JP2007335521A - ウェーハ外周部研削方法 - Google Patents
ウェーハ外周部研削方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007335521A JP2007335521A JP2006163640A JP2006163640A JP2007335521A JP 2007335521 A JP2007335521 A JP 2007335521A JP 2006163640 A JP2006163640 A JP 2006163640A JP 2006163640 A JP2006163640 A JP 2006163640A JP 2007335521 A JP2007335521 A JP 2007335521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- outer peripheral
- peripheral portion
- surface side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract description 17
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 168
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
バックグラインド後のウェーハに鋭角部を生じさせず、チッピング、欠け、又はウェーハ割れなどが起きない歩留まりの向上したウェーハ外周部研削方法を提供すること。
【解決手段】
バックグラインド実施前に行われる、ウェーハWの外周部研削工程において、ウェーハW外周部端面を外周部加工砥石52と外周精研削砥石55とによりストレート形状に研削することにより、バックグラインドされた後のウェーハWの外周部に鋭角部が形成されず、チッピング、欠け、又はウェーハ割れなどが起ない歩留まりの高い安定したウェーハの加工が可能となる。
【選択図】図1
Description
Claims (7)
- ウェーハの裏面側を研削することにより前記ウェーハの厚みを薄くする裏面研削工程実施前に行われる、前記ウェーハの外周部を研削する外周部研削工程において、前記ウェーハ外周部端面をストレート形状の砥石によりストレート形状に研削することを特徴とするウェーハ外周部研削方法。
- ウェーハの裏面側を研削することにより前記ウェーハの厚みを薄くする裏面研削工程実施前に行われる、前記ウェーハの外周部を研削する外周部研削工程において、前記ウェーハの外周部端面をストレート形状の砥石によりストレート形状に研削した後、前記ウェーハ外周部端面の表面側と裏面側との角部を研削して前記角部にテーパ形状を設けることを特徴とするウェーハ外周部研削方法。
- 前記テーパ形状は、前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも小さいことを特徴とする請求項2に記載のウェーハ外周部研削方法。
- 前記ウェーハの表面側に形成される前記テーパ形状は、前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも小さく、前記ウェーハの裏面側に形成される前記テーパ形状は、前記ウェーハ外周部端面のストレート形状部分が前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも大きくなる位置まで研削して形成されることを特徴とする請求項2に記載のウェーハ外周部研削方法。
- 前記ウェーハの表面側に形成される前記テーパ形状は、前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも小さく、前記ウェーハの裏面側に形成される前記テーパ形状は、前記ウェーハの表面側に形成されたテーパ形状と重ならず、前記ウェーハ外周部端面のストレート形状部分が前記ウェーハの裏面研削工程が終了した時点の該ウェーハの厚みよりも小さくなる位置まで研削して形成されることを特徴とする請求項2に記載のウェーハ外周部研削方法。
- ウェーハの裏面側を研削することにより前記ウェーハの厚みを薄くする裏面研削工程実施前に行われる、前記ウェーハの外周部を研削する外周部研削工程において、前記ウェーハの外周部を曲面、又はテーパ形状に形成する為の溝が形成された砥石により前記ウェーハの外周部を研削した後、該ウェーハの表面側の外周部を研削して除去することを特徴とするウェーハ外周部研削方法。
- 前記ウェーハの表面側に貼着される、ウェーハ表面を保護するためのテープは、前記ウェーハ外径の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、又は6のいずれか1項に記載のウェーハ外周部研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006163640A JP5119614B2 (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | ウェーハ外周部研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006163640A JP5119614B2 (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | ウェーハ外周部研削方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007335521A true JP2007335521A (ja) | 2007-12-27 |
JP5119614B2 JP5119614B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=38934725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006163640A Active JP5119614B2 (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | ウェーハ外周部研削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5119614B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011086803A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの研削方法 |
JP2013093420A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイア基板の研削方法 |
CN103962918A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法 |
JP2017117915A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
JP2018170313A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 株式会社東京精密 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
WO2019124031A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP7668397B2 (ja) | 2020-10-13 | 2025-04-24 | ミーレ カンパニー インコーポレイテッド | ウェハ加工方法、システム及び装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0434931A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハおよびその処理方法 |
JPH06314676A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウエハ |
JP2000042887A (ja) * | 1998-05-18 | 2000-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り方法 |
JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JP2004111799A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 半導体チップの製造方法 |
JP2004207459A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの研削方法 |
JP2005051069A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Sekisui Chem Co Ltd | Icチップの製造方法及びicチップ |
-
2006
- 2006-06-13 JP JP2006163640A patent/JP5119614B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0434931A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハおよびその処理方法 |
JPH06314676A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウエハ |
JP2000042887A (ja) * | 1998-05-18 | 2000-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り方法 |
JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JP2004111799A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 半導体チップの製造方法 |
JP2004207459A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの研削方法 |
JP2005051069A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Sekisui Chem Co Ltd | Icチップの製造方法及びicチップ |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011086803A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの研削方法 |
JP2013093420A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイア基板の研削方法 |
CN103962918A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法 |
JP2014144525A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Ebara Corp | 研磨方法 |
US9604335B2 (en) | 2013-01-30 | 2017-03-28 | Ebara Corporation | Wafer polishing apparatus |
JP2017094487A (ja) * | 2013-01-30 | 2017-06-01 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP2017117915A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
JP2018170313A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 株式会社東京精密 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP2021122073A (ja) * | 2017-03-29 | 2021-08-26 | 株式会社東京精密 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP7147011B2 (ja) | 2017-03-29 | 2022-10-04 | 株式会社東京精密 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP2022188089A (ja) * | 2017-03-29 | 2022-12-20 | 株式会社東京精密 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
JP7419467B2 (ja) | 2017-03-29 | 2024-01-22 | 株式会社東京精密 | ウェーハ及びウェーハの薄化方法並びにウェーハの薄化装置 |
WO2019124031A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
TWI790319B (zh) * | 2017-12-19 | 2023-01-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統及基板處理方法 |
JP7668397B2 (ja) | 2020-10-13 | 2025-04-24 | ミーレ カンパニー インコーポレイテッド | ウェハ加工方法、システム及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5119614B2 (ja) | 2013-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4986568B2 (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
US8029335B2 (en) | Wafer processing method | |
JP5119614B2 (ja) | ウェーハ外周部研削方法 | |
JP2008084976A (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
JP7234317B2 (ja) | ツルーイング方法及び面取り装置 | |
JP2009125915A (ja) | 研削ホイール装着機構 | |
JP6789645B2 (ja) | 面取り加工装置 | |
JP4878738B2 (ja) | 半導体デバイスの加工方法 | |
US20060009134A1 (en) | Grinding wheel, grinding apparatus and grinding method | |
JP7451043B2 (ja) | 被加工物の研削方法及び研削装置 | |
CN113400101A (zh) | 磨削方法 | |
JP5466963B2 (ja) | 研削装置 | |
JP6192778B2 (ja) | シリコンウエーハの加工装置 | |
JP7171131B2 (ja) | 被加工物の研削方法 | |
CN107891358A (zh) | 晶片的加工方法和研磨装置 | |
JP5528202B2 (ja) | 支持トレイ | |
JP2021094693A (ja) | 面取り基板の製造方法及びそれに用いられる面取り装置 | |
JP2012222310A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6608604B2 (ja) | 面取り加工された基板及び液晶表示装置の製造方法 | |
JP2012064735A (ja) | ウエーハの研削方法 | |
JP5907797B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2007044817A (ja) | ウェーハ面取り装置、ウェーハ面取り用砥石、及びツルーイング砥石 | |
JP7024039B2 (ja) | 面取り加工装置 | |
US20240383103A1 (en) | Processing tool | |
JP7301472B2 (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121008 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5119614 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |