JP2008134407A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 液晶表示パネルの表示領域を構成する各画素における配線容量のばらつきを低減する。
【解決手段】 保持容量線と、前記保持容量線とは異なる導電層とを有し、前記保持容量線の一部分と前記導電層とを一対の電極とし、前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層を誘電体とする保持容量がマトリクス状に配置された表示パネルを備える表示装置であって、ある１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層の厚さが、他の１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層の厚さよりも薄く、前記ある１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域の面積が、前記他の１つの領域における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域の面積よりも小さい表示装置。
【選択図】 図７（ｂ）

Description

本発明は、表示装置に関し、特に、走査信号線とは別の保持容量線を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。

従来、テレビやパーソナルコンピュータ（ＰＣ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）向けのディスプレイには、たとえば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を用いたものがある。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを有し、前記一対の基板のうちの一方の基板には、ＴＦＴなどのアクティブ素子（スイッチング素子）が多数個、マトリクス状に配置されている。

また、前記一対の基板のうちの、多数個のＴＦＴがマトリクス状に配置されている基板（以下、ＴＦＴ基板という）は、複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線を有し、マトリクス状に配置された多数個のＴＦＴは、それぞれ、前記複数本の走査信号線のうちの１本にゲートが接続され、前記複数本の映像信号線のうちの１本にドレインが接続されている。また、前記多数個のＴＦＴは、ソースが画素電極に接続されており、画素電極は、前記液晶材料および共通電極（対向電極ということもある）とともに画素容量（液晶容量ということもある）を形成している。なお、前記多数個のＴＦＴは、ソースが映像信号線に接続され、ドレインが画素電極に接続されていると表現することもある。

また、アクティブマトリクス型の液晶表示装置では、たとえば、各画素における階調表示を１フレーム期間分保持するための保持容量を有する。保持容量は、たとえば、走査信号線と並行して配置した保持容量線と画素電極とを一対の電極とし、保持容量線と画素電極とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層を誘電体とする構成のものがある。また、そのほかにも、たとえば、ＴＦＴの半導体層の一部分を導電化した第１の導電層、第１の絶縁層、保持容量線、第２の絶縁層、第１の導電層と電気的に接続している第２の導電層を積層した積層体で構成するものもある。

ところで、前記液晶表示装置では、１枚の液晶表示パネルの表示領域における画質が面内で均一であること重要視されており、たとえば、各画素における保持容量の値が均一であることが望まれる。

しかしながら、従来の一般的なＴＦＴ基板の製造方法では、たとえば、保持容量を構成する保持容量線と導電層との間に介在する絶縁層の膜厚に面内分布（ばらつき）が生じ、各画素における保持容量の値にばらつきが生じることがある。そのため、従来の液晶表示装置では、各画素の保持容量のばらつきに起因した画質むらが生じるという問題がある。

このような問題は、特に、大画面または高精細、あるいは高速駆動の液晶表示パネルにおいて顕著になる。

本発明の目的は、たとえば、液晶表示パネルの表示領域を構成する各画素における配線容量のばらつきを低減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。

（１）複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線と、マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴと、前記走査信号線および前記映像信号線とは異なる保持容量線と、前記走査信号線および前記映像信号線ならびに前記保持容量線とは異なる導電層とを有し、前記保持容量線の一部分と前記導電層とを一対の電極とし、前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層を誘電体とする保持容量がマトリクス状に配置された表示パネルを備える表示装置であって、ある１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層の厚さが、他の１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層の厚さよりも薄く、前記ある１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域の面積が、前記他の１つの領域における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域の面積よりも小さい表示装置。

（２）前記（１）の表示装置において、前記保持容量は、第１の導電層、第１の絶縁層、前記保持容量線、第２の絶縁層、第２の導電層の順に積層された積層体で構成されている表示装置。

（３）前記（２）の表示装置において、前記ある１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ１_１およびＯＬＬ１_１とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ１_１とし、前記他の１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ１_２およびＯＬＬ１_２とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ１_２としたときに、下記（式１）の関係を満たす表示装置。

（４）前記（２）の表示装置において、前記ある１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ１_１およびＯＬＬ１_１とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ１_１とし、前記他の１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ１_２およびＯＬＬ１_２とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ１_２とし、前記表示パネル上の対角に位置する２つの画素における保持容量の距離をＬ_ＤＡ［ｃｍ］、当該２つの画素におけるエッチング量の誤差をσ［ｃｍ］、前記ある１つの保持容量と前記他の１つの保持容量との距離をＬ_１２［ｃｍ］としたときに、下記（式２）の関係を満たす表示装置。

（５）前記（２）乃至（４）のいずれかの表示装置において、前記ある１つの保持容量における前記第２の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ２_１およびＯＬＬ２_１とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ２_１とし、前記他の１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ２_２およびＯＬＬ２_２とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ２_２としたときに、下記（式３）の関係を満たす表示装置。

（６）前記（２）乃至（４）のいずれかの表示装置において、前記ある１つの保持容量における前記第２の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ２_１およびＯＬＬ２_１とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ２_１とし、前記他の１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ２_２およびＯＬＬ２_２とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ２_２とし、前記表示パネル上の対角に位置する２つの画素における保持容量の距離をＬ_ＤＡ［ｃｍ］、当該２つの画素におけるエッチング量の誤差をσ［ｃｍ］、前記ある１つの保持容量と前記他の１つの保持容量との距離をＬ_１２[ｃｍ]としたときに、下記（式４）の関係を満たす表示装置。

（７）前記（２）の表示装置において、前記保持容量は、前記第１の導電層および前記第１の絶縁層ならびに前記保持容量線により構成される第１の保持容量と、前記第２の導電層および前記第２の絶縁層ならびに前記保持容量線により構成される第２の保持容量が並列に接続されており、前記ある１つの保持容量における前記第１の保持容量と前記第２の保持容量の和が、前記他の１つの保持容量における前記第１の保持容量と前記第２の保持容量の和と等しい表示装置。

（８）前記（１）乃至（７）のいずれかの表示装置において、前記走査信号線の延在方向に並んだ複数個の保持容量は、当該走査信号線の一端からの距離が長い保持容量ほど、前記導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層が厚くなっている表示装置。

（９）前記（１）乃至（７）のいずれかの表示装置において、前記走査信号線の延在方向に並んだ複数個の保持容量は、当該走査信号線の延在方向でみた中点からの距離が短い保持容量ほど、前記導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層が厚くなっている表示装置。

（１０）前記（１）乃至（９）のいずれかの表示装置において、前記映像信号線の延在方向に並んだ複数個の保持容量は、当該映像信号線の一端からの距離が長い保持容量ほど、前記導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層が厚くなっている表示装置。

（１１）前記（１）乃至（９）のいずれかの表示装置において、前記映像信号線の延在方向に並んだ複数個の保持容量は、当該映像信号線の延在方向でみた中点からの距離が短い保持容量ほど、前記導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層が厚くなっている表示装置。

（１２）前記（１）乃至（１１）のいずれかの表示装置において、前記表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルである表示装置。

本発明の表示装置によれば、１枚の表示パネルの表示領域を構成する各画素における保持容量の値をほぼ均一な値にすることができる。

また、本発明の表示装置によれば、前記保持容量の誘電体や多数個のＴＦＴのゲート絶縁膜として機能する絶縁層の薄型化が可能になり、表示パネルの製造コストを低減できる。

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

図１（ａ）は、本発明による実施例１の液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した液晶表示パネルにおける１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。

実施例１では、本発明をアクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用した場合を例に挙げ、その構成の一例について説明する。そこで、まず、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の概略構成について簡単に説明する。

アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、たとえば、図１（ａ）に示すように、液晶表示パネル１と、ゲートドライバ２と、データドライバ３とを有する。なお、図１（ａ）では省略しているが、そのほかに、たとえば、ゲートドライバ２やデータドライバ３の動作を制御する制御回路などを有するのはもちろんである。

液晶表示パネル１は、複数本の走査信号線ＧＬおよび複数本の映像信号線ＤＬと、表示領域ＤＡにマトリクス状に配置された多数個のアクティブ素子（スイッチング素子と呼ぶこともある）とを有する。走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬは、絶縁層を介して形成されており、１本の映像信号線ＤＬは、前記絶縁層を介して複数本の走査信号線ＧＬと立体的に交差している。また、液晶表示パネル１において、前記アクティブ素子は、ＭＩＳ構造（ＭＯＳ構造を含む）のＴＦＴである。

液晶表示パネル１の表示領域ＤＡは、走査信号線ＧＬの延在方向および映像信号線ＤＬの延在方向に配置された多数個の画素により構成されており、１つの画素が占める領域は、２本の隣接する走査信号線ＧＬと２本の隣接する映像信号線ＤＬとで囲まれる領域に相当する。

前記アクティブ素子として用いるＴＦＴが、１つの画素に対して１個の割合で配置される場合、たとえば、図１（ｂ）に示すように、２本の隣接する走査信号線ＧＬ_ｎ，ＧＬ_ｎ＋１（ｎは１より大きい整数）と、２本の隣接する映像信号線ＤＬ_ｍ，ＤＬ_ｍ＋１（ｍは１より大きい整数）とで囲まれる領域（画素）に対して配置されるＴＦＴ（Ｔｒ）は、ゲート（Ｇ）が走査信号線ＧＬ_ｎ＋１に接続し、ドレイン（Ｄ）が映像信号線ＤＬ_ｍに接続している。また、ＴＦＴ（Ｔｒ）のソース（Ｓ）は、画素電極ＰＸおよび保持容量電極層ＳｏＬに接続している。このとき、画素電極ＰＸは、共通電極ＣＴおよび液晶層ＬＣとともに画素容量を形成している。またこのとき、保持容量電極層ＳｏＬは、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｎと並行して配置される保持容量線ＳＬの電極部ＳｔｇＬおよび当該電極部ＳｔｇＬと保持容量電極層ＳｏＬとの間に介在する絶縁層ＰＡＳとともに保持容量を形成している。

図２（ａ）は、液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線における模式断面図である。
図３（ａ）は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板における１画素の構成の一例を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の領域ＡＲの拡大平面図である。図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＢ−Ｂ’線における模式断面図である。図３（ｄ）は、図３（ａ）のＣ−Ｃ’線における模式断面図である。図３（ｅ）は、図３（ａ）のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。図３（ｆ）は、半導体層および第１の保持容量電極層の平面形状の一例を示す模式平面図である。図３（ｇ）は、走査信号線および保持容量線の平面形状の一例を示す模式平面図である。図３（ｈ）は、映像信号線および第２の保持容量電極層の平面形状の一例を示す模式平面図である。

液晶表示パネル１は、たとえば、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１および対向基板１０２の一対の基板の間に液晶材料１０３（液晶層ＬＣ）を封入している。このとき、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２は、表示領域ＤＡを囲む環状のシール材１０４で接着されており、液晶材料１０３は、ＴＦＴ基板１０１および対向基板１０２ならびにシール材１０４で囲まれた空間に封入されている。

また、液晶表示パネル１が透過型または半透過型の場合、ＴＦＴ基板１０１および対向基板１０２の外側を向いた面には、たとえば、一対の偏光板１０５Ａ，１０５Ｂが設けられている。またこのとき、たとえば、ＴＦＴ基板１０１と偏光板１０５Ａの間、および対向基板１０２と偏光板１０５Ｂの間に、それぞれ、１層または複数層の位相差板が設けられていることもある。

また、液晶表示パネル１が反射型の場合、一般に、ＴＦＴ基板１０１側の偏光板１０５Ａや位相差板は不要である。

液晶表示パネル１が半透過型であり、かつ、横電界駆動方式の場合、ＴＦＴ基板１０１には、走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、ＴＦＴ、画素電極ＰＸ、共通電極ＣＴ、保持容量電極層ＳｏＬ、保持容量線ＳＬおよび電極部ＳｔｇＬ、絶縁層ＰＡＳが形成されている。

このとき、ＴＦＴ基板１０１における１画素の構成は、たとえば、図３（ａ）乃至図３（ｅ）に示したような構成になっており、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面に下地絶縁層ＰＡＳ０、半導体層ＳＣおよび第１の保持容量電極層ＳｏＬ１、第１の絶縁層ＰＡＳ１、走査信号線ＧＬおよび保持容量線ＳＬ（保持容量電極部ＳｔｇＬを含む）、第２の絶縁層ＰＡＳ２、映像信号線ならびに第２の保持容量電極層ＳｏＬ２、第３の絶縁層ＰＡＳ３、反射層ＲＦおよび画素電極ＰＸならびに共通電極ＣＴの順に積層している。

下地絶縁層ＰＡＳ０は、たとえば、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を続けて成膜して形成した絶縁層である。

下地絶縁層ＰＡＳ０の上には、たとえば、図３（ｆ）に示すような平面形状の半導体層ＳＣが形成される。半導体層ＳＣは、たとえば、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）にアクセプターまたはドナーと呼ばれる不純物が注入されており、不純物の種類や濃度が異なるチャネル領域ＳＣ１、ドレイン領域ＳＣ２、ソース領域ＳＣ３、ソースドレイン領域ＳＣ４、導電領域ＳＣ５の５つの領域に分けられている。また、半導体層ＳＣの導電領域ＳＣ５は、たとえば、図３（ｇ）に示すように、半導体層ＳＣの上に第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して形成される保持容量電極部ＳｔｇＬと平面でみて重なる位置に形成されており、第１の保持容量電極層ＳｏＬ１として機能する。

なお、実施例１で挙げる構成では、半導体層ＳＣの一部（導電領域ＳＣ５）を第１の保持容量電極層ＳｏＬ１として用いるが、これに限らず、導電領域ＳＣ５の部分を、半導体層ＳＣとは別の導電層で形成し、それを第１の保持容量電極層ＳｏＬ１として用いてもよいことはもちろんである。

半導体層ＳＣの上には、第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して走査信号線ＧＬおよび保持容量線ＳＬが形成される。走査信号線ＧＬは、たとえば、図３（ｇ）に示すような平面形状になっており、ｘ方向に長く延び、かつ、半導体層ＳＣのチャネル領域ＳＣ１と平面でみて重なるように形成される。また、保持容量線ＳＬは、たとえば、図３（ｇ）に示すような平面形状になっており、走査信号線ＧＬと並行している主線部からｙ方向に分岐して半導体層ＳＣの導電領域ＳＣ５（第１の保持容量電極層ＳｏＬ１）と平面でみて重なる保持容量電極部ＳｔｇＬを有する。

走査信号線ＧＬおよび保持容量線ＳＬ（保持容量電極部ＳｔｇＬを含む）の上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して映像信号線ＤＬおよび第２の保持容量電極層ＳｏＬ２が形成される。映像信号線ＤＬは、たとえば、図３（ｈ）に示すような平面形状になっており、ｙ方向に長く延び、かつ、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣ２と平面でみて重なるように形成される。このとき、映像信号線ＤＬは、スルーホールＴＨ１により半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣ２と接続している。また、第２の保持容量電極層ＳｏＬ２は、たとえば、図３（ｈ）に示すような平面形状になっており、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣ３の一部分および導電領域ＳＣ５と平面でみて重なるように形成されている。このとき、第２の保持容量電極層ＳｏＬ２は、スルーホールＴＨ２により半導体層ＳＣのソース領域ＳＣ３と接続している。

映像信号線ＤＬおよび第２の保持容量電極層ＳｏＬ２の上には、第３の絶縁層を介して反射層ＲＦおよび画素電極ＰＸならびに共通電極ＣＴが形成される。反射層ＲＦは、たとえば、図３（ａ）に示すような平面形状になっており、映像信号線ＤＬおよび保持容量線ＳＬと平面でみて重なるＬ字型に形成される。また、画素電極ＰＸおよび共通電極ＣＴは、たとえば、図３（ａ）に示すような櫛歯状と呼ばれる平面形状になっており、１つの画素領域をｘ方向にみたときに、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴが所定の間隔で交互に配置されるように形成される。このとき、画素電極ＰＸは、スルーホールＴＨ３により第２の保持容量電極層ＳｏＬ２と接続している。

また、図３（ｂ）乃至図３（ｄ）では省略しているが、第３の絶縁層ＰＡＳ３、反射層ＲＦおよび画素電極ＰＸならびに共通電極ＣＴの上には、配向膜が形成されており、ＴＦＴ基板１０１は、前記配向膜が形成された面が、液晶材料１０３（液晶層ＬＣ）を介して対向基板１０２に対向している。

１画素の構成が、図３（ａ）乃至図３（ｈ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１を有する液晶表示パネル１では、画素電極ＰＸおよび共通電極ＣＴを一対の電極とし、液晶材料１０３（液晶層ＬＣ）を誘電体とする画素容量が形成される。また、第１の保持容量電極層ＳｏＬ１と保持容量電極部ＳｔｇＬとが平面でみて重なる領域に、第１の保持容量電極層ＳｏＬ１と保持容量電極部ＳｔｇＬとを一対の電極とし、第１の保持容量電極層ＳｏＬ１と保持容量電極部ＳｔｇＬとが平面でみて重なる領域に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１を誘電体とする第１の保持容量が形成される。同様に、第２の保持容量電極層ＳｏＬ２と保持容量電極部ＳｔｇＬとが平面でみて重なる領域に、第２の保持容量電極層ＳｏＬ２と保持容量電極部ＳｔｇＬとを一対の電極とし、第２の保持容量電極層ＳｏＬ２と保持容量電極部ＳｔｇＬとが平面でみて重なる領域に介在する第２の絶縁層ＰＡＳ２を誘電体とする第２の保持容量が形成される。

また、従来の一般的なＴＦＴ基板１０１の場合、たとえば、図３（ｇ）に示したような保持容量電極部ＳｔｇＬを形成する場合、保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法（幅）ＯＬＷ１およびｙ方向の寸法（長さ）ＯＬＬ１が、表示領域ＤＡを構成するすべての画素において、同じ寸法になるように形成されている。同様に、図３（ｈ）に示したような第２の保持容量電極層ＳｏＬ２を形成する場合、保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法（幅）ＯＬＷ２およびｙ方向の寸法（長さ）ＯＬＬ２が、表示領域ＤＡを構成するすべての画素において、同じ寸法になるように形成されている。

図４は、実施例１の液晶表示パネルの特徴を説明するために選択する４つの画素の位置関係の一例を示す模式図である。
図５（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板を製造する工程における第１の絶縁層などの成膜工程で生じる現象の一例を示す模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。
図６は、図４に示した４つの画素の保持容量が形成された領域の関係を示す模式断面図である。
図７（ａ）は、図４に示した画素ＳＰ４の保持容量の構成の一例を示す模式断面図である。図７（ｂ）は、図４に示した画素ＳＰ３の保持容量の構成の一例を示す模式断面図である。図７（ｃ）は、図４に示した画素ＳＰ２の保持容量の構成の一例を示す模式断面図である。図７（ｄ）は、図４に示した画素ＳＰ１の保持容量の構成の一例を示す模式断面図である。
図８は、図４に示した画素ＳＰ２の保持容量の構成の変形例を示す模式断面図である。

次に、図４に示す４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４の各画素における保持容量の関係を例に挙げ、実施例１の液晶表示パネル１（ＴＦＴ基板１０１）の特徴について説明する。図４に示したＴＦＴ基板１０１において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、Ｎ本（Ｎは３以上の整数）の走査信号線のうちの最も外側に配置される２本の走査信号線であり、当該２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が形成されている。また、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、Ｍ本（Ｍは４以上の整数）の映像信号線のうちの最も外側に配置される２本の映像信号線であり、当該２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、映像信号線ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖおよび図示していない複数本の映像信号線が形成されている。

また、ＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡは、図４に示した４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４および図示していない複数個の画素により構成されており、各画素の構成は、たとえば、図３（ａ）乃至図３（ｈ）に示したような構成になっている。またこのとき、第１の画素ＳＰ１のＴＦＴは、ゲートが走査信号線ＧＬ_ｉに接続し、ドレインが映像信号線ＤＬ_１に接続している。また、第２の画素ＳＰ２のＴＦＴは、ゲートが走査信号線ＧＬ_ｉに接続し、ドレインが映像信号線ＤＬ_ｕに接続している。また、第３の画素ＳＰ３のＴＦＴは、ゲートが走査信号線ＧＬ_ｉに接続し、ドレインが映像信号線ＤＬ_ｖに接続している。また、第４の画素ＳＰ４のＴＦＴは、ゲートが走査信号線ＧＬ_ｉに接続し、ドレインが映像信号線ＤＬ_Ｍに接続している。

このようなＴＦＴ基板１０１では、たとえば、前記４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれに形成されている保持容量の値が同じ値になっていることが望ましい。またさらには、表示領域ＤＡを構成するすべての画素について、各画素に形成されている保持容量の値が同じ値になっていることが望ましい。

しかしながら、ＴＦＴ基板１０１を形成するときには、たとえば、各画素の保持容量が形成される領域における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚、第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚にばらつきが生じ、各画素に形成される保持容量の値にばらつきが生じることが多い。

実施例１の液晶表示パネル１に用いるＴＦＴ基板１０１を製造するときには、まず、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面に下地絶縁層ＰＡＳ０を形成し、下地絶縁層ＰＡＳ０の上に半導体層ＳＣ（第１の保持容量電極層ＳｏＬ１を含む）を形成する。

次に、第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成するが、このとき、第１の絶縁層ＰＡＳ１は、たとえば、ＣＶＤ法で形成（成膜）する。そのため、たとえば、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１のｘ方向の膜厚が、絶縁基板の１つの辺ＳＵＢａから対向する辺ＳＵＢｂに向かうにつれて徐々に厚くなっていくような分布になることがある。なお、図５（ａ）において、ＧＬ_ｉ−１およびＧＬ_ｉは、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上に形成される走査信号線の位置を示している。また、図５（ｂ）では、下地絶縁層ＰＡＳ０と第１の絶縁層ＰＡＳ１の間に介在する半導体層ＳＣを省略している。

このように、第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成したときのｘ方向の膜厚が、図５（ｂ）に示したような分布になる場合、前記４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域での第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚をそれぞれＰＤ１_１，ＰＤ１_２，ＰＤ１_３，ＰＤ１_４とすると、図６に示すように、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚の関係はＰＤ１_１＜ＰＤ１_２＜ＰＤ１_３＜ＰＤ１_４になる。

第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成したときのｘ方向の膜厚が、図５（ｂ）に示したような分布になる場合、たとえば、第２の絶縁層ＰＡＳ２を形成したときのｘ方向の膜厚も、同様の分布になるのが一般的である。そのため、前記４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域での第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚をそれぞれＰＤ２_１，ＰＤ２_２，ＰＤ２_３，ＰＤ２_４とすると、図６に示すように、第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚の関係はＰＤ２_１＜ＰＤ２_２＜ＰＤ２_３＜ＰＤ２_４になる。

このとき、従来のＴＦＴ基板１０１のように、保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１と平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法ＯＬＷ１およびｙ方向の寸法ＯＬＬ１や、保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法ＯＬＷ２およびｙ方向の寸法ＯＬＬ２が、表示領域ＤＡを構成するすべての画素において同じ寸法になるように形成すると、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚が厚い画素の保持容量の値が小さくなってしまう。

そこで、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が厚いところは、保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１と平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１を大きくし、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が薄いところは、保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１と平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１を小さくする。

図４に示した４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４の保持容量に関して、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚の関係が、図６に示したような関係になっている場合、各画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１は、図７（ａ）乃至図７（ｄ）に示すような寸法にする。すなわち、第４の画素ＳＰ４における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１_４が最も厚いので、図７（ａ）に示すように、第４の画素ＳＰ４における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１_４が最も大きくなるようにする。

また、第３の画素ＳＰ３における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１_３は、第４の画素ＳＰ４における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１_４よりも薄いので、図７（ｂ）に示すように、第３の画素ＳＰ３における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１_３は、第４の画素ＳＰ４における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１_４よりも小さくする。

また、第２の画素ＳＰ２における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１_２は、第３の画素ＳＰ３における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１_３よりも薄いので、図７（ｃ）に示すように、第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１_２は、第３の画素ＳＰ３における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１_３よりも小さくする。

また、第１の画素ＳＰ１における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１_１は、第２の画素ＳＰ２における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１_２よりも薄いので、図７（ｄ）に示すように、第１の画素ＳＰ１における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１_１は、第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１_２よりも小さくする。

またこのとき、４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１は、たとえば、各画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積ＯＬＳ１を、当該領域における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１で除した値（ＯＬＳ１／ＰＤ１）が同じ値になるようにすることが望ましい。

このとき、４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法は、同じ寸法であることが望ましい。そのため、４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法をＯＬＷ１とすると、下記（式５）が成り立つようにすることが望ましい。

このようにすることで、４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける、保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１を一対の電極とし、保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１を誘電体とする第１の保持容量の値を同じ値にすることができる。

なお、４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１を、当該領域における第１の絶縁層ＰＡＳ１の厚さに応じて変える場合、たとえば、各画素における第２の保持容量電極層ＳｏＬ２を同じ寸法にすると、図７（ａ）乃至図７（ｄ）に示したように、保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ２も、第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚ＰＤ２が厚いところでは大きくなり、第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚ＰＤ２が薄いところでは小さくなる。

このとき、各画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域での第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚ＰＤ２が、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１と概ね同じ厚さであれば、保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２を一対の電極とし、保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域に介在する第２の絶縁層ＰＡＳ２を誘電体とする第２の保持容量についても同じ値にすることができる。

しかしながら、ＴＦＴ基板１０１の種類によっては、たとえば、各画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域での第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚ＰＤ２が、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚ＰＤ１とは異なる厚さになることもある。その場合は、たとえば、図８に示すように、保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ２が、保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１とは異なる値になるように第２の保持容量電極層ＳｏＬ２を形成してもよい。

このときも、４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法は、同じ寸法であることが望ましい。そのため、４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法をＯＬＷ２とすると、下記（式６）が成り立つようにすることが望ましい。

また、各画素における第１の保持容量と第２の保持容量とは、電気回路的にみると並列に接続されているので、各画素における保持容量は、第１の保持容量と第２の保持容量の和で表される。そのため、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、各画素における第１の保持容量と第２の保持容量の和が同じ値になればよい。すなわち、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、たとえば、４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１が平面でみて重なる領域の面積が同じ広さになるように、保持容量電極部ＳｔｇＬを形成してもよい。その場合は、各画素における第１の保持容量の差と、第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚を考慮し、各画素における第１の保持容量と第２の保持容量の和が同じ値になるように、各画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積（ｙ方向の寸法）を変えればよい。

図９（ａ）は、実施例１の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板を製造する工程における第１の絶縁層などの成膜工程で生じる現象の別の例を示す模式平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。

上記の説明では、第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成したときに、たとえば、図５（ａ）および図５（ｂ）に示したように、第１の絶縁層ＰＡＳ１のｘ方向の膜厚が変化している場合を例に挙げている。しかしながら、第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成するときには、たとえば、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、ｙ方向の膜厚が、絶縁基板の１つの辺ＳＵＢｃから対向する辺ＳＵＢｄに向かうにつれて徐々に厚くなっていくような分布になることもある。なお、図９（ａ）において、ＤＬ_ｕおよびＤＬ_ｕ＋１は、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上に形成される映像信号線の位置を示している。また、図５（ｂ）では、下地絶縁層ＰＡＳ０と第１の絶縁層ＰＡＳ１の間に介在する半導体層ＳＣを省略している。

この場合、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上に走査信号線ＧＬや保持容量線ＳＬ（保持容量電極部ＳｔｇＬを含む）を形成するときには、たとえば、ｙ方向に並んだ複数の画素のうちの、絶縁基板ＳＵＢの前記１つの辺ＳＵＢｃに最も近い画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが重なる領域の寸法ＯＬＬ１が最も小さくなり、絶縁基板ＳＵＢの前記対向する辺ＳＵＢｄに最も近い画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ１が最も大きくなるようにする。同様に、ｙ方向に並んだ複数の画素のうちの、絶縁基板ＳＵＢの前記１つの辺ＳＵＢｃに最も近い画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが重なる領域の寸法ＯＬＬ２が最も小さくなり、絶縁基板ＳＵＢの前記対向する辺ＳＵＢｄに最も近い画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法ＯＬＬ２が最も大きくなるようにする。

このようにすることで、ｙ方向に並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量の値を同じ値にすることができる。

図１０（ａ）は、実施例１のＴＦＴ基板における保持容量の関係を詳細に説明するための模式図である。図１０（ｂ）は、実施例１のＴＦＴ基板における保持容量の面積の関係についてより望ましい例を説明するための模式図である。

実施例１のＴＦＴ基板１０１の構成について、上記の説明では、たとえば、図４に示したように、ＴＦＴのゲートが共通の走査信号線ＧＬ_ｉに接続されている４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４を挙げ、各画素における保持容量の値が同じ値になるようにしている。

しかしながら、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、前記４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のような、ある特定の位置関係にある画素の保持容量に限らず、１つの表示領域ＤＡを構成するすべての画素について、上記のような方法で保持容量の値がほぼ同じ値になるようにする。

すなわち、図１０（ａ）に示すような位置関係にある４つの画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４のなかから任意の２つの画素を選び、たとえば、その２つの画素における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚を比較したときに、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が厚いほうの画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積が、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が薄いほうの画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積よりも広くなるようにする。なお、実施例１のＴＦＴ基板１０１を形成する場合、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚、第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚の分布には、図５（ｂ）や図９（ｂ）に示したような分布に限らず、後述するようないくつかのパターンが存在する。そのため、たとえば、図１０（ａ）に示した４つの画素のうちの、２つの画素ＳＰ１，ＳＰ２における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚を比較したときに、第２の画素ＳＰ２のほうが薄くなることもある。その場合、２つの画素ＳＰ１，ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、第２の画素ＳＰ２のほうが広くなる。

また、実施例１のＴＦＴ基板１０１では、たとえば、図４や図１０（ａ）に示したようにある程度離れた位置にある２つの画素における関係だけに限らず、たとえば、図１０（ｂ）に示すように、走査信号線ＧＬ_ｉの延在方向に隣接する２つの画素ＳＰ１，ＳＰ２を選択した場合や、映像信号線ＤＬ_ｖの延在方向に隣接する２つの画素ＳＰ１’，ＳＰ２’を選択した場合にも、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が厚いほうの画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積のほうが広くなるようにすることが望ましい。

なお、ＴＦＴ基板１０１の上において隣接する２つの交差領域の距離は４０μｍ〜１００μｍ程度と非常に短いので、この程度の距離であれば、２つの画素における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚はほぼ同じ厚さであるとみなすこともできる。そのため、表示領域ＤＡをいくつかのブロックに分割して、１つのブロックのなかに点在する複数の画素については、各画素における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚が一定であるとみなし、各画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積がほぼ同じ値になるようにしてもよい。

次に、上記のような特徴を有するＴＦＴ基板１０１の製造方法の一例について説明する。なお、以下の説明では、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成になっているＴＦＴ基板１０１の製造方法を例に挙げ、従来の製造方法と同じ手順の工程については、詳細な説明を省略する。

図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例１のＴＦＴ基板の製造方法の一例を説明するための模式フロー図である。
図１１（ａ）は、実施例１のＴＦＴ基板の製造方法のうちの半導体層に不純物を注入する工程までの手順の一例を示すフロー図である。図１１（ｂ）は、実施例１のＴＦＴ基板の製造方法のうちの第２の絶縁層を形成する工程から画素電極および共通電極を形成する工程までの手順の一例を示すフロー図である。

実施例１のＴＦＴ基板１０１を製造するときには、図１１（ａ）に示すように、まず、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面に、下地絶縁層ＰＡＳ０を形成する（ステップ４０１）。次に、たとえば、図３（ｆ）に示したような平面形状の半導体層ＳＣを形成する（ステップ４０２）。半導体層ＳＣは、たとえば、下地絶縁層ＰＡＳ０の上に成膜したアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン膜にした後、エッチングして、図３（ｆ）に示したような平面形状のパターンに形成する。またこのとき、エッチングした後、たとえば、半導体層ＳＣのチャネル領域ＳＣ１を形成するための不純物を注入したり、第１の保持容量電極層ＳｏＬ１として利用する導電領域ＳＣ５を形成するための不純物を注入したりする。

次に、第１の絶縁層ＰＡＳ１を形成（成膜）し、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布を測定する（ステップ４０３）。第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、たとえば、エリプソメータを用いて測定する。またこのとき、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、たとえば、表示領域ＤＡに形成するすべての画素における膜厚を測定してもよいし、表示領域ＤＡをいくつかのブロックに分けて、各ブロックにおける代表点の膜厚を測定し、その膜厚を当該ブロック内の各画素における膜厚とみなしてもよい。

次に、ステップ４０３で測定した第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布に基づいて、各画素における保持容量電極部ＳｔｇＬの寸法を決定する（ステップ４０４）。保持容量電極部ＳｔｇＬの寸法は、たとえば、上記説明のように、各画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積を、当該領域における第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚で除した値が同じ値になるように、保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法を決定する。

次に、走査信号線ＧＬおよび保持容量線ＳＬ（保持容量電極部ＳｔｇＬを含む）の形成に用いる第１の導電膜を形成する（ステップ４０５）。第１の導電膜は、たとえば、ターゲットスパッタリング法でアルミニウムなどの導電膜を成膜して形成する。

次に、第１の導電膜の上に感光性レジストを塗布し、ステップ４０４で決定した寸法などに基づいて感光性レジストを露光する（ステップ４０６）。ステップ４０６で感光性レジストを露光するときには、たとえば、直描露光機と呼ばれる露光機を用いて行う。前記直描露光機は、たとえば、感光性レジストの露光領域を多数の微小領域に分割しておき、ＣＡＤなどで作成した寸法データ（数値データ）に基づいて各微小領域を露光するか否かを判断し、露光すると判断した微小領域のみを順次または一括して露光する露光装置である。このとき、直描露光機では、たとえば、あらかじめ用意された走査信号線ＧＬおよび保持容量線ＳＬの寸法データと、ステップ４０６で算出して決定した各保持容量電極部ＳｔｇＬのｙ方向の寸法データとを使用する。

前記直描露光機を用いた場合、使用する寸法データの数値を変更するだけで露光パターン（露光領域）を変更することができる。そのため、ＴＦＴ基板１０１毎に第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布が異なる場合でも、迅速かつ柔軟に対応することができる。また、前記直描露光機の場合、従来の一般的な露光装置で用いる露光マスクは不要であるため、製造コストを低減できる。

次に、前記露光した感光性レジストを現像した後、第１の導電膜をエッチングして走査信号線ＧＬおよび保持容量線ＳＬ（保持容量電極部ＳｔｇＬを含む）を形成する（ステップ４０７）。

次に、走査信号線ＧＬおよび保持容量線ＳＬの上に残っているレジストを除去する（ステップ４０８）。

次に、たとえば、走査信号線ＧＬおよび保持容量電極部ＳｔｇＬをマスクにして、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣ２、ソース領域ＳＣ３、ソースドレイン領域ＳＣ４を形成するための不純物を注入する（ステップ４０９）。

次に、第２の絶縁層ＰＡＳ２を形成した後、第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚分布を測定する（ステップ４１０）。第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚分布も、たとえば、表示領域ＤＡに形成するすべての画素における膜厚を測定してもよいし、表示領域ＤＡをいくつかのブロックに分けて、各ブロックにおける代表点の膜厚を測定し、その膜厚を当該ブロック内の各画素における膜厚とみなしてもよい。

次に、ステップ４１０で測定した第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚分布と、保持容量電極部ＳｔｇＬの寸法とに基づいて、各画素における第２の保持容量電極層ＳｏＬ２の寸法を決定する（ステップ４１１）。第２の保持容量電極層ＳｏＬ２の寸法は、たとえば、上記説明のように、各画素における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積を、当該領域における第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚で除した値が同じ値になるように、保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｙ方向の寸法を決定する。

次に、映像信号線ＤＬおよび第２の保持容量電極層ＳｏＬ２の形成に用いる第２の導電膜を形成する（ステップ４１２）。第２の導電膜も、たとえば、ターゲットスパッタリング法でアルミニウムなどの導電膜を成膜して形成する。

次に、第２の導電膜の上に感光性レジストを塗布し、ステップ４１１で決定した寸法などに基づいて感光性レジストを露光する（ステップ４１３）。ステップ４１３で感光性レジストを露光するときにも、たとえば、直描露光機と呼ばれる露光機を用いて行う。このとき、直描露光機では、たとえば、あらかじめ用意された映像信号線ＤＬの寸法データと、ステップ４１１で算出して決定した第２の保持容量電極層ＳｏＬ２の寸法データとを使用する。

次に、前記露光した感光性レジストを現像した後、第２の導電膜をエッチングして映像信号線ＤＬおよび第２の保持容量電極層ＳｏＬ２を形成する（ステップ４１４）。

次に、映像信号線ＤＬなどの上に残っているレジストを剥離して除去する（ステップ４１５）。

その後、第３の絶縁層ＰＡＳ３を形成し、反射層ＲＦを形成した後、画素電極ＰＸおよび共通電極ＣＴを形成する（ステップ４１６，ステップ４１７，ステップ４１８）。

以上のような手順でＴＦＴ基板１０１を製造することにより、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚および第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚にばらつきがある場合でも、各画素における保持容量の値が同じ値のＴＦＴ基板１０１を得ることができる。

また、上記のような手順でＴＦＴ基板１０１を製造する場合、たとえば、各画素における保持容量の値のばらつきによる画質むらが発生しないように、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚や第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚を保持容量のばらつきが無視できるような厚さまで厚く形成（成膜）しなくてもよくなる。つまり、ＴＦＴ基板１０１の第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚および第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚を薄くすることができるので、ＴＦＴ基板１０１の製造効率を高くすることができ、ＴＦＴ基板１０１（液晶表示パネル１）の製造コストを低減できる。

またさらに、上記のようなＴＦＴ基板１０１の製造方法の場合、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚や第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚を厚くして形成された保持容量と同程度の値の保持容量を形成するときに、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚や第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚を薄くしたぶんだけ、保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積を小さくすることができる。そのため、各画素の開口率を向上させることもできる。

ところで、ＴＦＴ基板１０１を製造する際に生じる第１の絶縁層ＰＡＳ１、第２の絶縁層ＰＡＳ２などの膜厚分布は、たとえば、ＴＦＴ基板１０１毎に無作為な分布になることは非常に少なく、ＴＦＴ基板１０１の製造方法により、いくつかのパターンに分類できる。以下、ＴＦＴ基板１０１の製造方法と絶縁層の膜厚分布のパターン（傾向）の一例について説明する。

図１２（ａ）は、１枚のマザーガラスから２枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。図１２（ｂ）は、１枚のマザーガラスから４枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。図１２（ｃ）は、１枚のマザーガラスから６枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。図１２（ｄ）は、１枚のマザーガラスから１５枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。

現在、液晶表示パネル１に用いられるＴＦＴ基板１０１は、たとえば、１枚のマザーガラスと呼ばれる大面積のガラス基板から２面（２枚）のＴＦＴ基板１０１を切り出したり、４面（４枚）のＴＦＴ基板１０１を切り出したりして製造されている。

１枚のマザーガラスから２枚のＴＦＴ基板１０１を切り出す、いわゆる２面取りの場合、たとえば、図１２（ａ）に示すように、マザーガラス５には、２個の、ＴＦＴ基板１０１として切り出す領域５０１，５０２がある。この２個の領域５０１，５０２には、それぞれ、たとえば、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１０１を形成した後、マザーガラス５から２個の領域５０１，５０２を切り出して、２枚のＴＦＴ基板１０１を得る。

このような２面取りの場合、マザーガラス５の２個の領域５０１，５０２に、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１や第２の絶縁層ＰＡＳ２を形成するときには、通常、マザーガラス６の全面に絶縁膜を形成（成膜）する。このとき、マザーガラス５の全面に形成される絶縁膜の膜厚分布は、たとえば、図１２（ａ）に二点鎖線で示したようなマザーガラス５の中心Ｐを中心とする同心円で表され、中心Ｐおよびその近傍が最も厚く、中心Ｐから遠ざかるにつれて徐々に薄くなっていくような分布になる。これは、絶縁膜を形成するときには、たとえば、プラズマＣＶＤ法で成膜しているためである。

１枚のマザーガラスから４枚のＴＦＴ基板１を切り出す、いわゆる４面取りの場合、図１２（ｂ）に示すように、マザーガラス５には、４個の、ＴＦＴ基板１０１として切り出す領域５１１，５１２，５１３，５１４がある。この４個の領域５１１〜５１４にはそれぞれ、たとえば、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１０１を形成した後、マザーガラス５から４個の領域５１１〜５１４を切り出して、４枚のＴＦＴ基板１０１を得る。

このような４面取りの場合も、マザーガラス５の４個の領域５１１〜５１４に第１の絶縁層ＰＡＳ１や第２の絶縁層ＰＡＳ２を形成するときには、通常、マザーガラス５の全面に絶縁膜を形成する。またこのときも、マザーガラス５の全面に形成される絶縁膜の膜厚分布は、たとえば、図１２（ｂ）に二点鎖線で示したようなマザーガラス５の中心Ｐを中心とする同心円で表され、中心Ｐおよびその近傍が最も厚く、中心Ｐから遠ざかるにつれて徐々に薄くなっていくような分布になる。

１枚のマザーガラスから６枚のＴＦＴ基板１０１を切り出す、いわゆる６面取りの場合、図１２（ｃ）に示すように、マザーガラス５には、６個の、ＴＦＴ基板１０１として切り出す領域５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６がある。この６個の領域５２１〜５２６にはそれぞれ、たとえば、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１０１を形成した後、マザーガラス５から６個の領域５２１〜５２６を切り出して、６枚のＴＦＴ基板１０１を得る。

このような６面取りの場合も、マザーガラス５の６個の領域５２１〜５２６に第１の絶縁層ＰＡＳ１や第２の絶縁層ＰＡＳ２を形成するときには、通常、マザーガラス５の全面に絶縁膜を形成する。またこのときも、マザーガラス５の全面に形成される絶縁膜の膜厚分布は、たとえば、図１２（ｃ）に二点鎖線で示したようなマザーガラス５の中心Ｐを中心とする同心円で表され、中心Ｐおよびその近傍が最も厚く、中心Ｐから遠ざかるにつれて徐々に薄くなっていくような分布になる。

１枚のマザーガラスから１５枚のＴＦＴ基板１を切り出す、いわゆる１５面取りの場合、図１２（ｄ）に示すように、マザーガラス５には、１５個の、ＴＦＴ基板１として切り出す領域５３１，５３２，５３３，５３４，５３５，５３６，５３７，５３８，５３９，５４０，５４１，５４２，５４３，５４４，５４５がある。この１５個の領域５３１〜５４５にはそれぞれ、たとえば、１画素の構成が図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１が形成される。そして、ＴＦＴ基板１０１を形成した後、マザーガラス５から１５個の領域５３１〜５４５を切り出して、１５枚のＴＦＴ基板１０１を得る。

このような１５面取りの場合も、マザーガラス５の１５個の領域５３１〜５４５に第１の絶縁層ＰＡＳ１や第２の絶縁層ＰＡＳ２を形成するときには、通常、マザーガラス５の全面に絶縁膜を形成する。またこのときも、マザーガラス５の全面に形成される絶縁膜の膜厚分布は、たとえば、図１２（ｄ）に二点鎖線で示したようなマザーガラス５の中心Ｐを中心とする同心円で表され、中心Ｐおよびその近傍が最も厚く、中心Ｐから遠ざかるにつれて徐々に薄くなっていくような分布になる。

ここで、図１２（ａ）乃至図１２（ｄ）に示した１枚のマザーガラス５の上における絶縁膜の膜厚分布と、マザーガラス５から切り出される各領域、すなわち１枚のＴＦＴ基板１０１が形成される領域における絶縁膜の膜厚分布との関係をみると、その関係は、以下の４つのパターンに分類されることがわかる。

１つめのパターンは、絶縁膜の膜厚分布が、図１２（ａ）に示した領域５０１，５０２、図１２（ｄ）に示した領域５３７，５３９のように、ＴＦＴ基板１０１の走査信号線の延在方向に沿った１つの辺の中央付近における膜厚が最も厚く、そこから遠ざかるにつれて膜厚が扇状に徐々に薄くなっていくパターンである。この１つめのパターンの特徴について、図１３を用いて説明する。

図１３は、絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンにおける保持容量の関係の一例を説明するための模式平面図である。

絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンを説明するにあたっては、図１３に示すように、２面取りの場合におけるマザーガラス５の１つの領域５０１を例に挙げる。図１３において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、表示領域の最も外側に配置されている２本の走査信号線を示しており、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、表示領域の最も外側に配置されている２本の映像信号線を示している。また、図示は省略しているが、２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が配置されている。また、２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、それらの間のほぼ中間にある映像信号線ＤＬ_ｕおよび図示していない複数本の映像信号線が配置されている。

このとき、たとえば、マザーガラス５の領域５０１に形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、図１３に二点鎖線で示したような分布になる。つまり、走査信号線の延在方向（ｘ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、映像信号線ＤＬ_１と交差する点から映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点に向かって単調に厚くなり、映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点の近傍で最大の膜厚になる。そして、映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点から映像信号線ＤＬ_Ｍと交差する点に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス５の領域５０１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、映像信号線ＤＬ_ｕの近傍にある画素における面積が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍの近傍にある画素における面積が最も狭くなるようにする。

同様に、走査信号線ＧＬ_ｉに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積は、映像信号線ＤＬ_ｕの近傍にある画素における面積が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍの近傍にある画素における面積が最も狭くなるようにする。

またこのとき、映像信号線の延在方向（ｙ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、走査信号線ＧＬ_１と交差する点から走査信号線ＧＬ_Ｎと交差する点に向かって単調に厚くなる。そのため、マザーガラス５の領域５０１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、走査信号線ＧＬ_１の近傍にある画素における面積が最も狭くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎの近傍にある画素における面積が最も広くなるようにする。

同様に、映像信号線ＤＬ_ｕに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、走査信号線ＧＬ_１の近傍にある画素における面積が最も狭くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎの近傍にある画素における面積が最も広くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス５の領域５０１に形成されるＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡを構成する各画素における保持容量のばらつきを低減できる。

なお、図１３には、１つめのパターンの例として２面取りの場合のマザーガラス５にある１つの領域５０１を挙げているが、もう１つの領域５０２も領域５０１と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。また、図１２（ｄ）に示した１５面取りの場合における領域５３７，５３９も、領域５０１と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。

次に、２つめのパターンを説明する。２つめのパターンは、絶縁膜の膜厚分布が、図１２（ｃ）に示した領域５２２，５２５や、図１２（ｄ）に示した領域５３２，５３５，５４１，５４４のように、ＴＦＴ基板１０１の映像信号線の延在方向に沿った１つの辺の中央付近における膜厚が最も厚く、そこから遠ざかるにつれて膜厚が扇状に徐々に薄くなっていくパターンである。この２つめのパターンの特徴について、図１４を用いて説明する。

図１４は、絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンにおける保持容量の関係の一例を説明するための模式平面図である。

絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンを説明するにあたっては、図１４に示すように、６面取りの場合におけるマザーガラス５の１つの領域５２２を例に挙げる。図１４において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、表示領域の最も外側に配置されている２本の走査信号線を示しており、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、表示領域の最も外側に配置されている２本の映像信号線を示している。また、２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、それらの間のほぼ中間にある走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が配置されている。また、２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、それらの間のほぼ中間にある映像信号線ＤＬ_ｕおよび図示していない複数本の映像信号線が配置されている。

このとき、たとえば、マザーガラス５の領域５２２に形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、図１４に二点鎖線で示したような分布になる。つまり、走査信号線の延在方向（ｘ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、映像信号線ＤＬ_１と交差する点から映像信号線ＤＬ_Ｍと交差する点に向かって単調に厚くなる。そのため、マザーガラス５の領域５２２に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、映像信号線ＤＬ_１の近傍にある画素における面積が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍの近傍にある画素における面積が最も広くなるようにする。

同様に、走査信号線ＧＬ_ｉに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積は、映像信号線ＤＬ_１の近傍にある画素における面積が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍの近傍にある画素における面積が最も広くなるようにする。

またこのとき、映像信号線の延在方向（ｙ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、走査信号線ＧＬ_１と交差する点から走査信号線ＧＬ_ｉと交差する点に向かって単調に厚くなり、走査信号線ＧＬ_ｉと交差する点の近傍で最大の膜厚になる。そして、走査信号線ＧＬ_ｉと交差する点から走査信号線ＧＬ_Ｎと交差する点に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス５の領域５２２に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、走査信号線ＤＬ_ｉの近傍にある画素における面積が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_１または走査信号線ＧＬ_Ｎの近傍にある画素における面積が最も狭くなるようにする。

同様に、映像信号線ＤＬ_ｕに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積は、走査信号線ＧＬ_ｉの近傍にある画素における面積が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_１または走査信号線ＧＬ_Ｎの近傍にある画素における面積が最も狭くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス５の領域５２２に形成されるＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡを構成する各画素における保持容量のばらつきを低減できる。

なお、図１４には、２つめのパターンの例として６面取りの場合のマザーガラス５にある１つの領域５２２を挙げているが、もう１つの領域５２５も領域５２２と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。また、図１２（ｄ）に示した１５面取りの場合における領域５３２，５３５，５４１，５４４も、領域５２２と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。

次に、３つめのパターンを説明する。３つめのパターンは、絶縁膜の膜厚の分布が、図１２（ｂ）に示した領域５１１，５１２，５１３，５１４、図１２（ｃ）に示した領域５２１，５２３，５２４，５２６、図１２（ｄ）に示した領域５３１，５３３，５３４，５３６，５４０，５４２，５４３，５４５のように、ＴＦＴ基板１０１の１つの角部における膜厚が最も厚く、そこから遠ざかるにつれて膜厚が扇状に徐々に薄くなっていくパターンである。この３つめのパターンの特徴について、図１５を用いて説明する。

図１５は、絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンにおける保持容量の関係の一例を説明するための模式平面図である。

絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンを説明するにあたっては、図１５に示すように、４面取りの場合におけるマザーガラス５の１つの領域５１１を例に挙げる。図１５において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、表示領域の最も外側に配置されている２本の走査信号線を示しており、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、表示領域の最も外側に配置されている２本の映像信号線を示している。また、２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が配置されている。また、２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、映像信号線ＤＬ_ｕおよび図示していない複数本の映像信号線が配置されている。

このとき、たとえば、マザーガラス５の領域５１１に形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、図１５に二点鎖線で示したような分布になる。つまり、走査信号線の延在方向（ｘ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、映像信号線ＤＬ_１と交差する点から映像信号線ＤＬ_Ｍと交差する点に向かって単調に厚くなる。そのため、マザーガラス５の領域５１１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、映像信号線ＤＬ_１の近傍にある画素における面積が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_Ｍの近傍にある画素における面積が最も広くなるようにする。

同様に、走査信号線ＧＬ_ｉに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積は、映像信号線ＤＬ_１の近傍にある画素における面積が最も狭くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍの近傍にある画素における面積が最も広くなるようにする。

またこのとき、映像信号線の延在方向（ｙ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、走査信号線ＧＬ_１と交差する点から走査信号線ＧＬ_Ｎと交差する点に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス５の領域５１１に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、走査信号線ＧＬ_１の近傍にある画素における面積が最も狭くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎの近傍にある画素における面積が最も広くなるようにする。

同様に、映像信号線ＤＬ_ｕに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積は、走査信号線ＧＬ_１の近傍にある画素における面積が最も狭くなり、走査信号線ＧＬ_Ｎの近傍にある画素における面積が最も広くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス５の領域５１１に形成されるＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡを構成する各画素における保持容量のばらつきを低減できる。

なお、図１５には、３つめのパターンの例として４面取りの場合のマザーガラス５にある１つの領域５１１を挙げているが、他の３つの領域５１２〜５１４も領域５１１と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。また、図１２（ｃ）に示した６面取りの場合における領域５２１，５２３，５２４，５２６や、図１２（ｄ）に示した１５面取りの場合における領域５３２，５３５，５４１，５４４も、領域５１１と同様の関係を持つ構成にすればよいことはもちろんである。

最後に、４つめのパターンを説明する。４つめのパターンは、絶縁膜の膜厚の分布が、図１２（ｄ）に示した領域５３８のように、表示領域の中央付近における膜厚が最も厚く、そこから遠ざかるにつれて膜厚が同心円状に徐々に薄くなっていくパターンである。この４つめのパターンの特徴について、図１６を用いて説明する。

図１６は、絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンにおける保持容量の関係の一例を説明するための模式図である。

絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンを説明するにあたっては、図１６に示すように、１５面取りの場合におけるマザーガラス５の１つの領域５３８を例に挙げる。図１６において、ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎは、表示領域の最も外側に配置されている２本の走査信号線を示しており、ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍは、表示領域の最も外側に配置されている２本の映像信号線を示している。また、２本の走査信号線ＧＬ_１，ＧＬ_Ｎの間には、それらの間のほぼ中間にある走査信号線ＧＬ_ｉおよび図示していない複数本の走査信号線が配置されている。また、２本の映像信号線ＤＬ_１，ＤＬ_Ｍの間には、それらの間のほぼ中間にある映像信号線ＤＬ_ｕおよび図示していない複数本の映像信号線が配置されている。

このとき、たとえば、マザーガラス５の領域５３８に形成された第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布は、図１６に二点鎖線で示したような分布になる。つまり、走査信号線の延在方向（ｘ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、映像信号線ＤＬ_１と交差する点から映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点に向かって単調に厚くなり、映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点の近傍で最大の膜厚になる。そして、映像信号線ＤＬ_ｕと交差する点から映像信号線ＤＬ_Ｍと交差する点に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス５の領域５３８に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、走査信号線ＧＬ_ｉに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、映像信号線ＤＬ_ｕの近傍にある画素における面積が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍの近傍にある画素における面積が最も狭くなるようにする。

同様に、走査信号線ＧＬ_ｉに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積は、映像信号線ＤＬ_ｕの近傍にある画素における面積が最も広くなり、映像信号線ＤＬ_１または映像信号線ＤＬ_Ｍの近傍にある画素における面積が最も狭くなるようにする。

またこのとき、映像信号線の延在方向（ｙ方向）にみた第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚は、走査信号線ＧＬ_１と交差する点から走査信号線ＧＬ_ｉと交差する点に向かって単調に厚くなり、走査信号線ＧＬ_ｉと交差する点の近傍で最大の膜厚になる。そして、走査信号線ＧＬ_ｉと交差する点から走査信号線ＧＬ_Ｎと交差する点に向かって単調に薄くなる。そのため、マザーガラス５の領域５３８に形成されるＴＦＴ基板１０１において、たとえば、映像信号線ＤＬ_ｕに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域の面積は、走査信号線ＧＬ_ｉの近傍にある画素における面積が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_１または走査信号線ＧＬ_Ｎの近傍にある画素における面積が最も狭くなるようにする。

同様に、映像信号線ＤＬ_ｕに沿って並んだ複数の画素のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域の面積は、走査信号線ＧＬ_ｉの近傍にある画素における面積が最も広くなり、走査信号線ＧＬ_１または走査信号線ＧＬ_Ｎの近傍にある画素における面積が最も狭くなるようにする。

このようにすることで、マザーガラス５の領域５３８に形成されるＴＦＴ基板１０１の表示領域ＤＡを構成する各画素における保持容量のばらつきを低減できる。

なお、図１６には、４つめのパターンの例として１５面取りの場合のマザーガラス５にある１つの領域５３８を挙げているが、１５面取りに限らず、たとえば、３面×３面の９面取りの場合の中央の領域なども、領域５３８と同様の関係（特徴）を持つ構成にすればよいことはもちろんである。

以上説明したように、実施例１の液晶表示パネル１によれば、表示領域を構成する複数の画素のそれぞれにおける保持容量のばらつきを低減でき、保持容量のばらつきにより生じる画質むらを低減できる。そのため、液晶表示装置の表示品質を向上させることができる。

また、実施例１のＴＦＴ基板１０１の製造によれば、たとえば、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚や第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚を薄くできるので、ＴＦＴ基板１０１の製造効率が高まり、ＴＦＴ基板１０１（液晶表示パネル１）の製造コストを低減できる。

図１７（ａ）乃至図１７（ｃ）は、本発明による実施例２の液晶表示パネル１の概略構成の一例を説明するための模式図である。
図１７（ａ）は、１枚のＴＦＴ基板におけるエッチング量のばらつきの見積もり方法の一例を示す模式平面図である。図１７（ｂ）は、図１７（ａ）に示した表示領域ＤＡの対角に位置する２つの画素ＳＰ３，ＳＰ４におけるエッチング量のばらつきの一例を示す模式断面図である。図１７（ｃ）は、図１７（ａ）に示した２つの画素ＳＰ１，ＳＰ２におけるエッチング量のばらつきの一例を示す模式断面図である。

実施例１で説明した構成のＴＦＴ基板１０１を製造するときには、第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚分布や第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚分布などの情報に基づいて決定した保持容量電極部ＳｔｇＬの寸法や第２の保持容量電極層ＳｏＬ２の寸法を利用して感光性レジストを露光している。そのため、たとえば、図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示したような手順において、たとえば、第１の導電膜や第２の導電膜をエッチングしたときに生じるエッチング量のばらつきにより、実際に形成された保持容量電極部ＳｔｇＬの寸法や第２の保持容量電極層ＳｏＬ２の寸法が、ステップ４０４，４１１で決定した寸法からずれてしまう可能性がある。そこで、実施例２では、上記エッチング量のばらつきを考慮したときの各画素における保持容量の関係について説明する。

第１の導電膜や第２の導電膜をエッチングしたときに、１枚のＴＦＴ基板１０１の上でエッチング量にどの程度のばらつきが生じるかを調べるために、本願発明者らは、まず、たとえば、図１７（ａ）に示すように、表示領域ＤＡの対角に位置する２つの画素ＳＰ３，ＳＰ４における導電層の寸法のばらつきを調べた。このとき、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢの表面には、まず、たとえば、下地絶縁層ＰＡＳ０および第１の絶縁層ＰＡＳ１などを、それぞれの膜厚が均一になるように形成しておき、第１の絶縁層ＰＡＳ１の上に、第１の導電膜を膜厚が均一になるように成膜した。そして、たとえば、保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法（幅）が均一になるように形成したレジストをマスクにして前記第１の導電膜をエッチングした。

その結果、たとえば、図１７（ｂ）に示すように、表示領域ＤＡの１つの角部に位置する画素ＳＰ３に形成された保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法がＯＬＷ１_３であったのに対し、もう１つの角部に位置する画素ＳＰ４に形成された保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法はＯＬＷ１_３よりも大きいＯＬＷ１_４になった。本願発明者らが調べた例では、表示領域ＤＡの対角の寸法が８０ｃｍのときに、２つの画素ＳＰ３，ＳＰ４における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法にはＯＬＷ１_４−ＯＬＷ１_３＝２．６μｍの差が生じた。

このことから、表示領域ＤＡの対角の寸法が８０ｃｍのＴＦＴ基板１０１を製造した場合、エッチング量のばらつきにより、任意の２つの画素における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法には最大で２．６μｍのばらつきが生じることが予測される。

またこのとき、図１７（ａ）に示した第１の画素ＳＰ１における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法ＯＬＷ１_１と、第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法ＯＬＷ１_２は、たとえば、図１７（ｃ）に示すような関係になる。このとき、表示領域ＤＡの対角に位置する一方の画素ＳＰ３に近いほうの第１の画素ＳＰ１における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法ＯＬＷ１_１は、画素ＳＰ３における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法ＯＬＷ１_３よりも大きく、第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法ＯＬＷ１_２よりも小さい。また、表示領域ＤＡの対角に位置する他方の画素ＳＰ４に近いほうの第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法ＯＬＷ１_２は、画素ＳＰ４における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法ＯＬＷ１_４よりも小さい。そのため、２つの画素ＳＰ１，ＳＰ２のそれぞれにおける保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法の差ＯＬＷ１_２−ＯＬＷ１_１は、２．６μｍよりも小さい。

また、表示領域ＤＡの任意の２つの画素における保持容量電極部ＳｔｇＬのｘ方向の寸法の差は、当該２つの画素の距離に比例して大きくなることが予測される。そのため、このようなエッチング量のばらつきを考慮すると、下記（式２）を満たしていれば２つの画素ＳＰ１，ＳＰ２における第１の保持容量の値が等しいとみなすことができる。

なお、上記（式２）において、ＯＬＷ１_１およびＯＬＬ１_１はそれぞれ、第１の画素ＳＰ１における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法およびｙ方向であり、ＰＤ１_１は、第１の画素ＳＰ１における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚である。また、ＯＬＷ１_２およびＯＬＬ１_２はそれぞれ、第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法およびｙ方向であり、ＰＤ１_２は、第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬと第１の保持容量電極層ＳｏＬ１とが平面でみて重なる領域に介在する第１の絶縁層ＰＡＳ１の膜厚である。また、Ｌ_ＤＡは表示領域ＤＡの対角の距離（単位はｃｍ）であり、σは表示領域ＤＡの対角に位置する２つの画素ＳＰ３，ＳＰ４においてエッチング量のばらつきにより生じる寸法の差（単位はｃｍ）であり、Ｌ_１２は第１の画素ＳＰ１と第２の画素ＳＰ２との距離である（単位はｃｍ）。

また、第２の導電層をエッチングして映像信号線および第２の保持容量電極層ＳｏＬ２を形成するときにも、エッチング量に同様のばらつきが生じることが予測される。そのため、このようなエッチング量のばらつきを考慮すると、下記（式４）を満たしていれば２つの画素ＳＰ１，ＳＰ２における第２の保持容量の値が等しいとみなすことができる。

なお、上記（式４）において、ＯＬＷ２_１およびＯＬＬ２_１はそれぞれ、第１の画素ＳＰ１における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法およびｙ方向であり、ＰＤ２_１は、第１の画素ＳＰ１における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域に介在する第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚である。また、ＯＬＷ２_２およびＯＬＬ２_２はそれぞれ、第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域のｘ方向の寸法およびｙ方向であり、ＰＤ２_２は、第２の画素ＳＰ２における保持容量電極部ＳｔｇＬと第２の保持容量電極層ＳｏＬ２とが平面でみて重なる領域に介在する第２の絶縁層ＰＡＳ２の膜厚である。

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。

たとえば、実施例１では、本発明を適用した液晶表示パネル１の構成の一例として、１画素の構成が、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示したような構成のＴＦＴ基板１０１を有する横電界駆動方式の液晶表示パネル１を挙げたが、本発明は、これに限らず、保持容量を有する種々の構成のＴＦＴ基板１０１（液晶表示パネル１）に適用できることはもちろんである。また、本発明は、半透過型に限らず、透過型あるいは反射型の液晶表示パネル１にも適用できることはもちろんである。

また、実施例１では、本発明を適用した液晶表示パネル１の構成の一例として、横電界駆動方式の液晶表示パネル１を挙げたが、本発明は、横電界駆動方式の液晶表示パネルに限らず、縦電界駆動方式の液晶表示パネルにも適用できることはもちろんである。

またさらに、実施例１では、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルを例に挙げたが、これに限らず、表示領域にＴＦＴがマトリクス状に配置された表示パネルであれば本発明を適用できる。本発明を適用できる他の表示パネルとしては、たとえば、有機ＥＬを用いた自発光型の表示パネルがある。

本発明による実施例１の液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式図である。 図１（ａ）に示した液晶表示パネルにおける１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。 液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。 図２（ａ）のＡ−Ａ’線における模式断面図である。 液晶表示パネルのＴＦＴ基板における１画素の構成の一例を示す模式平面図である。 図３（ａ）の領域ＡＲの拡大平面図である。 図３（ｂ）のＢ−Ｂ’線における模式断面図である。 図３（ａ）のＣ−Ｃ’線における模式断面図である。 図３（ａ）のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。 半導体層および第１の保持容量電極層の平面形状の一例を示す模式平面図である。 走査信号線および保持容量線の平面形状の一例を示す模式平面図である。 映像信号線および第２の保持容量電極層の平面形状の一例を示す模式平面図である。 実施例１の液晶表示パネルの特徴を説明するために選択する４つの画素の位置関係の一例を示す模式図である。 実施例１の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板を製造する工程における第１の絶縁層などの成膜工程で生じる現象の一例を示す模式平面図である。 図５（ａ）のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。 図４に示した４つの画素の保持容量が形成された領域の関係を示す模式断面図である。 図４に示した画素ＳＰ４の保持容量の構成の一例を示す模式断面図である。 図４に示した画素ＳＰ３の保持容量の構成の一例を示す模式断面図である。 図４に示した画素ＳＰ２の保持容量の構成の一例を示す模式断面図である。 図４に示した画素ＳＰ１の保持容量の構成の一例を示す模式断面図である。 図４に示した画素ＳＰ２の保持容量の構成の変形例を示す模式断面図である。 実施例１の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板を製造する工程における第１の絶縁層などの成膜工程で生じる現象の別の例を示す模式平面図である。 図９（ａ）のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。 実施例１のＴＦＴ基板における保持容量の関係を詳細に説明するための模式図である。 実施例１のＴＦＴ基板における保持容量の面積の関係についてより望ましい例を説明するための模式図である。 実施例１のＴＦＴ基板の製造方法のうちの半導体層に不純物を注入する工程までの手順の一例を示すフロー図である。 実施例１のＴＦＴ基板の製造方法のうちの第２の絶縁層を形成する工程から画素電極および共通電極を形成する工程までの手順の一例を示すフロー図である。 １枚のマザーガラスから２枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。 １枚のマザーガラスから４枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。 １枚のマザーガラスから６枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式平面図である。 １枚のマザーガラスから１５枚のＴＦＴ基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。 絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。 絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。 絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式平面図である。 絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンにおける交差領域の面積などの関係の一例を説明するための模式図である。 １枚のＴＦＴ基板におけるエッチング量のばらつきの見積もり方法の一例を示す模式平面図である。 図１７（ａ）に示した表示領域ＤＡの対角に位置する２つの画素ＳＰ３，ＳＰ４におけるエッチング量のばらつきの一例を示す模式断面図である。 図１７（ａ）に示した２つの画素ＳＰ１，ＳＰ２におけるエッチング量のばらつきの一例を示す模式断面図である。

符号の説明

１…液晶表示パネル
１０１…ＴＦＴ基板
１０２…対向基板
１０３…液晶材料
１０４…シール材
１０５Ａ，１０５Ｂ…偏光板
ＳＵＢ…絶縁基板
ＧＬ，ＧＬ_ｎ，ＧＬ_ｎ＋１，ＧＬ_ｉ，ＧＬ_ｊ，ＧＬ_Ｎ−１，ＧＬ_Ｎ…走査信号線
ＤＬ，ＤＬ_ｍ，ＤＬ_ｍ＋１，ＤＬ_ｕ，ＤＬ_ｖ，ＤＬ_Ｍ…映像信号線
ＳＤ１…ドレイン電極
ＳＤ２…ソース電極
ＳＣ…半導体層
ＳＣ１…チャネル領域
ＳＣ２…ドレイン領域
ＳＣ３…ソース領域
ＳＣ４…ソースドレイン領域
ＳＣ５…導電領域
ＰＡＳ…絶縁層
ＰＡＳ０…下地絶縁層
ＰＡＳ１…第１の絶縁層
ＰＡＳ２…第２の絶縁層
ＰＡＳ３…第３の絶縁層
ＰＸ…画素電極
ＣＴ…共通電極
ＳＬ…保持容量線
ＳｔｇＬ…保持容量電極部
ＳｏＬ１…第１の保持容量電極層
ＳｏＬ２…第２の保持容量電極層
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３…スルーホール
ＬＣ…液晶層
２…ゲートドライバ
３…データドライバ
５…マザーガラス

Claims (12)

1. 複数本の走査信号線と、絶縁層を介して前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線と、マトリクス状に配置された複数個のＴＦＴと、前記走査信号線および前記映像信号線とは異なる保持容量線と、前記走査信号線および前記映像信号線ならびに前記保持容量線とは異なる導電層とを有し、前記保持容量線の一部分と前記導電層とを一対の電極とし、前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層を誘電体とする保持容量がマトリクス状に配置された表示パネルを備える表示装置であって、
   ある１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層の厚さが、他の１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層の厚さよりも薄く、
   前記ある１つの保持容量における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域の面積が、前記他の１つの領域における前記保持容量線と前記導電層とが平面でみて重なる領域の面積よりも小さいことを特徴とする表示装置。
2. 前記保持容量は、第１の導電層、第１の絶縁層、前記保持容量線、第２の絶縁層、第２の導電層の順に積層された積層体で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記ある１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ１_１およびＯＬＬ１_１とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ１_１とし、
   前記他の１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ１_２およびＯＬＬ１_２とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ１_２としたときに、下記（式１）の関係を満たすことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
   

   
4. 前記ある１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ１_１およびＯＬＬ１_１とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ１_１とし、
   前記他の１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ１_２およびＯＬＬ１_２とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ１_２とし、
   前記表示パネル上の対角に位置する２つの画素における保持容量の距離をＬ_ＤＡ［ｃｍ］、当該２つの画素におけるエッチング量の誤差をσ［ｃｍ］、前記ある１つの保持容量と前記他の１つの保持容量との距離をＬ_１２［ｃｍ］としたときに、下記（式２）の関係を満たすことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
   

   
5. 前記ある１つの保持容量における前記第２の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ２_１およびＯＬＬ２_１とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ２_１とし、
   前記他の１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ２_２およびＯＬＬ２_２とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ２_２としたときに、下記（式３）の関係を満たすことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
   

   
6. 前記ある１つの保持容量における前記第２の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ２_１およびＯＬＬ２_１とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ２_１とし、
   前記他の１つの保持容量における前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域の幅および長さをそれぞれＯＬＷ２_２およびＯＬＬ２_２とし、前記第１の導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域における第１の絶縁層の膜厚をＰＤ２_２とし、
   前記表示パネル上の対角に位置する２つの画素における保持容量の距離をＬ_ＤＡ［ｃｍ］、当該２つの画素におけるエッチング量の誤差をσ［ｃｍ］、前記ある１つの保持容量と前記他の１つの保持容量との距離をＬ_１２［ｃｍ］としたときに、下記（式４）の関係を満たすことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
   

   
7. 前記保持容量は、前記第１の導電層および前記第１の絶縁層ならびに前記保持容量線により構成される第１の保持容量と、前記第２の導電層および前記第２の絶縁層ならびに前記保持容量線により構成される第２の保持容量が並列に接続されており、
   前記ある１つの保持容量における前記第１の保持容量と前記第２の保持容量の和が、前記他の１つの保持容量における前記第１の保持容量と前記第２の保持容量の和と等しいことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
8. 前記走査信号線の延在方向に並んだ複数個の保持容量は、当該走査信号線の一端からの距離が長い保持容量ほど、前記導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層が厚くなっていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記走査信号線の延在方向に並んだ複数個の保持容量は、当該走査信号線の延在方向でみた中点からの距離が短い保持容量ほど、前記導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層が厚くなっていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記映像信号線の延在方向に並んだ複数個の保持容量は、当該映像信号線の一端からの距離が長い保持容量ほど、前記導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層が厚くなっていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記映像信号線の延在方向に並んだ複数個の保持容量は、当該映像信号線の延在方向でみた中点からの距離が短い保持容量ほど、前記導電層と前記保持容量線とが平面でみて重なる領域に介在する絶縁層が厚くなっていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルであることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。

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