JP2008185868A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】透光性基板上において絶縁膜の層間などで反射しながら外乱光が光センサに入射するのを防止することのできる電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において画素領域１０ｂの外側領域に光センサ３１０が形成されており、光センサ３１０は、透光性基板１０ｄ上に形成された下地保護膜１２とゲート絶縁膜２との層間に形成されている。バックライト装置６００から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が層間絶縁膜７、８の層間や遮光膜１１ａで反射して光センサ３１０の方に進行するおそれがあるが、かかる外乱光は、貫通穴７ｋ内部に形成された遮光膜６ｋにより遮られる。
【選択図】図４

Description

本発明は、光センサを備えた電気光学装置に関するものである。

電気光学装置を表示装置として搭載したパーソナルコンピュータや携帯電話機などの電子機器は、環境光の強度が異なる様々な環境下で使用される。従って、環境光に変化に応じて、電気光学装置での駆動条件を変化させれば、画像品位の向上や低消費電力化を図ることができる。

例えば、代表的な電気光学装置である透過型または反透過型の液晶装置では、液晶パネルの背面にバックライト装置が設けられており、バックライト装置からの出射光は、液晶パネルによって変調される。このような液晶装置において、バックライト装置の消費電力は大きい。そこで、液晶装置にディスクリート部品からなる光センサを搭載し、この光センサによって外光（環境光）を測定するとともに、その測定結果に応じてバックライト装置の強度を調整し、低消費電力化を図ることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、ディスクリート部品からなる光センサをフレキシブル基板に実装しているため、工数およびコストが増大してしまうという問題点がある。

そこで、液晶パネルの素子基板に対して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ／Thin Film Transistor）を形成する工程を利用して光センサを素子基板上に形成することが考えられ、かかる構成によれば、ディスクリート部品からなる光センサを用いなくても、透光性の対向基板の側から入射した外光を検出することができる。
特開２００３−７８８３８号公報

しかしながら、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ／Thin Film Transistor）を形成する工程を利用して光センサを透光性基板上に形成すると、透光性基板上に形成された複数層の絶縁膜の層間に光センサが形成される結果、絶縁膜を伝って光センサに光が漏れてくるおそれがある。例えば、バックライト装置から液晶パネルに向けて出射された光のうち、斜め方向に出射された光が絶縁膜の層間で反射して光センサに外乱光として入射する場合があり、かかる外乱光は光センサの感度を低下させてしまう。また、バックライト装置から液晶パネルに向けて出射された光のうち、斜め方向に出射された光がケースなどで反射した後、絶縁膜の層間で反射し、光センサに外乱光として入射する場合もある。

また、透光性基板において光センサの下層側に、透光性基板側からの光の入射を阻止する遮光膜を形成すると、絶縁膜の層間と遮光膜との間で反射を繰り返しながら光センサに向けて外乱光が進行し、光センサに入射しやすくなることもある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、透光性基板上において絶縁膜の層間などで反射しながら外乱光が光センサに入射するのを防止することのできる電気光学装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、透光性基板上に画素領域と光センサとが形成された電気光学装置において、前記透光性基板上には、複数層の絶縁膜が積層されているとともに、当該複数層の絶縁膜のいずれかの層間に前記光センサが形成され、前記光センサより下層側には、当該光センサに重なる領域に第１の遮光膜が形成され、前記光センサに対して前記画素領域側で隣接する第１の領域、および前記光センサに対して前記画素領域側とは反対側で隣接する第２の領域のうちの少なくとも一方には、前記複数層の絶縁膜のうち、前記光センサにおいて光を受光する半導体層より上層側に位置するいずれかの絶縁膜から前記第１の遮光膜まで到達する貫通穴が形成され、当該貫通穴の内部には第２の遮光膜が形成されていることを特徴とする。

本発明では、透光性基板における画素領域の外側領域に光センサが形成されており、この光センサは、透光性基板が位置する側とは反対側の方向から入射する対象光を検出する。ここで、光センサより下層側には第１の遮光膜が形成されているため、透光性基板の側から光センサに直接、外乱光が入射することが防止されている。また、光センサにおいて、光を受光する半導体層は、透光性基板上に形成された複数層の絶縁膜の層間に形成されているため、絶縁膜を伝って光センサに光が漏れてくるおそれがあるが、本発明では、光センサに隣接する位置に貫通穴が形成され、かかる貫通穴の内部には第２の遮光膜が形成されているので、絶縁膜を伝って光センサに側方から外乱光が入射することを防止することができる。例えば、前記貫通穴および前記第２の遮光膜が前記第１の領域に形成されている場合には、バックライト装置から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が絶縁膜の層間や第１の遮光膜で反射して光センサに外乱光として入射することを防止できる。これに対して、前記貫通穴および前記第２の遮光膜が前記第２の領域に形成されている場合には、バックライト装置から液晶パネルに向けて出射された光のうち、電気光学装置のケースの内面などで反射した光が絶縁膜の層間や第１の遮光膜で反射して光センサに外乱光として入射することを防止できる。それ故、本発明によれば、光センサの感度を高めることができる。

本発明において、前記貫通穴および前記第２の遮光膜は、少なくとも前記第１の領域に形成されていることが好ましい。前記貫通穴および前記第２の遮光膜が前記第１の領域に形成されている場合には、バックライト装置から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が絶縁膜の層間や第１の遮光膜で反射して光センサに強い外乱光として入射することを防止できる。

本発明において、前記第１の遮光膜および前記第２の遮光膜は導電膜であって、前記第１の遮光膜と前記光センサとの層間には、前記複数層の絶縁膜の少なくとも一層が介在し、前記第１の遮光膜は、前記第２の遮光膜を介して定電位に保持されていることが好ましい。第１の遮光膜が導電膜である場合、第１の遮光膜と光センサとは容量結合した状態にあり、第１の遮光膜の電位が変動すると、光センサでの光検出に影響を及ぼすが、第１の遮光膜に第２の遮光膜が接続していることを利用して、第１の遮光膜を定電位に保持しておけば、第１の遮光膜の電位の変動を防止することができる。

本発明において、前記複数層の絶縁膜のうち、前記光センサより上方に位置するいずれかの絶縁膜上には、コンタクトホールを介して前記光センサに電気的に接続された配線が形成され、前記第２の遮光膜には、前記配線と同一層間に形成された導電膜が含まれていることが好ましい。このように構成すると、第２の遮光膜を別途、形成する工程を追加する必要がない。

本発明において、前記貫通穴は、下穴部分と、該下穴部分に連通する上穴部分とを備え、前記第２の遮光膜には、前記下穴部分を介して前記第１の遮光膜に電気的に接続する下層側導電膜と、前記配線と同一層間に形成された前記導電膜からなる上層側導電膜とを備えていることが好ましい。このように構成すると、アスペクト比の大きな貫通穴を介して第２の遮光膜を第１の遮光膜に電気的に接続する必要がないので、第１の遮光膜と第２の遮光膜との電気的な接続を確実に行なうことができる。

本発明において、前記貫通穴は、前記画素領域において前記光センサと対向する端部に沿う第１の方向に複数、配列されて穴列を構成し、当該穴列は、前記第１の方向に直交する第２の方向において複数列、配置され、前記複数列の貫通列において前記第２の方向で隣接する２つの穴列を前記第２の方向からみたとき、一方の穴列に含まれる前記貫通穴の間が、他方の穴列に含まれる前記貫通穴に形成された前記第２の遮光膜より塞がれている構成を採用することができる。

本発明において、前記貫通穴は、前記画素領域において前記光センサと対向する端部に沿う方向にスリット状に延びている構成を採用することができる。

本発明に係る電気光学装置では、前記光センサによる光検出結果に基づいて前記画素領域における駆動条件が調整されることが好ましい。

また、前記画素領域に光を出射する光源装置を備えている場合、前記光センサによる光検出結果に基づいて前記光源装置おける出射光量を制御することが好ましい。

本発明を適用した電気光学装置は、例えばパーソナルコンピュータ、携帯電話機、情報携帯端末等の電子機器に用いることができる。

以下に、図面を参照して本発明について説明する。以下の実施形態は、代表的な電気光学装置であるＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置に本発明に係る光検出装置を構成したものである。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示す電気光学装置１００は、全透過型の液晶装置であり、液晶パネル１００ｐ、画像処理回路２０２、タイミング発生回路２０３、電源回路２０１、調光回路５００、バックライト装置６００（光源装置）などを備えている。画像処理回路２０２、タイミング発生回路２０３および電源回路２０１は、液晶パネル１００ｐに接続されたフレキシブル基板１０８（図２（ａ）、（ｂ）参照）に実装されたＩＣなどにより構成されている。また、調光回路５００およびバックライト装置６００は、液晶パネル１００ｐの外部に構成されている。

タイミング発生回路２０３では、液晶パネル１００ｐの各画素１００ａを駆動するためのドットクロックが生成され、このドットクロックに基づいて、クロック信号ＶＣＫ、ＨＣＫ、反転クロック信号ＶＣＫＢ、ＨＣＫＢ、転送開始パルスＨＳＰ、ＶＳＰが生成される。画像処理回路２０２は、外部から入力画像データが入力されると、この入力画像データに基づいて画像信号を生成し、液晶パネル１００ｐに供給する。電源回路２０１は、複数の電源ＶＤＤ、ＶＳＳ、ＶＨＨ、ＶＬＬを生成して液晶パネル１００ｐに供給する。

液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂ（画素配列領域）を備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としての薄膜トランジスタ３０および画素電極９ａが形成されている。薄膜トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、薄膜トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、薄膜トランジスタ３０のドレインには画素電極９ａが電気的に接続されている。

素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１はデータ線６ａに電気的に接続しており、画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号がリークするのを防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、走査線３ａと並列するように容量線３ｂが形成されており、かかる容量線３ｂは共通電位線（図示せず）に接続され、所定の電位に保持されている。なお、保持容量６０は前段の走査線３ａとの間に形成される場合もある。

電気光学装置１００において、表示画像の見え易さは環境の明るさによって左右される。例えば、日中の自然光の下では、バックライト装置６００の発光輝度を高く設定し、明るい画面を表示する必要がある。一方、夜間の暗い環境の下では、バックライト装置６００の発光輝度が日中ほど高くなくても鮮明な画像を表示することができる。従って、バックライト装置６００の発光輝度は、環境光の照度に応じて調整することが望ましい。そこで、本形態の電気光学装置１００には、光センサ３１０および検出回路３４０を備えた光検出装置３００が構成されており、かかる光検出装置３００は、環境光の照度を計測する。また、調光回路５００は、光検出装置３００により得られた照度データに応じた輝度でバックライト装置６００が発光するように制御する。かかる光検出装置３００の具体的な構成は後述する。なお、検出回路３４０は素子基板１０上に構成される場合もある。

（液晶パネル１００ｐの具体的構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して素子基板１０と、ガラスなどを基材とする透光性の対向基板２０とがシール材１０７（図２（ａ）において右下がりの斜線を付した領域）によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外周縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。対向基板２０のコーナー部などにおいては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材（図示せず）が形成されている。

素子基板１０において、シール材１０７の内周縁より外側領域には、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、素子基板１０には、端子１０２によりフレキシブル基板１０８が接続されている。なお、素子基板１０には、画素領域１０ｂ、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４を静電気から保護するための保護回路や検査回路が構成される場合もあるが、それらの説明は省略する。

詳しくは後述するが、素子基板１０には、画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に額縁状の遮光膜２３ｂ（図２（ａ）において右上がりの斜線を付した領域）が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。また、対向基板２０では、素子基板１０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３ａが形成され、その上層側には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる対向電極２１が形成されている。なお、画素領域１０ｂには、遮光膜２３ｂと重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。本形態では、シール材１０７として光硬化性接着剤を用いたため、対向基板２０側からの光照射が可能なように、遮光膜２３ｂとシール材１０７とをずれた位置に形成したが、素子基板１０側からの光照射によりシール材１０７を光硬化させる場合や、シール材１０７に熱硬化性接着剤を用いた場合には、遮光膜２３ｂとシール材１０７とが重なった位置に形成されている構成を採用することもできる。

シール材１０７より囲まれた空間内には電気光学物質としての液晶５０が封入されている。液晶５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、素子基板１０および対向基板に形成された配向膜１６、２２（図３（ｂ）参照）により所定の配向状態をとる。液晶５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。

電気光学装置１００において、素子基板１０の背面側にはバックライト装置６００が配置されており、バックライト装置６００から出射された光は、素子基板１０の側から液晶パネル１００ｐに入射して対向基板２０の側から出射される間に変調され、対向基板２０の側から表示光として出射される。バックライト装置６００としては面光源装置を採用することができるとともに、ＬＥＤ素子と導光板とを用いた光源装置を採用することもできる。

液晶パネル１００ｐにおいて、画像表示領域１０ａを挟んでデータ線駆動回路１０１と対向する位置には光センサ３１０が配置されている。本形態において、光センサ３１０は、素子基板１０上に形成された受光素子からなる。対向基板２０に形成された遮光膜２３ｂは、一部が切り欠かれており、素子基板１０において遮光膜２３ｂの切り欠き２３ｃと重なる領域に光センサ３１０が形成されている。

このように形成した電気光学装置１００は、例えば、図２（ｂ）に示すケース４０などに収納された状態で電子機器に搭載される。ここで、電気光学装置１００が、後述するモバイルコンピュータ、携帯電話機、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用いられる場合、対向基板２０には、カラーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、対向基板２０および素子基板１０の光入射側の面あるいは光出射側には、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。電気光学装置１００は、透過型に限らず、半透過反射型として構成される場合がある。

（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０には、ガラスなどからなる透光性基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａに隣接する位置にＮチャネル型の薄膜トランジスタ３０が形成されている。薄膜トランジスタ３０は、ツインゲート構造を有しており、島状の半導体膜１ａには、ソース側からドレイン側に向かって、高濃度ソース領域１ｄ、チャネル形成領域１ｂ、高濃度Ｎ型領域１ｇ、チャネル形成領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅがこの順に配置されている。半導体膜１ａの上層にはシリコン酸化膜などからなるゲート絶縁膜２が形成され、ゲート絶縁膜２の上層には走査線３ａが形成されている。走査線３ａの一部は、ゲート電極としてゲート絶縁膜２を介してチャネル形成領域１ｂ、１ｃに対向している。

半導体膜１ａは、透光性基板１０ｄに対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜である。高濃度ソース領域１ｄ、高濃度Ｎ型領域１ｇ、および高濃度ドレイン領域１ｅは、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして約０．１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で高濃度Ｎ型の不純物（リンイオンなど）を導入することにより形成された半導体領域である。

薄膜トランジスタ３０の上層側には、層間絶縁膜７、８が形成されている。層間絶縁膜７の表面にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール７ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。層間絶縁膜８の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜８に形成されたコンタクトホール８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続し、このドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜２に形成されたコンタクトホール７ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１６が形成されている。高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、保持容量６０が構成されている。本形態において、走査線３ａおよび容量線３ｂは、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜からなる。また、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂも、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜からなる。

（駆動回路の構成）
再び図２（ａ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の表面側のうち、画素領域１０ｂの周辺領域を利用してデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４などの内部回路が形成されている。このようなデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４のシフトレジスタなどを構成するにあたっては、図示を省略するが、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを備えた相補型薄膜トランジスタが用いられる。

（光センサおよびその周辺部分の構成）
図４（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した電気光学装置に用いた光センサおよびその近傍の平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図であり、図４（ｂ）には、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０も示してある。

図４（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の素子基板１０において画素領域１０ｂの外側領域には光センサ３１０が形成されており、光センサ３１０は、複数の受光素子を配線６ｈ、６ｉによって並列に電気的に接続した構造を有している。本形態において、光センサ３１０は、下地保護膜１２、ゲート絶縁膜２、層間絶縁膜７、および層間絶縁膜８の各層間のうち、下地保護膜１２とゲート絶縁膜２との層間に形成されたＰＩＮ接合型ダイオードであり、半導体膜１ｗには高濃度Ｎ型領域１ｘ、真性領域１ｙおよび高濃度Ｐ型領域１ｚが順に並んでいる。光センサ３１０に対しては、層間絶縁膜７の上層に形成された配線６ｈ、６ｉが各々、コンタクトホール７ｈ、７ｉを介して高濃度Ｎ型領域１ｘおよび高濃度Ｐ型領域１ｚに電気的に接続している。

半導体膜１ｗは、薄膜トランジスタ３０を構成する半導体膜１ａと同時形成されたポリシリコン膜である。高濃度Ｎ型領域１ｘは、薄膜トランジスタ３０および相補型薄膜トランジスタの高濃度Ｎ型領域を形成する際、レジストマスクを用いて、約０．１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で高濃度Ｎ型の不純物（リンイオンなど）を導入することにより形成された半導体領域である。高濃度Ｐ型領域１ｚは、相補型薄膜トランジスタの高濃度Ｐ型領域を形成する際、レジストマスクを用いて、約０．１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で高濃度Ｐ型の不純物（ボロンイオンなど）を導入することにより形成された半導体領域である。配線６ｈ、６ｉは、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂと同時形成された金属膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜からなる。

このように構成した光センサ３１０は、対向基板２０に形成された遮光膜２３ｂの切り欠き２３ｃと重なっており、対向基板２０の側から入射してくる外光（対象光／環境光／矢印Ｐで示す）を検出可能である。遮光膜２３ｂは、ブラックマトリクスを構成する遮光膜２３ａ（図２（ｂ）、図３（ｂ）参照）と同時形成されたモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜などからなる。ここで、遮光膜２３ｂは、画素領域１０ｂと光センサ３１０との間に重なる領域にも形成されている。

半導体膜１ｗに対して透光性基板１０ｄが位置する側、本形態では、透光性基板１０ｄと下地保護膜１２との層間には、光センサ３１０を含む領域と重なるように、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜などからなる遮光膜１１ａ（第１の遮光膜）が形成されている。このため、バックライト装置６００からの光が直接、真性領域１ｙに入射しない。本形態において、遮光膜１１ａは広い領域にわたって形成されており、遮光膜１１ａの一部は、画素領域１０ｂと光センサ３１０との間の領域まで形成されている。

本形態では、光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側で隣接する第１の領域１０ｅ、および光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側とは反対側で隣接する第２の領域１０ｆのうち、第１の領域１０ｅには、複数層の絶縁膜（下地保護膜１２、ゲート絶縁膜２、層間絶縁膜７、および層間絶縁膜８）において、光センサ３１０の半導体膜１ｗより上層側に位置する層間絶縁膜７から遮光膜１１ａまで到達する貫通穴７ｋが形成されており、貫通穴７ｋは、層間絶縁膜７、ゲート絶縁膜２および下地保護膜１２を貫通している。

貫通穴７ｋの内部には遮光膜６ｋ（第２の遮光膜）が形成されており、遮光膜６ｋは、貫通穴７ｋの底部および側面壁を覆っている。遮光膜６ｋは、配線６ｈ、６ｉ、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂと同時形成された金属膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜からなる。従って、遮光膜６ｋと遮光膜１１ａとは電気的に接続している。また、遮光膜６ｋは、図３（ｂ）に示す容量線３ｂその他の定電位線と電気的に接続しており、遮光膜１１ａは、遮光膜６ｋを介して定電位に保持されている。

本形態において、貫通穴７ｋは、画素領域１０ｂにおいて光センサ３１０と対向する端部に沿う第１の方向Ｘに複数、配列されて穴列４１、４２を構成しており、穴列４１、４２は、第１の方向Ｘに直交する第２の方向Ｙ（画素領域１０ｂから光センサ３１０に向かう方向）で並列している。

また、穴列４１、４２を第２の方向Ｙからみたとき、一方の穴列４１に含まれる貫通穴７ｋの間が、他方の穴列４２に含まれる貫通穴７ｋに形成された遮光膜６ｋにより塞がれ、穴列４２に含まれる貫通穴７ｋの間が、穴列４１に含まれる貫通穴７ｋに形成された遮光膜６ｋにより塞がれている。具体的には、穴列４１において、貫通穴７ｋは所定の間隔を空けて配列されているが、その間隔は、貫通穴７ｋの第１の方向Ｘにおける寸法Ｌｘよりも狭く、穴列４２に含まれる貫通穴７ｋは、穴列４１に含まれる貫通穴７ｋの間に配置されている。逆に、穴列４２において、貫通穴７ｋは所定の間隔を空けて配列されているが、その間隔は、貫通穴７ｋの第１の方向Ｘにおける寸法Ｌｘよりも狭く、かつ、穴列４１に含まれる貫通穴７ｋは、穴列４２に含まれる貫通穴７ｋの間に配置されている。

（電気光学装置および光検出装置の製造方法）
図３および図４に加えて、図５も参照して電気光学装置１００および光検出装置３００の製造方法を説明する。図５（ａ）〜（ｈ）は、本発明を適用した電気光学装置１００および光検出装置３００の製造工程のうち、素子基板１０に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０、および光センサ３１０の製造方法を示す工程断面図である。なお、図５（ａ）〜（ｈ）は各々、図４（ｂ）に対応する。

まず、図５（ａ）に示すように、第１の遮光膜形成工程において、超音波洗浄等により清浄化したガラス製等の透光性基板１０ｄの表面にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、金属膜をパターニングし、遮光膜１１ａ（第１の遮光膜）を形成する。

次に、下地保護膜形成工程では、図５（ｂ）に示すように、基板温度が１５０〜４５０℃の温度条件下で、プラズマＣＶＤ法などの方法により、透光性基板１０ｄの全面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜１２を形成する。

次に、半導体膜形成工程において、基板温度が１５０〜４５０℃の温度条件下で、透光性基板１０ｄの全面に、アモルファスシリコン膜からなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により、例えば、４０〜５０ｎｍの厚さに形成した後、レーザアニール法などにより、半導体膜１を多結晶化させる。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて半導体膜１をパターニングし、図５（ｃ）に示すように、半導体膜１ａ、１ｗを島状に形成する。

次に、ゲート絶縁膜形成工程において、図５（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法などを用いて、半導体膜１ａ、１ｗの上層にシリコン酸化膜などからなるゲート絶縁膜２を形成する。なお、図示を省略するが、この工程の後、半導体膜１ａの延設部分１ｆにＮ型の不純物（リンイオンなど）を打ち込んで、容量線３ｂとの間に保持容量６０を構成するための下電極を形成しておく。

次に、ゲート電極形成工程では、透光性基板１０ｄの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて金属膜をパターニングし、図５（ｅ）に示すように、走査線３ａ、容量線３ｂ、ゲート電極３ｅを形成する。その結果、保持容量６０が形成される。

次に、図５（ｆ）に示すように、半導体膜１ａ、１ｗなどに対する不純物導入工程を行なう。この不純物導入工程では、高濃度Ｎ型不純物導入工程において、ゲート絶縁膜２の上層に半導体膜１ｗや駆動回路側の半導体膜の表面を部分的に覆うレジストマスク（図示せず）を形成した状態で、半導体膜１ａ、１ｗや駆動回路側の半導体膜に高濃度Ｎ型の不純物（リンイオンなど）を導入して、半導体膜１ａの高濃度ソース領域１ｄ、高濃度Ｎ型領域１ｇおよび高濃度ドレイン領域１ｅなどを形成するとともに、半導体膜１ｗには、高濃度Ｎ型領域１ｘを形成する。また、高濃度Ｐ型不純物導入工程において、ゲート絶縁膜２の上層に半導体膜１ａの表面全体や、半導体膜１ｗおよび駆動回路側の半導体膜の表面を部分的に覆うレジストマスク（図示せず）を形成した状態で、半導体膜１ｗや駆動回路側の半導体膜に高濃度Ｐ型の不純物（ボロンイオンなど）を導入して、半導体膜１ｗの高濃度Ｐ型領域１ｚなどを形成する。その際、不純物が導入されなかった領域がチャネル形成領域１ｂ、１ｃおよび真性領域１ｙとなる。

次に、第１の層間絶縁膜形成工程では、図５（ｇ）に示すように、ＣＶＤ法などを用いてシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜７を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、コンタクトホール７ａ、７ｂ、７ｈ、７ｉ、および貫通穴７ｋを形成する。ここで、コンタクトホール７ａ、７ｂ、７ｈ、７ｉと貫通穴７ｋとでは、深さが大きく異なるので、コンタクトホール７ａ、７ｂ、７ｈ、７ｉ、および貫通穴７ｋの上穴部分を形成した後、レジストマスクを形成し、貫通穴７ｋの下穴部分を形成する。

次に、配線形成工程では、図５（ｈ）に示すように、透光性基板１０ｄの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、あるいはそれらの積層膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて金属膜をパターニングし、データ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、配線６ｈ、６ｉ、および遮光膜６ｋ（第２の遮光膜）を形成する。

それ以降の工程については図示を省略するが、第２の層間絶縁膜形成工程では、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、コンタクトホール８ａを備えた層間絶縁膜８を形成する。次に、画素電極形成工程において、透光性基板１０ｄの表面全体にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画素電極９ａを形成する。しかる後には、図３（ｂ）に示す配向膜１６を形成する。その結果、素子基板１０が完成する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０において画素領域１０ｂの外側領域に光センサ３１０が形成されており、この光センサ３１０は、対向基板２０側から入射する外光を検出する。従って、検出回路３４０は、照度データを調光装置５００に出力し、調光装置５００は、外光に応じた条件でバックライト装置６００が発光するように制御することができる。

また、本形態では、光センサ３１０より下層側には遮光膜１１ａ（第１の遮光膜）が形成されているため、透光性基板１０ｄの側から光センサ３１０に直接、バックライト装置６００から出射された光が外乱光として入射することがない。また、光センサ３１０は、透光性基板１０ｄ上に形成された下地保護膜１２とゲート絶縁膜２との層間に形成され、その上層には層間絶縁膜７、８が形成されているため、画像表示領域１０ａで表示を行なった際、図４（ｂ）に矢印Ｑで示すように、バックライト装置６００から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が層間絶縁膜７、８の層間や遮光膜１１ａで反射して光センサ３１０の方に進行するおそれがあるが、かかる外乱光は、貫通穴７ｋ内部に形成された遮光膜６ｋ（第２の遮光膜）により遮られる。それ故、光センサ３１０に外乱光が入射することがないので、光センサ３１０の感度を高めることができる。

また、貫通穴７ｋは、コンタクトホール７ｈ、７ｉを形成する工程を利用して形成され、遮光膜６ｋは、配線６ｈ、６ｉを形成する工程を利用して形成される。従って、最小限の工程数の増大で光センサ３１０に外乱光に入射することを防止することができる。

さらに、遮光膜１１ａと光センサ３１０との間には下地保護膜１２が介在しており、遮光膜１１ａは光センサ３１０と容量結合しているが、遮光膜１１ａは、遮光膜６ｋを介して定電位に保持されている。このため、遮光膜１１ａの電位変動が光センサ３１０での光検出に影響を及ぼすことがないので、その点でも、光センサ３１０の感度を高めることができる。

［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置に用いた光センサおよびその近傍の平面図、およびそのＣ−Ｃ′断面図であり、図６（ｂ）には、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０も示してある。なお、本形態および後述する実施の形態３、４は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。

図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の素子基板１０においても、実施の形態１と同様、画素領域１０ｂの外側領域には光センサ３１０が形成されており、光センサ３１０は、下地保護膜１２、ゲート絶縁膜２、層間絶縁膜７、および層間絶縁膜８の各層間のうち、下地保護膜１２とゲート絶縁膜２との層間に形成されたＰＩＮ接合型ダイオードである。光センサ３１０は、対向基板２０に形成された遮光膜２３ｂの切り欠き２３ｃと重なっており、対向基板２０の側から入射してくる外光（対象光／環境光／矢印Ｐで示す）を検出可能である。透光性基板１０ｄと下地保護膜１２との層間には、光センサ３１０を含む領域と重なるように、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜などからなる遮光膜１１ａ（第１の遮光膜）が形成されている。

本形態では、光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側で隣接する第１の領域１０ｅ、および光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側とは反対側で隣接する第２の領域１０ｆのうち、第１の領域１０ｅには、複数層の絶縁膜（下地保護膜１２、ゲート絶縁膜２、層間絶縁膜７、および層間絶縁膜８）において光センサ３１０の半導体膜１ｗより上層側に位置する層間絶縁膜７から遮光膜１１ａまで到達する貫通穴７ｓが形成されている。本形態において、貫通穴７ｓは、下地保護膜１２を貫通する下穴部分１２ｔと、ゲート絶縁膜２および層間絶縁膜７を貫通して下穴部分１２ｔに連通する上穴部分７ｔとからなる。

貫通穴７ｓの内部には遮光膜６ｓ（第２の遮光膜）が形成されている。本形態において、遮光膜６ｓは、下穴部分１２ｔの内部で遮光膜１１ａに電気的に接続された下層側遮光膜４ｔ（下層側導電膜）と、上穴部分７ｔの内部で下層側遮光膜４ｔに電気的に接続された上層側遮光膜６ｔ（上層側導電膜）とからなる。下層側遮光膜４ｔは、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜からなり、下穴部分１２ｔの底部および側面壁を覆っている。上層側遮光膜６ｔは、配線６ｈ、６ｉ、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂと同時形成されたモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの単層膜あるいは積層膜からなり、上穴部分７ｔの側面壁を覆っている。

このようにして貫通穴７ｓの内部には遮光膜６ｓが形成され、遮光膜６ｓと遮光膜１１ａとは電気的に接続している。下層側遮光膜４ｔおよび上層側遮光膜６ｔのうちの少なくとも一方が、図３（ｂ）に示す容量線３ｂその他の定電位線と電気的に接続しており、遮光膜１１ａは、遮光膜６ｋを介して定電位に保持されている。

本形態において、貫通穴７ｓは、画素領域１０ｂにおいて光センサ３１０と対向する端部に沿う第１の方向Ｘに複数、配列されて穴列４１、４２を構成しており、穴列４１、４２は、第１の方向Ｘに直交する第２の方向Ｙ（画素領域１０ｂから光センサ３１０に向かう方向）で並列している。また、穴列４１、４２を第２の方向Ｙからみたとき、一方の穴列４１に含まれる貫通穴７ｓの間が、他方の穴列４２に含まれる貫通穴７ｓに形成された遮光膜６ｓにより塞がれ、穴列４２に含まれる貫通穴７ｓの間が、穴列４１に含まれる貫通穴７ｓに形成された遮光膜６ｓにより塞がれている。具体的には、穴列４１において、貫通穴７ｓは所定の間隔を空けて配列されているが、その間隔は、貫通穴７ｓの第１の方向Ｘにおける寸法Ｌｘよりも狭く、穴列４２に含まれる貫通穴７ｓは、穴列４１に含まれる貫通穴７ｓの間に配置されている。逆に、穴列４２において、貫通穴７ｓは所定の間隔を空けて配列されているが、その間隔は、貫通穴７ｓの第１の方向Ｘにおける寸法Ｌｘよりも狭く、かつ、穴列４１に含まれる貫通穴７ｓは、穴列４２に含まれる貫通穴７ｓの間に配置されている。

このように構成するにあたっては、下地保護膜１２を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、下地保護膜１２に下穴部分１２ｔを形成する。また、下穴部分１２ｔを形成した後、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属膜を形成し、しかる後に、フォトリソグラフィ技術を用いて金属膜をパターニングすることにより、下層側遮光膜４ｔを形成する。その他の工程は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

以上説明したように、本形態でも、光センサ３１０によって、対向基板２０側から入射する外光を検出することができ、外光に応じた条件でバックライト装置６００が発光するように制御することができる。また、光センサ３１０より下層側には遮光膜１１ａ（第１の遮光膜）が形成されているため、透光性基板１０ｄの側から光センサ３１０に直接、バックライト装置６００から出射された光が外乱光として入射することがない。さらに、図６（ｂ）に矢印Ｑで示すように、バックライト装置６００から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が層間絶縁膜７、８の層間や遮光膜１１ａで反射して光センサ３１０の方に進行するおそれがあるが、かかる外乱光は、貫通穴７ｓ（下穴部分１２ｔ、上穴部分７ｔ）の内部に形成された遮光膜６ｓ（第２の遮光膜／下層側遮光膜４ｔ、上層側遮光膜６ｔ）により遮られる。それ故、光センサ３１０に外乱光が入射することがないので、光センサ３１０の感度を高めることができる。

［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置に用いた光センサおよびその近傍の平面図である。なお、図７のＤ−Ｄ′線における断面は、図４（ｂ）に示すように表わされるので、図４（ｂ）および図７を参照して本形態を説明する。

実施の形態１、２では、光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側で隣接する第１の領域１０ｅに対して、複数の貫通穴７ｋ、７ｓによって穴列を形成したが、本形態では、図４（ｂ）および図７に示すように、画素領域１０ｂにおいて光センサ３１０と対向する端部に沿って延びたスリット状の貫通穴７ｋが形成され、この貫通穴７ｋの内部には遮光膜６ｋが形成されている。その他の構成は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

このように構成した本形態でも、バックライト装置６００から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が層間絶縁膜７、８の層間や遮光膜１１ａで反射して光センサ３１０の方に進行するおそれがあるが、かかる外乱光は、貫通穴７ｋの内部に形成された遮光膜６ｋにより遮られるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。なお、貫通穴をスリット状に延びた構造は、実施の形態２で採用した貫通穴７ｓ（下穴部分１２ｔ、上穴部分７ｔ）に適用してもよい。

［実施の形態４］
図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置に用いた光センサおよびその近傍の平面図、およびそのＥ−Ｅ′断面図である。

実施の形態１〜３では、光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側で隣接する第１の領域１０ｅに対して、内部に遮光膜６ｋ、６ｓが形成された貫通穴７ｋ、７ｓを形成したが、本形態では、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側で隣接する第１の領域１０ｅ、および光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側とは反対側で隣接する第２の領域１０ｆの双方に対して、内部に遮光膜６ｋが形成された貫通穴７ｋを形成されている。その他の構成は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

このように構成した本形態でも、バックライト装置６００から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が層間絶縁膜７、８の層間や遮光膜１１ａで反射して光センサ３１０の方に進行するおそれがあるが、かかる外乱光は、第１の領域１０ｅの貫通穴７ｋの内部に形成された遮光膜６ｋにより遮られるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。

さらに、バックライト装置６００から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が、図２（ｂ）に示すケース４０の内面で反射した後、図８（ｂ）に矢印Ｒで示すように、層間絶縁膜７、８の層間や遮光膜１１ａで反射して光センサ３１０の方に進行しようとした場合でも、かかる外乱光は、第２の領域１０ｆの貫通穴７ｋの内部に形成された遮光膜６ｋにより遮られる。よって、光センサ３１０に外乱光が入射することがないので、光センサ３１０の感度を高めることができる。なお、光センサ３１０に隣接する第１の領域１０ｅ、および第２の領域１０ｆの双方に対して、内部に遮光膜が形成された貫通穴を形成するにあたっては、実施の形態２を参照して説明した構成や、実施の形態３を参照して説明した構成を採用してもよい。

［その他の電気光学装置への適用例］
上記形態では、光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側で隣接する第１の領域１０ｅには、必ず、内部に遮光膜が形成された貫通穴を配置したが、画素領域１０ｂ側からの外乱光対策が他の構成で施されている場合には、光センサ３１０に対して画素領域１０ｂ側とは反対側で隣接する第２の領域１０ｆのみに、内部に遮光膜が形成された貫通穴を配置してもよい。

上記形態では、光センサ３１０がＰＩＮ接合型ダイオードの場合を説明したが、Ｎ型の薄膜トランジスタをダイオード接続したＭＯＳ型ダイオード、あるいはＰ型の薄膜トランジスタをダイオード接続したＭＯＳ型ダイオードを光センサ３１０として用いた場合に本発明を適当してもよい。また、光センサ３１０を用いて光検出を行なうにあたっては、遮光膜２３ｂの切り欠き２３ｃに重なる領域に主センサを構成する光センサ３１０を配置する一方、遮光膜２３ｂと重なる領域に副センサを構成する光センサ３１０を配置し、それらの検出結果の差により、外光の強度を求めてもよい。例えば、主センサと副センサとをノードを介して直列に電気的接続してセンサ回路を構成するとともに、センサ回路の両端に電圧を印加したときにノードから取り出される電流あるいは電圧に基いて外光を検出してもよい。

また、上記実施形態では、上記実施形態では、液晶装置において光検出装置３００での検出結果に基づいて、バックライト装置からの出射光量を制御したが、光検出装置３００での検出結果に基づいて、各画素１００ａに供給される信号を制御してもよい。また、上記実施形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例に説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置において、光検出装置３００での検出結果に基づいて、各画素に供給される信号を制御してもよい。

［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図９（ａ）に、電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図９（ｂ）に、電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図９（ｃ）に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。

なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図９に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能である。

本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で電気光学装置を切断したときの断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた光センサおよびその近傍の平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図である。 図４に示す画素スイッチング用の薄膜トランジスタ、および光センサの製造方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置に用いた光センサおよびその近傍の平面図、およびそのＣ−Ｃ′断面図である。 本発明の実施の形態３に係る電気光学装置に用いた光センサおよびその近傍の平面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置に用いた光センサおよびその近傍の平面図、およびそのＥ−Ｅ′断面図である。 本発明を適用した電気光学装置を備えた電子機器の説明図である。

符号の説明

１ｗ・・光センサの半導体膜、１ｘ・・光センサの高濃度Ｎ型領域、１ｙ・・光センサの真性領域、１ｚ・・光センサの高濃度Ｐ型領域、２・・ゲート絶縁膜、４ｔ・・下層側遮光膜（下層側導電膜）、６ｋ、６ｓ・・貫通穴内部の遮光膜（第２の遮光膜）、６ｔ・・上層側遮光膜（上層側導電膜）、７、８・・層間絶縁膜、７ｋ、７ｓ・・貫通穴、７ｔ・・貫通穴の上穴部分、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｂ・・画素領域、１０ｄ・・透光性基板、１０ｅ・・光センサに隣接する第１の領域、１０ｆ・・光センサに隣接する第２の領域、１１ａ・・素子基板側の遮光膜（第１の遮光膜）、１２・・下地保護膜、１２ｔ・・貫通穴の下穴部分、２０・・対向基板、２３ａ、２３ｂ・・対向基板側の遮光膜、３０・・画素スイッチング用の薄膜トランジスタ、４０・・ケース、１００・・電気光学装置、１００ｐ・・液晶パネル、３００・・光検出装置、３１０・・光センサ、６００・・バックライト装置

Claims (9)

1. 透光性基板上に画素領域と光センサとが形成された電気光学装置において、
   前記透光性基板上には、複数層の絶縁膜が積層されているとともに、当該複数層の絶縁膜のいずれかの層間に前記光センサが形成され、
   前記光センサより下層側には、当該光センサに重なる領域に第１の遮光膜が形成され、
   前記光センサに対して前記画素領域側で隣接する第１の領域、および前記光センサに対して前記画素領域側とは反対側で隣接する第２の領域のうちの少なくとも一方には、前記複数層の絶縁膜のうち、前記光センサにおいて光を受光する半導体層より上層側に位置するいずれかの絶縁膜から前記第１の遮光膜まで到達する貫通穴が形成され、
   当該貫通穴の内部には第２の遮光膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記貫通穴および前記第２の遮光膜は、少なくとも前記第１の領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１の遮光膜および前記第２の遮光膜は導電膜であって、前記第１の遮光膜と前記光センサとの層間には、前記複数層の絶縁膜の少なくとも一層が介在し、
   前記第１の遮光膜は、前記第２の遮光膜を介して定電位に保持されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記複数層の絶縁膜のうち、前記光センサより上方に位置するいずれかの絶縁膜上には、コンタクトホールを介して前記光センサに電気的に接続された配線が形成され、
   前記第２の遮光膜には、前記配線と同一層間に形成された導電膜が含まれていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記貫通穴は、下穴部分と、該下穴部分に連通する上穴部分とを備え、
   前記第２の遮光膜には、前記下穴部分を介して前記第１の遮光膜に電気的に接続する下層側導電膜と、前記配線と同一層間に形成された前記導電膜からなる上層側導電膜とを備えていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記貫通穴は、前記画素領域において前記光センサと対向する端部に沿う第１の方向に複数、配列されて穴列を構成し、
   当該穴列は、前記第１の方向に直交する第２の方向において複数列、配置され、
   前記複数列の貫通列において前記第２の方向で隣接する２つの穴列を前記第２の方向からみたとき、一方の穴列に含まれる前記貫通穴の間が、他方の穴列に含まれる前記貫通穴内に形成された前記第２の遮光膜より塞がれていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記貫通穴は、前記画素領域において前記光センサと対向する端部に沿う方向にスリット状に延びていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記光センサによる光検出結果に基づいて前記画素領域における駆動条件が調整されることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記画素領域に光を出射する光源装置を備え、
   前記光センサによる光検出結果に基づいて前記光源に装置おける出射光量を制御することを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。

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