JP2007280588A - 追記型２層構成光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易で単純な層構成を有し、高密度記録において記録再生波長に対する大きな屈折率と小さい吸収係数を実現可能で、高反射率、高感度の追記型２層構成光記録媒体の提供。
【解決手段】レーザ光入射側から、少なくとも、第一情報層、中間層、第二情報層をこの順に有し、第一情報層は、レーザ光照射側から順に、少なくとも、Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）、誘電体層、反射層、熱拡散層が積層形成され、第二情報層は、レーザ光照射側から順に、少なくとも、Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）、誘電体層、反射層が積層形成されており、前記熱拡散層が、比抵抗１×１０^−１Ωｃｍ以下の電気伝導性を有する酸化物を含有することを特徴とする追記型２層構成光記録媒体。
【選択図】図６

Description

本発明は、青色レーザ光波長領域でも高密度の記録が可能な追記型（ＷＯＲＭ：Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ Ｒｅａｄ Ｍａｎｙ）光記録媒体に係り、特に、少なくとも第一情報層、中間層及び第二情報層を有する追記型２層構成光記録媒体に関するものである。

レーザ光ビームの照射により記録可能な光記録媒体としてＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型光記録媒体がある。これらの光記録媒体はＣＤ−ＲＯＭ又はＤＶＤ−ＲＯＭと再生互換性があり、小規模の配布媒体や保存用の媒体として使用されている。しかし、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒは現在有機色素を用いた媒体が主流であり、低コストで大量生産が行われている。追記型光記録媒体を無機記録層で実現する場合、層数が多くなるとコストが上昇し商品としてのメリットが無くなるため、できるだけ層数の少ない追記型光記録媒体が提案されてきた。追記型光記録媒体には穴あけタイプ、相変化タイプ、合金化タイプなどがあり、コストの面からは穴あけ記録方式が有望であるが、穴あけ記録ではＣ／Ｎが低くなってしまうという問題があった。これは穴を開けたピット部分において溶融した膜がピット内に水玉のようになって残ったり、周辺部に盛り上がったりすることが原因であった。また、穴あけ記録方式では層構成は１層となるため、通常使用されてきた記録膜ではＲＯＭの高い反射率に対応できず規格外製品となってしまっていた。
穴あけ記録材料としてＴｅとＡｕ又はＡｇの化合物があるが（特許文献１〜２など）、これらの材料の沸点は１０００℃以上であり、非常に感度が低い光記録媒体であった。
融点まで温度を上昇させればよい相変化タイプに比べ、穴あけ記録方式では記録のために沸点以上まで温度を上げる大きな熱量を必要としている。そのため、相変化タイプに比べて大きなレーザパワーを必要とし、高線速記録となると半導体レーザのパワーが足りなくなる。従って、より高感度な記録膜が要求されている。

特許文献３には、４００℃以下の温度で揮発性成分を遊離する第一の層の上に耐腐食性金属層を形成し、記録感度を高める試みをした発明が開示されているが、反射率を高めることは目的とされておらず、ＲＯＭ互換とはなり得ない。また、耐腐食性金属をＡｕ、Ａｇなどとしているが、これらは熱伝導率が極めて高く、加熱したエネルギーが拡散により逃げるため、結果的に効果は低く、高線速記録には不適当であった。
また、合金化方式としては、特許文献４に、Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎの何れかの元素からなる層と、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕの何れかの元素からなる層にレーザ光を照射し、この二層を合金化させて記録する方法が提案されているが、ｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈ記録となり、ＲＯＭ互換とはなり得なかった。
また、ＩｎとＴｅの合金で相変化タイプの記録層を成膜する発明として特許文献５があり、Ｉｎ：Ｔｅ＝２：１〜１：１又は２：３〜２：５とすることにより、相変化タイプの光記録媒体を提供することを目的としているが、この発明では成膜時の状態が非晶質であり反射率が低いため初期化処理が必要である。そのため工程が増えコストの増大を招いていた。

また、特許文献６には、Ａｇ−Ｚｎからなる第一の層（相変化合金薄膜）と、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓから選ばれる一種類を主成分とする第二の層（低融点薄膜）を設け、二つの層の拡散により記録を行なう発明が開示されているが、反射率を高めるために第一の層を３００〜７００Å、第二の層を５００〜１５００Åと厚くしており、生産時のタクト及びコストに不利となっていた。また、膜厚を厚くすることにより反射率を大きく上げているが、本発明者らの調査では、反射率が高く吸収率が小さすぎるため熱吸収が記録膜上で殆ど起こらず、感度が非常に悪いということが分かった。このためＤＶＤなどの速い線速を求められる媒体には使用できない。また、ＡｇとＴｅ、Ｓｅなどは非常に反応性が高く、読み取りレーザ光を照射するだけで、又は媒体を放置するだけで、二つの層の反応が起こり反射率が低下した。
また、特許文献７には、第１層が主にＩｎからなる薄膜、第２層が周期表の５Ｂ、６Ｂ族元素を含む薄膜からなり、２層間の反応又は合金化による反射率変化を伴う媒体が開示されているが、この媒体も特許文献６の発明と同様に、ＩｎとＴｅなどの反応性が高いため非常に不安定であった。
上記した諸々の問題が、層数の少ない無機材料からなる記録層を有する追記型光記録媒体の普及に大きな障害となっていた。

また、以前に本発明者らは青色領域のレーザ光による追記型光記録媒体に関する先願として特願２００４−３６３０１０を出願した。その内容について簡潔に述べると以下のようになる。
即ち、先願の追記型光記録媒体では、従来、光吸収機能による熱発生層であり且つ分解・変質に起因した屈折率（複素屈折率の実部）変化による記録層として機能していた有機材料薄膜の代りに、無機層である主に酸化ビスマスからなる記録層（Ｒｅ層）を設けた点に特徴がある。先願において、その媒体層構成が重要であることが記載されており、それを最適化することにより大きな有用性を見出した。本発明者らは主に酸化ビスマスからなる記録層を青色レーザ対応の追記型光記録媒体に適用し、非常に優れた記録再生特性が得られることを確認している。

最近では、書き換え可能な追記型光記録媒体の記録容量を増大する観点から、片面２層構成の提案がなされている（例えば、特許文献８〜９、非特許文献１等参照）。
本発明者らが開発を行っているＲｅ層を有する追記型光記録媒体はＢｉの結晶化を主体とした記録原理を有するが、高感度で反射率が適切な媒体を得るためには、その媒体設計が非常に重要となる。
しかしながら、前記先願のＲｅ層のＢｉは結晶化速度が速いため、マークを横方向に広げないためにも速やかに隣接する反射層などに熱を逃がしてやる必要がある。即ち、急冷構造を取ることが必要な材料であり、記録層片面２層型のような反射層の薄い構造では、微小なマーク形成が困難になるという問題がある。

比較的熱伝導率が高く光吸収率の小さい窒化物又は炭化物などを用いて、反射層が担っていた熱拡散機能を補助する層（熱拡散層）を反射層の上に更に設けて急冷構造に近づけるやり方が、単層相変化型情報記録媒体（特許文献１０）、及び２層相変化型情報記録媒体（特許文献１１）などで提案されている。この方法は第一情報層を構成する反射層を薄くした場合に発生する前述のような欠点を解消するのに有効な方法であると考えられる。
しかしながら、これら窒化物又は炭化物などの材料は、応力が大きいために形成された熱拡散層にクラックを生じやすく、その結果、熱拡散層を設けた光ディスクについて、充分なオーバーライト特性が得られないという問題がある。また、炭化物材料は、とりわけ短波長側での吸収が大きく、青紫色レーザを用いるＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｋシステムのような次世代のシステムでは、第一情報層の光透過率を大きくすることが出来ないと言う問題が生じる。

特開昭６０−１７９９５２号公報 特開昭６０−１７９９５３号公報 特開昭５７−１５７７９０号公報 特開平４−２２６７８４号公報 特開平１−１６２２４７号公報 特許第２９４８８９９号公報 特開平１１−３４５０１号公報 特開２００３−２００６６３号公報 特開２００３−２０３３８３号公報 特開平８−５０７３９号公報 特開２０００−２２２７７７号公報 Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍｏｒｙ ２００３（ＩＳＯＭ ２００３）予稿集ｐ．７４

本発明は、上述したような従来の問題に鑑み、簡易で単純な層構成を有し、高密度記録において記録再生波長に対する大きな屈折率と小さい吸収係数を実現可能で、高反射率、高感度の追記型２層構成光記録媒体の提供を目的とする。

上記課題は、次の１）〜１５）の発明（以下、本発明１〜１５という）によって解決される。
１） レーザ光入射側から、少なくとも第一情報層、中間層、第二情報層をこの順に有し、第一情報層は、レーザ光照射側から順に、少なくとも、Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）、誘電体層、反射層、熱拡散層が積層形成されており、第二情報層は、レーザ光照射側から順に、少なくとも、Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）、誘電体層、反射層が積層形成されており、前記熱拡散層が、比抵抗１×１０^−１Ωｃｍ以下の電気伝導性を有する酸化物を含有することを特徴とする追記型２層構成光記録媒体。
２） 電気伝導性を有する酸化物が、ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）又はＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）の何れかであることを特徴とする１）記載の追記型２層構成光記録媒体。
３） 第一情報層の反射層の膜厚Ｔ１と熱拡散層の膜厚Ｔ２が、Ｔ２／Ｔ１＝２〜８の範囲にあることを特徴とする１）又は２）記載の追記型２層構成光記録媒体。
４） 熱拡散層の膜厚が３０〜９０ｎｍであることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
５） 第一情報層の誘電体層の膜厚ｔ１と第二情報層の誘電体層の膜厚ｔ２が、ｔ２／ｔ１＝０．７〜１．５の範囲にあることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
６） 第一情報層の誘電体層の膜厚ｔ１と第二情報層の誘電体層の膜厚ｔ２が、ｔ２／ｔ１＝４．５〜６．０の範囲にあることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
７） 第一情報層のＲｅ層の膜厚が５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍであり、第二情報層のＲｅ層の膜厚が５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍであることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
８） 第一情報層のＲｅ層の膜厚が５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍであり、第二情報層のＲｅ層の膜厚が５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚が９０〜１２０ｎｍであることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
９） 第一情報層のＲｅ層よりも手前に、典型元素を含む化合物を主成分とする層（典型元素を含む化合物層）が積層形成されていることを特徴とする１）〜８）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
１０） 典型元素を含む化合物層の膜厚が７０ｎｍ以下であることを特徴とする９）記載の追記型２層構成光記録媒体。
１１） Ｒｅ層が、Ｂｉ酸化物を主成分とするものであることを特徴とする１）〜１０）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
１２） Ｒｅ層が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｂ及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有することを特徴とする１）〜１１）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
１３） 誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ_２を主成分として含むことを特徴とする１）〜１２）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
１４） ＺｎＳとＳｉＯ_２の配合割合が、７０：３０〜９０：１０（モル％）の範囲にあることを特徴とする１３）記載の追記型２層構成光記録媒体。
１５） 典型元素を含む化合物層の典型元素がＺｎ、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｎの中から選ばれる１種以上の元素であることを特徴とする１）〜１４）の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。

以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明の追記型２層構成光記録媒体は、基本的な層構成として、レーザ光照射側から、少なくとも、Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）、誘電体層、反射層が、順次積層形成されている。
ここで、Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）とは、Ｒｅ層の組成においてＢｉが必須成分であると共に、酸素を除いた構成元素全体のうち、Ｂｉが３０原子％以上を占めることを意味する。例えばＲｅ層がＢｉ、Ｆｅ、Ｏ（酸素）からなる場合、ＢｉとＦｅの合計量のうち、Ｂｉが３０原子％以上を占めることを意味する。

Ｒｅ層は本発明の光記録媒体において、主たる光吸収機能を担う層である。
Ｒｅ層は、正常分散を示す材料よりなるものであり、有機材料のようにある波長範囲内に大きな吸収帯を有する材料でないため、複素屈折率の波長依存性が小さい。このため、レーザ光の個体差や、環境温度の変化等による記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等が大きく変化するという従来の問題を大幅に解消することができる。
従来公知の追記型光記録媒体においては、有機材料薄膜が記録層と光吸収層の機能を兼用しているため、記録再生波長に対して、大きな屈折率ｎと比較的小さな吸収係数ｋを有することが有機材料の必須条件とされ、そのため有機材料を分解させる温度まで到達させるには、比較的、膜厚を厚く形成する必要があった。また、相変化型の光記録媒体については、基板の溝深さを非常に深くする必要があった。

そして、本発明者らが鋭意検討した結果、本発明１のような層構成とし、熱拡散層に特定の化合物を用いることにより、ジッタ、ＰＲＳＮＲが向上することを見出した。
なお、ＰＲＳＮＲとは、「Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ」の略であり、再生信号のＳ／Ｎ及び実際の再生波形と理論的なＰＲ波形線形成を同時に表現できる指標で、ディスクのビット誤り率の推定を行うために必要な指標の一つである。再生波形から得られる振幅情報を特殊処理して目標とする信号を作り出し、実際の再生信号との差をＰＲＳＮＲとして規格化している。このＰＲＳＮＲという値は、大きいほど良好な信号特性を示しており、一般にエラー率を実用的な範囲に留めるためには１５以上の値を必要とするとされる。

本発明では、Ｒｅ層を用いた媒体を記録層片面２層型にするため、第一情報層の反射層の膜厚を、十分に光が透過するまで薄くしなければならない。一方、前述したようにＢｉは結晶化速度が速いため、マークを横方向に広げないためにも速やかに隣接する反射層などに熱を逃がしてやる必要がある。即ち、急冷構造を取ることが必要な材料であり、反射層の薄い構造では微小なマーク形成が困難になるという問題がある。
そこで、本発明１のように、比抵抗が１×１０^−１Ωｃｍ以下の電気伝導性を有する酸化物を含有する材料を用いた熱拡散層を設けることにより、反射層の薄い構造においても急冷構造を確保でき、微小なマークを形成させることが出来るようになり、ＰＲＳＮＲの大幅な改善が可能となる。
また、第二情報層が記録再生できるように、用いるレーザ光波長での吸収率が小さいことも望まれる。情報の記録再生に用いるレーザ光の波長において、消衰係数は０．５以下が望ましく、０．３以下がより好ましい。消衰係数が０．５よりも大きいと第一情報層での吸収率が増大し、第二情報層の記録再生が困難になる。
これらの特性を満足する材料で、かつ電気伝導性を示す酸化物としては、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＣｄＯ、ＴｉＯ、ＣｄＩｎ_２Ｏ_４、Ｃｄ_２ＳｎＯ_２、Ｚｎ_２ＳｎＯなどが挙げられるが、中でもＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）、ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）が高熱伝導性であり、熱拡散層材料として好ましい（本発明２）。
これらの酸化物は、単体で用いても良いし、混合して用いることも出来る。

追記型２層構成光記録媒体においては、第一情報層に記録できる特性を保持しながら、第二情報層に記録再生できるだけの光を適量透過させる能力を有する必要があるので、反射層の膜厚と熱拡散層の膜厚とのバランスが非常に重要であり、本発明者らは第一情報層の反射層の膜厚Ｔ１と熱拡散層の膜厚Ｔ２の比を、Ｔ２／Ｔ１＝２〜８の範囲とすることにより、第一情報層と第二情報層の記録再生特性のバランスを取り、両情報層において良好な信号特性と感度を実現できることを見出した（本発明３）。Ｔ２／Ｔ１の値が２よりも小さいと、第一情報層の反射率が上昇しすぎて第二情報層へ到達する光が少なくなり、第二情報層の感度、ＰＲＳＮＲ値の悪化を招く。また、Ｔ２／Ｔ１が８よりも大きいと、第一情報層の透過率が高くなりすぎて第一情報層の感度、ＰＲＳＮＲの悪化を招く。

また、熱拡散層の膜厚を３０〜９０ｎｍとすることにより、反射層の薄い構造においても急冷構造を確保することができ、微小なマークを形成させることが出来るようになり、ＰＲＳＮＲの大幅な改善が可能となる（本発明４）。
前述のようなＢｉの性質から急冷構造が重要であるが、熱拡散層の膜厚が３０ｎｍよりも薄いと、反射層の薄い構造では微小なマーク形成が困難となり、信号特性が急激に悪化する。また、９０ｎｍよりも厚いと、熱の拡散が多すぎる現象が生じて第一情報層の感度が悪化する。

また、本発明５のように、第一情報層の誘電体層の膜厚ｔ１と第二情報層の誘電体層の膜厚ｔ２が、ｔ２／ｔ１＝０．７〜１．５の範囲にあるようにするか、或いは、本発明６のように、ｔ２／ｔ１＝４．５〜６．０の範囲にあるようにすれば、第一情報層の透過率と第二情報層の反射率とのバランスが最適となり、両情報層において良好な記録特性（ＰＲＳＮＲ、反射率、感度）が得られる。
０．７未満では、第一情報層の反射率が高くなり透過率が低くなるなどのため、第二情報層の感度が非常に悪くなる。１．５よりも大きく４．５未満の範囲では、第二情報層の反射率が大幅に上昇し、やはり第二情報層の感度を著しく悪化させ、ＰＲＳＮＲも悪化する。６．０を超えると、第二情報層の誘電体層が厚くなりすぎて膜成形時に熱により基板や溝の変形が起こる他、第二情報層の反射率を上昇させ感度を著しく悪化させる原因ともなる。
即ち、本発明５〜６によれば、第一情報層と第二情報層の誘電体層の膜厚比を最適化することにより、両情報層において、高いＰＲＳＮＲ、高反射率、高感度の特性を比較的簡素な層構成で実現できる。

また、本発明７又は本発明８のように各層の膜厚を選択すれば、第一情報層の透過率と第二情報層の反射率とのバランスが最適となり、両情報層において良好な記録特性（ＰＲＳＮＲ、反射率、感度）が得られる。
第一情報層の各膜厚が限定範囲を外れると、第一情報層の透過率が低下し、第二情報層の感度が著しく悪化し、ＰＲＳＮＲも悪化する。第二情報層の各膜厚が限定範囲を外れると、第二情報層の反射率が著しく上昇し、第二情報層の感度とＰＲＳＮＲが悪化する。
即ち、本発明７〜８によれば、第一情報層及び第二情報層の各層の膜厚を最適化することにより、両情報層において、高いＰＲＳＮＲ、高反射率、高感度の特性を比較的簡素な層構成で実現できる。

また、本発明９のように、第一情報層の（レーザ光入射側からみて）Ｒｅ層よりも手前に、典型元素を含む化合物を主成分とする層（典型元素を含む化合物層）を積層形成することが好ましい。通常、基板は水分や酸素を含み、また透過しやすいので、記録層などが接している場合、これを酸化して特性を悪化させるが、典型元素を含む化合物層を設けると、透過する酸素や水分を遮断し保存特性を向上させる効果が得られる。但し、典型元素を含む化合物層が無くても記録特性は殆ど変わらず、通常の仕様において、光記録媒体の信頼性に問題は無い。
典型元素を含む化合物層に用いられる化合物の例としては、アルミ酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３等）、ＺｎＳＳｉＯ_２、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などが挙げられる。
また、主成分とは、材料全体の３０モル％以上を占めることを意味するが、通常は上記化合物のみを用いる。
典型元素を含む化合物層の膜厚は、本発明１０のように７０ｎｍ以下とすることが好ましい。膜厚が７０ｎｍを超えると、製膜に時間がかかりタクトが長くなったり、製膜の熱によって基板や溝が変形するなどの弊害をもたらす上に、記録特性が著しく劣化する。また、膜厚が薄すぎると酸素や水分の透過を完全に防ぐことができなくなるため、２０ｎｍ程度以上であることが望ましい。

本発明１１では、Ｒｅ層としてＢｉ酸化物を主成分とする層を用いる。ここで、主成分とは、Ｒｅ層中のＢｉの量が前述した条件を満足するように用いることを意味する。
Ｂｉ酸化物をＲｅ層の材料として用いることにより、極めて良好なＰＲＳＮＲを得ることができ、かつ反射率の向上を図ることができる。
このような層は、Ｒｅ層を製膜する際のターゲットをＢｉ酸化物又はＢｉ合金酸化物とするか、Ｂｉ又はＢｉ合金をアルゴンと酸素の混合雰囲気中でスパッタする等の手段を用いることにより製膜できる。

本発明１２では、Ｒｅ層が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｂ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有する。元素Ｍの添加量は、３０〜４０重量％程度の範囲で、最も特性がよい量を選択する。
元素Ｍを含有させることにより青色波長の光に対して良好な記録を行うことができる。未記録状態の結晶構造と記録マークの結晶構造が異なるようにすることにより変調度を得ることは、従来から相変化記録などで行われていたが、本発明では、２種類以上の酸化物の結晶が混在する状態で記録マークを形成することにより、記録マークと未記録部の屈折率差などがより大きくなり、大きな変調度が得られる。更に、それぞれの酸化物の結晶だけでなく単体元素の結晶を存在させることで、より大きな効果が得られる。また、異なる元素又は結晶構造の結晶が混在することで、結晶の成長を抑えることができる。即ち、二つ以上の異なる元素及び／又は結晶構造の結晶からなる記録マークは、大きく成長して広がってしまうことが抑制され、小さい記録マークを形成することができる。

誘電体層の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には、透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
好ましい材料としては、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴａＳ_２及び希土類硫化物から選択される少なくとも１種を５０〜９０モル％含み、かつ、融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱性化合物とを含む複合誘電体が挙げられる。
融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱化合物としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、窒化物、又は炭化物、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。中でも、ＺｎＳとＳｉＯ_２を主成分として含む材料が好ましい（本発明１３）。ここで主成分とは材料全体の５０モル％以上を占めることを意味するが、通常はＺｎＳとＳｉＯ_２のみを用いる。更に、ＺｎＳとＳｉＯ_２の配合割合は、７０：３０〜９０：１０（モル％）の範囲が好ましい（本発明１４）。この範囲であれば、更に良好なＰＲＳＮＲを得ることができ、かつ反射率の向上を図ることができる。上記範囲を外れると、その光学特性ｎ、ｋ値に関し、光記録媒体の構成層の各膜厚とその組み合わせにずれが生じ、両情報層において良好な特性を得にくくなる。
なお、上記酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも可能である。

また、本発明１５のように、典型元素を含む化合物層の典型元素としては、Ｚｎ、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｎの中から選ばれる一種以上の元素が好ましい。これらの典型元素を含む化合物層をＲｅ層と基板との間に設けることにより、耐環境試験特性における安定性が大きく向上する。しかも、本典型元素を含む化合物層を用いても、反射率を低下させるなどの悪影響を及ぼさないことも特徴の一つである。
上記典型元素を含む化合物としては、ＺｎＳ、ＺｎＳＳｉＯ_２、ＩｎＯ_２、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮなどが挙げられる。

中間層は記録再生のために照射する光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては、樹脂が成形性、コストの点で好適であり、紫外線硬化樹脂、遅効性樹脂、熱可逆性樹脂などを用いることができる。また、光ディスク貼り合わせ用の両面テープ（例えば日東電工製の粘着シートＤＡ−８３２１）なども用いることができる。
中間層は、記録再生を行う際に、ピックアップが第一情報層と第二情報層とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０〜７０μｍが好ましい。
本発明の光記録媒体は、請求項で限定した層以外に従来公知の種々の層を組み合わせて形成してもよい。

基板の材料としては、熱的、機械的に優れた特性を有し、基板側から（基板を通して）記録再生が行われる場合には光透過特性にも優れたものであれば、特に限定されるものではない。
材料の例としては、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶質ポリオレフィン、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート等が挙げられるが、ポリカーボネートや非晶質ポリオレフィンが好適である。
基板の膜厚は、用途により適宜設定することができ、特に限定されない。

反射層の材料は、再生光の波長で反射率の充分高いものが好ましい。
例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属を単独で、又は合金として用いることができる。特にＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く、反射層の材料として好適である。
また、上記金属を主成分として他の元素を含んでいても良く、他の元素としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属を挙げることができる。中でもＡｇを主成分とするものは、コストが安く高反射率が得やすいので特に好適である。
また、金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
反射層の膜厚は、第一情報層では１０〜２５ｎｍ、第二情報層では５０〜２００ｎｍが好適である。

反射層にＡｇ等を用いた場合、ＺｎＳＳｉＯ_２層を隣接させて積層するとＺｎＳＳｉＯ_２中のＳがＡｇと徐々に混合し、特性の悪化や反射率の現象などを招く可能性が有る。よって、適宜反射層とＺｎＳＳｉＯ_２層との間に硫化防止層と呼ばれる層を更に設置することもある。その材質としては、例えばＳｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３などの酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの窒化物、ＳｉＣなどの炭化物が挙げられる。一般によく用いられている材料はＳｉＣであり、好適な材料なので、必要に応じて本発明に用いることができる。

また、基板の上や反射層の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために公知の無機系又は有機系の上引層、下引層あるいは接着層を設けてもよい。
反射層上や、その他の構成層間に適宜保護層を設けてもよい。保護層の材料としては、外力から保護する機能を有するものであれば、従来公知の材料を何れも適用できる。
有機材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等が挙げられる。また、無機材料としては、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｎＯ_２等が挙げられる。
保護層の形成方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法等が用いられるが、特にスピンコート法が好ましい。
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂からなる保護層は、樹脂を適当な溶剤に溶解した塗布液を塗布し乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂からなる保護層は、樹脂をそのまま又は適当な溶剤に溶解した塗布液を塗布し、紫外線光を照射して硬化させることによって形成できる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を適用できる。
これらの材料は単独で用いても混合して用いても良いし、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
保護層の膜厚は、一般に０．１〜１００μｍの範囲とするが、特に３〜３０μｍが好ましい。

また、本発明の光記録媒体は、基板側から光を照射して記録再生する構成に限定されるものではなく、構成層上にカバー層を設け、このカバー層側から光を照射して記録再生するようにしてもよい。
カバー層は、高密度化を図るため高ＮＡのレンズを用いる場合に必要となる。例えば高ＮＡ化すると、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要がある。これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。従って、基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにしている。

そこで、例えば基板上に凹凸を形成して記録層とし、その上に反射層を設け、更にその上に光を透過する薄膜である光透過性のカバー層を設けるようにし、カバー層側から再生光を照射して記録層の情報を再生するような光記録媒体や、基板上に反射層を設け、その上に記録層を設け、更にこの上に光透過性を有するカバー層を設けるようにし、カバー層側から再生光を照射して記録層の情報を再生するような光記録媒体が提案されている。この場合、層構成の順序はレーザ光の入射するカバー層からとなるので注意が必要である。
このようにすれば、カバー層を薄型化していくことで対物レンズの高ＮＡ化に対応可能である。つまり、薄いカバー層を設け、このカバー層側から記録再生することで、更なる高記録密度化を図ることができる。
なお、このようなカバー層は、ポリカーボネートシートや、紫外線硬化型樹脂により形成されるのが一般的である。また、本発明で言うカバー層には、カバー層を接着するための層を含めてもよい。
本発明の光記録媒体に使用されるレーザ光は、高密度記録のため波長が短いほど好ましいが、特に３５０〜５３０ｎｍのレーザ光が好ましく、その代表例としては、中心波長４０５ｎｍのレーザ光が挙げられる。

本発明によれば、Ｒｅ層を記録層とする追記型２層構成光記録媒体において、本発明の熱拡散層を用いることにより第一情報層の記録特性を改善できる。その結果、簡易で単純な層構成を有し、高密度記録において記録再生波長に対する大きな屈折率と小さい吸収係数を実現可能で、高反射率、高感度な追記型２層構成光記録媒体を提供できる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。

（実施例１）
＜追記型２層構成光記録媒体の作製＞
表面にトラックピッチ０．４３μｍ、溝深さ２１ｎｍの案内溝を有する半径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第一基板と第二基板を用意した。
次に、Ｂａｌｚｅｒｓ社製の枚葉スパッタ装置を用いて、第一基板上に、Ａｌ_２Ｏ_３からなる膜厚２０ｎｍの典型元素を含む化合物層、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる膜厚２０ｎｍのＲｅ層、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚２０ｎｍの誘電体層、Ａｇからなる膜厚１５ｎｍの反射層、ＩＺＯからなる膜厚５０ｎｍの熱拡散層を順次製膜することにより、第一情報層を作製した。
同様にして、第二基板上に、Ａｇからなる膜厚１００ｎｍの反射層、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚２０ｎｍの誘電体層、Ｂｉ_２Ｏ_３からなる膜厚２０ｎｍのＲｅ層を順次製膜することにより、第二情報層を作製した。
次に、第一情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂（日本化薬株式会社 ＤＶＤ００３）を含む塗布液をスピンコートにより塗布し、同様にして第二基板上に紫外線硬化樹脂を塗布した後、減圧雰囲気下で貼り合わせた。その後、第一基板側から紫外線光を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させて厚さ３０μｍの中間層を形成した。
以上のようにして、第一基板、第一情報層、中間層、第二情報層、第二基板がこの順に積層された追記型２層構成光記録媒体を作製した。（図６参照）
本実施例では更に、ＩＺＯにＳｉＯ_２を混合させて電気伝導度を変化させ、その比抵抗を測定した。そして、これらの材料を熱拡散層に用いた上記層構成の追記型２層構成光記録媒体を作製し、これらのＰＲＳＮＲを測定して、熱拡散層の比抵抗とＰＲＳＮＲとの関係を求めた。ＰＲＳＮＲは、パルステック社製ＯＤＵ−１０００を評価機として用い、レーザ波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６、クロック周波数６４．８ＭＨｚで、６．６１ｍ／ｓの線速度で基板を回転させ、ランダムパターンを書き込んで評価した。
結果を図１に示すが、この図から分かるように比抵抗が１×１０^−１Ωｃｍを超えると、即ち、電気伝導性が悪くなると、急激に第一情報層の信号特性が悪化した。これは前述のように薄い反射層を用いていることが原因となり、熱が充分に拡散せず微小なピットが形成しにくくなっているためと推測される。なお、これらの評価ではＰＲＳＮＲ１５未満を規格外の値とした（ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格は１５以上）。
また、ＩＺＯに代えてＩＴＯを用いても、本実施例と同様の結果が得られた。

（実施例２）
第一情報層のＡｇ反射層の膜厚Ｔ１と熱拡散層ＩＺＯの膜厚Ｔ２を振ってＴ２／Ｔ１の割合を様々に変化させた点以外は、実施例１と同様にして追記型２層構成光記録媒体を作製し、ＰＲＳＮＲを測定した。具体的には、第一情報層のＡｇ反射層の膜厚を１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍと変化させ、それぞれについてＴ２を振ってＴ２／Ｔ１を求めた。
結果を図２に示すが、この図から分るように、Ｔ２／Ｔ１が２よりも小さいと第二情報層のＰＲＳＮＲが急激に悪化し、Ｔ２／Ｔ１が８よりも大きいと第一情報層のＰＲＳＮＲが急激に悪化した。

（実施例３）
熱拡散層の膜厚を振った点以外は、実施例１と同様にして追記型２層構成光記録媒体を作製し、ＰＲＳＮＲを測定した。
結果を図３に示すが、この図から分かるように、熱拡散層の膜厚が３０ｎｍよりも薄くなると第一情報層のＰＲＳＮＲが急激に悪化し、９０ｎｍよりも厚くなると第二情報層のＰＲＳＮＲが悪化した。

（実施例４）
第一情報層の誘電体層の膜厚ｔ１と第二情報層の誘電体層の膜厚ｔ２をそれぞれ振った点以外は、実施例１と同様にして追記型２層構成光記録媒体を作製し、ＰＲＳＮＲ及び感度を測定した。結果を図４、図５に示す。感度は、パルステック社製ＯＤＵ−１０００を評価機として用い、消去パワーを３ｍＷに固定し、記録パワーをそれぞれ振って、最も良好なＰＲＳＮＲ値を示す記録パワーを最適パワーとして図５の縦軸に示した。なお、これらの評価ではＰＲＳＮＲが１５未満、感度Ｐｗ（ｍＷ）が１３ｍＷを超える場合を規格外とした。
図４、図５から分かるように、ｔ２／ｔ１＝０．７〜１．５又は４．５〜６．０の範囲において、第一情報層と第二情報層の両層で良好なＰＲＳＮＲと感度を示した。しかし、これらの範囲を外れると、特に第二情報層の感度が悪くなり、ＰＲＳＮＲ値も悪化した。これは主にＺｎＳＳｉＯ_２のｎ、ｋと、その膜厚との関係から、反射率が高くなり過ぎて記録できる最適値から逸脱することに起因する。

（実施例５）
第一情報層の典型元素を含む化合物層の膜厚を０〜７０ｎｍ、Ｒｅ層の膜厚を５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚を１０〜３０ｎｍとし、第二情報層の前記Ｒｅ層の膜厚を５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚を１０〜３０ｎｍ又は９０〜１２０ｎｍとした点以外は、実施例１と同様にして追記型２層構成光記録媒体を作製した。
これらの媒体は、ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格１５以上を満たすＰＲＳＮＲ２０〜３０という値を示し、反射率についてもＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格４．５％以上を満たす５〜７％という良好な値を示した。また、感度も９〜１１ｍＷでの書き込みができるなど、良好な特性を示した。
なお、反射率が上昇すれば感度が悪化し、記録の際にはより大きなパワーを導入する必要があるが、大きなパワーで記録を行うと隣接マーク又は隣接トラックへ大きな影響を及ぼすことになる。これに起因してＰＲＳＮＲが劣化するものと考えられる。

（実施例６）
Ｒｅ層のＢｉ_２Ｏ_３に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｂ及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有させた点以外は、実施例１と同様にして追記型２層構成光記録媒体を作製し、実施例１と同様にして評価した。
その結果、これらの元素を添加することにより更にＰＲＳＮＲ及び感度を改善できることが分った。

（実施例７）
第一情報層及び第二情報層のＺｎＳＳｉＯ_２層におけるＺｎＳとＳｉＯ_２の割合を、７０：３０〜９０：１０の範囲で変えた点以外は、実施例１と同様にして追記型２層構成光記録媒体を作製した。
これらの組成範囲では、ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格１５以上を満たす良好なＰＲＳＮＲを得ることができ、かつ第一情報層及び第二情報層が両層ともＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格４．５％以上を満たす適正な反射率を示し、良好な感度を示した。
上記組成比の範囲を外れると、その光学特性ｎ、ｋ値に関し、光記録媒体の構成層の各膜厚とその組み合わせにずれが生じてしまい、両情報層において良好な特性が得られなくなってしまうことが確かめられた。

（実施例８〜１０）
第一情報層の典型元素を含む化合物層の材料を、実施例８；ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）、実施例９；ＩｎＯ_２、実施例１０；ＳｎＯ_２に変え、膜厚を６０ｎｍとした点以外は、実施例１と同様にして追記型２層構成光記録媒体を作製した。
これらの追記型２層構成光記録媒体について、実施例１と同様にしてＰＲＳＮＲを測定したところ、実施例８〜１０の何れについても、ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格１５以上を満たす良好なＰＲＳＮＲを得ることができた。また、第一情報層及び第二情報層が両層ともＨＤ ＤＶＤ−Ｒ規格４．５％以上を満たす適正な反射率を示し、良好な感度を示した。
但し、上記典型元素を含む化合物層を用いても、膜厚が７０ｎｍを超えると、その光学特性ｎ、ｋ値に関し、光記録媒体の構成層の各膜厚とその組み合わせにずれが生じてしまい、両情報層において良好な特性が得られなくなってしまうことが確かめられた。

（実施例１１）
Ｂｉ_２Ｏ_３膜に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｂ、及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有させた点以外は、実施例１と同様にして追記型２層構成光記録媒体を作製し、実施例１と同様にして評価した。
結果を表１に示すが、上記の種々の元素を添加することにより更にＰＲＳＮＲ及び感度を改善できることが分かる。

熱拡散層の比抵抗とＰＲＳＮＲの関係を示す図。 Ｔ２／Ｔ１とＰＲＳＮＲの関係を示す図。 熱拡散層の膜厚とＰＲＳＮＲの関係を示す図。 ｔ２／ｔ１とＰＲＳＮＲの関係を示す図。 ｔ２／ｔ１と感度の関係を示す図。 本発明の追記型２層構成光記録媒体の一例を示す概略断面図。

Claims (15)

1. レーザ光入射側から、少なくとも、第一情報層、中間層、第二情報層をこの順に有し、第一情報層は、レーザ光照射側から順に、少なくとも、Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）、誘電体層、反射層、熱拡散層が積層形成され、第二情報層は、レーザ光照射側から順に、少なくとも、Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）、誘電体層、反射層が積層形成されており、前記熱拡散層が、比抵抗１×１０^−１Ωｃｍ以下の電気伝導性を有する酸化物を含有することを特徴とする追記型２層構成光記録媒体。
2. 電気伝導性を有する酸化物が、ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）又はＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２）の何れかであることを特徴とする請求項１記載の追記型２層構成光記録媒体。
3. 第一情報層の反射層の膜厚Ｔ１と熱拡散層の膜厚Ｔ２が、Ｔ２／Ｔ１＝２〜８の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２記載の追記型２層構成光記録媒体。
4. 熱拡散層の膜厚が３０〜９０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
5. 第一情報層の誘電体層の膜厚ｔ１と第二情報層の誘電体層の膜厚ｔ２が、ｔ２／ｔ１＝０．７〜１．５の範囲にあることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
6. 第一情報層の誘電体層の膜厚ｔ１と第二情報層の誘電体層の膜厚ｔ２が、ｔ２／ｔ１＝４．５〜６．０の範囲にあることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
7. 第一情報層のＲｅ層の膜厚が５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍであり、第二情報層のＲｅ層の膜厚が５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
8. 第一情報層のＲｅ層の膜厚が５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚が１０〜３０ｎｍであり、第二情報層のＲｅ層の膜厚が５〜２５ｎｍ、誘電体層の膜厚が９０〜１２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
9. 第一情報層のＲｅ層よりも手前に、典型元素を含む化合物を主成分とする層（典型元素を含む化合物層）が積層形成されていることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
10. 典型元素を含む化合物層の膜厚が７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９記載の追記型２層構成光記録媒体。
11. Ｒｅ層が、Ｂｉ酸化物を主成分とするものであることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
12. Ｒｅ層が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｂ及びＮｂの中から選ばれる一種以上の元素Ｍを含有することを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
13. 誘電体層がＺｎＳとＳｉＯ_２を主成分として含むことを特徴とする請求項１〜１２の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。
14. ＺｎＳとＳｉＯ_２の配合割合が、７０：３０〜９０：１０（モル％）の範囲にあることを特徴とする請求項１３記載の追記型２層構成光記録媒体。
15. 典型元素を含む化合物層の典型元素がＺｎ、Ｉｎ、Ａｌ及びＳｎの中から選ばれる１種以上の元素であることを特徴とする請求項１〜１４の何れかに記載の追記型２層構成光記録媒体。