JP2007263736A - 表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム - Google Patents
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Abstract
【課題】 単一チップに複数のセンサを設ける構成とすることにより、測定要求がある屈折率が広範囲でも高い分解能で高感度に測定でき、小型化およびコストの低減が行える表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システムを提供すること
【解決手段】 単一チップに複数のセンサを設けてセンサアレイに構成する。センサアレイの光導波路にはファイバアレイ8を接続し、一方は光源へ接続して光を導き、他方は検出器へ接続して出力する。センシング部5には金属薄膜,屈折率調整層7を適宜に設ける。各センサ毎に、金属薄膜および屈折率調整層7について膜厚,誘電率を調整し、光導波路の製作条件を調整する。各センサ(各チャネル)に同一波長の光を入射したとき、それぞれでは共鳴が起きる屈折率が相違する動作となる。単一チップにおいて、各チャネルでは測定に係る波長は狭範囲としつつ、屈折率の測定は広範囲とすることができる。
【選択図】 図7
【解決手段】 単一チップに複数のセンサを設けてセンサアレイに構成する。センサアレイの光導波路にはファイバアレイ8を接続し、一方は光源へ接続して光を導き、他方は検出器へ接続して出力する。センシング部5には金属薄膜,屈折率調整層7を適宜に設ける。各センサ毎に、金属薄膜および屈折率調整層7について膜厚,誘電率を調整し、光導波路の製作条件を調整する。各センサ(各チャネル)に同一波長の光を入射したとき、それぞれでは共鳴が起きる屈折率が相違する動作となる。単一チップにおいて、各チャネルでは測定に係る波長は狭範囲としつつ、屈折率の測定は広範囲とすることができる。
【選択図】 図7
Description
本発明は、表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システムに関するもので、より具体的には、表面プラズモン共鳴センサは複数を備える構成とし、屈折率などの測定システムについて測定範囲の拡大と感度および分解能などの性能面の改良に関する。
図1は、表面プラズモン共鳴センサの従来の一例を示し、プリズム型SPRセンサの構成図である。SPRは表面プラズモン共鳴(Surface Plasmon Resonance)の略記である。
プリズム型SPRセンサは、プリズム100の一面に金属薄膜4を形成し、プリズム100の他の一面側に光源102を配置して他方の一面側には検出器103を配置する構成を採り、金属薄膜4の上には被測定物質6を載せて光源102の光を入射するとともに、他方の一面から出射した反射光を検出器103に取り込むようになっている。
光源102の光は金属薄膜4の面で全反射する角度で入射させる。反射面では被測定物質6内にエバネッセント波がしみだし、その波数kevは入射光の自由空間での波数と入射角度により決まる。金属薄膜4の表面では表面プラズモンが生じ、その波数kspは被測定物質6の屈折率と金属薄膜4の誘電率により決まる。エバネッセント波の波数kevと表面プラズモン波の波数kspが一致するとき、エバネッセント波のエネルギは表面プラズモン波を励起するのに使われ、反射光の強度が減少する。すなわち入射角度を変えながら反射光強度をモニタするか、もしくは入射光の波長を変えながら反射光強度をモニタするか、もしくは白色光を入射して反射光の分光強度をモニタすることで共鳴波数を得ることができ、これにより被測定物質6の屈折率を知ることができる。
また図2に示すように、金属薄膜4の上に誘電体薄膜7を付与し、そこへ被測定物質6を接触させると、誘電体薄膜7がない場合とは異なる共鳴条件になる。あるいは誘電体薄膜7の材質(誘電率)や膜厚を変えることでも共鳴条件を変えることができる。誘電体薄膜7の材質は、測定に使用する光の波長において透明(吸収が少ない)であること求められる。具体的にはTa2O5,TiO2,TiN,Siなどを使用する。以下では共鳴条件を変える目的のため金属薄膜4の上に付与した誘電体薄膜7の膜層を屈折率調整層と呼ぶことにする。
図3は、表面プラズモン共鳴センサの従来の他例を示し、導波路型SPRセンサの斜視図(a)および断面図(b)である。導波路型にあっては、コア1と、そのコア1の周囲を取り囲む低屈折率の媒質(クラッド2)を備えてコア1に入射した光を閉じ込め伝播させる光導波路3とし、クラッド2の一部を開口して、そこへ金属薄膜4を付与してセンシング部5を形成し、このセンシング部(開口面)に被測定物質6を接触させる構成になっている。
クラッド2は完全に開口させる必要はなく、エバネッセント波が被測定物質6内に発生し得る厚さであればよい。コア1を伝播する光はセンシング部5では被測定物質6にまでエバネッセント波として光がしみだし、その波数kevは光導波路3を伝播する光の波数により決まる。金属薄膜4の表面では表面プラズモンが生じ、その波数kspは被測定物質6の屈折率と金属薄膜4の誘電率により決まる。エバネッセント波の波数kevと表面プラズモン波の波数kspが一致するとき、エバネッセント波のエネルギは表面プラズモン波の励起するのに使われ、出射光の強度は減少する。すなわち、出射光の強度と波長との関係から、被測定物質6の屈折率を測定することができる。
具体的には、入射光の波長を変えながら出射光の強度をモニタするか、もしくは白色光を入射させて出射光を分光することで共鳴波長を得て被測定物質6の屈折率を知る(以下では分光法と呼ぶことにする)。また、被測定物質6の屈折率によって共鳴波長が変わることを利用し、単色光をセンサに入射してセンサからの出射光の強度から被測定物質6の屈折率を特定する手法もある(以下では強度法と呼ぶことにする)。
導波路型においても、プリズム型と同様に、屈折率調整層を付与することで同一波長の光でも共鳴条件を変えることができる。また、光導波路3の製作条件によっても共鳴条件は変わる。例えば、光導波路3の実効的な屈折率を変えることでコア1中を伝播する光の波長が変わることから、共鳴条件が変わる。
しかしながら、そうした従来のSPRセンサでは以下に示すような問題がある。プリズム型SPRセンサでは入射角度を変えるための機構が必要であり、プリズム100やレンズなどの構成要素を適正に組み付けしなければ機能せず、小型化が困難でコスト低減にも限界がある。
導波路型SPRセンサはセンシング部5の小型化が行えるが、分光法により広範囲の屈折率を測定しようとすると、測定光の波長範囲が広くなる。これは、線状の光導波路3、特にシングルモード光導波路においては、その原理上、光導波路3を適正に伝播し得る波長範囲が限定されるため、単一のセンサでは広範囲の屈折率を測定することができない。
また、導波路型SPRセンサによる強度法は、分光光学系が不要となるため、コスト低減および小型化し得るように見えるが、単色光による測定なので屈折率の範囲が共鳴の特性曲線幅の範囲に限られてしまう。そして、光源の強度変動やセンサの感度変動、コネクタでの接続損失のばらつきなどの要因によりセンサ出力が変動するため、正確な測定系を構成するには光源やセンサを安定化させる機構が必要となり、コスト低減,小型化のメリットは必ずしも望めない。
何れのセンサであっても、センシング部の金属薄膜4や屈折率調整層7の膜厚や誘電率を選ぶことにより、共鳴の特性曲線の半値幅を広げることができ、屈折率の範囲をある程度は広げることもできる。しかし、その場合は分解能や感度が低下してしまう。
この発明は上記した課題を解決するもので、その目的は、単一チップに複数のセンサを設ける構成とすることにより、測定要求がある屈折率が広範囲でも高い分解能で高感度に測定でき、小型化およびコストの低減が行える表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システムを提供することにある。
上記した目的を達成するために、本発明に係る表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システムは、コアと当該コアを覆うクラッドからなりコアへ入射した光を伝播する光導波路に、金属薄膜を付与し、光導波路を伝播する光のエバネッセント光が金属薄膜に接触した媒質内に生じる構成とし、金属薄膜に接触した媒質について、表面プラスモン共鳴により屈折率の測定が行える表面プラズモン共鳴センサを構成し、その表面プラズモン共鳴センサは複数を配列させて一体化したセンサアレイとし、各センサについて、金属薄膜は誘電率または膜厚の何れかを相違させ、もしくは誘電率および膜厚の両者が異なる設定とする。
また、コアと当該コアを覆うクラッドからなりコアへ入射した光を伝播する光導波路に、金属薄膜を付与するとともに、当該金属薄膜上には誘電体薄膜を付与して薄膜を2層とし、光導波路を伝播する光のエバネッセント光が誘電体薄膜に接触した媒質内に生じる構成とし、誘電体薄膜に接触した媒質について、表面プラスモン共鳴により屈折率の測定が行える表面プラズモン共鳴センサを構成し、その表面プラズモン共鳴センサは複数を配列させて一体化したセンサアレイとし、各センサについて、金属薄膜の膜厚または誘電率、または誘電体薄膜の誘電率または膜厚の何れか1つ以上を相違させる設定としてもよい。。
また、光導波路は、製作条件が異なる複数を配列させる構成としたり、あるいは光導波路の実効屈折率が異なる複数を配列させる構成とするとよい。
また、センサアレイにはファイバアレイを接続し、センサアレイにおける各センシング部の配列ピッチをファイバアレイにおける各光路の配列ピッチよりも狭い設定とすることができる。また、センサアレイにはパワースプリッタを接続し、当該パワースプリッタにより光源からの光を分岐させて各センサへ供給するように構成すると良い。
また、パワースプリッタは光導波路型パワースプリッタとし、さらにはパワースプリッタとセンサアレイとは同一チップに一体化させて形成するとなお良い。また、センサアレイには少なくとも1つ以上の較正用センサを設け、当該較正用センサは被測定物質とは表面プラズモン共鳴を起こさない構成とし、較正用センサの出力をモニタして得られた出力変動のデータに応じて他のセンサの出力を較正することができる。
また、較正用センサは測定波長において表面プラズモン共鳴を起こし、そして被測定物質とは反応しない構成とし、当該較正用センサについて、センシング部の誘電体薄膜の屈折率が温度により変化することをモニタして得られた温度特性のデータに応じて被測定物質の屈折率を較正するようにしても良い。
また、第1の較正用センサは測定波長において表面プラズモン共鳴を起こし、その共鳴波長は測定波長よりも短波長側に存在する構成とし、第2の較正用センサは測定波長において表面プラズモン共鳴を起こし、その共鳴波長は測定波長よりも長波長側に存在する構成とし、第1較正用センサおよび第2較正用センサは被測定物質と反応しない構成とし、これら較正用センサの出力をモニタして得られた出力変動のデータに応じて他のセンサの出力を較正するようにしてもよい。
係る構成にすることにより本発明では、表面プラズモン共鳴センサは複数を配列させて一体化したセンサアレイに構成し、各センサ毎に光導波路の製作条件やセンシング部の金属薄膜、または屈折率調整層の材質(誘電率)や膜厚を変える構成を採る。このため、各センサ(各チャネル)に同一波長の光を入射したとき、それぞれでは共鳴が起きる屈折率が相違する動作となる。したがって、単一チップにおいて、各チャネルでは測定に係る波長は狭範囲としつつ、屈折率の測定は広範囲とすることができる。
また、光導波路は線状とすることで各チャネルのセンシング部を接近させて配置できる。このため、センサアレイを小型化することができ、被測定物質が微量であっても全チャネルで同時に測定が行える。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システムでは、表面プラズモン共鳴センサは複数を配列させて一体化したセンサアレイに構成し、各センサ毎に金属薄膜および屈折率調整層について膜厚,誘電率を調整し、光導波路の製作条件を調整するので、測定要求がある屈折率が広範囲でも高い分解能で高感度に測定が行える。その結果、小型化およびコストの低減が行える。
以下、本発明の好適な実施の形態について説明する。
*複数センサによる基本構成
図4は、本発明に係る表面プラズモン共鳴センサの基本的な構成例1を示す構成図である。同図に示す表面プラズモン共鳴センサは3チャネルの構成例であり、単一チップに3本の光導波路を有し、チャネル毎に光導波路の製作条件やセンシング部5の金属薄膜、または屈折率調整層の材質(誘電率)や膜厚を変えてある。このため、各チャネルに同一波長の光を入射したとき、それぞれでは共鳴が起きる屈折率が相違し、図5に示すように動作する。例えば、被測定物質6の屈折率が点Aのとき、チャネル1は共鳴を起こして出力が下がり他のチャネル2,3は光源の強度がそのまま出力する。そして、被測定物質の屈折率が点Bのときはチャネル2が共鳴して出力は下がり他のチャネル1,3は光源の強度がそのまま出力することになる。これにより、単一チップにおいて、各チャネルでは測定に係る波長は狭範囲としつつ、屈折率の測定は広範囲とすることができる。
図4は、本発明に係る表面プラズモン共鳴センサの基本的な構成例1を示す構成図である。同図に示す表面プラズモン共鳴センサは3チャネルの構成例であり、単一チップに3本の光導波路を有し、チャネル毎に光導波路の製作条件やセンシング部5の金属薄膜、または屈折率調整層の材質(誘電率)や膜厚を変えてある。このため、各チャネルに同一波長の光を入射したとき、それぞれでは共鳴が起きる屈折率が相違し、図5に示すように動作する。例えば、被測定物質6の屈折率が点Aのとき、チャネル1は共鳴を起こして出力が下がり他のチャネル2,3は光源の強度がそのまま出力する。そして、被測定物質の屈折率が点Bのときはチャネル2が共鳴して出力は下がり他のチャネル1,3は光源の強度がそのまま出力することになる。これにより、単一チップにおいて、各チャネルでは測定に係る波長は狭範囲としつつ、屈折率の測定は広範囲とすることができる。
また、光導波路は線状に形成したため、各チャネルのセンシング部5を接近させて配置できる。このため、センサアレイを小型化することができ、被測定物質6が微量であっても全チャネルで同時に測定が行える。そして、全チャネルについて被測定物質6の温度のばらつきはほとんどないと考えてよく、温度のばらつきにした誤差を低減できる。
*導波路型SPRセンサの製造
図6(a),(b)は、導波路型SPRセンサの製造方法を説明する斜視図である。センサチップの製造には、光導波路を製造するための一般的な製造技術を適用することができ、製造上の困難は特になく製造は容易に行える。なお、同図には1チャネルについての製造を示している。
図6(a),(b)は、導波路型SPRセンサの製造方法を説明する斜視図である。センサチップの製造には、光導波路を製造するための一般的な製造技術を適用することができ、製造上の困難は特になく製造は容易に行える。なお、同図には1チャネルについての製造を示している。
まず、クラッド2に対してコア1の部分を形成する方法としては、ガラス材や樹脂を堆積させた後にエッチングしてコア1を形成する方法、ガラス材を光屈折率にさせるイオン種をイオン交換法で注入する方法、感光樹脂を積層した後にUV光を照射し、現像して形成する方法、ガラス材や樹脂を堆積させた後に型を押しつけし、硬化させることで形成する方法(転写法)などがある。
そして、上部層となるクラッド2およびセンシング部5となる開口を形成する方法としては、ガラス材や樹脂を堆積させた後にエッチングしてセンシング部5となる開口を形成する方法、クラッド2としてUV感光樹脂を積層した後にUV光を照射し、現像して開口を形成する方法、樹脂材を積層した後に当該樹脂が流動性にある状態で型を押しつけし、これを固化させて開口を形成する方法、開口を有するガラス板や樹脂板を接合させる方法などがある。
また、センシング部5に設ける金属薄膜4は、図6(a)に示すように、上部層のクラッド2を形成する前に成膜する方法があり、図6(b)に示すように、上部層のクラッド2および開口を形成した後に成膜する方法などがある。
*屈折率調整層の構成例
本発明にあっては光導波路は複数を配列させて形成し、多数チャネルの構成にする。つまり、図7に示す導波路型SPRセンサは3本の光導波路を線状に配列して単一チップとし、3チャネルの構成にしている。センサアレイの光導波路にはファイバアレイ8を接続し、一方は光源へ接続させて単色光を導く入力側となり、他方は検出器へ接続させて出力側となる。光導波路および金属薄膜4は全て同一条件に製作するが、金属薄膜4の上に設ける屈折率調整層7は各チャネルで膜厚を変える。例えば、第1チャネルではセンシング部5に屈折率調整層7を形成せず、第2チャネルでは屈折率調整層7を厚さ60nmに形成し、第3チャネルでは屈折率調整層7を厚さ120nmに形成する。金属薄膜4の厚さは、例えば10nmから80nm程度とする。
本発明にあっては光導波路は複数を配列させて形成し、多数チャネルの構成にする。つまり、図7に示す導波路型SPRセンサは3本の光導波路を線状に配列して単一チップとし、3チャネルの構成にしている。センサアレイの光導波路にはファイバアレイ8を接続し、一方は光源へ接続させて単色光を導く入力側となり、他方は検出器へ接続させて出力側となる。光導波路および金属薄膜4は全て同一条件に製作するが、金属薄膜4の上に設ける屈折率調整層7は各チャネルで膜厚を変える。例えば、第1チャネルではセンシング部5に屈折率調整層7を形成せず、第2チャネルでは屈折率調整層7を厚さ60nmに形成し、第3チャネルでは屈折率調整層7を厚さ120nmに形成する。金属薄膜4の厚さは、例えば10nmから80nm程度とする。
ここで、各チャネルに同一波長の単色光を入射させたとき、被測定物質の屈折率(濃度)に対して各チャネルでは、図8に示すように、出力光の強度変化を得ることができる。このとき、各チャネルのセンシング部5では狭い範囲の屈折率しか測定できないが、多数を配列してアレイ化することで広範囲の測定が行える。
なお、ここではチャネル毎に屈折率調整層7の膜厚を変えているが、他の構成としては、金属薄膜4の誘電率や膜厚、屈折率調整層7の誘電率、光導波路の製作条件を変えることにより、チャネル毎に共鳴条件を変えることができる。
*センサアレイの構成例
図9〜図12は、本発明に係るセンサアレイの構成例3〜6を示す構成図である。これらは、光導波路型のパワースプリッタ9を用い、センサアレイの各チャネルに光を供給する構成にしている。
図9〜図12は、本発明に係るセンサアレイの構成例3〜6を示す構成図である。これらは、光導波路型のパワースプリッタ9を用い、センサアレイの各チャネルに光を供給する構成にしている。
センサアレイに対してパワースプリッタ9の接合は、図9に示すように直接に接合する構成としたり、図10に示すようにファイバアレイ8を間に設けて接合する構成としたり、図11に示すように、センサアレイとパワースプリッタ9の両者を同一チップに一体に形成する構成を採る。
また、図12に示すように、センシング部5の配列ピッチは狭く設定することもよい。この場合、パワースプリッタ9と一体化したセンサアレイには、ピッチ変換のための光導波路を設けて、センシング部5は極めて接近させた配列とし、当該部位下側の光導波路が光学的に干渉しない距離までは近接させてよい。これにより、例えば10nl以下のより微量のサンプルであっても測定が行えるようにできる。
パワースプリッタ9を使用することにより光源はただ1つで済み、測定装置のコストが低減でき、小型化することができる。
*反射型SPRセンサ
図13は、反射型SPRセンサを用いた測定装置を示す構成図である。上述した導波路型SPRセンサは、出力側に反射膜10を設ける構成として反射型のセンサアレイとすることができる。そして、測定装置の本体は、LD光源11、アイソレータ13、光ファイバ12、パワースプリッタ9およびフォトダイオードアレイ14を順に接続して構成し、反射型のセンサアレイとはテープファイバ15を介して接続する。
図13は、反射型SPRセンサを用いた測定装置を示す構成図である。上述した導波路型SPRセンサは、出力側に反射膜10を設ける構成として反射型のセンサアレイとすることができる。そして、測定装置の本体は、LD光源11、アイソレータ13、光ファイバ12、パワースプリッタ9およびフォトダイオードアレイ14を順に接続して構成し、反射型のセンサアレイとはテープファイバ15を介して接続する。
*変動影響の除去
強度法によれば、分光光学系が不要となるので測定装置のコスト低減が行えて小型化が期待できる。しかし、光源の強度変動や波長変動、検出器の感度変動、コネクタ等における接続損失のばらつきなどによりセンサ出力が変動してしまう問題がある。すなわち、SPR以外の要因による強度変化を除去する手段が必要となり、例えばペルチェ素子を使った温度調整装置や光源強度のモニタリングなどが必要になる。
強度法によれば、分光光学系が不要となるので測定装置のコスト低減が行えて小型化が期待できる。しかし、光源の強度変動や波長変動、検出器の感度変動、コネクタ等における接続損失のばらつきなどによりセンサ出力が変動してしまう問題がある。すなわち、SPR以外の要因による強度変化を除去する手段が必要となり、例えばペルチェ素子を使った温度調整装置や光源強度のモニタリングなどが必要になる。
そこで図14に示すように、センサアレイ内の光導波路のうち、少なくとも1本にはセンシング部5を設けないて入射光をそのまま検出器へ伝播させる構成を採る。これにより、光源,検出器などにおける変動をモニタリングすることができ、SPR以外の要因による強度変化を除去することができる。したがって、測定装置のコスト低減および小型化が行える。
図15は、光源の波長変動の影響を除去するようにした構成例8を示し、図16は測定波長の変動を説明するグラフ図である。センサアレイ内の第1チャネル,第2チャネルのセンシング部5には測定波長において共鳴する誘電体材料を付与するとともに、誘電体材料の材質(屈折率)を適宜に選定することにより、第1チャネルの共鳴波長は測定波長よりもやや短波長側に設定し、第2チャネルの共鳴波長は測定波長よりもやや長波長側に設定する。さらに、第3チャネルには、屈折率の温度依存性が大きい物質(測温材料と呼ぶことにする)を付設し、測温材料は測定波長において共鳴するような選定を採り、例えば高分子材料を用いる。これら第1〜3チャンネルは被測定物質と共鳴しない構造にしてある。
光源の波良が長波長側に変動すると、第1チャネルの強度は大きくなるが、第2チャネル2の強度は小さくなる。もし強度変動であれば、第1チャネル,第2チャネルともに同一方向に変動するが、波長変動であれば逆方向に変動するので強度変動,波長変動による影響を分離できる。
被測定物質が液体の場合、屈折率の温度依存性が小さくなく、被測定物質やセンシング部5の温度を一定化する機構を付与したり、もしくは液体の温度をモニタリングして温度較正を行う。液体温度のモニタリングのためには、SPRセンサの近辺に温度センサを付与するのが望ましい。例えば抵抗体などをSPRセンサに付設し、その抵抗値の変化を電気的にモニタすることで温度測定する方法などがある。そうした場合、SPRセンサに光ファイバと電気配線の両方が必要となり、特にセンサアレイを測定装置本体から離して遠隔測定する構成では、電気配線のためにコスト高になる問題がある。
しかし本発明にあっては、第3チャネルには屈折率の温度依存性が大きい物質(測温材料)を付設するので、被測定物質の温度に応じて測温材料の屈折率が変化し、第3チャネルの出力が変化する動作になり、温度測定が行える。このため、光ファイバの配線だけで温度モニタが行えてコストを低減できる。
1 コア
2 クラッド
3 光導波路
4 金属薄膜
5 センシング部
6 被測定物質
7 誘電体薄膜(屈折率調整層)
8 ファイバアレイ
9 パワースプリッタ
10 反射膜
11 LD光源
12 光ファイバ
13 アイソレータ
14 フォトダイオードアレイ
15 テープファイバ
2 クラッド
3 光導波路
4 金属薄膜
5 センシング部
6 被測定物質
7 誘電体薄膜(屈折率調整層)
8 ファイバアレイ
9 パワースプリッタ
10 反射膜
11 LD光源
12 光ファイバ
13 アイソレータ
14 フォトダイオードアレイ
15 テープファイバ
Claims (11)
- コアと当該コアを覆うクラッドからなり前記コアへ入射した光を伝播する光導波路に、金属薄膜を付与し、
前記光導波路を伝播する光のエバネッセント光が前記金属薄膜に接触した媒質内に生じる構成とし、
前記金属薄膜に接触した媒質について、表面プラスモン共鳴により屈折率の測定が行える表面プラズモン共鳴センサを構成し、
前記表面プラズモン共鳴センサは複数を配列させて一体化したセンサアレイとし、
各センサについて、前記金属薄膜は誘電率または膜厚の何れかを相違させ、もしくは誘電率および膜厚の両者が異なる設定とすることを特徴とする表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。 - コアと当該コアを覆うクラッドからなり前記コアへ入射した光を伝播する光導波路に、金属薄膜を付与するとともに、当該金属薄膜上には誘電体薄膜を付与して薄膜を2層とし、
前記光導波路を伝播する光のエバネッセント光が前記誘電体薄膜に接触した媒質内に生じる構成とし、
前記誘電体薄膜に接触した媒質について、表面プラスモン共鳴により屈折率の測定が行える表面プラズモン共鳴センサを構成し、
前記表面プラズモン共鳴センサは複数を配列させて一体化したセンサアレイとし、各センサについて、前記金属薄膜の膜厚または誘電率、または前記誘電体薄膜の誘電率または膜厚の何れか1つ以上を相違させる設定とすることを特徴とする表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。 - 前記光導波路は、製作条件が異なる複数を配列させる構成であることを特徴とする請求項1または2に記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
- 前記光導波路は、実効屈折率が異なる複数を配列させる構成であることを特徴とする請求項1または2に記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
- 前記センサアレイにはファイバアレイを接続し、前記センサアレイにおける各センシング部の配列ピッチを前記ファイバアレイにおける各光路の配列ピッチよりも狭い設定とすることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
- 前記センサアレイにはパワースプリッタを接続し、当該パワースプリッタにより光源からの光を分岐させて各センサへ供給することを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
- 前記パワースプリッタは、光導波路型パワースプリッタとすることを特徴とする請求項6に記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
- 前記パワースプリッタと前記センサアレイとは同一チップに一体化させて形成することを特徴とする請求項6あるいは7の何れかに記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
- 前記センサアレイには少なくとも1つ以上の較正用センサを設け、当該較正用センサは被測定物質とは表面プラズモン共鳴を起こさない構成とし、前記較正用センサの出力をモニタして得られた出力変動のデータに応じて他のセンサの出力を較正することを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
- 前記較正用センサは測定波長において表面プラズモン共鳴を起こし、そして被測定物質とは反応しない構成とし、当該較正用センサについて、センシング部の誘電体薄膜の屈折率が温度により変化することをモニタして得られた温度特性のデータに応じて被測定物質の屈折率を較正することを特徴とする請求項9に記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
- 前記較正用センサの第1は測定波長において表面プラズモン共鳴を起こし、かつ共鳴波長は測定波長よりも短波長側に存在する構成とし、第2の較正用センサは測定波長において表面プラズモン共鳴を起こし、かつ共鳴波長は測定波長よりも長波長側に存在する構成とし、
前記第1較正用センサおよび前記第2較正用センサは被測定物質と反応しない構成とし、これら較正用センサの出力をモニタして得られた出力変動のデータに応じて他のセンサの出力を較正することを特徴とする請求項9または10に記載の表面プラズモン共鳴センサを用いた測定システム。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009115623A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Sharp Corp | 表面プラズモンセンサー |
EP2108941A2 (en) | 2008-04-09 | 2009-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface plasmon sensor |
JP2009236690A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sharp Corp | 表面プラズモンセンサー |
JP2012042233A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Konica Minolta Holdings Inc | Spfs(表面プラズモン励起増強蛍光分光法)により測定される蛍光シグナルの補正方法およびこれを用いたアッセイ方法、並びにこれらの方法に用いられる構造体および表面プラズモン共鳴センサー |
WO2012077482A1 (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 日東電工株式会社 | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
WO2013001848A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | 日東電工株式会社 | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
WO2013038830A1 (ja) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | 日東電工株式会社 | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
US8564781B2 (en) | 2008-09-01 | 2013-10-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | SPR sensor |
US9535214B2 (en) | 2014-08-05 | 2017-01-03 | Nitto Denko Corporation | Method of inputting light into optical waveguide |
WO2018143474A1 (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-09 | Tdk株式会社 | 光導波型センサーおよび物質検出方法 |
CN109115363A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-01 | 辽宁省计量科学研究院 | 一种基于表面等离子体共振及应变补偿的光纤温度传感器 |
WO2019217792A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Carrier Corporation | Surface plasmon resonance gas detection system |
JP2020509385A (ja) * | 2017-03-01 | 2020-03-26 | ラジオメーター・メディカル・アー・ペー・エス | ナノサイズのフィルタを伴う平面状導波路デバイス |
CN112666098A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-04-16 | 上海市第八人民医院 | 夏季肠道传染病致病病原体检测系统 |
WO2023189139A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 京セラ株式会社 | 光学デバイス及びバイオセンサ |
-
2006
- 2006-03-28 JP JP2006088994A patent/JP2007263736A/ja not_active Withdrawn
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009115623A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Sharp Corp | 表面プラズモンセンサー |
JP2009236690A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sharp Corp | 表面プラズモンセンサー |
EP2108941A2 (en) | 2008-04-09 | 2009-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface plasmon sensor |
EP2108941A3 (en) * | 2008-04-09 | 2010-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface plasmon sensor |
US8564781B2 (en) | 2008-09-01 | 2013-10-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | SPR sensor |
JP2012042233A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Konica Minolta Holdings Inc | Spfs(表面プラズモン励起増強蛍光分光法)により測定される蛍光シグナルの補正方法およびこれを用いたアッセイ方法、並びにこれらの方法に用いられる構造体および表面プラズモン共鳴センサー |
JP2012122915A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Nitto Denko Corp | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
CN103261875A (zh) * | 2010-12-10 | 2013-08-21 | 日东电工株式会社 | Spr传感器单元和spr传感器 |
WO2012077482A1 (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 日東電工株式会社 | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
WO2013001848A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | 日東電工株式会社 | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
JP2013007687A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Nitto Denko Corp | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
CN103635789A (zh) * | 2011-06-27 | 2014-03-12 | 日东电工株式会社 | Spr传感器元件和spr传感器 |
EP2725343A4 (en) * | 2011-06-27 | 2015-03-11 | Nitto Denko Corp | SPR SENSOR CELL AND SPR SENSOR |
WO2013038830A1 (ja) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | 日東電工株式会社 | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
JP2013061301A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Nitto Denko Corp | Sprセンサセルおよびsprセンサ |
CN103797354A (zh) * | 2011-09-15 | 2014-05-14 | 日东电工株式会社 | Spr传感器元件和spr传感器 |
US9535214B2 (en) | 2014-08-05 | 2017-01-03 | Nitto Denko Corporation | Method of inputting light into optical waveguide |
WO2018143474A1 (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-09 | Tdk株式会社 | 光導波型センサーおよび物質検出方法 |
JP2020509385A (ja) * | 2017-03-01 | 2020-03-26 | ラジオメーター・メディカル・アー・ペー・エス | ナノサイズのフィルタを伴う平面状導波路デバイス |
US11255780B2 (en) | 2017-03-01 | 2022-02-22 | Radiometer Medical Aps | Planar waveguide device with nano-sized filter |
WO2019217792A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Carrier Corporation | Surface plasmon resonance gas detection system |
US20210208068A1 (en) * | 2018-05-11 | 2021-07-08 | Carrier Corporation | Surface plasmon resonance detection system |
US11988602B2 (en) * | 2018-05-11 | 2024-05-21 | Carrier Corporation | Surface plasmon resonance detection system |
CN109115363A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-01 | 辽宁省计量科学研究院 | 一种基于表面等离子体共振及应变补偿的光纤温度传感器 |
CN109115363B (zh) * | 2018-10-15 | 2023-09-22 | 辽宁省计量科学研究院 | 一种基于表面等离子体共振及应变补偿的光纤温度传感器 |
CN112666098A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-04-16 | 上海市第八人民医院 | 夏季肠道传染病致病病原体检测系统 |
WO2023189139A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 京セラ株式会社 | 光学デバイス及びバイオセンサ |
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