JP2008242500A - Phase shift mask blank manufacturing method and phase shift photomask manufacturing method - Google Patents
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Abstract
【課題】基板上に、少なくとも位相シフト膜とメタル含有膜を有する位相シフトマスクブランクであって、該位相シフト膜と該メタル含有膜の密着性を向上した位相シフトマスクブランクを提供する。
【解決手段】位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯｘ層を具備し、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【選択図】図１Provided is a phase shift mask blank having at least a phase shift film and a metal-containing film on a substrate, wherein the phase shift mask blank has improved adhesion between the phase shift film and the metal-containing film.
A phase shift mask blank comprising at least one phase shift film having a metal silicide compound as a main component and at least one metal-containing film on a substrate, and the phase shift film. A phase shift characterized by comprising an SiO x layer at the interface between the metal-containing film and a layer in which the composition of the film is continuously changed at the interface between the phase shift film and the SiO x layer. Mask blank.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、位相シフトマスクブランクに関し、特に、位相シフト膜によって露光波長の光の強度を減衰させることができるハーフトーン型位相シフトマスクブランクに関する。さらに、本発明は、このような位相シフトマスクブランクにパターンを形成した位相シフトフォトマスクに関する。 The present invention relates to a phase shift mask blank, and more particularly to a halftone phase shift mask blank that can attenuate the intensity of light having an exposure wavelength by a phase shift film. Furthermore, the present invention relates to a phase shift photomask in which a pattern is formed on such a phase shift mask blank.
ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用のカラーフィルター、磁気ヘッドなどの微細加工には、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が用いられている。このフォトリソグラフィーで使われるフォトマスクは、フォトマスクブランクにパターンを形成することで製造される。 Photolithography technology using a photomask is used for microfabrication of high-density semiconductor integrated circuits such as LSI and VLSI, color filters for CCD (charge coupled device), LCD (liquid crystal display device), and magnetic heads. Yes. A photomask used in this photolithography is manufactured by forming a pattern on a photomask blank.
フォトマスクブランクとしては、通常、石英ガラス等の透光性基板上にクロム等からなる遮光膜を設けたものが使用されている。 As a photomask blank, a photomask blank is generally used in which a light-shielding film made of chromium or the like is provided on a light-transmitting substrate such as quartz glass.
しかし、近年、フォトリソグラフィー技術において、さらに微細な加工が求められている。さらなる微細化に応える技術として、フォトリソグラフィーで使われるフォトマスクに位相シフトフォトマスクを用いる位相シフトリソグラフィーが注目を集めている。位相シフトリソグラフィーは、フォトリソグラフィー技術において、解像度を上げてさらに微細な加工を可能とする技術のひとつであり、位相シフトマスクを透過する露光光間に位相差を与えることによる透過光相互の干渉を利用して解像度を飛躍的に向上できるようにしたものである。 However, in recent years, finer processing is required in the photolithography technique. As a technology for further miniaturization, phase shift lithography using a phase shift photomask as a photomask used in photolithography is attracting attention. Phase shift lithography is one of the techniques in photolithography technology that enables higher resolution and finer processing, and prevents interference between transmitted light by providing a phase difference between exposure light that passes through the phase shift mask. It can be used to dramatically improve resolution.
このような位相シフトフォトマスクには、レベンソン型、補助パターン型、自己整合型などのタイプが知られており、近年開発が活発に行われているが、位相シフトフォトマスクのひとつとして、いわゆるハーフトーン型位相シフトフォトマスクと呼ばれるものがあり、現在最も実用化の可能性が高い位相シフトフォトマスクとなっている。 As such a phase shift photomask, there are known types such as Levenson type, auxiliary pattern type, and self-alignment type, which have been actively developed in recent years. There is what is called a tone-type phase shift photomask, which is currently the phase shift photomask with the highest possibility of practical use.
このハーフトーン型位相シフトフォトマスクは、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成されており、この光半透過部は露光光を実質的に遮断する遮光機能と、光の位相を通常１８０度シフトさせる位相シフト機能との二つの機能を併せ持つことを特徴とする。 This halftone phase shift photomask is a mask pattern formed on a transparent substrate. The mask pattern formed on the transparent substrate transmits light with a light intensity that substantially contributes to exposure and light with a light intensity that does not substantially contribute to exposure. The light semi-transmissive part has two functions of a light shielding function that substantially blocks exposure light and a phase shift function that normally shifts the phase of light by 180 degrees. It is characterized by.
そして、光透過部と光半透過部との境界付近を透過した光は、光透過部を透過した光と光半透過部を透過した光とで互いに位相が１８０度異なることから打ち消し合うように干渉する。このことで光透過部と光半透過部の境界部の光強度をほぼゼロとし境界部のコントラストすなわち解像度を向上させるのである。 The light transmitted near the boundary between the light transmission part and the light semi-transmission part cancels out because the light transmitted through the light transmission part and the light transmitted through the light semi-transmission part are 180 degrees out of phase with each other. have a finger in the pie. As a result, the light intensity at the boundary between the light transmission part and the light semi-transmission part is made substantially zero, and the contrast, that is, the resolution of the boundary part is improved.
このようなハーフトーン型位相シフトフォトマスクに使用される位相シフトマスクブランクとしては、構造が簡単で製造が容易な単層の位相シフト膜を有するものや、透過率、位相差、反射率、屈折率などの光学特性、薬品耐性などの耐久性等を満足させるための複数層の位相シフト膜を有するものがある。単層の位相シフト膜を有するものとしては、例えば、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ等のモリブデンシリコン化合物を主成分として含む位相シフト膜を単層で形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。 Phase shift mask blanks used for such halftone phase shift photomasks have a single-layer phase shift film that has a simple structure and is easy to manufacture, as well as transmittance, phase difference, reflectance, and refraction. Some have a plurality of phase shift films for satisfying optical characteristics such as a rate, durability such as chemical resistance, and the like. As one having a single layer phase shift film, for example, a halftone phase shift mask blank in which a phase shift film containing a molybdenum silicon compound such as MoSiO or MoSiON as a main component is formed as a single layer has been proposed (for example, , See Patent Document 1).
また、位相シフト膜の上に遮光膜を形成することもできる。位相シフト膜上に形成する遮光膜としては、例えばクロム系の遮光膜が挙げられるが、クロム系の遮光膜は光反射率が大きい。そのため、位相シフトリソグラフィーにおいて、被露光物である半導体基板で反射した光が投影レンズを通って位相シフトフォトマスクで反射し、再び半導体基板に戻るという恐れがある。したがって、これを防止するため、遮光膜の表面（位相シフト膜と反対側）又は裏面（位相シフト膜側）のいずれか片面、又は両面に反射防止膜を通常形成している。
例えば、被露光物である半導体基板で反射した光が位相シフトフォトマスクで再度反射されるのを防止するために、遮光膜の表面に反射防止膜を設けているものを２層構造膜と呼び、遮光膜の裏面にも反射防止膜を設けているものを３層構造膜と呼ぶ。
In addition, a light shielding film can be formed on the phase shift film. Examples of the light shielding film formed on the phase shift film include a chromium-based light shielding film, and the chromium-based light shielding film has a high light reflectance. Therefore, in phase shift lithography, there is a possibility that light reflected by the semiconductor substrate, which is an object to be exposed, is reflected by the phase shift photomask through the projection lens and returns to the semiconductor substrate again. Therefore, in order to prevent this, an antireflection film is usually formed on one side or both sides of the surface (opposite side of the phase shift film) or the back side (phase shift film side) of the light shielding film.
For example, a film provided with an antireflection film on the surface of a light shielding film in order to prevent light reflected by a semiconductor substrate, which is an object to be exposed, from being reflected again by a phase shift photomask is called a two-layer structure film. A film provided with an antireflection film on the back surface of the light shielding film is called a three-layer structure film.
従来、フォトマスクブランクにおいて、遮光膜の裏面の反射防止膜としてクロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜を、遮光膜としてクロム膜を、遮光膜の表面側の反射防止膜としてクロム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物膜を順次積層した３層構造膜を有するフォトマスクブランクが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。さらに、反射防止膜としてＣｒＯＮを用いたもの（例えば、特許文献３、特許文献４参照。）、ＣｒＮを用いたもの（例えば、特許文献４、特許文献５参照。）等が提案されている。
一方、遮光膜として窒化クロムを用いた単層膜（例えば、特許文献６参照。）等も提案されている。
Conventionally, in a photomask blank, a chromium carbonitride film containing chromium carbide and chromium nitride is used as an antireflection film on the back surface of the light shielding film, a chromium film is used as the light shielding film, and chromium is used as the antireflection film on the surface side of the light shielding film. A photomask blank having a three-layer structure film in which a chromium oxynitride film containing an oxide and chromium nitride is sequentially stacked has been proposed (see, for example, Patent Document 2). Further, those using CrON as an antireflection film (for example, see
On the other hand, a single layer film (for example, refer to Patent Document 6) using chromium nitride as a light shielding film has been proposed.
また、一般的に、位相シフトフォトマスクの製造工程においては、位相シフト膜上に電気伝導性を有する膜を形成し、電子線露光時のチャージアップを防ぐ方法が用いられている。尚、前記遮光膜及び／又は反射防止膜を、電気伝導性を有する材質のものとすることもある。 In general, in the manufacturing process of a phase shift photomask, a method is used in which a film having electrical conductivity is formed on a phase shift film to prevent charge-up during electron beam exposure. The light shielding film and / or the antireflection film may be made of a material having electrical conductivity.
このように、位相シフトマスクブランク及び位相シフトフォトマスクにおいては、基板上に、通常、位相シフト膜の他、例えば遮光膜、反射防止膜、電気伝導性を有する膜といった１層以上のメタル含有膜を具備している。このような位相シフトマスクブランクの一例を図３に示す。この位相シフトマスクブランク３０は、基板３１の上に、位相シフト膜３２が設けられ、さらに位相シフト膜３２に直接積層されたメタル含有膜３５が設けられている。
しかし、このような従来の位相シフトマスクブランクに微細パターンを形成すると、位相シフト膜とメタル含有膜との界面の密着性が悪いため、位相シフト膜からメタル含有膜がはがれパーティクルの原因となるという問題が多発していた。
As described above, in the phase shift mask blank and the phase shift photomask, one or more metal-containing films such as a light shielding film, an antireflection film, and an electrically conductive film are usually provided on the substrate in addition to the phase shift film. It has. An example of such a phase shift mask blank is shown in FIG. In this phase shift mask blank 30, a phase shift film 32 is provided on a substrate 31, and a metal-containing film 35 directly laminated on the phase shift film 32 is further provided.
However, when a fine pattern is formed on such a conventional phase shift mask blank, the adhesion of the interface between the phase shift film and the metal-containing film is poor, and the metal-containing film is peeled off from the phase shift film, causing particles. There were many problems.
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、基板上に、少なくとも位相シフターとして機能する位相シフト膜と、遮光膜、反射防止膜等として機能するメタル含有膜を有する位相シフトマスクブランクであって、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜の密着性を向上した位相シフトマスクブランクを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and a phase shift mask blank having a phase shift film functioning as at least a phase shifter and a metal-containing film functioning as a light shielding film, an antireflection film, or the like on a substrate. And it aims at providing the phase shift mask blank which improved the adhesiveness of the said phase shift film and the said metal containing film | membrane.
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯｘ層を具備し、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランクを提供する。 The present invention has been made to solve the above-described problem, and is a phase shift mask blank, which includes at least one phase shift film containing a metal silicide compound as a main component and at least one layer on a substrate. of comprising a metal-containing film, comprising a SiO x layer on the interface between the phase shift film and the metal-containing film, the interface of the phase shift film and the SiO x layer, a layer composition of the film is continuously changed A phase shift mask blank is provided.
このように、位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯｘ層を具備することで、位相シフト膜とメタル含有膜を直接密着させた場合と比較して、膜同士の密着性が向上し、その界面で位相シフト膜からメタル含有膜が剥離する可能性を減じることができる。さらに、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層（以下、連続変化層と言う場合がある。）を有するものであることで、位相シフト膜とＳｉＯｘ層の密着性も向上するため、位相シフト膜からＳｉＯｘ層が剥離する可能性も減じられる。そして、このようなＳｉＯｘ層、連続変化層を介して積層されることで、位相シフト膜とメタル含有膜の密着性がさらに向上する。したがって、位相シフトマスクブランクにより微細なパターンを形成しても、位相シフト膜からメタル含有膜が剥離する可能性がさらに低くなり、剥離した場合に生じるパーティクルの発生やピンホール等の欠陥の発生を防ぐことができる。 Thus, by providing the SiO x layer at the interface between the phase shift film and the metal-containing film, the adhesion between the films is improved compared to the case where the phase shift film and the metal-containing film are directly adhered. The possibility of the metal-containing film peeling off from the phase shift film at the interface can be reduced. Furthermore, by having a layer in which the composition of the film is continuously changed (hereinafter also referred to as a continuously changing layer) at the interface between the phase shift film and the SiO x layer, Since the adhesion of the SiO x layer is also improved, the possibility of the SiO x layer peeling off from the phase shift film is reduced. Then, the adhesion between the phase shift film and the metal-containing film is further improved by being laminated through such a SiO x layer and the continuous change layer. Therefore, even if a fine pattern is formed by the phase shift mask blank, the possibility that the metal-containing film is peeled off from the phase shift film is further reduced. Can be prevented.
この場合、前記位相シフト膜中の金属シリサイド化合物が、金属シリサイド、金属シリサイド酸化物、金属シリサイド窒化物、金属シリサイド酸化窒化物、金属シリサイド酸化炭化物、金属シリサイド酸化窒化炭化物から選択される１以上の金属シリサイド化合物を主成分とするものであるものとすることができる。また、前記位相シフト膜中の金属シリサイド化合物の金属が、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロム、ジルコニウム、ゲルマニウムから選択される１以上の金属であるものとすることができる。 In this case, the metal silicide compound in the phase shift film is one or more selected from metal silicide, metal silicide oxide, metal silicide nitride, metal silicide oxynitride, metal silicide oxycarbide, and metal silicide oxynitride carbide. The main component may be a metal silicide compound. The metal of the metal silicide compound in the phase shift film may be one or more metals selected from molybdenum, titanium, tantalum, tungsten, chromium, zirconium, and germanium.
このような位相シフト膜中の金属シリサイド化合物を用い、さらにはこのような位相シフト膜中の金属シリサイド化合物の金属を用いることで、所望の光学特性及び耐久性を有する位相シフト膜とすることができる。 By using the metal silicide compound in such a phase shift film and further using the metal of the metal silicide compound in such a phase shift film, a phase shift film having desired optical characteristics and durability can be obtained. it can.
さらに、前記ＳｉＯｘ層の厚さが、１ｎｍ−２０ｎｍの範囲であるのが好ましい。 Further, the thickness of the SiO x layer is preferably in the range of 1 nm to 20 nm.
このように、ＳｉＯｘ層の厚さが、１ｎｍ−２０ｎｍの範囲であれば、位相シフト膜とメタル含有膜を直接密着させる場合と比較して、ＳｉＯｘ層の存在により、位相シフト膜とメタル含有膜の界面の密着性を十分に向上させることができる。 Thus, when the thickness of the SiO x layer is in the range of 1 nm to 20 nm, the phase shift film and the metal are present due to the presence of the SiO x layer as compared with the case where the phase shift film and the metal-containing film are directly adhered. Adhesion at the interface of the containing film can be sufficiently improved.
この場合、前記位相シフト膜は、透過する露光光の位相を１８０±５度変換するもので、かつ３〜４０％の透過率を有するものであるのが好ましい。 In this case, the phase shift film preferably converts the phase of transmitted exposure light by 180 ± 5 degrees and has a transmittance of 3 to 40%.
このように、位相シフト膜は、透過する露光光の位相を１８０±５度変換するもので、かつ３〜４０％の透過率を有するものであれば、この位相シフトマスクブランクにパターンを形成した位相シフトフォトマスクは、位相シフトリソグラフィーにおいて、特に効果的に、光透過部と光半透過部の境界部のコントラストすなわち解像度を向上させることができるハーフトーン型位相シフトフォトマスクとなる。 As described above, if the phase shift film converts the phase of the transmitted exposure light by 180 ± 5 degrees and has a transmittance of 3 to 40%, a pattern is formed on the phase shift mask blank. The phase shift photomask is a halftone phase shift photomask capable of improving the contrast, that is, the resolution of the boundary between the light transmission part and the light semitransmission part, particularly effectively in phase shift lithography.
この場合、前記メタル含有膜が、クロムシリサイド膜、クロム膜、クロム酸化膜、クロム炭化膜、クロム窒化膜、クロム酸化窒化膜、クロム酸化窒化炭化膜から選択されるいずれか１以上のメタル含有膜であるものとすることができる。 In this case, the metal-containing film is one or more metal-containing films selected from a chromium silicide film, a chromium film, a chromium oxide film, a chromium carbide film, a chromium nitride film, a chromium oxynitride film, and a chromium oxynitride and carbon film. It can be assumed that
このように、前記メタル含有膜が、クロムシリサイド膜、クロム膜、クロム酸化膜、クロム炭化膜、クロム窒化膜、クロム酸化窒化膜、クロム酸化窒化炭化膜から選択されるいずれか１以上のメタル含有膜であれば、目的に応じて、例えば、遮光膜、反射防止膜、電気伝導性を有する膜といった所望の膜とすることができる。 As described above, the metal-containing film contains at least one metal selected from a chromium silicide film, a chromium film, a chromium oxide film, a chromium carbide film, a chromium nitride film, a chromium oxynitride film, and a chromium oxynitride / carbide film. If it is a film | membrane, according to the objective, it can be set as desired films, such as a light shielding film, an antireflection film, and a film | membrane which has electroconductivity.
さらに、本発明の位相シフトマスクブランクにパターン形成がされたものであることを特徴とする位相シフトフォトマスクが提供される。 Furthermore, there is provided a phase shift photomask characterized in that a pattern is formed on the phase shift mask blank of the present invention.
本発明の位相シフトマスクブランクにパターンが形成された位相シフトフォトマスクであれば、微細パターンを形成しても位相シフト膜からメタル含有膜が剥離する可能性が低いので、位相シフトリソグラフィーにおいて、微細なパターンを半導体基板に良好に転写することのできる位相シフトフォトマスクとして用いることができる。 In the case of a phase shift photomask in which a pattern is formed on the phase shift mask blank of the present invention, there is a low possibility that the metal-containing film is peeled off from the phase shift film even if a fine pattern is formed. Can be used as a phase shift photomask that can transfer a good pattern onto a semiconductor substrate.
以上説明したように、本発明によれば、位相シフト膜とメタル含有膜の界面にＳｉＯｘ層を設け、さらに位相シフト膜とＳｉＯｘ層の界面に、膜の組成を連続的に変化させた連続変化層を設けることで、位相シフト膜とＳｉＯｘ層の密着性を向上し、さらには位相シフト膜とメタル含有膜の密着性を向上することができる。したがって、この位相シフトマスクブランクに微細なパターンを形成しても、そのパターン形成中又は形成後に、位相シフト膜からメタル含有膜が剥離する恐れが少ない位相シフトマスクブランクを提供できる。 As described above, according to the present invention, the SiO x layer is provided at the interface between the phase shift film and the metal-containing film, and the film composition is continuously changed at the interface between the phase shift film and the SiO x layer. By providing the continuous change layer, the adhesion between the phase shift film and the SiOx layer can be improved, and further, the adhesion between the phase shift film and the metal-containing film can be improved. Therefore, even if a fine pattern is formed on the phase shift mask blank, it is possible to provide a phase shift mask blank that is less likely to peel the metal-containing film from the phase shift film during or after the pattern formation.
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明者らは、鋭意研究及び検討を重ねた結果、位相シフト膜とメタル含有膜を直接密着させるのではなく、位相シフト膜とメタル含有膜の界面に、ＳｉＯｘ層を設け、さらに、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層（連続変化層）を設けることにより、位相シフト膜とＳｉＯｘ層の密着性、さらには位相シフト膜とメタル含有膜の密着性を向上することができることに想到し、本発明を完成させたものである。
Hereinafter, although embodiment of this invention is described, this invention is not limited to these.
As a result of intensive studies and studies, the present inventors have not directly adhered the phase shift film and the metal-containing film, but provided an SiO x layer at the interface between the phase shift film and the metal-containing film. the interface of the phase shift film and the SiO x layer, by providing the layer composition of the film is continuously changed (continuously changed layer), adhesion of the phase shift film and the SiO x layer, further a phase shift film and the metal The inventors have conceived that the adhesiveness of the contained film can be improved and completed the present invention.
すなわち、本発明の位相シフトマスクブランクは、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯｘ層を具備し、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層を有するものである。
尚、メタル含有膜は、位相シフト膜の上にあっても良いし、基板と位相シフト膜の間にあっても良い。
That is, the phase shift mask blank of the present invention comprises at least one phase shift film mainly containing a metal silicide compound and one or more metal-containing films on the substrate, and the phase shift film includes: A SiO x layer is provided at the interface with the metal-containing film, and a layer in which the composition of the film is continuously changed is provided at the interface between the phase shift film and the SiO x layer.
The metal-containing film may be on the phase shift film, or may be between the substrate and the phase shift film.
このような本発明の位相シフトマスクブランクの一例を図１に示す。この位相シフトマスクブランク１０は、基板１１上に、モリブデンシリサイド酸化窒化物を主成分とする位相シフト膜１２と、メタル含有膜１５を具備し、位相シフト膜１２とメタル含有膜１５の界面にＳｉＯｘ層１４を具備し、さらに、位相シフト膜１２とＳｉＯｘ層１４の界面に連続変化層１３を有する（図１（ａ））。連続変化層１３は、Ｍｏ、Ｓｉ、窒素、酸素の含有量が連続的に変化したもの、すなわち位相シフト膜１２とＳｉＯｘ層１４の組成が、連続的に変化したものとなっている（図１（ｂ））。 An example of such a phase shift mask blank of the present invention is shown in FIG. The phase shift mask blank 10 includes a phase shift film 12 mainly composed of molybdenum silicide oxynitride and a metal-containing film 15 on a substrate 11, and SiO is formed at the interface between the phase shift film 12 and the metal-containing film 15. An x layer 14 is provided, and a continuous change layer 13 is further provided at the interface between the phase shift film 12 and the SiO x layer 14 (FIG. 1A). The continuously changing layer 13 is one in which the contents of Mo, Si, nitrogen, and oxygen are continuously changed, that is, the composition of the phase shift film 12 and the SiO x layer 14 is continuously changed (see FIG. 1 (b)).
このように、位相シフト膜１２とメタル含有膜１５との界面にＳｉＯｘ層１４を具備することで、位相シフト膜とメタル含有膜を直接密着させた場合と比較して、膜同士の密着性が向上し、その界面で位相シフト膜からメタル含有膜が剥離するのを抑制することができる。さらに、位相シフト膜１２とＳｉＯｘ層１４の界面に、連続変化層１３を有するものであることで、位相シフト膜１２とＳｉＯｘ層１４の密着性も向上するため、位相シフト膜からＳｉＯｘ層が剥離する可能性も減じられる。そして、このようなＳｉＯｘ層、連続変化層を介して、位相シフト膜とメタル含有膜が積層されていることで密着性がさらに向上する。したがって、この位相シフトマスクブランクに微細なパターンを形成しても、位相シフト膜からメタル含有膜が剥離する可能性がさらに低くなり、剥離した場合に生じるパーティクルの発生やピンホール等の欠陥の発生を防ぐことができる。 Thus, by providing the SiO x layer 14 at the interface between the phase shift film 12 and the metal-containing film 15, the adhesion between the films is higher than when the phase shift film and the metal-containing film are directly adhered. And the peeling of the metal-containing film from the phase shift film at the interface can be suppressed. Furthermore, the interface of the phase shift film 12 and the SiO x layer 14, it is one having a continuous change layer 13, for improved adhesion of the phase shift film 12 and the SiO x layer 14, SiO x from the phase shift film The possibility of delamination is also reduced. Then, the adhesion is further improved by laminating the phase shift film and the metal-containing film through such a SiO x layer and the continuous change layer. Therefore, even if a fine pattern is formed on this phase shift mask blank, the possibility of peeling of the metal-containing film from the phase shift film is further reduced. Can be prevented.
また、本発明の位相シフトマスクブランクにおいて、位相シフト膜は、金属シリサイド化合物を主成分として含むものであるが、金属シリサイド化合物としては、例えば、金属シリサイド、金属シリサイド酸化物、金属シリサイド窒化物、金属シリサイド酸化窒化物、金属シリサイド酸化炭化物、金属シリサイド酸化窒化炭化物などを主成分とするものを挙げることができ、これらを単一又は複数で含むことができる。 In the phase shift mask blank of the present invention, the phase shift film includes a metal silicide compound as a main component. Examples of the metal silicide compound include metal silicide, metal silicide oxide, metal silicide nitride, and metal silicide. Examples thereof include oxynitrides, metal silicide oxycarbides, metal silicide oxynitrides, and the like, which can be included singly or in plural.
さらに、位相シフト膜中の金属シリサイド化合物の金属としては、例えば、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロム、ジルコニウム、ゲルマニウムなどを挙げることができ、これらが単一又は複数で含まれて良い。 Furthermore, examples of the metal of the metal silicide compound in the phase shift film include molybdenum, titanium, tantalum, tungsten, chromium, zirconium, germanium, and the like, and these may be included singly or in plural.
特に、位相シフト膜中の金属シリサイド化合物は、モリブデンシリサイド酸化炭化物（ＭｏＳｉＯＣ）、モリブデンシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＳｉＯＮＣ）、モリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ）、モリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）のいずれかであることが好ましい。これらのモリブデンシリサイド化合物を主成分とする位相シフト膜をスパッタ成膜するためのモリブデンシリサイドターゲットは、緻密で高純度のものを得易いので、高品質の位相シフト膜を形成することができるからである。 In particular, the metal silicide compound in the phase shift film is any one of molybdenum silicide oxycarbide (MoSiOC), molybdenum silicide oxynitride carbide (MoSiONC), molybdenum silicide oxynitride (MoSiON), and molybdenum silicide nitride (MoSiN). It is preferable. Since the molybdenum silicide target for sputter deposition of the phase shift film containing these molybdenum silicide compounds as the main component can be easily obtained with a dense and high purity, a high quality phase shift film can be formed. is there.
また、位相シフト膜とメタル含有膜の界面に設けるＳｉＯｘ層は、厚さを、１ｎｍ−２０ｎｍの範囲とすることが好ましく、この範囲であれば、位相シフト膜とメタル含有膜を直接密着させる場合と比較して、位相シフト膜とメタル含有膜の界面の密着性を十分に向上させることができる。 In addition, the thickness of the SiO x layer provided at the interface between the phase shift film and the metal-containing film is preferably in the range of 1 nm to 20 nm. In this range, the phase shift film and the metal-containing film are directly adhered to each other. Compared to the case, the adhesion at the interface between the phase shift film and the metal-containing film can be sufficiently improved.
位相シフトマスクブランクにおける基板としては、位相シフトリソグラフィーにおいて、露光波長に対して透明な基板であれば特に制限されるものではなく、例えば、石英基板、蛍石、低熱膨張ガラスなどが挙げられる。特に、石英基板又は二酸化珪素を主成分とする基板が好ましく用いられる。 The substrate in the phase shift mask blank is not particularly limited as long as it is a substrate transparent to the exposure wavelength in phase shift lithography, and examples thereof include a quartz substrate, fluorite, and low thermal expansion glass. In particular, a quartz substrate or a substrate mainly composed of silicon dioxide is preferably used.
また、位相シフト膜は、透過する露光光の位相を１８０±５度変換するもので、かつ数％〜数十％（好ましくは、３〜４０％）の透過率を有するものであるのが好ましい。このような光学特性を有する位相シフトマスクブランクにパターンを形成した位相シフトフォトマスクは、位相シフトリソグラフィーにおいて、特に効果的に、光透過部と光半透過部の境界部のコントラストすなわち解像度を向上させることができるハーフトーン型位相シフトフォトマスクとなる。 The phase shift film preferably converts the phase of transmitted exposure light by 180 ± 5 degrees and has a transmittance of several% to several tens% (preferably 3 to 40%). . A phase shift photomask in which a pattern is formed on a phase shift mask blank having such optical characteristics improves the contrast, that is, the resolution of the boundary between the light transmission part and the light semitransmission part particularly effectively in phase shift lithography. This is a halftone phase shift photomask that can be used.
また、本発明の位相シフトマスクブランクにおいて、メタル含有膜は、例えば、クロムシリサイド膜、クロム膜、クロム酸化膜、クロム炭化膜、クロム窒化膜、クロム酸化窒化膜、クロム酸化窒化炭化膜などが挙げられ、これらが単層又は複数層で形成される。これらのメタル含有膜は、例えば遮光膜、反射防止膜、電気伝導性を有する膜などとして、その目的に応じて形成される。 In the phase shift mask blank of the present invention, examples of the metal-containing film include a chromium silicide film, a chromium film, a chromium oxide film, a chromium carbide film, a chromium nitride film, a chromium oxynitride film, and a chromium oxynitride / carbide film. These are formed of a single layer or a plurality of layers. These metal-containing films are formed according to the purpose, for example, as a light-shielding film, an antireflection film, or a film having electrical conductivity.
このような本発明の位相シフトマスクブランクにパターンが形成された位相シフトフォトマスクであれば、微細パターンを形成しても位相シフト膜からメタル含有膜が剥離する可能性が低いので、パーティクルや欠陥の発生がなく位相シフトリソグラフィーにおいて、微細なパターンを良好に転写することができる位相シフトフォトマスクとして用いることができる。 With such a phase shift photomask in which a pattern is formed on the phase shift mask blank of the present invention, it is unlikely that the metal-containing film will peel off from the phase shift film even if a fine pattern is formed. In phase shift lithography, it can be used as a phase shift photomask that can transfer fine patterns satisfactorily.
以下、本発明の位相シフトマスクブランクを製造する方法について説明する。
基板上に位相シフト膜、メタル含有膜、ＳｉＯｘ層等を成膜する方法としては、特に制限されないが、反応性スパッタ法が好ましい。
Hereinafter, a method for producing the phase shift mask blank of the present invention will be described.
A method for forming a phase shift film, a metal-containing film, a SiO x layer, or the like on the substrate is not particularly limited, but a reactive sputtering method is preferable.
スパッタリング方法としては、直流（ＤＣ）電源を用いたものでも、高周波（ＲＦ）電源を用いたものでもよく、またマグネトロンスパッタリング方式であっても、コンベンショナル方式、あるいはその他の方式であってもよい。 The sputtering method may be a method using a direct current (DC) power source or a radio frequency (RF) power source, and may be a magnetron sputtering method, a conventional method, or another method.
スパッタ装置は、特に制限されないが、同時に多数のターゲットを放電させることのできる多元カソード式ターゲットを用い、各カソードの投入パワー比を変えることで、成膜される膜の組成を自由に変えることが可能となり、より好ましい。
尚、成膜装置は通過型でも枚葉型でも構わない。
The sputtering apparatus is not particularly limited, but it is possible to freely change the composition of the film to be formed by using a multi-source cathode type target capable of simultaneously discharging a large number of targets and changing the input power ratio of each cathode. This is possible and more preferable.
The film forming apparatus may be a passing type or a single wafer type.
位相シフト膜を成膜する際のスパッタリングターゲットとしては金属とシリコンを主成分とするものを用いる。この場合、ターゲットは、金属シリサイド、金属とシリコンのみからなるもの、あるいはこれらの組み合わせでも良く、膜の組成を面内で一定に保つために、金属に、酸素、窒素、炭素のいずれか、又はこれらを組み合わせて添加したものでも構わない。また、ＳｉＯｘ層を成膜する際のスパッタリングターゲットとしては、シリコンを主成分とするものを用いる。さらに、メタル含有膜を成膜する際のスパッタリングターゲットとしては金属を主成分とするものを用いる。 As a sputtering target for forming the phase shift film, a sputtering target mainly composed of metal and silicon is used. In this case, the target may be a metal silicide, a metal and silicon alone, or a combination thereof. In order to keep the composition of the film constant in the plane, the metal may be oxygen, nitrogen, carbon, or A combination of these may also be used. Further, as a sputtering target for forming the SiO x layer, a sputtering target containing silicon as a main component is used. Further, as a sputtering target for forming a metal-containing film, a sputtering target containing a metal as a main component is used.
また、基板上に、位相シフト膜、メタル含有膜、ＳｉＯｘ層等を成膜する際のスパッタリングガスは、アルゴン等の不活性ガスに、酸素ガスや窒素ガス、各種酸化窒素ガス、各種酸化炭素ガス等の炭素を含むガスなどを、成膜される位相シフト膜、メタル含有膜、ＳｉＯｘ層が所望の組成を持つように適宜に添加した組成とすることで、所望の位相シフト膜、メタル含有膜、ＳｉＯｘ層をそれぞれ成膜することができる。この場合、炭素を含むガスとして、メタン等の各種炭化水素ガス、一酸化炭素や二酸化炭素の酸化炭素ガス等が挙げられるが、二酸化炭素を用いると炭素源及び酸素源として使用できると共に、反応性が低く安定なガスであることから特に好ましい。 Moreover, sputtering gas for forming a phase shift film, a metal-containing film, a SiO x layer, etc. on a substrate is an inert gas such as argon, oxygen gas, nitrogen gas, various nitrogen oxide gases, various carbon oxides. A desired phase shift film, metal, or the like can be obtained by appropriately adding a gas containing carbon such as a gas so that the phase shift film, the metal-containing film, and the SiO x layer to be formed have a desired composition. The containing film and the SiO x layer can be formed respectively. In this case, examples of the gas containing carbon include various hydrocarbon gases such as methane, carbon monoxide and carbon dioxide such as carbon dioxide. When carbon dioxide is used, it can be used as a carbon source and an oxygen source. Is particularly preferable because it is a low and stable gas.
成膜される位相シフト膜の透過率を上げたい時には、膜中に酸素及び窒素が多く取り込まれるようにスパッタリングガスに添加する酸素や窒素を含むガスの量を増やす方法、スパッタリングターゲットに予め酸素や窒素を多く添加した金属シリサイドを用いる方法、シリコンターゲットの投入パワー比を上げる方法などにより調整することができる。 When it is desired to increase the transmittance of the phase shift film to be formed, a method of increasing the amount of oxygen or nitrogen-containing gas added to the sputtering gas so that a large amount of oxygen and nitrogen is taken into the film, It can be adjusted by a method using metal silicide to which a large amount of nitrogen is added, a method of increasing the input power ratio of the silicon target, or the like.
図１に示される位相シフトマスクブランクを図４に示したような多元カソード式ターゲットのスパッタ装置を用いて製造する方法を例に挙げて説明する。
図４に示すスパッタ装置４０は、直流電源を用いるもので、スパッタリングターゲットとして、モリブデンシリサイドターゲット４１、シリコンターゲット４２、クロムターゲット４３を用いるものである。一般的に、成膜速度はターゲットに印加される電力に比例するので、各ターゲットに印加する放電電力の組み合わせを調整することで所望の膜組成が得られる。また、スパッタ装置４０は、スパッタリングガス導入口４５、ガス排出口４６、基板４４を載せるステージ４７を具備する。
A method of manufacturing the phase shift mask blank shown in FIG. 1 by using a multi-source cathode target sputtering apparatus as shown in FIG. 4 will be described as an example.
A
先ず、スパッタリングガス導入口４５から所定のスパッタリングガスを導入しつつ、モリブデンシリサイドターゲット４１、シリコンターゲット４２を放電してスパッタリングを行い、それぞれのターゲットから飛散する膜成分を合成しながら基板４４上に位相シフト膜を所定の厚さまで成膜する。その後、シリコンターゲット４２の投入パワーはそのままで、モリブデンシリサイドターゲット４１の投入パワーを徐々に下げてゆき、また導入するスパッタリングガスの組成を徐々に変更していくことで、連続変化層を成膜する。その後、変更後の条件で、ＳｉＯｘ層を所定厚さまで成膜する。
次に、所定のスパッタリングガスを導入しつつ、クロムターゲット４３を放電してスパッタリングを行い、ＳｉＯｘ層の上に、クロム含有膜を所定の厚さまで成膜する。
尚、成膜中、それぞれのターゲットからの成分を均一に混合させることができるように、ステージ４７を回転自在として、基板４４を回転させておくことが望ましい。
First, while introducing a predetermined sputtering gas from the sputtering
Next, while introducing a predetermined sputtering gas, the chromium target 43 is discharged and sputtered to form a chromium-containing film on the SiO x layer to a predetermined thickness.
During film formation, it is desirable to rotate the substrate 44 with the stage 47 being rotatable so that the components from the respective targets can be mixed uniformly.
次に、本発明の位相シフトマスクブランクを用いて位相シフトフォトマスクを製造する方法について、図２を参照して説明する。
先ず、図２（ａ）に示す位相シフトマスクブランク２０は、基板２１上に、位相シフト膜２２、メタル含有膜２５を有し、位相シフト膜２２とメタル含有膜２５の界面にはＳｉＯｘ層２４を有し、さらに位相シフト膜２２とＳｉＯｘ層２４の界面に連続変化層２３を有する。
そして、この位相シフトマスクブランクのメタル含有膜２５の上にレジスト膜２６を形成する。
次に、図２（ｂ）に示したように、レジスト膜２６に光を照射後、現像することでパターンを形成する。
次に、図２（ｃ）に示したように、パターンを形成したレジスト膜２６をマスクとしてメタル含有膜２５、ＳｉＯｘ層２４、連続変化層２３、位相シフト膜２２をエッチングする。
その後、図２（ｄ）に示したように、レジスト膜２６を除去してパターンを形成した位相シフトフォトマスク２７とする。
尚、この場合、レジスト膜の塗布、パターン形成（露光、現像）、レジスト膜の除去等は、公知の方法によって行うことができる。
Next, a method of manufacturing a phase shift photomask using the phase shift mask blank of the present invention will be described with reference to FIG.
First, the phase shift mask blank 20 shown in FIG. 2A has a
Then, a resist
Next, as shown in FIG. 2B, the resist
Next, as shown in FIG. 2C, the metal-containing
Thereafter, as shown in FIG. 2D, the resist
In this case, application of the resist film, pattern formation (exposure, development), removal of the resist film, and the like can be performed by known methods.
以下、本発明を実施例および比較例を挙げて具体的に説明する。
(実施例１)
位相シフト膜及びメタル含有膜の成膜法として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いた。スパッタ装置として、多元カソード式ターゲットのスパッタ装置を用いた。スパッタリングターゲットは、位相シフト膜用として、モリブデンシリサイドターゲットとシリコンターゲットを用い、メタル含有膜用として、クロムターゲットを用いた。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples.
(Example 1)
As a method for forming the phase shift film and the metal-containing film, a DC magnetron sputtering method was used. As the sputtering apparatus, a multi-source cathode target sputtering apparatus was used. As the sputtering target, a molybdenum silicide target and a silicon target were used for the phase shift film, and a chromium target was used for the metal-containing film.
図１に示す位相シフトマスクブランクを製造するために、先ず、モリブデンシリサイドターゲットとシリコンターゲットに１０００Ｗの放電電力を印加して、６インチ×６インチ（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）の石英基板上に、ＭｏＳｉＯＮを主成分とする位相シフト膜を約５０ｎｍの厚さまで成膜した。この時、スパッタリングガスとしてＡｒを１０ｓｃｃｍ、反応性スパッタリングガスとしてＯ２を２ｓｃｃｍ、Ｎ２を１００ｓｃｃｍで流し、かつガス圧を０．１５Ｐａとした。 In order to manufacture the phase shift mask blank shown in FIG. 1, first, a discharge power of 1000 W is applied to a molybdenum silicide target and a silicon target, and MoSiON is deposited on a 6 inch × 6 inch (150 mm × 150 mm) quartz substrate. A phase shift film as a main component was formed to a thickness of about 50 nm. At this time, Ar was flowed at 10 sccm as the sputtering gas, O 2 was flowed at 2 sccm and N 2 was flowed at 100 sccm as the reactive sputtering gas, and the gas pressure was 0.15 Pa.
次に、モリブデンシリサイドターゲットのパワーを１０００Ｗから０Ｗに徐々に下げると同時に、ガス流量を、Ａｒ１０ｓｃｃｍ、Ｏ２２ｓｃｃｍ、Ｎ２１００ｓｃｃｍから、それぞれＡｒ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２１０ｓｃｃｍ、Ｎ２０ｓｃｃｍへと徐々に変更していくことで、連続変化層を１０ｎｍの厚さまで成膜し、この連続変化層の上に最終的にＳｉＯｘ層を成膜した。
このＳｉＯｘ層は、変更後の条件で５ｎｍの厚さまで成膜した。
Next, the power of the molybdenum silicide target is gradually decreased from 1000 W to 0 W, and at the same time, the gas flow rate is gradually changed from Ar 10 sccm, O 2 2 sccm, and N 2 100 sccm to Ar 20 sccm, O 2 10 sccm, and
This SiO x layer was formed to a thickness of 5 nm under the changed conditions.
次に、クロムターゲットに１０００Ｗの放電電力を印加して、ＳｉＯｘ層の上に、ＣｒＯＮ膜（メタル含有膜）を約５９ｎｍの厚さまで成膜した。この時、スパッタリングガスとしてＡｒを３０ｓｃｃｍ、反応性スパッタリングガスとしてＯ２を３ｓｃｃｍ、Ｎ２を７ｓｃｃｍで流し、かつガス圧を０．３Ｐａとした。 Next, a discharge power of 1000 W was applied to the chromium target, and a CrON film (metal-containing film) was formed on the SiO x layer to a thickness of about 59 nm. At this time, Ar was flowed at 30 sccm as the sputtering gas, O 2 was flowed at 3 sccm and N 2 was flowed at 7 sccm as the reactive sputtering gas, and the gas pressure was 0.3 Pa.
その後、得られた位相シフトマスクブランクのメタル含有膜に対しスクラブ洗浄を６０分行った。このブランクの欠陥検査を行ったところ、ピンホールは２０個であった。 Thereafter, scrub cleaning was performed for 60 minutes on the metal-containing film of the obtained phase shift mask blank. When this blank was inspected for defects, there were 20 pinholes.
(比較例１)
実施例１と同様の、成膜法、スパッタ装置、スパッタリングターゲットを用いた。
図３に示す位相シフトマスクブランクを製造するために、先ず、モリブデンシリサイドターゲットとシリコンターゲットに１０００Ｗの放電電力を印加し、６インチ×６インチ（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）の石英基板上に、ＭｏＳｉＯＮを主成分とする位相シフト膜を約７０ｎｍの厚さまで成膜した。成膜中、スパッタリングガスとしてＡｒを１０ｓｃｃｍ、反応性スパッタリングガスとしてＯ２を２ｓｃｃｍ、Ｎ２を１００ｓｃｃｍで流し、かつガス圧を０．１５Ｐａとした。
(Comparative Example 1)
The same film forming method, sputtering apparatus, and sputtering target as in Example 1 were used.
To manufacture the phase shift mask blank shown in FIG. 3, first, a discharge power of 1000 W is applied to a molybdenum silicide target and a silicon target, and MoSiON is mainly formed on a 6 inch × 6 inch (150 mm × 150 mm) quartz substrate. A phase shift film as a component was formed to a thickness of about 70 nm. During film formation, Ar was flowed at 10 sccm as a sputtering gas, O 2 as reactive sputtering gas at 2 sccm, N 2 at 100 sccm, and the gas pressure was 0.15 Pa.
この膜上に、クロムターゲットに１０００Ｗの放電電力を印加し、ＣｒＯＮ膜（メタル含有膜）を約５９ｎｍ成膜した。成膜中、スパッタリングガスとしてＡｒを３０ｓｃｃｍ、反応性スパッタリングガスとしてＯ２を３ｓｃｃｍ、Ｎ２を７ｓｃｃｍで流し、かつガス圧を０．３Ｐａとした。 On this film, a discharge power of 1000 W was applied to the chromium target to form a CrON film (metal-containing film) of about 59 nm. During film formation, Ar was flowed at 30 sccm as a sputtering gas, O 2 as reactive sputtering gas at 3 sccm, N 2 at 7 sccm, and the gas pressure was 0.3 Pa.
その後、得られた位相シフトマスクブランクのメタル含有膜に対しスクラブ洗浄を６０分行った。このブランクの欠陥検査を行ったところピンホールは６２個であった。 Thereafter, scrub cleaning was performed for 60 minutes on the metal-containing film of the obtained phase shift mask blank. When this blank was inspected for defects, there were 62 pinholes.
このように、実施例１の位相シフトマスクブランクは、比較例１と比較して、欠陥が非常に発生しにくいものとなっている。したがって、実施例１の位相シフトマスクブランクは、位相シフト膜とメタル含有膜、位相シフト膜とＳｉＯｘ層の密着性がかなり高いものであることが判る。 As described above, the phase shift mask blank of Example 1 is much less likely to cause defects as compared with Comparative Example 1. Therefore, it can be seen that the phase shift mask blank of Example 1 has considerably high adhesion between the phase shift film and the metal-containing film, and the phase shift film and the SiO x layer.
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
例えば、上記実施例では、成膜法としてＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いたが、これに限定されるものではなく、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング等の方法を用いてもよい。 For example, in the above embodiment, the DC magnetron sputtering method is used as the film forming method, but the present invention is not limited to this, and a method such as DC sputtering or RF sputtering may be used.
さらに、実施例では金属としてモリブデンを使用したが、この代わりにチタン、タンタル、タングステン、クロム、ジルコニウム、ゲルマニウム等を用いてもよく、また反応性ガスとして酸素及び窒素を用いたが、この他に酸化窒素、亜酸化窒素、炭酸ガス等を用いてもよい。 Furthermore, although molybdenum was used as a metal in the examples, titanium, tantalum, tungsten, chromium, zirconium, germanium, etc. may be used instead, and oxygen and nitrogen are used as reactive gases. Nitrogen oxide, nitrous oxide, carbon dioxide gas, or the like may be used.
また上記では、位相シフト膜およびメタル含有膜がそれぞれ１層有する場合につき例を挙げて説明したが、これらは２層以上形成されても良い。 In the above description, the case where each of the phase shift film and the metal-containing film has one layer has been described as an example. However, two or more layers may be formed.
１０、２０、３０…位相シフトマスクブランク、
１１、２１、３１、４４…基板、 １２、２２、３２…位相シフト膜、
１３、２３…連続変化層、 １４、２４…ＳｉＯｘ層、
１５、２５、３５…メタル含有膜、
２６…レジスト膜、 ２７…位相シフトフォトマスク、
４０…スパッタ装置、 ４１…モリブデンシリサイドターゲット、
４２…シリコンターゲット、 ４３…クロムターゲット、
４５…スパッタリングガス導入口、 ４６…ガス排出口、
４７…ステージ。
10, 20, 30 ... phase shift mask blank,
11, 21, 31, 44 ... substrate, 12, 22, 32 ... phase shift film,
13, 23 ... continuous change layer, 14,24 ... SiO x layer,
15, 25, 35 ... metal-containing film,
26 ... resist film, 27 ... phase shift photomask,
40 ... Sputtering apparatus, 41 ... Molybdenum silicide target,
42 ... Silicon target, 43 ... Chrome target,
45 ... Sputtering gas inlet, 46 ... Gas outlet,
47. Stage.
Claims (9)
少なくとも、スパッタリング法により、前記基板上に、前記１層以上の位相シフト膜、膜の組成が連続的に変化した連続変化層、ＳｉＯｘ層、前記１層以上のメタル含有膜を順次成膜する工程を含み、
前記１層以上の位相シフト膜を、シリコンターゲットと金属を含んだターゲットとを用いて成膜し、
前記連続変化層を、前記金属を含んだターゲットの放電電力を下げると共にスパッタリングガスの組成を変更して成膜し、
前記ＳｉＯｘ層を、前記シリコンターゲットを用いて成膜し、
前記１層以上のメタル含有膜を、金属を主成分とするターゲットを用いて成膜することを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。 A method of manufacturing a phase shift mask blank comprising at least one phase shift film mainly comprising a metal silicide compound and one or more metal-containing films on a substrate,
At least the one or more phase shift films, the continuously changing layer whose film composition is continuously changed, the SiO x layer, and the one or more metal-containing films are sequentially formed on the substrate by sputtering. Including steps,
Forming the one or more phase shift films using a silicon target and a metal-containing target;
The continuous change layer is formed by reducing the discharge power of the target containing the metal and changing the composition of the sputtering gas,
Forming the SiO x layer using the silicon target;
A method of manufacturing a phase shift mask blank, wherein the metal-containing film of one or more layers is formed using a target containing a metal as a main component.
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