JP2007311914A - 圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】製造工程を簡素化するとともに、優れた振動特性を発揮する圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】パッケージ３６の内側に圧電振動片３２を収容して、蓋体３９により前記パッケージ３６を気密に封止するようにした圧電デバイスであって、前記蓋体３９で前記パッケージ３６を封止するための例えばロウ材や下地などでなる構成部材４０に、Ｔｉ（チタン）等のゲッタリング効果を有する部材４４が用いられていることを特徴とする圧電デバイス。
【選択図】図２

Description

本発明は、圧電振動片を収容したパッケージを蓋体で封止するようにした圧電デバイスに関する。

ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器やジャイロセンサなどの計測機器において、パッケージなどの内部に圧電振動片を収容した圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスが広く使用されている。

図８はこの圧電デバイスの概略縦断面図である（例えば、特許文献１参照）。すなわち、圧電デバイス１は、外部からの影響を受けないようにするため、パッケージ２の内部Ｓを蓋体３で気密に封止している。ところが、蓋体３をパッケージ２に接合する際にロウ材４からガスが発生したり、圧電振動片５をパッケージ２に接合するための接着剤６からガスが発生したりして、このガスが圧電振動片５の振動特性に影響を及ぼす。そこで、圧電振動片５の振動特性を安定させるために、圧電デバイス１は、蓋体３の内側にゲッター材７を設け、パッケージ２を蓋封止した後であっても、例えばリフローの熱などでゲッター材７を活性化させてガスを吸着するようにしている。

特開２００３―６０４７２号公報

ところが、このような圧電デバイス１では、蓋体３の内側にゲッター材７を設けるようにしているため、このゲッター材７を形成する工程分だけ、製造工程が増えてしまう。
また、パケージ２の内部Ｓを真空雰囲気にする必要性は、圧電デバイス１が小型されるほど高くなるが、圧電デバイス１は、小型化されるほど、外部からの衝撃で圧電振動片５が振れて蓋体３の裏面に設けられたゲッター材７に接触してしまう恐れが高くなるという問題がある。

本発明は、製造工程を簡素化するとともに、優れた振動特性を発揮する圧電デバイスを提供することを目的とする。

上記の目的は、第１の発明によれば、パッケージの内側に圧電振動片を収容して、蓋体により前記パッケージを気密に封止した圧電デバイスであって、前記蓋体で前記パッケージを封止するための構成部材に、ゲッタリング効果を有する部材が用いられている圧電デバイスにより達成される。

第１の発明の構成によれば、蓋体でパッケージを封止するための構成部材に、ゲッタリング効果を有する部材が用いられているため、封止するための構成部材がゲッター材にもなり、特別にゲッター材を設ける必要性がなくなる。
また、ゲッタリング効果を有する部材は、パッケージを封止するための構成部材であるため、パッケージの開口側端面と蓋体との間に配置される。したがって、圧電振動片が落下により振れたとしても、圧電振動片がゲッタリング効果を有する部材に接触することはない。
かくして、製造工程を簡素化するとともに、優れた振動特性を発揮する圧電デバイスを提供することができる。

第２の発明は、第１の発明の構成において、前記ゲッタリング効果を有する部材は、前記パッケージと前記蓋体とをロウ付けするロウ材を前記パッケージ及び／又は前記蓋体に被着するための下地であって、前記ロウ材を溶融する熱によって活性化するようにしたことを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、ゲッタリング効果を有する部材は、例えばロウ材を蓋体に被着するための下地であって、ロウ材を溶融する熱によって活性化するようにしたため、ロウ材を溶融してパッケージを蓋封止する際にゲッタリング効果を発揮して、ガスを吸着できる。

第３の発明は、第２の発明の構成において、前記ゲッタリング効果を有する部材は、前記ロウ材を前記蓋体側に被着するための下地としてＴｉが用いられていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、ゲッタリング効果を有する部材は、ロウ材を蓋体側に被着するための下地としてＴｉが用いられているため、蓋体には、Ｔｉとの接合性がよいガラス等を用いることができる。したがって、蓋封止した後であっても、蓋体の外側から、圧電振動片の振動腕の金属膜にレーザー光を照射することによって、例えば該金属膜の一部を蒸散させ、質量削減方式による周波数調整を行うことができる。

第４の発明は、第３の発明の構成において、前記ロウ材にはＡｕ−Ｇｅ合金が用いられていることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、ロウ材にはＡｕ−Ｇｅ合金が用いられているため、下地としてのＴｉとの接合性がよく、気密に蓋封止できる。
そして、ロウ材がＡｕ−Ｇｅ合金であると、鉛フリー化が可能となり、また、パッケージの開口側の端面である封止代が小さくても確実に封止することができる。さらに、Ａｕ−Ｇｅ合金は、例えば鉛フリー化が可能なＡｕ−Ｓｎ合金等と比べて融点が高いため、例えば圧電デバイスを使用した電子部品を修復するリペア工程が行われても、リークする恐れを有効に防止できる。

第５の発明は、第４の発明の構成において、前記蓋体側の下地としてのＴｉと、前記ロウ材であるＡｕ−Ｇｅ合金との間に、Ａｕ層が設けられていることを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、蓋体側の下地としてのＴｉとロウ材であるＡｕ−Ｇｅ合金との間にＡｕ層が設けられているため、蓋体側の下地としてのＴｉが酸化してしまった場合であっても、Ａｕ−Ｇｅ合金であるロウ材を付着させることができる。

第６の発明は、第３ないし第５の発明のいずれかの構成において、前記ゲッタリング効果を有する部材は、前記ロウ材と前記蓋体との間とは別に、前記蓋体の内側であって、前記圧電振動片の自由端部以外の領域に対応するように設けられていることを特徴とする。
第６の発明の構成によれば、ゲッタリング効果を有する部材は、ロウ材と蓋体との間とは別に蓋体の内側にも設けられているため、ゲッタリング効果を高めることができる。なお、この蓋体の内側に設けられるゲッタリング効果を有する部材は、下地を形成する際に形成できるため、製造工程が第１の発明に比べて増えることもない。また、ゲッタリング効果を有する部材は、圧電振動片の自由端部以外の領域に対応するように設けられているため、圧電デバイスが落下して圧電振動片の自由端部が振れても、圧電振動片がこのゲッタリング効果を有する部材に接触することも有効に防止できる。

第７の発明は、第６の発明の構成において、前記蓋体はガラスから形成されており、前記蓋体の内側であって、前記圧電振動片の自由端部以外の領域に対応するように設けられた前記ゲッタリング効果を有する部材は、前記蓋体の外側からレーザー光を照射される位置に形成されていることを特徴とする。
第７の発明の構成によれば、蓋体の内側であって、圧電振動片の自由端部以外の領域に対応するように設けられたゲッタリング効果を有する部材は、蓋体の外側からレーザー光を照射される位置に形成されている。このため、レーザー光の照射により、蓋体内側のゲッタリング効果を有する部材を飛散させ、この飛散させた部材を圧電振動片に付着させることができる。したがって、圧電振動片の質量を増加させて周波数調整を行うことができ、周波数の低い方への調整が可能となる。

図１ないし図３は、本発明の圧電デバイスの実施の形態を示しており、図１はその概略分解斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図、図３は図１の圧電デバイスに用いられる圧電振動片の概略斜視図である。なお、理解の便宜上、図１は励振電極を省略し、図２は励振電極および引出し電極を省略して作図している。
図において、圧電デバイス２０は、水晶振動子を構成した例を示しており、この圧電デバイス２０は、収容容器としてのパッケージ３６の内側に圧電振動片３２を収容している。

パッケージ３６は、全体的に矩形状に形成され、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板６１，６４，６８を順次積層した後、焼結して形成されている。
第３の基板６８は、その内側に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所定の内部空間Ｓ１を形成するようにされている。この内部空間Ｓ１が圧電振動片３２を収容するための収容空間である。

また、第３の基板６８は、パッケージ３６の内部に圧電振動片３２をマウントした後、開口側の端面６８ａに蓋体３９を接合することで、内部空間Ｓ１は気密に封止され、内部空間Ｓ１は真空雰囲気となっている。パッケージ３６と蓋体３９とはロウ付けにより接合されているが、このロウ付けに関する構成部材４０については、後で詳しく説明する。
なお、蓋体３９は、蓋封止後に、レーザー光ＬＢ１で圧電振動片３２の質量を変更する方法により周波数調整を可能にするために、例えばガラスなどの光を透過する材料で形成されることが好ましい。特に、硼珪酸ガラスなどの板体が好適に利用できる。

第２の基板６４の内部空間Ｓ１に露出した面（図２のパッケージ３６の内部空間Ｓ１内の図において左端部付近の内側底部）には、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成した電極部３１が設けられている。電極部３１は、実装端子３３と電気的に接続されて、駆動電圧を供給するものである。そして、この電極部３１の上に導電性接着剤４３が塗布され、この導電性接着剤４３の上に圧電振動片３２の基部５１が載置されて、導電性接着剤４３が硬化されるようになっている。尚、導電性接着剤４３としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製の細粒等の導電性の粒子を含有させたものが使用でき、シリコーン系、エポキシ系またはポリイミド系導電性接着剤等を利用することができる。

また、図２に示すように、パッケージ３６は、その内側底面に矩形の凹部４２を備えており、この凹部４２は第２の基板６４の一部を除去することにより形成することができる。凹部４２は、図１に示す圧電振動片３２の各振動腕３４，３５の先端部に対応する位置に設けられており、圧電デバイス２０に外部から衝撃が加えられた際に、圧電振動片３２の各振動腕３４，３５の先端が下に振れた場合、パッケージ３６の内側底部と衝突することを避けることができ、損傷を防止できるようになっている。

圧電振動片３２は、圧電材料として、例えば水晶をエッチングして形成されており、本実施形態の場合、圧電振動片３２は、小型に形成して、必要な性能を得るために、特に図示される構造とされている。すなわち、圧電振動片３２は、パッケージ３６側と固定される基部５１と、この基部５１を基端として、図１および図３において右方に向けて、二股に別れて平行に延びる一対の振動腕３４，３５を備えており、全体が音叉のような形状とされた、所謂、音叉型圧電振動片が利用されている。

圧電振動片３２の各振動腕３４，３５には、図３を参照して理解されるように、それぞれ長さ方向に延びる長い有底の長溝５６，５７が形成されている。この各長溝５６，５７は、各振動腕３４，３５の表裏両面に形成されている。さらに、図３において、圧電振動片３２の基部５１の端部（図３では左側端部）の幅方向両端付近には、引き出し電極５２，５３が形成されている。各引き出し電極５２，５３は、圧電振動片３２の基部５１の図示しない裏面にも同様に形成されている。

これらの各引き出し電極５２，５３は、上述したように図１に示されているパッケージ側の電極部３１と導電性接着剤４３により接続される部分である。そして、各引き出し電極５２，５３は、図３に示されるように、各振動腕３４，３５の長溝５６，５７内に設けた励振電極５４，５５とそれぞれ一体に接続されている。また、各励振電極５４，５５は、各振動腕３４，３５の両側面にも形成されており、例えば、振動腕３４に関しては、長溝５７内の励振電極５４と、その側面部の励振電極５５とは互いに異極となるようにされている。また、振動腕３５に関しては、長溝５６内の励振電極５５と、その側面部の励振電極５４とは互いに異極となるようにされている。

また、固定部である基部５１から離れた自由端部３２ａ、すなわち、この実施形態では各振動腕３４，３５の先端部には、周波数調整用の金属膜３８，３８が形成されている。この金属膜３８，３８は、図２に示されるように、蓋封止後の周波数調整工程において、レーザー光ＬＢ１を照射されることによって、その質量を減少させることで、周波数が高くなる方へ変化させるものである。この周波数調整用の金属膜３８，３８は励振電極５４，５５などの駆動用電極を形成する際に、これら駆動用電極と同じ構造にして同時に形成することができる。

ここで、圧電デバイス２０については、図２に示されるように、蓋体３９でパッケージ３６を封止するための構成部材４０に、ゲッタリング効果を有する部材４４が用いられている。
具体的には、パッケージ３６と蓋体３９とはロウ付けされており、図２の一点鎖線で囲った図に示されるように、パッケージ３６の封止構造は、下から順に、パッケージ３６側の下地となる金属層４７、ロウ材４６、Ａｕ（金）層４５、及び、ゲッタリング効果を有する部材４４を含んでいる。そして、ゲッタリング効果を有する部材４４は、熱を加えると活性化する所謂活性金属であり、ロウ材４６をガラス製の蓋体３９に被着するための下地となっている。

さらに、ゲッタリング効果を有する部材４４は、ロウ材４６を溶融する熱によって活性化するようになっている。すなわち、ゲッタリング効果を有する部材４４の活性化する温度が、ロウ材４６の融点と同等もしくはそれ以下になるように構成されている。本実施形態の場合、ロウ材４６にはＡｕ−Ｇｅ合金が用いられており、ＡｕとＧｅの配合比は、Ａｕを８９〜８７ｗｔ％、Ｇｅを１１〜１３ｗｔ％として、融点が約３５６℃となるように形成されている。一方、ゲッタリング効果を有する部材４４は、下地層としての役割を考慮して、その後のリフロー等の工程で溶融しないことが必要であり、Ａｕ−Ｇｅ合金の融点である約３５６℃と同等かそれよりも僅かに低い温度である約３５０℃で活性化するＴｉ（チタン）を用いている。

これにより、ロウ材４６であるＡｕ−Ｇｅ合金を溶融させることで、蓋体３９側の下地であるＴｉが活性化してゲッタリング効果を発揮することになる。
なお、Ｔｉ（チタン）はパッケージ３６の開口側端面に対応する蓋体３９の周縁に、蒸着やスパッタリングにより形成され、蓋体３９である硼珪酸ガラス等のガラスや、ロウ材４６であるＡｕ−Ｇｅ合金との接合性がよい。

また、ロウ材４６に用いられるＡｕ−Ｇｅ合金は、ガラス製の蓋体に被着させるための低融点ガラスなどと比べて、鉛を含まない合金であるため、廃棄しても有害な鉛が生成されず、また、パッケージ３６の開口側の端面６８ａの幅が２００μｍと極めて小さい場合であっても、接合力を発揮できるため好ましい。
なお、鉛フリー化が可能で、パッケージ３６の開口側端面６８ａの幅が小さくても接合力を発揮できるものにＡｕ−Ｓｎ合金等があるが、Ａｕ−Ｓｎ合金等では修理のためのリペア工程を行なった場合の保証ができない。すなわち、電子部品実装の鉛フリー化によってこれまでよりも融点の高いハンダが使用されてきている背景から、通常、リペア工程では圧電デバイス２０に３２０℃程度の温度が加えられる。このため、融点が約２８０℃であるＡｕ−Ｓｎ合金では、リペア工程に耐えられない恐れがある。特に、上述のように、パッケージ３６の内部空間Ｓ１が真空雰囲気であると、ロウ材４６は外圧によりリークし易いと言える。

このように、ガラスの蓋体３９、蓋封止の際のゲッタリング効果、リペア工程、鉛フリー化、パッケージ３６内の真空雰囲気、及びパッケージ３６の開口側端面６８ａの幅寸法の小型化という全ての条件に対応できる封止構成として、蓋体側の下地としてのＴｉ、およびロウ材としてのＡｕ−Ｇｅ合金を用いることが最適である。

なお、本実施形態では、ゲッタリング効果を有する部材４４であるＴｉとロウ材４６であるＡｕ−Ｇｅ合金との間に、Ａｕ層４５が設けられているが、このＡｕ層４５は、ゲッタリング効果を有する部材４４であるＴｉが酸化してロウ材４６であるＡｕ−Ｇｅ合金に接合されなくなったことを想定してＴｉの表面に設けたものであり、Ａｕ層４５は、Ｔｉが酸化されない場合においては、必ずしも必要なものではない。
また、このＡｕ層４５とロウ材４６との間に、図２に対応した概略断面図である図５に示されるように、Ｎｉ（ニッケル）又はＰｔ（プラチナ）、Ｐｄ（パダジウム）、Ｗ（タングステン）などからなる金属層７０を設けてもよい。これにより、Ａｕ層４５の厚みがないような場合において、ゲッタリング効果を有する部材４４であるＴｉがＡｕ層４５を突き抜けるまで拡散することを防止し、確実にロウ材４６を蓋体３９側に付着させることができる。

なお、上述のように、本実施形態のパッケージ３６はセラミックから形成されているため、パッケージ３６側の下地となる金属層４７にはタングステンメタライズが利用されている。

次に、圧電デバイス２０の製造方法の実施形態を簡単に説明する。
なお、以下の製造方法にて説明する符号については、図１ないし図３を参照されたい。
図４は、本実施形態の圧電デバイス２０の製造方法の実施形態を説明するための簡単なフローチャートである。
この図に示されるように、圧電デバイス２０は、上述したパッケージ３６と、圧電振動片３２と、蓋体３９を別々に製造しておき、その後これらを接合する。

この際、パッケージ３６については、上述のように、セラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を順次積層した後、焼結して形成するが、内側底面にタングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで電極部３１を形成する際に、開口側端面６８ａにもタングステンメタライズして、下地となる金属層４７を形成しておく（図４のＳＴ１−１）。

また、蓋体３９については、パッケージ３６の開口側端面６８ａと対向する周縁に、蒸着やスパッタリングによりＴｉを付着させて、ゲッタリング効果を有する部材４４を形成し（図４のＳＴ１−２）、さらに、このＴｉの露出した表面に蒸着やスパッタリングによりＡｕ層４５を形成しておく（図４のＳＴ１−３）。これにより、蓋体にＴｉを付着させた後に直ぐにパッケージに接合せず、Ｔｉが酸化した場合であっても、Ａｕ−Ｇｅ合金からなるロウ材４６を用いて、パッケージ３６と蓋体３９とを接合することができる。

そして、パッケージ３６の内側底面に形成した電極部３１の上に、導電性接着剤４３を塗布し、その上に圧電振動片３２を載置して加熱し、パッケージ３６に圧電振動片３２を接合する（図４のＳＴ２：マウント）。

次いで、パッケージ３６の下地となる金属層４７にＡｕ−Ｇｅ合金からなるロウ材４６を配置し、真空雰囲気下において、ガラス製の蓋体３９を載置して加熱する。具体的には、ロウ材４６の上に蓋体３９側で既に形成したＡｕ層４５を載置して、約３５６℃で加熱し、パッケージ３６を蓋体３９により気密に封止する（図４のＳＴ３：蓋封止）。ここで、このＡｕ−Ｇｅ合金からなるロウ材４６を溶融する際、蓋体３９側に既に形成した下地金属であるＴｉは約３５０℃で活性化するため、ゲッタリング効果を発揮する。このため、ロウ材４６や導電性接着剤４３からガスが発生しても、下地金属であるＴｉがガスを吸収して、パッケージ３６内を真空雰囲気にすることができる。

次いで、圧電デバイスの特性を検査し、その検査結果に応じて周波数調整をし（図４のＳＴ４）、圧電デバイスを完成させる。すなわち、外部から周波数調整用のレーザー光ＬＢ１をパッケージ３６内に照射し、圧電振動片３２の金属被膜３８に当て、金属膜３８の一部を蒸散させて、質量削減方式による周波数調整（微調）を行う。これにより周波数を僅かに高い方へ調整することができる。

本発明の実施形態に係る圧電デバイス２０は以上のように構成されており、蓋体３９でパッケージ３６を封止するための構成部材４０に、ゲッタリング効果を有する部材４４が用いられているため、封止するための構成部材４０がゲッター材にもなり、特別にゲッター材を設ける必要性がなくなる。
また、ゲッタリング効果を有する部材４４は、パッケージ３６を封止するための構成部材４０であるため、パッケージ３６の開口側端面６８ａと蓋体３９との間に配置される。したがって、圧電振動片３２が外部からの衝撃で振れたとしても、圧電振動片３２がゲッタリング効果を有する部材４４に接触することはない。

図６は、本発明の上述した実施形態の第１の変形例に係る圧電デバイス２２であって、図２を変形した概略断面図である。なお、図６は、理解の便宜上、励振電極および引出し電極を省略して作図している。
図６において、図１ないし図５の圧電デバイス２０と同一の符号を付した箇所は共通の構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
図６の圧電デバイス２２が図１ないし図５の圧電デバイス２０と異なるのは、ゲッタリング効果を有する部材４４についてである。

すなわち、ゲッタリング効果を有する部材４４は、蓋体３９の周縁に蒸着やスパッタリングで形成する際、ロウ材４６と蓋体３９との間とは別に、蓋体３９の内側（内部空間Ｓ１に露出した面）にも形成するようにしている。なお、本変形例の場合、ゲッタリング効果を有する部材４４は、ロウ材４６と蓋体３９との間に設けられたゲッタリング効果を有する部材４４ａと、内部空間Ｓ１に露出した面に設けられたゲッタリング効果を有する部材４４ｂとは一体に形成されている。

そして、この蓋体３９の内側（内部空間Ｓ１に露出した面）のゲッタリング効果を有する部材４４ｂは、圧電振動片３２の自由端部３２ａ以外の領域に対応するように設けられている。すなわち、圧電振動片３２は、パッケージ３６に固定される固定部である基部５１と、この基部５１から離れて振動により振れ易い端部である自由端部３２ａとを有し、この自由端部３２ａを避けるように、ゲッタリング効果を有する部材４４ｂが配置されている。これにより、圧電振動片３２は、自由端部３２ａが振れても、ゲッタリング効果を有する部材４４ｂに接触することを有効に防止される。

なお、蓋体３９の内側のゲッタリング効果を有する部材４４ｂは、ロウ材４６に付着する部分ではないため酸化しても構わず、このため、その表面にＡｕなどは設けられていない。
また、蓋体３９の内側のゲッタリング効果を有する部材４４ｂは、蒸着やスパッタリングでゲッタリング効果を有する部材４４ａ（すなわち蓋体３９側の下地）を形成する際に形成できるので、別途、新しい工程を増やす必要は特にない。

本発明の実施形態の第１の変形例は以上のように構成されており、ゲッタリング効果を有する部材４４は、ロウ材４６と蓋体３９との間とは別に、蓋体３９の内側にも設けられているため、内部空間Ｓ１に露出する領域が多くなって、ゲッタリング効果を高められる。また、蓋封止の工程（図４のＳＴ３）の後であっても、蓋体３９の内側のゲッタリング効果を有する部材４４ｂにレーザー光を照射することで、再度、ゲッタリング効果を有する部材４４ｂを活性化させることもできる。

図７は、本発明の上述した実施形態の第１の変形例のさらなる変形例に係る圧電デバイス２４であって、図６を変形した概略断面図である。なお、図７は、理解の便宜上、励振電極および引出し電極を省略して作図している。
図７において、図６の圧電デバイス２２と同一の符号を付した箇所は共通の構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
図７の圧電デバイス２４が図６の圧電デバイス２２と異なるのは、蓋体３９の内側のゲッタリング効果を有する部材４４ｂについてである。

すなわち、蓋体３９の内側（内部空間Ｓ１に露出した面）であって、圧電振動片３２の自由端部３２ａ以外の領域に対応するように設けられたゲッタリング効果を有する部材４４ｂは、蓋体３９の外側からレーザー光ＬＢ２を照射される位置に形成されている。
具体的には、この蓋体３９の内側のゲッタリング効果を有する部材４４ｂは、周波数調整工程（図４のＳＴ４）の際、周波数調整のために外部から照射されるレーザー光ＬＢ１の光路上とならない箇所で、しかも、パッケージ３６の外部からレーザー光ＬＢ２を照射し得る箇所に形成する。

本変形例の場合、図３に示すように、振動腕３４，３５の先端部３２ａに金属膜３８が形成されており、図７に示すように、蓋体３９の内面において、直下の金属膜３８と重なる位置をよけて、圧電振動片３２のより基部５１よりの位置に対応する箇所に、ゲッタリング効果を有する部材４４ｂを設けている。具体的には、図３で示す金属膜３８が設けられた領域Ａ１と長溝５６，５７が設けられた領域Ａ２との間の領域Ａ３に対向するように、図７に示すように、蓋体３９にゲッタリング効果を有する部材４４ｂを形成している。

本発明の実施形態の第１の変形例のさらなる変形例は以上のように構成されており、蓋体３９の内側であって、圧電振動片３２の自由端部３２ａ以外の領域に対応するように設けられたゲッタリング効果を有する部材４４ｂは、蓋体３９の外側からレーザー光ＬＢ２を照射される位置に形成されている。このため、レーザー光ＬＢ２の照射により、蓋体３９内側のゲッタリング効果を有する部材４４ｂを飛散させ、その飛沫を圧電振動片３２の領域Ａ３の表面に付着させることができる。したがって、圧電振動片３２の質量を増加させて周波数調整を行うことができ、周波数の低い方への調整が可能となる。

本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、パッケージ内に圧電振動片を収容するものであれば、水晶振動子、水晶発振器、水晶フィルタ、ＳＡＷデバイス、ジャイロ、角度センサ等の名称にかかわらず、全ての圧電振動片とこれを利用した圧電デバイスに適用することができる。
また、上述の実施形態では、パッケージにセラミックを使用した箱状のものを利用しているが、このような形態に限らず、異なる形状のパッケージすなわち収容容器に圧電振動片を収容するものについても本発明を適用することができる。

本発明の実施形態に係る圧電デバイスの概略分解斜視図。 図１のＡ−Ａ線概略断面図。 図１の圧電デバイスに用いられる圧電振動片の概略斜視図。 図１の圧電デバイスの製造方法の実施形態を示すフローチャート。 本発明の実施形態に係る圧電デバイスのその他の例であって、図２に対応した概略断面図。 本発明の実施形態の第１の変形例に係る圧電デバイスであって、図２を変形した概略断面図。 本発明の実施形態の第１の変形例のさらなる変形例に係る圧電デバイスであって、図６を変形した概略断面図。 従来の圧電デバイスの概略縦断面図。

符号の説明

２０，２２，２４・・・圧電デバイス、３２・・・圧電振動片、３６・・・パッケージ、３９・・・蓋体、４０・・・パッケージを封止するための構成部材、４４・・・ゲッタリング効果を有する部材、４６・・・ロウ材

Claims (7)

1. パッケージの内側に圧電振動片を収容して、蓋体により前記パッケージを気密に封止した圧電デバイスであって、
   前記蓋体で前記パッケージを封止するための構成部材に、ゲッタリング効果を有する部材が用いられている
   ことを特徴とする圧電デバイス。
2. 前記ゲッタリング効果を有する部材は、前記パッケージと前記蓋体とをロウ付けするロウ材を前記パッケージ及び／又は前記蓋体に被着するための下地であって、前記ロウ材を溶融する熱によって活性化するようにした
   ことを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記ゲッタリング効果を有する部材は、前記ロウ材を前記蓋体側に被着するための下地としてＴｉが用いられている
   ことを特徴とする請求項２に記載の圧電デバイス。
4. 前記ロウ材にはＡｕ−Ｇｅ合金が用いられていることを特徴とする請求項３に記載の圧電デバイス。
5. 前記蓋体側の下地としてのＴｉと、前記ロウ材であるＡｕ−Ｇｅ合金との間に、Ａｕ層が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の圧電デバイス。
6. 前記ゲッタリング効果を有する部材は、前記ロウ材と前記蓋体との間とは別に、前記蓋体の内側であって、前記圧電振動片の自由端部以外の領域に対応するように設けられていることを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の圧電デバイス。
7. 前記蓋体はガラスから形成されており、
   前記蓋体の内側であって、前記圧電振動片の自由端部以外の領域に対応するように設けられた前記ゲッタリング効果を有する部材は、前記蓋体の外側からレーザー光を照射される位置に形成されている
   ことを特徴とする請求項６に記載の圧電デバイス。

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