち一方の透明基板上には、格子状の黒色遮光膜によって区画された複数の画素を配設した形態のカラーフィルターが形成され、前記配置領域と前記突出部が、他方の前記透明基板に前記画素を横切るように配置された電極線上に設けられているところに特徴を有する。

請求項１１の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のものにおいて、前記一対の透明基板のうちの一方の透明基板上には、補助容量に接続される補助容量電極線が形成され、前記配置領域と前記突部が前記補助容量電極線上に設けられているところに特徴を有する。

請求項１２の発明は、一対の透明基板のうち少なくとも一方の透明基板における相手側の透明基板との対向面に、スペーサ粒子を配置すべき配置領域を概ね全周に亘って包囲する突部を設け、前記一方の透明基板におれる前記突部で包囲された前記配置領域内に、インクとともに前記スペーサ粒子を塗布し、前記インクを蒸発させて、前記スペーサ粒子を前記配置領域に固着させ、前記一対の透明基板を、前記スペーサ粒子を挟むことにより所定の間隔を空けて重ね合わせ、前記重ね合わせた一対の透明基板の隙間に液晶を滴下または封入するところに特徴を有する。

＜請求項１、請求項２及び請求項１２の発明＞
本発明によれば、スペーサ粒子を配置すべき配置領域を、その概ね全周に亘って突部で包囲しているので、配置領域内のスペーサ粒子が配置領域の外へ移動することが防止される。
＜請求項３の発明＞
請求項３の発明によれば、突部が配置領域を全周に亘って連続して包囲しているので、配置領域内のスペーサ粒子が配置領域外へ外れる虞がない。
＜請求項４及び請求項５の発明＞
本発明によれば、駆動素子に接続された電極線を利用してスペーサ粒子を配置することができる。

＜請求項６の発明＞
請求項６の発明によれば、突部を構成するリブを、ソース電極線と同じ工程で形成することができる。
＜請求項７の発明＞
請求項７の発明によれば、複数の画素を区画する黒色遮光膜を利用してスペーサ粒子を配置することができる。
＜請求項８の発明＞
請求項８の発明によれば、突部を構成するリブを、隆起部と同じ工程で形成することができる。

＜請求項９の発明＞
請求項９の発明によれば、インクに含有させた状態でスペーサ粒子を塗着させたときに、一部のスペーサ粒子が突部の表面に載っても、そのスペーサ粒子は、突部の表面のアーチによって形成されるテーパ面により配置領域内に誘い込まれる。
＜請求項１０の発明＞
請求項１０の発明によれば、画素を横切るように配置された電極線を利用してスペーサ粒子を配置することができる。
＜請求項１１の発明＞
請求項１１の発明によれば、補助容量に接続される補助容量電極線を利用してスペーサ粒子を配置することができる。

＜実施形態１＞
以下、本発明を具体化した実施形態１を図１及び図２を参照して説明する。本実施形態１の液晶表示装置は、一対のガラス製の透明基板、即ちＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０を平行に重ね合わせ、両基板１０，２０の間にスペーサ粒子３１を介在させることによって両基板１０，２０の間隔（セルギャップ）を全面に亘って一定に保つようにするとともに、両基板１０，２０の隙間に液晶３２を滴下又は封入により充填した構造になる。

ＴＦＴ基板１０におけるＣＦ基板２０との対向面には、図１に示すように、複数のソース電極線１１が一定間隔で縦方向に配索されているとともに、複数のゲート電極線１２（本発明の構成要件である電極線）が一定間隔で横方向に配索されており、このソース電極線１１とゲート電極線１２とによって構成された多数（図１には１箇所のみ記載）の方形の格子枠の中には、夫々、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明な薄板状をなす略方形の表示電極１３が配置されている。また、各格子枠の角隅部には、夫々、ソース電極線１１とゲート電極線１２とに接続されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる駆動素子１４が設けられている。ゲート電極線１２はこの駆動素子１４に接続されている。尚、図２に示すように、ＴＦＴ基板１０の表面（ＣＦ基板２０との対向面）とゲート電極線１２の表面には絶縁膜１５が形成されており、表示電極１３はこの絶縁膜１５の表面に形成されている。さらに、表示電極１３の表面には配向膜１６が形成されている。

一方、ＣＦ基板２０におけるＴＦＴ基板１０との対向面には、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の三原色の多数の画素２２を縦横に整列して配設してなるカラーフィルター２１が設けられていると共に、隣接する画素２２同士の間及び画素２２の配設領域の周囲（ＣＦ基板２０の外周縁）に光の漏れを防止するために枠状に配置された黒色遮光膜２３（ブラック・マトリックス）が形成されている。この黒色遮光膜２３は画素２２を区画している。また、カラーフィルター２１と黒色遮光膜２３の表面（ＴＦＴ基板１０との対向面）にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明な薄板状をなす共通電極２４が形成され、共通電極２４の表面には配向膜２５が形成されている。

ＣＦ基板２０のうち黒色遮光膜２３が形成されている格子状の領域は、ＴＦＴ基板１０におけるソース電極線１１とゲート電極線１２の格子状の配線領域と対応しており、この黒色遮光膜２３による格子状の領域は、液晶表示装置の画像表示に関与しない遮光領域３０となっている。ソース電極線１１とゲート電極線１２は、いずれも、遮光領域３０内に配置されている。ＴＦＴ基板１０におけるＣＦ基板との対向面（表面）には、スペーサ粒子３１を配置するための配置領域１７が設けられている。この配置領域１７は、帯状に延びるゲート電極線１２上に位置しており、配置領域１７の平面形状は、４辺のうちの２辺がゲート電極線１２の長さ方向と平行な正方形をなしている。

また、ＴＦＴ基板の表面には、配置領域１７をその外周縁に沿い、且つ全周に亘って連続して包囲する形態の突部１８が形成されている。突部の平面形状は、配置領域と同じく正方形をなす。突部１８の４辺のうちゲート電極線１２と平行な２辺は、ゲート電極線１２の両側縁に沿うように配置されている。突部１８は、絶縁膜１５の表面に形成した平面形状が正方形をなすリブ１９（即ち、ゲート電極線１２の長さ方向と平行な一対のリブ１９と、ゲート電極線１２の幅方向と平行な（長さ方向と直角な）一対のリブ１９）を備えて構成されている。リブ１９の長さ方向と直角な横断面形状は、台形をなしている。本実施形態では、配置領域１７がゲート電極線１２上に配置されているとともに、ソース電極線１１がゲート電極線１２に対してその表面（絶縁膜１５の表面）に重なるように交差することに着目し、リブ１９をソース電極線１１と同種の材料によって形成している。つまり、リブ１９は、ソース電極線１１を形成する工程においてフォトリソグラフィ法によりソース電極線１１と同時に形成される。尚、リブ１９の外面（表面及び側面）は、配向膜１６によって覆われている。

このように突部１８によって囲まれた配置領域１７には複数のスペーサ粒子３１が配置される。つまり、本実施形態では、駆動素子１４に接続されたゲート電極線１２を利用してスペーサ粒子３１を配置している。このスペーサ粒子３１は、合成樹脂製の球体であり、その表面は粘着材（図示せず）でコーティングされている。
尚、ゲート電極線１２の幅寸法は２５〜６０μｍであり、ゲート電極線１２の幅寸法が２５μｍである場合、配置領域１７の１辺の長さは約２０μｍに設定することができる。また、スペーサ粒子３１の直径が約３μｍであり、突部１８の突出寸法（配置領域１７におけるスペーサ粒子３１が載置される面からの高さ寸法）は、約０．２μｍである。また、突部１８の横断面形状は、リブ１９と同じく上方へ向かって幅寸法が小さくなる台形をなすが、突部１８の上辺の幅寸法（配向膜１６を含む寸法）は約４．０μｍである。

液晶表示装置を製造する工程において、スペーサ粒子３１は、インク（図示せず）内に含有された状態でインクジェット装置（図示せず）から吐出されることによって配置領域１７の表面に塗着される。このとき、インクの１つの液滴には複数のスペーサ粒子３１が含まれるので、１つの配置領域１７内には複数のスペーサ粒子３１が塗着される。

塗着されたインクは、表面張力によって単一の液滴の状態を保ったまま次第に蒸発して乾燥が進むので、インクの液滴の径は次第に小さくなる。インクの液滴径が縮小するのに伴い、インク内に含有されている複数のスペーサ粒子３１が、配置領域の載置面上を移動しつつ互いに接近する。このとき、配置領域１７は全周に亘って突部１８により柵のように包囲されているので、配置領域１７内のスペーサ粒子３１が配置領域１７の外部へ移動することはない。そして、インクが完全に蒸発すると、スペーサ粒子３１は、その表面の粘着剤によって配置領域の載置面に固定される。

尚、配置領域１７に向けて塗着されたインクの液滴の一部が突部１８にかかり、スペーサ粒子３１が突部１８の上面に載り上がっても、載り上がったスペーサ粒子３１は、インクの液滴の縮小に伴い、配置領域１７内に位置するスペーサ粒子３１（即ち、突部１８に引っ掛かって配置領域１７外への移動を規制されているスペーサ粒子３１）に引き寄せられるので、最終的には配置領域１７内に配置されることになる。

このようにしてＴＦＴ基板１０の表面にスペーサ粒子３１が配置（固着）された後は、スペーサ粒子３１を挟むようにしてＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを重ね合わせ（貼り合わせ）る。すると、両基板１０，２０の隙間（セルギャップ）は、複数の配置領域１７に固定されているスペーサ粒子３１により両基板１０，２０の全領域に亘って一定に保たれ、ひいては、両基板１０，２０が高い精度で平行に保たれる。この後は、液晶滴下装置（図示せず）等を用いて、両基板１０，２０の隙間に液晶３２を滴下または封入する等の工程が行われることにより、液晶表示装置の製造が進められる。

上述のように本実施形態においては、スペーサ粒子３１を配置すべき配置領域１７を、その全周に亘って突部１８で包囲しているので、配置領域１７内に塗着されたスペーサ粒子３１が配置領域１７の外へ移動することが防止され、スペーサ粒子３１の位置決め精度が高くなる。
また、突部１８が配置領域１７を全周に亘って連続して包囲しているので、スペーサ粒子３１の配置領域１７外への移動を確実に防止することができる。
また、本実施形態では、突部１８を構成するリブ１９を、ソース電極線１１と同じ工程で形成することができるようになっている。

＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２を図３ないし図５を参照して説明する。
本実施形態２は、スペーサ粒子３１を、ＴＦＴ基板１０に代えてＣＦ基板２０のみに配置したものである。その他の構成については上記実施形態１と同じであるため、同じ構成については、同一符号を付し、構造、作用及び効果の説明は省略する。
尚、図４においては、ＣＦ基板２０の上側の面がＴＦＴ基板１０との対向面となっている。本実施形態２では、配置領域４０が、遮光領域３０内のうち黒色遮光膜２３と対応する領域（詳しくは、ソース電極線１１と対応する領域）に確保されており、平面形状は長方形をなしている。配置領域４０の表面は配向膜２５によって覆われており、スペーサ粒子３１は配向膜２５の表面に固着される。つまり、スペーサ粒子３１は、複数の画素２２を区画する黒色遮光膜２３を利用して配置されている。

配置領域４０は、そのほぼ全周に亘って突部４１によって包囲されている。突部４１は、配置領域４１の４辺に沿った４本のリブ４２ａ，４２ｂによって略長方形に構成されている。リブ４２ａ，４２ｂは、互いに非接触となっており、突部４１によって形成される長方形は、その四隅において途切れた形態となっている。この途切れた部分におけるリブ４２ａ，４２ｂ間の間隔は、スペーサ粒子３１の直径に比べて十分に小さい。リブ４２ａは、黒色遮光膜２３の長さ方向と平行をなし、リブ４２ｂは、黒色遮光膜２３の長さ方向と直角をなす。これらのリブ４２ａ，４２ｂの表面は配向膜２５で覆われている。

また、リブ４２ａ，４２ｂは、共通電極２４の表面（ＴＦＴ基板１０との対向面）に形成されているのであるが、この共通電極２４の表面における画素２３との対応領域（遮光領域３０の外部）には、ソース電極線１１をその長さ方向と直角に交差するとともに画素２２を横切るように延びる細長い隆起部４３が形成されている。この隆起部４３は、図５に示すように、横断面形状が弓形をなし、表面がアーチ状に湾曲した形状をなしている。この隆起部４３は、画素２３の表面（正確には、共通電極２４の表面）に重なるように形成される配向膜２５を部分的に嵩上げして、その嵩上げによりＣＦ基板２０に対して傾いた斜面４４を形成するために形成されている。配向膜２５上に配置されている液晶分子３２ａ，３２ｂのうち、隆起部４３と非対応の領域に配置されている液晶分子３２ａと、斜面４４上に配置されている液晶分子３２ｂとでは、配列の向きが異なるようになっている。

本実施形態では、リブ４２ａ，４２ｂを、隆起部４３と同種の合成樹脂材料によって形成している。つまり、リブ４２ａ，４２ｂは、隆起部４３を形成する工程においてフォトリソグラフィ法により隆起部４３と同時に形成される。そして、黒色遮光膜２３の長さ方向と直角なリブ４２ｂは、隆起部４３のうち黒色遮光膜２３を横切る領域を兼ねている。つまり、リブ４２ｂは隆起部４３の一部を構成している。また、リブ４２ａ，４２ｂの外面（表面及び側面）は、配向膜２５によって覆われている。また、リブ４２ｂの横断面形状は、隆起部４３と同じ形状であるが、リブ４２ａの横断面形状も、リブ４２ｂ及び隆起部４３と同じ形状をなしている。これにより、突部４１の各辺の横断面形状は、突部４１の表面がアーチ状に湾曲して配置領域４０に向かって下り勾配となるテーパ面４５を有する形状をなす。また、突部４１の突出寸法（配置領域４０におけるスペーサ粒子３１が載置される面からの高さ寸法）は、約１．０μｍであり、突部４１の幅寸法（配向膜１６を含む寸法）は約１０．０μｍである。

本実施形態２においては、突部４１を、隆起部４３と同種材料のリブ４２ａ，４２ｂによって構成しているので、リブ４２ａ，４２ｂを、隆起部４３と同じ工程で形成することができる。
また、インクに含有させた状態でスペーサ粒子３１をＣＦ基板２０に塗着させたときに、一部のスペーサ粒子３１が、図５に想像線で示すように突部４１の表面（リブ４２ａの上）に載ってしまうことが懸念される。しかし、本実施形態では、突部４１の断面形状が、突部４１の表面をアーチ状に湾曲させることで配置領域４０に向かって下り勾配となるテーパ面４５を有する形状をなしているので、突部４１に載り上がったスペーサ粒子３１は、テーパ面４５によって配置領域４０内に誘い込まれ、突部４１に載り上がったままになる虞がない。

＜実施形態３＞
次に、本発明を具体化した実施形態３を図６を参照して説明する。本実施形態３は、配置領域５０を上記実施形態１とは異なる位置に設けたものである。その他の構成については上記実施形態１と同じであるため、同じ構成については、同一符号を付し、構造、作用及び効果の説明は省略する。
上述したようにＣＦ基板２０には、格子状の黒色遮光膜２３（ブラック・マトリックス）によって複数の画素２２を区画することによりカラーフィルター２１が構成されているが、ＴＦＴ基板１０には、補助容量（蓄積容量又は付加容量）に接続される補助容量電極線５１が画素２２を横切るような配置で設けられており、この補助容量電極線５１と対応する領域も、遮光領域３０となっている。そして、この遮光領域３０内における補助容量電極線５１の表面側（ＣＦ基板２０と対向する面側）には、配置領域５０と、この配置領域５０を全周に亘って連続して包囲する平面形状が平方形の突部５２とが設けられている。つまり、スペーサ粒子３１は、画素２２を横切るように配置された補助容量電極線５１を利用して配置されている。
尚、本実施形態３では、画素２２を横切るように配置した補助容量電極線５１を利用して配置領域５０を設けたが、これに替えて、画素２２を横切らない形態の補助容量電極線を利用して配置領域を構成してもよい。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記実施形態１では突部が配置領域を全周に亘って連続して包囲する枠状をなすが、これに替えて、突部が、配置領域の外周縁に沿って概ね包囲する形態でありながらも、部分的に途切れた不連続の形態であってもよい。
（２）上記実施形態１では突部を正方形の枠状としたが、突部は、長方形、台形、平行四辺形、円形、長円形、楕円形等の形状としてもよい。
（３）上記実施形態１では突部が、ゲート電極線の長さ方向と平行な一対のリブと、電極線の幅方向と平行な一対のリブとによって構成されているが、これに替えて、電極線の長さ方向に対して斜めに延びるリブによって突部が構成されていてもよい。
（４）上記実施形態１，３では突部をソース電極線と同種材料のリブによって構成したが、ソース電極線以外のＴＦＴ基板に設けられる層膜と同種の材料としてもよい。
（５）上記実施形態１，３では突部の断面形状を台形としたが、突部の断面形状は、長方形、正方形、半円形、三角形等としてもよい。
（６）上記実施形態２では突部を隆起部と同種材料のリブによって構成したが、隆起部以外のＣＦ基板に設けられる層膜と同種の材料としてもよい。
（７）上記実施形態２では突部の断面形状をアーチ状に湾曲させた形状としたが、これに替えて、突部の断面形状は、三角形、台形、長方形、正方形、半円形等としてもよい。
（８）上記実施形態２では突部の平面形状を長方形の枠状としたが、突部は、正方形、台形、平行四辺形、円形、長円形、楕円形等の形状としてもよい。
（９）上記実施形態２では突部が４本のリブを四隅において途切れた略長方形に配置して構成されているが、これに替えて、突部が配置領域を全周に亘って連続して包囲する枠状をなしていてもよい。
（１０）上記実施形態２では、突部の４辺を構成するリブのうち２辺を構成するリブを、隆起部で兼用したが、これに替えて、突部を構成する４つのリブの全てを、隆起部から独立させた形態としてもよい。
（１１）上記実施形態ではフォトリソグラフィ法によって突部（リブ）を形成したが、これに限らず例えば、レーザー処理によって突部（リブ）を形成してもよい。
（１２）上記実施形態では配置領域と突部をゲート電極線、黒色遮光膜上、補助容量電極線上に配置したが、これに限らず、配置領域と突部はソース電極線上に配置してもよい。
（１３）上記実施形態ではスペーサ粒子をＴＦＴ基板とＣＦ基板のいずれか一方のみに配置したが、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との双方にスペーサ粒子を配置してもよい。この場合、ＴＦＴ基板上に配設したスペーサ粒子とＣＦ基板上に配設したスペーサ粒子とが重なりあって干渉しないように配置する。
（１４）上記実施形態では駆動素子がＴＦＴである場合について説明したが、本発明は、駆動素子がＭＩＭ（Metal Insulator Metal） 等、ＴＦＴ以外のものである場合にも適用できる。

実施形態１のＴＦＴ基板の部分拡大平面図 図１とのＸ−Ｘ線拡大断面図 実施形態２のＣＦ基板の部分拡大平面図 図３のＹ−Ｙ線断面図 図３のＺ−Ｚ線断面図 実施形態３のＴＦＴ基板の部分拡大平面図

符号の説明

１０…ＴＦＴ基板（透明基板）
１７…配置領域
１８…突部
１９…リブ
２０…ＣＦ基板（透基板）
２１…カラーフィルター
２２…画素
２３…黒色遮光膜
２５…配向膜
３１…スペーサ粒子
３２…液晶
４０…配置領域
４１…突部
４２ａ，４２ｂ…リブ
４３…隆起部
４４…斜面
４５…テーパ面
５０…配置領域
５１…補助容量電極線
５２…突部

Claims (12)

1. 平行に重ねられる一対の透明基板と、
   前記一対の透明基板を所定の間隔に保持するスペーサ粒子と、
   前記一対の透明基板同士の間に封入された液晶とを備えた液晶表示装置であって、
   前記一対の透明基板のうち少なくとも一方の透明基板における相手側の透明基板との対向面には、前記スペーサ粒子を配置すべき配置領域を概ね全周に亘って包囲する突部が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記突部が概ね方形の枠状をなしていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記突部が、前記配置領域を全周に亘って連続して包囲する枠状をなしていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶表示装置。
4. 前記配置領域と前記突部が、駆動素子に接続される帯状の電極線上に設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記突部が、前記電極線の長さ方向と平行な一対のリブと、前記電極線の幅方向と平行な一対のリブとによって構成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記電極線がゲート電極線であり、
   前記突部が、前記ゲート電極線に対してその表面側に重なるように交差するソース電極線と同種材料によって構成されていることを特徴とする請求項４又は請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置。
7. 一方の前記透明基板には、格子状の黒色遮光膜によって区画された複数の画素を配設した形態のカラーフィルターが形成され、
   前記配置領域と前記突部が、前記黒色遮光膜上に設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記画素の表面には、前記画素の表面に積層される配向膜を部分的に嵩上げして前記透明基板に対して傾いた斜面を形成する隆起部が形成されており、
   前記突部が、前記隆起部と同種材料のリブによって構成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記突部の断面形状が、前記突部の表面をアーチ状に湾曲させることで前記配置領域に向かって下り勾配となったテーパ面を有する形状をなしていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記一対の透明基板のうち一方の透明基板上には、格子状の黒色遮光膜によって区画された複数の画素を配設した形態のカラーフィルターが形成され、
    前記配置領域と前記突出部が、他方の前記透明基板に前記画素を横切るように配置された電極線上に設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
11. 前記一対の透明基板のうちの一方の透明基板上には、補助容量に接続される補助容量電極線が形成され、
    前記配置領域と前記突部が前記補助容量電極線上に設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 一対の透明基板のうち少なくとも一方の透明基板における相手側の透明基板との対向面に、スペーサ粒子を配置すべき配置領域を概ね全周に亘って包囲する突部を設け、
    前記一方の透明基板におれる前記突部で包囲された前記配置領域内に、インクとともに前記スペーサ粒子を塗布し、
    前記インクを蒸発させて、前記スペーサ粒子を前記配置領域に固着させ、
    前記一対の透明基板を、前記スペーサ粒子を挟むことにより所定の間隔を空けて重ね合わせ、
    前記重ね合わせた一対の透明基板の隙間に液晶を滴下または封入する
    ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

Images