JP2008311640A - 半導体レーザダイオード - Google Patents

Abstract

【課題】４５０ｎｍ以上の発光波長であっても、良好な光閉じ込めが可能で、かつ、結晶性も良好な半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】ファブリペロー型の半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ軸を結晶成長の主面としており、ｍ軸方向に、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７を含む。
【選択図】図１

Description

この発明は、III族窒化物半導体からなる半導体積層構造を備えた半導体レーザダイオードに関する。

III-Ｖ族半導体においてＶ族元素として窒素を用いた半導体は「III族窒化物半導体」と呼ばれ、その代表例は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）である。一般には、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）と表わすことができる。
青色や緑色といった短波長のレーザ光源は、ＤＶＤに代表される光ディスクへの高密度記録、画像処理、医療機器、計測機器などの分野で活用されるようになってきている。このような短波長レーザ光源は、たとえば、ＧａＮ半導体を用いたレーザダイオードで構成されている。

ＧａＮ半導体レーザダイオードは、ｃ面を主面とする窒化ガリウム（ＧａＮ）基板上にIII族窒化物半導体を有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ：Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy）によって成長させて製造される。より具体的には、ＧａＮ基板上に、有機金属気相成長法によって、ｎ型ＧａＮコンタクト層、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｎ型ＧａＮガイド層、活性層（発光層）、ｐ型ＧａＮガイド層、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、ｐ型ＧａＮコンタクト層が順に成長させられ、これらの半導体層からなる半導体積層構造が形成される。活性層では、ｎ型層から注入される電子とｐ型層から注入される正孔との再結合による発光が生じる。その光は、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層の間に閉じ込められ、半導体積層構造の積層方向と垂直な方向に伝搬する。その伝搬方向の両端に共振器端面が形成されており、この一対の共振器端面間で、誘導放出を繰り返しながら光が共振増幅され、その一部がレーザ光として共振器端面から出射される。
T. Takeuchi et al., Jap. J. Appl. Phys. 39, 413-416, 2000

従来からのＧａＮ半導体レーザダイオードでは、波長域に関係なく、クラッド層にＡｌＧａＮを適用し、ガイド層にＧａＮを適用してきた。
しかし、ＡｌＧａＮクラッド層とＧａＮガイド層との組み合わせは、４０５ｎｍのような青色波長域の光の閉じ込めには適切であるが、たとえば、５３２ｎｍのような緑色の波長域では、必ずしも適切に光を閉じ込めることができず、活性層で発生した光が外部に漏れ出てくる場合がある。この問題を、図１１を用いて詳しく説明する。

図１１は、ＡｌＧａＮのＡｌ組成ｘに対する屈折率の変化を示す。複数の曲線は、異なる波長に対する屈折率変化を示しており、４００ｎｍ，４５０ｎｍ，５００ｎｍ，５５０ｎｍ，６００ｎｍの各波長に対応している。波長４００ｎｍの曲線に注目すると、Ａｌ組成が零のとき、すなわち、ＧａＮの屈折率が２．５３であることがわかる。また、Ａｌ組成が０．０７のとき、すなわち、Ａｌ_0.07ＧａＮ（Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎであり、Ａｌ組成ｘ＝０．０７のＡｌ_xＧａ_1-xＮを表す。III族元素とＶ族元素との組成比は１：１になるので、以下では、簡単のためＡｌ_0.07ＧａＮと表記する。）の屈折率は２．４７であることがわかる。一般に、ガイド層とクラッド層との間の屈折率差Δｎが０．０４以上（好ましくは０．０５以上）であれば、光の閉じ込めには十分であることが知られている。したがって、波長４００ｎｍ付近の発光波長のレーザダイオードの場合には、ＧａＮガイド層とＡｌ_0.07ＧａＮクラッド層との組み合わせにより、導波路内に光を良好に閉じ込めることができる。

ところが、波長が長くなるに従って、Ａｌ組成の増加に対する屈折率の変化が小さくなり、波長５００ｎｍ以上の場合には、ＧａＮガイド層とＡｌ_0.07ＧａＮクラッド層との組み合わせでは、屈折率差Δｎは０．０４よりもかなり小さくなってしまう。したがって、波長５３２ｎｍのような緑色の波長域では、光の閉じ込めが不充分になる。すなわち、III族窒化物半導体の組成の変化に対する屈折率の変化は、波長に依存するので、発光波長に応じてクラッド層およびガイド層の組成を適切に選択する必要がある。

図１１からは、波長５００ｎｍ以上の場合でも、Ａｌ組成を増やすことによって、ＧａＮとの屈折率差Δｎを０．０４以上としたＡｌＧａＮ層を形成できることがわかる。
ところが、Ａｌ組成を多くすると、ＧａＮ基板との格子不整合が大きくなるため、クラックが入りやすくなり、歩留まりが悪くなる。そのため、現実には、波長５００ｎｍ以上の場合に、ＡｌＧａＮクラッド層とＧａＮガイド層との屈折率差Δｎを０．０４以上（より好ましくは０．０５以上）とするのは困難である。

上記のような事情により、一般に、４５０ｎｍ以上の波長域では、ＡｌＧａＮクラッド層とＧａＮガイド層との組み合わせで屈折率差Δｎを０．０４以上（より好ましくは０．０５以上）とするのは困難である。
そこで、この発明の目的は、４５０ｎｍ以上の発光波長であっても、良好な光閉じ込めが可能で、かつ、結晶性も良好な半導体レーザダイオードを提供することである。

この発明は、非極性面または半極性面を結晶成長の主面とするIII族窒化物半導体積層構造を含む半導体レーザダイオードを提供する。前記III族窒化物半導体積層構造は、ｐ型クラッド層およびｎ型クラッド層と、これらのｐ型クラッド層およびｎ型クラッド層に挟まれた、Ｉｎを含むｐ型ガイド層およびｎ型ガイド層と、これらのｐ型ガイド層およびｎ型ガイド層に挟まれた、Ｉｎを含む発光層とを含む。

この構成によれば、ガイド層はＩｎ（インジウム）を含むIII族窒化物半導体からなる。これにより、４５０ｎｍ以上の波長域においても、ガイド層とクラッド層との間の必要な屈折率差（たとえば０．０４。好ましくは０．０５以上）を確保することができ、良好な光閉じ込めを実現することができる。しかも、Ａｌ組成の大きなIII族窒化物半導体層を要することなく良好な光閉じ込めを行えるので、格子不整合に起因するクラックが生じやすくなることもなく、III族窒化物半導体積層構造は良好な結晶性を有することができる。これにより、発振効率の良い半導体レーザダイオードを実現できる。

加えて、III族窒化物半導体積層構造は、非極性面（ノンポーラ面）または半極性面（セミポーラ面）を結晶成長の主面としていることから、極性面（ｃ面）を主面とする場合に比較して分極の影響が少ない。そのため、分極の影響なしに、発光層やガイド層のＩｎ組成を増やしたり、ガイド層の層厚を厚くして光閉じ込め効率の向上を図ったりすることができる。極性面を結晶成長の主面とする場合には、たとえば、発光層が量子井戸構造からなる場合に、量子井戸（たとえばＩｎを含むもの）での自発圧電分極により、キャリヤが分離し、発光効率が悪くなる。とくに、Ｉｎ組成を増やして長波長化を図ろうとすると、自発圧電分極が顕著になる。また、ガイド層は、たとえば、ｐ型ガイド層およびｎ型ガイド層の合計で１０００Å程度となるが、極性面を結晶成長の主面としていると、分極の影響により、ビルトイン電圧が高くなる。そこで、この発明のように、非極性面または半極性面を結晶成長主面とするIII族窒化物半導体積層構造で半導体レーザダイオードを構成することにより、自発圧電分極によるキャリヤの分離を抑制でき、発光効率を向上できる。その結果、レーザ発振を生じさせるために必要な閾値電圧を抑制することができ、かつ、スロープ効率を向上できる。さらに、自発圧電分極によるキャリヤの分離を抑制できることにより、発光波長の電流依存性が抑制されるので、安定した発振波長を実現することができる。

前記非極性面とは、ａ面またはｍ面である。また、前記半極性面としては、（１０-１-１）面、（１０-１-３）面、（１１-２２）面を例示することができる。
前記クラッド層は、平均のＡｌ組成が７％未満（好ましくは５％未満）のIII族窒化物半導体からなることが好ましい。さらには、前記クラッド層が、Ａｌを含まないIII族窒化物半導体からなることが好ましい。

この構成により、クラックの発生を抑制しながら、たとえば、４６０ｎｍ以上の発光波長の良好な半導体レーザダイオードを実現できる。
さらに、クラッド層がＡｌを含まない場合には、III族窒化物半導体積層構造の成長を容易に行うことができる。より具体的に説明すると、Ａｌを含むIII族窒化物半導体（たとえばＡｌＧａＮ）は、減圧条件（たとえば、５０ｋＰａ以下）で成長させる必要がある。これに対して、Ａｌを含まないIII族窒化物半導体（たとえば、ＧａＮやＩｎＧａＮ）は、比較的圧力の高い条件（たとえば、１００ｋＰａ）で成長させることが可能である。したがって、ＡｌＧａＮからなるクラッド層を成長させる必要のあった従来技術では、複数層の結晶成長時の圧力差が大きく、結晶成長装置の設計が困難であった。これに対して、Ａｌを含まないIII族窒化物半導体でクラッド層を構成すると、クラッド層、ガイド層および発光層を近似した圧力条件下で成長させることができる。そのため、結晶成長装置の設計が容易になる。

しかも、ＡｌＧａＮの成長温度は高温（たとえば、１０５０℃以上）であるので、Ｉｎを含む発光層に対して熱ダメージを与えるおそれがある。これに対して、Ａｌを含まないIII族窒化物半導体でクラッド層を形成するようにすれば、このようなクラッド層は比較的低温（たとえば、１０００℃以下）で形成できる。そのため、発光層の形成後にクラッド層を形成する場合でも、発光層に対する熱ダメージを抑制することができる。これにより、発光効率の向上に寄与することができる。

前記ガイド層と前記クラッド層との屈折率差が０．０４以上（より好ましくは０．０５以上）となるように設計されていることが好ましい。これにより、光をより確実に閉じ込めることができる。
たとえば、発光層の発光波長が４６０ｎｍに近い青色領域の場合には、クラッド層の平均Ａｌ組成は５％未満とすることが適切である。より好ましくは、クラッド層のＡｌ組成を２％〜５％とし、ガイド層のＩｎ組成を１％〜３％とするとよい。

また、発光層の発光波長が５３０ｎｍに近い緑色領域の場合には、クラッド層の平均Ａｌ組成は１％以下、好ましくは０％とすることが適切である。この場合に、ガイド層のＩｎ組成は３％〜５％とするとよい。
また、前記発光層は、Ｉｎを含む厚さ１００Å以下の井戸層を複数（好ましくは３個以下）有する多重量子井戸構造を有していることが好ましい。この構成により、発光効率を高めることができる。

前記III族窒化物半導体積層構造の結晶成長の主面は、ｍ面であることが好ましい。ｍ面は、安定な非極性面であるので、結晶成長を極めて安定に行うことができ、ｃ面やその他の結晶面を結晶成長の主面とする場合に比較して、結晶性を向上することができる。その結果、高性能のレーザダイオードの作製が可能になる。
結晶成長の主面がｍ面である場合、III族窒化物半導体積層構造は、ｍ軸方向に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、発光層、ｐ型ガイド層およびｐ型クラッド層を積層した構造となる。ｃ面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなる発光層から取り出される光は、ランダム偏光（無偏光）状態となる。これに対して、ｃ面以外、すなわち、ａ面、ｍ面等の非極性（ノンポーラ）面、または半極性（セミポーラ）面を成長主面とするIII族窒化物半導体を用いて形成した発光層は、強い偏光状態の発光が可能である。そして、ｍ面を結晶成長の主面とした発光層は、ｍ面に平行な偏光成分（より具体的にはａ軸方向の偏光成分）を多く含む光を発生する。これにより、発光層で生じた光のうち、多くの割合をレーザ発振に寄与させることができるので、レーザ発振の効率が良くなり、閾値電流を低減することができる。

さらにまた、ｍ面を結晶成長主面としていることにより、ｃ軸方向とａ軸方向に物性の異方性が生じる。さらに、たとえば、発光層が量子井戸構造（より具体的にはＩｎを含むもの）からなる場合に、Ｉｎを含む発光層（活性層）は、格子歪みによる２軸性応力によって、量子井戸のバンド構造が、ｃ面を結晶成長主面とした半導体レーザの場合とは異なるものとなる。これにより、ｃ面を結晶成長の主面とした半導体レーザの場合とは異なる利得が得られ、レーザ特性を向上することができる。

さらに、前記III族窒化物半導体積層構造がＧａＮ基板上に結晶成長したものであることが好ましい。これにより、III族窒化物半導体層は、積層欠陥などのない良好な結晶性を有することができ、一層効率的な発光が可能になる。また、ＧａＮ基板は熱伝導率が高いので、放熱性の向上にも寄与できる。
とくに、前記III族窒化物半導体積層構造を、ｍ面を結晶成長のための成長面とするＧａＮ単結晶基板上に結晶成長させることが好ましい。転位密度の極めて低い（好ましくは転位が全くない）ＧａＮ単結晶基板を使用することで、III族窒化物半導体積層構造は、欠陥の少ない高品質な結晶となる。これにより、高性能のレーザダイオードの作製が可能になる。さらに具体的には、III族窒化物半導体積層構造を、ＧａＮ基板の成長面より生じた積層欠陥または貫通転位を含まない結晶とすることができる。これにより、欠陥による発光効率低下などの特性劣化の要因を抑制できる。

前記ＧａＮ単結晶基板の主面のオフ角（ｍ面の面方位からのオフ角）は±１°以内であることが好ましい。これにより、より確実に無転位で平坦なIII族窒化物半導体結晶を成長させることができる。
前記III族窒化物半導体積層構造は、前記ｐ型クラッド層を含むｐ型半導体層を備え、このｐ型半導体層の一部が除去されて、所定方向に沿ったストライプが形成されており、このストライプの方向に垂直に一対の共振器端面が形成されたものであってもよい。この構成では、ｐ型半導体層の一部が除去されてストライプが形成されているので、量産性の良い半導体レーザを提供することができ、かつ、特性の再現性に優れた半導体レーザを実現できる。

前記ストライプは、リッジ形状（メサ形）に形成されていて、前記ストライプとｐ側電極との接触部を除く当該ストライプの表面が、絶縁膜で保護されていることが好ましい。この構成により、横方向からの光閉じ込めを緩やかにすることができるので、制御しやすくすることができる。また、側面からのリーク電流を防ぐことができる。前記絶縁膜の材料としては、屈折率が１よりも大きいもの、たとえば、ＺｒＯ₂やＳｉＯ₂を適用することが好ましい。

III族窒化物半導体積層構造の成長主面をｍ面とする場合に、前記ストライプの方向をｃ軸方向とし、前記一対の共振器端面を＋ｃ面および−ｃ面とすることが好ましい。この構成によれば、ｃ軸方向にストライプを形成し、ｃ面に沿う劈開を行うことにより、良好な共振器端面を形成することができる。
前記−ｃ面の共振器端面は、絶縁膜からなる保護膜によって被覆しておくことが好ましい。この構成によれば、アルカリに溶けるなど化学的に弱い−ｃ面を絶縁膜からなる保護膜で保護することにより、信頼性を高めることができる。

前記発光層が量子井戸構造からなる場合に、前記量子井戸構造を構成する量子井戸のｃ軸方向への平坦性が、１０Å以下であることが好ましい。この構成により、発光スペクトルの半値幅を低くすることができる。また、ｃ軸方向に沿ってストライプが形成されている場合に、導波路を伝搬する光子の吸収ロスを低減できる。
III族窒化物半導体積層構造の結晶成長主面をｍ面とする場合に、前記ストライプの方向をａ軸方向とし、前記一対の共振器端面をａ面としてもよい。III族窒化物半導体積層構造を結晶成長させるとき、積層欠陥はｃ面に平行に発生する。そこで、ｃ面と平行なａ軸方向にストライプを形成し、一対の共振器端面をａ面とすれば、積層欠陥と導波路とが交差しなくなる。これにより、積層欠陥による光導波の妨害やリーク電流の増加を回避できる。

前記共振器端面は、劈開面であることが好ましい。これにより、良好な共振器端面となるので、微細な凹凸による光の乱反射を抑えることができる。
前記III族窒化物半導体積層構造の結晶成長主面をｍ面とする場合に、前記ｐ型半導体層のｍ面にｐ側電極が形成されており、前記III族窒化物半導体積層構造が導電性基板（たとえばＧａＮ基板）の一主面に成長させられており、この導電性基板の他の主面がｍ面であり、当該他の主面にｎ側電極が形成されていることが好ましい。この構成によれば、ｐ側電極およびｎ側電極が、いずれも安定なｍ面に形成されているので、レーザの高出力化や高温動作に十分耐えられる信頼性を実現できる。たとえば、従来からのｃ面を成長主面とするレーザダイオードの場合には、裏面の結晶面が−ｃ面となっていたため、裏面電極の信頼性が乏しかった。

前記III族窒化物半導体積層構造は、前記ｎ型クラッド層と当該III族窒化物半導体積層構造を担持する基板との間に、２軸性応力を有するＩｎを含む層を備えていることが好ましい。この構成によれば、２軸性応力を有するＩｎを含む層を設けることで、III族窒化物半導体積層構造に、ｃ面と平行なクラック（結晶の亀裂）が生じることを抑制できる。
前記III族窒化物半導体積層構造は、III族元素原料に対する窒素原料の割合であるＶ／III比が１０００以上（たとえば、３０００以上）の条件で少なくとも一部が成長（たとえば、有機金属気相成長法により成長）され、前記ｎ型クラッド層を含むｎ型半導体層を備えていることが好ましい。この構成により、ｎ型半導体層を良好な結晶性で成長させることができるので、このｎ型半導体層に積層して形成される発光層の結晶性が向上する。その結果、発光特性を向上させることができる。

前記III族窒化物半導体積層構造は、III族元素原料に対する窒素原料の割合であるＶ／III比について、ｎ型クラッド層から最上層のｐ型コンタクト層までの平均値が１０００以上であることが好ましい。この構成により、とくに、結晶成長主面をｍ面とする場合には、ｎ型クラッド層、発光層、ｐ型クラッド層の全ての層において、点欠陥の少ない良好な結晶を得ることができる。

前記発光層は、Ｉｎを１３％以上含むＡｌＩｎＧａＮからなり、この発光層から発生する光子の波長が４５０ｎｍ〜５５０ｎｍであることが好ましい。Ｉｎを１３％以上含むＡｌＩｎＧａＮで発光層を構成して波長４５０〜５５０ｎｍの発光を生じさせようとする場合、ｃ面を成長主面とするときには、たとえば、発光層が多重量子井戸構造を有する場合に、量子井戸での分極が顕著になる。これに対し、この発明では、非極性面または半極性面を結晶成長主面としたIII族窒化物半導体積層構造を用いているので、量子井戸での分極を抑制することができ、発光効率を増加することができる。すなわち、４５０〜５５０ｎｍの波長域においては、分極の抑制による発光効率向上の効果が顕著になる。

前記発光層は、７００torr以上の成長圧力で結晶成長されたものであることが好ましい。成長圧力が高いほどＩｎを含む発光層の成長温度を高くすることができるので、耐熱性に優れた発光層を形成することができる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体レーザダイオードの構成を説明するための斜視図であり、図２は、図１のII−II線に沿う縦断面図であり、図３は、図１のIII−III線に沿う横断面図である。
この半導体レーザダイオード７０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成されたIII族窒化物半導体積層構造２と、基板１の裏面（III族窒化物半導体積層構造２と反対側の表面）に接触するように形成されたｎ側電極３と、III族窒化物半導体積層構造２の表面に接触するように形成されたｐ側電極４とを備えたファブリペロー型のものである。

基板１は、この実施形態では、ＧａＮ単結晶基板で構成されている。この基板１は、ｍ面を主面としたものであり、この主面上における結晶成長によって、III族窒化物半導体積層構造２が形成されている。したがって、III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ面を結晶成長主面とするIII族窒化物半導体からなる。
III族窒化物半導体積層構造２は、発光層１０と、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２とを備えている。ｎ型半導体層１１は発光層１０に対して基板１側に配置されており、ｐ型半導体層１２は発光層１０に対してｐ側電極４側に配置されている。こうして、発光層１０が、ｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２によって挟持されていて、ダブルヘテロ接合が形成されている。発光層１０には、ｎ型半導体層１１から電子が注入され、ｐ型半導体層１２から正孔が注入される。これらが発光層１０で再結合することにより、光が発生するようになっている。

ｎ型半導体層１１は、基板１側から順に、ｎ型ＧａＮコンタクト層１３（たとえば２μｍ厚）、ｎ型ＧａＮクラッド層１４（１．５μｍ厚以下。たとえば１．０μｍ厚）およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５（たとえば０．１μｍ厚）を積層して構成されている。一方、ｐ型半導体層１２は、発光層１０の上に、順に、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６（たとえば２０ｎｍ厚）、ｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７（たとえば０．１μｍ厚）、ｐ型ＧａＮクラッド層１８（１．５μｍ厚以下。たとえば０．４μｍ厚）およびｐ型ＧａＮコンタクト層１９（たとえば０．１μｍ厚）を積層して構成されている。

ｎ型ＧａＮコンタクト層１３は低抵抗層である。ｐ型ＧａＮコンタクト層１９は、ｐ側電極４とのオーミックコンタクトをとるための低抵抗層である。ｎ型ＧａＮコンタクト層１３は、ＧａＮにたとえばｎ型ドーパントとしてのＳｉを高濃度にドープ（ドーピング濃度は、たとえば、３×１０¹⁸cm^-3）することによってｎ型半導体とされている。また、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９は、ＧａＮにｐ型ドーパントとしてのＭｇを高濃度にドープ（ドーピング濃度は、たとえば、３×１０¹⁹cm^-3）することによってｐ型半導体層とされている。

ｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｐ型ＧａＮクラッド層１８は、発光層１０からの光をそれらの間に閉じ込める光閉じ込め効果を生じるものである。ｎ型ＧａＮクラッド層１４は、ＧａＮにたとえばｎ型ドーパントとしてのＳｉをドープ（ドーピング濃度は、たとえば、１×１０¹⁸cm^-3）することによってｎ型半導体とされている。また、ｐ型ＧａＮクラッド層１８は、ｐ型ドーパントとしてのＭｇをドープ（ドーピング濃度は、たとえば、１×１０¹⁹cm^-3）することによってｐ型半導体層とされている。ｎ型ＧａＮクラッド層１４は、ｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５よりもバンドギャップが広く、ｐ型ＧａＮクラッド層１８は、ｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７よりもバンドギャップが広い。これにより、ＧａＮクラッド層１４，１８は、ＩｎＧａＮガイド層１５，１７よりも十分に大きな屈折率を有するので、良好な閉じ込めを行うことができ、低閾値および高効率の半導体レーザダイオードを実現できる。

ｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７は、発光層１０にキャリヤ（電子および正孔）を閉じ込めるためのキャリヤ閉じ込め効果を生じる半導体層である。これにより、発光層１０における電子および正孔の再結合の効率が高められるようになっている。ｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５は、ＩｎＧａＮにたとえばｎ型ドーパントとしてのＳｉをドープ（ドーピング濃度は、たとえば、１×１０¹⁸cm^-3）することによりｎ型半導体とされており、ｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７は、ＩｎＧａＮにたとえばｐ型ドーパントとしてのＭｇをドープする（ドーピング濃度は、たとえば、５×１０¹⁸cm^-3）ことによってｐ型半導体とされている。

ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６は、ＡｌＧａＮにｐ型ドーパントとしてのたとえばＭｇをドープ（ドーピング濃度は、たとえば、５×１０¹⁸cm^-3）して形成されたｐ型半導体であり、発光層１０からの電子の流出を防いで、電子および正孔の再結合効率を高めている。ガイド層１５，１７にＩｎＧａＮを用いる場合には、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６のＡｌ組成は、ガイド層をＧａＮ層で構成する場合に比較して、低くすることができる（たとえば、５％〜１５％）。

発光層１０は、たとえばＩｎＧａＮを含むＭＱＷ(multiple-quantum well)構造（多重量子井戸構造）を有しており、電子と正孔とが再結合することにより光が発生し、その発生した光を増幅させるための層である。発光層１０は、具体的には、ＩｎＧａＮ層（１００Å厚以下。たとえば３ｎｍ厚）とＧａＮ層（たとえば９ｎｍ厚）とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。この場合に、ＩｎＧａＮ層は、Ｉｎの組成比が５％以上とされることにより、バンドギャップが比較的小さくなり、量子井戸層を構成する。一方、ＧａＮ層は、バンドギャップが比較的大きなバリア層（障壁層）として機能する。たとえば、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とは交互に２〜７周期繰り返し積層されて、ＭＱＷ構造の発光層１０が構成されている。発光波長は、量子井戸層（ＩｎＧａＮ層）におけるＩｎの組成を調整することによって、たとえば、４５０ｎｍ〜５５０ｎｍとされている。前記ＭＱＷ構造は、Ｉｎを含む量子井戸の数が３以下とされることが好ましい。

より具体的には、発光波長を４６０ｎｍ近傍の青色領域とするときには、量子井戸層におけるＩｎ組成は、１２％〜１６％（たとえば、１４％）とするとよい。この場合に、ＩｎＧａＮガイド層１５，１７のＩｎ組成は、１％〜３％（たとえば３％）とされ、たとえばＩｎ_0.03ＧａＮによってガイド層１５，１７を形成するとよい。
また、発光波長を５３０ｎｍ近傍の緑色領域とするときには、量子井戸層におけるＩｎ組成は、２１％〜２５％（たとえば、２３％）とするとよい。この場合に、ＩｎＧａＮガイド層１５，１７のＩｎ組成は、３％〜５％（たとえば５％）とされ、Ｉｎ_0.05ＧａＮによってガイド層１５，１７を形成するとよい。

ｐ型半導体層１２は、その一部が除去されることによって、リッジストライプ２０を形成している。より具体的には、ｐ型コンタクト層１９、ｐ型ＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７の一部がエッチング除去され、横断面視ほぼ台形形状（メサ形）のリッジストライプ２０が形成されている。このリッジストライプ２０は、ｃ軸方向に沿って形成されている。

III族窒化物半導体積層構造２は、リッジストライプ２０の長手方向両端における劈開により形成された一対の端面２１，２２（劈開面）を有している。この一対の端面２１，２２は、互いに平行であり、いずれもｃ軸に垂直である。こうして、ｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５、発光層１０およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７によって、端面２１，２２を共振器端面とするファブリペロー共振器が形成されている。すなわち、発光層１０で発生した光は、共振器端面２１，２２の間を往復しながら、誘導放出によって増幅される。そして、増幅された光の一部が、共振器端面２１，２２からレーザ光として素子外に取り出される。

ｎ側電極３は、たとえばＡｌ金属からなり、ｐ側電極４は、たとえば、Ｐｄ／Ａｕ合金からなり、それぞれｐ型コンタクト層１９および基板１にオーミック接続されている。ｐ側電極４がリッジストライプ２０の頂面（ストライプ状の接触領域）のｐ型ＧａＮコンタクト層１９だけに接触するように、ｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７およびｐ型ＧａＮクラッド層１８の露出面を覆う絶縁層６が設けられている。これにより、リッジストライプ２０に電流を集中させることができるので、効率的なレーザ発振が可能になる。また、リッジストライプ２０の表面は、ｐ側電極４との接触部を除く領域が絶縁層６で覆われて保護されているので、横方向の光閉じ込めを緩やかにして制御を容易にすることができるとともに、側面からのリーク電流を防ぐことができる。絶縁層６は、屈折率が１よりも大きな絶縁材料、たとえば、ＳｉＯ₂やＺｒＯ₂で構成することができる。

さらに、リッジストライプ２０の頂面はｍ面となっていて、このｍ面にｐ側電極４が形成されている。そして、ｎ側電極３が形成されている基板１の裏面もｍ面である。このように、ｐ側電極４およびｎ側電極３のいずれもがｍ面に形成されているので、レーザの高出力化や高温動作に十分に耐えられる信頼性を実現できる。
共振器端面２１，２２は、それぞれ絶縁膜２３，２４（図１では図示を省略した。）によって被覆されている。共振器端面２１は、＋ｃ軸側端面であり、共振器端面２２は−ｃ軸側端面である。すなわち、共振器端面２１の結晶面は＋ｃ面であり、共振器端面２２の結晶面は−ｃ面である。−ｃ面側の絶縁膜２４は、アルカリに溶けるなど化学的に弱い−ｃ面を保護する保護膜として機能することができ、半導体レーザダイオード７０の信頼性の向上に寄与する。

図４に図解的に示すように、＋ｃ面である共振器端面２１を被覆するように形成された絶縁膜２３は、たとえばＺｒＯ₂の単膜からなる。これに対し、−ｃ面である共振器端面２２に形成された絶縁膜２４は、たとえばＳｉＯ₂膜とＺｒＯ₂膜とを交互に複数回（図４の例では５回）繰り返し積層した多重反射膜で構成されている。絶縁膜２３を構成するＺｒＯ₂の単膜は、その厚さがλ／２ｎ₁（ただし、λは発光層１０の発光波長。ｎ₁はＺｒＯ₂の屈折率）とされている。一方、絶縁膜２４を構成する多重反射膜は、膜厚λ／４ｎ₂（但しｎ₂はＳｉＯ₂の屈折率）のＳｉＯ₂膜と、膜厚λ／４ｎ₁のＺｒＯ₂膜とを交互に積層した構造となっている。

このような構造により、＋ｃ軸側端面２１における反射率は小さく、−ｃ軸側端面２２における反射率が大きくなっている。より具体的には、たとえば、＋ｃ軸側端面２１の反射率は２０％程度とされ、−ｃ軸側端面２２における反射率は９９．５％程度（ほぼ１００％）となる。したがって、＋ｃ軸側端面２１から、より大きなレーザ出力が出射されることになる。すなわち、この半導体レーザダイオード７０では、＋ｃ軸側端面２１が、レーザ出射端面とされている。

このような構成によって、ｎ側電極３およびｐ側電極４を電源に接続し、ｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２から電子および正孔を発光層１０に注入することによって、この発光層１０内で電子および正孔の再結合を生じさせ、たとえば、波長４５０ｎｍ〜５５０ｎｍの光を発生させることができる。この光は、共振器端面２１，２２の間をガイド層１５，１７に沿って往復しながら、誘導放出によって増幅される。そして、レーザ出射端面である共振器端面２１から、より多くのレーザ出力が外部に取り出されることになる。

図５は、III族窒化物半導体の結晶構造のユニットセルを表した図解図である。III族窒化物半導体の結晶構造は、六方晶系で近似することができ、一つのIII族原子に対して４つの窒素原子が結合している。４つの窒素原子は、III族原子を中央に配置した正四面体の４つの頂点に位置している。これらの４つの窒素原子は、一つの窒素原子がIII族原子に対して＋ｃ軸方向に位置し、他の三つの窒素原子がIII族原子に対して−ｃ軸側に位置している。このような構造のために、III族窒化物半導体では、分極方向がｃ軸に沿っている。

ｃ軸は六角柱の軸方向に沿い、このｃ軸を法線とする面（六角柱の頂面）がｃ面（０００１）である。ｃ面に平行な２つの面でIII族窒化物半導体の結晶を劈開すると、＋ｃ軸側の面（＋ｃ面）はIII族原子が並んだ結晶面となり、−ｃ軸側の面（−ｃ面）は窒素原子が並んだ結晶面となる。そのため、ｃ面は、＋ｃ軸側と−ｃ軸側とで異なる性質を示すので、極性面(Polar Plane)と呼ばれる。

＋ｃ面と−ｃ面とは異なる結晶面であるので、それに応じて、異なる物性を示す。具体的には、＋ｃ面は、アルカリに強いなどといった化学反応性に対する耐久性が高い性質を示し、逆に、−ｃ面は化学的に弱く、たとえば、アルカリに溶けてしまうことが分かっている。
一方、六角柱の側面がそれぞれｍ面（１０-１０）であり、隣り合わない一対の稜線を通る面がａ面（１１-２０）である。これらは、ｃ面に対して直角な結晶面であり、分極方向に対して直交しているため、極性のない平面、すなわち、非極性面(Nonpolar Plane)である。さらに、ｃ面に対して傾斜している（平行でもなく直角でもない）結晶面は、分極方向に対して斜めに交差しているため、若干の極性のある平面、すなわち、半極性面(Semipolar Plane)である。半極性面の具体例は、（１０-１-１）面、（１０-１-３）面、（１１-２２）面などの面である。

非特許文献１に、ｃ面に対する結晶面の偏角と当該結晶面の法線方向の分極との関係が示されている。この文献から、（１１-２４）面、（１０-１２）面なども分極の少ない結晶面であり、大きな偏光状態の光を取り出すために採用される可能性のある有力な結晶面であると言える。
たとえば、ｍ面を主面とするＧａＮ単結晶基板は、ｃ面を主面としたＧａＮ単結晶から切り出して作製することができる。切り出された基板のｍ面は、たとえば、化学的機械的研磨処理によって研磨され、（０００１）方向および（１１−２０）方向の両方に関する方位誤差（オフ角）が、±１°以内（好ましくは±０．３°以内）とされる。こうして、ｍ面を主面とし、かつ、転位や積層欠陥といった結晶欠陥のないＧａＮ単結晶基板が得られる。このようなＧａＮ単結晶基板の表面には、原子レベルの段差が生じているにすぎない。

このようにして得られるＧａＮ単結晶基板上に、有機金属気相成長法によって、半導体レーザダイオード構造を構成するIII族窒化物半導体積層構造２が成長させられる。
ｍ面を主面とするＧａＮ単結晶基板１上にｍ面を成長主面とするIII族窒化物半導体積層構造２を成長させてａ面に沿う断面を電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：走査透過電子顕微鏡）で観察すると、III族窒化物半導体積層構造２には、転位の存在を表す条線が見られない。そして、表面状態を光学顕微鏡で観察すると、ｃ軸方向への平坦性（最高部と最低部との高さの差）は１０Å以下であることが分かる。このことは、発光層１０、とくに量子井戸層のｃ軸方向への平坦性が１０Å以下であることを意味し、発光スペクトルの半値幅を低くすることができる。

このように、無転位でかつ積層界面が平坦なｍ面III族窒化物半導体を成長させることができる。ただし、ＧａＮ単結晶基板１の主面のオフ角は±１°以内（好ましくは±０．３°以内）とすることが好ましく、たとえば、オフ角を２°としたｍ面ＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ半導体層を成長させると、ＧａＮ結晶がテラス状に成長し、オフ角を±１°以内とした場合のような平坦な表面状態とすることができないおそれがある。

ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板上に結晶成長させられるIII族窒化物半導体は、ｍ面を成長主面として成長する。ｃ面を主面として結晶成長した場合には、ｃ軸方向の分極の影響で、発光層１０での発光効率が悪くなるおそれがある。これに対して、ｍ面を結晶成長主面とすれば、量子井戸層での分極が抑制され、発光効率が増加する。これにより、閾値の低下やスロープ効率の増加を実現できる。また、分極が少ないため、発光波長の電流依存性が抑制され、安定した発振波長を実現できる。

また、ｍ面を結晶成長の主面とすることにより、III族窒化物半導体結晶の成長を極めて安定に行うことができ、ｃ面やａ面を結晶成長主面とする場合よりも、結晶性を向上することができる。これにより、高性能のレーザダイオードの作製が可能になる。
発光層１０は、ｍ面を結晶成長主面として成長させられたIII族窒化物半導体からなるので、ここから発生する光は、ａ軸方向、すなわちｍ面に平行な方向に偏光しており、ＴＥモードの場合、その進行方向はｃ軸方向である。いいかえると、ａ軸方向に偏光したａ面内方向へ出射する光子の割合が多いので、横方向の閉じ込めをしなくても、自ずとｃ軸方向に伝搬する光の割合が多い。したがって、半導体レーザダイオード７０は、結晶成長主面が偏光方向に平行であり、かつ、ストライプ方向、すなわち導波路の方向が光の進行方向と平行に設定されている。これにより、ＴＥモードの発振を容易に生じさせることができ、レーザ発振を生じさせるための閾値電流を低減することができる。

換言すれば、ｍ面を結晶成長の主面とすることにより、ｃ軸方向とａ軸方向とに物性の異方性が生じる。さらに、Ｉｎを含む発光層１２は、格子歪みによる２軸性応力によって、ｃ面を結晶成長の主面とした場合とは異なる量子井戸バンド構造が生じる。その結果、ｃ面を結晶成長の主面としたIII族窒化物半導体の場合とは異なる利得が得られ、それにより、レーザ特性を向上することができる。

また、この実施形態では、基板１としてＧａＮ単結晶基板を用いているので、III族窒化物半導体積層構造２は、欠陥の少ない高い結晶品質を有することができる。その結果、高性能のレーザダイオードを実現できる。
さらにまた、実質的に転位のないＧａＮ単結晶基板上にIII族窒化物半導体積層構造を成長させることにより、このIII族窒化物半導体積層構造２は基板１の成長面（ｍ面）からの積層欠陥や貫通転位が生じていない良好な結晶とすることができる。これにより、欠陥に起因する発光効率低下などの特性劣化を抑制することができる。

図６Ａは、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘに対する屈折率の変化を示す図であり、図６Ｂは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮのＡｌ組成ｘに対する屈折率の変化を示す図である。複数の曲線は、異なる波長に対する屈折率変化を示しており、４００ｎｍ，４５０ｎｍ，５００ｎｍ，５５０ｎｍ，６００ｎｍの各波長に対応している。波長５００ｎｍに対するＩｎＧａＮの屈折率変化を表す曲線に注目すると、Ｉｎ組成が零のとき、すなわち、ＧａＮの屈折率は２．４であり、Ｉｎ組成が０．０５のとき、すなわち、Ｉｎ_0.05ＧａＮの屈折率が２．４５であることがわかる。したがって、クラッド層１４，１８をＧａＮで構成し、ガイド層１５，１７をＩｎ_0.05ＧａＮで構成すれば、両者の屈折率差Δｎが０．０５となり、良好な光閉じ込め性を得ることができる。しかも、Ａｌ組成が零なので、クラックを抑制できるから、歩留まりを向上できる。

より具体的には、波長４６０ｎｍにおいて、クラッド層１４，１８をＧａＮで構成し、ガイド層１５，１７のＩｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘを０．０４とした場合の屈折率差Δｎは、０．０４５であった。したがって、発光層１０の発光波長が４６０ｎｍに近い青色領域の場合には、たとえば、クラッド層１４，１８をＧａＮで構成し、ガイド層１５，１７のＩｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘを０．０４から０．０６の範囲とすればよい。また、たとえば、波長５３０ｎｍでは、クラッド層１４，１８をＧａＮで構成し、ガイド層１５，１７のＩｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘを０．０５とした場合の屈折率差Δｎは０．０４５であった。したがって、発光層１０の発光波長が５３０ｎｍに近い緑色領域の場合には、たとえば、クラッド層１４，１８をＧａＮで構成し、ガイド層１５，１７のＩｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘを０．０５から０．０６の範囲とすればよい。

クラッド層１４，１８およびガイド層１５，１７をＩｎ組成の異なるＩｎＧａＮ層（ＧａＮ層を含む）の組み合わせで構成する場合には、ＡｌＧａＮ層を用いる場合とは異なり、Ｉｎ組成を増やしても格子不整合増加の問題が少なく、したがって、クラックが生じやすくなることがない。そこで、必要な屈折率差Δｎが確保できるように、Ｉｎ組成を選択して、クラッド層１４，１８およびガイド層１５，１７を構成することができる。そうすると、図６Ａから容易に理解されるように、いずれの波長域においても、屈折率差Δｎを０．０４以上（好ましくは０．０５以上）とするクラッド層１４，１８およびガイド層１５，１７の組み合わせを容易に設計することができる。

一方、ＡｌＧａＮを用いる場合でも、平均のＡｌ組成が７％未満（好ましくは、５％未満）であれば、格子不整合に起因するクラック発生を抑制できる。そこで、このような組成の範囲でＡｌＧａＮをクラッド層１４，１８に用いてもよい。より具体的には、波長４６０ｎｍにおいて、クラッド層１４，１８のＡｌ_yＧａ_1-yＮのＡｌ組成ｙを０．０３とし、ガイド層１５，１７のＩｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘを０．０２とした場合の屈折率差Δｎは、０．０４５であった。したがって、発光層１０の発光波長が４６０ｎｍに近い青色領域の場合には、たとえば、クラッド層１４，１８のＡｌ_yＧａ_1-yＮのＡｌ組成ｙを０．０３から０．０７（好ましくは０．０３から０．０５）の範囲とし、ガイド層１５，１７のＩｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘを０．０２から０．０６（好ましくは０．０２から０．０４）の範囲とすればよい。また、たとえば、波長５３０ｎｍでは、クラッド層１４，１８のＡｌ_yＧａ_1-yＮのＡｌ組成ｙを０．０３とし、ガイド層１５，１７のＩｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘを０．０４とした場合の屈折率差Δｎは０．０４５であった。したがって、発光層１０の発光波長が５３０ｎｍに近い緑色領域の場合には、たとえば、クラッド層１４，１８のＡｌ_yＧａ_1-yＮのＡｌ組成ｙを０．０３から０．０７（好ましくは０．０３から０．０５）の範囲とし、ガイド層１５，１７のＩｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘを０．０４から０．０６（好ましくは０．０４程度）の範囲とすればよい。

図７は、III族窒化物半導体積層構造２を構成する各層を成長させるための処理装置の構成を説明するための図解図である。処理室３０内に、ヒータ３１を内蔵したサセプタ３２が配置されている。サセプタ３２は、回転軸３３に結合されており、この回転軸３３は、処理室３０外に配置された回転駆動機構３４によって回転されるようになっている。これにより、サセプタ３２に処理対象のウエハ３５を保持させることにより、処理室３０内でウエハ３５を所定温度に昇温することができ、かつ、回転させることができる。ウエハ３５は、前述のＧａＮ単結晶基板１を構成するＧａＮ単結晶ウエハである。

処理室３０には、排気配管３６が接続されている。排気配管３６はロータリポンプ等の排気設備に接続されている。これにより、処理室３０内の圧力は、１／１０気圧〜常圧とされ、処理室３０内の雰囲気は常時排気されている。
一方、処理室３０には、サセプタ３２に保持されたウエハ３５の表面に向けて原料ガスを供給するための原料ガス供給路４０が導入されている。この原料ガス供給路４０には、窒素原料ガスとしてのアンモニアを供給する窒素原料配管４１と、ガリウム原料ガスとしてのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を供給するガリウム原料配管４２と、アルミニウム原料ガスとしてのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）を供給するアルミニウム原料配管４３と、インジウム原料ガスとしてのトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）を供給するインジウム原料配管４４と、マグネシウム原料ガスとしてのエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ₂Ｍｇ）を供給するマグネシウム原料配管４５と、シリコンの原料ガスとしてのシラン（ＳｉＨ₄）を供給するシリコン原料配管４６とが接続されている。これらの原料配管４１〜４６には、それぞれバルブ５１〜５６が介装されている。各原料ガスは、いずれも水素もしくは窒素（図示せず）またはこれらの両方からなるキャリヤガスとともに供給されるようになっている。

たとえば、ｍ面を主面とするＧａＮ単結晶ウエハをウエハ３５としてサセプタ３２に保持させる。この状態で、バルブ５２〜５６は閉じておき、窒素原料バルブ５１を開いて、処理室３０内に、キャリヤガスおよびアンモニアガス（窒素原料ガス）が供給される。さらに、ヒータ３１への通電が行われ、ウエハ温度が１０００℃〜１１００℃（たとえば、１０５０℃）まで昇温される。これにより、表面の荒れを生じさせることなくIII族窒化物半導体を成長させることができるようになる。

ウエハ温度が１０００℃〜１１００℃に達するまで待機した後、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２およびシリコン原料バルブ５６が開かれる。これにより、原料ガス供給路４０から、キャリヤガスとともに、アンモニア、トリメチルガリウムおよびシランが供給される。その結果、ウエハ３５の表面に、シリコンがドープされたＧａＮ層からなるｎ型ＧａＮコンタクト層１３が成長する。

続いて、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２およびシリコン原料バルブ５６を開いた状態で、原料ガス供給路４０から、キャリヤガスとともに、アンモニア、トリメチルガリウムおよびシランが供給される。その結果、ｎ型ＧａＮコンタクト層１３上に、ｎ型ＧａＮクラッド層１４がエピタキシャル成長させられる。
前述のとおり、ｎ型クラッド層１４は、平均のＡｌ組成が７％未満のＡｌＧａＮで構成することもできる。この場合には、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２およびシリコン原料バルブ５６に加えてアルミニウム原料バルブ５３を開いた状態で、原料ガス供給路４０から、キャリヤガスとともに、アンモニア、トリメチルガリウムおよびシランに加えてトリメチルアルミニウムが供給される。その結果、ｎ型ＧａＮコンタクト層１３上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４がエピタキシャル成長させられる。

次いで、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２およびシリコン原料バルブ５６に加えて、インジウム原料バルブ５４を開く。これにより、原料ガス供給路４０から、キャリヤガスとともに、アンモニア、トリメチルガリウム、シランおよびトリメチルインジウムが供給される。その結果、ｎ型ＧａＮクラッド層１４上にｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５がエピタキシャル成長させられる。ｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５の形成時には、ウエハ３５の温度は、８００℃〜９００℃（たとえば８５０℃）とされることが好ましい。このｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５のＩｎ組成は、たとえば、５％（発光波長が５３０ｎｍに近い緑色領域の場合)とされる。

次に、シリコン原料バルブ５６が閉じられ、多重量子井戸構造の発光層１０（活性層）の成長が行われる。発光層１０の成長は、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２およびインジウム原料バルブ５４を開いてアンモニア、トリメチルガリウムおよびトリメチルインジウムをウエハ３５へと供給することによりＩｎＧａＮ層（量子井戸層）を成長させる工程と、インジウム原料バルブ５４を閉じ、窒素原料バルブ５１およびガリウム原料バルブ５２を開いてアンモニアおよびトリメチルガリウムをウエハ３５へと供給することにより、無添加のＧａＮ層（バリア層）を成長させる工程とを交互に実行することによって行える。たとえば、ＧａＮ層を始めに形成し、その上にＩｎＧａＮ層を形成する。これを、たとえば、５回に渡って繰り返し行う。発光層１０の形成時には、ウエハ３５の温度は、たとえば、７００℃〜８００℃（たとえば７３０℃）とされることが好ましい。このとき、成長圧力は７００torr以上とすることが好ましく、これにより、耐熱性を向上することができる。ＩｎＧａＮ層（量子井戸層）のＩｎ組成は、前述のとおり、発光波長に応じて調整される。

次いで、ｐ型電子ブロック層１６が形成される。すなわち、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２、アルミニウム原料バルブ５３およびマグネシウム原料バルブ５５が開かれ、他のバルブ５４，５６が閉じられる。これにより、ウエハ３５に向けて、アンモニア、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムおよびエチルシクロペンタジエニルマグネシウムが供給され、マグネシウムがドープされたＡｌＧａＮ層からなるｐ型電子ブロック層１６が形成されることになる。このｐ型電子ブロック層１６の形成時には、ウエハ３５の温度は、１０００℃〜１１００℃（たとえば１０００℃）とされることが好ましい。

次に、アルミニウム原料バルブ５３が閉じられ、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２、インジウム原料バルブ５４およびマグネシウム原料バルブ５５が開かれる。これにより、ウエハ３５に向けて、アンモニア、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムおよびエチルシクロペンタジエニルマグネシウムが供給され、マグネシウムがドープされたｐ型ＩｎＧａＮ層からなるガイド層１７が形成されることになる。このｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７の形成時には、ウエハ３５の温度は、８００℃〜９００℃（たとえば８５０℃）とされることが好ましい。ｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７のＩｎ組成は、たとえば５％（発光波長が５３０ｎｍに近い緑色領域の場合）とされる。

次いで、インジウム原料バルブ２４が閉じられる。すなわち、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２およびマグネシウム原料バルブ５５が開かれ、他のバルブ５３，５４，５６が閉じられる。これにより、ウエハ３５に向けて、アンモニア、トリメチルガリウムおよびエチルシクロペンタジエニルマグネシウムが供給され、マグネシウムがドープされてｐ型とされたＧａＮ層からなるクラッド層１８が形成されることになる。このｐ型ＧａＮクラッド層１８の形成時には、ウエハ３５の温度は、９００℃〜１１００℃（たとえば１０００℃）とされることが好ましい。

前述のとおり、ｐ型クラッド層１８は、平均のＡｌ組成が７％未満のＡｌＧａＮで構成することもできる。この場合には、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２およびマグネシウム原料バルブ５５に加えてアルミニウム原料バルブ５３を開いた状態で、原料ガス供給路４０から、キャリヤガスとともに、アンモニア、トリメチルガリウムおよびエチルシクロペンタジエニルマグネシウムに加えてトリメチルアルミニウムが供給される。その結果、ｐ型ガイド層１７上に、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８がエピタキシャル成長させられる。

次に、ｐ型コンタクト層１９が形成される。すなわち、窒素原料バルブ５１、ガリウム原料バルブ５２およびマグネシウム原料バルブ５５が開かれ、他のバルブ５３，５４，５６が閉じられる。これにより、ウエハ３５に向けて、アンモニア、トリメチルガリウムおよびエチルシクロペンタジエニルマグネシウムが供給され、マグネシウムがドープされたＧａＮ層からなるｐ型ＧａＮコンタクト層１９が形成されることになる。ｐ型ＧａＮコンタクト層１９の形成時には、ウエハ３５の温度は、９００℃〜１１００℃（たとえば１０００℃）とされることが好ましい。

ｐ型半導体層１２を構成する各層は、１０００℃以下の平均成長温度で結晶成長させられることが好ましい。これにより、発光層１０への熱ダメージを低減できる。
ウエハ３５（ＧａＮ単結晶基板１）上にIII族窒化物半導体積層構造２の構成層１０，１３〜１９を成長するのに際しては、いずれの層の成長の際も、処理室３０内のウエハ３５に供給されるガリウム原料（トリメチルガリウム）のモル分率に対する窒素原料（アンモニア）のモル分率の比であるＶ／III比は、１０００以上（好ましくは３０００以上）の高い値に維持される。より具体的には、ｎ型クラッド層１４から最上層のｐ型コンタクト層１９までにおいて、Ｖ／III比の平均値が１０００以上であることが好ましい。これにより、ｎ型クラッド層１４、発光層１０およびｐ型クラッド層１８の全ての層において、点欠陥の少ない良好な結晶を得ることができる。

III族窒化物半導体積層構造２の各層の形成時における処理室３０内の圧力は、ＡｌＧａＮ層を形成するときには、２０ｋＰａ程度、それ以外の層（ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層）の形成時には、４０ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度とされる。前述のとおり、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６のＡｌ組成は少なくてよいので、処理室３０内の圧力をさほど低くする必要はなく、２０ｋＰａよりも高くすることができる。このように、III族窒化物半導体積層構造２は、Ａｌ組成の大きな層を含まないので、クラックの発生を抑制でき、かつ、結晶成長時の圧力を途中で大きく変動させる必要がない。そのため、III族窒化物半導体積層構造２を結晶成長させるための処理装置の設計が容易になる。むろん、ｐ型電子ブロック層１６をＧａＮで構成することとし、クラッド層１４，１８をいずれもＧａＮ層で構成することとして、Ａｌを含まないIII族窒化物半導体でIII族窒化物半導体積層構造２を構成することもできる。これにより、クラックの発生をより確実に抑制でき、かつ、結晶成長時の圧力変化をより少なくできる。

この実施形態では、上記のような高いＶ／III比を用い、かつ、ＧａＮ単結晶基板１とIII族窒化物半導体積層構造２との間にバッファ層を介在することなく、ｍ面等を主面とするIII族窒化物半導体積層構造２が、無転位の状態で、かつ、平坦に成長する。このIII族窒化物半導体積層構造２は、ＧａＮ単結晶基板１の主面から生じる積層欠陥や貫通転位を有していない。

こうして、ウエハ３５上にIII族窒化物半導体積層構造２が成長させられると、このウエハ３５は、エッチング装置に移され、たとえばプラズマエッチング等のドライエッチングによって、ｐ型半導体層１２の一部を除去してリッジストライプ２０が形成される。このリッジストライプ２０は、ｃ軸方向に平行になるように形成される。
リッジストライプ２０の形成後には、絶縁層６が形成される。絶縁層６の形成は、たとえば、リフトオフ工程を用いて行われる。すなわち、ストライプ状のマスクを形成した後、ｐ型ＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層１９の全体を覆うように絶縁体薄膜を形成する。その後、この絶縁体薄膜をリフトオフしてｐ型ＧａＮコンタクト層１９を露出させるようにして、絶縁層６を形成できる。

次いで、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９にオーミック接触するｐ側電極４が形成され、ｎ型ＧａＮコンタクト層１３にオーミック接触するｎ側電極３が形成される。これらの電極３，４の形成は、たとえば、抵抗加熱または電子線ビームによる金属蒸着装置によって行うことができる。
次の工程は、個別素子への分割である。すなわち、ウエハ３５をリッジストライプ２０に平行な方向およびこれに垂直な方向に劈開して、半導体レーザダイオードを構成する個々の素子が切り出される。リッジストライプに平行な方向に関する劈開はａ面に沿って行われる。また、リッジストライプ２０に垂直な方向に関する劈開はｃ面に沿って行われる。こうして、＋ｃ面からなる共振器端面２１と、−ｃ面からなる共振器端面２２とが形成される。

次に、共振器端面２１，２２に、それぞれ前述の絶縁膜２３，２４が形成される。この絶縁膜２３，２４の形成は、たとえば、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）成膜法によって行うことができる。
図８は、この発明の第２の実施形態に係る半導体レーザダイオードの構成を示す斜視図であり、図９は、図８の切断線IX−IXに沿う縦断面図である。これらの図８および図９において、前述の図１〜図３に示された各部に相当する部分には、同一の参照符号を付して示す。

この実施形態の半導体レーザダイオード８０では、リッジストライプ２０がａ軸方向に平行に形成されており、したがって、共振器端面２１，２２は、いずれもａ面となっている。これらの共振器端面２１，２２も、劈開によって形成された劈開面である。
III族窒化物半導体積層構造２をエピタキシャル成長する際に生じる積層欠陥は、ｃ面に平行に発生する。そのため、前述の第１の実施形態の構成では、積層欠陥と導波路とが交差することになる。これに対して、この実施形態では、ストライプ方向をａ軸に平行にしてあり、したがって、導波路はａ軸と平行になっている。そして、ａ軸はｃ面と平行であるので、ｃ面と平行に発生する積層欠陥が導波路と交差することがなくなる。これによって、積層欠陥による光導波の妨害やリーク電流の増加を回避することができる。

図１０は、この発明の第３の実施形態に係る半導体レーザダイオードの構成を説明するための斜視図である。この図１０において、前述の図１に示された各部に相当する部分には、同一の参照符号を付して示す。
この実施形態の半導体レーザダイオード９０では、III族窒化物半導体積層構造２は、基板１とｎ型ＧａＮコンタクト層１３との間に、２軸性応力を含むＩｎを含む層、すなわちｎ型ＩｎＧａＮ層２６（たとえば、０．１μｍ厚。ｎ型不純物濃度は１×１０¹⁸cm^-3）が介在されている。このｎ型ＩｎＧａＮ層２６を設けることにより、その２軸性応力や格子定数の緩和によって、III族窒化物半導体積層構造２にｃ面と平行なクラックが生じることを抑制することができる。

基板１をｍ面を主面とするＧａＮ単結晶基板１とし、この上にIII族窒化物半導体積層構造２を成長させると、その成長主面はｍ面となり、むろん、ｎ型ＩｎＧａＮ層２６もｍ面を成長主面として成長する。これにより、ｎ型ＩｎＧａＮ層２６は、２軸性応力を有することになる。
以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、III族窒化物半導体積層構造２を構成する各層の層厚や不純物濃度等は一例であり、適宜適切な値を選択して用いることができる。また、クラッド層１４，１８は、ＧａＮまたはＡｌＧａＮの単層である必要はなく、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層とで構成された超格子によりクラッド層を構成することもできる。

また、III族窒化物半導体積層構造２を形成した後にレーザリフトオフなどで基板１を除去し、基板１のない半導体レーザダイオードとすることもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

図１は、この発明の第１の実施形態に係る半導体レーザダイオードの構成を説明するための斜視図である。 図２は、図１のII−II線に沿う縦断面図である。 図３は、図１のIII−III線に沿う横断面図である。 図４は、共振器端面に形成された絶縁膜（反射膜）の構成を説明するための図解図である。 図５は、III族窒化物半導体の結晶構造のユニットセルを表した図解図である。 図６Ａは、Ｉｎ_xＧａ_1-xＮのＩｎ組成ｘに対する屈折率の変化を示す図であり、図６Ｂは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮのＡｌ組成ｘに対する屈折率の変化を示す図である 図７は、III族窒化物半導体積層構造を構成する各層を成長させるための処理装置の構成を説明するための図解図である。 図８は、この発明の第２の実施形態に係る半導体レーザダイオードの構成を示す斜視図である。 図９は、図８の切断線IX−IXに沿う縦断面図である。 図１０は、この発明の第３の実施形態に係る半導体レーザダイオードの構成を説明するための斜視図である。 図１１は、ＡｌＧａＮのＡｌ組成ｘに対する屈折率の変化を示す図である。

符号の説明

１ 基板（ＧａＮ単結晶基板）
２ III族窒化物半導体積層構造
３ ｎ側電極
４ ｐ側電極
４ａ 接触領域
６ 絶縁層
６ａ 開口部
１０ 発光層
１１ ｎ型半導体層
１２ ｐ型半導体層
１３ ｎ型ＧａＮコンタクト層
１４ ｎ型ＧａＮクラッド層
１５ ｎ型ＩｎＧａＮガイド層
１６ ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層
１７ ｐ型ＩｎＧａＮガイド層
１８ ｐ型ＧａＮクラッド層
１９ ｐ型ＧａＮコンタクト層
２０ リッジストライプ
２１ 端面
２２ 端面
２３ 絶縁膜
２４ 絶縁膜
２６ ｎ型ＩｎＧａＮ層
３０ 処理室
３１ ヒータ
３２ サセプタ
３３ 回転軸
３４ 回転駆動機構
３５ 基板
３６ 排気配管
４０ 原料ガス導入路
４１ 窒素原料配管
４２ ガリウム原料配管
４３ アルミニウム原料配管
４４ インジウム原料配管
４５ マグネシウム原料配管
４６ シリコン原料配管
５１ 窒素原料バルブ
５２ ガリウム原料バルブ
５３ アルミニウム原料バルブ
５４ インジウム原料バルブ
５５ マグネシウム原料バルブ
５６ シリコン原料バルブ
７０，８０，９０ 半導体レーザダイオード

Claims (7)

1. 非極性面または半極性面を結晶成長の主面とするIII族窒化物半導体積層構造を含む半導体レーザダイオードであって、
   前記III族窒化物半導体積層構造が、
   ｐ型クラッド層およびｎ型クラッド層と、
   これらのｐ型クラッド層およびｎ型クラッド層に挟まれた、Ｉｎを含むｐ型ガイド層およびｎ型ガイド層と、
   これらのｐ型ガイド層およびｎ型ガイド層に挟まれた、Ｉｎを含む発光層とを含む、
   半導体レーザダイオード。
2. 前記クラッド層は、平均のＡｌ組成が７％未満のIII族窒化物半導体からなる、請求項１記載の半導体レーザダイオード。
3. 前記クラッド層は、Ａｌを含まないIII族窒化物半導体からなる、請求項２記載の半導体レーザダイオード。
4. 前記ガイド層と前記クラッド層との屈折率差が０．０４以上となるように設計されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザダイオード。
5. 前記発光層は、Ｉｎを含む厚さ１００Å以下の井戸層を複数有する多重量子井戸構造を有している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザダイオード。
6. 前記III族窒化物半導体積層構造の結晶成長の主面がｍ面である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体レーザダイオード。
7. 前記III族窒化物半導体積層構造がＧａＮ基板上に結晶成長したものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体レーザダイオード。

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