JP2008134310A

JP2008134310A - 表示装置

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Publication number: JP2008134310A
Application number: JP2006318608A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Ohara; 健大原
Original assignee: Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2006-11-27
Filing date: 2006-11-27
Publication date: 2008-06-12

Abstract

【課題】液晶表示パネルの表示領域にマトリクス状に点在する各交差領域に形成される交差容量のばらつきを低減する。
【解決手段】複数本の第１の信号線と、絶縁層を介して前記複数本の第１の信号線と立体的に交差する複数本の第２の信号線とを有する表示パネルを備える表示装置であって、前記表示パネル上にマトリクス状に点在する前記第１の信号線と前記第２の信号線とが立体的に交差している領域は、ある１つの領域において第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さが、他の１つの領域において第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さよりも薄く、前記ある１つの領域において第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が、前記他の１つの領域において第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積よりも小さい表示装置。
【選択図】図８（ａ）

Description

本発明は、表示装置に関し、特に、ＴＦＴがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。

従来、テレビやパーソナルコンピュータ（ＰＣ：ＰｅｒｓｏｎａｌＣｏｍｐｕｔｅｒ）向けのディスプレイには、たとえば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を用いたものがある。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを有し、前記一対の基板のうちの一方の基板には、ＴＦＴなどのアクティブ素子（スイッチング素子）が多数個、マトリクス状に配置されている。

また、前記一対の基板のうちの、多数個のＴＦＴがマトリクス状に配置されている基板（以下、ＴＦＴ基板という）は、複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線を有し、マトリクス状に配置された多数個のＴＦＴは、それぞれ、前記複数本の走査信号線のうちの１本にゲートが接続され、前記複数本の映像信号線のうちの１本にドレインが接続されている。また、前記多数個のＴＦＴは、ソースが画素電極に接続されており、画素電極は、前記液晶材料および共通電極（対向電極ということもある）とともに画素容量（液晶容量ということもある）を形成している。なお、前記多数個のＴＦＴは、ソースが映像信号線に接続され、ドレインが画素電極に接続されていると表現することもある。

ところで、前記液晶表示装置では、１枚の液晶表示パネルの表示領域における画質が面内で均一であること重要視されているが、たとえば、各ＴＦＴのゲート絶縁膜として機能する絶縁層の膜厚には面内分布（ばらつき）が生じやすい。

前記ＴＦＴのゲート絶縁膜として機能する絶縁層は、通常、ＴＦＴ基板の全面に形成（成膜）されており、走査信号線と映像信号線が立体的に交差している領域（交差領域）にも介在している。このとき、表示領域にマトリクス状に点在する各交差領域には、走査信号線および映像信号線を電極とし、それらの間に介在している絶縁層を誘電体とする容量（以下、交差容量という）が形成される。

しかしながら、従来の一般的なＴＦＴ基板の製造方法では、複数本の走査信号線を形成するときには各走査信号線の幅がほぼ一定になるように形成し、複数本の映像信号線を形成するときには各映像信号線の幅がほぼ一定になるように形成している。そのため、前記絶縁層の膜厚に面内分布（ばらつき）があると、走査信号線と映像信号線が立体的に交差する領域に形成される交差容量の値にばらつきが生じやすい。

このような交差容量のばらつきは、たとえば、走査信号線に入力された走査信号や、映像信号線に入力された映像信号の遅延量のばらつきの原因になることがある。そのため、従来の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板における交差容量の値のばらつきに起因した画質むらが生じるという問題がある。このような問題は、特に、大画面または高精細、あるいは高速駆動の液晶表示パネルにおいて顕著になる。

本発明の目的は、たとえば、液晶表示パネルの表示領域にマトリクス状に点在する各交差領域に形成される交差容量のばらつきを低減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。

（１）複数本の第１の信号線と、絶縁層を介して前記複数本の第１の信号線と立体的に交差する複数本の第２の信号線と、マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴとを有する表示パネルを備える表示装置であって、前記表示パネル上にマトリクス状に点在する前記第１の信号線と前記第２の信号線とが立体的に交差している領域は、ある１つの領域において第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さが、他の１つの領域において第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さよりも薄く、前記ある１つの領域において第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が、前記他の１つの領域において第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積よりも小さい表示装置。

（２）前記（１）の表示装置において、前記ある１つの領域における第１の信号線の厚さは、前記他の１つの領域における第１の信号線の厚さよりも薄く、前記ある１つの領域における第１の信号線の幅は、前記他の１つの領域における第１の信号線の幅よりも広い表示装置。

（３）前記（１）または（２）の表示装置において、前記ある１つの領域における第１の信号線の幅および第２の信号線の幅ならびに第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さをそれぞれＧＬＷ１およびＧＤＷ１ならびにＧＩＤ１とし、前記他の１つの領域における第１の信号線の幅および第２の信号線の幅ならびに第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さをそれぞれＧＬＷ２およびＧＤＷ２ならびにＧＩＤ２としたときに、下記（式１）の関係を満たす表示装置。

（４）前記（１）または（２）の表示装置において、前記ある１つの領域における第１の信号線の幅および第２の信号線の幅ならびに第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さをそれぞれＧＬＷ１およびＧＤＷ１ならびにＧＩＤ１とし、前記他の１つの領域における第１の信号線の幅および第２の信号線の幅ならびに第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さをそれぞれＧＬＷ２およびＧＤＷ２ならびにＧＩＤ２とし、前記表示パネル上にマトリクス状に点在する前記第１の信号線と前記第２の信号線とが立体的に交差している領域のうちの、対角に位置する２つの領域の距離をＬ_ＤＡ［ｃｍ］、当該２つの領域におけるエッチング量の誤差をσ［ｃｍ］、前記ある１つの領域と前記他の１つの領域との距離をＬ_１２［ｃｍ］としたときに、下記（式２）の関係を満たす表示装置。

（５）前記（１）乃至（４）のいずれかの表示装置において、前記複数本の第１の信号線は、前記ある１つの領域の近傍における１画素分の長さの配線時定数と、前記他の１つの領域の近傍における１画素分の長さの配線時定数がほぼ同じ値である表示装置。

（６）前記（１）乃至（５）のいずれかの表示装置において、前記複数本の第２の信号線は、前記ある１つの領域の近傍における１画素分の長さの配線時定数と、前記他の１つの領域の近傍における１画素分の長さの配線時定数がほぼ同じ値である表示装置。

（７）前記（１）乃至（６）のいずれかの表示装置において、前記複数本の第１の信号線および前記複数本の第２の信号線ならびに前記絶縁層は、絶縁基板の表面に前記第１の信号線、前記絶縁層、前記第２の信号線の順に積層しており、前記ある１つの領域における第２の信号線の厚さは、前記他の１つの領域における第２の信号線の厚さよりも薄く、前記ある１つの近傍において２本の隣接する第１の信号線と立体的に交差している２つの領域を連結している部分の幅は、前記他の１つの近傍において２本の隣接する第１の信号線と立体的に交差している２つの領域を連結している部分の幅よりも広い表示装置。

（８）前記（１）乃至（７）のいずれかの表示装置において、前記複数本の第１の信号線のうちの１本の第１の信号線と、前記複数本の第２の信号線とが立体的に交差している各領域は、当該第１の信号線の一端からの距離が長い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線との間に介在している絶縁層が厚く、当該第１の信号線の前記一端からの距離が長い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が広い表示装置。

（９）前記（１）乃至（７）のいずれかの表示装置において、前記複数本の第１の信号線のうちの１本の第１の信号線と、前記複数本の第２の信号線とが立体的に交差している各領域は、当該第１の信号線の中点からの距離が短い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線との間に介在している絶縁層が厚く、当該第１の信号線の前記中点からの距離が短い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が広い表示装置。

（１０）前記（１）乃至（９）のいずれかの表示装置において、前記複数本の第２の信号線のうちの１本の第２の信号線と、前記複数本の第１の信号線とが立体的に交差している各領域は、当該第２の信号線の一端からの距離が長い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線との間に介在している絶縁層が厚く、当該第２の信号線の前記一端からの距離が長い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が広い表示装置。

（１１）前記（１）乃至（９）のいずれかの表示装置において、前記複数本の第２の信号線のうちの１本の第２の信号線と、前記複数本の第１の信号線とが立体的に交差している各領域は、当該第２の信号線の中点からの距離が短い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線との間に介在している絶縁層が厚く、当該第２の信号線の前記中点からの距離が短い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が広い表示装置。

（１２）前記（１）乃至（１１）のいずれかの表示装置において、前記表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルである表示装置。

（１３）前記（１２）の表示装置において、前記液晶表示パネルは、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記複数本の第１の信号線および前記複数本の第２の信号線ならびに前記絶縁層と、前記マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴと、画素電極とを有し、前記一対の基板のうちの他方の基板に共通電極を有する表示装置。

（１４）前記（１２）の表示装置において、前記液晶表示パネルは、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記複数本の第１の信号線および前記複数本の第２の信号線ならびに前記絶縁層と、前記マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴと、画素電極と、共通電極とを有する表示装置。

（１５）前記（１）乃至（１４）のいずれかの表示装置において、前記第１の信号線は、前記マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴのゲートに接続する走査信号線であり、前記第２の信号線は、前記マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴのドレインまたはソースのいずれか一方に接続する映像信号線である表示装置。

本発明の表示装置によれば、１枚の表示パネルの表示領域にマトリクス状に点在する、走査信号線と映像信号線とが立体的に交差している領域に形成される交差容量をほぼ均一な値にすることができる。

また、本発明の表示装置によれば、前記交差容量の誘電体や多数個のＴＦＴのゲート絶縁膜として機能する絶縁層の薄型化が可能になり、表示パネルの製造コストを低減できる。

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

図１（ａ）は、本発明による実施例１の液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した液晶表示パネルにおける１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。

実施例１では、本発明をアクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用した場合を例に挙げ、その構成の一例について説明する。そこで、まず、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の概略構成について簡単に説明する。

アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、たとえば、図１（ａ）に示すように、液晶表示パネル１と、ゲートドライバ２と、データドライバ３とを有する。なお、図１（ａ）では省略しているが、前記アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、そのほかに、たとえば、ゲートドライバ２やデータドライバ３の動作を制御する制御回路などを有するのはもちろんである。

液晶表示パネル１は、複数本の走査信号線ＧＬおよび複数本の映像信号線ＤＬと、表示領域ＤＡにマトリクス状に配置された多数個のアクティブ素子（スイッチング素子と呼ぶこともある）とを有する。走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬは、絶縁層を介して形成されており、１本の映像信号線ＤＬは、前記絶縁層を介して複数本の走査信号線ＧＬと立体的に交差している。また、液晶表示パネル１において、前記アクティブ素子は、ＭＩＳ構造（ＭＯＳ構造を含む）のＴＦＴである。

液晶表示パネル１の表示領域ＤＡは、走査信号線ＧＬの延在方向および映像信号線ＤＬの延在方向に配置された多数個の画素により構成されており、１つの画素が占める領域は、２本の隣接する走査信号線ＧＬと２本の隣接する映像信号線ＤＬとで囲まれる領域に相当する。

前記アクティブ素子として用いるＴＦＴが、１つの画素に対して１個の割合で配置される場合、たとえば、図１（ｂ）に示すように、２本の隣接する走査信号線ＧＬ_ｎ，ＧＬ_ｎ＋１（ｎは１より大きい整数）と、２本の隣接する映像信号線ＤＬ_ｍ，ＤＬ_ｍ＋１（ｍは１より大きい整数）とで囲まれる領域（画素）に対して配置されるＴＦＴ（Ｔｒ）は、ゲート（Ｇ）が走査信号線ＧＬ_ｎ＋１に接続し、ドレイン（Ｄ）が映像信号線ＤＬ_ｍに接続している。また、ＴＦＴのソース（Ｓ）は、画素電極ＰＸに接続している。画素電極ＰＸは、共通電極ＣＴおよび液晶層ＬＣと画素容量を形成する一方で、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｎおよび絶縁層ＰＡＳと保持容量を形成している。

図２（ａ）は、液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線における模式断面図である。
図３（ａ）は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板における１画素の構成の一例を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ１−Ｂ１’線における模式断面図である。図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ２−Ｂ２’線における模式断面図である。

液晶表示パネル１は、たとえば、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１および対向基板１０２の一対の基板の間に液晶材料１０３（液晶層ＬＣ）を封入している。このとき、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２は、表示領域ＤＡを囲む環状のシール材１０４で接着されており、液晶材料１０３は、ＴＦＴ基板１０１および対向基板１０２ならびにシール材１０４で囲まれた空間に封入されている。

また、液晶表示パネル１が透過型または半透過型の場合、ＴＦＴ基板１０１および対向基板１０２の外側を向いた面には、たとえば、一対の偏光板１０５Ａ，１０５Ｂが設けられている。またこのとき、たとえば、ＴＦＴ基板１０１と偏光板１０５Ａの間、および対向基板１０２と偏光板１０５Ｂの間に、それぞれ、１層または複数層の位相差板が設けられていることもある。

また、液晶表示パネル１が反射型の場合、一般に、ＴＦＴ基板１０１側の偏光板１０５Ａや位相差板は不要である。

液晶表示パネル１が透過型であり、かつ、縦電界駆動方式の場合、ＴＦＴ基板１０１には、図１（ａ）および図１（ｂ）に示した構成のうちの、走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、ＴＦＴ（Ｔｒ）、画素電極ＰＸ、保持容量の絶縁層ＰＡＳが形成されている。また、図１（ａ）および図１（ｂ）に示した構成のうちの液晶層ＬＣは液晶材料１０３であり、共通電極ＣＴは対向基板１０２に形成されている。

このとき、ＴＦＴ基板１０１における１画素の構成は、たとえば、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成になっており、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面に走査信号線ＧＬ、第１の絶縁層ＰＡＳ１、半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１ならびにソース電極ＳＤ２、第２の絶縁層ＰＡＳ２、画素電極ＰＸが積層している。画素電極ＰＸは、スルーホールＴＨによりソース電極ＳＤ２と電気的に接続している。

走査信号線ＧＬは、たとえば、絶縁基板ＳＵＢの表面に成膜したアルミニウムなどの導電膜をエッチングして形成する。

半導体層ＳＣは、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上に成膜したアモルファスシリコン膜をエッチングした後、アクセプターまたはドナーを注入してチャネル領域、ドレイン領域、ソース領域に作り分ける。

映像信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１ならびにソース電極ＳＤ２は、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１および半導体層ＳＣの表面に成膜したアルミニウムなどの導電膜をエッチングして形成する。このとき、ドレイン電極ＳＤ１は、たとえば、映像信号線ＤＬと一体形成する。

画素電極ＰＸは、たとえば、第２の絶縁層ＰＡＳ２のソース電極ＳＤ２と平面でみて重なる位置に開口部を設けておき、第２の絶縁層ＰＡＳ２の表面に成膜したＩＴＯ膜などの光透過性が高い導電膜をエッチングして形成する。

また、図３（ｂ）および図３（ｃ）では省略しているが、第２の絶縁層ＰＡＳ２および画素電極ＰＸの上には、配向膜が形成されており、ＴＦＴ基板１０１は、前記配向膜が形成された面が、液晶材料１０３（液晶層ＬＣ）を介して対向基板１０２に対向している。

図４は、実施例１の液晶表示パネルの特徴を説明するために選択する２つの交差領域の位置関係の一例を示す模式図である。
図５（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板を製造する工程における第１の導電膜の成膜工程で生じる現象の一例を示す模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＣ−Ｃ’線における模式断面図である。
図６（ａ）は、図４の２つの交差領域およびその近傍における走査信号線の幅の関係を示す模式平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＤ１−Ｄ１’線およびＤ２−Ｄ２’線における模式断面図である。図６（ｃ）は、走査信号線の幅の設定方法の一例を説明するための模式平面図である。図６（ｄ）は、配線時定数の定義の一例を説明するための模式グラフ図である。
図７（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルのＴＦＴ基板を製造する工程における第１の絶縁層および第２の導電膜の成膜工程で生じる現象の一例を示す模式平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。
図８（ａ）は、図４の２つの交差領域およびその近傍における映像信号線の幅の関係を示す模式平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＦ１−Ｆ１’線およびＦ２−Ｆ２’線における模式断面図である。図８（ｃ）は、図８（ａ）のＧ１−Ｇ１’線およびＧ２−Ｇ２’線における模式断面図である。

実施例１の液晶表示パネル１の特徴を説明するにあたり、たとえば、図４に示すように、Ｎ本の走査信号線ＧＬ_ｎ（ｎは１からＮまでの整数のいずれか）と、Ｍ本の映像信号線ＤＬ_ｍ（ｍは１からＭまでの整数のいずれか）が形成されているＴＦＴ基板１０１を例に挙げる。

また、図４に示したＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡにある第１の画素ＳＰ１および第２の画素ＳＰ２は、それぞれ、たとえば、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成になっている。またこのとき、第１の画素ＳＰ１のＴＦＴは、ゲートが走査信号線ＧＬ_ｉに接続し、ドレインが映像信号線ＤＬ_ｕに接続している。また、第２の画素ＳＰ２のＴＦＴは、ゲートが走査信号線ＧＬ_ｉに接続し、ドレインが映像信号線ＤＬ_ｖに接続している。

このようなＴＦＴ基板１０１では、たとえば、走査信号線と映像信号線とが第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して立体的に交差し、走査信号線と映像信号線とが平面でみて重なる領域（以下、交差領域という）がマトリクス状に点在している。このとき、各交差領域には、走査信号線および映像信号線を上部電極および下部電極とし、走査信号線と映像信号線との間に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１を誘電体とする配線容量（以下、交差容量という）が形成される。またこのとき、各交差領域に形成される交差容量は、すべての交差容量がほぼ同じ値になっていることが望まれる。すなわち、走査信号線ＧＬ_ｉと映像信号線ＤＬ_ｕが第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して立体的に交差している交差領域ＩＳ１に形成される交差容量と、走査信号線ＧＬ_ｉと映像信号線ＤＬ_ｖが第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して立体的に交差している交差領域ＩＳ２に形成される交差容量とがほぼ同じ値になっていることが望まれる。

しかしながら、ＴＦＴ基板１０１を形成するときには、たとえば、各交差領域における走査信号線の膜厚、第１の絶縁層の膜厚、映像信号線の膜厚にばらつきが生じ、各交差領域に形成される交差容量の容量値にばらつきが生じることが多い。

実施例１の液晶表示パネル１に用いるＴＦＴ基板１０１を製造するときには、まず、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面に、複数本の走査信号線ＧＬを形成する。このとき、複数本の走査信号線ＧＬは、たとえば、絶縁基板ＳＵＢの表面全体にアルミニウム膜などの第１の導電膜を形成（成膜）した後、当該第１の導電膜をエッチングして形成する。このとき、第１の導電膜は、たとえば、ターゲットスパッタリング法を用いて形成する。そのため、たとえば、図５（ａ）および図５（ｂ）に示したように、絶縁基板ＳＵＢの表面に成膜された第１の導電膜４０１のｘ方向の膜厚が、絶縁基板の１つの辺ＳＵＢａから対向する辺ＳＵＢｂに向かうにつれて徐々に厚くなっていくような分布になることがある。

従来のＴＦＴ基板１０１の製造方法では、たとえば、図５（ａ）に示した領域ＡＲ１に走査信号線ＧＬ_ｉを形成するときに、走査信号線ＧＬ_ｉのｘ方向に沿った各位置における幅が一定になるように形成するのが一般的である。しかしながら、第１の導電膜４０１の膜厚が、図５（ｂ）に示したような分布になっている場合、ｘ方向に沿った各位置における幅が一定になるように形成すると、走査信号線ＧＬ_ｉの断面積が、絶縁基板ＳＵＢの１つの辺ＳＵＢａに近いほうの端部から対向する辺ＳＵＢｂに向かうにつれて徐々に広くなっていく。そのため、走査信号線ＧＬ_ｉは、絶縁基板ＳＵＢの１つの辺ＳＵＢａから遠ざかるにつれて、徐々に配線抵抗が大きくなっていく。

そこで、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、たとえば、第１の導電膜４０１の膜厚が薄いところでは走査信号線の幅を広くし、第１の導電膜４０１の膜厚が厚いところでは走査信号線の幅を狭くする。第１の導電膜４０１のｘ方向の膜厚が、図５（ｂ）に示したような分布になっている場合、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉは、その幅が、絶縁基板ＳＵＢの１つの辺ＳＵＢａに近いほうの端部から対向する辺ＳＵＢｂに向かうにつれて徐々に狭く（細く）なるように形成する。

すなわち、交差領域ＩＳ１およびその近傍における走査信号線ＧＬ_ｉの幅および厚さをそれぞれＧＬＷ１およびＧＬＤ１とし、交差領域ＩＳ２およびその近傍における走査信号線ＧＬ_ｉの幅および厚さをそれぞれＧＬＷ２およびＧＬＤ２とした場合、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、各交差領域ＩＳ１，ＩＳ２における走査信号線ＧＬ_ｉの厚さの関係はＧＬＤ１＜ＧＬＤ２なので、幅の関係がＧＬＷ１＞ＧＬＷ２になるように走査信号線ＧＬ_ｉを形成する。

またこのとき、交差領域ＩＳ１およびその近傍における走査信号線ＧＬ_ｉの幅ＧＬＷ１と、交差領域ＩＳ２およびその近傍における走査信号線ＧＬ_ｉの幅ＧＬＷ２とは、たとえば、ＧＬＷ１×ＧＬＤ１＝ＧＬＷ２×ＧＬＤ２の関係を満たすようにすることが望ましい。このようにすると、第１の画素ＳＰ１が形成される領域における走査信号線ＧＬ_ｉの走査信号線線分ＧＲＬ１の両端の抵抗値ＧＬＲ１と、第２の画素ＳＰ２が形成される領域における走査信号線ＧＬ_ｉの走査信号線線分ＧＲＬ２の両端の抵抗値ＧＬＲ２とが、ＧＬＲ１≒ＧＬＲ２になり、各走査信号線線分の配線抵抗がほぼ一定になることが本願発明者らによって確認された。

なお、走査信号線線分ＧＲＬ１は、たとえば、図６（ｃ）に示すように、走査信号線ＧＬ_ｉのうちの、映像信号線ＤＬ_ｕの中心線と重なる位置を一端ＧＲＬ１_ｎｓとし、映像信号線ＤＬ_ｕに隣接する映像信号線ＤＬ_ｕ＋１の中心線と重なる位置を他端ＧＲＬ１_ｆｓとする線分である。また、図示は省略するが、走査信号線線分ＧＲＬ２は、走査信号線ＧＬ_ｉのうちの、映像信号線ＤＬ_ｖの中心線と重なる位置を一端ＧＲＬ２_ｎｓとし、映像信号線ＤＬ_ｖ＋１の中心線と重なる位置を他端ＧＲＬ２_ｆｓとする線分である。

またさらに、交差領域ＩＳ１およびその近傍における走査信号線ＧＬ_ｉの幅ＧＬＷ１と、交差領域ＩＳ２およびその近傍における走査信号線ＧＬ_ｉの幅ＧＬＷ２とが、ＧＬＷ１×ＧＬＤ１＝ＧＬＷ２×ＧＬＤ２の関係を満たすよう走査信号線ＧＬ_ｉを形成した場合、第１の画素ＳＰ１が形成される領域における走査信号線線分ＧＲＬ１の配線時定数と、第２の画素ＳＰ２が形成される領域における走査信号線線分ＧＲＬ２の配線時定数とが、ほぼ同じ値になり、各走査信号線線分の配線時定数が一定になっていることも本願発明者らによって確認された。

なお、上記配線時定数とは、たとえば、図６（ｄ）に示すように、ある走査信号線線分ＧＲＬの一端ＧＲＬ_ｎｓから、ある時刻Ｔ０に電圧がＶ０からＶ１に瞬時に変化する信号を入力したときに、他方の端ＧＲＬ_ｆｓで観測される電圧がＶ_Ｌ１に到達する時刻Ｔ１と、Ｖ_Ｌ２に到達する時刻Ｔ２との時間差で定義される。

このとき、電圧Ｖ_Ｌ１と電圧Ｖ_Ｌ２は、任意の値に設定することができるが、本願発明者らは、Ｖ_Ｌ１＝Ｖ０＋０．１×（Ｖ１−Ｖ０）、Ｖ_Ｌ２＝Ｖ１−０．１×（Ｖ１−Ｖ０）に設定して、各走査信号線線分ＧＲＬ１，ＧＲＬ２の配線時定数を観測した。

また、ＴＦＴ基板１０１を製造するときには、複数本の走査信号線ＧＬを形成した後、第１の絶縁層ＰＡＳ１や半導体層ＳＣを形成し、続けて、複数本の映像信号線ＤＬ（ドレイン電極ＳＤ１を含む）やソース電極ＳＤ２を形成する。このとき、第１の絶縁層ＰＡＳ１は、たとえば、絶縁基板ＳＵＢの走査信号線ＧＬが形成された面全体にシリコン酸化膜などの絶縁膜を成膜して形成する。また、複数本の映像信号線ＤＬやソース電極ＳＤ２は、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１および半導体層ＳＣの上にアルミニウム膜などの第２の導電膜を形成（成膜）した後、当該第２の導電膜をエッチングして形成する。このとき、第１の絶縁層ＰＡＳ１は、たとえば、ＣＶＤ法を用いて形成し、第２の導電膜は、たとえば、ターゲットスパッタリング法を用いて形成する。そのため、一般的なＴＦＴ基板１０１の製造方法では、たとえば、第１の導電膜４０１のｘ方向の膜厚が、図５（ａ）および図５（ｂ）に示したような分布になる場合、第１の絶縁層ＰＡＳ１のｘ方向の膜厚および第２の導電膜のｘ方向の膜厚も、同様の分布になる。すなわち、たとえば、図７（ａ）および図７（ｂ）に示したように、第１の絶縁層ＰＡＳ１のｘ方向の膜厚および第２の導電膜４０２の膜厚が、絶縁基板の１つの辺ＳＵＢａから対向する辺ＳＵＢｂに向かうにつれて徐々に厚くなっていくような分布になる。

従来のＴＦＴ基板１０１の製造方法では、たとえば、図７（ａ）に示した領域ＡＲ２，ＡＲ３に映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖを形成するときに、各映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖの幅が同じ幅になるように形成するのが一般的である。しかしながら、第２の導電膜４０２の膜厚が、図７（ｂ）に示したような分布になっている場合、各映像信号線の幅が同じ幅になるように形成すると、映像信号線ＤＬ_ｖの断面積が、映像信号線ＤＬ_ｕの断面積よりも広くなる。そのため、映像信号線ＤＬ_ｖの配線抵抗は、映像信号線ＤＬ_ｕの配線抵抗よりも大きくなる。

そこで、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、走査信号線ＧＬを形成するときと同様の考えに基づき、第２の導電膜４０２の膜厚が薄いところでは映像信号線の幅を広くし、第２の導電膜４０２の膜厚が厚いところでは映像信号線の幅を狭くする。第２の導電膜４０２のｘ方向の膜厚が、図７（ｂ）に示したような分布になっている場合、絶縁基板ＳＵＢの１つの辺ＳＵＢａからの距離が最も近い映像信号線ＤＬ_１の幅を最も広くし、対向する辺ＳＵＢｂからの距離が短い映像信号線ほど幅が狭く（細く）なるように形成する。

すなわち、交差領域ＩＳ１およびその近傍における映像信号線ＤＬ_ｕの幅および厚さをそれぞれＤＬＷ１およびＤＬＤ１とし、交差領域ＩＳ２およびその近傍における映像信号線ＤＬ_ｖの幅および厚さをそれぞれＤＬＷ２およびＤＬＤ２とした場合、各交差領域ＩＳ１，ＩＳ２における各映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖの厚さの関係はＤＬＤ１＜ＤＬＤ２なので、幅の関係がＤＬＷ１＞ＤＬＷ２になるように各映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖを形成する。

ただし、上記のように第２の導電膜４０２の厚さに基づいて各映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖを形成した場合、交差領域ＩＳ２の面積（走査信号線ＧＬ_ｉと映像信号線ＤＬ_ｖとが平面でみて重なる領域の面積）は、交差領域ＩＳ１の面積（走査信号線ＧＬ_ｉと映像信号線ＤＬ_ｕとが平面でみて重なる領域の面積）よりも狭くなる。またさらに、交差領域ＩＳ２において走査信号線ＧＬ_ｉと映像信号線ＤＬ_ｖとの間に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１の厚さは、交差領域ＩＳ１において走査信号線ＧＬ_ｉと映像信号線ＤＬ_ｕとの間に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１の厚さよりも厚い。そのため、このままでは、交差領域ＩＳ２に形成される交差容量が、交差領域ＩＳ１に形成される交差容量よりも小さくなってしまう。

そこで、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、映像信号線のうちの、走査信号線と立体的に交差して平面でみて重なる交差領域の幅については、第２の導電膜４０２の膜厚ではなく、交差領域における走査信号線の幅と第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚に基づいて設定する。すなわち、走査信号線の幅が広く、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が薄いところでは映像信号線の交差領域の幅を狭くし、走査信号線の幅が狭く、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が厚いところでは映像信号線の交差領域の幅を広くする。そして、映像信号線のうちの、２つの隣接する交差領域を連結する領域の幅については、第２の導電膜４０２の膜厚が薄いところでは映像信号線の幅を広くし、第２の導電膜４０２の膜厚が厚いところでは映像信号線の幅を狭くする。

すなわち、交差領域ＩＳ１における走査信号線ＧＬ_ｉの幅および第１の絶縁層ＰＡＳ１の厚さならびに映像信号線ＤＬ_ｕの幅をそれぞれＧＬＷ１およびＧＩＤ１ならびにＧＤＷ１とし、交差領域ＩＳ２における走査信号線ＧＬ_ｉの幅および第１の絶縁層ＰＡＳ１の厚さならびに映像信号線ＤＬ_ｖの幅をそれぞれＧＬＷ２およびＧＩＤ２ならびにＧＤＷ２とした場合、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、各交差領域ＩＳ１，ＩＳ２における走査信号線ＧＬ_ｉの幅の関係はＧＬＷ１＞ＧＬＷ２、第１の絶縁層ＰＡＳ１の厚さの関係はＧＩＤ１＜ＧＩＤ２なので、各映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖのうちの走査信号線ＧＬ_ｉと交差する交差領域の幅の関係がＧＤＷ１＜ＧＤＷ２になるように各映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖを形成する。

また、映像信号線ＤＬ_ｕのうちの、交差領域ＩＳ１と隣接する交差領域とを連結する領域の幅をＤＬＷ１とし、映像信号線ＤＬ_ｖのうちの、交差領域ＩＳ２と隣接する交差領域とを連結する領域の幅をＤＬＷ２とした場合、たとえば、図８（ａ）および図８（ｃ）に示すように、各映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖの前記各連結する領域の厚さの関係はＤＬＤ１＜ＤＬＤ２なので、幅の関係がＤＬＷ１＞ＤＬＷ２になるように各映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖを形成する。

またこのとき、交差領域ＩＳ１における映像信号線ＤＬ_ｕの幅ＧＤＷ１と、交差領域ＩＳ２における映像信号線ＤＬ_ｖの幅ＧＤＷ２は、たとえば、下記（式１）の関係を満たすように形成することが望ましい。

このようにすると、交差領域ＩＳ１における交差容量の容量値ＣＧＤ１と、交差領域ＩＳ２における交差容量の容量値ＣＧＤ２とが、ＣＧＤ１≒ＣＧＤ２になり、各交差容量の容量値がほぼ一定になることが本願発明者らによって確認された。

またこのとき、映像信号線ＤＬ_ｕのうちの、交差領域ＩＳ１と隣接する交差領域とを連結する領域の幅ＤＬＷ１と、映像信号線ＤＬ_ｖのうちの、交差領域ＩＳ２と隣接する交差領域とを連結する領域の幅ＤＬＷ２は、たとえば、ＤＬＷ１×ＤＬＤ１＝ＤＬＷ２×ＤＬＤ２の関係を満たすように形成することが望ましい。このようにすると、第１の画素ＳＰ１が形成される領域における映像信号線ＤＬ_ｕの映像信号線線分ＤＲＬ１の両端の抵抗値ＤＬＲ１と、第２の画素ＳＰ２が形成される領域における映像信号線ＤＬ_ｖの走査信号線線分ＤＲＬ２の両端の抵抗値ＤＬＲ２とが、ＤＬＲ１≒ＤＬＲ２になり、各映像信号線線分の配線抵抗がほぼ一定になることが本願発明者らによって確認された。

なお、映像信号線線分ＤＲＬ１は、たとえば、図８（ｄ）に示すように、映像信号線ＤＬ_ｕのうちの、走査信号線ＧＬ_ｉ−１の中心線と重なる位置を一端ＤＲＬ１_ｎｓとし、走査信号線ＧＬ_ｉ−１に隣接する走査信号線_ｉの中心線と重なる位置を他端ＤＲＬ１_ｆｓとする線分である。また、図示は省略するが、映像信号線線分ＤＲＬ２は、映像信号線ＤＬ_ｖのうちの、走査信号線ＧＬ_ｉ−１の中心線と重なる位置を一端ＤＲＬ２_ｎｓとし、走査信号線ＧＬ_ｉの中心線と重なる位置を他端ＤＲＬ２_ｆｓとする線分である。

またさらに、上記のような考え方で映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖを形成した場合、第１の画素ＳＰ１が形成される領域における映像信号線線分ＤＲＬ１の配線時定数と、第２の画素ＳＰ２が形成される領域における映像信号線線分ＤＲＬ２の配線時定数とが、ほぼ同じ値になり、各映像信号線の時定数が一定になっていることも本願発明者らによって確認された。

図９（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板を製造する工程における第１の導電膜の成膜工程で生じる現象の別の例を示す模式平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＨ−Ｈ’線における模式断面図である。

上記の説明では、第１の導電膜４０１を形成したときに、たとえば、図５（ａ）および図５（ｂ）に示したように、第１の導電膜４０１のｘ方向の膜厚が変化している場合を例に挙げている。しかしながら、第１の導電膜４０１を形成するときには、たとえば、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、ｙ方向の膜厚が、絶縁基板の１つの辺ＳＵＢｃから対向する辺ＳＵＢｄに向かうにつれて徐々に厚くなっていくような分布になることもある。

この場合、たとえば、第１の導電膜４０１をエッチングして走査信号線ＧＬを形成するときに、絶縁基板ＳＵＢの前記１つの辺ＳＵＢｃに最も近い走査信号線ＧＬ_１の幅を最も広くし、対向する辺ＳＵＢｄからの距離が短い走査信号線ほど幅が狭く（細く）なるように形成する。すなわち、図９（ａ）に示した３本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_ｉ，ＧＬ_Ｎの幅をそれぞれＧＬＷ１，ＧＬＷｉ，ＧＬＷＮとしたときに、これらの幅の関係がＧＬＷ１＞ＧＬＷｉ＞ＧＬＷＮになるようにする。

またこのとき、たとえば、絶縁基板ＳＵＢ上の領域ＡＲ２に形成する映像信号線ＤＬ_ｕは、配線抵抗の面では、絶縁基板ＳＵＢの１つの辺ＳＵＢｃに近いほうの端部から対向する辺ＳＵＢｄに向かうにつれて幅が徐々に狭く（細く）なっていくように形成するのが望ましい。しかしながら、この場合、映像信号線ＤＬ_ｕと各走査信号線ＧＬの交差領域に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１のｙ方向の膜厚も、第１の導電膜４０１や第２の導電膜４０２と同様の分布になっている。そのため、映像信号線ＤＬ_ｕのうちの各走査信号線ＧＬの交差領域については、絶縁基板ＳＵＢの１つの辺ＳＵＢｃに近い交差領域は幅（ＧＤＷ）を狭くして交差領域の面積を狭くし、対向する辺ＳＵＢｄに近い交差領域は幅（ＧＤＷ）を広くして交差領域の面積を広くする。すなわち、図９（ａ）に示した３つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２，ＩＳ３における映像信号線ＤＬ_ｕの幅をそれぞれＧＤＷ１，ＧＤＷ２，ＧＤＷ３とした場合、これらの幅の関係がＧＤＷ１＜ＧＤＷ２＜ＧＤＷ３になるようにする。

図１０（ａ）は、実施例１のＴＦＴ基板における交差領域の面積の関係を詳細に説明するための模式図である。図１０（ｂ）は、実施例１のＴＦＴ基板における交差領域の面積の関係についてより望ましい例を説明するための模式図である。

実施例１のＴＦＴ基板１０１の構成について、上記の説明では、図４に示したように、走査信号線ＧＬ_ｉと映像信号線ＤＬ_ｕの交差領域ＩＳ１と、走査信号線ＧＬ_ｉと映像信号線ＤＬ_ｖの交差領域ＩＳ２の２つの交差領域について、交差領域ＩＳ１における走査信号線ＧＬ_ｉおよび第１の絶縁層ＰＡＳ１ならびに映像信号線ＤＬ_ｕの膜厚が、交差領域ＩＳ２における走査信号線ＧＬ_ｉおよび第１の絶縁層ＰＡＳ１ならびに映像信号線ＤＬ_ｖの膜厚よりも薄い場合を例に挙げている。

しかしながら、実施例１のＴＦＴ基板１０１を形成するときには、たとえば、図９（ａ）および図９（ｂ）に示したように、映像信号線ＤＬの延在方向（ｙ方向）にみた膜厚にも分布（ばらつき）がある。そのため、実際のＴＦＴ基板１０１では、図４に示したような、ある特定の位置関係にある２つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２に限らず、１枚のＴＦＴ基板１０１の上にマトリクス状に点在するすべての交差領域において、上記のような方法で交差容量がほぼ同じ値になるようにする。

すなわち、たとえば、図１０（ａ）に示した４つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２，ＩＳ３，ＩＳ４のなかから任意の２つの交差領域を選んで、当該交差領域における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚を比較したときに、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が厚いほうの交差領域の面積が、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が薄いほうの交差領域の面積よりも広くなるようにする。なお、実施例１のＴＦＴ基板１０１を形成する場合、第１の導電膜４０１の膜厚、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚、第２の導電膜４０１の膜厚の分布には、図５（ｂ）や図９（ｂ）に示したような分布に限らず、後述するようないくつかのパターンが存在する。そのため、たとえば、図１０（ａ）に示した４つの交差領域のうちの、交差領域ＩＳ１，ＩＳ２における当該交差領域における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚を比較したときに、交差領域ＩＳ２のほうが薄くなることもある。その場合、２つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２における走査信号線ＧＬ_ｉの幅や交差領域の面積の関係は、図８（ａ）および図８（ｂ）に示した関係と逆の関係になる。

また、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、たとえば、図４や図１０（ａ）に示したようにある程度離れた位置にある２つの交差領域における関係だけに限らず、たとえば、図１０（ｂ）に示すように、走査信号線ＧＬ_ｉの延在方向に隣接する２つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２を選択した場合や、映像信号線ＤＬ_ｖの延在方向に隣接する２つの交差領域ＩＳ１’，ＩＳ２’を選択した場合にも、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が厚いほうの交差領域の面積が、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が薄いほうの交差領域の面積よりも広くなるようにすることが望ましい。

なお、ＴＦＴ基板１０１の上において隣接する２つの交差領域の距離は、たとえば、４０μｍ〜１００μｍ程度と非常に短いので、この程度の距離であれば、２つの交差領域における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚はほぼ同じ厚さであるとみなすこともできる。そのため、表示領域ＤＡをいくつかのブロックに分割して、１つのブロックの中に点在する複数の交差領域については、各交差領域における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が一定であると見なし、各交差領域の面積がほぼ同じ値になるようにしてもよい。

次に、上記のような特徴を有するＴＦＴ基板１０１の製造方法の一例について説明する。なお、以下の説明では、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成になっているＴＦＴ基板１０１の製造方法を例に挙げ、従来の製造方法と同じ手順の工程については、詳細な説明を省略する。

図１１は、実施例１のＴＦＴ基板の製造方法の一例を説明するための模式フロー図である。

実施例１のＴＦＴ基板１０１を製造するときには、図１１に示すように、まず、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面に、複数本の走査信号線ＧＬなどの形成に用いる第１の導電膜４０１を成膜する（ステップ５０１）。

次に、第１の導電膜４０１の膜厚分布を測定し、たとえば、当該測定結果に基づいて、各走査信号線ＧＬの幅などの寸法を決定する（ステップ５０２）。第１の導電膜４０１の膜厚分布は、たとえば、エリプソメータを用いて測定する。またこのとき、第１の導電膜４０１の膜厚分布は、たとえば、表示領域ＤＡに形成するすべての交差領域における膜厚を測定してもよいし、表示領域ＤＡをいくつかのブロックに分けて、各ブロックにおける代表点の膜厚を測定し、その膜厚を当該ブロック内の各点における膜厚と見なしてもよい。また、各走査信号線ＧＬの寸法は、たとえば、第１の導電膜４０１の膜厚が薄いところは幅が広くなり、第１の導電膜４０１の膜厚が厚いところは幅が狭くなるようにする。

次に、第１の導電膜の上に感光性レジストを塗布し、ステップ５０２で決定した寸法に基づいて感光性レジストを露光する（ステップ５０３）。ステップ５０３で感光性レジストを露光するときには、たとえば、直描露光機と呼ばれる露光機を用いて行う。前記直描露光機は、たとえば、感光性レジストの露光領域を多数の微小領域に分割しておき、ＣＡＤなどで作成した寸法データ（数値データ）に基づいて各微小領域を露光するか否かを判断し、露光すると判断した微小領域のみを順次または一括して露光する露光装置である。このとき、直描露光機で使用する寸法データは、ステップ５０２で算出し、決定した各走査信号線ＧＬの幅などの寸法データを採用する。

前記直描露光機を用いた場合、使用する寸法データの数値を変更するだけで露光パターン（露光領域）を変更することができる。そのため、ＴＦＴ基板１０１毎に第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布が異なる場合でも、迅速かつ柔軟に対応することができる。また、前記直描露光機の場合、従来の一般的な露光装置で用いる露光マスクは不要であるため、製造コストを低減できる。

次に、前記露光した感光性レジストを現像した後、第１の導電膜４０１をエッチングして走査信号線ＧＬなどを形成する（ステップ５０４）。

次に、走査信号線ＧＬなどの上に残っているレジストを除去する（ステップ５０５）。

次に、絶縁基板ＳＵＢの走査信号線ＧＬが形成された面に、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１および半導体層ＳＣを形成した後、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布を測定する（ステップ５０６）。第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布も、たとえば、表示領域ＤＡの各ＴＦＴを形成する箇所において膜厚を測定してもよいし、表示領域をいくつかのブロックに分けて、各ブロックにおける代表点の膜厚を測定し、その膜厚を当該ブロック内の各点における膜厚と見なしてもよい。また、ステップ５０６は、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成して膜厚分布を測定した後、半導体層ＳＣを形成してもよい。

次に、第１の絶縁層ＰＡＳ１および半導体層ＳＣの上に、第２の導電膜４０２を形成（成膜）した後、第２の導電膜４０２の膜厚の面内分布を測定する（ステップ５０７）。第２の導電膜４０２の膜厚分布も、たとえば、表示領域ＤＡの各ＴＦＴを形成する箇所において膜厚を測定してもよいし、表示領域をいくつかのブロックに分けて、各ブロックにおける代表点の膜厚を測定し、その膜厚を当該ブロック内の各点における膜厚と見なしてもよい。

次に、走査信号線ＧＬの幅、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布、第２の導電膜４０２の膜厚分布に基づいて、映像信号線ＤＬの幅などの寸法を決定する（ステップ５０８）。ステップ５０８は、たとえば、走査信号線ＧＬの幅および第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚から映像信号線ＤＬのうちの交差領域の幅を決定し、第２の導電膜４０２の膜厚から映像信号線ＤＬのうちの隣接する２つの交差領域を連結する領域の幅を決定する。

次に、第２の導電膜の上に感光性レジストを塗布し、前記直描露光機を用いて感光性レジストを露光する（ステップ５０９）。ステップ５０９において直描露光機で露光するときには、ステップ５０８で決定した映像信号線ＤＬの寸法データのほかに、たとえば、ドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２などの寸法データも用いて露光する。

次に、前記露光した感光性レジストを現像した後、第２の導電膜４０２をエッチングして映像信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１ならびにソース電極ＳＤ２などを形成する（ステップ５１０）。

その後、映像信号線ＤＬなどの上に残っているレジストを剥離して除去し、第２の絶縁層ＰＡＳ２や画素電極ＰＸを形成する（ステップ５１１）。

以上のような手順でＴＦＴ基板１０１を製造することにより、各交差領域において走査信号線と映像信号線との間に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚に応じて、第１の絶縁層ＰＡＳ１が薄い交差領域は面積が狭く、第１の絶縁層ＰＡＳ１が厚い交差領域は面積が広いＴＦＴ基板１０１を得ることができる。

またこのとき、映像信号線ＤＬのうちの隣接する２つの交差領域を連結する領域については、映像信号線が薄い領域は幅が広くなり、映像信号線が厚い領域は幅が狭くなるので、映像信号線の配線時定数がほぼ一定のＴＦＴ基板１０１を得ることができる。

また、走査信号線についても、走査信号線が薄い領域は幅が広くなり、走査信号線が厚い領域は幅が狭くなるので、走査信号線の配線時定数がほぼ一定のＴＦＴ基板１０１を得ることができる。

またさらに、上記のような手順でＴＦＴ基板１０１を製造する場合、表示領域ＤＡにマトリクス状に点在する交差領域に形成される交差容量のばらつきによる画質むらが発生しないように、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚を各交差領域に形成される交差容量のばらつきが無視できるような厚さまで厚く形成（成膜）しなくてもよくなる。つまり、ＴＦＴ基板１０１の第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚を薄くすることができるので、ＴＦＴ基板１０１の製造効率を高くすることができ、ＴＦＴ基板１０１（液晶表示パネル１）の製造コストを低減できる。

ところで、ＴＦＴ基板１０１を製造する際に生じる第１の導電膜４０１、第１の絶縁層ＰＡＳ１、第２の導電膜４０２などの膜厚分布は、たとえば、ＴＦＴ基板１０１毎に無作為な分布になることは非常に少なく、ＴＦＴ基板１０１の製造方法により、いくつかのパターンに分類できる。以下、ＴＦＴ基板１０１の製造方法と導電膜や絶縁膜の膜厚分布のパターン（傾向）の一例について説明する。

図１２（ａ）は、１枚のマザーガラスから２枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の導電膜および絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。図１２（ｂ）は、１枚のマザーガラスから４枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の導電膜および絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。図１２（ｃ）は、１枚のマザーガラスから６枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の導電膜および絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。図１２（ｄ）は、１枚のマザーガラスから１５枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の導電膜および絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。

現在、液晶表示パネル１に用いられるＴＦＴ基板１０１は、たとえば、１枚のマザーガラスとよばれる大面積のガラス基板から２面（２枚）のＴＦＴ基板１０１を切り出したり、４面（４枚）のＴＦＴ基板１０１を切り出したりして製造されている。

１枚のマザーガラスから２枚のＴＦＴ基板１０１を切り出す、いわゆる２面取りの場合、たとえば、図１２（ａ）に示すように、マザーガラス６には、２個の、ＴＦＴ基板１０１として切り出す領域６０１，６０２がある。この２個の領域６０１，６０２には、それぞれ、たとえば、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１０１を形成した後、マザーガラス６から２個の領域６０１，６０２を切り出して、液晶表示パネル１を形成する。

このような２面取りの場合、マザーガラス６の２個の領域６０１，６０２に、たとえば、第１の導電膜４０１、第１の絶縁層ＰＡＳ１、第２の導電膜４０２などを形成するときには、通常、マザーガラス６の全面に形成（成膜）する。このとき、マザーガラス６の全面に形成される導電膜や絶縁膜の膜厚分布は、たとえば、図１２（ａ）に二点鎖線で示したようなマザーガラス６の中心Ｐを中心とする同心円で表され、中心Ｐおよびその近傍が最も厚く、中心Ｐから遠ざかるにつれて徐々に薄くなっていくような分布になる。これは、導電膜を形成するときには、たとえば、ターゲットスパッタリング法で成膜し、絶縁膜を形成するときには、たとえば、プラズマＣＶＤ法で成膜しているためである。

１枚のマザーガラスから４枚のＴＦＴ基板１を切り出す、いわゆる４面取りの場合、図１２（ｂ）に示すように、マザーガラス６には、４個の、ＴＦＴ基板１０１として切り出す領域６１１，６１２，６１３，６１４がある。この４個の領域６１１〜６１４にはそれぞれ、たとえば、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１０１を形成した後、マザーガラス６から４個の領域６１１〜６１４を切り出して、液晶表示パネル１を形成する。

このような４面取りの場合も、マザーガラス６の４個の領域６１１〜６１４に第１の導電膜４０１、第１の絶縁層ＰＡＳ１、第２の導電膜などを形成するときには、通常、マザーガラス６の全面に形成する。またこのときも、マザーガラス６の全面に形成される導電膜や絶縁膜の膜厚分布は、たとえば、図１２（ｂ）に二点鎖線で示したようなマザーガラス６の中心Ｐを中心とする同心円で表され、中心Ｐおよびその近傍が最も厚く、中心Ｐから遠ざかるにつれて徐々に薄くなっていくような分布になる。

１枚のマザーガラスから６枚のＴＦＴ基板１０１を切り出す、いわゆる６面取りの場合、図１２（ｃ）に示すように、マザーガラス６には、６個の、ＴＦＴ基板１０１として切り出す領域６２１，６２２，６２３，６２４，６２５，６２６がある。この６個の領域６２１〜６２６にはそれぞれ、たとえば、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１０１を形成した後、マザーガラス６から６個の領域６２１〜６２６を切り出して、液晶表示パネル１を形成する。

このような６面取りの場合も、マザーガラス６の６個の領域６２１〜６２６に第１の導電膜４０１、第１の絶縁層ＰＡＳ１、第２の導電膜４０２などを形成するときには、通常、マザーガラス６の全面に形成する。またこのときも、マザーガラス６の全面に形成される導電膜や絶縁膜の膜厚分布は、たとえば、図１２（ｃ）に二点鎖線で示したようなマザーガラス６の中心Ｐを中心とする同心円で表され、中心Ｐおよびその近傍が最も厚く、中心Ｐから遠ざかるにつれて徐々に薄くなっていくような分布になる。

１枚のマザーガラスから１５枚のＴＦＴ基板１を切り出す、いわゆる１５面取りの場合、図１２（ｄ）に示すように、マザーガラス６には、１５個の、ＴＦＴ基板１として切り出す領域６３１，６３２，６３３，６３４，６３５，６３６，６３７，６３８，６３９，６４０，６４１，６４２，６４３，６４４，６４５がある。この１５個の領域６３１〜６４５にはそれぞれ、たとえば、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１０１を形成した後、マザーガラス６から１５個の領域６３１〜６４５を切り出して、液晶表示パネル１を形成する。

このような１５面取りの場合も、マザーガラス６の１５個の領域６３１〜６４５に第１の導電膜４０１、第１の絶縁層ＰＡＳ１、第２の導電膜４０２などを形成するときには、通常、マザーガラス６の全面に形成する。またこのときも、マザーガラス６の全面に形成される導電膜や絶縁膜の膜厚分布は、たとえば、図１２（ｄ）に二点鎖線で示したようなマザーガラス６の中心Ｐを中心とする同心円で表され、中心Ｐおよびその近傍が最も厚く、中心Ｐから遠ざかるにつれて徐々に薄くなっていくような分布になる。

ここで、図１２（ａ）乃至図１２（ｄ）に示した１枚のマザーガラス６上における導電膜や絶縁膜の膜厚分布と、マザーガラス６から切り出される各領域、すなわち１枚のＴＦＴ基板１０１が形成される領域における導電膜や絶縁膜の膜厚分布との関係をみると、その関係は、以下の４つのパターンに分類されることがわかる。

１つめのパターンは、導電膜や絶縁膜の膜厚分布が、図１２（ａ）に示した領域６０１，６０２、図１２（ｄ）に示した領域６３７，６３９のように、ＴＦＴ基板１０１の走査信号線の延在方向に沿った１つの辺の中央付近における膜厚が最も厚く、そこから遠ざかるにつれて膜厚が扇状に徐々に薄くなっていくパターンである。この１つめのパターンの特徴について、図１３を用いて説明する。

図１３は、導電膜および絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。

導電膜および絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンを説明するにあたっては、図１３に示すように、２面取りの場合におけるマザーガラス６の１つの領域６０１を例に挙げる。図１３において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、表示領域の最も外側に配置されている走査信号線を示しており、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、表示領域の最も外側に配置されている映像信号線を示している。また、図示は省略しているが、２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が配置されている。また、２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、それらの間のほぼ中間にある映像信号線ＤＬ_ｕおよび図示していない複数本の映像信号線が配置されている。

このとき、たとえば、マザーガラス６の領域６０１に形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、図１３に二点鎖線で示したような分布になる。つまり、走査信号線の延在方向（ｘ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、映像信号線ＤＬ_１との交差領域から映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域に向かって単調に厚くなり、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域の近傍で最大の膜厚になる。そして、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域から映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス６の領域６０１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉと各映像信号線との交差領域の面積は、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域の面積が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域の面積が最も狭くなるようにする。

またこのとき、映像信号線の延在方向（ｙ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、走査信号線ＧＬ_１との交差領域から走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域に向かって単調に厚くなる。そのため、マザーガラス６の領域６０１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、映像信号線ＧＬ_ｕと各走査信号線との交差領域の面積は、走査信号線ＧＬ_１との交差領域の面積が最も狭くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域の面積が最も広くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６０１に形成されるＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡにマトリクス状に点在する交差領域の交差容量のばらつきを低減できる。

また、マザーガラス６の領域６０１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、各映像信号線のうちの、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉ−１との交差領域と、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域とを連結する領域については、映像信号線ＤＬ_ｕの幅が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍの幅が最も広くなるようにする。

またこのとき、１本の映像信号線ＤＬ_ｕのうちの、隣接する２つの交差領域を連結している各領域については、たとえば、走査信号線ＧＬ_１との交差領域と走査信号線ＧＬ_２との交差領域とを連結する領域の幅が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎ−１との交差領域と走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域とを連結する領域の幅が最も広くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６０１に形成されるＴＦＴ基板１０１の各映像信号線の配線時定数のばらつきを低減できる。

また、マザーガラス６の領域６０１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、各走査信号線のうちの、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕ−１との交差領域と、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域とを連結する領域については、走査信号線ＧＬ_１の幅が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎの幅が最も狭くなるようにする。

またこのとき、１本の走査信号線ＧＬ_ｉのｘ方向にみた各位置の幅については、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域およびその近傍の幅が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_１との交差領域およびその近傍または映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域およびその近傍の幅が最も狭くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６０１に形成されるＴＦＴ基板１０１の各走査信号線の配線時定数のばらつきを低減できる。

なお、図１３には、１つめのパターンの例として２面取りの場合のマザーガラス６にある１つの領域６０１を挙げているが、もう１つの領域６０２も領域６０１と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。また、図１２（ｄ）に示した１５面取りの場合における領域６３７，６３９も、領域６０１と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。

次に、２つめのパターンを説明する。２つめのパターンは、導電膜や絶縁膜の膜厚分布が、図１２（ｃ）に示した領域６２２，６２５や、図１２（ｄ）に示した領域６３２，６３５，６４１，６４４のように、ＴＦＴ基板１０１の映像信号線の延在方向に沿った１つの辺の中央付近における膜厚が最も厚く、そこから遠ざかるにつれて膜厚が扇状に徐々に薄くなっていくパターンである。この２つめのパターンの特徴について、図１４を用いて説明する。

図１４は、導電膜および絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。

導電膜および絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンを説明するにあたっては、図１４に示すように、６面取りの場合におけるマザーガラス６の１つの領域６２２を例に挙げる。図１４において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、表示領域の最も外側に配置されている走査信号線を示しており、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、表示領域の最も外側に配置されている映像信号線を示している。また、２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、それらの間のほぼ中間にある走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が配置されている。また、２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、それらの間のほぼ中間にある映像信号線ＤＬ_ｕおよび図示していない複数本の映像信号線が配置されている。

このとき、たとえば、マザーガラス６の領域６２２に形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、図１４に二点鎖線で示したような分布になる。つまり、走査信号線の延在方向（ｘ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、映像信号線ＤＬ_１との交差領域から映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域に向かって単調に厚くなる。そのため、マザーガラス６の領域６２２に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉと各映像信号線との交差領域の面積は、映像信号線ＤＬ_１との交差領域の面積が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域の面積が最も広くなるようにする。

またこのとき、映像信号線の延在方向（ｙ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、走査信号線ＧＬ_１との交差領域から走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域に向かって単調に厚くなり、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域の近傍で最大の膜厚になる。そして、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域から走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス６の領域６２２に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕと各走査信号線との交差領域の面積は、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域の面積が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_１または走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域の面積が最も狭くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６２２に形成されるＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡにマトリクス状に点在する交差領域の交差容量のばらつきを低減できる。

また、マザーガラス６の領域６２２に形成されるＴＦＴ基板１０１において、各映像信号線のうちの、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉ−１との交差領域と、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域とを連結する領域については、映像信号線ＤＬ_１の幅が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍの幅が最も狭くなるようにする。

またこのとき、１本の映像信号線ＤＬ_ｕのうちの、隣接する２つの交差領域を連結している各領域については、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉ−１との交差領域と走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域とを連結する領域または走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域と走査信号線ＧＬ_ｉ＋１との交差領域とを連結する領域の幅が最も狭くなり、走査信号線ＧＬ_１との交差領域と走査信号線ＧＬ_２との交差領域とを連結する領域または走査信号線ＧＬ_Ｎ−１との交差領域と走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域とを連結する領域の幅が最も広くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６２２に形成されるＴＦＴ基板１０１の各映像信号線の配線時定数のばらつきを低減できる。

また、マザーガラス６の領域６２２に形成されるＴＦＴ基板１０１において、各走査信号線のうちの、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕ−１との交差領域と、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域とを連結する領域については、走査信号線ＧＬ_ｉの幅が最も狭くなり、走査信号線ＧＬ_１または走査信号線ＧＬ_Ｎの幅が最も広くなるようにする。

またこのとき、１本の走査信号線ＧＬ_ｉのｘ方向にみた各位置の幅については、たとえば、映像信号線ＤＬ_１との交差領域およびその近傍の幅が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域およびその近傍の幅が最も狭くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６２２に形成されるＴＦＴ基板１０１の各走査信号線の配線時定数のばらつきを低減できる。

なお、図１４には、２つめのパターンの例として６面取りの場合のマザーガラス６にある１つの領域６２２を挙げているが、もう１つの領域６２５も領域６２２と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。また、図１２（ｄ）に示した１５面取りの場合における領域６３２，６３５，６４１，６４４も、領域６２２と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。

次に、３つめのパターンを説明する。３つめのパターンは、導電膜や絶縁膜の膜厚の分布が、図１２（ｂ）に示した領域６１１，６１２，６１３，６１４、図１２（ｃ）に示した領域６２１，６２３，６２４，６２６、図１２（ｄ）に示した領域６３１，６３３，６３４，６３６，６４０，６４２，６４３，６４５のように、ＴＦＴ基板１０１の１つの角部における膜厚が最も厚く、そこから遠ざかるにつれて膜厚が扇状に徐々に薄くなっていくパターンである。この３つめのパターンの特徴について、図１５を用いて説明する。

図１５は、導電膜および絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。

導電膜および絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンを説明するにあたっては、図１５に示すように、４面取りの場合におけるマザーガラス６の１つの領域６１１を例に挙げる。図１５において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、表示領域の最も外側に配置されている走査信号線を示しており、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、表示領域の最も外側に配置されている映像信号線を示している。また、２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が配置されている。また、２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、映像信号線ＤＬ_ｕおよび図示していない複数本の映像信号線が配置されている。

このとき、たとえば、マザーガラス６の領域６１１に形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、図１５に二点鎖線で示したような分布になる。つまり、走査信号線の延在方向（ｘ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、映像信号線ＤＬ_１と交差する点から映像信号線ＤＬ_Ｍと交差する点に向かって単調に厚くなる。そのため、マザーガラス６の領域６１１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉと各映像信号線との交差領域の面積は、映像信号線ＤＬ_１との交差領域の面積が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域の面積が最も広くなるようにする。

またこのとき、映像信号線の延在方向（ｙ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、走査信号線ＧＬ_１との交差領域から走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス６の領域６１１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、映像信号線ＧＬ_ｕと各走査信号線との交差領域の面積は、走査信号線ＧＬ_１との交差領域の面積が最も狭くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域の面積が最も広くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６１１に形成されるＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡにマトリクス状に点在する交差領域の交差容量のばらつきを低減できる。

また、マザーガラス６の領域６１１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、各映像信号線のうちの、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉ−１との交差領域と、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域とを連結する領域については、映像信号線ＤＬ_１の幅が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍの幅が最も狭くなるようにする。

またこのとき、１本の映像信号線ＤＬ_ｕのうちの、隣接する２つの交差領域を連結している各領域については、たとえば、走査信号線ＧＬ_１との交差領域と走査信号線ＧＬ_２との交差領域とを連結する領域の幅が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎ−１との交差領域と走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域とを連結する領域の幅が最も狭くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６１１に形成されるＴＦＴ基板１０１の各映像信号線の配線時定数のばらつきを低減できる。

また、マザーガラス６の領域６１１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、各走査信号線のうちの、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕ−１との交差領域と、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域とを連結する領域については、走査信号線ＧＬ_１の幅が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎの幅が最も狭くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６１１に形成されるＴＦＴ基板１０１の各走査信号線の配線時定数のばらつきを低減できる。

なお、図１５には、３つめのパターンの例として４面取りの場合のマザーガラス６にある１つの領域６１１を挙げているが、他の３つの領域６１２〜６１４も領域６１１と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。また、図１２（ｃ）に示した６面取りの場合における領域６２１，６２３，６２４，６２６や、図１２（ｄ）に示した１５面取りの場合における領域６３２，６３５，６４１，６４４も、領域６１１と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。

最後に、４つめのパターンを説明する。４つめのパターンは、導電膜や絶縁膜の膜厚の分布が、図１２（ｄ）に示した領域６３８のように、表示領域の中央付近における膜厚が最も厚く、そこから遠ざかるにつれて膜厚が同心円状に徐々に薄くなっていくパターンである。この４つめのパターンの特徴について、図１６を用いて説明する。

図１６は、導電膜および絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式図である。

絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンを説明するにあたっては、図１６に示すように、１５面取りの場合におけるマザーガラス６の１つの領域６３８を例に挙げる。図１６において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、表示領域の最も外側に配置されている走査信号線を示しており、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、表示領域の最も外側に配置されている映像信号線を示している。また、２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、それらの間のほぼ中間にある走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が配置されている。また、２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、それらの間のほぼ中間にある映像信号線ＤＬ_ｕおよび図示していない複数本の映像信号線が配置されている。

このとき、たとえば、マザーガラス６の領域６３８に形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、図１６に二点鎖線で示したような分布になる。つまり、走査信号線の延在方向（ｘ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、映像信号線ＤＬ_１と交差する点から映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点に向かって単調に厚くなり、映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点の近傍で最大の膜厚になる。そして、映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点から映像信号線ＤＬ_Ｍと交差する点に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス６の領域６３８に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉと各映像信号線との交差領域の面積は、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域の面積が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域の面積が最も狭くなるようにする。

またこのとき、映像信号線の延在方向（ｙ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、走査信号線ＧＬ_１との交差領域から走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域に向かって単調に厚くなり、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域の近傍で最大の膜厚になる。そして、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域から走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス６の領域６３８に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕと各走査信号線との交差領域の面積は、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域の面積が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_１または走査信号線ＧＬ_Ｎとの交差領域の面積が最も狭くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６３８に形成されるＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡにマトリクス状に点在する交差領域の交差容量のばらつきを低減できる。

また、マザーガラス６の領域６３８に形成されるＴＦＴ基板１０１において、各映像信号線のうちの、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉ−１との交差領域と、走査信号線ＧＬ_ｉとの交差領域とを連結する領域については、映像信号線ＤＬ_ｕの幅が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍの幅が最も広くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６３８に形成されるＴＦＴ基板１０１の各映像信号線の配線時定数のばらつきを低減できる。

またこのとき、１本の走査信号線ＧＬ_ｉのｘ方向にみた各位置の幅については、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕとの交差領域およびその近傍の幅が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍとの交差領域およびその近傍の幅が最も広くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス６の領域６３８に形成されるＴＦＴ基板１０１の各走査信号線の配線時定数のばらつきを低減できる。

なお、図１６には、４つめのパターンの例として１５面取りの場合のマザーガラス６にある１つの領域６３８を挙げているが、１５面取りに限らず、たとえば、３面×３面の９面取りの場合の中央の領域なども、領域６３８と同様の関係（特徴）を持つ構成にすればよいことはもちろんである。

以上説明したように、実施例１の液晶表示パネル１によれば、表示領域にマトリクス状に点在する交差領域の交差容量のばらつきを低減でき、交差容量のばらつきにより生じる画質むらを低減できる。そのため、液晶表示装置の表示品質を向上させることができる。

また、実施例１の液晶表示パネル１によれば、走査信号線の配線時定数および映像信号線の配線時定数もほぼ一定にすることができる。そのため、配線時定数のばらつきによる画質むらも低減でき、液晶表示装置の表示品質をさらに向上させることができる。

またさらに、実施例１のＴＦＴ基板１０１の製造によれば、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚を薄くできるので、ＴＦＴ基板１０１の製造効率が高まり、ＴＦＴ基板１０１（液晶表示パネル１）の製造コストを低減できる。

なお、実施例１では、本発明を適用した液晶表示パネル１の構成の一例として、１画素の構成が、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１を有する縦電界駆動方式の液晶表示パネル１を挙げたが、本発明は、これに限らず、種々の構成のＴＦＴ基板１０１を有する縦電界駆動方式の液晶表示パネル１に適用できることはもちろんである。また、本発明は、透過型に限らず、半透過型あるいは反射型の液晶表示パネル１にも適用できることはもちろんである。

またさらに、実施例１では、本発明を適用した液晶表示パネル１の構成の一例として、縦電界駆動方式の液晶表示パネル１を挙げたが、本発明は、縦電界駆動方式の液晶表示パネルに限らず、横電界駆動方式の液晶表示パネルにも適用できることはもちろんである。

図１７（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルのＴＦＴ基板における１画素の構成の変形例の１つを示す模式平面図である。図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＪ１−Ｊ１’線における模式断面図である。図１７（ｃ）は、図１７（ａ）のＪ２−Ｊ２’線における模式断面図である。

横電界駆動方式の液晶表示パネル１は、ＴＦＴ基板１０１における１画素の構成が、たとえば、図１７（ａ）乃至図１７（ｃ）に示すような構成になっており、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面に走査信号線ＧＬおよび保持容量線ＳｔｇＬ、第１の絶縁層ＰＡＳ１、半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１ならびにソース電極ＳＤ２、第２の絶縁層ＰＡＳ２、画素電極ＰＸおよび共通電極ＣＴが積層している。画素電極ＰＸは、スルーホールＴＨ１によりソース電極ＳＤ２と電気的に接続しており、共通電極ＣＴは、スルーホールＴＨ２により保持容量線ＳｔｇＬと電気的に接続している。また、画素電極ＰＸおよび共通電極ＣＴは、一般にくし歯状と呼ばれる形状になっており、たとえば、走査信号線ＧＬの延在方向に沿って画素電極ＰＸおよび共通電極ＣＴが交互に配置されている。

なお、図１７（ａ）乃至図１７（ｃ）に示した構成において、絶縁基板ＳＵＢの表面に積層される走査信号線ＧＬ、第１の絶縁層ＰＡＳ１、半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１ならびにソース電極ＳＤ２、第２の絶縁層ＰＡＳ２、画素電極ＰＸは、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示した縦電界駆動方式の液晶表示パネル１（ＴＦＴ基板１０１）のものと同じ材料、同じ形成方法でよいので、繰り返しの説明は省略する。

また、図１７（ａ）乃至図１７（ｃ）に示した構成において、保持容量線ＳｔｇＬは、たとえば、ソース電極ＳＤ２や画素電極ＰＸと平面でみて重なる領域において保持容量を形成するための配線（導電層）であり、走査信号線ＧＬと同時に形成する。また、共通電極ＣＴは、画素電極ＰＸと同時に形成する。

このような横電界駆動方式の液晶表示パネル１（ＴＦＴ基板１０１）においても、たとえば、実施例１で説明した観点に基づいて、表示領域ＤＡにマトリクス状に点在する交差領域の面積、各走査信号線の幅、各映像信号線の幅を決定することで、液晶表示装置の表示品質を向上させることができる。

図１８（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルのＴＦＴ基板における１画素の構成の別の変形例の１つを示す模式平面図である。図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＫ１−Ｋ１’線における模式断面図である。図１８（ｃ）は、図１８（ａ）のＫ２−Ｋ２’線における模式断面図である。

横電界駆動方式の液晶表示パネル１は、ＴＦＴ基板１０１における１画素の構成が、たとえば、図１７（ａ）乃至図１７（ｃ）に示したような構成になっているもののほかに、たとえば、図１８（ａ）乃至図１８（ｃ）に示すような構成のものもある。すなわち、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面に走査信号線ＧＬおよび共通電極ＣＴならびに共通信号線ＣＬが形成されており、その上に、第１の絶縁層ＰＡＳ１、半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１ならびにソース電極ＳＤ２、第２の絶縁層ＰＡＳ２、画素電極ＰＸが積層している構成である。このような構成の場合、画素電極ＰＸには複数本のスリットＳＬが設けられている。

なお、図１８（ａ）乃至図１８（ｃ）に示した構成のＴＦＴ基板１０１は、たとえば、まず、絶縁基板ＳＵＢの表面にＩＴＯ膜などの透明な導電膜とアルミニウムなどの第１の導電膜４０１を積層した後、第１の導電膜４０１をエッチングして走査信号線ＧＬや共通信号線ＣＬなどを形成し、続けて、透明な導電膜をエッチングして共通電極ＣＴを形成する。また、その後の、第１の絶縁層ＰＡＳ１、半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１ならびにソース電極ＳＤ２、第２の絶縁層ＰＡＳ２、画素電極ＰＸは、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示した縦電界駆動方式の液晶表示パネル１（ＴＦＴ基板１０１）のものと同じ材料、同じ形成方法でよいので、繰り返しの説明は省略する。

図１９（ａ）乃至図１９（ｃ）は、本発明による実施例２の液晶表示パネル１の概略構成の一例を説明するための模式図である。
図１９（ａ）は、１枚のＴＦＴ基板におけるエッチング量のばらつきの見積もり方法の一例を示す模式平面図である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）に示した表示領域ＤＡの対角に位置する２つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２におけるエッチング量のばらつきの一例を示す模式断面図である。図１９（ｃ）は、図１９（ａ）に示した２つの交差領域ＩＳ３，ＩＳ４におけるエッチング量のばらつきの一例を示す模式断面図である。

実施例１で説明した構成のＴＦＴ基板１０１を製造するときには、第１の導電膜４０１の幅、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布、第２の導電膜４０２の膜厚分布などの情報に基づいて決定した映像信号線の寸法を利用して感光性レジストを露光している。そのため、たとえば、図１１に示したような手順において、たとえば、露光後に行われるステップ５１０のエッチング工程において生じるエッチング量のばらつきにより、実際に形成された映像信号線の寸法が、ステップ５０８で決定した寸法からずれてしまう可能性がある。そこで、実施例２のＴＦＴ基板では、上記エッチング量のばらつきを考慮したときの交差領域の面積などの関係について説明する。

本願発明者らは、図１１に示したステップ５０１において、第２の導電膜４０２をエッチングして映像信号線ＤＬなどを形成したときに、１枚のＴＦＴ基板１０１の上でエッチング量にどの程度のばらつきが生じるかを調べるために、まず、たとえば、図１９（ａ）に示すように、表示領域ＤＡの対角に位置する２つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２における映像信号線ＤＬの寸法のばらつきを調べた。なお、図１９（ａ）におけるＩＳ１は、ダミーの走査信号線ＧＬ_０と映像信号線ＤＬ_１とが立体的に交差する点であり、ＩＳ２は、走査信号線ＧＬ_Ｎとダミーの映像信号線ＤＬ_Ｍ＋１とが立体的に交差する点である。

このとき、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面には、厚さおよび幅が均一な複数本の走査信号線ＧＬおよび厚さが均一な第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成しておき、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上に、厚さが均一な第２の導電膜４０２を成膜し、幅が均一になるように形成したレジストをマスクにして第２の導電膜４０２をエッチングし、複数本の映像信号線ＤＬを形成した。

その結果、たとえば、図１９（ｂ）に示すように、表示領域ＤＡの１つの角部に位置する交差領域ＩＳ１に形成された映像信号線ＤＬ_１の幅がＧＤＷ０であったのに対し、もう一つの角部に位置する交差領域ＩＳ２に形成されたダミーの映像信号線ＤＬ_Ｍ＋１の幅はＧＤＷ０よりも広いＧＤＷＭになった。本願発明者らが調べた例では、表示領域ＤＡの対角の寸法が８０ｃｍのときに、２つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２における映像信号線の幅にはＤＬＷＭ−ＤＬＷ０＝２．６μｍの差が生じた。

またこのとき、図１９（ａ）に示した第１の画素ＳＰ１の近傍にある交差領域ＩＳ３における映像信号線ＤＬ_ｕの幅ＧＤＷ１と、第２の画素ＳＰ２の近傍にある交差領域ＩＳ４における映像信号線ＤＬ_ｖの幅ＧＤＷ２は、たとえば、図１９（ｃ）に示すような関係になる。このとき、表示領域ＤＡの対角に位置する一方の交差領域ＩＳ１に近いほうの交差領域ＩＳ３における映像信号線ＤＬ_ｕの幅ＧＤＷ１は、交差領域ＩＳ１の近傍における映像信号線ＤＬ_１の幅ＧＤＷ０よりも広く、交差領域ＩＳ４における映像信号線ＤＬ_ｖの幅ＧＤＷ２よりも狭い。また、表示領域ＤＡの対角に位置する他方の交差領域ＩＳ２に近いほうの交差領域ＩＳ４における映像信号線ＤＬ_ｖの幅ＧＤＷ２は、交差領域ＩＳ２における映像信号線ＤＬ_Ｍの幅ＧＤＷＭよりも広く、第１の画素ＳＰ１の近傍における映像信号線ＤＬ_ｕの幅ＧＤＷ１よりも狭い。そのため、２つの交差領域ＩＳ３，ＩＳ４における２本の映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖの幅の差ＧＤＷ２−ＧＤＷ１は、２．６μｍよりも小さい。

このことから、表示領域ＤＡの対角の寸法が８０ｃｍのＴＦＴ基板１０１を製造した場合、エッチング量のばらつきにより、任意の２箇所における映像信号線ＤＬの幅には最大で２．６μｍのばらつきが生じることが予測される。

また、表示領域ＤＡの任意の２箇所における映像信号線ＤＬの幅の差は、当該２箇所の距離が長さに比例して大きくなることが予測される。そのため、このようなエッチング量のばらつきを考慮すると、２つの交差領域ＩＳ３，ＩＳ４における交差容量の関係は、下記（式２）のように見積もることができる。

なお、上記（式２）において、Ｌ_ＤＡは表示領域ＤＡの対角の距離（単位はｃｍ）であり、σは表示領域ＤＡの対角に位置する２つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２においてエッチング量のばらつきにより生じる寸法の差（単位はｃｍ）であり、Ｌ_１２は交差領域ＩＳ３と交差領域ＩＳ４との距離である（単位はｃｍ）。

すなわち、実施例２の液晶表示パネル１（ＴＦＴ基板１０１）では、１つの表示領域ＤＡにある任意の２つの交差領域について、当該２つの交差領域における関係が上記（式２）の関係を満たしていれば、各交差領域における配線容量（交差容量）の関係が、実施例１で説明した関係を満たしていると見なす。

またさらに、このようなエッチング量のばらつきが既知であれば、各交差領域における映像信号線ＤＬの寸法を決定するときに、エッチング量のばらつきを考慮して決定することで、各交差領域における配線容量（交差容量）の差をさらに小さくできる。

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。

たとえば、実施例１および実施例２では、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルを例に挙げたが、これに限らず、表示領域にＴＦＴがマトリクス状に配置された表示パネルであれば本発明を適用できる。本発明を適用できる他の表示パネルとしては、たとえば、有機ＥＬを用いた自発光型の表示パネルがある。

本発明による実施例１の液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式図である。図１（ａ）に示した液晶表示パネルにおける１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。図２（ａ）のＡ−Ａ’線における模式断面図である。液晶表示パネルのＴＦＴ基板における１画素の構成の一例を示す模式平面図である。図３（ａ）のＢ１−Ｂ１’線における模式断面図である。図３（ａ）のＢ２−Ｂ２’線における模式断面図である。実施例１の液晶表示パネルの特徴を説明するために選択する２つの交差領域の位置関係の一例を示す模式図である。実施例１の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板を製造する工程における第１の導電膜の成膜工程で生じる現象の一例を示す模式平面図である。図５（ａ）のＣ−Ｃ’線における模式断面図である。図４の２つの交差領域およびその近傍における走査信号線の幅の関係を示す模式平面図である。図６（ａ）のＤ１−Ｄ１’線およびＤ２−Ｄ２’線における模式断面図である。走査信号線の幅の設定方法の一例を説明するための模式平面図である。配線時定数の定義の一例を説明するための模式グラフ図である。実施例１の液晶表示パネルのＴＦＴ基板を製造する工程における第１の絶縁層および第２の導電膜の成膜工程で生じる現象の一例を示す模式平面図である。図７（ａ）のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。図４の２つの交差領域およびその近傍における映像信号線の幅の関係を示す模式平面図である。図８（ａ）のＦ１−Ｆ１’線およびＦ２−Ｆ２’線における模式断面図である。図８（ａ）のＧ１−Ｇ１’線およびＧ２−Ｇ２’線における模式断面図である。実施例１の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板を製造する工程における第１の導電膜の成膜工程で生じる現象の別の例を示す模式平面図である。図９（ａ）のＨ−Ｈ’線における模式断面図である。実施例１のＴＦＴ基板における交差領域の面積の関係を詳細に説明するための模式図である。実施例１のＴＦＴ基板における交差領域の面積の関係についてより望ましい例を説明するための模式図である。実施例１のＴＦＴ基板の製造方法の一例を説明するための模式フロー図である。１枚のマザーガラスから２枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の導電膜および絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。１枚のマザーガラスから４枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の導電膜および絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。１枚のマザーガラスから６枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の導電膜および絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。１枚のマザーガラスから１５枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の導電膜および絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。導電膜および絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。導電膜および絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。導電膜および絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。導電膜および絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式図である。実施例１の液晶表示パネルのＴＦＴ基板における１画素の構成の変形例の１つを示す模式平面図である。図１７（ａ）のＪ１−Ｊ１’線における模式断面図である。図１７（ａ）のＪ２−Ｊ２’線における模式断面図である。実施例１の液晶表示パネルのＴＦＴ基板における１画素の構成の別の変形例の１つを示す模式平面図である。図１８（ａ）のＫ１−Ｋ１’線における模式断面図である。図１８（ａ）のＫ２−Ｋ２’線における模式断面図である。１枚のＴＦＴ基板におけるエッチング量のばらつきの見積もり方法の一例を示す模式平面図である。図１９（ａ）に示した表示領域ＤＡの対角に位置する２つの交差領域ＩＳ１，ＩＳ２におけるエッチング量のばらつきの一例を示す模式断面図である。図１９（ａ）に示した２つの交差領域ＩＳ３，ＩＳ４におけるエッチング量のばらつきの一例を示す模式断面図である。

符号の説明

１…液晶表示パネル
１０１…ＴＦＴ基板
１０２…対向基板
１０３…液晶材料
１０４…シール材
１０５Ａ，１０５Ｂ…偏光板
ＳＵＢ…絶縁基板
ＧＬ，ＧＬ_ｎ，ＧＬ_ｎ＋１，ＧＬ_ｉ，ＧＬ_ｊ，ＧＬ_Ｎ…走査信号線
ＤＬ，ＤＬ_ｍ，ＤＬ_ｍ＋１，ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖ，ＤＬ_Ｍ…映像信号線
ＳＤ１…ドレイン電極
ＳＤ２…ソース電極
ＳＣ…半導体層
ＰＡＳ１…第１の絶縁層
ＰＡＳ２…第２の絶縁層
ＰＸ…画素電極
ＣＴ…共通電極
ＴＨ，ＴＨ１，ＴＨ２…スルーホール
ＬＣ…液晶層
ＰＡＳ…絶縁層
２…ゲートドライバ
３…データドライバ
４０１…第１の導電膜
４０２…第２の導電膜
６…マザーガラス

Claims

複数本の第１の信号線と、絶縁層を介して前記複数本の第１の信号線と立体的に交差する複数本の第２の信号線と、マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴとを有する表示パネルを備える表示装置であって、
前記表示パネル上にマトリクス状に点在する前記第１の信号線と前記第２の信号線とが立体的に交差している領域は、
ある１つの領域において第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さが、他の１つの領域において第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さよりも薄く、
前記ある１つの領域において第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が、前記他の１つの領域において第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積よりも小さいことを特徴とする表示装置。
前記ある１つの領域における第１の信号線の厚さは、前記他の１つの領域における第１の信号線の厚さよりも薄く、
前記ある１つの領域における第１の信号線の幅は、前記他の１つの領域における第１の信号線の幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記ある１つの領域における第１の信号線の幅および第２の信号線の幅ならびに第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さをそれぞれＧＬＷ１およびＧＤＷ１ならびにＧＩＤ１とし、
前記他の１つの領域における第１の信号線の幅および第２の信号線の幅ならびに第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さをそれぞれＧＬＷ２およびＧＤＷ２ならびにＧＩＤ２としたときに、下記（式１）の関係を満たすことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
前記ある１つの領域における第１の信号線の幅および第２の信号線の幅ならびに第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さをそれぞれＧＬＷ１およびＧＤＷ１ならびにＧＩＤ１とし、
前記他の１つの領域における第１の信号線の幅および第２の信号線の幅ならびに第１の信号線と第２の信号線との間に介在する絶縁層の厚さをそれぞれＧＬＷ２およびＧＤＷ２ならびにＧＩＤ２とし、
前記表示パネル上にマトリクス状に点在する前記第１の信号線と前記第２の信号線とが立体的に交差している領域のうちの、対角に位置する２つの領域の距離をＬ_ＤＡ［ｃｍ］、当該２つの領域におけるエッチング量の誤差をσ［ｃｍ］、前記ある１つの領域と前記他の１つの領域との距離をＬ_１２［ｃｍ］としたときに、下記（式２）の関係を満たすことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
前記複数本の第１の信号線は、前記ある１つの領域の近傍における１画素分の長さの配線時定数と、前記他の１つの領域の近傍における１画素分の長さの配線時定数がほぼ同じ値であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数本の第２の信号線は、前記ある１つの領域の近傍における１画素分の長さの配線時定数と、前記他の１つの領域の近傍における１画素分の長さの配線時定数がほぼ同じ値であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数本の第１の信号線および前記複数本の第２の信号線ならびに前記絶縁層は、絶縁基板の表面に前記第１の信号線、前記絶縁層、前記第２の信号線の順に積層しており、
前記ある１つの領域における第２の信号線の厚さは、前記他の１つの領域における第２の信号線の厚さよりも薄く、
前記ある１つの近傍において２本の隣接する第１の信号線と立体的に交差している２つの領域を連結している部分の幅は、前記他の１つの近傍において２本の隣接する第１の信号線と立体的に交差している２つの領域を連結している部分の幅よりも広いことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数本の第１の信号線のうちの１本の第１の信号線と、前記複数本の第２の信号線とが立体的に交差している各領域は、当該第１の信号線の一端からの距離が長い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線との間に介在している絶縁層が厚く、
当該第１の信号線の前記一端からの距離が長い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が広いことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数本の第１の信号線のうちの１本の第１の信号線と、前記複数本の第２の信号線とが立体的に交差している各領域は、当該第１の信号線の中点からの距離が短い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線との間に介在している絶縁層が厚く、
当該第１の信号線の前記中点からの距離が短い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が広いことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数本の第２の信号線のうちの１本の第２の信号線と、前記複数本の第１の信号線とが立体的に交差している各領域は、当該第２の信号線の一端からの距離が長い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線との間に介在している絶縁層が厚く、
当該第２の信号線の前記一端からの距離が長い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が広いことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
前記複数本の第２の信号線のうちの１本の第２の信号線と、前記複数本の第１の信号線とが立体的に交差している各領域は、当該第２の信号線の中点からの距離が短い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線との間に介在している絶縁層が厚く、
当該第２の信号線の前記中点からの距離が短い領域ほど、第１の信号線と第２の信号線とが平面でみて重なる領域の面積が広いことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
前記表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルであることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
前記液晶表示パネルは、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記複数本の第１の信号線および前記複数本の第２の信号線ならびに前記絶縁層と、前記マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴと、画素電極とを有し、
前記一対の基板のうちの他方の基板に共通電極を有することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
前記液晶表示パネルは、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記複数本の第１の信号線および前記複数本の第２の信号線ならびに前記絶縁層と、前記マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴと、画素電極と、共通電極とを有することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
前記第１の信号線は、前記マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴのゲートに接続する走査信号線であり、
前記第２の信号線は、前記マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴのドレインまたはソースのいずれか一方に接続する映像信号線であることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置。