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JP2008234930A - 発光装置 - Google Patents

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JP2008234930A JP2007071132A JP2007071132A JP2008234930A JP 2008234930 A JP2008234930 A JP 2008234930A JP 2007071132 A JP2007071132 A JP 2007071132A JP 2007071132 A JP2007071132 A JP 2007071132A JP 2008234930 A JP2008234930 A JP 2008234930A
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light
emitting device
layer
light emitting
transparent substrate
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JP2007071132A
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Satoshi Okuya
聡 奥谷
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Japan Display Central Inc
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

【課題】有機EL素子を含んだ発光装置で高い発光効率を達成可能とする。
【解決手段】本発明の発光装置は、上面発光型の発光装置であって、透明基板SUBと、前記透明基板SUBの一方の主面と向き合った光透過性の下部電極ANDと、前記下部電極ANDを間に挟んで前記透明基板SUBと向き合った光透過性の上部電極CTDと、前記下部電極ANDと前記上部電極CTDとの間に介在した発光層EMLとを含んだ有機EL素子OLEDと、前記透明基板SUBの他方の主面と向き合った光散乱性反射層REFとを具備したことを特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子を含んだ発光装置に関する。
有機EL素子は、特許文献1に記載されているように、照明装置及び表示装置などの様々な発光装置で使用されている。この発光装置には、消費電力及び寿命の観点から、発光効率の向上が望まれている。
特開2003−59642号公報
本発明の目的は、有機EL素子を含んだ発光装置で高い発光効率を達成可能とすることにある。
本発明の一側面によると、透明基板と、前記透明基板の一方の主面と向き合った光透過性の下部電極と、前記下部電極を間に挟んで前記透明基板と向き合った光透過性の上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に介在した発光層とを含んだ有機EL素子と、前記透明基板の他方の主面と向き合った光散乱性反射層とを具備したことを特徴とする上面発光型の発光装置が提供される。
本発明によると、有機EL素子を含んだ発光装置で高い発光効率を達成することが可能となる。
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の第1態様に係る発光装置を概略的に示す断面図である。
この発光装置は、透明基板SUBと有機EL素子OLEDと光散乱性反射層REFと光学結合層OCとを含んでいる。
透明基板SUBは、例えば、ガラス基板又は透明プラスチック基板である。透明基板SUBは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
有機EL素子OLEDは、透明基板SUBの一方の主面に支持されている。有機EL素子OLEDは、下部電極ANDと上部電極CTDと発光層EMLと正孔輸送層HTLと電子輸送層ETLとを含んでいる。
下部電極ANDは、透明基板SUBの一方の主面と向き合っており、光透過性を有している。下部電極ANDは、例えば陽極である。この場合、下部電極ANDの材料としては、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)などの透明導電材料を使用することができる。
上部電極ANDは、下部電極ANDを間に挟んで透明基板SUBの一方の主面と向き合っており、光透過性を有している。上部電極ANDは、例えば陰極である。この場合、上部電極ANDとしては、例えば、マグネシウム銀合金など金属材料からなり且つ十分に薄い金属材料層を使用することができる。この金属材料層は、ITO層などの透明導電材料層で被覆してもよい。
発光層EMLは、下部電極ANDと上部電極CTDとの間に介在している。発光層EMLは、有機物からなる層であって、例えば、ホスト材料とドーパントとを含んだ混合物からなる。ホスト材料としては、例えば、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム(Alq3)を使用することができる。ドーパントとしては、例えば、クマリンを使用することができる。発光層EMLの材料としては、低分子材料の代わりに高分子材料を使用してもよい。
正孔輸送層HTLは、下部電極ANDと発光層EMTとの間に介在している。正孔輸送層HTLは有機物からなり、そのイオン化エネルギーは、典型的には、下部電極ANDの仕事関数と発光層EMTのイオン化エネルギーとの間にある。正孔輸送層HTLの材料としては、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)又はN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)を使用することができる。
電子輸送層ETLは、発光層EMTと上部電極ANDとの間に介在している。電子輸送層ETLは例えば有機物からなり、その電子親和力は、典型的には、発光層EMTの電子親和力と上部電極ANDの仕事関数との間にある。電子輸送層ETLの材料としては、例えば、Alq3を使用することができる。
有機EL素子OLEDからは、正孔輸送層HTL及び電子輸送層ETLの一方又は双方を省略してもよい。また、有機EL素子OLEDは、正孔注入層、電子注入層及び正孔ブロッキング層などの他の層をさらに含んでいてもよい。
光散乱性反射層REFは、透明基板SUBを間に挟んで有機EL素子OLEDと向き合っている。本態様では、光散乱性反射層REFは、透明樹脂TRと、この中に分散された透明粒子TPとを含んでいる。
透明樹脂TRと透明粒子TPとは、屈折率が異なっている。波長が530nmの光についての透明樹脂TRと透明粒子TPとの屈折率の差の絶対値は、例えば0.1乃至1.3の範囲内にある。
透明樹脂TRとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリカーボネート樹脂、又はノボラック樹脂)を使用することができる。透明粒子TPは、固体である。透明粒子TPの材料としては、例えば、酸化チタン及び酸化ジルコニウムなどの無機材料、架橋ポリメタクリル酸メチル及び架橋ポリスチレンなどの有機材料、又はそれらの混合物を使用することができる。
光散乱性反射層REFの全光線透過率は、例えば0%乃至40%の範囲内にあり、典型的には0%乃至20%の範囲内にある。光散乱性反射層REFの厚さは、例えば2μm乃至3mmの範囲内にあり、典型的には3μm乃至0.2mmの範囲内にある。
光学結合層OCは、透明基板SUBと光散乱性反射層REFとの間に介在している。光学結合層OCは、光散乱性反射層REFを透明基板SUBに貼り合わせている。
光学結合層OCは、透明基板SUBと比較して屈折率がより高い。波長が530nmの光についての光学結合層OCの屈折率と透明基板SUBの屈折率との差は、例えば0乃至0.2の範囲内にあり、典型的には0乃至0.1の範囲内にある。
光学結合層OCは、紫外線硬化接着剤やエポキシ系接着剤などの接着剤を用いて形成することができる。光散乱性反射層REFを透明基板SUB上に形成する場合は、光学結合層OCは省略することができる。
この発光装置は、発光層EMLが放出した光を上部電極CTD側から取り出す上面発光型の装置である。そして、この発光装置では、反射層として光散乱性反射層REFを使用している。
光散乱性反射層REFは、光の進行方向を変える光取り出し層としての役割を果たす。したがって、この発光装置は、内部に閉じ込められる光が少ない。
また、この発光装置では、光散乱性反射層REFは、透明樹脂TRと透明粒子TPとからなる。透明材料からなる光散乱層は、光吸収が殆どない。それゆえ、この発光装置では、光散乱性反射層REFによる光吸収は殆ど生じない。しかしながら、この光散乱性反射層REFで高い反射率を達成するには、その膜厚を十分に大きくする必要がある。
この発光装置では、光散乱性反射層REFを、有機EL素子OLEDと透明基板SUBとの間には設置していない。その代わりに、透明基板SUBの有機EL素子OLEDを形成した面の裏面側に光散乱性反射層REFを設置している。
この構成を採用した場合、光散乱性反射層REFに関する制約が少ない。例えば、厚い光散乱性反射層REFを使用することができる。
したがって、この発光装置では、有機EL素子OLEDが光散乱性反射層REFに向けて放出した光の殆どは、光散乱性反射層REFによって吸収されることなく前方へと反射される。それゆえ、上述した構成を採用すると、高い発光効率を達成することが可能となる。例えば、この構成を採用した場合、光散乱性反射層REFの代わりに金属からなる鏡面反射層を使用した場合に達成可能な発光効率の約2倍の発光効率を達成することができる。
次に、本発明の第2態様について説明する。
図2は、本発明の第2態様に係る発光装置を概略的に示す断面図である。
この発光装置は、光散乱性反射層REFに以下の構成を採用したこと以外は図1を参照しながら説明した発光装置と同様である。すなわち、この発光装置では、光散乱性反射層REFの透明粒子TPは空孔である。この構成を採用した場合も、図1を参照しながら説明した構成を採用した場合と同様の効果を得ることができる。
図1及び図2を参照しながら説明した発光装置の反射層REFには、典型的には、空気層などの低屈折率層を隣接させる。しかしながら、この反射層REFは、遮光層で被覆してもよい。この構成を採用した場合、例えば、発光装置の背面が他の光源からの光で照明された場合であっても、この光が発光装置を透過することはない。したがって、背面が他の光源からの光で照明されることに起因した輝度ムラを生じることがない。また、この場合、発光装置の背後にある物体が透けて見えることもない。
次に、本発明の第3態様について説明する。
図3は、本発明の第3態様に係る発光装置を概略的に示す断面図である。
この発光装置は、光散乱性反射層REFに以下の構成を採用したこと以外は図1を参照しながら説明した発光装置とほぼ同様である。すなわち、この発光装置では、光散乱性反射層REFは、レリーフ層RLと金属材料層MLと平坦化層FLとを含んでいる。そして、光散乱性反射層REFは、基板SUB’に支持されている。
基板SUB’は、例えば、樹脂層又は金属材料層である。基板SUB’は、反射層REFを支持する役割を果たす。基板SUB’は、省略してもよい。
レリーフ層RLは、基板SUB’の一方の主面を被覆している。レリーフ層RLは、表面に凹凸構造が設けられた層である。レリーフ層RLは、典型的には樹脂からなる。レリーフ層RLは、樹脂と粒子とを含有した分散液を用いて形成することができる。或いは、レリーフ層RLは、凹凸構造が設けられた版を利用して形成してもよい。或いは、レリーフ層RLは、フォトリソグラフィを利用して形成してもよい。
金属材料層MLは、レリーフ層RLの凹凸構造が設けられた面を被覆している。金属材料層MLの表面は、レリーフ層RLに設けられたのと同様の凹凸構造を含んでおり、光散乱面としての役割を果たす。金属材料層MLは、銀及びアルミニウムなどの金属又は合金からなる。金属材料層MLは、例えば、蒸着法又はスパッタリング法により形成することができる。
平坦化層FLは、金属材料層MLを被覆している。平坦化層FLは、略平坦な表面を有している。平坦化層FLは、例えば、アクリル樹脂からなる。平坦化層FLは、例えば、溶液塗布法により形成することができる。平坦化層FLは、省略してもよい。
この発光装置において、光散乱性反射層REFは、光の進行方向を変える光取り出し層としての役割を果たす。したがって、この発光装置は、内部に閉じ込められる光が少ない。また、この発光装置では、透明基板SUBの有機EL素子OLEDを形成した面の裏面側に光散乱性反射層REFを設置しているので、金属材料層MLの表面に設ける凹凸構造を高い自由度で設計することができる。例えば、先の凹凸面の最大傾斜角を大きくして、光散乱性反射層REFの光散乱能を高めることができる。それゆえ、この構成を採用した場合も、高い発光効率を達成することが可能となる。例えば、この構成を採用した場合、光散乱性反射層REFの代わりに金属からなる鏡面反射層を使用した場合に達成可能な発光効率の約1.6倍の発光効率を達成することができる。
また、凹凸構造を高い自由度で設計することができるので、例えば、発光装置が前方に放出する光の広がり角の制御が容易である。すなわち、指向性の制御が容易である。
以上説明した発光装置は、様々な用途に適用可能である。例えば、上述した発光装置は、照明装置又はその一部として利用してもよい。或いは、上述した発光装置は、表示装置又はその一部として利用してもよい。
本発明の第1態様に係る発光装置を概略的に示す断面図。 本発明の第2態様に係る発光装置を概略的に示す断面図。 本発明の第3態様に係る発光装置を概略的に示す断面図。
符号の説明
AND…下部電極、CTD…上部電極、EML…発光層、ETL…電子輸送層、FL…平坦化層、HTL…正孔輸送層、ML…金属材料層、OLED…有機EL素子、OC…光学結合層、REF…光散乱性反射層、RL…レリーフ層、SUB…透明基板、SUB’…基板、TP…透明粒子、TR…透明樹脂。

Claims (6)

  1. 透明基板と、
    前記透明基板の一方の主面と向き合った光透過性の下部電極と、前記下部電極を間に挟んで前記透明基板と向き合った光透過性の上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に介在した発光層とを含んだ有機EL素子と、
    前記透明基板の他方の主面と向き合った光散乱性反射層とを具備したことを特徴とする上面発光型の発光装置。
  2. 前記光散乱性反射層は透明樹脂とこの中に分散された透明粒子とを含んだことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記透明粒子は空孔であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記透明粒子は固体である請求項2に記載の発光装置。
  5. 前記光散乱性反射層は表面に凹凸構造が設けられた金属層であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  6. 前記透明基板と前記光散乱性反射層との間に介在し、前記透明基板と比較して屈折率がより高い光学結合層をさらに具備したことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の発光装置。
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