JP2007246795A - 多孔質シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)形成用塗布液の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】特定の有機溶媒、特定のゾル−ゲル反応触媒、シリカ源、及び水から構成され、実質的に鋳型(テンプレート)物質を含まない反応溶液を調製してゾル−ゲル反応をさせる。
【選択図】図2
Description
従来、多孔質(メソポーラス)シリカに関しては、鋳型(テンプレート)物質として液晶、界面活性剤、ブロックコポリマーなどを用いて製造するキュービック(球状)構造、ヘキサゴナル(六角形状)構造、およびラメラ(層状)構造を持つものが知られている。多孔質(メソポーラス)シリカの細孔構造がキュービック構造、ヘキサゴナル構造、ラメラ構造のいずれに形成されるかは、鋳型分子の集合形態に応じて決まるとされている。
特許文献2には、アルコキシシランの1種または2種以上を、有機溶媒、水およびアルカリ触媒の存在下で加水分解し、得られた加水分解液を、水および酸触媒の存在下でさらに部分加水分解したシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法が開示されている。なお、この塗布液を基板上に塗布し、次いで乾燥し、通常300〜900℃で焼成すれば基板上に被膜が形成されることが示されている。特許文献2には、メソ細孔径に関する記載は全くない。
特許文献4には、ゾル−ゲル反応触媒成分を含有する水溶液に、相分離誘起成分(鋳型物質)として水溶性高分子あるいは両親媒性物質(界面活性剤)を溶かして均一溶液を調製し、非加水分解性の有機官能基と加水分解性の官能基の両方を有する低分子化合物(シリカ源)を添加しゾル−ゲル反応を行なわせて連続した3次元網目構造のゲルを形成し、該ゲルを加水分解してアンモニアを生じる化合物を含む水溶液中で加温熟成した後、乾燥して溶媒を蒸発させ、乾燥後のゲルから熱分解または抽出により相分離誘起成分(鋳型物質)を除去することが開示されている。また、特許文献4の実施例に示されたいずれの測定結果でも、メソ細孔径が約5〜40nmの広い範囲に渡っていて、いわゆるブロードな細孔分布の拡がりを持ったものであって、特定の細孔径に鋭いピークを持たせるようには制御されていない。
特許文献6には、シリカ源と界面活性剤を用いてメソポーラスシリカ微粒子を合成後、抽出により界面活性剤を除去し、メソポーラスシリカの微粒子の表面処理後に媒質に分散させたシリカ系被膜用塗布液の製造方法が開示されている。特許文献6には、シリカ系被膜用塗布液を用いて作製された被膜に関して、メソ細孔径に関する記載は全くない。
特許文献7には、金属酸化物の前駆体とテンプレート(鋳型)から得られる複合体を製造する工程と、該複合体から限外濾過によりテンプレートを除去する工程から製造するメソポーラス物質が開示されている。特許文献7の実施例によると、得られた試料の平均細孔径は2nmとなっている。
また、特許文献8のように、メタノール、エタノール等の低級脂肪族アルコール溶媒を用いゾル−ゲル法で成形される非晶質二酸化ケイ素薄膜は、細孔径の分布として5nmを超え15nm以下に鋭いピークを有するものが得られないものであり、例えば実施例に示されているメタノール溶媒を用いた場合に得られる微細空隙の直径は2nm以下である。
特許文献2に示された方法は、鋳型物質を用いないで、有機溶媒、シリカ源(アルコキシシラン)、触媒、及び水からなる反応溶液でシリカ系被膜形成用塗布液の製造に係わるものである。しかし、特許文献2の塗布液を用いて形成された被膜は、単にピンホールあるいはボイドなどが発生することがなく、緻密であって、機械的強度、耐薬品性、耐湿性、絶縁性などに優れた被膜を形成するためのものであって、メソ細孔が形成されないという問題があった。
特許文献3及び特許文献6に示された方法は、抽出により鋳型物質を除去するものであって、鋳型物質の除去が不完全であるという不都合があった。
特許文献4及び特許文献5に示された方法は、乾燥後のゲルから熱分解または抽出により、鋳型物質を除去して該骨格相内にメソ細孔を形成するものである。熱分解によって鋳型物質を除去する場合は、耐熱性の点から合成樹脂フィルム上に形成された薄膜には適用できない。また、抽出により鋳型物質を除去する場合は、鋳型物質の除去が不完全であるという不都合があった。
上記のとおり、多孔質(メソポーラス)シリカの製造に関して、従来の公知技術においては、多孔質(メソポーラス)シリカを形成するために特定の鋳型(テンプレート)物質を使用するため、鋳型物質を焼成または抽出に除去する工程を必要としている。焼成によって鋳型物質を除去する場合は、耐熱性の点から合成樹脂フィルム上に形成された薄膜には適用できず、抽出により鋳型物質を除去する場合は、鋳型物質の除去が不完全であるという不都合があった。
また、従来公知の方法では、細孔分布曲線のピークにおける細孔径(以下、「ピーク細孔径」という)が5nmを超え15nm以下の範囲で特定の細孔径に限定して制御された多孔質(メソポーラス)シリカを得ることができなかった。
すなわち、本発明は、
式1で示される化合物及び非プロトン性極性溶媒から選ばれる少なくとも1種である有機溶媒、シリカ源、ヒドロキシケトン誘導体(あるいはヒドロキシアルデヒド誘導体)、ヒドロキシカルボン誘導体、アリルアルコール誘導体およびヒドロキシニトリル誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種であるゾル−ゲル反応触媒、及び水から構成され、実質的に鋳型(テンプレート)物質を含まない反応溶液を調製してゾル−ゲル反応をさせてなる多孔質シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)形成用塗布液の製造方法である。
また、ピーク細孔径を、5nmを超え15nm以下の範囲で特定の細孔径に制御された多孔質(メソポーラス)シリカ被膜を成形できる塗布液の製造方法を提供することができるので、特異な機能を付加した吸湿材、吸着材、光学用機能剤等を得ることができる。
塗布液の調製について説明する。
本発明の塗布液より成形された多孔質シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)の物性値を測定するために、乾燥粉末を調製する。PETフィルムやシリコンウエハなどの基材に塗布液をスピンコートした後、80℃にて揮発成分を蒸発除去し基材上に皮膜を形成する。次いで得られた被膜をこそげ落とし被膜成分を単離した後、メノウ乳鉢にて得られた固形成分を粉砕し粉末化する。得られた粉末を200℃の条件下で2時間乾燥処理し、粉末サンプルを作成する。
粉末の乾燥温度を300℃以上、特に450℃以上で行なえば、有機物が分解除去されて粉末サンプルの構造に変化を与えることが懸念されるが、粉末の物性値を測定するために行なう乾燥粉末の調製は、水分を完全に除去乾燥させるために乾燥温度200℃で処理するものであって、この処理温度では多孔質シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)の構造をくずして構造変化を与えるものではない。
R1は炭化水素基としては、特に限定されないがメチル基、エチル基、フェニル基であることが好ましい。このようなアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン(TMOS)、テトラエトキシシラン(TEOS)、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトライソブトキシシラン、テトラ−t−ブトキシシランなどが挙げられる。これらのアルコキシシランは、1種または複数種を併用して用いられる。
このような有機溶媒としては、具体的には、2−ブタノール、2−ペンタノール、2−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−メチル−2−ブタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−2−ヘプタノール、2−メチル−2−ヘキサノール、2−メチル−2−ヘプタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノールなどが挙げられる。
また、非プロトン性極性溶媒としては、アセトニトリル、アセトン、2−ブタノン、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
比表面積/細孔分布測定装置(Micrometrics.ASAP−2010)を用い多孔質シリカ粉末に窒素ガスを吸脱着させて吸着等温線を測定し、吸着等温線をBJH法により解析し質量当たりの細孔容積と細孔分布曲線を求めた。
この細孔分布曲線におけるピークの径をピーク細孔径とした。
反応条件:次の混合液を使用し反応させた。
シリカ源:TMOS 12ミリモル
反応触媒:ヒドロキシアセトン 12ミリモル
有機溶媒:1−メトキシ−2−プロパノール
反応温度:40℃
上記のシリカ源、反応触媒を、水を含む有機溶媒(1−メトキシ−2−プロパノール)中に混合し、反応温度40℃にて撹拌した後に静置させ、混合液中に白濁が発生した時点で、多孔質シリカの物性値を測定するために、乾燥粉末を調製した。シリコンウエハ基板に塗布液をスピンコートした後、80℃にて揮発成分を蒸発除去し基材上に被膜を形成させた。次いで得られた被膜をこそげ落とし、メノウ乳鉢にて粉砕し粉末化した。得られた粉末を200℃の条件下で2時間処理し、多孔質シリカの粉末サンプルを作成した。
図1に、得られた多孔質シリカについての窒素吸脱着等温線図の例を示す。図1において、吸着線と脱着線とがヒステリシス現象を示していることから、多孔質シリカの内部に形成されている細孔(メソポーラス)は、入口に比べて内部が広い構造を有していると推測される。
図2に細孔分布を示す。有機溶媒として1−メトキシ−2−プロパノールを用いた場合には、ピーク細孔径が5.6nmであり、5nmを超え15nm以下の範囲で特定の細孔径に制御された多孔質(メソポーラス)シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)を形成できる塗布液が作製されていた。この細孔分布曲線から、ピーク細孔径の±20%の細孔径範囲における空隙の体積比率が50%以上であると算出されことから、得られた多孔質シリカは細孔径分布がシャープなものであった。
反応条件:次の混合液を使用し反応させた。
シリカ源:TMOS 12ミリモル
反応触媒:ヒドロキシアセトン 12ミリモル
有機溶媒:2−ブタノール
反応温度:40℃
実施例1と同様に、上記のシリカ源、反応触媒を、水を含む有機溶媒(2−ブタノール)中に混合し、反応温度40℃にて撹拌した後に静置させ、混合液中に白濁が発生した時点で、多孔質シリカの物性値を測定するために、乾燥粉末を調製した。
物性値の測定用サンプルを調製して測定した結果、図2に示すとおり、ピーク細孔径が8.2nmであり、5nmを超え15nm以下の範囲で特定の細孔径に制御された多孔質(メソポーラス)シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)を形成できる塗布液が作製されていた。
反応条件:次の混合液を使用し反応させた。
シリカ源:TMOS 12ミリモル
反応触媒:ヒドロキシアセトン 12ミリモル
有機溶媒:アセトン
反応温度:40℃
実施例1と同様に、上記のシリカ源、反応触媒を、水を含む有機溶媒(アセトン)中に混合し、反応温度40℃にて撹拌した後に静置させ、混合液中に白濁が発生した時点で、多孔質シリカの物性値を測定するために、乾燥粉末を調製した。
物性値の測定用サンプルを調製して測定した結果、図2に示すとおり、ピーク細孔径が9.5nmあり、5nmを超え15nm以下の範囲で特定の細孔径に制御された多孔質(メソポーラス)シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)を形成できる塗布液が作製されていた。
実施例4〜8に、各種の有機溶媒を用いて実施例1〜3と同様に混合液の処理を行った後、物性値の測定用サンプルを調製して測定した。
図2は、1−メトキシ−2−プロパノール、2−ブタノール、アセトン、1−エトキシ−2−プロパノール、アセトニトリルを用いて作製した多孔質シリカ粉末についてのBJH法による細孔径分布を示す。
有機溶媒の種類以外は実施例と同様に混合液の処理を行った後、物性値の測定用サンプルを調製して測定した。
表1に、実施例1〜8及び比較例1〜3のピーク細孔径、全細孔容積の測定結果を示す。
Claims (2)
- 式1で示される化合物及び非プロトン性極性溶媒から選ばれる少なくとも1種である有機溶媒、シリカ源、ヒドロキシケトン誘導体(あるいはヒドロキシアルデヒド誘導体)、ヒドロキシカルボン誘導体、アリルアルコール誘導体およびヒドロキシニトリル誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種であるゾル−ゲル反応触媒、及び水から構成され、実質的に鋳型(テンプレート)物質を含まない反応溶液を調製してゾル−ゲル反応をさせてなる多孔質シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)形成用塗布液の製造方法。
- 前記シリカ源が、式2で示されるアルコキシシランの少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の多孔質シリカ被膜及び粉末(粉末前駆体を含む)形成用塗布液の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010189212A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Shinshu Univ | 多孔質シリカ膜およびその製造方法 |
JP2011032455A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-02-17 | Shinshu Univ | コーティング液及びハードコート構造 |
JPWO2015177954A1 (ja) * | 2014-05-22 | 2017-04-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | シリカエアロゲルの製造方法 |
WO2017169602A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | カチオン変性シリカ原料分散液 |
CN115895409A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-04-04 | 浙江双金粉末涂料有限公司 | 一种低温固化防腐粉末涂料的制备及成膜方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214730A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサンの製造方法 |
JPH11340219A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜及びその形成方法 |
JP2000119601A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-25 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法および多孔質膜 |
JP2003174026A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、半導体用シリカ系被膜及び該被膜を用いた半導体装置 |
JP2004021036A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Jsr Corp | 反射防止膜およびそれを有する表示素子 |
JP2004307694A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置。 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214730A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサンの製造方法 |
JPH11340219A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜及びその形成方法 |
JP2000119601A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-25 | Jsr Corp | 膜形成用組成物、膜の形成方法および多孔質膜 |
JP2003174026A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体用シリカ系被膜形成用塗布液、半導体用シリカ系被膜及び該被膜を用いた半導体装置 |
JP2004021036A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Jsr Corp | 反射防止膜およびそれを有する表示素子 |
JP2004307694A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置。 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010189212A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Shinshu Univ | 多孔質シリカ膜およびその製造方法 |
JP2011032455A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-02-17 | Shinshu Univ | コーティング液及びハードコート構造 |
JPWO2015177954A1 (ja) * | 2014-05-22 | 2017-04-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | シリカエアロゲルの製造方法 |
WO2017169602A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | カチオン変性シリカ原料分散液 |
JPWO2017169602A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-02-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | カチオン変性シリカ原料分散液 |
CN115895409A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-04-04 | 浙江双金粉末涂料有限公司 | 一种低温固化防腐粉末涂料的制备及成膜方法 |
CN115895409B (zh) * | 2023-01-04 | 2023-09-12 | 浙江双金粉末涂料有限公司 | 一种低温固化防腐粉末涂料的制备及成膜方法 |
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