JP2007276109A - 走査プローブ顕微鏡チップの使用方法及び該使用方法を実施するための製品又は該使用方法によって製造される製品 - Google Patents
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Abstract
【課題】「つけペン」ナノリソグラフィ（ＤＰＮ）の方法、ＤＰＮによってパターニングされた基板、ＤＰＮを行うためのキット及び疎水性化合物で被覆されたＡＦＭチップを提供する。
【解決手段】疎水性化合物で被覆されたチップを備えた原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）。該原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）は、原子間力顕微鏡チップ（ＡＦＭ）から金基板（ＡＵ）へ分子を移動して金基板（ＡＵ）上にパターンを書き入れるための、つけペンナノリソグラフィ（ＤＰＮ）として作動する。
【選択図】図１
【解決手段】疎水性化合物で被覆されたチップを備えた原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）。該原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）は、原子間力顕微鏡チップ（ＡＦＭ）から金基板（ＡＵ）へ分子を移動して金基板（ＡＵ）上にパターンを書き入れるための、つけペンナノリソグラフィ（ＤＰＮ）として作動する。
【選択図】図１
Description
（発明の属する技術分野）
本発明はマイクロファブリケーション法及びナノファブリケーション法に関する。本発明は原子間力顕微鏡イメージングを行う方法にも関する。
本発明はマイクロファブリケーション法及びナノファブリケーション法に関する。本発明は原子間力顕微鏡イメージングを行う方法にも関する。
（発明の背景）
リソグラフィー法は、現行のマイクロファブリケーション、ナノテクノロジー、分子エレクトロニクスの中心である。そのような方法では、抵抗薄膜にパターニングした後、基板を化学エッチングすることが多い。
リソグラフィー法は、現行のマイクロファブリケーション、ナノテクノロジー、分子エレクトロニクスの中心である。そのような方法では、抵抗薄膜にパターニングした後、基板を化学エッチングすることが多い。
つけペン技術は、鋭利な物体に付けたインクを毛管力により紙製の基材に移動させるというものであり、約４０００年存続している。非特許文献１。分子を巨視的規模の次元で移動させることは、歴史を通じて広く利用されてきた。
本発明によれば、以上の関連はするが規模及び移動メカニズムに関しては異なる、２つの概念を合わせて、「つけペン」ナノリソグラフィ（ＤＰＮ）を創作する。ＤＰＮでは、「ペン先」又は「ペン」として走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）チップ（例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）チップ）を、「紙」として固体基板（例えば金）を、「インク」として該固体基板に対する化学親和性を有する分子を使用する。ＤＰＮでは、チップから固体基板への分子の毛管移動を利用して、マイクロメートル以下の大きさの比較的小さな分子の集合から成るパターンを直接書き込む。
ＤＰＮは、ポジティブプリンティングモードで対象の基板へ分子を直接移動させる唯一のリソグラフィ法ではない。例えば、エラストマー製の打印器を使用するマイクロコンタクトプリンティングは、チオール官能基を有する分子のパターンを金基板上に直接堆積することができる。非特許文献２〜６。この方法は、１つのパターン全体又は一連の複数のパターンを対象の基板上に堆積することを可能にする、ＤＰＮと相等しい技術である。これは、特定のタイプのナノ構造の特定位置に異なるタイプの分子を選択的に配置しようとしないかぎり、ＤＰＮのような連続的技術に勝る利点である。これについて、ＤＰＮは、マイクロコンタクトプリンティング及び他の現行のマイクロファブリケーション及びナノファブリケーション法を補足する。
レジスト層として自己集合単層及び他の有機材料を用いて基板にパターニングする（すなわち後の加工又は吸着工程用に材料を除去する）ための、走査プローブ機器、電子ビーム、又は分子ビームに基づく種々のネガティブプリンティングも存在する。非特許文献７〜１９。しかしながら、ＤＰＮは、レジスト、打印器、複雑な加工法、又は精巧な非商業的機器に基づかないナノリソグラフィの様式で、比較的少量の分子物質を基板へ運ぶことが可能である。
ＡＦＭの発明以来ＡＦＭを悩ませている問題は、空気中で実験が行われた時にＡＦＭチップと試料との間に形成される、狭い隙間の毛細管であり、これは、外気から水を凝縮し、イメージング実験（特にナノメートルやさらにはオングストロームの分解能を達成しようとする実験）に大いに影響を与える。非特許文献２０〜２３ 。これは動的問題であり、水は相対湿度及び基板の濡れ特性に基づいて基板からチップへ又はその逆のいずれかに移動することが示されている。後者の場合、ＡＦＭチップから堆積された水の非常に薄い層から、準安定なナノメートル長スケールのパターンが形成される（非特許文献２３）。本発明は、移動された分子が基板に固定できるときには安定な表面構造が形成され、新しいタイプのナノリソグラフィ法すなわちＤＰＮが与えられることを示している。
本発明は、ＡＦＭを行った場合に起こる水の凝縮に起因する問題をも克服する。特に、ＡＦＭの実施に先立ってＡＦＭチップを特定の疎水性化合物で被覆すると、ＡＦＭの分解能がかなり改良されることが見出された。
ユーイング（Ewing ）、The Fountain Pen:A Collector's Companion（Running Press Book Publishers 、Philadelphia、1997）
シャ（Xia ）ら、Angew.Chem.Imt.Ed.Engl.,37:550 (1998)
キム（Kim ）ら、 Nature,376:581(1995)
シャ（Xia ）ら、 Science,273:347(1996)
ヤン（Yan ）ら、 J.Am.Chem.Soc.,120:6179(1998)
クーマー（Kumar ）ら、 J.Am.Chem.Soc.,114:9188(1992)
ボトムレイ（Bottomley ）ら、 Anal. Chem. 70:425R(1998)
ニフェネガー（Nyffenegger ）ら、 Chem. Rev., 97:1195(1997)
バーグレン（Berggren）ら、 Science, 269:1255(1995)
ゾンタグ−ユエソースト(Sondag-Huethorst)ら、 Appl. Phys. Lett, 64:285(1994)
ショーアー（Schoer）ら、 Langmuir, 13:2323(1997)
スー（Xu）ら、 Langmuir, 13:127(1997)
パーキンス（Perkins ）ら、 Appl. Phys. Lett. ,68:550(1996)
カー（Carr）ら、 J. Vac. Sci. Technol. A、15:1446(1997)
レーセル（Lercel）ら、 Appl. Phys. Lett.,68:1504(1996)
スギムラ（Sugimura）ら、J. Vac. Sci. Technol. A, 14:1223(1996)
コメダ（Komeda）ら、 J. Vac. Sci. Technol. A, 16:1680(1998)
ミュラー（Muller）ら、 J. Vac. Sci. Technol. B, 13:2846(1995)
キム（Kim ）ら、 Science, 257:375(1992)
スー（Xu）ら、 J. Phys .Chem. B, 102:540(1998)
ビンゲリ（Binggeli）ら、Appl. Phys. Lett, 65:415(1994)
フジヒラ（Fujihira）ら、Chem. Lett., 499(1996)
パイナー（Piner ）ら、Langmuir、13:6864(1997)
（発明の概要）
上述したように、本発明は、「つけペン」ナノリソグラフィすなわちＤＰＮと称されるリソグラフィの方法を提供する。ＤＰＮは、分子がポジティブプリンティングモードで対象の基板へと送られる、直接書き込むタイプのナノリソグラフィ技術である。ＤＰＮでは「紙」として固体基板を、「ペン」として走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）チップ（例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）チップ）を使用する。チップはパターニング化合物（「インク」）で被覆され、被覆されたチップは、パターニング化合物が基板に施されて所望のパターンを生成するように、基板と接触させられる。パターニング化合物の分子は毛管移動によりチップから基板へ送られる。ＤＰＮは、様々なマイクロスケール及びナノスケールの装置の製作に有効である。本発明は、ＤＰＮによってパターニングされた基板及びＤＰＮを行うためのキットも提供する。
上述したように、本発明は、「つけペン」ナノリソグラフィすなわちＤＰＮと称されるリソグラフィの方法を提供する。ＤＰＮは、分子がポジティブプリンティングモードで対象の基板へと送られる、直接書き込むタイプのナノリソグラフィ技術である。ＤＰＮでは「紙」として固体基板を、「ペン」として走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）チップ（例えば原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）チップ）を使用する。チップはパターニング化合物（「インク」）で被覆され、被覆されたチップは、パターニング化合物が基板に施されて所望のパターンを生成するように、基板と接触させられる。パターニング化合物の分子は毛管移動によりチップから基板へ送られる。ＤＰＮは、様々なマイクロスケール及びナノスケールの装置の製作に有効である。本発明は、ＤＰＮによってパターニングされた基板及びＤＰＮを行うためのキットも提供する。
本発明はさらに、空気中でＡＦＭイメージングを行うための方法を提供する。該方法は、ＡＦＭチップを疎水性化合物で被覆する工程から成る。次に被覆されたチップを用いて、空気中でＡＦＭイメージングが行われる。疎水性化合物は、被覆されたＡＦＭチップを用いて行われたＡＦＭイメージングが被覆していないＡＦＭチップを用いて行われたＡＦＭイメージングと比較して改良されるように選択される。最後に、本発明は疎水性化合物で被覆されたＡＦＭチップを提供する。
（現時点で好ましい実施形態の詳細な説明）
ＤＰＮは走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）チップを利用する。本明細書に使用する場合、「走査プローブ顕微鏡チップ」及び「ＳＰＭチップ」という熟語は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）チップを始めとする原子スケールイメージングに使用されるチップ、近視野走査光学顕微鏡（ＮＳＯＭ）チップ、走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）チップ、及び同様な性質を有する装置のことを指す。多くのＳＰＭチップは市販されており、本明細書において提供したガイドラインを用いて同様な装置を創作することが可能である。
ＤＰＮは走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）チップを利用する。本明細書に使用する場合、「走査プローブ顕微鏡チップ」及び「ＳＰＭチップ」という熟語は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）チップを始めとする原子スケールイメージングに使用されるチップ、近視野走査光学顕微鏡（ＮＳＯＭ）チップ、走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）チップ、及び同様な性質を有する装置のことを指す。多くのＳＰＭチップは市販されており、本明細書において提供したガイドラインを用いて同様な装置を創作することが可能である。
より好ましくは、ＳＰＭチップはＡＦＭチップである。任意のＡＦＭチップを使用することができる。適当なＡＦＭチップには、例えばPark Scientific 、Digital Instruments 及びMolecular Imaging から市販されているものが含まれる。
ＮＳＯＭチップも好ましい。そのようなチップは中空であり、パターニング化合物はパターニング化合物の容器として機能しＤＰＮに使用される「万年筆」の一種を作成する、ＮＳＯＭチップの中空部に蓄積する。適当なＮＳＯＭチップがNanonics Ltd. 及びTopometrixから市販されている。
チップは、好ましくはパターニング化合物のみが物理吸着するチップである。本明細書に使用する場合、「物理吸着する」とは、パターニング化合物が化学反応の結果以外（すなわち、化学吸着又は共有結合ではない）の手段によりチップ表面に付着したものであり、適当な溶媒を用いてチップ表面から除去可能であることを意味する。パターニング化合物のチップへの物理吸着は、チップを粘着層で被覆することにより、及びパターニング化合物用の適当な溶媒（使用する場合）を選択することにより増強される。粘着層は、チップの形を大幅には変化しない、チップ表面上に堆積された材料から成る均質な薄層（<１０ｎｍ）である。粘着層は、ＡＦＭ操作（約１０ｎＮの力）に耐えるだけ十分に強くなければならない。チタン及びクロムは、チップ形状を大幅に変化させることなく、チップ上に非常に薄くて均質な層を形成するので、粘着層を形成すべく使用するのに非常に適している。チップは、真空蒸着により（ホランド（Holland ）, Vacuum Deposition Of Thin Films （Wiley 、 New York, NY, 1965 ）参照）、又は金属薄膜を形成する任意の他の方法により、粘着層で被覆し得る。「適当な溶媒」はチップによく付着する（チップを濡らす）溶媒のことを意味する。適当な溶媒は、使用するパターニング化合物、使用するチップの種類、チップが粘着層で被覆されているかどうか、又は粘着層を形成するために使用する材料に応じて変わる。例えば、アセトニトリルは被覆していない窒化ケイ素チップによく付着し、アセトニトリルをパターニング化合物用の溶媒として使用した場合には粘着層の使用が不要となる。対照的に、水は被覆していない窒化ケイ素チップに付着しない。水はチタンで被覆した窒化ケイ素チップによく付着するため、水を溶媒とした場合にはそのような被覆チップを使用するとよい。パターニング化合物の水溶液の物理吸着は、チップの親水性を増大させることによっても高めることができる（粘着層で被覆されていると被覆されていないとに拘わらず）。例えば、親水性は、チップの洗浄（例えばプラズマ洗浄によるピラニア溶液によって又はＵＶオゾン洗浄によって）により、又は酸素プラズマエッチングにより、増大させることができる。ロー（Lo）ら、 Langmuir 、15, 6522-6526 （1999）; ジェームズ（James ）ら、 Langmuir, 14, 741-744（1998) 。代わりに、水と他の溶媒の混合物（例えば、水：アセトニトリルの比が１：３）を、被覆していない窒化ケイ素チップに付着させて、粘着層の使用や、親水性を増大させるための処理を不要にしてもよい。特定セットの環境に対する適当な溶媒は、本明細書において提供したガイダンスを用いて経験的に決定することが可能である。
基板の形状及び大きさはいかなるものであってもよい。特に、基板は平坦であるか、湾曲し得る。基板は安定な表面構造を形成するようパターニング化合物によって改変可能な、いかなる材料からも構成され得る（以下参照）。本発明の実施に有効な基板には、金属（例えば金、銀、アルミニウム、銅、白金、及びパラジウム）、金属酸化物（例えばＡｌ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｉｎ，Ｓｎ及びＣｕの酸化物）、半導体材料（例えばＳｉ，ＣｄＳｅ，Ｃｄｓ及びＺｎＳで被覆されたＣｄＳ）、磁気材料（例えば強磁鉄鉱）、ポリマー又はポリマーで被覆した基板、超伝導体材料（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ）、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラス、ＡｇＩ、ＡｇＢｒ、ＨｇＩ２、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、Ｃｄ３Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、Ｇａｐ、及びＧａＡｓが含まれる。そのような基板の製造方法は当該技術分野において周知であり、蒸着法及びスパッタリング（金属薄膜）、結晶半導体成長（例えばＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ）、化学蒸着法（半導体薄膜）、エピタキシャル成長（結晶半導体薄膜）、及び熱収縮（配向ポリマー）が含まれる。例えば、アルコック（Alcock）ら、Canadian Metallurgical Quarterly, 23, 309(1984);ホランド（Holland ）、Vacuum Deposition of Thin Films （Wiley 、 New York 1956）; グローブ（Grove ）、Philos. Trans. Faraday Soc. 87（1852）; ティール（Teal）、IEEE Trans. Electron Dev.ED-23, 621 （1976）; セル（Sell）、Key Eng. Materials, 58, 169 （1991）; ケラー（Keller）ら、Float-Zone Silicon（Marcel Dekker, New York, 1981 ）; シャーマン（Sherman ）、 Chemical Vapor Deposition For Microelecfronics: Principles, Technology And Applications（Noyes, Park Ridges, NJ, 1987）;Epitaxial Silicon Technology （バリガ（Baliga）編、Academic Press, Orlando, Florida, 1986）; 米国特許第５，１３８，１７４号; ヒドバー（Hidber）ら、Langmuir, 12, 5209-5215 （1996）を参照。適当な基板は、例えばDigital Instruments （金）、Molecular Imaging （金）、Park Scientific （金）、Electronic Materials, Inc.（半導体ウェハ）、Silicon Quest, Inc. （半導体ウェハ）、MEMS Technology Applications Center, Inc. （半導体ウェハ）、Crystal Specialties, Inc. （半導体ウェハ）、Siltronix, Switzerland（シリコンウェハ）、Aleene's Buellton, CA （二軸配向ポリスチレンシート）、及びKama Corp.Hazelton, PA（ポリスチレンの配向薄膜）より商業的に得られる。
ＳＰＭチップは、パターニング化合物を対象の基板へ輸送するために使用される。パターニング化合物が、安定な表面構造を形成するよう基板を改変できるとすれば、任意のパターニング化合物を使用することが可能である。安定な表面構造は、パターニング化合物の分子の基板上への化学吸着又はパターニング化合物の分子の基板への共有結合により形成される。
パターニング化合物として使用可能な多くの適当な化合物と、該化合物に対応する基板とが、当該技術分野において周知である。例えば：
ａ．式Ｒ１ＳＨ、Ｒ１ＳＳＲ２、Ｒ１ＳＲ２、Ｒ１ＳＯ２Ｈ、（Ｒ１）３Ｐ、Ｒ１ＮＣ、Ｒ１ＣＮ、（Ｒ１）３Ｎ、Ｒ１ＣＯＯＨ、又はＡｒＳＨの化合物が、金基板にパターニングするために使用できる。
ａ．式Ｒ１ＳＨ、Ｒ１ＳＳＲ２、Ｒ１ＳＲ２、Ｒ１ＳＯ２Ｈ、（Ｒ１）３Ｐ、Ｒ１ＮＣ、Ｒ１ＣＮ、（Ｒ１）３Ｎ、Ｒ１ＣＯＯＨ、又はＡｒＳＨの化合物が、金基板にパターニングするために使用できる。
ｂ．式Ｒ１ＳＨ、（Ｒ１）３Ｎ、又はＡｒＳＨの化合物が、銀、銅、パラジウム及び半導体基板にパターニングするために使用できる。
ｃ．式Ｒ１ＮＣ、Ｒ１ＳＨ、Ｒ１ＳＳＲ２、又はＲ１ＳＲ２の化合物が、白金基板にパターニングするために使用できる。
ｃ．式Ｒ１ＮＣ、Ｒ１ＳＨ、Ｒ１ＳＳＲ２、又はＲ１ＳＲ２の化合物が、白金基板にパターニングするために使用できる。
ｄ．式Ｒ１ＳＨの化合物が、アルミニウム、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＧａＡｓ及びＩｎＰ基板にパターニングするために使用できる。
ｅ．式Ｒ１ＳｉＣｌ３、Ｒ１Ｓｉ（ＯＲ２）３、（Ｒ１ＣＯＯ）２、Ｒ１ＣＨ＝ＣＨ２、Ｒ１Ｌｉ又はＲ１ＭｇＸの化合物を始めとする有機シランが、Ｓｉ、ＳｉＯ２及びガラス基板にパターニングするために使用できる。
ｅ．式Ｒ１ＳｉＣｌ３、Ｒ１Ｓｉ（ＯＲ２）３、（Ｒ１ＣＯＯ）２、Ｒ１ＣＨ＝ＣＨ２、Ｒ１Ｌｉ又はＲ１ＭｇＸの化合物を始めとする有機シランが、Ｓｉ、ＳｉＯ２及びガラス基板にパターニングするために使用できる。
ｆ．式Ｒ１ＣＯＯＨ又はＲ１ＣＯＮＨＲ２の化合物が、金属酸化物基板にパターニングするために使用できる。
ｇ．式Ｒ１ＳＨ、Ｒ１ＮＨ２、ＡｒＮＨ２、ピロール、又はピロール誘導体の化合物であって、Ｒ１がピロール環の複数の炭素のうちの１つに付いている化合物が、高温超伝導体にパターニングするために使用できる。
ｇ．式Ｒ１ＳＨ、Ｒ１ＮＨ２、ＡｒＮＨ２、ピロール、又はピロール誘導体の化合物であって、Ｒ１がピロール環の複数の炭素のうちの１つに付いている化合物が、高温超伝導体にパターニングするために使用できる。
ｈ．式Ｒ１ＰＯ３Ｈ２の化合物が、ＺｒＯ２及びＴｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２基板にパターニングするために使用できる。
ｉ．式Ｒ１ＣＯＯＨの化合物が、アルミニウム、銅、ケイ素及び白金基板にパターニングするために使用できる。
ｉ．式Ｒ１ＣＯＯＨの化合物が、アルミニウム、銅、ケイ素及び白金基板にパターニングするために使用できる。
ｊ．アゾアルカン（Ｒ３ＮＮＲ３）及びイソチオシアネート（Ｒ３ＮＣＳ）等の不飽和化合物が、ケイ素基板にパターニングするために使用できる。
ｋ．タンパク質及びペプチドが、金、銀、ガラス、ケイ素、及びポリスチレンにパターニングするために使用できる。
ｋ．タンパク質及びペプチドが、金、銀、ガラス、ケイ素、及びポリスチレンにパターニングするために使用できる。
上式中：
Ｒ１及びＲ２は各々式Ｘ（ＣＨ２）ｎを有し、化合物がＲ１及びＲ２の両方と置換された場合、Ｒ１及びＲ２は同じであっても異なってもよく；
Ｒ３は、ＣＨ３（ＣＨ２）ｎを有し；
ｎは０〜３０であり；
Ａｒはアリルであり；
Ｘは−ＣＨ３、−ＣＨＣＨ３、−ＣＯＯＨ、−ＣＯ２（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、エチレングリコール、ヘキサ（エチレングリコール）、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、ハロゲン、グルコース、マルトース、フラーレンＣ６０、核酸（オリゴヌクレオチド、ＤＮＡ、ＲＮＡ等）、タンパク質（例えば抗体又は酵素イムノアッセイ）又はリガンド（例えば、抗原、酵素基質又はレセプター）であり；
Ｒ１及びＲ２は各々式Ｘ（ＣＨ２）ｎを有し、化合物がＲ１及びＲ２の両方と置換された場合、Ｒ１及びＲ２は同じであっても異なってもよく；
Ｒ３は、ＣＨ３（ＣＨ２）ｎを有し；
ｎは０〜３０であり；
Ａｒはアリルであり；
Ｘは−ＣＨ３、−ＣＨＣＨ３、−ＣＯＯＨ、−ＣＯ２（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、エチレングリコール、ヘキサ（エチレングリコール）、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、ハロゲン、グルコース、マルトース、フラーレンＣ６０、核酸（オリゴヌクレオチド、ＤＮＡ、ＲＮＡ等）、タンパク質（例えば抗体又は酵素イムノアッセイ）又はリガンド（例えば、抗原、酵素基質又はレセプター）であり；
ｍは０〜３０である。
パターニング化合物とその調製法及び使用法の説明については、シャ（Xia ）とホワイトサイド（Whitesides）, Angew. Chem. lid. Ed., 37, 550-575(1998)と本明細書に引用した以下の参考文献を参照されたい。ビショップ（Bishop）ら、Curr. Opinion Colloid & Interface Sci., 1, 127-136(1996); カルバート（Calvert ）, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2155-2163(1993); アルマン（Ulman ）, Chem. Rev., 96:1533 (1996)（金に対するアルカンチオール）; デュボイス（Dubois）ら、Annu. Rev. Phys. Chem., 43:437 (1992) （金に対するアルカンチオール）; アルマン（Ulman ）, An Introduction to Ultrathin Organic Films: From Langmuir-Blodgett to Self-Assembly （Academic, Boston, 1991）（金に対するアルカンチオール）; ホワイトサイド（Whitesides）, Proceedings of the Robert A. Welch Foundation 39th Conference On Chemical Research Nanophase Chemistry, Houston, TX, 109-12 ページ (1995) （金に取り付けたアルカンチオール）; ムージク（Mucic ）ら、Chem. Commun. 555-557 (1996)（３’チオールＤＮＡの金表面への取付方法について説明）; 米国特許第５，４７２，８８１号（オリゴヌクレオチド−チオールリン酸の金表面への結合）; バーウェル（Burwell ）, Chemical Technology, 4、370-377 （1974）及びマシューチ（Matteucci ）及びカルザース（Caruthers ）、J. Am. Chm. Soc., 103, 3185-3191（1981）（オリゴヌクレオチド−アルキルシロキサンのシリカ及びガラス表面への結合）; グラバー（Grabar）ら、Anal. Chem., 67, 735-743（アミノアルキルシロキサンの結合とメルカプトアルキルシロキサンの同様な結合に関する）; ニッツォ（Nuzzo ）ら、J. Am. Chem. Soc. 109, 2358 （1987）（金に対する二硫化物）; アララ（Allara）及びニッツォ（Nuzzo ）, Langmuir, 1, 45 （1985）（アルミニウムに対するカルボン酸）; アララ（ Allara ）及びトプキンス（Tompkins）、J. Colloid Interface Sci., 49, 410-421（1974）（銅に対するカルボン酸）; イラー（Iler）、The Chemistry Of Silica, Chapter 6（Wiley 1979）（シリカに対するカルボン酸）; ティモンズ（Timmons ）及びチィスマン（Zisman）、 J. Phys. Chem., 69, 984-990（1965）（白金に対するカルボン酸）; ソリアガ（Soriaga ）及びハバード（Hubbard ）、Acc. Chem. Soc., 104, 3937（1982）（白金に対する芳香族環化合物）; ハバード（Hubbard ）、Acc. Chem. Res.,13, 177 （1980）（白金に対するスルホラン、スルホキシド及び他の機能的溶媒）; ヒックマン（Hickman ）ら、J. Am. Chem. Soc., 111, 7271（1989）（白金に対するイソニトリル）; モアツ（Maoz）及びサギヴ（Sagiv ）, Langmuir, 3, 1045 （1987）（シリカに対するシラン）; モアツ（Maoz）及びサギヴ（Sagiv ）, Langmuir, 3, 1034 （1987）（シリカに対するシラン）; ワッセルマン（Wasserman ）ら、Langmuir, 5, 1074 （1989）（シリカに対するシラン）; エルテコバ（Eltekova）及びエルテコフ（Eltekov ）Langmuir, 3, 951（1987）（二酸化チタン及びシリカに対する芳香族カルボン酸、アルデヒド、アルコール及びメトキシ基）; 及びレク（Lec ）ら、J. Phys. Chem., 92, 2597（1988）（金属に対する剛性リン酸塩）; ロー（Lo）ら、J. Am. Chem. Soc., 118, 11295-11296(1996) （超伝導体へのピロールの取付）; チェン（Chen）ら、J. Am. Chem. Soc., 117, 6374-5(1995)（超伝導体へのアミン及びチオールの取付）チェン（Chen）ら、Langmuir,12, 2622-2624 (1996) （超伝導体へのチオールの取付）; マクデヴィツ（McDevitt）ら、米国特許第５，８４６，９０９号（超伝導体へのアミン及びチオールの取付）; スー（Xu）ら、Langmuir, 14, 6505-6511 (1998) （超伝導体へのアミンの取付）; マーキン（Mirkin）ら、Adv. Mater. （Weinheim,Ger. ）,9 , 167-173 (1997) （超伝導体へのアミンの取付）; ホーヴィス（Hovis ）ら、J. Phys. Chem.B, 102, 6873-6879 (1998)（オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; ホーヴィス（Hovis ）ら、Surf Sci.,402-404, 1-7 (1998) （オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; ホーヴィス（Hovis ）ら、J. Phys. Chem. B, 101, 9581-9585 (1997) （オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; ハマー（Hamers）ら、J. Phys. Chem. B, 101, 1489-1492 (1997) （オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; ハマー（Hamers）ら、米国特許第５，９０８，６９２号（オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; エリソン（Ellison ）ら、J. Phys. Chem. B, 103, 6243-6251（1999）（チオシアン酸塩のケイ素に対する取付）; エリソン（Ellison ）ら、J. Phys. Chem. B, 102 、8510-8518 (1998)（アゾアルカンのケイ素に対する取付）; オーノ（Ohno）ら、Mol. Cryst. Liq. Cryst. Sci. Technol., Sect. A, 295, 487-490 (1997) （チオールのＧａＡｓへの取付）; ロイター（Reuter）ら、Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 380, 119-24(1995) （チオールのＧａＡｓへの取付）; バイン（Bain）, Adv. Mater. （Weinheim, Fed Repub.Ger.）,4, 591-4 (1992)（チオールのＧａＡｓへの取付）; シーン（Sheen ）ら、J. Am. Chem. Soc., 114, 1514-15 (1992)（チオールのＧａＡｓへの取付）; ナカガワ（Nakagawa）ら、Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 30, 3759-62 (1991) （チオールのＧａＡｓへの取付）; ラント（Lunt）ら、J. Appl. Phys., 70, 7449-67 (1991)（チオールのＧａＡｓへの取付）; ラント（Lunt）ら、J. Vac. Sci. Technol., B, 9, 2333-6 (1991)（チオールのＧａＡｓへの取付）; ヤマモト（Yamamoto）ら、Langmuir ACS ASAP, web release number Ia990467r （チオールのＩｎＰへの取付）; グ（Gu）ら、J. Phys. Chem. B, 102, 9015-9028 (1998) （チオールのＩｎＰへの取付）; メンゼル（Menzel）ら、Adv.Mater.（Weinheim, Ger.）, 11, 131-134 （1999）（金への二流化物の取付）; ヨネザワ（Yonezawa）ら、 Chem. Mater., 11, 33-35（1999）（金への二流化物の取付）; ポーター（Porter）ら、Langmuir, 14, 7378-7386 (1998)（金への二流化物の取付）サン（Son ）ら、J. Phys. Chem., 98, 8488-93 （1994）（金及び銀へのニトリルの取付）; シュタイナー（Steiner ）ら、Langmuir, 8, 2771-7 (1992)（金及び銅へのニトリルの取付）ソロモン（Solomun ）ら、J. Phys. Chem., 95, 10041-9 (1991)（金へのニトリルの取付）ソロモン（Solomun ）ら、Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem., 95,95-8 (1991)（金へのニトリルの取付）; ヘンダーソン（Henderson ）ら、Inorg. Chim. Acta, 242, 115-24 (1996) （金へのイソニトリルの取付）; ヒュック（Huc ）ら、J. Phys. Chem. B, 103, 10489-10495（1999）; ヒックマン（Hickman ）ら、Langmuir, 8, 357-9(1992)（金へのイソニトリルの取付）; シュタイナー（Steiner ）ら、Langmuir, 8, 90-4 (1992)（金へのアミン及びホスフィンの取付及び銅へのアミンの取付）; メイヤ（Mayya ）ら、J. Phys. Chem. B, 101, 9790-9793 (1997) （金及び銀へのアミンの取付）; チェン（Chen）ら、Langmuir, 15, 1075-1082 （1999）（金へのカルボン酸の取付）; タオ（Tao ）、J. Am. Chem. Soc., 115, 4350-4358 (1993)（銅及び銀へのカルボン酸の取付）; ライビニス（Laibinis）ら、J. Am. Chem. Soc. ,114, 1990-5 (1992) （銀及び銅へのチオールの取付）; ライビニス（Laibinis）ら、Langmuir, 7, 3167-73 (1991) （銀へのチオールの取付）; フェンター（Fenter）ら、Langmuir, 7, 2013-16 (1991) （銀へのチオールの取付）; チャン（Chang ）ら、Am. Chem. Soc., 116, 6792-805 （1994）（銀へのチオールの取付）; リ（Li）ら、J. Phys. Chem., 98, 11751-5 （1994）（銀へのチオールの取付）; リ（Li）ら、Report 24 pp（1994）（銀へのチオールの取付）; ターロブ（Tarlov）ら、米国特許第５，９４２，３９７号（銀及び銅へのチオールの取付）; ワルデック（Waldeck ）ら、ＰＣＴ出願ＷＯ99／48682 （銀及び銅へのチオールの取付）; グイ（Gui ）ら、Langmuir, 7, 955-63 （1991）（銀へのチオールの取付）ヴァルザック（Walczak ）ら、J. Am. Chem. Soc., 113, 2370-8 (1991) （銀へのチオールの取付）; サンジョルジ（Sangiorgi ）ら、Gazz. Chim. Ital., 111, 99-102（1981）（銅へのアミンの取付）; マガロン（Magallon）ら、Book of Abstracts, 215th ACS National Meeting, Dallas, March 29-April 2, 1998, COLL-048 （銅へのアミンの取付）; パティル（Patil ）ら、Langmuir, 14, 2707-2711 (1998)（銀へのアミンの取付）; サストリィ（Sastry）ら、J. Phys. Chem. B, 101, 4954-4958(1997)（銀へのアミンの取付）;
パターニング化合物とその調製法及び使用法の説明については、シャ（Xia ）とホワイトサイド（Whitesides）, Angew. Chem. lid. Ed., 37, 550-575(1998)と本明細書に引用した以下の参考文献を参照されたい。ビショップ（Bishop）ら、Curr. Opinion Colloid & Interface Sci., 1, 127-136(1996); カルバート（Calvert ）, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2155-2163(1993); アルマン（Ulman ）, Chem. Rev., 96:1533 (1996)（金に対するアルカンチオール）; デュボイス（Dubois）ら、Annu. Rev. Phys. Chem., 43:437 (1992) （金に対するアルカンチオール）; アルマン（Ulman ）, An Introduction to Ultrathin Organic Films: From Langmuir-Blodgett to Self-Assembly （Academic, Boston, 1991）（金に対するアルカンチオール）; ホワイトサイド（Whitesides）, Proceedings of the Robert A. Welch Foundation 39th Conference On Chemical Research Nanophase Chemistry, Houston, TX, 109-12 ページ (1995) （金に取り付けたアルカンチオール）; ムージク（Mucic ）ら、Chem. Commun. 555-557 (1996)（３’チオールＤＮＡの金表面への取付方法について説明）; 米国特許第５，４７２，８８１号（オリゴヌクレオチド−チオールリン酸の金表面への結合）; バーウェル（Burwell ）, Chemical Technology, 4、370-377 （1974）及びマシューチ（Matteucci ）及びカルザース（Caruthers ）、J. Am. Chm. Soc., 103, 3185-3191（1981）（オリゴヌクレオチド−アルキルシロキサンのシリカ及びガラス表面への結合）; グラバー（Grabar）ら、Anal. Chem., 67, 735-743（アミノアルキルシロキサンの結合とメルカプトアルキルシロキサンの同様な結合に関する）; ニッツォ（Nuzzo ）ら、J. Am. Chem. Soc. 109, 2358 （1987）（金に対する二硫化物）; アララ（Allara）及びニッツォ（Nuzzo ）, Langmuir, 1, 45 （1985）（アルミニウムに対するカルボン酸）; アララ（ Allara ）及びトプキンス（Tompkins）、J. Colloid Interface Sci., 49, 410-421（1974）（銅に対するカルボン酸）; イラー（Iler）、The Chemistry Of Silica, Chapter 6（Wiley 1979）（シリカに対するカルボン酸）; ティモンズ（Timmons ）及びチィスマン（Zisman）、 J. Phys. Chem., 69, 984-990（1965）（白金に対するカルボン酸）; ソリアガ（Soriaga ）及びハバード（Hubbard ）、Acc. Chem. Soc., 104, 3937（1982）（白金に対する芳香族環化合物）; ハバード（Hubbard ）、Acc. Chem. Res.,13, 177 （1980）（白金に対するスルホラン、スルホキシド及び他の機能的溶媒）; ヒックマン（Hickman ）ら、J. Am. Chem. Soc., 111, 7271（1989）（白金に対するイソニトリル）; モアツ（Maoz）及びサギヴ（Sagiv ）, Langmuir, 3, 1045 （1987）（シリカに対するシラン）; モアツ（Maoz）及びサギヴ（Sagiv ）, Langmuir, 3, 1034 （1987）（シリカに対するシラン）; ワッセルマン（Wasserman ）ら、Langmuir, 5, 1074 （1989）（シリカに対するシラン）; エルテコバ（Eltekova）及びエルテコフ（Eltekov ）Langmuir, 3, 951（1987）（二酸化チタン及びシリカに対する芳香族カルボン酸、アルデヒド、アルコール及びメトキシ基）; 及びレク（Lec ）ら、J. Phys. Chem., 92, 2597（1988）（金属に対する剛性リン酸塩）; ロー（Lo）ら、J. Am. Chem. Soc., 118, 11295-11296(1996) （超伝導体へのピロールの取付）; チェン（Chen）ら、J. Am. Chem. Soc., 117, 6374-5(1995)（超伝導体へのアミン及びチオールの取付）チェン（Chen）ら、Langmuir,12, 2622-2624 (1996) （超伝導体へのチオールの取付）; マクデヴィツ（McDevitt）ら、米国特許第５，８４６，９０９号（超伝導体へのアミン及びチオールの取付）; スー（Xu）ら、Langmuir, 14, 6505-6511 (1998) （超伝導体へのアミンの取付）; マーキン（Mirkin）ら、Adv. Mater. （Weinheim,Ger. ）,9 , 167-173 (1997) （超伝導体へのアミンの取付）; ホーヴィス（Hovis ）ら、J. Phys. Chem.B, 102, 6873-6879 (1998)（オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; ホーヴィス（Hovis ）ら、Surf Sci.,402-404, 1-7 (1998) （オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; ホーヴィス（Hovis ）ら、J. Phys. Chem. B, 101, 9581-9585 (1997) （オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; ハマー（Hamers）ら、J. Phys. Chem. B, 101, 1489-1492 (1997) （オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; ハマー（Hamers）ら、米国特許第５，９０８，６９２号（オレフィンとジエンのケイ素に対する取付）; エリソン（Ellison ）ら、J. Phys. Chem. B, 103, 6243-6251（1999）（チオシアン酸塩のケイ素に対する取付）; エリソン（Ellison ）ら、J. Phys. Chem. B, 102 、8510-8518 (1998)（アゾアルカンのケイ素に対する取付）; オーノ（Ohno）ら、Mol. Cryst. Liq. Cryst. Sci. Technol., Sect. A, 295, 487-490 (1997) （チオールのＧａＡｓへの取付）; ロイター（Reuter）ら、Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 380, 119-24(1995) （チオールのＧａＡｓへの取付）; バイン（Bain）, Adv. Mater. （Weinheim, Fed Repub.Ger.）,4, 591-4 (1992)（チオールのＧａＡｓへの取付）; シーン（Sheen ）ら、J. Am. Chem. Soc., 114, 1514-15 (1992)（チオールのＧａＡｓへの取付）; ナカガワ（Nakagawa）ら、Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 30, 3759-62 (1991) （チオールのＧａＡｓへの取付）; ラント（Lunt）ら、J. Appl. Phys., 70, 7449-67 (1991)（チオールのＧａＡｓへの取付）; ラント（Lunt）ら、J. Vac. Sci. Technol., B, 9, 2333-6 (1991)（チオールのＧａＡｓへの取付）; ヤマモト（Yamamoto）ら、Langmuir ACS ASAP, web release number Ia990467r （チオールのＩｎＰへの取付）; グ（Gu）ら、J. Phys. Chem. B, 102, 9015-9028 (1998) （チオールのＩｎＰへの取付）; メンゼル（Menzel）ら、Adv.Mater.（Weinheim, Ger.）, 11, 131-134 （1999）（金への二流化物の取付）; ヨネザワ（Yonezawa）ら、 Chem. Mater., 11, 33-35（1999）（金への二流化物の取付）; ポーター（Porter）ら、Langmuir, 14, 7378-7386 (1998)（金への二流化物の取付）サン（Son ）ら、J. Phys. Chem., 98, 8488-93 （1994）（金及び銀へのニトリルの取付）; シュタイナー（Steiner ）ら、Langmuir, 8, 2771-7 (1992)（金及び銅へのニトリルの取付）ソロモン（Solomun ）ら、J. Phys. Chem., 95, 10041-9 (1991)（金へのニトリルの取付）ソロモン（Solomun ）ら、Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem., 95,95-8 (1991)（金へのニトリルの取付）; ヘンダーソン（Henderson ）ら、Inorg. Chim. Acta, 242, 115-24 (1996) （金へのイソニトリルの取付）; ヒュック（Huc ）ら、J. Phys. Chem. B, 103, 10489-10495（1999）; ヒックマン（Hickman ）ら、Langmuir, 8, 357-9(1992)（金へのイソニトリルの取付）; シュタイナー（Steiner ）ら、Langmuir, 8, 90-4 (1992)（金へのアミン及びホスフィンの取付及び銅へのアミンの取付）; メイヤ（Mayya ）ら、J. Phys. Chem. B, 101, 9790-9793 (1997) （金及び銀へのアミンの取付）; チェン（Chen）ら、Langmuir, 15, 1075-1082 （1999）（金へのカルボン酸の取付）; タオ（Tao ）、J. Am. Chem. Soc., 115, 4350-4358 (1993)（銅及び銀へのカルボン酸の取付）; ライビニス（Laibinis）ら、J. Am. Chem. Soc. ,114, 1990-5 (1992) （銀及び銅へのチオールの取付）; ライビニス（Laibinis）ら、Langmuir, 7, 3167-73 (1991) （銀へのチオールの取付）; フェンター（Fenter）ら、Langmuir, 7, 2013-16 (1991) （銀へのチオールの取付）; チャン（Chang ）ら、Am. Chem. Soc., 116, 6792-805 （1994）（銀へのチオールの取付）; リ（Li）ら、J. Phys. Chem., 98, 11751-5 （1994）（銀へのチオールの取付）; リ（Li）ら、Report 24 pp（1994）（銀へのチオールの取付）; ターロブ（Tarlov）ら、米国特許第５，９４２，３９７号（銀及び銅へのチオールの取付）; ワルデック（Waldeck ）ら、ＰＣＴ出願ＷＯ99／48682 （銀及び銅へのチオールの取付）; グイ（Gui ）ら、Langmuir, 7, 955-63 （1991）（銀へのチオールの取付）ヴァルザック（Walczak ）ら、J. Am. Chem. Soc., 113, 2370-8 (1991) （銀へのチオールの取付）; サンジョルジ（Sangiorgi ）ら、Gazz. Chim. Ital., 111, 99-102（1981）（銅へのアミンの取付）; マガロン（Magallon）ら、Book of Abstracts, 215th ACS National Meeting, Dallas, March 29-April 2, 1998, COLL-048 （銅へのアミンの取付）; パティル（Patil ）ら、Langmuir, 14, 2707-2711 (1998)（銀へのアミンの取付）; サストリィ（Sastry）ら、J. Phys. Chem. B, 101, 4954-4958(1997)（銀へのアミンの取付）;
バンザル（Bansal）ら、J. Phys. Chem. B, 102, 4058-4060 (1998) （ケイ素に対するアルキルリチウムの取付）; バンザル（Bansal）ら、J. Phys. Chem. B, 102, 1067-1070 (1998) （ケイ素に対するアルキルリチウムの取付）; チゼイ（Chidsey ）, Book of Abstracts,214th ACS National Meeting, Las Vegas, NV, September 7-11, 1997, I&EC-027 （ケイ素に対するアルキルリチウムの取付）; ソン（Song）、J.H., Thesis, University of California at San Diego （二酸化ケイ素に対するアルキルリチウムの取付）; マイヤー（Meyer ）ら、J. Am. Chem. Soc., 110, 4914-18 （1988）（半導体に対するアミンの取付）; ブラジル（Brazdil ）ら、J. Phys. Chem., 85, 1005-14 （1981）（半導体に対するアミンの取付）; ジェームズ（James ）ら、Langmuir, 14, 741-744 (1998)（ガラスに対するタンパク質及びペプチドの取付）; バーナード（Bernard ）ら、Langmuir, 14, 2225-2229 (1998)（ガラス、ポリスチレン、金、銀及びシリコンウェハに対するタンパク質の取付）。
上述に記載した以外の当該技術分野において周知の他の化合物、又は本明細書で提供したガイドラインを用いるか別な方法を用いて開発又は発見した当該技術分野において周知の他の化合物も、パターニング化合物として使用することが可能である。現時点で好ましいのは、種々の基板に対するアルカンチオール及びアリルチオール並びにＳｉＯ２基板に対するトリクロロシラン（例えば実施例１及び２）である。
ＤＰＮを実施するために、ＳＰＭチップはパターニング化合物により被覆される。これは多くの方法により達成することが可能である。例えば、チップは、蒸着により、直接接触走査により、又はチップをパターニング化合物の溶液と接触させることにより、被覆することができる。
チップを被覆する最も簡単な方法は、直接接触走査による方法である。直接接触走査による被覆は、パターニング化合物の飽和溶液の滴を固体基板（例えばガラス又は窒化ケイ素;Fisher Scientific又はMEMS Technology Application Center入手可）の上に載置することにより達成される。パターニング化合物は乾燥させると基板上に微晶質相を形成する。ＳＰＭチップ上にパターニング化合物を被覆するために、チップはその微晶質相を横切って繰り返し走査される。この方法は簡単ではあるが、基板からチップへ移動するパターニング化合物の量を制御することが困難であるため、チップへの装荷が最良にはならない。
チップは、蒸着によっても被覆することができる。シャーマン（Sherman ）、Chemical Vapor Deposition For Microelectronics: Principles, Technology And Applications （Noyes, Park Ridges, NJ, 1987を参照されたい。簡単に説明すると、パターニング化合物（純粋な形式。固体又は液体であり、溶媒なし）を固体基板（例えばガラス又は窒化ケイ素;Fisher Scientific又はMEMS Technology Application Center入手可）上に配置し、チップをパターニング化合物の付近（チャンバの設計に依存して約１〜２０ｃｍ）に配置する。次に化合物を、蒸発する温度まで加熱し、チップを化合物で被覆する。例えば、１−オクタデカンチオールは、６０℃で蒸着することができる。蒸着法による被覆は、他の領域の汚染を防止するために、閉じたチャンバ内で行うべきである。パターニング化合物が空気によって酸化されるものである場合、チャンバは真空チャンバ又は窒素充填チャンバとする。蒸着法によるチップの被覆では、チップ上に、パターニング化合物の薄くて均質な層が生成し、ＤＰＮの結果が非常に信頼できるものとなる。
しかし、好ましくは、ＳＰＭチップは、チップをパターニング化合物の溶液に浸漬することにより被覆される。溶媒は重要ではなく、必要なのは、化合物が溶液の状態であることのみである。しかしながら溶媒は、好ましくはパターニング化合物が最もよく溶ける溶媒である。また、溶液は好ましくは飽和溶液である。その上、溶媒は、好ましくは（粘着層により被覆されないかされた）チップに非常によく付着する（チップを濡らす）溶媒である（上述を参照のこと）。チップは、パターニング化合物がチップを被覆するのに十分な時間の間、パターニング化合物の溶液と接触させた状態で維持される。そのような時間は経験的に決定することができる。一般に、約３０秒間から約３分間で十分である。好ましくは、チップは溶液に複数回浸漬し、チップは浸漬ごとに乾燥させる。選択溶液中にチップを浸漬するのに必要な回数は、経験的に決定することができる。好ましくは、チップは、任意の粒子を含まない（すなわち純粋な）不活性ガス（四フッ化炭素、１，２−ジクロロ−１，１，２，２−テトラフルオロエタン、ジクロロジフルオロメタン、オクタフルオロシクロブタン、トリクロロフルオロメタン、ジフルオロエタン、窒素、窒素、アルゴン又は脱湿空気）を吹き付けることによりチップ上で乾燥される。一般に、室温で該ガスを約１０秒間吹き付けると、チップの乾燥には十分である。浸漬（１回の浸漬又は複数回の浸漬の最後）の後、チップは基板にパターニングすべく濡れた状態で使用しても、又は使用の際に（好ましくは上述したように）乾燥させてもよい。乾燥したチップは低いが安定したパターニング化合物の移動速度を長期間与える（数週間のオーダー）が、濡れたチップは高いパターニング化合物の移動速度を短期間与える（約２〜３時間）。乾燥したチップは、乾燥条件下で良好な移動速度を有する化合物（Ｘ＝−ＣＨ３である先に列挙した化合物等）について好まれ、濡れたチップは、乾燥条件下で低い移動速度を有する化合物（Ｘ＝−ＣＯＯＨ）である先に列挙した化合物）について好まれる。
ＤＰＮを行うために、被覆したチップを基板と接触させる。パターニング化合物は毛管移動により基板に移動されるため、ＤＰＮにはパターニング化合物及び移動媒質が共に必要である（図１参照）。移動媒質は、チップと基板との間を架橋するメニスカスを形成する（図１参照）。従って、チップはこのメニスカスが生成するのに十分な程度に近い場合、基板と「接触している状態」にある。適当な移動媒質には、水、炭化水素（例えばヘキサン）、及び溶媒パターニング化合物を溶かすことができる溶媒（例えば溶媒チップの被覆に使用される溶媒）が挙げられる。パターニング化合物が最もよく溶ける移動媒質を用いることにより、チップによる速い書込が、達成される。
ＡＦＭ又は同様な装置を用いてパターンを書き込むのに、単一のチップを使用することが可能である。当該技術分野において周知のように、ＡＦＭでは一部のＳＴＭ及びＮＳＯＭチップしか使用できず、ＡＦＭで使用可能なＳＴＭ及びＮＳＯＭチップは市販されている。２又はそれより多くの異なるパターニング化合物を同じ基板に施して、第１のパターニング化合物で被覆された第１のチップを取外し、それを異なるパターニング化合物で被覆された別のチップと置き換えることにより、各種化合物の（同じか又は異なる）パターンを形成することができる。代わりに、同じか異なるパターニング化合物を用いて複数のパターン（同じパターン又は異なるパターン）を基板に書き込むために、複数のチップを単一の装置内で使用することもできる。例えば、複数の片持ちばり及び基板にパターニングするチップを備えた装置について説明した、米国特許第５，６６６，１９０号を参照されたい。
２つ又はそれより多いパターン及び／又は（同じか異なるパターンにおいて）２つ又はそれより多いパターニング化合物が１つの基板に施される場合、パターン及び／又はパターニング化合物を、互いに対して及び／又は選択した位置合わせマークに対して整列させるために、位置決め（位置合わせ）システムが使用される。例えば、２つ又はそれよりも多い位置合わせマークが、通常のＡＦＭイメージング法によりイメージングされ、ＤＰＮ又は（フォトリソグラフィ又は電子ビームリソグラフィ等の）他のリソグラフィにより、基板に施される。位置合わせマークは、十字架又は矩形等の簡単な形状であり得る。ＤＰＮを用いて位置合わせマークを作成することにより、優れた分解能が得られる。ＤＰＮを使用した場合、位置合わせマークは、好ましくは基板との強い共有結合を形成するパターニング化合物により形成される。金基板上に位置合わせマークを形成するための最良の化合物は、１６−メルカプトヘキサデカン酸である。好ましくは所望のパターンを形成するためのパターニング化合物で被覆されたＳＰＭチップを用いて、位置合わせマークは、通常のＡＦＭ法（側方力ＡＦＭイメージング、ＡＦＭ位相イメージング及び非接触型ＡＦＭイメージング等）によりイメージングされる。このため、位置合わせマークを形成するために使用するパターニング化合物は、所望のパターンを形成するために使用する予定の他のパターニング化合物と反応してはならず、後続のＤＰＮパターニングによって破壊されない。このイメージングデータを用いて、簡単なコンピュータプログラム（例えばMicrosoft Excel spreadsheet ）を用いて適当なパラメータ（位置及び方向）を算出することができ、そのような算出パラメータを用いて所望のパターンを基板に堆積することができる。システムは算出位置及び位置合わせマークに対する方向に基づいているため、位置合わせマークを用いて実質的に無限の数のパターン及び／又はパターニング化合物を配置することができる。最良の結果を得るために、使用するＳＰＭチップ位置決めシステムは安定であるべきであり、ドリフトの問題を有すべきではない。このような基準に適合するＡＦＭ位置決めシステムの１つは、Park Scientific より入手可能な１００マイクロメートル圧電性チューブスキャナである。これは、ナノメートルスケールの分解能での安定な位置決めを提供する。
ＤＰＮは、基板に隣接して複数の異なるパターニング化合物とリンス溶液を収容した一連のマイクロメートルスケールのウェルを備えることにより、ナノプロッター形式に使用することも可能である。チップは、チップを被覆するパターニング化合物を収容しているウェルに浸漬することが可能であり、被覆されたチップは、基板にパターンを施すために使用される。次にチップは、チップを１つのリンスウェル又は一連の複数のリンスウェルに浸漬することによりリンスされる。リンスされたチップは別のウェルに浸漬されて第２のパターニング化合物で被覆され、後に第２のパターニング化合物を用いて基板にパターンを施すために使用される。パターンは上述のパラグラフに記載したように整列される。パターニング化合物によりチップを被覆するプロセス、該パターニング化合物により基板にパターンを施すプロセス、及びチップをリンスするプロセスは、望ましい回数繰り返すことができ、プロセス全体を適切なソフトウェアを用いて自動化することができる。
ＤＰＮは、ＤＰＮか他の方法によって基板に既に施してある第１のパターニング化合物に対して、第２のパターニング化合物を施すためにも使用することが可能である。第２のパターニング化合物は、第１のパターニング化合物と化学的に反応するか、そうでなければ第１のパターニング化合物と安定に結合（例えば２つの相補的な核酸鎖のハイブリッド形成）するように選択される。例えばデュボイス（Dubois）及びヌッツォ（Nuzzo ）、Annu. Rev. Phys. Chem., 43, 437-63 (1992) ; ヤン（Yan ）ら、Langmuir, 15,1208-1214（1999）; ラヒリ（Lahiri）ら、Langmuir, 15, 2055-2060 （1999）及びハック（Huck）ら、Langmuir, 15, 6862-6867 （1999）を参照されたい。基板に直接行われるＤＰＮに関して、第２のパターニング化合物は毛管移動（上述参照）によって第１のパターニング化合物まで移動されるため、第２のパターニング化合物及び移動媒質はいずれも必要である。第３、第４等のパターニング化合物も、第１のパターニング化合物や基板上に既に存在する他のパターニング化合物に施すことが可能である。さらに、複数層のパターニング化合物を形成するために、追加パターニング化合物を施すことが可能である。そのような追加パターニング化合物は、他のパターニング化合物と同じであっても異なっていてもよく、及び該複数層の各々は、他の層と同じであっても異なっていてもよく、１又は複数の異なるパターニング化合物より構成し得る。
さらに、ＤＰＮは、他のリソグラフィ技術と組み合わせて使用することが可能である。例えば、ＤＰＮは、上述の背景のセクションで論じたマイクロコンタクトプリンティング及び他のリソグラフィ技術と共に使用することが可能である。
いくつかのパラメータがＤＰＮの分解能に影響を及ぼすが、その最終的な分解能はいまだ明らかではない。第１に、紙のテクスチャが従来の書込の分解能を制御するように、基板の粒径がＤＰＮの分解能に大いに影響を及ぼす。以下の実施例１に示すように、ＤＰＮは、特定の金基板の上に幅３０ｎｍの線を作成するように使用される。この大きさは、金基板の平均粒径であり、この種の基板に関するＤＰＮの分解能の限界を示している。ケイ素等のより滑らかな（粒径の小さい）基板を用いるとより優れた分解能が得られると期待される。実際、別のより滑らかな金基板を使用すると、分解能が１５ｎｍまで増大した（実施例４を参照）。
次に、化学吸着、共有結合による取付及び自己集合は、すべて堆積後の分子の拡散を制限するようにはたらく。対照的に、水などの化合物は、基板に固定されず、分解能が乏しい準安定なパターンしか形成（パイナー（Piner ）ら、Langmuir, 13:6864(1997) ）しないので使用することができない。
第３に、チップと基板との接触時間と、従って走査速度とは、ＤＰＮの分解能に影響を及ぼす。走査速度が速く、トレースの数が小さいほど、線は細くなる。
第４に、パターニング化合物のチップから基板までの移動速度は、分解能に影響を及ぼす。例えば、移動媒質として水を使用すると、相対湿度がリソグラフィプロセスの分解能に影響を及ぼすことが見出された。例えば、３４％の相対湿度の環境で３０ｎｍ幅の線（図２Ｃ）が生じるには５分間が必要であるが、４２％の相対湿度の環境で１００ｎｍの線（図２Ｄ）が生じるには１．５時間が必要であった。チップと基板とを架橋する水のメニスカスの大きさは、相対湿度によって変わり（パイナー（Piner ）ら、Langmuir、13:6864(1997) ）、水のメニスカスの大きさが基板へのパターニング化合物の移動速度に影響を及ぼすことが知られている。さらに、濡れたチップを使用した場合、水のメニスカスは、移動媒質中の残留溶媒を含み、移動速度は溶媒の性質によっても影響を受ける。
第４に、パターニング化合物のチップから基板までの移動速度は、分解能に影響を及ぼす。例えば、移動媒質として水を使用すると、相対湿度がリソグラフィプロセスの分解能に影響を及ぼすことが見出された。例えば、３４％の相対湿度の環境で３０ｎｍ幅の線（図２Ｃ）が生じるには５分間が必要であるが、４２％の相対湿度の環境で１００ｎｍの線（図２Ｄ）が生じるには１．５時間が必要であった。チップと基板とを架橋する水のメニスカスの大きさは、相対湿度によって変わり（パイナー（Piner ）ら、Langmuir、13:6864(1997) ）、水のメニスカスの大きさが基板へのパターニング化合物の移動速度に影響を及ぼすことが知られている。さらに、濡れたチップを使用した場合、水のメニスカスは、移動媒質中の残留溶媒を含み、移動速度は溶媒の性質によっても影響を受ける。
第５に、チップの鋭利さもＤＰＮの分解能に影響を及ぼす。従って、鋭利なチップ（例えばチップを頻繁に変更し、チップを被覆する前にチップを洗浄し、鋭利な構造を（カーボンナノチューブ等の）チップ端部に取り付けることによる）を利用すると、良好な分解能が得られる。
要約すると、ＤＰＮは、電子ビームリソグラフィ等のずっと高価で精巧な競合のリソグラフィ法で達成される分解能に匹敵する分解能で分子をＳＰＭチップから基板へ移動する、簡単ではあるが強力な方法である。ＤＰＮはマイクロスケール及びナノスケールの構造を作成かつ機能的にするための有効なツールである。例えば、ＤＰＮは、マイクロセンサ、マイクロリアクタ、コンビナトリアルアレイ、マイクロメカニカルシステム、マイクロ分析システム、生物表面、生物材料、マイクロエレクトロニクス、マイクロ光学システム、及びナノエレクトロニックデバイスの製作に使用することが可能である。例えば、シャ（Xia ）とホワイトサイド（Whitesides）, Angew. Chem. lid. Ed., 37, 550-575(1998)を参照されたい。ＤＰＮは、従来のリソグラフィ法により作成されたナノスケール装置の詳細な機能化に特に有効である。リード（Reed）ら、Science, 278: 252 (1997); フェルドハイム（Feidheim）ら、Chem. Soc. Rev., 27:1(1998) を参照。
本発明は、ＤＰＮを行うためのキットも提供する。該キットは、１又は複数の基板と、１又は複数のＳＰＭチップとから成る。基板及びチップは上記に説明したものである。チップはパターニング化合物で被覆されてもされなくてもよい。チップが被覆されない場合、キットは１又は複数の容器を備え得る。各容器はパターニング化合物を収容している。パターニング化合物は上記に説明したものである。バイアル、チューブ、ジャー等の任意の適当な容器を使用することが可能である。キットは、上述したようにパターニング化合物のチップに対する物理吸着を高めるための薄い固体の粘着層を形成するための材料（チタン又はクロムの容器等）、パターニング化合物によりチップを被覆するのに有効な材料（パターニング化合物用の溶媒又は直接接触走査のための固体基板）、及び／又はＤＰＮ以外の方法（背景のセクション及び本明細書に引用した文献を参照のこと）によりリソグラフィを行うための材料をさらに含む。最後に、キットは、ＤＰＮ又は他の任意のリソグラフィ法を行うのに有効な、試薬、ビーカー、バイアル等の他の試薬及び品目を備えてもよい。
上述したように、ＡＦＭが空気中で行われた場合、チップと表面との間に水が凝縮し、チップが該表面を横切って走査されたときに水は毛細管により移動される。この充填された毛細管、及びそれに関連する毛管力は、ＡＦＭの操作を大いに妨げ、イメージングプロセスに実質的に影響を及ぼす。
非常に驚くべきことに、特定の疎水性化合物により被覆されたＡＦＭチップは、被覆されていないチップと比べて、ＡＦＭによる空気中での基板のイメージング能力を改良する能力を示すことが見出された。この理由は、疎水性分子が生成する水のメニスカスのサイズを減小させると共に、摩擦を有効に減小させるからである。結果として、空気中でのＡＦＭの分解能は被覆されたチップを用いると、被覆されていないチップを用いた場合と比べて増大する。従って、チップの疎水性分子での被覆が、ＡＦＭを空気中で行うためのＡＦＭチップの一般的な前処理として使用可能である。
ＡＦＭを空気中で行うためにＡＦＭチップを被覆するのに有効な疎水性化合物は、チップ表面上で均質かつ薄いコーティングを形成しなければならず、イメージングが行われている基板やチップと共有結合してはならず、基板よりもチップに強く結合しなければならず、ＡＦＭの操作温度で固体でなければならない。適当な疎水性化合物には、パターニング化合物がＡＦＭチップを被覆するために使用されないとすると、パターニング化合物として使用される上述の疎水性化合物が含まれる。ＡＦＭチップは、パターニング化合物に対応する基板をイメージングするか、又はパターニング化合物に対応する基板として有効な材料で形成されるか被覆されているＡＦＭチップを被覆するために使用される。大半の基板にとって好ましい疎水性化合物は、式Ｒ４ＮＨ２を有する化合物であり、式中、Ｒ４は式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎのアルキル又はアリルであり、ｎは０〜３０、好ましくは１０〜２０である（上述のパターニング化合物の議論を参照）。７４Ｆ（約２３．３℃）より低いＡＦＭ操作温度に対しては、１−ドデシルアミンが特に好ましい。
任意のＡＦＭチップを用いた空気中でのＡＦＭが、ＡＦＭチップを先のパラグラフで説明した疎水性化合物で被覆することにより改良される。適当なＡＦＭチップには、ＤＰＮ用に使用される上述のチップが含まれる。
ＡＦＭチップは種々の方法で疎水性化合物により被覆することが可能である。適当な方法には、上述の、ＤＰＮで使用するパターニング化合物によりＡＦＭチップを被覆するための方法が含まれる。好ましくは、ＡＦＭチップは、チップを被覆するのに十分な時間の間チップを疎水性化合物の溶液に単に浸漬し、次に被覆されたチップを不活性ガスで乾燥させるだけで、疎水性化合物により被覆される。これはすべてパターニング化合物によるチップの被覆に関して上述した通りである。
チップを被覆した後、ＡＦＭは、チップがあたかも被覆されていないのと同じ方法で行われる。ＡＦＭ手順の変更は、不要であることがわかっている。
実施例
実施例１：金基板上でのアルカンチオール類を用いた「つけペン」ナノリソグラフィー
実施例
実施例１：金基板上でのアルカンチオール類を用いた「つけペン」ナノリソグラフィー
１−オクタデカンチオール（ＯＤＴ）の金（Ａｕ）表面への移動は、広範囲に研究されてきた系である（バイン（Bain）ら., Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 28: 506 (1989); エー アルマン（A. Ulman）, An Introduction to Ultrathin Organic Films: From Langmuir-Blodgett to Self-Assembly (Academic Press, Boston, 1991); デュボイス（Dubois）ら, Annu. Rev. Phys. Chem., 43: 437 (1992); Bishop et al., Curr. Opin. Coll. Interf. Sci., 1: 127 (1996); アルヴェス（Alves ）, J. Am. Chem. Soc., 114: 1222 (1992) 参照）。表面に固定化されたこの中程度の空気安定性の分子を有するＡｕは、側方力顕微鏡検査（ＬＦＭ）によって容易に未改良Ａｕと区別することができる。
ＯＤＴで被覆したＡＦＭチップがサンプル表面と接触するようになると、つけペンとほぼ同様に、ＯＤＴが毛細管現象によってチップからサンプルに流れる（図１）。このプロセスについては、室温で雲母上に多結晶Ａｕ３００Åを熱的に蒸着させることで製造された薄膜基板上で従来のＡＦＭチップを用いて研究されている。実験はいずれも、パーク・サイエンティフィック（Park Scientific ）ＣＰ型ＡＦＭ装置を用いて行った。走査装置をガラス製隔離室内に封入し、相対湿度を湿度計を用いて測定した。湿度測定値はいずれも、±５％の絶対誤差を有する。片持ちばりを１分間ＯＤＴの飽和アセトニトリル溶液中に浸漬することで、窒化ケイ素チップ（Park Scientific, Microlever A ）をＯＤＴで被覆した。片持ちばりは圧縮ジフルオロエタンを吹きかけることで乾燥してから、使用に供した。
ＤＰＮプロセスの簡単な実証操作では、１μｍ×１μｍのＡｕ基板片を通過するような形で製造されたチップをラスター走査した（図２Ａ）。相対的に大きい領域（３μｍ×３μｍ）内でのこのセクションのＬＦＭ像は、コントラストの異なる２つの領域を示していた（図２Ａ）。内側の暗色領域すなわち側方力の相対的に小さい領域はＯＤＴの堆積単層であり、外側の比較的明るい領域は露出したＡｕである。
前記堆積プロセスを、Ａｕ薄膜基板を３００℃で３時間アニールすることで製造したＡｕ（１１１）／雲母で行った場合に、高品質の自己集合単層膜（ＳＡＭ）が形成された（アルヴェス（Alves ）ら, J. Am. Chem. Soc., 114: 1222 (1992) ）。この場合、ＯＤＴ ＳＡＭの格子分解像を得ることができた（図２Ｂ）。六方格子パラメータ５．０±０．２ÅがＡｕ（１１１）上ＯＤＴのＳＡＭについての報告値と同等であり（Ｉｄ）、いずれかの他の吸着剤（水又はアセトニトリル）ではなくＯＤＴがチップから基板に移動したことを示している。
Ａｕ（１１１）／雲母について行った実験では、その実験で移動した化学種の化学的特定に関する重要なデータが得られたが、Ａｕ（１１１）／雲母はＤＰＮには優れた基板ではない。小さいＡｕ（１１１）面周囲の深い窪みのために、ナノメートル幅の長い（マイクロメートル）連続線を引くことが困難である。
アニールされていないＡｕ基板は比較的粗いが（根二乗平均粗度は約２ｎｍ）、ＤＰＮによって３０ｎｍの線を堆積することができた（図２Ｃ）。この距離は、薄膜基板の平均Ａｕ粒直径であり、この種の基板上でのＤＰＮの分解能の限界を表す。この種の基板上に形成された３０ｎｍの分子に基づく線は不連続であり、Ａｕ粒縁部に沿ったものであった。線幅を１００ｎｍまで増加させることで（図２Ｄ）、あるいは恐らくはより滑らかなＡｕ基板を用いることで、より滑らかでより連続的な線を描くことができた。線幅は、チップ走査速度及びチップから基板へのアルカンチオールの移動速度（その移動速度は相対湿度によって変化し得る）によって決まる。走査速度が大きく、トレース数が小さいほど線が狭くなる。
さらにＤＰＮを用いて分子ドット模様を形成して、「インク」の拡散特性を示した（図３Ａ及び３Ｂ）。ＯＤＴ被覆チップを所定の期間にわたってＡｕ基板と接触させた（設定点＝１ｎＮ）。例えば、チップを２分、４分及び１６分にわたって表面と接触した状態に保持することで、それぞれ直径０．６６μｍ、０．８８μｍ及び１．６μｍのＯＤＴドットを形成した（図３Ａで左から右）。ドットの均質に見えるのは、チップから表面へと全ての方向でＯＤＴ流が均等であることを反映していると考えられる。同様にしてアルカンチオール誘導体である１６−メルカプトヘキサデカン酸のドットを堆積させることで、反対コントラストの像が得られた（図３Ｂ）。これによって、分子がチップから表面へ移動していることを示すさらなる証拠が得られるだけでなく、ＤＰＮが分子的に汎用性であることがわかる。
個々の線やドット以外に、列や格子を形成することができた。横方向に動かさずに相対湿度４５％で２０秒間にわたってＯＤＴ被覆チップを表面（１ｎＭ）と接触した状態で保持して各ドットを形成することにより、０．５４μｍ間隔で分離した直径０．４６μｍのＯＤＴドット２５個の列（図３Ｃ）を形成した。１．５分間にわたり１ｎＮの力で４μｍ／秒の走査速度でＡｕ表面上にＤＯＴ被覆チップを掃引することで各線を形成することによって、長さ２μｍ及び幅１００ｎｍの８本の交差する線からなる格子（図３Ｄ）を形成した。
実施例２：「つけペン」ナノリソグラフィー
ＤＰＮでは、非常に多くの化合物及び基板がうまく利用されている。それらを、化合物及び基板の組合せについて可能な用途とともに以下の表１に示してある。
ＤＰＮでは、非常に多くの化合物及び基板がうまく利用されている。それらを、化合物及び基板の組合せについて可能な用途とともに以下の表１に示してある。
ＡＦＭチップ（Park Scientific ）を用いた。チップは、ケイ素チップ、窒化ケイ素チップ及びパターニング化合物の物理吸着を高めるための１０ｎｍチタン層で被覆した窒化ケイ素チップとした。窒化ケイ素チップは、ホランドの著作（Holland, Vacuum Deposition Of Thin Films, Wiley, New York, NY, 1956 ）に記載の真空蒸着によってチタンで被覆した。留意すべき点として、チタンによる窒化ケイ素チップのコーティングによってチップが丸くなり、ＤＰＮの分解能は低くなった。しかしながら、チタン被覆チップは、水をパターニング化合物用の溶媒として用いる場合に有用である。未コーティング窒化ケイ素チップを用いて行ったＤＰＮで最高の分解能が得られた（約１０ｎｍという低い値）。
表１に列記した金属薄膜基板は、ホランドの著作（Holland, Vacuum Deposition Of Thin Films, Wiley, New York, NY, 1956 ）に記載の真空蒸着によって製造した。半導体基板は購入した（Electronic Materials, Inc.、Silicon Quest, Inc. 、MEMS Technology Applications Center, Inc. 又はCrystal Specialties, Inc. ）。
表１に挙げたパターニング化合物は、アルドリッチケミカル社（Aldrich Chemical Co.）から入手した。表１に挙げた溶媒は、フィッシャーサイエンティフィック社（Fisher Scientific ）から入手した。
ＡＦＭチップは、蒸着又は直接接触走査によって、実施例１に記載の方法（パターニング化合物溶液中への浸漬とそれに続く不活性ガスによる乾燥）に従ってパターニング化合物によって被覆した。実施例１の方法によって最も良好な結果が得られた。さらに、チップを複数回浸漬・乾燥することでさらに結果が改善された。
チップのコーティングは、シャーマンの著作（Sherman, Chemical Vapor Deposition For Microelectronics: Principles, Technology And Applications, Noyes, Park Ridges, NJ, 1987）に記載の蒸着によって行った。すなわち、純粋な形体のパターニング化合物（固体又は液体、溶媒なし）を、密閉室中で固体基板（例：ガラス又は窒化ケイ素；Fisher Scientific 又はMEMS Technology Application Centerから入手）上に載せた。空気によって酸化する化合物の場合、真空チャンバ又は窒素充填チャンバを用いた。ＡＦＭチップはパターニング化合物から約１〜２０ｃｍの位置に配置し、その距離は材料の量及び密閉室の設計によって決めた。次に、化合物をそれが蒸発する温度まで加熱することで、チップをその化合物で被覆した。例えば、１−オクタデカンチオールは６０℃で蒸着させることができる。蒸着によるチップのコーティングによって、チップ上にパターニング化合物の薄く均質な層が生じ、ＤＰＮに関して非常に信頼性の高い結果が得られた。
パターニング化合物の飽和溶液１滴を固体基板（例：ガラス又は窒化ケイ素；Fisher Scientific 又はMEMS Technology Application Centerから入手）上に堆積させることによる直接接触走査によってチップのコーティングを行った。乾燥すると、パターニング化合物が基板上に微結晶相を形成した。ＡＦＭチップ上にパターニング化合物を付着させるために、その微結晶相を横切るようにチップを繰り返し走査させた（走査速度約５Ｈｚ）。この方法は簡単であったが、基板からチップに移動するパターニング化合物の量を制御することが困難であったことから、チップへの付着は最良のものとはならなかった。
パークサイエンティフィックＡＦＭＣＰ型走査速度５〜１０Ｈｚを用いて、実施例１に記載の方法に従ってＤＰＮを行った。走査時間は１０秒〜５分間の範囲とした。形成したパターンには、格子、ドット、文字及び矩形などがあった。格子線及び文字を形成している線の幅は１５ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲であり、個々のドットの直径は１２ｎｍ〜５μｍの範囲であった。
上記のように、ＡＦＭを空気中で動作させる場合、チップと表面の間に水が凝縮し、それがチップで表面走査する際に毛細管によって移動する（パイナー（Piner ）ら, Langmuir 13, 6864-6868 (1997) ）。特に、それが毛細管を満たし、特に側方力モードで操作すると、それに関連する毛管力がＡＦＭの操作をかなり妨害する（ノイ（Noy ）ら, J. Am. Chem. Soc., 117, 7943-7951 (1995); ウィルバー（Wilbur）, Langmuir 11, 825-831 (1995) ）。空気中では毛管力が、チップとサンプルの間の化学的結合力の１０倍となる場合がある。従って毛管力は、サンプルの構造と像形成プロセスにかなり影響を与え得るものである。さらに悪いことに、この効果の大きさは、チップ及びサンプルの相対疎水性、相対湿度及び走査速度などの多くの変数によって決まる。そのため多くのグループが、その効果をより均質で再現性のあるものとすることができる溶液セルで作業することを選択している（フリスビー（Frisbie ）ら,Science 265, 2071-2074 (1994); ノイ（Noy ）ら, Langmuir 14, 1508-151 (1998)）。しかしながらそれによってＡＦＭの用途が非常に限定され、像形成される材料の構造に溶媒が影響を与える可能性がある（ヴェゼノツ（Vezenov ）ら, J. Am. Chem. Soc., 119, 2006-2015 (1997)）。従って、毛細管効果を低下又は排除しながら空気中で像形成が行えるようにする他の方法が望ましいと考えられる。
本実施例は、そのような１方法について説明するものである。この方法では、１−ドデシルアミンの物理吸着層を有する窒化ケイ素ＡＦＭの改良を行う。そのようなチップによって、毛管力を大幅に低下させ、特に軟質材料を用いてより高い分解能を得ることにより、空気中でＬＦＭを行う能力が高まる。
本実施例で提供されるデータはいずれも、合体ＡＦＭ／ＬＦＭヘッドを有するパークサイエンティフィックＣＰ型ＡＦＭを用いて得たものである。片持ちばり（型番号ＭＬＣＴ−ＡＵＮＭ）はパークサイエンティフィックから入手したものであり、金コーティングマイクロレバー、窒化ケイ素チップ、片持ちばりＡ、バネ定数＝０．０５Ｎ／ｍという規格のものであった。ＡＦＭは、乾燥窒素パージラインで改良されているパーク（Park）振動隔離室で取り付けた。さらに、隔離室内に置いた電子湿度計を用いて、湿度測定を行った（１２〜１００％の範囲で±５％）。ムスコバイトグリーン（Muscovite green ）雲母をテッドペラ社（Ted Pella, Inc. ）から入手した。フィッシャー（Fisher）からソーダ石灰ガラス製顕微鏡用スライドグラスを入手した。直径０．２３±０．００２μｍのポリスチレン製球をポリサイエンシズ社（Polysciences）から購入し、ケイ素上のＳｉ３Ｎ４をＭＣＮＣ ＭＥＭＳテクノロジーアプリケーションズセンター（MCNC MEMS Technology Applications Center）から入手した。１−ドデシルアミン（９９＋％）はアルドリッチケミカル社から購入し、それ以上の精製は行わなかった。アセトニトリル（A.C.S.用）はフィッシャーサイエンティフィックインスツルーメント社（Fisher Scientific Instruments, Inc. ）から購入した。
１−ドデシルアミンによるＡＦＭチップの２種類のコーティング方法を検討した。第１の方法では、１−ドデシルアミンでエタノール又はアセトニトリルを飽和させ、次にその溶液１滴をガラス基板上に堆積させた。乾燥することで、１−ドデシルアミンがガラス基板上に微結晶相を形成した。ＡＦＭチップ上に１−ドデシルアミンを付着させるために、その微結晶相を横切るようにチップを繰り返し走査させた（走査速度約５Ｈｚ）。この方法は簡単であったが、基板からチップに移動する１−ドデシルアミンの量を制御することが困難であったことから、チップへの付着は最良のものとはならなかった。
それより優れた方法は、溶液からＡＦＭ片持ちばりへのドデシルアミンの直接移動であった。この方法では、ＡＦＭ片持ちばりとチップをアセトニトリルに数分間に浸漬させることで、チップ上の残留汚染物を除去した。次に、チップを約５ｍＭの１−ドデシルアミン／アセトニトリル溶液に約３０秒間浸漬した。次に、チップに圧縮フレオン（商標）を吹きかけることで乾燥させた。この手順を数回繰り返すことで一般に最良の結果が得られた。１−ドデシルアミンは、窒化ケイ素チップ上に化学吸着ではなく物理吸着する。実際にドデシルアミンは、バルクの窒化ケイ素の場合のように、アセトニトリルでチップから洗い流すことができる（ブノワ（Benoit）ら, Microbeam and Nanobeam Analysis, Springer Verlag (1996) ）。このようにチップを改良することで、以下に記載のいくつかの実験によって明らかなように、大気中水分の凝縮による毛細管効果が大幅に軽減された。
最初に、ＡＦＭの側方力検出器に直接接続されたデジタルオシロスコープを用いて、時間の関数としての側方力出力を記録した。この実験では、チップを右から左に走査した場合と比較して、左から右に走査した場合には摩擦力の方向が変わった。従ってＬＦＭ検出器の出力は、チップ走査方向が変わる都度に極性が切り替わった。１以上のＡＦＭラスター走査が記録されたら、検出器の出力は方形波の形であった（図４Ａ〜Ｂ）。方形波の高さは、サンプル上でのチップの滑り摩擦に正比例することから、ほぼ同じ走査条件及び環境条件下で方形波の高さを比較することで、未改良チップ及びガラス基板の間と改良チップ及びガラス製基板の間で摩擦力を比較することができる。チップ／サンプル摩擦力は、未改良チップより改良チップの方が少なくとも３倍小さかった。この実験を雲母基板についても繰り返し、同様の摩擦低下が認められた。概して、このような方法及び上記条件下で測定された摩擦低下は改良チップで１／３〜１／１０強の範囲であり、基板及び相対湿度のような環境条件によって決まるものであった。
この実験ではＡＦＭチップを１−ドデシルアミン処理することで摩擦が低下することが明らかになったが、水及び毛管力が重要な要素であることは実証されなかった。別の実験で、水の毛細管移動に対する１−ドデシルアミンコーティングの効果を調べた。未改良チップの関与する水移動の詳細については別の文献で考察されている（パイナー（Piner ）ら., Langmuir 13, 6864-6868 (1997)）。ＡＦＭチップをサンプルを横切るように走査したところ、毛管作用によって水がサンプルに移動した（図５Ａ）。数分間にわたって面積４μｍ×５μｍのソーダガラス基板を走査した後、水の連続層（adlayers）が基板上に堆積し、走査サイズを大きくすることでＬＦＭによって像形成された。水が堆積している低摩擦領域は、非ペイント領域より暗く見えた（図５Ａ）。１−ドデシルアミンで被覆したチップを用いて行った同じ実験では、実質的な水移動を示す証拠は示されなかった（図５Ｂ）。実際、摩擦のランダムな変動が観察されたのみであった。
これらの実験から、チップを１−ドデシルアミンでコーティングすることで、摩擦を低下させることができ、毛細管作用によるチップから基板への水の移動を阻害することができることが明らかになったが、改良チップの分解能についてのデータは得られなかった。雲母はこの問題を評価する上で優れた基板であり、実際に、改良チップを用いて格子分解像をルーチン的に得ることができるようになり、その改良手順によってチップの鈍化を起こすことなく摩擦力を低下させることができることが示された（図６Ａ）。像形成に関与したチップ部分が露出していたか、それの上に１−ドデシルアミン層があったかを確認することはできなかった。実際、むき出しのＳｉ３Ｎ４が露出したチップのこの部分から１−ドデシルアミン層が物理的に剥離していた可能性がある。いずれにしても、接触箇所周囲の毛細管の水による充填が阻害されて、毛細管効果が低下したことから、チップの残りの部分にはドデシルアミンの疎水性層があったはずである（上記参照）。
ＡＦＭの原子規模の像形成能力はチップ上の１−ドデシルアミンコーティングによって悪影響を受けなかったが、上記の実験では、比較的大きい規模での形態関係データを得るためのチップ好適性に関する有用な情報は得られなかった。そのような情報を得るため、単分散で直径０．２３μｍのラテックス球体のサンプルを、改良及び未改良の両方のチップを用いて像形成した。ＡＦＭが記録する地形はチップ形状とサンプル形状の合成であることから、チップ形状の変化は、ラテックス球の像形成地形の変化に反映される。未改良及び改良チップで得られた像には検出可能な差は認められなかった（図７Ａ〜Ｂ）。そのことは、金属コーティングが蒸着した場合のようには、チップ形状に大幅な変化がなかったことを示している。さらに、１−ドデシルアミンコーティングがチップ表面全体にわたってかなり均質であり、原子規模での像形成に悪影響を与えない程度に鋭かったことが示唆される。
重要な問題は、柔軟材料の像形成における改良チップの性能に関するものである。化学修飾チップが露出チップと比較して改善された性能を示すか否かを決定することは困難であるのが普通である。それは、化学修飾が多くの場合不可逆プロセスであって、場合によっては介在層の堆積が必要であるためである。しかしながら、本明細書に報告の改良プロセスは１−ドデシルアミンの物理吸着モデルに基づいたものであったことから、改良前、改良後、ならびにチップ洗浄と１−ドデシルアミン除去後におけるチップの性能を比較することができた。定性的には１−ドデシルアミン改良チップは常に、各種基板上に堆積したアルカンチオール類及び有機結晶に基づいた単層の像形成においてかなりの改善をもたらした。例えば、Ａｕ（１１１）表面上の１１−メルカプト−１−ウンデカノールの親水性自己集合単層膜の格子分解像が改良チップを用いてルーチン的に得られた（図６Ｂ）。この格子は同じ未改良ＡＦＭチップを用いては解像できなかった。この表面上で、被覆チップは、方形波解析によって５倍以上の摩擦低下を示した（上記参照）。留意すべき点として、ＯＨ末端ＳＡＭが親水性であることから、清浄チップへの強い毛管引力を有する。改良チップによって毛管引力を低下させることで、格子の像形成を行うことができる。
分解能向上の第２の例では、雲母上に凝縮した水などの自立（free-standing ）液体表面の像形成を行った。３０〜４０％の湿度では、水は雲母上で２つの別個の相を有することが知られている（フ（Hu）ら, Science 268, 267-269 (1995) ）。このグループによる過去の研究では、非接触型走査分極力顕微鏡（ＳＰＦＭ）を用いて、これらの相の像形成を行っている。プローブチップが雲母と接触するようになると、強力な毛管力によって水がチップを濡らし、雲母上の水凝集塊を大きく外乱することが認められている。毛管効果を低下させてこれら２相の水の像形成ができるようにするために、チップを表面から約２０ｎｍ離した状態としていた。この制約のために、接触モードプローブ走査法ではそのような相の像形成を行うことができない。図６Ｃ〜Ｄには、接触モードで１−ドデシルアミン改良チップを用いて湿度３０％で記録した雲母上の水の２相の像を示してある。特徴の高さ（図６Ｃ）は、摩擦マップに相当するものであり（図６Ｄ）、特徴が高いほど摩擦が低い。チップにおける１−ドデシルアミン層の均質性と相関していると考えられている改良チップの性質が重要であった。十分に改良されたチップによってのみ、水の２相の像形成が可能であり、改良が不十分であると品質の低い像が得られている。実際にそれは感度の高い試験であって、他のサンプルに進む前の１−ドデシルアミン改良チップの品質を示す診断指標として用いることができた。
結論として、本実施例は、非常に簡単であるが極めて有用なＳｉ３Ｎ４ＡＦＭチップを疎水性とする方法について説明するものである。この改良法によって、毛管力が低下し、空気中でのＡＦＭの性能が向上する。有意義な点として、それによってＡＦＭチップの形状に悪影響はなく、固体支持体上のＳＡＭ及び更には自立水などの柔軟材料などの親水性基板の格子分解像を得ることができる。空気中でそのような情報を得ることができるようにする方法の開発は、溶液セルによって毛管力の効果を低下させることができるが、柔軟材料の構造が溶媒によって大きく影響を受け得ることから、極めて重要である（ヴェゼノフ（Vezenov ）ら, J. Am. Soc., 119, 2006-2015 (1997)）。最後に、最初に金属層でＡＦＭチップをコーティングし、次にその金属層を疎水性の化学吸着有機単層で誘導体化することで、そのチップをさらに疎水性とすることができると考えられるが、同時にＡＦＭチップの鈍化を招くことなくそれを行うことは困難である。
実施例４：多成分「つけペン」ナノリソグラフィー
化学的に異なる複数の材料から構成されるナノスケールリソグラフィー形成パターンを位置合わせできないことは、固体ナノエレクトロニクス及び分子に基づくエレクトロニクスの両方の発達を制限する問題である（リード（Reed）ら, Science 278, 252 (1997);フェルドハイム（Feldheim）ら, Chem. Soc. Rev, 27, 1 (1998)）。この問題の主要な理由は、多くのリソグラフィー法が、１）マスキング法又はスタンピング法に依存し、２）レジスト層を利用し、３）重大な熱ドリフトの問題を受け、４）光学的なパターン位置合わせに依存するというものである（キャンプベル（Campbell）, The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication (Oxford Press);チョウ（Chou）ら, Appl. Phys. Lett. 67, 3114 (1995);ワン（Wang）ら, Appl. Phys. Lett. 70, 1593 (1997);ジャックマン（Jackman ）ら, Science 269, 664 (1995);キム（Kim ）ら, Nature 376, 581 (1995); ショアー（Schoer）ら, Langmuir 13, 2323 (1997); ヘラン（Whelan）, Appl. Phys. Lett. 69, 4245 (1996);ヨウキン（Younkin ）ら, Appl. Phys. Lett., 71, 1261 (1997); ボトムレイ（Bottomley ）, Anal. Chem., 70, 425R (1998); ニフィネガー（Nyffenegger ）とペナー（Penner）, Chem. Rev. 97, 1195 (1997); バーグレン（Berggren）ら, Science 269, 1255 (1995); ゾンタグ−ユエソースト（Sondag-Huethorst）ら, Appl. Phys. Lett. 64, 285 (1994); ショーアー（Schoer）とクルックス（Crooks）, Langmuir 13, 2323 (1997); スー（Xu）とリュウ（Liu ）, Langmuir 13, 127 (1997);パーキンス（Perkins ）ら, Appl. Phys. Lett. 68, 550 (1996); カール（Carr）ら, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1446 (1997);スギムラ（Sugimura）ら, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1223 (1996);コメダ（Komeda）ら, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1680 (1998);ミュラ（Muller） et al., J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2846 (1995); 及びキム（Kim ）とエム リーバー（M. Lieber ）, Science 257, 375 (1992) ）。
化学的に異なる複数の材料から構成されるナノスケールリソグラフィー形成パターンを位置合わせできないことは、固体ナノエレクトロニクス及び分子に基づくエレクトロニクスの両方の発達を制限する問題である（リード（Reed）ら, Science 278, 252 (1997);フェルドハイム（Feldheim）ら, Chem. Soc. Rev, 27, 1 (1998)）。この問題の主要な理由は、多くのリソグラフィー法が、１）マスキング法又はスタンピング法に依存し、２）レジスト層を利用し、３）重大な熱ドリフトの問題を受け、４）光学的なパターン位置合わせに依存するというものである（キャンプベル（Campbell）, The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication (Oxford Press);チョウ（Chou）ら, Appl. Phys. Lett. 67, 3114 (1995);ワン（Wang）ら, Appl. Phys. Lett. 70, 1593 (1997);ジャックマン（Jackman ）ら, Science 269, 664 (1995);キム（Kim ）ら, Nature 376, 581 (1995); ショアー（Schoer）ら, Langmuir 13, 2323 (1997); ヘラン（Whelan）, Appl. Phys. Lett. 69, 4245 (1996);ヨウキン（Younkin ）ら, Appl. Phys. Lett., 71, 1261 (1997); ボトムレイ（Bottomley ）, Anal. Chem., 70, 425R (1998); ニフィネガー（Nyffenegger ）とペナー（Penner）, Chem. Rev. 97, 1195 (1997); バーグレン（Berggren）ら, Science 269, 1255 (1995); ゾンタグ−ユエソースト（Sondag-Huethorst）ら, Appl. Phys. Lett. 64, 285 (1994); ショーアー（Schoer）とクルックス（Crooks）, Langmuir 13, 2323 (1997); スー（Xu）とリュウ（Liu ）, Langmuir 13, 127 (1997);パーキンス（Perkins ）ら, Appl. Phys. Lett. 68, 550 (1996); カール（Carr）ら, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1446 (1997);スギムラ（Sugimura）ら, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1223 (1996);コメダ（Komeda）ら, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1680 (1998);ミュラ（Muller） et al., J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2846 (1995); 及びキム（Kim ）とエム リーバー（M. Lieber ）, Science 257, 375 (1992) ）。
特徴の大きさに関しては、レジストに基づく光学的方法によって、>１００ｎｍの線幅及び空間解像レジームで柔軟又は固体状態の多くの材料を再現性良くパターニングできるが、電子ビームリソグラフィー法では１０〜２００ｎｍスケールでパターニングすることができる。ソフトリソグラフィーの場合、電子ビームリソグラフィーと光学法のいずれもが、レジスト層及び成分分子によるエッチング領域の埋め戻しに基づくものである。この間接パターニング法は、形成される構造の化学的純度を低下させ、パターニング可能な材料の種類を限定するものである。さらに、複数材料をリソグラフィーでパターニングする場合には、これらの方法で用いられる光学的パターン位置合わせ法では、その空間分解能が約１００ｎｍに限定される。
本実施例は、ＤＰＮによる複数成分ナノ構造の形成について説明するものであり、２種類の異なる柔軟材料のパターンを、この方法によってほぼ完全な位置合わせで、任意の形態で１０ｎｍという空間分解能にて形成することができることを示すものである。この結果、分子に基づくエレクトロニクスに関心を有する技術者が、相互及び従来の巨視的にアドレス可能なマイクロエレクトロニクス回路を有する柔軟な構造を、形成、位置合わせ及びインターフェースすることができるよう、多くの達成方法が開かれるはずである。
別段の断りがない限り、ＤＰＮは、従来の装置（Parkin Scientific CP AFM）及び片持ちばり（Park Scientific Microlever A）を用いて原子的に平坦なＡｕ（１１１）基板上で行った。原子的に平坦なＡｕ（１１１）基板は、１枚の雲母を減圧下に１２時間１２０℃で加熱して水分を除去し、次に減圧下に２２０℃で雲母表面上に金３０ｎｍを熱的に蒸着させることで製造した。原子的に平坦なＡｕ（１１１）基板を用いると、幅１５ｎｍの先を堆積することができる。ピエゾ管ドリフトの問題を防止するため、全ての実験において閉ループ走査制御を有する１００μｍ走査装置（Park Scientific ）を用いた。チップへのパターニング化合物のコーティングは、実施例１に記載の方法に従って（溶液中への浸漬）又は蒸着（液体及び低融点固体の場合）によって行った。蒸着は、パターニング化合物（ＯＤＴ）の上方１ｃｍに、１００ｍＬ反応容器に入った窒化ケイ素製片持ちばりを懸垂させることで行った。系を閉鎖し、６０℃で２０分間加熱し、放冷して室温としてから、被覆されたチップを用いた。溶液中浸漬又は蒸着によるコーティングの前後におけるチップのＳＥＭ分析により、パターニング化合物がチップを均質にコーティングしていることが明らかになった。チップ上の均質コーティングにより、制御された形で基板上にパターニング化合物を堆積させ、高品質の像を得ることができる。
ＤＰＮによって、ナノ構造の形成に用いられるものと同じ道具を用いてナノ構造の像形成を行うことができることから、優れた整合（registry）で各種の柔軟材料製のナノ構造が形成されるという、有望な見込みがあった。ＤＰＮにより整合させて複数のパターンを形成する基本的考え方は、位置合わせマークに基づく電子ビームリソグラフィーによる複数成分構造形成に類似の戦略に関係する。しかしながらＤＰＮ法には、レジストや位置合わせマーク配置のための光学的方法を使用しないという点で、２つの明瞭な利点がある。例えばＤＰＮを用いると、ＭＨＡ−被覆チップを１０秒間にわたってＡｕ（１１１）表面と接触した状態に保持することで（０．１ｎＮ）、Ａｕ（１１１）面基板（原子的に平坦なＡｕ（１１１）基板に関して前述したものと同じ方法で製造）上に直径１５ｎｍの１，１６−メルカプトヘキサデカン酸（ＭＨＡ）の自己集合型単層膜（ＳＡＭ）ドットを形成することができる（図９Ａ参照）。走査サイズを大きくすることで、側方力顕微鏡検査（ＬＦＭ）によって、同じチップを用いてパターニングされたドットの像が形成される。ＳＡＭと露出した金は非常に異なった濡れ特性を有することから、ＬＦＭは優れたコントラストを提供する（ウィルバー（Wilbur）ら, Langmuir 11, 825 (1995) ）。第１のパターンの位置に基づいて、別のパターンの座標を決定することができ（図９Ｂ）、それによってＭＨＡドットの第２のパターンを正確に配置することができる。留意すべき点として、ドットが均質であり（図９Ａ）、第２のパターンに関しての第１のパターンの最大位置ずれは１０ｎｍ未満である（図９Ｃの右上縁部参照）。図９Ａのデータ取得と図９Ｃのデータ取得との間の経過時間は１０分間であり、環境に対して適切な制御を行ってＤＰＮを用いることで、環境条件下で１０ｎｍより良好な空間及びパターン配置分解能で有機単層のパターニングを行うことが可能であることが示された。
複数のパターニング化合物を用いるこのパターニング方法では、上記の実験に対してさらに別の改良が必要であった。ＭＨＡ ＳＡＭドットパターンをパターニング化合物で被覆したチップを用いて像形成したため、像形成時に少量の検出不可能なパターニング化合物が堆積した可能性がある。それによって、ＤＰＮの用途の一部、特に分子に基づく構造についての電子的測定を扱う用途に、重大な影響があると考えられる。この問題を克服すべく、ＭＨＡ被覆チップを用いて描いたマイクロメートルスケールの位置合わせマーク（図１０Ａの十字）を用いて、Ａｕ基板上の清浄領域にナノ構造を正確に配置した。代表的な実験では、ＭＨＡから構成され１９０ｎｍ間隔で離間した、５０ｎｍの平行線の初期パターンを作製した（図１０Ａ参照）。このパターンは、外部位置合わせマークから２μｍ離れていた。留意すべき点として、パターニング領域の汚染を回避するために、これらの線の像を得ることはしなかった。次に、ＭＨＡ被覆チップをＯＤＴ被覆チップに交換した。このチップを用いて位置合わせマークを配置し、位置合わせマークの位置に基づいて予め計算した座標（図１０Ｂ）を用いて、第２の５０ｎｍ平行ＯＤＴ ＳＡＭ線セットで基板をパターニングした（図１０Ｃ参照）。そのような線は、互いに組み合わされた様式で配置され、ＭＨＡ ＳＡＭ線の最初のセットとほぼ完全に整合していることに留意すべきである（図１０Ｃ）。
ＤＰＮには「上書き」と称される固有の能力がある。上書きでは、１種類のパターニング化合物から１つの柔軟構造を形成し、次に元のナノ構造を通るラスター走査によって、第２の種類のパターニング化合物で満たす。複数パターニング化合物、高い整合及び中等度に広い面積でのＤＰＮの上書き能力を示すことを目的としたさらに別の概念証明実験として、ＭＨＡ被覆チップを用いて、幅１００ｎｍの線で３種類の幾何構造（三角形、正方形、５角形）を形成した。次にチップをＯＤＴ被覆チップに代え、最初のナノ構造を含む１０μｍ×８．５μｍ領域を、基板を通過する２０回のラスター走査によってＯＤＴ被覆チップで上書きした（接触力約０．１ｎＮ）（図１１の暗色領域）。これらの実験では水を移動媒質として用いたこと、ならびにこれらの実験で用いたパターニング化合物の水への溶解度が非常に低いことから、ナノ構造形成に用いた分子と露出した金上への上書きに用いたものとの間に、検出可能な交換は実質的に存在しなかった（図１１参照）。
要約すると、ＤＰＮの高分解能の複数パターニング化合物の整合能力が明らかになった。原子的に平坦なＡｕ（１１１）表面上に、１０ｎｍより良好な空間分解能で、１５ｎｍのパターンを形成した。非晶質金などの粗表面上であっても、柔軟材料のパターニングのための従来のフォトリソグラフィー法や電子ビームリソグラフィー法よりも空間分解能は良好であった。
Claims (45)
- ナノリソグラフィ法であって、
基板を提供する工程と、
走査プローブ顕微鏡チップを提供する工程と、
チップをパターニング化合物で被覆する工程と、
パターニング化合物を基板に施すことにより所望のパターンを生成すべく、被覆されたチップを基板と接触させる工程と
から成る方法。 - 基板が金であり、パターニング化合物がタンパク質又はペプチドであるか、もしくは式Ｒ１ＳＨ、Ｒ１ＳＳＲ２、Ｒ１ＳＲ２、Ｒ１ＳＯ２Ｈ、（Ｒ１）３Ｐ、Ｒ１ＮＣ、Ｒ１ＣＮ、（Ｒ１）３Ｎ、Ｒ１ＣＯＯＨ、又はＡｒＳＨを有し、式中、
Ｒ１及びＲ２は各々式Ｘ（ＣＨ２）ｎを有し、化合物がＲ１及びＲ２の両方と置換された場合、Ｒ１及びＲ２は同じであっても異なってもよく、
ｎは０〜３０であり、
Ａｒはアリルであり、
Ｘは−ＣＨ３、−ＣＨＣＨ３、−ＣＯＯＨ、−ＣＯ２（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、エチレングリコール、ヘキサ（エチレングリコール）、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、ハロゲン、グルコース、マルトース、フラーレンＣ６０、核酸、タンパク質、又はリガンドであり、
ｍは０〜３０である、請求項１に記載の方法。 - パターニング化合物が式Ｒ１ＳＨ又はＡｒＳＨを有する、請求項２に記載の方法。
- パターニング化合物が、プロパンジチオール、ヘキサンジチオール、オクタンジチオール、ｎ−ヘキサデカンチオール、ｎ−オクタデカンチオール、ｎ−ドコサンチオール、１１−メルカプト−１−ウンデカノール、１６−メルカプト−１−ヘキサデカン酸、α，α’−ｐ−キシリルジチオール、４，４’−ビフェニルジチオール、テルフェニルジチオール、又はＤＮＡ−アルカンチオールである、請求項３に記載の方法。
- 基板がアルミニウム、ガリウム砒素又は二酸化チタンであり、パターニング化合物が、式Ｒ１ＳＨを有し、式中、
Ｒ１はＸ（ＣＨ２）ｎであり、
ｎは０〜３０であり、
Ｘは−ＣＨ３、−ＣＨＣＨ３、−ＣＯＯＨ、−ＣＯ２（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、エチレングリコール、ヘキサ（エチレングリコール）、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、ハロゲン、グルコース、マルトース、フラーレンＣ６０、核酸、タンパク質、又はリガンドであり、
ｍは０〜３０である、請求項１に記載の方法。 - パターニング化合物が、２−メルカプト酢酸又はｎ−オクタデカンチオールである、請求項５に記載の方法。
- 基板が二酸化ケイ素であり、パターニング化合物がタンパク質又はペプチドであるか、もしくは式Ｒ１ＳＨ又はＲ１ＳｉＣｌ３を有し、式中、
Ｒ１はＸ（ＣＨ２）ｎであり、
ｎは０〜３０であり、
Ｘは−ＣＨ３、−ＣＨＣＨ３、−ＣＯＯＨ、−ＣＯ２（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、エチレングリコール、ヘキサ（エチレングリコール）、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、ハロゲン、グルコース、マルトース、フラーレンＣ６０、核酸、タンパク質、又はリガンドであり、
ｍは０〜３０である、請求項１に記載の方法。 - パターニング化合物が、１６−メルカプト−１−ヘキサデカン酸、オクタデシルトリクロロシラン、又は３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシランである、請求項７に記載の方法。
- チップをパターニング化合物の溶液と１又は複数回接触させることによりチップがパターニング化合物により被覆される、請求項１に記載の方法。
- チップをパターニング化合物の溶液から取り出すたびごとにチップを乾燥させ、乾燥させたチップを基板と接触させて所望のパターンを生成する工程をさらに含む請求項９に記載の方法。
- チップを最終回以外はパターニング化合物の溶液から取り出すたびごとにチップを乾燥させ、所望のパターンを生成するためにチップを基板と接触させるときにはチップはまだ濡れた状態である工程をさらに含む、請求項９に記載の方法。
- 基板にパターンを施すのに使用した後でチップをリンスする工程と、
チップを異なるパターニング化合物で被覆する工程と、
被覆されたチップを基板と接触させて、パターニング化合物を基板に施すことにより所望のパターンを生成する工程と
から成る請求項９に記載の方法。 - リンスする工程、被覆する工程、及び接触させる工程が、所望のパターンを生成するのに必要とされるのと同じ数の多くの異なるパターニング化合物を用いて繰り返される、請求項１２に記載の方法。
- あるパターンを他のパターンに対して整列させる位置決めシステムを提供する工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
- 複数のチップが提供される、請求項１に記載の方法。
- 複数のチップの各々を同じパターニング化合物と接触させる、請求項１５に記載の方法。
- 複数のチップを複数のパターニング化合物と接触させる、請求項１５に記載の方法。
- 各チップが他のチップと同じパターンを生成する、請求項１５に記載の方法。
- あるパターンを他のパターンに対して整列させる位置決めシステムを提供する工程をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
- 少なくとも１つのチップが、他のチップにより生成されるパターンとは異なるパターンを生成する、請求項１５に記載の方法。
- あるパターンを他のパターンに対して整列させる位置決めシステムを提供する工程をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
- チップは第１のパターニング化合物で被覆され、基板にすでに施された一部又はすべての第２のパターニング化合物に対して第１のパターニング化合物を施すために使用され、第２のパターニング化合物は第１のパターニング化合物と反応するか第１のパターニング化合物と安定に結合することが可能である、請求項１に記載の方法。
- チップをパターニング化合物で被覆する前に、パターニング化合物の物理吸着を高めるためにチップを処理する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
- パターニング化合物の物理吸着を高めるために、チップが薄い固体粘着層により被覆される、請求項２３に記載の方法。
- 薄い固体粘着層を形成するために、チップがチタン又はクロムにより被覆される、請求項２４に記載の方法。
- パターニング化合物は水溶液であり、チップはパターニング化合物の物理吸着を高めるために親水性となるように処理される、請求項２３に記載の方法。
- チップが原子間力顕微鏡チップである請求項１乃至２６のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項１乃至２６のいずれか一項に記載の方法によりパターニングされた基板。
- ナノリソグラフィ用のキットであって、
基板と、
走査プローブ顕微鏡チップと
から成るキット。 - チップが原子間力顕微鏡チップである、請求項２９に記載のキット。
- 複数のチップを備える、請求項２９又は３０に記載のキット。
- １又は複数の容器をさらに備え、各容器がパターニング化合物を収容している、請求項２９に記載のキット。
- 基板が金であり、パターニング化合物がタンパク質又はペプチドであるか、もしくは式Ｒ１ＳＨ、Ｒ１ＳＳＲ２、Ｒ１ＳＲ２、Ｒ１ＳＯ２Ｈ、（Ｒ１）３Ｐ、Ｒ１ＮＣ、Ｒ１ＣＮ、（Ｒ１）３Ｎ、Ｒ１ＣＯＯＨ、又はＡｒＳＨを有し、式中、
Ｒ１及びＲ２は各々式Ｘ（ＣＨ２）ｎを有し、化合物がＲ１及びＲ２の両方と置換された場合、Ｒ１及びＲ２は同じであっても異なってもよく、
ｎは０〜３０であり、
Ａｒはアリルであり、
Ｘは−ＣＨ３、−ＣＨＣＨ３、−ＣＯＯＨ、−ＣＯ２（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、エチレングリコール、ヘキサ（エチレングリコール）、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、ハロゲン、グルコース、マルトース、フラーレンＣ６０、核酸、タンパク質、又はリガンドであり、
ｍは０〜３０である、請求項３２に記載のキット。 - パターニング化合物が式Ｒ１ＳＨ又はＡｒＳＨを有する、請求項３３に記載のキット。
- パターニング化合物が、プロパンジチオール、ヘキサンジチオール、オクタンジチオール、ｎ−ヘキサデカンチオール、ｎ−オクタデカンチオール、ｎ−ドコサンチオール、１１−メルカプト−１−ウンデカノール、１６−メルカプト−１−ヘキサデカン酸、α，α’−ｐ−キシリルジチオール、４，４’−ビフェニルジチオール、テルフェニルジチオール、又はＤＮＡ−アルカンチオールである、請求項３４に記載のキット。
- 基板がアルミニウム、ガリウム砒素又は二酸化チタンであり、パターニング化合物が、式Ｒ１ＳＨを有し、式中、
Ｒ１はＸ（ＣＨ２）ｎであり、
ｎは０〜３０であり、
Ｘは−ＣＨ３、−ＣＨＣＨ３、−ＣＯＯＨ、−ＣＯ２（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、エチレングリコール、ヘキサ（エチレングリコール）、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、ハロゲン、グルコース、マルトース、フラーレンＣ６０、核酸、タンパク質、又はリガンドであり、
ｍは０〜３０である、請求項３２に記載のキット。 - パターニング化合物が、２−メルカプト酢酸又はｎ−オクタデカンチオールである、請求項３６に記載のキット。
- 基板が二酸化ケイ素であり、パターニング化合物がタンパク質又はペプチドであるか、もしくは式Ｒ１ＳＨ又はＲ１ＳｉＣｌ３を有し、式中、
Ｒ１はＸ（ＣＨ２）ｎであり、
ｎは０〜３０であり、
Ｘは−ＣＨ３、−ＣＨＣＨ３、−ＣＯＯＨ、−ＣＯ２（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＯＨ、−ＣＨ２ＯＨ、エチレングリコール、ヘキサ（エチレングリコール）、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＣＨ３、−ＮＨ２、−ＮＨ（ＣＨ２）ｍＮＨ２、ハロゲン、グルコース、マルトース、フラーレンＣ６０、核酸、タンパク質、又はリガンドであり、
ｍは０〜３０である、請求項３２に記載のキット。 - パターニング化合物が、１６−メルカプト−１−ヘキサデカン酸、オクタデシルトリクロロシラン、又は３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシランである、請求項３８に記載のキット。
- 空気中で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）イメージングを行うための方法であって、
ＡＦＭチップを提供する工程と、
ＡＦＭチップを疎水性化合物と接触させて、ＡＦＭチップが疎水性化合物により被覆されるようにする工程であって、疎水性化合物は、被覆されたＡＦＭチップを用いて空気中で行われたＡＦＭイメージングが被覆していない同じＡＦＭチップを用いて行われたＡＦＭイメージングと比較して改良されるように選択される工程と、
被覆されたチップを用いて空気中でＡＦＭイメージングを行う工程と
から成る方法。 - 疎水性化合物は式Ｒ４ＮＨ２を有し、
Ｒ４は式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎのアルキル又はアリルであり、
ｎは０〜３０である、請求項４０に記載の方法。 - 疎水性化合物が１−ドデシルアミンである、請求項４１に記載の方法。
- 疎水性化合物で被覆された原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）チップであって、疎水性化合物は、被覆されたＡＦＭチップを用いて行われたＡＦＭイメージングが被覆していない同じＡＦＭチップを用いて行われたＡＦＭイメージングと比較して改良されるように選択される、チップ。
- 式Ｒ４ＮＨ２を有する疎水性化合物で被覆され、式中、
Ｒ４は式ＣＨ３（ＣＨ２）ｎのアルキル又はアリルであり、
ｎは０〜３０である、請求項４３に記載のチップ。 - １−ドデシルアミンにより被覆された、請求項４４に記載のチップ。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10821594B2 (en) | 2013-10-29 | 2020-11-03 | Black & Decker Inc. | Power tool with ergonomic handgrip |
Families Citing this family (145)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2318175A1 (en) | 1998-02-04 | 1999-08-12 | Invitrogen Corporation | Microarrays and uses therefor |
| US6576478B1 (en) * | 1998-07-14 | 2003-06-10 | Zyomyx, Inc. | Microdevices for high-throughput screening of biomolecules |
| US6897073B2 (en) * | 1998-07-14 | 2005-05-24 | Zyomyx, Inc. | Non-specific binding resistant protein arrays and methods for making the same |
| US6635311B1 (en) * | 1999-01-07 | 2003-10-21 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or products thereby |
| US6827979B2 (en) * | 1999-01-07 | 2004-12-07 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or produced thereby |
| US20020122873A1 (en) * | 2000-01-05 | 2002-09-05 | Mirkin Chad A. | Nanolithography methods and products therefor and produced thereby |
| US6573369B2 (en) | 1999-05-21 | 2003-06-03 | Bioforce Nanosciences, Inc. | Method and apparatus for solid state molecular analysis |
| US20030073250A1 (en) * | 1999-05-21 | 2003-04-17 | Eric Henderson | Method and apparatus for solid state molecular analysis |
| US20020042081A1 (en) | 2000-10-10 | 2002-04-11 | Eric Henderson | Evaluating binding affinities by force stratification and force panning |
| US6897015B2 (en) | 2000-03-07 | 2005-05-24 | Bioforce Nanosciences, Inc. | Device and method of use for detection and characterization of pathogens and biological materials |
| CN1654956A (zh) | 2000-05-04 | 2005-08-17 | 耶鲁大学 | 用于筛选蛋白活性的高密度蛋白阵列 |
| JP2004538443A (ja) * | 2000-08-15 | 2004-12-24 | バイオフォース ナノサイエンシズ インコーポレイテッド | ナノスケール分子配列装置 |
| US7887885B2 (en) | 2000-10-20 | 2011-02-15 | Northwestern University | Nanolithography methods and products therefor and produced thereby |
| JP3544353B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2004-07-21 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 金属カルコゲナイド超微粒子の作製方法 |
| WO2003001633A2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-01-03 | Northwestern University | Method and device utilizing driving force to deliver deposition compound |
| US6817293B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-11-16 | Dainippon Printing Co., Ltd. | Patterning method with micro-contact printing and its printed product |
| US7053173B2 (en) * | 2001-04-17 | 2006-05-30 | Japan Science And Technology Agency | Polymercaptopolyphenyl and process for preparation thereof |
| US6642129B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-11-04 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Parallel, individually addressable probes for nanolithography |
| US7042488B2 (en) | 2001-09-27 | 2006-05-09 | Fujinon Corporation | Electronic endoscope for highlighting blood vessel |
| AU2002337793A1 (en) * | 2001-10-02 | 2003-05-12 | Northwestern University | Protein and peptide nanoarrays |
| US7361310B1 (en) * | 2001-11-30 | 2008-04-22 | Northwestern University | Direct write nanolithographic deposition of nucleic acids from nanoscopic tips |
| AU2002360446A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-17 | Northwestern University | Direct write nanolithographic deposition of nucleic acids from nanoscopic tips |
| TWI287170B (en) * | 2001-12-17 | 2007-09-21 | Univ Northwestern | Patterning of solid state features by direct write nanolithographic printing |
| US6972155B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-12-06 | North Carolina State University | Gradient fabrication to direct transport on a surface |
| US7998528B2 (en) * | 2002-02-14 | 2011-08-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for direct fabrication of nanostructures |
| AU2003211027A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-13 | Nanoink, Inc. | Method and apparatus for aligning patterns on a substrate |
| US7102656B2 (en) | 2002-05-21 | 2006-09-05 | Northwestern University | Electrostatically driven lithography |
| AU2003300257A1 (en) * | 2002-05-21 | 2004-05-04 | Northwestern University | Peptide and protein arrays and direct-write lithographic printing of peptides and proteins |
| US20050239193A1 (en) * | 2002-05-30 | 2005-10-27 | Bioforce Nanosciences, Inc. | Device and method of use for detection and characterization of microorganisms and microparticles |
| AU2003228259A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-25 | Nanoink, Inc. | Protosubstrates |
| US7098056B2 (en) * | 2002-08-09 | 2006-08-29 | Nanoink, Inc. | Apparatus, materials, and methods for fabrication and catalysis |
| US7005378B2 (en) * | 2002-08-26 | 2006-02-28 | Nanoink, Inc. | Processes for fabricating conductive patterns using nanolithography as a patterning tool |
| US8071168B2 (en) * | 2002-08-26 | 2011-12-06 | Nanoink, Inc. | Micrometric direct-write methods for patterning conductive material and applications to flat panel display repair |
| US7223438B2 (en) * | 2002-09-17 | 2007-05-29 | Northwestern University | Patterning magnetic nanostructures |
| US7491422B2 (en) * | 2002-10-21 | 2009-02-17 | Nanoink, Inc. | Direct-write nanolithography method of transporting ink with an elastomeric polymer coated nanoscopic tip to form a structure having internal hollows on a substrate |
| EP1556737B1 (en) * | 2002-10-21 | 2008-12-31 | Nanoink, Inc. | Methods for fabrication of nanometer-scale engineered structures for mask repair application |
| AU2003287618A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-03 | Nanoink, Inc. | Methods and apparatus for ink delivery to nanolithographic probe systems |
| WO2004049403A2 (en) * | 2002-11-22 | 2004-06-10 | Florida State University | Depositing nanowires on a substrate |
| WO2004060044A2 (en) * | 2003-01-02 | 2004-07-22 | Bioforce Nanosciences, Inc. | Method and apparatus for molecular analysis in small sample volumes |
| US7321012B2 (en) | 2003-02-28 | 2008-01-22 | The University Of Connecticut | Method of crosslinking intrinsically conductive polymers or intrinsically conductive polymer precursors and the articles obtained therefrom |
| US7217396B2 (en) * | 2003-05-05 | 2007-05-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microfabricated micro fluid channels |
| US20040228962A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-18 | Chang Liu | Scanning probe microscopy probe and method for scanning probe contact printing |
| EP1855861A4 (en) | 2003-07-18 | 2010-12-01 | Univ Northwestern | SURFACE POLYMERIZATION AND SITE SPECIFICATION BY DIRECT ENGRAVING LITHOGRAPHY |
| EP1660403B1 (en) * | 2003-08-20 | 2018-10-10 | Qucor Pty Ltd | Fabricating nanoscale and atomic scale devices |
| AU2004286305A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Applied Medical Resources Corporation | Surface treatments and modifications using nanostructure materials |
| JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
| US20050112505A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Huang Wen C. | Field-assisted micro- and nano-fabrication method |
| CN1654230B (zh) * | 2004-02-10 | 2010-05-12 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 以动态组合模式“蘸笔”纳米刻蚀技术制造纳米图形的方法 |
| US20080138927A1 (en) * | 2004-03-11 | 2008-06-12 | The University Of Vermont And State Agricultural College | Systems and Methods for Fabricating Crystalline Thin Structures Using Meniscal Growth Techniques |
| WO2005089415A2 (en) * | 2004-03-23 | 2005-09-29 | The Regents Of The University Of California | Stabilization of self-assembled monolayers |
| US8235302B2 (en) * | 2004-04-20 | 2012-08-07 | Nanolnk, Inc. | Identification features |
| JP2007535681A (ja) * | 2004-04-30 | 2007-12-06 | バイオフォース・ナノサイエンシィズ・インコーポレーテッド | 物質を表面上に堆積させるための方法と装置 |
| JP4444734B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 微細パターン形成装置 |
| US20050282308A1 (en) * | 2004-06-22 | 2005-12-22 | Albrecht Uhlig | Organic electroluminescent display device and method of producing the same |
| US7253409B2 (en) * | 2004-07-20 | 2007-08-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Electrochemical nano-patterning using ionic conductors |
| US20060242740A1 (en) * | 2004-08-11 | 2006-10-26 | California Institute Of Technology | Method and device for surfactant activated Dip-Pen Nanolithography |
| DE602005024312D1 (de) * | 2004-08-18 | 2010-12-02 | Us Gov Navy Naval Res Lab | Wärmesteuerung der ablagerung in dpn (dip-pen-nanolithography) |
| US7541062B2 (en) * | 2004-08-18 | 2009-06-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Thermal control of deposition in dip pen nanolithography |
| US8261662B1 (en) | 2004-11-08 | 2012-09-11 | Nanolnk, Inc. | Active pen nanolithography |
| DE502005003509D1 (de) * | 2004-11-19 | 2008-05-08 | Ebm Papst St Georgen Gmbh & Co | Anordnung mit einem luefter und einer pumpe |
| US20100294147A1 (en) * | 2004-12-20 | 2010-11-25 | Nanoink, Inc. | Apparatus and methods for preparing identification features including pharmaceutical applications |
| US20100297027A1 (en) * | 2004-12-20 | 2010-11-25 | Nanolnk, Inc. | Overt authentication features for compositions and objects and methods of fabrication and verification thereof |
| KR100656998B1 (ko) * | 2005-02-01 | 2006-12-13 | 엘지전자 주식회사 | 딥펜을 이용한 유기 박막 트랜지스터 소자 제작방법 |
| US7323699B2 (en) | 2005-02-02 | 2008-01-29 | Rave, Llc | Apparatus and method for modifying an object |
| US20060222869A1 (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-05 | Yuguang Cai | Electropen lithography |
| KR101205937B1 (ko) * | 2005-04-12 | 2012-11-28 | 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 나노 콘택트 프린팅 |
| US8057857B2 (en) * | 2005-07-06 | 2011-11-15 | Northwestern University | Phase separation in patterned structures |
| US8512946B2 (en) | 2005-08-10 | 2013-08-20 | Northwestern University | Composite particles |
| EP1755137A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-21 | University of Teheran | A method of forming a carbon nanotube emitter, carbon nanotube emitter with applications in nano-printing and use thereof |
| KR20080046690A (ko) * | 2005-08-31 | 2008-05-27 | 노쓰웨스턴 유니버시티 | 단일 바이러스 입자의 나노어레이, 그의 제조 및 사용을위한 방법 및 기기 |
| US20100294927A1 (en) * | 2005-09-12 | 2010-11-25 | Nanolnk, Inc. | High throughput inspecting |
| US7586583B2 (en) | 2005-09-15 | 2009-09-08 | Franklin Mark Schellenberg | Nanolithography system |
| US7281419B2 (en) * | 2005-09-21 | 2007-10-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Multifunctional probe array system |
| US7473912B2 (en) * | 2005-11-09 | 2009-01-06 | Yang Xiao Charles | Method and apparatus for patterning micro and nano structures using a mask-less process |
| US7511510B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-03-31 | International Business Machines Corporation | Nanoscale fault isolation and measurement system |
| US8220317B2 (en) * | 2006-04-19 | 2012-07-17 | Northwestern University | Massively parallel lithography with two-dimensional pen arrays |
| US8192794B2 (en) * | 2006-04-19 | 2012-06-05 | Northwestern University | Massively parallel lithography with two-dimensional pen arrays |
| JP2009542448A (ja) | 2006-06-28 | 2009-12-03 | ノースウエスタン ユニバーシティ | エッチングおよびホールアレイ |
| DE102006033332A1 (de) | 2006-07-19 | 2008-01-31 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Verfahren zum Aufbringen von Membranlipiden auf ein Substrat |
| US8256017B2 (en) * | 2006-08-31 | 2012-08-28 | Nanoink, Inc. | Using optical deflection of cantilevers for alignment |
| CN101003357B (zh) * | 2007-01-12 | 2011-01-19 | 哈尔滨工业大学 | 基于原子力显微镜恒力模式的纳米微小结构加工方法 |
| US7680553B2 (en) | 2007-03-08 | 2010-03-16 | Smp Logic Systems Llc | Methods of interfacing nanomaterials for the monitoring and execution of pharmaceutical manufacturing processes |
| CA2678943A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Nanoink, Inc. | Nanolithography with use of viewports |
| WO2008118399A1 (en) | 2007-03-26 | 2008-10-02 | University Of Pittsburgh - Of The Commonwealth System Of Higher Education | Ultrahigh density patterning of conducting media |
| US20080242559A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Northwestern University | Protein and peptide arrays |
| AU2008251612A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Nanoink, Inc. | Compact nanofabrication apparatus |
| US8318508B2 (en) * | 2007-06-20 | 2012-11-27 | Northwestern University | Patterning with compositions comprising lipid |
| US20090004231A1 (en) | 2007-06-30 | 2009-01-01 | Popp Shane M | Pharmaceutical dosage forms fabricated with nanomaterials for quality monitoring |
| AU2008284284A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Northwestern University | Independently-addressable, self-correcting inking for cantilever arrays |
| CA2701889A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Nanoink, Inc. | Lithography of nanoparticle based inks |
| US7829735B2 (en) * | 2007-10-26 | 2010-11-09 | Northwestern University | Universal phosphoramidite for preparation of modified biomolecules and surfaces |
| US20100297228A1 (en) * | 2007-10-29 | 2010-11-25 | Nanolnk, Inc. | Universal coating for imprinting identification features |
| KR20100101573A (ko) * | 2007-11-26 | 2010-09-17 | 나노잉크, 인크. | 피봇 구동식 캔틸레버 |
| AU2009210719A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Nanoink, Inc. | Array and cantilever array leveling |
| US8068328B2 (en) * | 2008-03-12 | 2011-11-29 | Intel Corporation | Nanolithographic method of manufacturing an embedded passive device for a microelectronic application, and microelectronic device containing same |
| CN102037407B (zh) | 2008-04-25 | 2014-01-01 | 西北大学 | 聚合物笔平版印刷术 |
| WO2010011398A2 (en) * | 2008-05-13 | 2010-01-28 | Northwestern University | Scanning probe epitaxy |
| US8632964B2 (en) * | 2008-05-30 | 2014-01-21 | University Of Strathclyde | Detection system |
| GB0812789D0 (en) * | 2008-07-12 | 2008-08-20 | Univ Liverpool | Materials and methods for cell growth |
| US7917966B2 (en) * | 2008-08-21 | 2011-03-29 | Snu R&Db Foundation | Aligned nanostructures on a tip |
| US8070929B2 (en) * | 2008-08-21 | 2011-12-06 | Snu R&Db Foundation | Catalyst particles on a tip |
| US20100143666A1 (en) * | 2008-11-20 | 2010-06-10 | Northwestern University | Redox activated patterning |
| WO2010085767A1 (en) | 2009-01-26 | 2010-07-29 | Nanoink. Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including controlled tip loading vapor deposition |
| US8214916B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-03 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including leveling with use of bright spots |
| AU2010206595A1 (en) | 2009-01-26 | 2011-07-28 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including substrate temperature control |
| EP2389614A1 (en) | 2009-01-26 | 2011-11-30 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including homogeneous substrates |
| AU2010236563A1 (en) * | 2009-04-14 | 2011-09-22 | Nanoink, Inc. | Conducting lines, nanoparticles, inks, and patterning |
| KR20120013984A (ko) * | 2009-04-24 | 2012-02-15 | 노오쓰웨스턴 유니버시티 | 폴리머 펜 리소그래피에 의해 제조된 멀티플렉스 바이오분자 어레이 |
| DE102009019717A1 (de) | 2009-05-05 | 2010-11-11 | Karlsruher Institut für Technologie | Verfahren und Verwendung eines optischen Gitters zum Nachweis des Vorhandenseins von Molekülen |
| JP2012532342A (ja) | 2009-06-30 | 2012-12-13 | ナノインク インコーポレーティッド | フォトマスクの修復方法 |
| CA2768140A1 (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Nanoink, Inc. | Methods for forming hydrogels on surfaces and articles formed thereby |
| CA2763640A1 (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Nanoink, Inc. | Leveling devices and methods |
| WO2011014845A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Nanoink, Inc. | Screening system to identify patterns on substrate surfaces for inducing stem cell differentiation and producing homogenous population of a desired cell type |
| EP2507668A2 (en) * | 2009-12-02 | 2012-10-10 | Northwestern University | Block copolymer-assisted nanolithography |
| US8753813B2 (en) | 2009-12-07 | 2014-06-17 | Northwestern University | Generation of combinatorial patterns by deliberate tilting of a polymer-pen array |
| US8745761B2 (en) * | 2009-12-07 | 2014-06-03 | Northwestern University | Force feedback leveling of tip arrays for nanolithography |
| KR20130058684A (ko) | 2010-04-14 | 2013-06-04 | 나노잉크, 인크. | 피착을 위한 개선된 캔틸레버 |
| AU2011242804A1 (en) | 2010-04-20 | 2012-11-08 | Nanoink, Inc. | Functionalizing biosensors using a multiplexed dip pen array |
| TW201209707A (en) | 2010-04-27 | 2012-03-01 | Nanoink Inc | Force curve analysis method for planar object leveling |
| KR20130111198A (ko) | 2010-08-24 | 2013-10-10 | 나노잉크, 인크. | 레벨링 장치 및 방법 |
| DE202010013706U1 (de) | 2010-09-28 | 2011-03-24 | NANOINK, INC., Skokie | Einrichtung zur Nivellierung |
| US20120088694A1 (en) | 2010-10-07 | 2012-04-12 | Nanoink, Inc. | Cell assay methods and articles |
| WO2012061314A1 (en) | 2010-11-01 | 2012-05-10 | Nanoink, Inc. | High-throughput slide processing apparatus |
| TW201236760A (en) | 2010-11-01 | 2012-09-16 | Nanoink Inc | High-throughput assay methods and articles |
| TW201250845A (en) | 2011-05-17 | 2012-12-16 | Nanoink Inc | High density, hard tip arrays |
| WO2012166794A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Nanoink, Inc. | Patterning and cellular co-culture |
| KR101345337B1 (ko) * | 2011-06-13 | 2013-12-30 | 한국생명공학연구원 | 원자간력 현미경（ａｆｍ）을 이용한 딥-펜 나노리소그래피에서의 단일 또는 다중팁을 이용한 나노포지셔닝 기판 제조장치 및 제조방법 |
| US20130090253A1 (en) | 2011-09-23 | 2013-04-11 | Nanoink, Inc. | Accurate quantitation of biomarkers in samples |
| WO2013059670A2 (en) | 2011-10-21 | 2013-04-25 | Nanoink, Inc. | Octahedral and pyramid-on-post tips for microscopy and lithography |
| WO2013067395A2 (en) | 2011-11-04 | 2013-05-10 | Nanoink, Inc. | Method and apparatus for improving ink deposition |
| US8740209B2 (en) * | 2012-02-22 | 2014-06-03 | Expresslo Llc | Method and apparatus for ex-situ lift-out specimen preparation |
| CN102698679B (zh) * | 2012-06-26 | 2014-04-16 | 南京航空航天大学 | 纳米物质操控方法 |
| CN102880010A (zh) * | 2012-09-05 | 2013-01-16 | 中国科学院光电技术研究所 | 基于金属—介质—探针结构的表面等离子体超衍射光刻方法 |
| WO2014140047A2 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Micronic Mydata AB | Method and device for writing photomasks with reduced mura errors |
| CN105143987B (zh) | 2013-03-12 | 2017-10-20 | 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 | 机械制造的对准基准方法和对准系统 |
| US9622483B2 (en) | 2014-02-19 | 2017-04-18 | Corning Incorporated | Antimicrobial glass compositions, glasses and polymeric articles incorporating the same |
| KR101597025B1 (ko) * | 2014-04-23 | 2016-03-07 | 한양대학교 산학협력단 | 3차원 미세구조를 가지는 생체유기물 구조체의 제조방법 및 생체유기물 구조체, 이를 응용한 센서와 액츄에이터 시스템 |
| CN104495744A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-08 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 一种直接在疏水基底上实施蘸笔纳米刻蚀技术的方法 |
| US11309174B2 (en) * | 2016-11-18 | 2022-04-19 | Shimadzu Corporation | Ionization method, ionization device, imaging spectrometry method, and imaging spectrometer |
| US11162192B2 (en) | 2017-12-01 | 2021-11-02 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Materials and methods relating to single molecule arrays |
| CN108535516A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-09-14 | 多氟多（焦作）新能源科技有限公司 | 一种利用原子力显微镜测量极片表面sei膜厚度的方法 |
| RU182469U1 (ru) * | 2018-02-12 | 2018-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Сканирующий зонд атомно-силового микроскопа с разделяемым телеуправляемым нанокомпозитным излучающим элементом на основе квантовых точек и магнитных наночастиц структуры ядро-оболочка |
| RU182711U1 (ru) * | 2018-02-26 | 2018-08-29 | Акционерное общество "ЛОМО" | Оптическая система оптико-электронного координатора |
| ES2684851B2 (es) * | 2018-07-27 | 2019-06-19 | Univ Madrid Politecnica | Metodo para obtener puntas sensoras de microscopia de fuerza atomica funcionalizadas mediante silanizacion por vapor activado, y las puntas obtenidas por dicho metodo |
| CN109765407B (zh) * | 2019-01-10 | 2020-03-17 | 西安交通大学 | 一种基于一维纳米材料的大长径比探针制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04241238A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-28 | Hitachi Ltd | 表面原子加工方法及び装置、並びに表面原子記録・検出方法 |
| JPH06260128A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Jeol Ltd | 試料表面加工用チップ |
| JPH0822796A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Res Dev Corp Of Japan | 探針被覆原子移動方法 |
| JPH09128787A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体再生装置とその再生方法及び光情報記録媒体 |
Family Cites Families (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4479831A (en) | 1980-09-15 | 1984-10-30 | Burroughs Corporation | Method of making low resistance polysilicon gate transistors and low resistance interconnections therefor via gas deposited in-situ doped amorphous layer and heat-treatment |
| JPH0216404A (ja) | 1988-03-25 | 1990-01-19 | Canon Inc | 被覆プローブ電極 |
| US5221415A (en) | 1989-01-17 | 1993-06-22 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method of forming microfabricated cantilever stylus with integrated pyramidal tip |
| US5015323A (en) * | 1989-10-10 | 1991-05-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Multi-tipped field-emission tool for nanostructure fabrication |
| US5126574A (en) * | 1989-10-10 | 1992-06-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Microtip-controlled nanostructure fabrication and multi-tipped field-emission tool for parallel-process nanostructure fabrication |
| US5747334A (en) | 1990-02-15 | 1998-05-05 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Random peptide library |
| US5043578A (en) | 1990-04-05 | 1991-08-27 | International Business Machines Corporation | Writing atomic scale features with fine tip as source of deposited atoms |
| JPH05196458A (ja) | 1991-01-04 | 1993-08-06 | Univ Leland Stanford Jr | 原子力顕微鏡用ピエゾ抵抗性片持ばり構造体 |
| WO1992012528A1 (en) * | 1991-01-11 | 1992-07-23 | Hitachi Limited | Surface atom machining method and apparatus |
| JPH04355914A (ja) | 1991-02-06 | 1992-12-09 | Olympus Optical Co Ltd | リソグラフィー装置 |
| EP0511662B1 (en) | 1991-04-30 | 1996-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Scanning probe microscope, molecular processing method using the scanning probe microscope and DNA base arrangement detecting method |
| US5138174A (en) | 1991-07-16 | 1992-08-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Nanometer-scale structures and lithography |
| US5155361A (en) | 1991-07-26 | 1992-10-13 | The Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Potentiostatic preparation of molecular adsorbates for scanning probe microscopy |
| JPH0534144A (ja) | 1991-07-30 | 1993-02-09 | Toshiba Corp | 原子間力顕微鏡 |
| US5254854A (en) | 1991-11-04 | 1993-10-19 | At&T Bell Laboratories | Scanning microscope comprising force-sensing means and position-sensitive photodetector |
| GB9213423D0 (en) | 1992-06-24 | 1992-08-05 | Hitachi Europ Ltd | Nanofabricated structures |
| US5252835A (en) | 1992-07-17 | 1993-10-12 | President And Trustees Of Harvard College | Machining oxide thin-films with an atomic force microscope: pattern and object formation on the nanometer scale |
| US5372930A (en) | 1992-09-16 | 1994-12-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Sensor for ultra-low concentration molecular recognition |
| US5472881A (en) | 1992-11-12 | 1995-12-05 | University Of Utah Research Foundation | Thiol labeling of DNA for attachment to gold surfaces |
| US5345985A (en) * | 1993-02-16 | 1994-09-13 | Murphy Jeffrey W | Tree stump removal method and apparatus |
| US5354985A (en) | 1993-06-03 | 1994-10-11 | Stanford University | Near field scanning optical and force microscope including cantilever and optical waveguide |
| US5776748A (en) | 1993-10-04 | 1998-07-07 | President And Fellows Of Harvard College | Method of formation of microstamped patterns on plates for adhesion of cells and other biological materials, devices and uses therefor |
| US5618760A (en) | 1994-04-12 | 1997-04-08 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Method of etching a pattern on a substrate using a scanning probe microscope |
| US5666190A (en) | 1994-04-12 | 1997-09-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Method of performing lithography using cantilever array |
| US5517280A (en) | 1994-04-12 | 1996-05-14 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Photolithography system |
| US5742377A (en) | 1994-04-12 | 1998-04-21 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Cantilever for scanning probe microscope including piezoelectric element and method of using the same |
| US6353219B1 (en) | 1994-07-28 | 2002-03-05 | Victor B. Kley | Object inspection and/or modification system and method |
| US5985356A (en) | 1994-10-18 | 1999-11-16 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis of novel materials |
| US5712171A (en) | 1995-01-20 | 1998-01-27 | Arqule, Inc. | Method of generating a plurality of chemical compounds in a spatially arranged array |
| DE19504855A1 (de) | 1995-02-15 | 1996-08-22 | Basf Ag | Verfahren zur chemisch differenzierenden Abbildung mittels Rasterkraftmikroskopie |
| CA2217641A1 (en) | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Cytogen Corporation | Polypeptides having a functional domain of interest and methods of identifying and using same |
| US5630932A (en) | 1995-09-06 | 1997-05-20 | Molecular Imaging Corporation | Tip etching system and method for etching platinum-containing wire |
| US5874668A (en) | 1995-10-24 | 1999-02-23 | Arch Development Corporation | Atomic force microscope for biological specimens |
| CN1046174C (zh) * | 1996-08-16 | 1999-11-03 | 复旦大学 | 纳米宽度有机导线的制备方法 |
| KR100228398B1 (ko) | 1996-12-18 | 1999-11-01 | 정선종 | 레이저 어블레이션을 이용한 미세 건식식각장치 |
| US5922214A (en) | 1997-01-17 | 1999-07-13 | Wayne State University | Nanometer scale fabrication method to produce thin film nanostructures |
| CN1285001A (zh) | 1997-12-18 | 2001-02-21 | 塞普拉科有限公司 | 同时鉴定新型生物靶和用于药物开发的引导结构的方法 |
| US6576478B1 (en) | 1998-07-14 | 2003-06-10 | Zyomyx, Inc. | Microdevices for high-throughput screening of biomolecules |
| US6406921B1 (en) | 1998-07-14 | 2002-06-18 | Zyomyx, Incorporated | Protein arrays for high-throughput screening |
| EP1141375A4 (en) | 1998-12-14 | 2002-06-05 | Palatin Technologies Inc | COMBINATIONAL LIBRARIES OF METAL OPEPTIDES AND THEIR USE |
| US6827979B2 (en) | 1999-01-07 | 2004-12-07 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or produced thereby |
| US6635311B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-10-21 | Northwestern University | Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or products thereby |
| AU3223100A (en) | 1999-02-05 | 2000-08-25 | Alphagene, Inc. | Proteomic interaction arrays |
| US6181097B1 (en) | 1999-02-11 | 2001-01-30 | Institute Of Materials Research And Engineering | High precision three-dimensional alignment system for lithography, fabrication and inspection |
| US6270946B1 (en) | 1999-03-18 | 2001-08-07 | Luna Innovations, Inc. | Non-lithographic process for producing nanoscale features on a substrate |
| US20010044106A1 (en) | 1999-05-21 | 2001-11-22 | Eric Henderson | Method and apparatus for solid state molecular analysis |
| US6573369B2 (en) | 1999-05-21 | 2003-06-03 | Bioforce Nanosciences, Inc. | Method and apparatus for solid state molecular analysis |
| US6262426B1 (en) | 1999-10-27 | 2001-07-17 | S&F Technological Development And Solutions Partners | Technique and process for the imaging and formation of various devices and surfaces |
| US7291284B2 (en) * | 2000-05-26 | 2007-11-06 | Northwestern University | Fabrication of sub-50 nm solid-state nanostructures based on nanolithography |
| JP2004538443A (ja) | 2000-08-15 | 2004-12-24 | バイオフォース ナノサイエンシズ インコーポレイテッド | ナノスケール分子配列装置 |
| US7887885B2 (en) * | 2000-10-20 | 2011-02-15 | Northwestern University | Nanolithography methods and products therefor and produced thereby |
| US7361310B1 (en) * | 2001-11-30 | 2008-04-22 | Northwestern University | Direct write nanolithographic deposition of nucleic acids from nanoscopic tips |
| AU2003300257A1 (en) * | 2002-05-21 | 2004-05-04 | Northwestern University | Peptide and protein arrays and direct-write lithographic printing of peptides and proteins |
| EP1855861A4 (en) * | 2003-07-18 | 2010-12-01 | Univ Northwestern | SURFACE POLYMERIZATION AND SITE SPECIFICATION BY DIRECT ENGRAVING LITHOGRAPHY |
-
2000
- 2000-01-05 US US09/477,997 patent/US6635311B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 2000-01-07 JP JP2000592858A patent/JP3963650B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-07 WO PCT/US2000/000319 patent/WO2000041213A1/en active IP Right Grant
- 2000-01-07 CA CA2358215A patent/CA2358215C/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-07 AU AU33440/00A patent/AU778568B2/en not_active Ceased
- 2000-01-07 CN CN2006101389900A patent/CN101003355B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-21 TW TW089100167A patent/TW473767B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-06-02 US US10/449,685 patent/US7569252B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-11 JP JP2007103354A patent/JP2007276109A/ja active Pending
- 2007-10-31 US US11/933,275 patent/US8247032B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-31 US US12/534,086 patent/US8163345B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-18 US US13/450,333 patent/US20120295029A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04241238A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-28 | Hitachi Ltd | 表面原子加工方法及び装置、並びに表面原子記録・検出方法 |
| JPH06260128A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Jeol Ltd | 試料表面加工用チップ |
| JPH0822796A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Res Dev Corp Of Japan | 探針被覆原子移動方法 |
| JPH09128787A (ja) * | 1995-11-02 | 1997-05-16 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体再生装置とその再生方法及び光情報記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10821594B2 (en) | 2013-10-29 | 2020-11-03 | Black & Decker Inc. | Power tool with ergonomic handgrip |
| US12233526B2 (en) | 2013-10-29 | 2025-02-25 | Black & Decker Inc. | Power tool with ergonomic handgrip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8247032B2 (en) | 2012-08-21 |
| EP1157407A1 (en) | 2001-11-28 |
| CN101003355B (zh) | 2010-09-01 |
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