JP2009095160A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】交流入力を整流した後段に、単相インバータを1以上直列接続したインバータ回路100を直列接続し、その後段に、整流ダイオード10を介して接続された平滑コンデンサ11と、平滑コンデンサ11をバイパスさせる短絡用スイッチ9とを備える。そして、短絡用スイッチ9はゼロクロス位相を中央とする短絡位相範囲20でのみオン状態とし、平滑コンデンサ11の直流電圧を目標電圧に追従させ、入力力率を改善するように、インバータ回路100を電流指令を用いて出力制御する。
【選択図】図1
Description
複数の半導体スイッチ素子と直流電圧源とを有する単相インバータの交流側を1以上直列接続して構成され、該交流側を上記整流回路の出力に直列接続して上記各単相インバータの出力の総和を上記整流回路の出力に重畳するインバータ回路と、該インバータ回路の後段に整流ダイオードを介して接続され該出力を平滑する平滑コンデンサと、上記インバータ回路に一端が接続され、他端が上記平滑コンデンサの一端に接続された短絡用スイッチとを備える。そして、上記平滑コンデンサの電圧を目標電圧に追従させると共に上記交流入力電源からの入力力率を改善するように、上記インバータ回路を電流指令を用いて出力制御するものである。
以下、この発明の実施の形態1による電力変換装置について説明する。図1はこの発明の実施の形態1による電力変換装置の概略構成図である。
図1に示すように、交流入力電源としての交流電圧電源1(以下、単に交流電源1と称す)は整流回路としてのダイオードブリッジ2に接続される。ダイオードブリッジ2の出力は限流回路としてのリアクトル3に接続され、その後段に単相インバータにて構成されたインバータ回路100の交流側が直列接続される。インバータ回路100を構成する単相インバータは半導体スイッチ素子4、5、ダイオード6、7および直流電圧源8から構成される。ここで、半導体スイッチ素子4、5は、ダイオードが逆並列に接続されたIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やソース・ドレイン間にダイオードが内蔵されたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などを用い、またダイオード6、7も、半導体スイッチ素子4、5と同様に半導体スイッチ素子で構成してもよい。また、リアクトル3はインバータ回路100の後段に直列接続しても良い。
交流電源1からの入力はダイオードブリッジ2にて全波整流され、ダイオードブリッジ2の後段の電圧Vin、電流Iinは、図2に示すような波形となる。Vdcは一定の目標電圧Vdc*に制御される平滑コンデンサ11の直流電圧であり、この場合、電圧Vinのピーク電圧が平滑コンデンサ11の直流電圧Vdcより高いものとする。
インバータ回路100は、交流電源1からの入力力率が概1になるようにPWM制御により電流Iinを制御して出力し、交流側の発生電圧をダイオードブリッジ2後段の電圧Vinに重畳する。インバータ回路100内の電流は、図3〜図5に示すように、半導体スイッチ素子4、5がオフの時には、ダイオード6を通って直流電圧源8を充電し、ダイオード7を通って出力される。また、半導体スイッチ素子4のみをオンした時には、電流は半導体スイッチ素子4とダイオード7とを通って出力される。また同様に、半導体スイッチ素子5のみをオンした時には、電流はダイオード6と半導体スイッチ素子5を通って出力される。また、半導体スイッチ素子4、5を同時にオンした時には、半導体スイッチ素子4を通って直流電圧源8を放電し、半導体スイッチ素子5を通って出力される。このような4種の制御の組み合わせにて半導体スイッチ素子4、5を制御してインバータ回路100をPWM制御する。
位相θが、θ1≦θ≦θ2である時、インバータ回路100はPWM制御により、例えば、半導体スイッチ素子4、5が同時にオンの場合と、半導体スイッチ素子4のみをオンの場合とを組み合わせて出力する。この時、平滑コンデンサ11の直流電圧Vdcが目標電圧Vdc*に維持できるように、Vdc*−Vinにほぼ等しい電圧を発生させつつ、入力力率が概1になるように電流Iinを制御して出力する。この間、インバータ回路100が発生する電圧極性と電流Iinの極性は等しくなるので、インバータ回路100の直流電圧源8は放電される。
即ち位相θが、θ2≦θ≦π/2である時、図5に示すように、交流電源1からの電流は、交流電源1→ダイオードブリッジ2→リアクトル3→インバータ回路100→整流ダイオード10→平滑コンデンサ11→ダイオードブリッジ2→交流電源1の経路で流れる。また、インバータ回路100はPWM制御により、例えば、半導体スイッチ素子4、5がオフの場合と、半導体スイッチ素子5のみをオンの場合とを組み合わせて出力する。この時、平滑コンデンサ11の目標電圧Vdc*≦電圧Vinであり、インバータ回路100は、平滑コンデンサ11の直流電圧Vdcが目標電圧Vdc*に維持できるように、Vin-Vdc*にほぼ等しい電圧をVinの極性に対して逆極性に発生させつつ、入力力率が概1になるように電流Iinを制御して出力する。この間、インバータ回路100が発生する電圧極性と電流Iinの極性は逆になるので、インバータ回路100の直流電圧源8は充電される。
即ち、交流電源1からの入力電圧の位相θのゼロクロス位相(θ=0、π)±θ1を特定位相として短絡用スイッチ9を切り換え、該ゼロクロス位相を中央として±θ1の位相範囲(以下、短絡位相範囲20と称す)でのみ、短絡用スイッチ9をオン状態として平滑コンデンサ11をバイパスさせる。このとき、インバータ回路100は、電圧Vinの逆極性にほぼ等しい電圧を発生させつつ、入力力率が概1になるように電流Iinを制御して出力し、直流電圧源8は充電される。そして、上記短絡位相範囲20以外の位相では、インバータ回路100は、平滑コンデンサ11の直流電圧Vdcを目標電圧Vdc*に維持し、また入力力率が概1になるように電流Iinを制御して出力する。このとき、電圧Vinが平滑コンデンサ11の目標電圧Vdc*以下の時、直流電圧源8は放電され、電圧Vinが目標電圧Vdc*以上の時は、直流電圧源8は充電される。
0≦θ≦π/2の位相期間では、インバータ回路100の直流電圧源8は、上述したように、0≦θ≦θ1、θ2≦θ≦π/2の期間で充電され、θ1≦θ≦θ2の期間で放電される。インバータ回路100の直流電圧源8の充放電エネルギが等しいとすると、以下の数式が成り立つ。但し、Vpは電圧Vinのピーク電圧、Ipは電流Iinのピーク電流である。
Vdc*=Vp・π/(4cosθ1)
となる。このように、平滑コンデンサ11の目標電圧Vdc*は短絡位相範囲20を決定するθ1により決まり、即ちθ1を変化させて制御できる。そして、平滑コンデンサ11の直流電圧Vdcは該目標電圧Vdc*に追従するように制御される。
Vp sinθ1≦Vsub、(Vdc*−Vp sinθ1)≦Vsub、(Vp−Vdc*)≦Vsub の3条件を満たすように電圧Vsubを設定することで、平滑コンデンサ11の直流電圧Vdcが目標電圧Vdc*に維持でき、また入力力率が概1になるように電流Iinを制御するインバータ回路100の制御が、交流電源1の全位相において信頼性よく行える。なお、直流電圧源8の電圧Vsubは、Vinのピーク電圧Vp以下に設定する。
インバータ回路100は、図6に示すような制御ブロックで制御される。まず、出力段の平滑コンデンサ11の直流電圧Vdcと目標電圧Vdc*との差21aをフィードバック量として、PI制御した出力22aを演算する。また、インバータ回路100の直流電圧源8の電圧Vsubを一定に保つため、該電圧Vsubとその目標電圧Vsub*との差21bをフィードバック量として、PI制御した出力22bを演算し、両出力22a、22bの和から電流Iinの振幅目標値23を決定する。そして、この振幅目標値23に基づいて、電圧Vinに同期した正弦波の電流指令Iin*を生成する。次に、電流指令Iin*と検出された電流Iinとの差24をフィードバック量として、PI制御した出力をインバータ回路100の発生電圧の目標値となる電圧指令25とする。この時、短絡用スイッチ9のオン/オフ切り換え時に同期したフィードフォワード補正電圧ΔVを加算して電圧指令25を補正する。そして、補正後の電圧指令26(短絡用スイッチ9のオン/オフ切り換え時以外は補正前電圧指令25)を用いて、PWM制御によりインバータ回路100の各半導体スイッチ素子4、5への駆動信号を生成し、インバータ回路100を動作させる。
なお、この場合リアクトル3は、エネルギを貯めるものではなく、電流を制限する限流回路として動作し、電流制御の信頼性が向上する。
また、インバータ回路100の直流電圧となる直流電圧源8の電圧Vsubを、Vinのピーク電圧Vp以下に設定することにより、上記高効率化、低ノイズ化の効果を確実に得る。
また、平滑コンデンサ11の目標電圧Vdc*は、短絡位相範囲20のθ1により制御できるため、目標電圧Vdc*を容易に制御でき、設計上および制御上の自由度が向上する。
また、電流指令を変化させて直流電圧源8の電圧Vsubを一定に保つ様に制御するため、電力変換装置を安定に制御することができる。また、直流電圧源8の充放電をバランスさせることができ、外部から直流電力の供給が不要で装置構成が簡便となる。
なお、外部から直流電圧源8の電圧制御をしても良く、その場合、インバータ回路100の出力制御では、電圧Vsubを一定に保つ制御をしなくても良い。
また、θ1=0として短絡用スイッチ9を常時オフ状態とすることも可能で、その場合、0≦θ≦θ2で直流電圧源8は放電、θ2≦θ≦π/2で直流電圧源8は充電する動作をする。
上記実施の形態1では短絡用スイッチ9の一端は、インバータ回路100の交流出力線に接続したが、この実施の形態2では、図8に示すように、短絡用スイッチ9aの一端は、インバータ回路100を構成する直流電圧源8の負極側に接続する。短絡用スイッチ9aの他端は、上記実施の形態1と同様に、平滑コンデンサ11の負極側、即ちダイオードブリッジ2の一端に接続される。
次に、この発明の実施の形態3による電力変換装置について、図10に基づいて説明する。
図10に示すように、交流電源1の第1の端子からの出力は、リアクトル3に接続され、その後段に単相インバータにて構成されたインバータ回路300の交流側が直列接続される。インバータ回路300内の単相インバータは、ダイオードが逆並列に接続されたIGBTやソース・ドレイン間にダイオードが内蔵されたMOSFETなどから成る半導体スイッチ素子4、5、16、17および直流電圧源8から構成される。
また、半導体スイッチ素子から成る短絡用スイッチ12aと整流ダイオード13aとを直列接続してインバータを構成する第1の直列回路15aの中点が、インバータ回路300の後段の交流出力線に接続され、さらに半導体スイッチ素子から成る短絡用スイッチ12bと整流ダイオード13bとを直列接続してインバータを構成する第2の直列回路15bの中点が交流電源1の第2の端子に接続される。そして、第1、第2の直列回路15a、15bは並列接続され、出力段の平滑コンデンサ11の両端子間に接続される。
この場合、各短絡用スイッチ12a、12bは、半導体スイッチ素子に限るものではなく、機械式のスイッチなどでも良いが、ダイオード14a、14bを逆並列接続する。
なお、短絡用スイッチ12a、12bは短絡位相範囲20において同時にオン状態としたが、交流電源1の極性が正の場合に短絡用スイッチ12aのみオン状態とし、交流電源1の極性が負の場合に短絡用スイッチ12bのみオン状態としても良く、その場合、他方の短絡用スイッチ12b、12aに接続されたダイオード14b、14aを経て電流が流れる。
また、直流電圧源8の電圧Vsubは、Vinのピーク電圧Vp以下に設定し、
Vp sinθ1≦Vsub、(Vdc*−Vp sinθ1)≦Vsub、(Vp−Vdc*)≦Vsub の3条件を満たすように電圧Vsubを設定することで、平滑コンデンサ11の直流電圧Vdcが目標電圧Vdc*に維持でき、また入力力率が概1になるように電流Iinを制御するインバータ回路300の制御が、交流電源1の全位相において信頼性よく行える。
さらに、上記実施の形態1で用いたダイオードブリッジ2を不要としているため、部品点数を低減でき装置構成が簡便になる。また、電流が通過する素子数が低減できるため、導通損失を低減でき、電力変換装置全体の変換効率を向上できる。
3 限流回路としてのリアクトル、4,5 半導体スイッチ素子、6,7 ダイオード、
8 直流電圧源、9,9a 短絡用スイッチ、10 整流ダイオード、
11 平滑コンデンサ、12a,12b 短絡用スイッチ、
13a,13b 整流ダイオード、14a,14b ダイオード、
15a,15b 第1、第2の直列回路、16,17 半導体スイッチ素子、
20 短絡位相範囲、100,300 インバータ回路(単相インバータ)、
100a,100b 単相インバータ、200 インバータ回路、
Iin* 電流指令、ΔV フィードフォワード補正電圧。
Claims (13)
- 交流入力電源からの入力を整流する整流回路と、
複数の半導体スイッチ素子と直流電圧源とを有する単相インバータの交流側を1以上直列接続して構成され、該交流側を上記整流回路の出力に直列接続して上記各単相インバータの出力の総和を上記整流回路の出力に重畳するインバータ回路と、
該インバータ回路の後段に整流ダイオードを介して接続され該出力を平滑する平滑コンデンサと、
上記インバータ回路に一端が接続され、他端が上記平滑コンデンサの一端に接続された短絡用スイッチとを備え、
上記平滑コンデンサの電圧を目標電圧に追従させると共に上記交流入力電源からの入力力率を改善するように、上記インバータ回路を電流指令を用いて出力制御することを特徴とする電力変換装置。 - 上記各単相インバータは、上記半導体スイッチ素子にダイオードを直列接続した2組の直列回路と上記直流電圧源とで構成されることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 上記短絡用スイッチの一端は、上記インバータ回路の後段の交流出力線に接続されることを特徴とする請求項1または2に記載の電力変換装置。
- 上記短絡用スイッチの一端は、上記インバータ回路を構成する1以上の上記単相インバータの内、最後段に接続された単相インバータにおける上記直流電圧源の一端に接続されることを特徴とする請求項1または2に記載の電力変換装置。
- 複数の半導体スイッチ素子と直流電圧源とから成る単相インバータの交流側を1以上直列接続して構成され、該交流側を交流入力電源の第1の端子に直列接続して上記各単相インバータの出力の総和を交流入力に重畳するインバータ回路と、
該インバータ回路の後段に配され、該出力を平滑する平滑コンデンサと、
短絡用スイッチと整流ダイオードとを直列接続して上記平滑コンデンサの両端子間に接続される第1、第2の直列回路とを備え、
上記第1の直列回路の中点が上記インバータ回路の後段の交流出力線に接続され、上記第2の直列回路の中点が上記交流入力電源の第2の端子に接続され、
上記平滑コンデンサの電圧を目標電圧に追従させると共に上記交流入力電源からの入力力率を改善するように、上記インバータ回路を電流指令を用いて出力制御することを特徴とする電力変換装置。 - 上記短絡用スイッチにダイオードを逆並列接続したことを特徴とする請求項5記載の電力変換装置。
- 上記短絡用スイッチをオン/オフする位相は、上記交流入力電源からの入力電圧の特定位相であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記交流入力電源からの入力電圧のゼロクロス位相を中央とする所定位相範囲でのみ、上記短絡用スイッチをオン状態として上記平滑コンデンサをバイパスさせることを特徴とする請求項7に記載の電力変換装置。
- 上記短絡用スイッチをオン/オフする上記特定位相を変化させることで、上記平滑コンデンサの目標電圧を調整することを特徴とする請求項7または8に記載の電力変換装置。
- 上記短絡用スイッチのオン/オフ切り換え時に、上記インバータ回路は直流電力の充電/放電動作を切り替えるように制御されることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記インバータ回路の交流側に限流回路を直列に接続したことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記インバータ回路の直流電圧が所定値となるように、上記電流指令を変化させて上記インバータ回路を出力制御することを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 上記インバータ回路の直流電圧は、上記交流入力電源の電圧ピーク値以下に設定することを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の電力変換装置。
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