JP2009141024A

JP2009141024A - 粘着テープ

Info

Publication number: JP2009141024A
Application number: JP2007314056A
Authority: JP
Inventors: Yoshifumi Oka; 祥文岡; Shozo Yano; 正三矢野; Shinichi Ishiwatari; 伸一石渡
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2007-12-04
Filing date: 2007-12-04
Publication date: 2009-06-25

Abstract

【課題】半導体ウェハのプラズマダイシングの際に、テープを取り扱う自動機を利用可能なマスク材として機能するテープを提供する。
【解決手段】基材フィルムに粘着剤層が形成された粘着テープであって、半導体ウェハ処理のプラズマダイシングプロセスが行われる温度における耐熱性を有し、かつ該プラズマダイシングプロセスにおけるマスクとなる粘着テープ。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェハ処理のダイシングプロセスに用いられる粘着テープに関する。

半導体パッケージの高密度化により、チップ積層化技術が進歩するなか、ウェハの薄化が年々加速度的に進んでいる。従来、これらの半導体チップは、半導体ウェハの回路パターン面に表面保護テープを貼合した状態でバックグラインド工程にて所定の厚みになるまで回路パターンの無い裏面側を研削した後、該表面保護テープを剥離し、次いでダイシング工程にてダイシングテープに支持固定した状態にてダイシング装置等にて切断分離されチップ化されることにより得られる。その後、チップ化された半導体チップは、ピックアップダイボンダ等により、連続的に流れるリードフレームにダイボンディングされ、最終的にモールド樹脂にてモールドされパッケージングされることになる。しかし、厚さ５０μｍ以下といったような薄くなってきたウェハの加工（ダイシング）において既存技術であるブレードダイシングではチッッピングの増大によるデバイス破壊などが起こっており対応できない領域となりつつある。

このような背景の中で、様々なダイシング技術が考案されてきており、レーザーダイシング・ステルスダイシング・ＤＢＧプロセスなどがある。このような薄化に伴って考案されたダイシングの一つの手法がプラズマダイシングである（特許文献１参照）。プラズマダイシングは、従来よりメタライジングに使用されてきたプラズマ技術、ウェハ裏面研削後の破砕層を取り除くストレスリリーフ処理に使用されるプラズマエッチングプロセスを応用し開発されたものである。この新プロセスにおいてプラズマダイシング処理前にまずスクライブラインに相当する部分を開口する必要があり、開口部を形成したのちにプラズマ処理を行うがスクライブ以外の部分はプラズマ雰囲気から保護されなくてはならない。

従来、プラズマ処理においてはマスクとしてレジストを使用していたことにある。この場合、レジストを塗布する装置・露光する装置などフォトリソ工程で使用する装置が必要となり、実際に使用する客先は半導体プロセスにおいて下工程となるためこのような装置は所有しておらず、プロセス導入の障害となる可能性が高い。
特開２００７−０１９３８５号公報

本発明は、半導体ウェハのプラズマダイシングの際に、テープを取り扱う自動機を利用可能なマスク材として機能するテープを提供することを目的する。

本発明の上記の課題は次の手段によって達成される。
すなわち本発明は、
（１）基材フィルムに粘着剤層が形成された粘着テープであって、半導体ウェハ処理のプラズマダイシングプロセスが行われる温度における耐熱性を有し、かつ該プラズマダイシングプロセスにおけるマスクとなることを特徴とする粘着テープ、
（２）前記粘着剤層が放射線硬化型粘着剤よりなることを特徴とする（１）項記載の粘着テープ、
（３）前記基材フィルムの厚みが５〜２００μｍであることを特徴とする（１）項記載の粘着テープ、
（４）前記基材フィルムがポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、およびポリエーテルイミドからなる群から選択された耐熱性樹脂からなることを特徴とする（１）項記載の粘着テープ、
（５）前記基材フィルムの粘着剤層が設けられる面とは反対側の面がコロナ処理またはプライマーコート処理の易接着処理が行われていることを特徴とする（１）項記載の粘着テープ、および、
（６）（１）項記載の粘着テープが用いられるプロセスのピックアップ工程で使用される粘着力５〜１５Ｎ／２５ｍｍの感圧型粘着テープ
を提供するものである。

本発明の粘着テープは、耐熱性の高く、プラズマダイシング用マスク材として適用することができる。また、本発明のピックアップ用テープと組み合わせによりプラズマダイシングプロセスからピックアップまで薄膜ウエハへの対応を可能とした。
本発明の粘着テープは、通常のウェハ処理において用いられるテープの貼合装置・剥離装置などテープを取り扱う自動機を利用して、プラズマダイシングプロセスに用いることができる。

以下、本発明に係る粘着テープについて、好ましい実施形態を説明する。
図１に示すように、本発明の粘着テープ１は、基材フィルム２の表面に粘着剤層３が形成された粘着テープ３である。粘着テープ１は、半導体ウェハ処理において表面保護テープとして用いられるとともに、プラズマダイシングプロセスの高温に耐え、かつ、プラズマダイシングのマスク機能を有する。

基材フィルムの厚みは、５〜２００μｍが好ましく、１０〜５０μｍであることがこの好ましい。
この厚さが厚すぎると、プラズマダイシングの前パターニングの際のレーザーカット、またはブレードカットにおいて、十分なカット性を得られない場合がある。

前記基材フィルムがポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、およびポリエーテルイミドからなる群から選択された耐熱性樹脂からなることが好ましい。このような耐熱性樹脂を用いることでダイシングの際にだれが生じることを防ぐことができる。

上記の裏面保護テープ、又は表面保護テープに適用される放射線硬化型粘着剤層については特に限定されるものではなく、一般的には、通常のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるものである。又、粘着剤層も特に限定されるものではなく、通常のアクリル系粘着剤等が適用可能であり、又、放射線硬化型である場合は上記と同じようにアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなる組成のものが適用される。これらアクリル系粘着剤、及び放射線重合性化合物については具体的には以下のものが適用可能である。

アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を成分とするものである。（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系共重合体の（メタ）アクリル系重合体、或いは官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては重量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが一般的に適用される。又、硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ′−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、書房の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。

放射線硬化型粘着剤は、前記のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるのが一般的である。放射線重合性化合物とは、例えば紫外線の照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。

また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いる事も出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。

放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力は大きく低下する。

更には、放射線硬化型粘着剤は、上記の様にアクリル系粘着剤に放射線重合性化合物を配合する替わりに、アクリル系粘着剤自体を放射線重合性アクリル酸エステル共重合体とする事も可能である。

また、放射線により粘着剤層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用する事が出来る。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤層に添加する事により、効率よく重合反応を進行させる事が出来る。

本発明の粘着テープは半導体ウェハ処理のプラズマダイシングプロセスが行われる温度（通常８０℃以上）で、ダイシングによってフィルムがただれることのない耐熱性を有する。粘着テープのＴｇは５０〜２００℃が好ましい。本発明の粘着テープは、プラズマダイシングにおいて、従来のレジストマスクに代えて、マスク材として用いられる。

本発明の粘着テープ（マスクテープ）の紫外線波長領域（２００〜４００ｎｍ）の透過率は７０％以上が好ましい。

本発明の別の実施態様は、上記の粘着テープ（マスクテープ）が用いられるプロセスにおいて、ピックアップ工程で使用される感圧型粘着テープである。

上記の感圧型粘着テープ（以下、ピックアップテープともいう）は、例えば、離型フィルム上に、前記ベース樹脂を含有する溶液を塗布、乾燥して得られる粘着剤層を基材フィルム上に転写することにより製造することができる。
上記の感圧型粘着テープは、好ましくは、基材フィルム上の少なくとも片面に粘着剤層が設けてなる半導体加工用感圧型テープであって、前記粘着剤層を構成するベース樹脂の重量平均分子量１０万以下の分子量分布が、好ましくは前記ベース樹脂中２０質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。
本発明において、前記ベース樹脂の分散指数が６．０以下であり、かつそのガラス転移温度が−５５℃以上であることが好ましく、前記ベース樹脂の分散指数が５．０以下であり、かつそのガラス転移温度が−５０〜０℃であることがより好ましい。
本発明において、前記ベース樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が８０万以上であることが好ましく、Ｍｗが１００万〜１８０万であることがより好ましい。

なお、重量平均分子量、分散指数の測定は、下記測定条件のＧＰＣ（ゲルーパーミション・クロマトグラフ）にて測定することができる。
また、前記ベース樹脂分子量分布全体に対する１０万以下の分子量分布の割合（％）についても下記測定条件で同様に測定できる。
ＧＰＣ装置：東ソー社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ、カラム：ＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ／Ｈ４０００／Ｈ３０００／Ｈ２０００、流量：０．６ｍｌ／ｍｉｎ、濃度：０．３質量％、注入量：２０μｌ、カラム温度：４０℃、溶離液：テトラヒドロフラン。

本発明において、前記ベース樹脂として、好ましくは、（メタ）アクリル系共重合体および硬化剤からなるアクリル系粘着剤等が挙げられる。
前記（メタ）アクリル系共重合体は、アクリル酸アルキルエステル等のモノマー（１）と、後述する硬化剤と反応しうる官能基を有するモノマー（２）を共重合してなる。

前記モノマー（１）としては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

前記モノマー（２）としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

前記（メタ）アクリル系共重合体は、上記モノマー（１）と（２）を常法により溶液重合法によって共重合させることによって得ることができるが、凝集力の低下、転写汚染成分の原因となる分子量１０万以下の成分を生じさせない観点から、懸濁重合法により重合した共重合体であることが好ましい。

硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力および凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ系化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。

硬化剤の含有量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して５．０〜１５．０質量部が好ましく、ウエハ表面に検出される有機物付着量を著しく軽減する効果が認められる観点から６．０〜１２．０質量部であることがより好ましい。
硬化剤の含有量が少なすぎると、ウエハ表面に検出される有機物付着量の低減効果が認められない。

また、上記の感圧型粘着テープの粘着剤は、通常用いられるベース樹脂にタッキファイア（粘着付与剤）を導入し粘着力を向上させても良い。用いられるタッキファイヤは特に限定されるものではなく、任意のタッキファイヤを用いることができる。

本発明において上記の感圧型粘着テープ粘着力は、ＪＩＳＺ０２３７（１９９１）に準拠して測定した値（１８０゜引き剥がし法、剥離速さ３００ｍｍ／分試験板：シリコンウエハ）で、５〜３０Ｎ／２５ｍｍが好ましく、１０〜１５Ｎ／２５ｍｍが好ましい。

前記アクリル系粘着剤の塗布液に用いる溶剤としては、酢酸エチル、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等が挙げられる。
本発明において、粘着剤層の厚みは１０〜１００μｍが好ましい。

基材フィルムの材質は、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、またはポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマーが挙げられる。または、これらの群から選ばれる２種以上が混合されたものでもよく、粘着剤層との接着性によって任意に選択することができる。
基材フィルムの厚みは３０〜３００μｍが好ましい。

本発明の粘着テープを用いたプラズマダイシングによる半導体ウェハの処理工程の１例について説明する。
まず、半導体ウェハのＳｉ基板の表面に配線パターンおよびＴＥＧが形成された側の表面に、表面保護テープを貼合し、その後、レーザーまたはブレードによりＴＥＧが形成されたストリートに溝を入れる。次いで、個片化された表面保護テープの表面に剥離用テープを貼合し、剥離用テープを剥離することで表面保護テープを合わせて剥離する。
次いで図２に示すように、配線パターン１２側に、ＢＧテープ１７を貼合し、砥石１８を用いてＳｉ基板１１の裏面側から研削（バックグラインディング）してウェハを薄化する。このとき、研削面には粉砕層（ダメージ層）１９が発生する（図２（ａ））。次いで、ストレスリリーフを行なうために、ウエットエッチングあるいはドライポリシング、ＣＭＰ法やさらには六フッ化硫黄雰囲気下などでプラズマ処理を行なって、ダメージ層１９を除去し、ＢＧ残留応力を除去する。

次いで、Ｓｉ基板１１の裏面に、ダイボンディング用の接着フィルム（以下、ＤＡＦと呼ぶ）２０を介して本発明の粘着テープ１を貼合する。ＤＡＦ２０は必ずしも必要というわけではなく、半導体加工処理プロセスの設計によっては省略し、粘着フィルム１を直接Ｓｉ基板１１に貼合わせてもよい。（図２（ｂ））次いで、レーザー１５でストリート部の粘着フィルム１とＤＡＦ１１をカットする（図２（ｃ））。なお、図２（ｃ）では、レーザー１５によりカットしているが、レーザーに代えてブレードを用いてカットしても良い。

次いで、図２（ｄ）に示すように、粘着テープ１側から、六フッ化硫黄雰囲気下でプラズマダイシングし、むき出しの部分のＳｉ基板１１をエッチングする。このとき粘着テープ１に覆われた部分は、粘着テープ１がマスク材として機能してエッチングされることはない（図２（ｅ））。

次いで、粘着テープ１の表面に、ピックアップテープ２１を貼合する（図２（ｆ））。次に、図２（ｇ）に示すように、パターン面１２側のＢＧテープ１７を剥離する。次いで、ピックアップテープ２１側から、ガラスを介して紫外線を照射し、粘着テープ１とＤＡＦ２０の界面の粘着力を弱める。このときピックアップテープ２１の粘着剤は非放射線硬化型の感圧型粘着剤を用いているので、粘着テープ１とピックアップテープ２１の界面の接着力は低減しない。さらに、粘着テープ１の背面にコロナ処理、プライマーコートなどの昜接着処理をしていると、粘着テープ１とピックアップテープ２１の界面の接着力が高まり好ましい。次に、図２（ｋ）に示すように、チップを突き上げコレット２２により吸着すると、粘着テープ１とＤＡＦ１２の界面から容易に分離し、ＤＡＦ１２の付着したチップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す。

図３は、本発明の粘着テープを用いたたプラズマダイシングによる半導体ウェハの処理工程の別の例を示す説明図である。プラズマストレスリリーフ処理は、前述と同様の工程である。その後、この態様では、Ｓｉ基板１１の配線パターン１２の側からＢＧテープを剥離した後、本発明の粘着テープ１を貼合せ、裏面にはＤＡＦ１９を介してＤＣテープ２３を貼合せる（図３（ａ））。次いで、レーザーまたはブレード１５でＴＥＧ１３の形成されたストリート部の粘着フィルム１と配線パターン１２をカットする（図３（ｂ））。次いで粘着フィルム１側からプラズマダイシングを行い、むき出しの部分のＳｉ基板１１をエッチングする。このとき粘着テープ１に覆われた部分は、粘着テープ１がマスク材として機能してエッチングされることはない（図３（ｃ））。さらに、図３（ｄ）に示すようにＤＡＦ２０のエッチングを行い、図３（ｅ）に示す状態とする。次いで、粘着テープ１の表面に剥離用テープ２４を貼合し（図３（ｆ））、これを剥離することで、個片化された粘着テープ１を剥離する（図３（ｇ））。次に、個片化されたチップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す（図３（ｈ））。なお、図３中、特に説明をしていない以外の符号は、図２において示す意味と同じである。

次に、本発明を実施例および比較例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでない。

実施例１
厚さ１２．５μｍのＰＥＴ系フィルムの一方の表面に下記ＵＶ系粘着剤Ａからなる層を乾燥時の厚さが８μｍとなるように形成し、また他方の表面をコロナ処理して実施例１の粘着テープを作製した。

実施例２
厚さ２５μｍのＰＥＴ系フィルムの表面をコロナ処理したのち、該表面に下記ＵＶ系粘着剤Ａを乾燥時の厚さが１５μｍとなるように形成し、実施例２の粘着テープを作製した。

実施例３
厚さ１２．５μｍのＰＥＴ系フィルムの表面をコロナ処理したのち、該表面に下記ＵＶ系粘着剤Ｂを乾燥時の厚さが８μｍとなるように形成し、実施例１の粘着テープを作製した。

実施例４
厚さ２５μｍのＰＥＴ系フィルムの表面をコロナ処理したのち、該表面に下記ＵＶ系粘着剤Ｂを乾燥時の厚さが１５μｍとなるように形成し、実施例２の粘着テープを作製した。

用いたＡ粘着剤、及び粘着剤Ｂの構成は以下の通りである。

用いた紫外線硬化型粘着剤Ａ、紫外線硬化型粘着剤Ｂ、アクリル系粘着剤ａの構成は以下の通りである。
（粘着剤Ａ）
アクリル酸エステル共重合体１００質量部
硬化剤（「コロネートＬ」（商品名、日本ポリウレタン（株）製）２質量部
ウレタンアクリレート系オリゴマー１５０質量部
光重合開始剤（「イルガキュアー１８４」（商品名）、日本チバガイギー社製）
２質量部
（粘着剤Ｂ）
アクリル酸エステル共重合体１００質量部
硬化剤（「コロネートＬ」（商品名、日本ポリウレタン（株）製）２質量部
ウレタンアクリレート系オリゴマー１００質量部
光重合開始剤（「イルガキュアー１８４」（商品名）、日本チバガイギー社製）
２質量部

試験例
表面保護用テープおよびマスク材として実施例１〜４の粘着テープを用い、およびピックアップ用テープとして非ＵＶタイプの粘着力１２Ｎ／２５ｍｍの感圧型粘着テープを用い、図２に示す工程のプラズマダイシングプロセスによる半導体ウェハ処理を行った。
その結果、本発明の粘着テープは、フィルム厚の薄化により、レーザーカット性が向上し、粘着剤組成の添加物削減（オリゴマー等）による低アウトガス化で真空中使用でも問題はなかった。また、薄膜研削からプラズマダイシング、ピックアップまで問題なく行うことができた。

本発明の粘着テープの１例の断面図である。本発明の粘着テープを用いたプラズマダイシングによる半導体ウェハの処理工程の１例の説明図である。本発明の粘着テープを用いたプラズマダイシングによる半導体ウェハの処理工程の別の例の説明図である。

符号の説明

１粘着テープ
２基材フィルム
３粘着剤層
１１Ｓｉ基板
１２配線パターン
１３ＴＥＧ
１５レーザー又はブレード
１７ＢＧテープ
１８砥石
１９ダメージ層
２０ＤＡＦ
２１ピックアップテープ
２２コレット
２３ＤＣテープ
２４剥離用テープ

Claims

基材フィルムに粘着剤層が形成された粘着テープであって、半導体ウェハ処理のプラズマダイシングプロセスが行われる温度における耐熱性を有し、かつ該プラズマダイシングプロセスにおけるマスクとなることを特徴とする粘着テープ。
前記粘着剤層が放射線硬化型粘着剤よりなることを特徴とする請求項１記載の粘着テープ。
前記基材フィルムの厚みが５〜２００μｍであることを特徴とする請求項１記載の粘着テープ。
前記基材フィルムがポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、およびポリエーテルイミドからなる群から選択された耐熱性樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の粘着テープ。
前記基材フィルムの粘着剤層が設けられる面とは反対側の面がコロナ処理またはプライマーコート処理の易接着処理が行われていることを特徴とする請求項１記載の粘着テープ。
請求項１記載の粘着テープが用いられるプロセスのピックアップ工程で使用される粘着力５〜１５Ｎ／２５ｍｍの感圧型粘着テープ。