JP2008172272A - マイクロリソグラフィ投影露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】視野絞り(36)と、
前記視野絞り(36)を像平面(34)の上に結像し、かつ、中間像平面(100)を有する視野絞りレンズ(37”)と、
から構成されることを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明系。
【選択図】図6
Description
a)物体平面、
像平面、
光軸、
非テレセントリック系入射瞳
を有する投影レンズと、
b)中間フィールド平面、
その中間フィールド平面内またはその近傍に位置決めされ、
かつ前記投影レンズの物体平面において、前記投影レンズの光軸を含まない照明されたフィールドを決める視野絞り
を有する照明系と
を備えており、照明系が、該物体平面において、一方では該中間フィールド平面から出てくる全主光線と、他方では前記投影レンズの光軸との間で形成される角度の平均が0°とは異なるように構成された投影露光装置を用いて達成される。
Claims (23)
- 視野絞り(36)と、
前記視野絞り(36)を像平面(34)の上に結像し、かつ、中間像平面(100)を有する視野絞りレンズ(37”)と、
から構成されることを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明系。 - 補正要素(106)は、前記中間像平面(100)内またはその近傍に位置決めされていることを特徴とする請求項1に記載の照明系。
- 前記補正要素(106)は、前記中間像平面(100)から離れて100mm以内に位置決めされていることを特徴とする請求項2に記載の照明系。
- 前記補正要素(106)は、前記中間像平面(100)から離れて30mm以内に位置決めされていることを特徴とする請求項3に記載の照明系。
- 前記補正要素(106)は、グレイ・フィルタであることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記補正要素(106)は、屈折または回折光学要素であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記補正要素(106)は絞りであることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記補正要素は、強度分布制御のための静的なあるいは個々に移動可能な半透明または不透明な指を備えることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記補正要素はレンズ群であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記レンズ群は少なくとも1つの非球面レンズ要素を有することを特徴とする請求項9に記載の照明系。
- 前記補正要素(106)は、偏光操作光学要素であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記偏光操作光学要素(106)は、偏光子であることを特徴とする請求項11に記載の照明系。
- 前記偏光操作光学要素(106)は直線的に偏光された入射光の偏光方向を回転させる回転子であることを特徴とする請求項12に記載の照明系。
- 前記補正要素(106)は、入射する光線の入射角に依存する透過性を有する層状構造を備えることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記補正要素(106)は、前記補正要素の位置の調整を可能にするホルダ(104)内に収容されていることを特徴とする請求項2乃至14のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記ホルダ(104)は、前記照明系の光軸(38”)に沿って前記補正要素を移動させることを可能にすることを特徴とする請求項15に記載の照明系。
- 前記ホルダ(104)は、前記照明系の光軸(38”)に対して傾斜した方向に沿って前記補正要素を移動させることを可能にすることを特徴とする請求項15または16に記載の照明系。
- 前記ホルダ(104)は前記補正要素を傾斜させることが可能であることを特徴とする請求項15乃至17のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記ホルダ(104)は前記補正要素を変形させることを可能にすることを特徴とする請求項15乃至18のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記ホルダ(102、104)は、異なる補正要素を収容することを可能にする交換ホルダであることを特徴とする請求項15乃至19のいずれか1項に記載の照明系。
- 請求項1乃至20のいずれか1項に記載の照明系を備えることを特徴とするマイクロリソグラフィ露光装置。
- a)感光層(20)を支持する基板(22)を提供するステップと、
b)前記感光層(20)上に結像されるべき構造(18)を含んだマスク(16)を提供するステップと、
c)請求項21に記載の投影露光装置(10)を提供するステップと、
d)前記感光層(20)上に前記マスク(16)少なくとも一部を投影するステップと、
から構成されることを特徴とするマイクロ構造化されたデバイスを製造するマイクロリソグラフィ方法。 - 請求項22に記載の前記ステップに従って製造されることを特徴とするマイクロ構造化されたデバイス。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008530788A (ja) * | 2005-02-12 | 2008-08-07 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
WO2014024594A1 (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-13 | 株式会社ニコン | 処理装置およびデバイス製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0926554A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2000058442A (ja) * | 1998-04-21 | 2000-02-25 | Asm Lithography Bv | リソグラフィック投影装置 |
JP2001237183A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-08-31 | Asm Lithography Bv | マイクロリソグラフィ投影装置 |
JP2001308006A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-11-02 | Carl Zeiss:Fa | マイクロリソグラフィー照明系および上記照明系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
JP2002222757A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
JP2003203844A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2004022708A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004303810A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Sony Corp | 投影露光装置 |
JP2004342711A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
-
2008
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0926554A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2000058442A (ja) * | 1998-04-21 | 2000-02-25 | Asm Lithography Bv | リソグラフィック投影装置 |
JP2001237183A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-08-31 | Asm Lithography Bv | マイクロリソグラフィ投影装置 |
JP2001308006A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-11-02 | Carl Zeiss:Fa | マイクロリソグラフィー照明系および上記照明系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
JP2002222757A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法及びデバイス |
JP2003203844A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2004022708A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004303810A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Sony Corp | 投影露光装置 |
JP2004342711A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008530788A (ja) * | 2005-02-12 | 2008-08-07 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
WO2014024594A1 (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-13 | 株式会社ニコン | 処理装置およびデバイス製造方法 |
KR20150040885A (ko) * | 2012-08-06 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JPWO2014024594A1 (ja) * | 2012-08-06 | 2016-07-25 | 株式会社ニコン | 処理装置およびデバイス製造方法 |
KR101880794B1 (ko) | 2012-08-06 | 2018-07-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101909427B1 (ko) | 2012-08-06 | 2018-10-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101949117B1 (ko) | 2012-08-06 | 2019-02-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 주사 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
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