JP2008046337A - 液晶表示装置及びプロジェクターシステム - Google Patents

Abstract

【課題】プレチルト角を持たせて配向する液晶表示装置において、ディスクリネーションが抑制された液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一対の基板に挟まれて液晶が封入され、基板に形成される電極によって液晶に電圧を加えることで液晶分子を動かし光の偏光状態を制御する液晶表示装置であって、画素ごとに分割され、電圧を加えないとき、液晶分子は画素の面に対して垂直の方向から所定の角度を有して配置され、隣接する画素に接する領域に、所定の角度又は液晶素子が傾く方向が異なる領域であるサブドメイン領域を設けた。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置及びプロジェクターシステムに関し、特に、液晶素子がプレチルト角を有して配置される液晶表示装置及びプロジェクターシステムに関する。

従来、デジタルカメラなどの電子機器に搭載される表示装置には、液晶パネルを利用して画像を表示する液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display:ＬＣＤ）がある。

液晶パネルは、それ自体は発光しないので、液晶ディスプレイには、主に、以下の３種類がある。

まず、液晶パネルを裏面から照らして画像を表示する型で、透過型液晶表示装置と呼ばれるものがある。次に、外光の反射を利用して画像を表示する型で、反射型液晶表示装置と呼ばれるものがある。そして、これらを組み合わせた性質を持つもので、半透過型液晶表示装置と呼ばれるものがある。

液晶表示装置において、液晶分子を画素電極基板に対して垂直に配向する場合、電圧印加時の液晶分子の動きを一定の方向に揃えるため、画素電極基板に垂直な方向に対して若干の傾き角（プレチルト角）θを持たせて配向する。一般に、プレチルト角が傾く方向であるプレチルト方向は、画素電極配列に対して略４５度の方向に設定されている。

液晶は、各画素電極と対向電極間の縦方向電界（画素電極面に垂直な電界成分）で駆動される。

しかし、この縦方向電界成分以外に、隣接する画素電極間では両者の画素電極の信号電圧の電位差に基づく横方向電界が生じる。

さらに、一般的なアクティブマトリクス型の液晶表示素子の回路構成では、液晶を交流駆動するために信号の極性を反転させている。

フィールド又はフレームごとに交流駆動する場合、極性による非対称性があるとフリッカ（画像のちらつき）が目立つという問題があるため、カラム毎又は隣接する画素毎に信号の電圧の極性＋、−を反転させるようにしている。これにより、フリッカを抑制することが可能となっている。

また、一般には、プレチルトの方向は画素領域で一様であるが、視野角が狭いという問題を抱えている。

この対策として、各画素を微小領域に分け、それぞれ液晶のプレチルトが異なるようにしている。

視野角の特性は、各微小領域の視野角特性の平均となるため、視野角の拡大に有効な手段となっている。

この場合、微小領域とプレチルトとの組み合わせに偏りがあるとそれによる視野角特性の異方性が生じるため、微小領域は均一分割が採用されている。

特許文献１には、ツイスト液晶で液晶分子の配向方向の異なる微小な領域（Ａ、Ｂ）を含むように配向処理する液晶表示装置が開示されている。二つのドメインに分割し、平均的な視野角特性を得ることに効果的である。

また、特許文献２には、垂直配向でプレチルト角の異なる複数の微小領域を有する液晶表示装置が開示されている。これは、隣接するドメインの境界部分に、配向安定化領域を有する技術であり、この技術も視野角の向上を目的としている。

さらに、特許文献３には、配向膜の下地に液晶分子の傾斜方向を規制する突起を有し、その突起によって分割配向を実現する液晶表示装置が開示されている。これにより、視野角の向上を図っている。
特開平０７−２８１１７６号公報 特開平１０−９６９２９号公報 特開２０００−１２２０６５号公報

画素信号の差異又は極性の反転による横電界による悪影響は、画素電極の周辺部の２辺（プレチルトの方向にある２辺）にディスクリネーションと呼ばれる表示不良部が生じることである。

ディスクリネーションは横方向電界の影響により液晶分子がプレチルトの向きからずれることによって発生し、特に白表示の時に黒が画素の２辺に浮き出てしまい、コントラストの低下を引き起こす。

また、ディスクリネーションが発生する領域を表示領域からなくしてしまうと開口率の低下となる。

ディスクリネーションが発生する領域を残しておいても、それをなくしてしまっても、いずれの場合にしても表示画質を著しく低下させることになる。

また、画素を微小領域に分割する場合には、表面の凹凸で制御する場合と配向膜の処理（ラビング、紫外線照射）によって制御する場合とがあるが、いずれの方法によってもディスクリネーションの抑制につながることはない。

そこで、本発明は、プレチルト角を持たせて配向する液晶表示装置において、ディスクリネーションが抑制された液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するための手段として、一対の基板に挟まれて液晶が封入され、前記基板に形成される電極によって当該液晶に電圧を加えることで液晶分子を動かし光の偏光状態を制御する液晶表示装置であって、画素ごとに分割され、前記電圧を加えないとき、前記液晶分子は前記画素の面に対して垂直の方向から所定の角度を有して配置され、隣接する前記画素に接する領域に、前記所定の角度が異なる領域であるサブドメイン領域を設けたことを特徴とする。

また、本発明は、一対の基板に挟まれて液晶が封入され、前記基板に形成される電極によって当該液晶に電圧を加えることで液晶分子を動かし光の偏光状態を制御する液晶表示装置であって、画素ごとに分割され、前記電圧を加えないとき、前記液晶分子は前記画素の面に対して垂直の方向から所定の角度を有して配置され、隣接する前記画素に接する領域に、前記液晶素子が傾く方向が異なる領域であるサブドメイン領域を設けたことを特徴とする。

また、本発明は、一対の基板に挟まれて液晶が封入され、前記基板に形成される電極によって当該液晶に電圧を加えることで液晶分子を動かし光の偏光状態を制御する液晶表示装置であって、画素ごとに分割され、前記電圧を加えないとき、前記液晶分子は前記画素の面に対して垂直の方向から所定の角度を有して配置され、隣接する前記画素に接する領域に、前記所定の角度又は前記液晶素子が傾く方向が異なる領域であるサブドメイン領域を設けたことを特徴とする。

本発明によれば、プレチルト角を持たせて配向する液晶表示装置において、ディスクリネーションが抑制されるようになった。

以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。

まず、本発明の原理について説明する。

プレチルト角を持たせて配向する液晶表示装置において、ディスクリネーションの生じる領域は決まっているので、その領域にのみ対策を施せばよい。

矩形の画素形状の場合、４５度のプレチルトの方向とするとその方向にある２辺の近傍が対象になる。さらに、その２辺近傍においても隣の画素領域には生じないので、画素内が対象になる。

図１は、その状況を示す模式平面図である。

図１に示すように、液晶表示装置は主領域１０１と、ディスクリネーション対策領域１０２とがある。

ディスクリネーション対策領域１０２では、横電界によってプレチルトの方向がずらされて生じるので、それに耐えられるように配向の特性を変えることでディスクリネーションを防止することが可能となる。

図２は、プレチルト角について説明するための図である。

図２では、プレチルトの方向とプレチルト角について示されている。図２では、各液晶は棒状の線と楕円形で模式化されており、棒状の線が楕円形に向いている方向がプレチルト方向を示しており、楕円の形状でプレチルト角の大小を示している。

図２において、右の液晶がプレチルト角が大きく、徐々に小さくなっている。図１において、主領域１０１ではプレチルト角が小さく、ディスクリネーション対策領域１０２ではプレチルト角が大きい。

（実施形態１）
図３は、本発明の一実施形態としての液晶表示装置の構成を示す断面図である。

図３において、１は基板、２はＬＯＣＯＳ酸化膜、３はＰＷＬ、４はゲート酸化膜、５はゲート電極、６はＮＬＤ、７はソース領域、７’はドレイン領域、８はＰＳＧ、９はＡｌ電極、１０はプラズマＳｉＮ膜、１１はＰＳＧである。

また、１２はスルーホール、１３は画素電極、１４及び１４’は液晶、１５及び１５’は配向膜である。また、２０は対向基板、２１はカラーフィルタ、２２はブラックマトリクス、２３は対向電極である。

ゲート電極５、ソース領域７及ドレイン領域７’のトランジスタが画素のスイッチ用のトランジスタとなっていて、ドレイン領域７’の画素電極１３に接続されている。また、ドレイン領域７’と基板１の拡散層との間に容量が形成されている。本実施の形態では、基板１は単結晶半導体基板が用いられている。

画素電極１３は各画素のスイッチ用のトランジスタを覆うように形成され、遮光するとともに反射する機能も果たしており、高い開口率を実現している。

図１に示すように、画素電極１３は本実施の形態では正方形であり、この正方形を並べるようにして、ほぼ隙間なく全面に覆うようにしている。このようにすることで、開口率を１００％に近づけることができる。

この正方形の画素電極がマトリクス状に形成された画素電極基板と、透明電極を形成した透明基板とを対向して配置し、その間に液晶が封入されている。本実施の形態では、液晶には負の誘電率異方性を有するものが使用されている。

これら二つの基板の各々の表面には液晶を所定の方向に配向するための配向膜が形成されている。

配向の方向は４５度が一般的に使用されている。配向膜は、配向の特性の異なる二つの領域に分割されている。一方は、図１の１０２に示すように、配向方向にある２辺に接する領域とし、この領域のプレチルト角を他の領域のプレチルト角よりも大きくした。

これによって、ディスクリネーションを抑制又は出現する位置をより画素境界に近づけることが可能となった。

絶縁性部材として、ＰＳＧ(Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ)１１が設けられており、導電性部材１３と、絶縁性部材１１の表面は、ケミカルメカニカルポリシングにより研磨されている。

図４は、本実施の形態の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。

なお、説明の都合上、図４は画素部を中心として模式的に示してあるが、画素部形成工程と同時に、画素部のスイッチングトランジスタを駆動するためのシフトレジスタ等周辺駆動回路も同一基板上に形成するものとする。

まず、図４（ａ）に示すように、不純物濃度が１０^１５ｃｍ^−３以下であるｎ型シリコン半導体基板１を部分熱酸化し、ＬＯＣＯＳ(Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ＯＦ Ｓｉｌｉｃｏｎ)酸化膜２を形成する。

そして、ＬＯＣＯＳ酸化膜２をマスクとしてボロンをドーズ量１０^１２ｃｍ^−２程度イオン注入し、不純物濃度１０^１６ｃｍ^−３程度のｐ型不純物領域であるＰＷＬ３を形成する。

この基板１を再度熱酸化し、酸化膜厚１００ｎｍ以下のゲート酸化膜４を形成する。

次いで、図４（ｂ）に示すように、リンを１０^２０ｃｍ^−３程度ドープしたｎ型ポリシリコンからなるゲート電極５を形成した後、基板１全面にリンをドーズ量１０^１２ｃｍ^−２程度イオン注入する。

そして、不純物濃度１０^１６ｃｍ^−３程度のｎ型不純物領域であるＮＬＤ６を形成する。引き続き、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、リンをドーズ量１０^１５ｃｍ^−２程度イオン注入し、不純物濃度１０^１９ｃｍ^−３程度のソース領域７及びドレイン領域７’を形成する。

次いで、図４（ｃ）に示すように、基板１全面に層間膜であるＰＳＧ８を形成する。このＰＳＧ８はＮＳＧ(Ｎｏｎｄｏｐｅ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ)／ＢＰＳＧ(Ｂｏｒｏ−Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ)や、ＴＥＯＳ(Ｔｅｔｒａｅｔｏｘｙ−Ｓｉｌａｎｅ)で代替することも可能である。

ソース領域７及びドレイン領域７’の直上のＰＳＧ８にコンタクトホールとなる孔を形成し、スパッタリングによりＡｌを蒸着した後パターニングし、Ａｌ電極９を形成する。

このＡｌ電極９とソース領域７及びドレイン領域７’とのオーミックコンタクト特性を向上させるために、Ｔｉ／ＴｉＮなどのバリアメタルを、Ａｌ電極９とソース領域７及びドレイン領域７’との間に形成するのが望ましい。

次いで、図４（ｄ）に示すように、基板１の全面にプラズマＳｉＮ膜１０を３００ｎｍ程度、続いてＰＳＧ１１を１０００ｎｍ程度成膜する。

次いで、図４（ｅ）に示すように、プラズマＳｉＮ膜１０をドライエッチングストッパー層として、ＰＳＧ１１を画素間の分離領域のみを残すようにパターニングする。その後、ドレイン領域７’にコンタクトしているＡｌ電極９直上にスルーホール１２をドライエッチングによりパターニングする。

次いで、図４（ｆ）に示すように、基板１上にスパッタリング又はＥＢ(Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ、電子線)蒸着により、画素電極１３を１０００ｎｍ以上成膜する。

この画素電極１３としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗなどの金属膜又はこれら金属の化合物膜を用いる。

次いで、図４（ｇ）に示すように、画素電極１３の表面をＣＭＰにより研磨する。研磨量はＰＳＧ１１厚を１０００ｎｍ、画素電極厚をｘｎｍとした場合、ｘｎｍ以上、ｘ＋１０００ｎｍ未満である。

具体的なＣＭＰは、ＣＭＰ装置として荏原製作所製ＥＰＯ−１１４、研磨布にＲｏｄｅｌ社製ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ(Ｄ５１)、スラリーにＦＵＪＩＭＩ社製ＰＬＮＥＲＬＩＴＥ１０２を用いて行なった。

以降は、図３に示すように、配向膜１５を形成し、同様に配向膜１５が形成される対向基板２０と張り合わせ液晶を注入するのであるが、配向膜１５の配向制御の方法がいくつかあるので、各々について説明する。

〔ラビングによる配向制御〕
図４に示す工程により形成されたアクティブマトリクス基板の表面にさらに配向膜１５を形成する。

次に、その表面にラビング処理等配向処理を施した。最初に各画素のプレチルト方向にある２辺の近傍の領域をマスクして、その他の部分をラビング処理し、配向膜１５を得た。

次に逆のマスクにおいてプレチルト角が大きくなるようなラビング処理を行い、配向膜１５’を得た。

対向基板側も鏡像になるように同様の処理を行なった後、スペーサ（不図示）を介してアクティブマトリクス基板と対向基板と貼り合わせた。

この状態で、２枚の基板上のそれぞれの配向膜１５又は１５’は、基板に垂直な方向からみるとお互いに重なるように配置されていた。

そして、その間隙に液晶を注入して、図３に示すような液晶表示装置とする。微小領域で配向特性が異なるので、配向膜１５’にはさまれた液晶領域１４’のプレチルト角は、配向膜１５にはさまれた液晶領域１４のプレチルト角よりも大きくなった。

なお、本実施形態において、対向基板は透明基板２０上にカラーフィルタ２１、ブラックマトリクス２２、ＩＴＯなどからなる共通電極２３、配向膜１５及び配向膜１５’を配して構成されている。

〔紫外線照射による配向制御〕
次いで、紫外線の照射によって配向制御を行う方法について説明する。

図４に示す工程により形成されたアクティブマトリクス基板の表面にさらに配向膜を形成する。

次に、その表面にラビング処理等配向処理を施した。

その後、各画素のプレチルト方向にある２辺の近傍の領域以外をマスクして、その領域に紫外線を照射した。

紫外線の強さ・時間に依存して、プレチルト角を大きくすることが可能であり、プレチルト角が大きくなるような配向領域１５’を得た。

その他の部分には最初のラビングにより決まるプレチルト角を持つ配向膜領域１５を得た。

対向基板側も鏡像になるように同様の処理を行なった後、スペーサ（不図示）を介してアクティブマトリクス基板と対向基板と貼り合わせた。

この状態で、２枚の基板上のそれぞれの配向膜１５又は配向膜１５’は、基板に垂直な方向からみるとお互いに重なるように配置されていた。

その間隙に液晶を注入して、図３に示すような液晶表示装置とする。

微小領域で配向特性が異なるので、配向膜１５’にはさまれた液晶領域１４’のプレチルト角は、配向膜１５にはさまれた液晶領域１４のプレチルト角よりも大きくなった。

〔高分子膜を用いた配向制御〕
図４に示す工程により形成されたアクティブマトリクス基板の表面にさらに配向膜を形成する。

基板表面に部分的に高分子膜を形成し、その上にさらに高分子配向膜を形成してラビング処理することにより、配向膜の下地に高分子膜が存在する領域と存在しない領域とで異なる界面プレチルト角を発現させる。

〔無機配向膜での配向制御〕
図４に示す工程により形成されたアクティブマトリクス基板の表面にさらに配向膜を形成する。

図３の配向膜１５’の下地に他の領域とは異なる層を形成し、無機配向膜を全面に形成する。下地材料が異なることによって、同じ無機配向膜であってもその配向特性を各領域で変えることが可能である。よって、配向膜１５と配向膜１５’のように面内で配向特性の異なる配向膜を形成することが可能となる。

次に、本実施形態の反射型液晶表示装置の駆動方法を説明する。

基板１にオンチップで形成されたシフトレジスタ等の周辺回路により、ソース領域７に信号電位を与える。それと同時にゲート電極５にゲート電位を印加し、画素のスイッチングトランジスタをオン状態にする。そして、ドレイン領域７’に信号電荷を供給する。

信号電荷はドレイン領域７’とＰＷＬ３との間に形成されるｐｎ接合の空乏層容量に蓄積され、Ａｌ電極９を介して画素電極１３に電位を与える。

画素電極１３の電位が所望の電位に達した時点で、ゲート電極５の印加電位を切り、画素スイッチングトランジスタをオフ状態にする。

信号電荷は前記のｐｎ接合容量部に蓄積されているため、画素電極１３の電位は、次に画素スイッチングトランジスタが駆動されるまで固定される。

この固定された画素電極１３の電位が、図３に示された基板１と対向基板２０との間に封入された液晶１４を駆動する。

信号電荷を蓄積するために、ドレイン領域７’を小さくして、ドレイン領域７’にコンタクトしているＡｌ電極９を広くして、Ａｌ電極９とＰＷＬ３との容量を使用しても良い。

本実施形態のアクティブマトリクス基板は、特定領域の配向膜がその他の部分の配向膜と異なった特性を有しており、その間に挟まれた液晶１４’が他の部分の液晶１４と異なるプレチルト角を有している。そのため、この領域の液晶のディスクリネーションが抑制されることになり、表示画像の品質が向上する。

（実施形態２）
本実施の形態では、図５に示すように、画素形状を六角形とし、画素電極が蜂の巣状に配置されている。主領域１０１のチルト方向を図５に示すような方向に設定した。１０２の領域を主領域とは異なる配向になるように配向膜を形成した。断面構成等は実施形態１と同様なので、説明は省略する。

（実施形態３）
本実施の形態では、図６に示すように、画素形状を六角形とし、画素電極が蜂の巣状に配置されている。主領域１０１のチルト方向を図６に示すような方向に設定した。１０２の領域を主領域とは異なる配向になるように配向膜を形成した。断面構成等は実施形態１と同様なので、説明は省略する。

（実施形態４）
本実施の形態では、図７に示すように、図１の１０２の領域をさらに２分割した。それぞれを各辺により直角な方向にプレチルト方向となるようにした。断面構成等は実施形態１と同様なので、説明は省略する。

上記の実施形態においていずれもディスクリネーションを抑制することができた。

上記した実施形態において、他の工程についても、ここの実施形態に限られた条件だけでなく、さまざまな条件で実施できる。

また、上記の実施形態では、プレチルト角の大きさによってのみディスクリネーションを抑制する手法を説明したが、液晶素子が傾く方向によってもディスクリネーションを抑制することができる。その場合はその方向をより大きくすることで調整する。

（実施形態５）
図８は、本発明の一実施形態としての反射型液晶表示装置の製造方法で製造された反射型液晶表示装置を用いたプロジェクターシステムの構成を示すブロック図である。

白色光源２０１から出射した光をダイクロイックミラーによって分光する。具体的には、ダイクロイックミラー２０２で赤波長の光を分光し、ダイクロックミラー２０３で緑波長の光と青波長の光に分光する。

そして、赤の偏光板２０４、緑の偏光板２０５及び青の偏光板２０６でそれぞれの光を直線偏光にした後、各偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２０７、２０８及び２０９で各液晶反射パネル２１０、２１１及び２１２に入射させる。

各液晶パネル２１０、２１１及び２１２で偏光を変調させることで、ＰＢＳを透過する割合を制御可能なため、ダイクロイックプリズム２１３でＲＧＢ光を合成した後にはカラー情報となる。

投射レンズ２１４でスクリーン上に投影すると、フロントプロジェクターとなる。

なお、上記実施形態では、反射型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものでもない。具体的には、透過型の液晶表示装置などにも適用することが可能である。

本発明は、デジタルカメラなどの電子機器に搭載される液晶表示装置において利用可能である。

本発明の原理を説明するための模式平面図である。 プレチルト角について説明するための図である。 本発明の一実施形態としての液晶表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施の形態の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の実施形態２を示す模式平面図である。 本発明の実施形態３を示す模式平面図である。 本発明の実施形態４を示す模式平面図である。 本発明の一実施形態としての反射型液晶表示装置の製造方法で製造された反射型液晶表示装置を用いたプロジェクターシステムの構成を示すブロック図である。

符号の説明

１ 基板
２ ＬＯＣＯＳ酸化膜
３ ＰＷＬ
４ ゲート酸化膜
５ ゲート電極
６ ＮＬＤ
７ ソース領域
７’ドレイン領域
８ ＰＳＧ
９ Ａｌ電極
１０ プラズマＳｉＮ膜
１１ ＰＳＧ
１２ スルーホール
１３ 画素電極
１４ 液晶
１４’液晶
１５ 配向膜
１５’配向膜
２０ 対向電極
２１ カラーフィルタ
２２ ブラックマトリクス
２３ 対向電極
１０１ 主領域
１０２ ディスクリネーション対策領域

Claims (17)

1. 一対の基板に挟まれて液晶が封入され、前記基板に形成される電極によって当該液晶に電圧を加えることで液晶分子を動かし光の偏光状態を制御する液晶表示装置であって、
   画素ごとに分割され、
   前記電圧を加えないとき、前記液晶分子は前記画素の面に対して垂直の方向から所定の角度を有して配置され、
   隣接する前記画素に接する領域に、前記所定の角度が異なる領域であるサブドメイン領域を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記サブドメイン領域における前記液晶素子の所定の角度は、前記サブドメイン領域でない領域の前記所定の角度よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 一対の基板に挟まれて液晶が封入され、前記基板に形成される電極によって当該液晶に電圧を加えることで液晶分子を動かし光の偏光状態を制御する液晶表示装置であって、
   画素ごとに分割され、
   前記電圧を加えないとき、前記液晶分子は前記画素の面に対して垂直の方向から所定の角度を有して配置され、
   隣接する前記画素に接する領域に、前記液晶素子が傾く方向が異なる領域であるサブドメイン領域を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
4. 前記サブドメイン領域における前記液晶素子の傾く方向は、前記サブドメイン領域でない領域の前記液晶素子が傾く方向よりも大きいことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
5. 一対の基板に挟まれて液晶が封入され、前記基板に形成される電極によって当該液晶に電圧を加えることで液晶分子を動かし光の透過を制御する液晶表示装置であって、
   画素ごとに分割され、
   前記電圧を加えないとき、前記液晶分子は前記画素の面に対して垂直の方向から所定の角度を有して配置され、
   隣接する前記画素に接する領域に、前記所定の角度又は前記液晶素子が傾く方向が異なる領域であるサブドメイン領域を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
6. 前記サブドメイン領域における前記液晶素子の所定の角度は、前記サブドメイン領域でない領域の前記所定の角度よりも大きいことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
7. 前記サブドメイン領域における前記液晶素子の傾く方向は、前記サブドメイン領域でない領域の前記液晶素子が傾く方向よりも大きいことを特徴とする請求項３、５及び６のいずれか１項記載の液晶表示装置。
8. 前記サブドメイン領域は、前記液晶分子が向く方向に設けられることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
9. 前記画素は多角形であることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置。
10. 前記画素は四角形であることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
11. 前記画素は六角形であることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
12. 前記サブドメイン領域はさらに二分割され、一方の領域は、前記所定の角度がより大きいことを特徴とする請求項５から１１のいずれか１項記載の液晶表示装置。
13. 前記液晶は負の誘電率異方性を有することを特徴とする請求項１から１２記載の液晶表示装置。
14. 前記液晶は配向を制御するための配向膜は無機物質からなることを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
15. 前記配向膜は、斜方蒸着によって形成されることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。
16. 前記基板の一方は単結晶半導体基板であり、当該単結晶半導体基板に形成される電極は、反射電極であることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置。
17. 請求項１から１６記載の液晶表示装置を備えることを特徴とするプロジェクターシステム。
    
    
    

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