JP2009123690A - 塗布層形成後或いは対電極層形成後に乾燥剤フィルムを貼合して巻き取る有機エレクトロニクス素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可撓性の支持体上にガスバリア層、電極層及び塗布により形成された有機材料層を少なくとも1層有する、有機エレクトロニクス素子において、前記有機材料層を形成したのち、乾燥剤含有層を有する対電極層を形成したフィルムが貼合されてなることを特徴とする有機エレクトロニクス素子。
【選択図】なし
Description
塗布により前記有機材料層を形成したのち、
乾燥剤含有層を有する対電極層を形成したフィルムを貼合し、更に、加熱エージングすることを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。
塗布により前記有機材料層を形成したのち、
対電極層を形成し、乾燥剤含有層を有するフィルムを貼合した後、更に加熱エージングすることを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。
PET/PET(BaO)/PET
PEN/PET(BaO)/PEN
Glass/PES(BaO)/Glass
等が代表的な構成である。以上において、PET;ポリエチレンテレフタレート、PEN;ポリエチレン2,6−ナフタレート、PES;ポリエーテルスルホンである。
《基材Aの作製》
(可撓性支持体上に電極層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層を形成する工程)
予め、露点温度−65度、不活性ガス雰囲気下、圧力80Paで保管し、脱水処理・脱酸素処理をほどこした厚さ150ミクロンのポリエチレンナフタレートフィルムの片面に特開2007−83644号実施例記載の方法により、ガスバリア層を形成した。
放電ガス:N2ガス
反応ガス1:酸素ガスを全ガスに対し5%
反応ガス2:TEOS(テトラエトキシシラン)を全ガスに対し0.1%
低周波側電源電力:80kHzを10W/cm2
高周波側電源電力:13.56MHzを10W/cm2
〈密着層〉
放電ガス:N2ガス
反応ガス1:水素ガスを全ガスに対し1%
反応ガス2:TEOSを全ガスに対し0.5%
低周波側電源電力:80kHzを10W/cm2
高周波側電源電力:13.56MHzを5W/cm2
〈保護層〉
放電ガス:N2ガス
反応ガス1:水素ガスを全ガスに対し1%
反応ガス2:TEOSを全ガスに対し0.5%
低周波側電源電力:80kHzを10W/cm2
高周波側電源電力:13.56MHzを5W/cm2
次いで、ガスバリア層を形成したポリエチレンナフタレートフィルム上に、ターゲット材料としてインジウム錫酸化物(ITO)を用いて、同じく、真空槽中スパッタガスに酸素5体積%を含むアルゴンを用いて、ガス圧力を0.5Paとし、連続的に搬送しながら、電極層として、ITO膜110nmをスパッタによりパターニング形成した。ITOのパターンは図3の導電層パターンを用いた。これを真空槽中でコアに巻き取った後、窒素気流下で常圧に戻し、大気(空気)にさらすことなく、常圧下の塗布工程へ移送した。
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製 Bytron P AI 4083)を純水で65%、メタノール5%で希釈した溶液用いた。
10mlのトルエン中に50mgの下記化合物Aが含まれるよう溶解した溶液を用いた。90秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、90℃の乾燥ゾーンをゆっくり搬送しながら、窒素気流下で乾燥した。
クロロベンゼン6ml中にPVK(ポリビニルカルバゾール)(60mg)と1.5mgのIr(ppy)3が含有される様に溶解した溶液を用いた。成膜後、95℃の乾燥ゾーンをゆっくり搬送しながら、窒素気流下で乾燥し、乾燥膜厚50nmの発光層を形成した。
(乾燥剤を含有する層を有するフィルム上に表面平滑層を形成する工程)
封止フィルムとしての乾燥剤含有フィルムは特開2005−38661号の実施例1記載の積層基板の作製法を利用して、酸化バリウムを芯層に含有させたポリエチレン2,6ナフタレートフィルム(A−1)を作製して使用した。
乾燥剤含有フィルムA−1の表層ポリエチレン−2,6−ナフタレート(PEN)が40μmである面に、前記同様、特開2007−83644号実施例記載の組成のガスバリア層を同様に形成して、乾燥剤含有フィルムを被覆した。次いで、表層ポリエチレン−2,6−ナフタレート(PEN)が20ミクロンである側(反対側)の表面にアクリル酸エステルからなる表面平滑層を形成し、紫外線で架橋硬化させてから、減圧室を経由して、真空搬送室へ導入し、第一の薄膜形成室で対電極層としてアルミニウムを蒸着によりにより120nmの厚さにパターニング形成した。引き続き、第二の薄膜形成室でフッ化リチウム(電子注入層)を0.3nm蒸着形成した。
乾燥剤含有フィルムA−1に電極層、電子注入層を形成したフィルムを不活性ガス気流中(窒素雰囲気中、水分濃度が1ppm以上200ppm以下、酸素濃度が30ppm以下)で、封止材として、紫外線硬化エポキシ樹脂(ナガセケムテック(株)製 UVレジン XNR5516)を所定の形状にスクリーン印刷を用いて塗布した。この電極付封止フィルムを巻き取ることなく、連続的に図3に示される加圧ロールを用いた貼合工程に送り、W−1と貼り合せ位置を制御しながら、圧着し(貼合圧は0.2MPaとした)、同時に水銀ランプ照射にて(6000mJ/cm2以上)、硬化、接着させた後、直径1mのコアに巻き取った。
乾燥剤含有フィルムA−1の表層ポリエチレン−2,6−ナフタレート(PEN)が40μmである面にガスバリア層を形成しなかった以外は同様にして、基材Bを作製した他は同様にして、基材Aと、貼合・接着し、封止材を硬化させ有機EL素子を作製し直径1mのコアに巻き取った。更に、エージングを同様に行った後、各素子様にカットして、発光装置OLED2を作製した。
実施例1で使用した乾燥剤含有フィルムA−1を作製する際に、コア層に吸湿材である酸化バリウム粉末を含まないもの、すなわちポリエチレン−2,6−ナフタレート(PEN)の100μm厚のフィルムを使用し、この片面にガスバリア層を形成した以外は同様にして、基材Bを作製し、基材Aと、貼合・接着し、封止材を硬化させ有機EL素子を作製し直径1mのコアに巻き取った。更に、エージングを同様に行った後、各素子様にカットして、発光装置OLED3を作製した。図4(a)と同じ構成であるが、乾燥剤含有フィルム6を、乾燥剤を含有しないフィルムに替えた構成となっている。
実施例1で使用した乾燥剤含有フィルムA−1を作製する際に、コア層に吸湿材である酸化バリウム粉末を含まないもの、すなわちポリエチレン−2,6−ナフタレート(PEN)の100μm厚のフィルムを使用した以外は同様にして、基材Bを作製し、基材Aと、貼合・接着し、封止材を硬化させ有機EL素子を作製し直径1mのコアに巻き取った。更に、エージングを同様に行った後、各素子様にカットして、発光装置OLED4を作製した。図4(b)と同じ構成であるが、乾燥剤含有フィルム6を乾燥剤を含有しないフィルムに替えた構成となっている。
温度23℃、大気下で、10Vの直流電圧を印加した場合のOLED4の発光を400nmから800nmの領域の可視光を輝度計で測定し、cd/m2の単位で算出した。これを100として、OLED1、OLED2、OLED3の輝度を相対値として表示した。輝度計での測定は発光面を9分割した各箇所の中央部の値の平均値を使用した。発光面の暗部が少なく、輝度が高いものが好ましい。
各試料の素子を初期輝度が500cd/m2となるように印加電圧を調整した後、輝度が初期から50%低下するまでの時間を計測した。OLED4の素子の輝度半減寿命を1.0としたときのOLED1〜4それぞれの半減寿命を相対値で評価した。
OLED1からOLED4の各素子を本発明のロールツーロール方式で20個ずつ作製し、発光面を9分割したなかの1箇所の輝度が各20個の初期輝度の平均値から25%以上低いものを不良品とみなし、それ以外を良品とし、20個に対する歩留まりを算出した。
発光装置OLED1のウェブW−1の作成において、正孔注入層を形成した後、第三の塗布室で、後述した液組成の発電層を塗布し(乾燥後の厚みが150nm)原反ウェブW−2を作成した以外は、OLED1の作成と同様にして、乾燥剤を素子内に有した有機光電変換素子OPV1を作成した。
クロロベンゼン6mlに、数平均分子量45000のレジオレギュラーP3HT(ポリ(3−ヘキシルチオフェン))と、フラーレン誘導体PCBM(6,6−フェニル−C61−ブチル酸メチルエステル)を質量比が1:1で、3質量%となるように溶解した溶液を用いた。成膜後、140℃の乾燥ゾーンをゆっくり搬送しながら、窒素気流下で乾燥し、乾燥膜厚150nmの発電層を形成した。
2 ガスバリア層
3 電極層
4 有機材料層
5 対電極層
6 乾燥剤含有フィルム
8 封止材
Claims (9)
- 可撓性の支持体上にガスバリア層、電極層及び塗布により形成された有機材料層を少なくとも1層有する、有機エレクトロニクス素子において、前記有機材料層を形成したのち、乾燥剤含有層を有する対電極層を形成したフィルムが貼合されてなることを特徴とする有機エレクトロニクス素子。
- 可撓性の支持体上にガスバリア層、電極層及び塗布により形成された有機材料層を少なくとも1層有する、有機エレクトロニクス素子において、前記有機材料層の形成ののち、対電極層が形成され、更に乾燥剤含有層を有するフィルムが貼合されてなることを特徴とする有機エレクトロニクス素子。
- 可撓性の支持体上にガスバリア層、電極層及び塗布により形成した有機材料層を少なくとも1層有する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、
塗布により前記有機材料層を形成したのち、
乾燥剤含有層を有する対電極層を形成したフィルムを貼合し、更に、加熱エージングすることを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。 - 可撓性の支持体上にガスバリア層、電極層及び塗布により形成した有機材料層を少なくとも1層有する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、
塗布により前記有機材料層を形成したのち、
対電極層を形成し、乾燥剤含有層を有するフィルムを貼合した後、更に加熱エージングすることを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。 - 乾燥剤含有層を有するフィルムの表面粗さが、算術平均粗さ(Ra)で20nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロニクス素子。
- 可撓性支持体のガスバリア性が、JIS K7129−1992で規定される水蒸気透過度で、10−5g/(m2・24h)以下であることを特徴とする請求項1、2または5に記載の有機エレクトロニクス素子。
- 請求項3または4に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法であって、有機材料層の、塗布工程及び乾燥工程が、不活性気体雰囲気であり、該不活性気体雰囲気中の水分濃度が1ppm以上200ppm以下、酸素濃度が30ppm以下であることを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。
- 請求項1、2、5または6に記載の有機エレクトロニクス素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機材料層の少なくとも1層がりん光発光性材料を含むことを特徴とする有機エレクトロニクス素子。
- 請求項1、2、5または6に記載の有機エレクトロニクス素子が、有機光電変換素子であって、有機材料層の少なくとも1層がp型半導体材料と、n型半導体材料を含み、光電流を発生することを特徴とする有機エレクトロニクス素子。
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