JP2007227738A - WIRING BOARD FOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHT EMITTING DEVICE - Google Patents
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Abstract
【課題】 熱放散性及び実装信頼性に優れた発光素子用配線基板並びに発光装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基体1と、該絶縁基体1を貫通するとともに端部が前記絶縁基体1の一方の主面から突起した突起部8aを備え、前記突起部8aの側方に張出部8bを備えた金属体8と、前記絶縁基体1の一方の主面1aまたは前記金属体8の前記絶縁基体1の一方の主面1a側の端面に配置された、発光素子21を搭載する搭載面9とを具備し、該搭載面9と前記突起部8aとが封止樹脂31で被覆されて封止されることを特徴とする。
【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element wiring board and a light emitting device excellent in heat dissipation and mounting reliability.
SOLUTION: An insulating base 1 and a protruding portion 8a penetrating through the insulating base 1 and having an end protruding from one main surface of the insulating base 1, and a protruding portion 8b on the side of the protruding portion 8a. And a mounting surface for mounting the light emitting element 21 disposed on one main surface 1a of the insulating base 1 or an end surface of the metal body 8 on the one main surface 1a side of the insulating base 1. 9, and the mounting surface 9 and the protruding portion 8 a are covered and sealed with a sealing resin 31.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、発光ダイオード等の発光素子を搭載するための発光素子用配線基板ならびに発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting element wiring board and a light emitting device for mounting a light emitting element such as a light emitting diode.
従来、LEDを用いた発光装置は、非常に発光効率が高く、しかも、白熱電球などと比較すると発光に伴い発生する熱量が小さいために様々な用途に用いられてきた。しかしながら、白熱電球や蛍光灯などと比較すると発光量が小さいために、照明用ではなく、表示用の光源として用いられ、通電量も30mA程度と非常に小さいものであった。(例えば特許文献1を参照。)。 Conventionally, light emitting devices using LEDs have been used for various applications because of their extremely high luminous efficiency and the small amount of heat generated with light emission compared to incandescent bulbs. However, since the amount of emitted light is small compared to incandescent bulbs, fluorescent lamps, etc., it is used not for illumination but as a display light source, and the energization amount is very small at about 30 mA. (For example, refer to Patent Document 1).
そして、近年では、発光素子を用いた発光装置の高輝度、白色化に伴い、携帯電話や大型液晶TV等のバックライトに発光装置が多く用いられてきている。しかしながら、発光素子の高輝度化に伴い、発光装置から発生する熱も増加しており、発光素子の輝度の低下をなくす為には、このような熱を素子より速やかに放散する高い熱放散性を有する発光素子用配線基板が必要となっている(例えば特許文献2、3を参照。)。
In recent years, with the increase in brightness and whiteness of light-emitting devices using light-emitting elements, light-emitting devices have been frequently used for backlights of mobile phones, large liquid crystal TVs, and the like. However, as the brightness of light emitting elements increases, the heat generated from the light emitting device also increases, and in order to eliminate the decrease in the brightness of the light emitting elements, such heat dissipation that dissipates such heat more quickly than the elements is high. The wiring board for light emitting elements having the above is required (see, for example,
この用途拡大により発光素子の高輝度化が要求され、これに伴い、発光装置から発生する熱も増加しており、熱ストレスにより充填材が充填部から剥離するという問題が発生している。これに対して、凹状の収納部の底面に発光素子を実装し充填材を充填する収納部の開口端をひさしのようにつきだして、充填材の剥離及び落下を防ぐ構造がとられている(例えば特許文献4を参照。)。
しかしながら、特許文献4に記載の方法では、開口端に設けられたひさしによって光が遮られ、光の利用効率が低下するという問題があった。 However, the method described in Patent Document 4 has a problem in that light is blocked by the eaves provided at the opening end and the light use efficiency is lowered.
従って、本発明は、発光素子用配線基板の熱放散性を向上させるとともに、光の利用効率の低下を抑制し、かつ封止樹脂の発光素子用配線基板からの脱落を抑制することのできる発光素子用配線基板ならびに、この発光素子用配線基板を用いた発光装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention improves the heat dissipating property of the light emitting element wiring substrate, suppresses the decrease in light utilization efficiency, and suppresses the drop of the sealing resin from the light emitting element wiring substrate. An object is to provide an element wiring board and a light emitting device using the light emitting element wiring board.
本発明の発光素子用配線基板は、絶縁基体と、該絶縁基体を貫通するとともに端部が前記絶縁基体の一方の主面から突起した突起部を備え、前記突起部の側方に張出部を備えた金属体と、前記絶縁基体の一方の主面または前記金属体の前記絶縁基体の一方の主面側の端面に配置された、発光素子を搭載する搭載面とを具備し、該搭載面と前記突起部とが封止樹脂で被覆されて封止されることを特徴とする。 The light-emitting element wiring board of the present invention includes an insulating base and a protruding portion that penetrates the insulating base and has an end protruding from one main surface of the insulating base, and a protruding portion on a side of the protruding portion. And a mounting surface for mounting the light-emitting element, disposed on one main surface of the insulating base or an end surface of the one of the main surfaces of the insulating base. The surface and the projection are covered with a sealing resin and sealed.
また、本発明の発光素子用配線基板は、前記絶縁基体がセラミックスからなることが望ましい。 In the light-emitting element wiring board according to the present invention, the insulating base is preferably made of ceramics.
また、本発明の発光素子用配線基板は、前記搭載面が前記金属体の前記端面に配置されるとともに、前記金属体の前記発光素子の搭載面に平行な方向における前記金属体の断面積が、前記搭載面に搭載される発光素子の搭載面積よりも大きいことが望ましい。 In the light emitting element wiring board of the present invention, the mounting surface is disposed on the end surface of the metal body, and the metal body has a cross-sectional area in a direction parallel to the mounting surface of the light emitting element. The mounting area of the light emitting element mounted on the mounting surface is preferably larger.
また、本発明の発光素子用配線基板は、前記絶縁基体の一方の主面に、発光素子を収容するための枠体が前記搭載面を取り囲むように形成されるとともに、前記枠体の高さが前記突起部の高さよりも高いことが望ましい。 In the light-emitting element wiring board of the present invention, a frame body for accommodating the light-emitting element is formed on one main surface of the insulating base so as to surround the mounting surface, and the height of the frame body Is preferably higher than the height of the protrusion.
また、本発明の発光装置は、以上説明した発光素子用配線基板の前記搭載面に発光素子が搭載されており、封止樹脂が前記発光素子、前記搭載面および前記突起部を被覆するとともに前記張出部を取り囲んでいることを特徴とする。 In the light emitting device of the present invention, a light emitting element is mounted on the mounting surface of the light emitting element wiring board described above, and a sealing resin covers the light emitting element, the mounting surface, and the protrusion, and It is characterized by surrounding the overhanging portion.
本発明の発光素子用配線基板は、金属体を、絶縁基体を貫通させて設けることで、発光素子用配線基板の熱伝導率を向上させることができ、発光素子から発生する熱を更に速やかに発光素子用配線基板外へ放散することができるため、発光素子が過剰に加熱されることを防止でき、輝度低下を防ぐ、あるいは、また、さらに高輝度にすることが可能となる。そして、この金属体の突起部の側方に張出部を設けることで、発光素子用配線基板に封止樹脂を物理的に係止することができるため、封止樹脂の脱落を抑制することができる。 The wiring board for a light emitting element of the present invention can improve the thermal conductivity of the wiring board for a light emitting element by providing a metal body so as to penetrate the insulating base, and more quickly generate heat generated from the light emitting element. Since the light can be diffused out of the wiring substrate for the light emitting element, it is possible to prevent the light emitting element from being heated excessively, to prevent a decrease in luminance, or to further increase the luminance. And by providing the protruding part on the side of the protruding part of the metal body, the sealing resin can be physically locked to the wiring board for the light emitting element, so that the sealing resin is prevented from falling off. Can do.
なお、この金属体は、金属板や金属箔からなるもので、実質的にボイドが無く、また、内部に金属以外のセラミック粉末やガラス成分などを含有しないものであり、通常の配線基板に用いられるペースト状の金属導体を焼結させる方法では得ることはできないものである。すなわち、本発明は、例えば、金属箔や金属板を加工することで得た緻密で金属以外の成分を実質的に含有しない金属体を用いるものである。 In addition, this metal body is made of a metal plate or metal foil, has substantially no voids, and does not contain ceramic powder or glass components other than metal inside, and is used for a normal wiring board. It cannot be obtained by a method of sintering a paste-like metal conductor. That is, the present invention uses, for example, a dense metal body that is obtained by processing a metal foil or a metal plate and does not substantially contain components other than metal.
また、絶縁基体として、樹脂よりも高熱伝導なセラミックを用いることで、更に、発光素子用配線基板の高輝度化が可能となる。 Further, by using a ceramic having a higher thermal conductivity than the resin as the insulating base, it is possible to further increase the luminance of the light emitting element wiring board.
また、金属体に搭載面を配置し、金属体の断面積を搭載される発光素子の搭載面積よりも大きくすることにより、放熱経路が大きくなるため、発光素子から発生する熱を更に速やかに放散することができる。 In addition, by disposing the mounting surface on the metal body and making the cross-sectional area of the metal body larger than the mounting area of the mounted light emitting element, the heat dissipation path becomes larger, so heat generated from the light emitting element can be dissipated more quickly. can do.
また、発光素子用配線基板に、突起部よりも高い枠体を形成した場合には、封止樹脂で突起部を覆う際に、封止樹脂が流れ出すことを抑制できるために、発光装置の製造が容易となる。また、枠体によって突起部を保護することもできるため取り扱い性も向上する。 In addition, when a frame body that is higher than the protruding portion is formed on the wiring board for the light emitting element, it is possible to suppress the sealing resin from flowing out when the protruding portion is covered with the sealing resin. Becomes easy. In addition, since the protrusion can be protected by the frame body, the handleability is improved.
以上説明した本発明の発光素子用配線基板に発光素子を搭載した本発明の発光装置によれば、発光素子からの発熱を速やかに装置外に放出することができるため、発熱による輝度低下を抑制できるとともに封止樹脂を強固に発光素子用配線基板に係止することができる。 According to the light emitting device of the present invention in which the light emitting element is mounted on the wiring substrate for the light emitting element of the present invention described above, the heat generation from the light emitting element can be quickly discharged outside the device, so that the luminance reduction due to the heat generation is suppressed. In addition, the sealing resin can be firmly locked to the light emitting element wiring substrate.
本発明の発光素子用配線基板は、例えば、図1(a)、(b)に示すように、平板状の絶縁基体1と、この絶縁基体1の表裏面を貫通するように形成された貫通孔2と、絶縁基体1の主面1aに形成された発光素子との接続端子3、絶縁基体1の他方の主面1bに形成された外部電極端子5、接続端子3と外部電極端子5とを電気的に接続するように絶縁基体1を貫通して設けられた貫通導体7と、絶縁基体1を貫通して設けられた貫通孔2に挿入され、絶縁基体1に接合された絶縁基体1よりも熱伝導率が高い金属体8から構成されている。
The light emitting element wiring board of the present invention has, for example, a flat
そして、絶縁基体1と金属体8とを接合させるため、両者の間には、金属、樹脂、セラミックスの群から選ばれる少なくとも1種を含有する接合層18が形成されている。
And in order to join the insulation base |
そして、一方の接続端子3aと他方の接続端子3bとの間には、発光素子を搭載するための搭載面9が形成されている。この搭載面9は、放熱性を向上させる観点から金属体8の端面に形成されていることが望ましく、このような形態とした場合には発光素子からの光を遮ることもなくなる。この搭載面9に搭載される発光素子の搭載面積よりも搭載面9に平行な方向の金属体8の断面積が大きい方が、発光素子の実装が容易になり、放熱経路も広がることから、発光素子用配線基板11の放熱性も向上する。
A
そして、本発明の発光素子用配線基板11によれば、この金属体8の一方の端部は絶縁基体1の主面1aから突起して突起部8aを形成し、この突起部8aの側方には、張出部8bが形成されていることが重要である。このような形態とすることで、本発明の発光素子用配線基板11に発光素子を搭載し、この発光素子を封止樹脂で封止した場合に、封止樹脂と発光素子用配線基板11との接触面積を大きくすることができるとともに、突起部8aの張出部8bが錨の機能を発揮し、発光素子用配線基板11に封止樹脂を物理的に強固に係止することができるため、封止樹脂の脱落を抑制することができる。
According to the light emitting
また、この張出部8bにより、金属体8を貫通孔2に挿入した場合に一方方向には金属体8の脱落を防止することができ、また、金属体8の位置決めが容易になるために、組立性が格段に向上するという利点もある。
In addition, when the
また、図1(a)に示すように、突起部8aの断面形状を逆テーパー状とした場合には、張出部8bのより広い部分で封止樹脂を係止することができるため、張出部8bあるいは封止樹脂の一部分に過大な応力が集中することを抑制することができる。
Further, as shown in FIG. 1A, when the cross-sectional shape of the protruding
また、例えば、本発明の発光素子用配線基板11には、図1(a)、(b)に示すように、搭載面9側に、搭載される発光素子を収納するための枠体13が形成されて構成されていることが望ましく、この枠体の13の高さが金属体8の突起部の高さよりも高いことが望ましい。これにより、発光素子からの光を所定の方向に誘導することができるとともに、突起部8aを有する金属体8を保護することができ、取り扱い性に優れた発光素子用配線基板11となる。
Further, for example, in the
このような本発明の発光素子用配線基板11によれば、絶縁基体1よりも高い熱伝導率を有する金属体8が、絶縁基体1に形成された貫通孔2を貫通して配置されていることが重要である。
According to such a light emitting
即ち、絶縁基体1より高い熱伝導率を有する金属体8を設けることにより、本発明の発光素子用配線基板に搭載される発光素子から発生する熱を速やかに放散することができるため、発光素子の輝度低下を防ぐことが可能となる。
That is, by providing the
また、この金属体8は実質的にボイドを含まないものであることが重要である。
It is important that the
つまり、この金属体8を用いることで、言い換えると、無垢の金属により形成された金属体8を用いることで、内部に、気泡や、セラミックス粉末、ガラスなどを含有する複合体を用いる場合に比べて、金属体8の熱伝導率を格段に高くすることができ、さらに放熱性に優れた発光素子用配線基板11となるのである。
In other words, by using this
そして、このような金属体8は、例えば、高熱伝導で、低抵抗で、比較的安価なCuからなる金属板や、金属箔をプレス機などにより、所望の形状に打ち抜き加工するなどして容易に作製することができる。
Such a
また、複雑な形状の金属体8は、プレス加工や、鋳込みや、研磨加工、粉末冶金などの手法により形成することができる。また、このほかの従来周知の加工方法を用いて金属体8を作製してもよいことは言うまでもない。
The
また、金属板8の素材としては、Cu以外にも、Alや、あるいは、Cu−Wなどの複合材を用いることができる。この2種以上の金属を含有するCu−Wなどの複合材を用いる場合には、用いる金属とその比率を制御することで、所望の特性を有する金属体8を作製することができる。また、金属体8が合金により形成されていてもよいのは勿論である。また、金属体8が複数の部材を組み合わせて構成されていてもよい。
Further, as the material of the
このような金属体8は、安価に容易に入手できるだけでなく、種々の形態の絶縁基体1に容易に取り付けることができるため、搭載される発光素子の性能に応じて、種々の形態の絶縁基体1を用い、性能とコストをふまえて最適の組み合わせとすることができる。
Such a
つぎに、絶縁基体1について説明する。この発光素子用配線基板11に用いる絶縁基体1は、例えば、MgOやAl2O3などのセラミック基板や、有機系の樹脂基板を好適に用いることができる。特に、セラミック基板を用いた場合には絶縁基体の熱伝導率が高くなるため、発光素子用配線基板11の熱放散性をさらに向上させることができる。
Next, the insulating
また、絶縁基体1として、セラミック基板を用いた場合には、高剛性である点、発光素子の発する光や熱による変質がない点、比較的高熱伝導性の素材が多い点で、高性能で長寿命の発光素子用配線基板11となる。
Further, when a ceramic substrate is used as the insulating
また、絶縁基体1として、低温焼成基板、いわゆるガラスセラミックスを用いた場合には、熱伝導率や、強度や、剛性こそAl2O3などの1050℃以上の温度域で焼成されるセラミックスには劣るものの、熱膨張係数を容易に制御することができるため、容易に金属体8との熱膨張係数の整合を図ることができる。また、配線層として低抵抗のCuや、Agなどを同時焼成することができるため、発光素子以外の部分の電気的な損失や発熱を抑制することができる。
In addition, when a low-temperature fired substrate, so-called glass ceramics, is used as the insulating
また、絶縁基体1として、樹脂を用いた場合には、安価な発光素子用配線基板11となる。なお、絶縁基体1の剛性や、強度ならびに吸湿性や、耐熱性を向上させるため、セラミック粉末や、ガラスクロスを含有する樹脂基板を用いることが望ましい。
Moreover, when resin is used as the insulating
これらの絶縁基体1として用いられる素材について、以下に詳細に説明する。
The materials used as these insulating
たとえば、MgOを主結晶とする絶縁基体1は、例えば、平均粒径0.1〜8μmの純度99%以上のMgO粉末に、平均粒径0.1〜8μmのY2O3やYb2O3などの希土類元素酸化物、Al2O3、SiO2、CaO、SrO、BaO、B2O3、ZrO2の群から選ばれる少なくとも1種の焼結助剤を添加した成形体を1300〜1700℃の温度範囲で焼成することによって得られる。
For example, the insulating
また、あるいは、MgOを含有するMgAl2O4やMgO・SiO2系の複合酸化物を添加してもよい。そして、焼結助剤などのMgO以外の組成物の添加量については、MgOを主結晶とする緻密体を得るために、望ましくは30質量%以下、更に望ましくは、20質量%以下とすることが望ましい。特に、焼結助剤などのMgO以外の組成物の添加量が10質量%以下とした場合には、得られる絶縁基体1の大部分をMgO結晶により形成することができる。また、これらの焼結助剤は、焼成温度を低くするために3質量%以上、さらには5質量%以上添加することが望ましい。
Alternatively, MgAl 2 O 4 containing MgO or MgO · SiO 2 based composite oxide may be added. The amount of the composition other than MgO, such as a sintering aid, is desirably 30% by mass or less, and more desirably 20% by mass or less in order to obtain a dense body having MgO as the main crystal. Is desirable. In particular, when the addition amount of a composition other than MgO, such as a sintering aid, is 10% by mass or less, most of the obtained insulating
なお、MgOを主結晶相とするMgO質焼結体とは、例えば、X線回折によって、MgOのピークが主ピークとして検出されるようなもので、MgOの結晶を体積比率として、50体積%以上含有していることが望ましい。 The MgO-based sintered body having MgO as the main crystal phase is such that, for example, the peak of MgO is detected as the main peak by X-ray diffraction, and the volume ratio of MgO crystals is 50% by volume. It is desirable to contain above.
また、この絶縁基体1として、Al2O3を主結晶相とするAl2O3質焼結体を用いた場合には、安価な原料を使用でき、安価な発光素子用配線基板11を得ることができる。
Further, when an Al 2 O 3 sintered body having Al 2 O 3 as a main crystal phase is used as the insulating
なお、Al2O3を主結晶相とするAl2O3質焼結体とは、例えば、X線回折によって、Al2O3のピークが主ピークとして検出されるようなもので、Al2O3の結晶を体積比率として、50体積%以上含有していることが望ましい。 Note that the Al 2 O 3 and Al 2 O 3 quality sintered body composed mainly crystalline phase, for example, by X-ray diffraction, is like the peak of Al 2 O 3 is detected as the main peak, Al 2 It is desirable to contain 50% or more by volume of O 3 crystals.
このようなAl2O3質焼結体は、例えば、平均粒径0.1〜8μm、望ましくは1.0〜2.0μmの純度99%以上のAl2O3粉末に、平均粒径1.0〜2.0μmのMn2O3、SiO2、MgO、SrO、CaOの群から選ばれる少なくとも1種の焼結助剤を添加した成形体を1300〜1500℃の温度範囲で焼成することによって得られるものである。 Such an Al 2 O 3 sintered body has, for example, an average particle size of 0.1 to 8 μm, preferably 1.0 to 2.0 μm and an Al 2 O 3 powder with a purity of 99% or more and an average particle size of 1 Firing a molded body to which at least one kind of sintering aid selected from the group of Mn 2 O 3 , SiO 2 , MgO, SrO, and CaO of 0 to 2.0 μm is added in a temperature range of 1300 to 1500 ° C. Is obtained.
そして、焼結助剤などのAl2O3以外の組成物の添加量については、Al2O3を主結晶とする緻密体を得るために、望ましくは15質量%以下、更に望ましくは、10質量%以下とすることが望ましい。特に、焼結助剤などのAl2O3以外の組成物の添加量が15質量%以下とした場合には、得られる絶縁基体1の大部分をAl2O3結晶により形成することができる。また、これらの焼結助剤は、焼成温度を低くするために5質量%以上、さらには7質量%以上添加することが望ましい。なお、絶縁基体1に用いるセラミックスとして、AlNやSi3N4などを主結晶とする焼結体を用いても良い。
And, for the addition amount of Al 2 O 3 other than the compositions, such as sintering aids, in order to obtain a dense body of the Al 2 O 3 as a main crystal, preferably 15 wt% or less, more desirably, 10 It is desirable to set it as mass% or less. In particular, when the amount of a composition other than Al 2 O 3 such as a sintering aid is set to 15% by mass or less, most of the obtained insulating
このようなMgOやAl2O3を主成分とする組成物に、さらに、バインダー、溶剤を添加して、スラリーを作製し、例えば、ドクターブレード法により、シート状の成形体を作製し、さらに、その表面や、シート状の成形体に設けた貫通孔などに、少なくとも金属粉末を含有する導体ペーストを印刷、充填したのち、このシートを積層し、酸化雰囲気、還元雰囲気、あるいは不活性雰囲気で焼成することで、表面や内部に接続端子3や外部電極端子5や貫通導体7などの配線層が形成された絶縁基体1を作製することができる。また、配線層は、薄膜法により絶縁基体1の表面に形成したり、金属箔を成形体の表面に転写するなどして形成できることはいうまでもない。
To such a composition containing MgO or Al 2 O 3 as a main component, a binder and a solvent are further added to prepare a slurry. For example, a sheet-like molded body is prepared by a doctor blade method, Then, after printing and filling a conductive paste containing at least a metal powder on the surface or through holes provided in the sheet-like molded body, the sheet is laminated and then laminated in an oxidizing atmosphere, a reducing atmosphere, or an inert atmosphere. By firing, the insulating
なお、シート状の成形体には、焼成工程の前に、金属体8を挿入するための貫通孔2となる孔を予め形成しておく必要があるのは言うまでもない。
Needless to say, it is necessary to previously form a hole to be the through
また、絶縁基体1として、低温焼成基板を用いる場合についても、素材と焼成温度の点で異なるものの、基本的に同様の手順で、貫通孔2や配線層を備えた絶縁基体1を作製することができる。
Further, even when a low-temperature fired substrate is used as the insulating
また、絶縁基体1として、樹脂を用いる場合には、従来周知のプリント配線基板等に用いられるガラス−エポキシ基板を用いるのが望ましい。ガラス−エポキシ基板に対して、通常のプリント配線基板の製造方法により、接続端子3、外部電極端子5、貫通導体7を形成し、更に、金属体8を形成するための貫通孔をドリル、レーザー等で形成する。
Further, when a resin is used as the insulating
次に、以上説明した貫通孔2を設けた種々の絶縁基体1に対して、金属体8を準備し、貫通孔2内に金属体8を挿入して、接合層により絶縁基体1と金属体8を接合させ、発光素子用配線基板11を得ることができる。
Next, the
ここで用いる接合層18は、金属、セラミックス、樹脂のいずれかもしくは複合体からなる接着剤が好適に用いられる。
As the
接合層18に関して、金属を用いる場合には、半田等の低融点の金属を用いることで工程を簡略化できる。用いられる半田としては、従来周知の錫60〜10%−鉛40〜90%や、鉛を含まない鉛フリー半田が挙げられる。
When a metal is used for the
そして、半田を用いた場合には、窒素雰囲気のリフロー炉へ230℃×10秒の条件で処理して、絶縁基体1と金属体8とを接合することができる。
When solder is used, the insulating
また、半田以外にも活性金属を用いて、いわゆる活性金属法により絶縁基体1と金属体8とを接合することもできる。
In addition to solder, an active metal can be used to join the insulating
なお、接合層18として、金属を用いる場合には、貫通孔2の内壁には、接合層18との濡れ性を向上させるために金属層を形成する必要がある。
When a metal is used as the
また、接合層18として、樹脂を用いる場合には、一般的に用いられるエポキシ樹脂系の接合剤を用いることが望ましい。
Further, when a resin is used as the
そして、それぞれの接合剤の硬化温度に応じて、例えば、80〜150℃、20〜40分の条件で接合剤を硬化し、接合層18を介して絶縁基体1と金属体8とを接合することができる。
And according to the curing temperature of each bonding agent, for example, the bonding agent is cured under conditions of 80 to 150 ° C. and 20 to 40 minutes, and the insulating
この樹脂を用いた接合は、安価で、しかも容易である点で優れている。特に、樹脂からなる絶縁基体1と組み合わせた場合には、接合力が高くなるとともに、比較的低温での処理が可能であることから、絶縁基体1に与えるダメージがほとんどなく、界面等にクラックの無い信頼性の高い発光素子用配線基板11を作製することができる。
Bonding using this resin is excellent in that it is inexpensive and easy. In particular, when combined with the insulating
また、接合層18として、セラミックスを用いる場合として、例えば、低融点のガラスを例示できる。このような低融点のガラスを用いることで、比較的低温(600℃以下)での接合が可能となり、接合により発生する応力を小さくすることができる。
Moreover, as a case where ceramics are used as the
また、接合層18として、金属、セラミックス、樹脂を複合化して用いることができるのは言うまでもない。たとえば、金属粉末、セラミック粉末、樹脂とを混合することで接合層の熱膨張係数を制御することもでき、絶縁基体1の特性に応じた接合を行うことができる。
Needless to say, the
このような発光素子用配線基板11に形成された配線回路に用いる導体および金属体8を、W、Mo、Cu、Ag、Alのうち少なくとも1種を主成分として形成することで、電気特性、放熱性に優れた、安価な発光素子用配線基板11を得ることができる。
By forming the conductor and
また、接続端子3および金属体8の表面にAlめっきやAgめっきを施すことにより、腐食に対する抵抗力が向上し、発光素子用配線基板11の信頼性が向上するとともに、接続端子3および金属体8の反射率を向上させることができる。
Further, by applying Al plating or Ag plating to the surfaces of the connection terminal 3 and the
このような発光素子用配線基板11の搭載面9側の主面には、枠体13を設けることが望ましく、例えば、セラミックスからなる絶縁基体1を用いる場合には、枠体13を、セラミックスにより形成することで、絶縁基体1と枠体13とを同時焼成することができ、工程が簡略化されるため、安価な発光素子用配線基板11を容易に作製することができる。
It is desirable to provide the
また、セラミックスは耐熱性、耐湿性に優れているため、セラミック製の枠体13を用いることで長期間の使用や、悪条件での使用にも、優れた耐久性を有する発光素子用配線基板11となる。
Further, since ceramics are excellent in heat resistance and moisture resistance, a wiring board for a light emitting device having excellent durability even when used for a long period of time or under adverse conditions by using a
また、安価で、加工性に優れた金属により枠体13を形成することで、複雑な形状の枠体13であっても、容易に安価に製造することができ、安価な発光素子用配線基板11を供給することができる。この金属製の枠体13は、例えば、AlやFe−Ni−Co合金等などにより好適に形成することができる。また、枠体13の内壁面13aには、反射率を向上させるため、Ni、Au、Ag、Alなどからなるめっき層(図示せず)を形成してもよい。
In addition, by forming the
なお、このように枠体13を金属により形成する場合には、予め、絶縁基体1の主面1aに金属層17を形成し、この金属層17と枠体13とを、例えば、共晶Ag−Cuろう材等からなるろう材(図示せず)を介してのろう付けや、半田による接合をすることができる。
When the
また、樹脂系の接着剤を用いてもよいことはいうまでもなく、素材としては、樹脂系の接合層18と同様のものを用いることができる。
Needless to say, a resin-based adhesive may be used, and the same material as the resin-based
そして、以上説明した本発明の発光素子用配線基板11に、例えば、図2(a)、(b)、に示すように発光素子21として、LEDチップ21などを搭載し、ボンディングワイヤ23により、発光素子21と接続端子3とを電気的に接続し、発光素子21に給電することにより、発光素子21を機能させることができ、発光素子21からの発熱を金属体8から速やかに放出することができるため、ヒートシンク等の放熱部材が不要となり、実装される電気機器の小型化に寄与できるとともに安価で、封止樹脂が強固に固定された信頼性に優れた発光装置25ができる。なお、ヒートシンクを設けることで、更に放熱性が向上することはもちろんであり、例えば、ヒートシンクのような冷却装置を設けることを排除するものではない。
Then, for example, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), an
また、発光素子用配線基板11に形成された搭載面9に、例えば発光素子21として、LEDチップ21などを搭載し、ボンディングワイヤ23により、LEDチップ21と接続端子3と電気的に接続して、給電することにより、発光素子21の放射する光を絶縁基体1や枠体13に反射させ、所定の方向へと誘導することができるため、高効率の発光装置25となる。また、金属体8の熱伝導率が高いため、発光素子21からの発熱を速やかに放出することができ、発熱による輝度低下を抑制できる。
Further, an
そして、本発明の発光素子用配線基板11を用いた発光装置25では、封止樹脂31が発光素子21、搭載面9および突起部8aを被覆し、張出部8bを取り囲むように形成されることで、これらを封止するとともに封止樹脂31を強固に発光素子用配線基板11に固定することができる。特に、搭載面9が突起部8aの端面に形成された場合には突起部8aにより発光素子21からの光が妨げられることもなくなるため光の取り出し効率が向上する。
In the
また、図2(a)、(b)に示すように、発光素子21を搭載した側の発光素子用配線基板11の主面1aに、枠体13を搭載した発光装置25では、枠体13の内側に発光素子21を収納することで、容易に発光素子21を保護することができる。
2A and 2B, in the
また、発光素子21は、封止樹脂31により被覆されているが、封止樹脂31と蓋体とを併用してもよい。なお、蓋体としては、ガラスなどの透光性の素材を用いることが望ましい。
Moreover, although the
なお、発光素子21を搭載する場合には、必要に応じて、この封止樹脂31に発光素子21が放射する光を波長変換するための蛍光体(図示せず)を添加してもよい。
In addition, when mounting the
また、本発明における封止部33とは封止樹脂31によって覆われる領域を意味するものであり、例えば図1、2では枠体13の内側の領域が封止部33にあたる。
Further, the sealing
また、以上説明した例では、貫通導体7を設けた例について説明したが、貫通導体7を設けない場合であってもよく、また、絶縁基体1が多層に積層されている形態であってもよいことは勿論である。
In the example described above, the example in which the through
また、以上説明した例では、全て、枠体13を設けた形態について説明しているが、枠体13を具備しない形態であってもよいのはいうまでもない。
Moreover, in the example demonstrated above, although the form which provided the
発光素子用配線基板の絶縁基体の原料粉末として純度99%以上、平均粒径が1μmのMgO粉末、純度99%以上、平均粒子径1μmのY2O3粉末を用いて、MgO粉末95質量%、Y2O35質量%の割合で原料粉末を混合し、成形用有機樹脂(バインダ)としてアクリル系バインダと、トルエンを溶媒として混合し、スラリーを調整した。 Using MgO powder with a purity of 99% or more and an average particle diameter of 1 μm, and Y 2 O 3 powder with a purity of 99% or more and an average particle diameter of 1 μm as a raw material powder for an insulating substrate of a wiring board for a light emitting device, 95% by mass of MgO powder The raw material powder was mixed at a ratio of 5% by mass of Y 2 O 3 , an acrylic binder as a molding organic resin (binder), and toluene as a solvent were mixed to prepare a slurry.
しかる後に、ドクターブレード法にてセラミックグリーンシートを作製した。 Thereafter, a ceramic green sheet was prepared by a doctor blade method.
また、平均粒子径2μmのW、Cu粉末、平均粒径1.0μmのAl2O3を用いて、W50質量%、Cu50質量%、Al2O35質量%の割合で金属粉末とアクリル系バインダとアセトンとを溶媒として混合し、導体ペーストを調製した。 Further, using W and Cu powder having an average particle diameter of 2 μm and Al 2 O 3 having an average particle diameter of 1.0 μm, the metal powder and the acrylic system at a ratio of W 50 mass%, Cu 50 mass%, and Al 2 O 3 5 mass% A binder and acetone were mixed as a solvent to prepare a conductor paste.
そして、上記のセラミックグリーンシートに対して、打ち抜き加工を施し、貫通導体を形成するための直径が100μmのビアホールを形成し、このビアホール内に、導体ペーストをスクリーン印刷法によって充填するとともに、配線パターン状に印刷塗布した。また、打ち抜き加工時にビアホールとともに、金属体を挿入するための貫通孔を形成した。 The ceramic green sheet is punched to form a via hole having a diameter of 100 μm for forming a through conductor, and the via hole is filled with a conductive paste by a screen printing method, and a wiring pattern is formed. Was printed and applied. In addition, a through hole for inserting a metal body was formed together with a via hole during punching.
このようにして作製したグリーンシートを組み合わせ、位置合わせし、積層圧着し、焼成後の寸法が、外形10mm×10mm×厚み0.6mmとなる積層体を作製した。 The green sheets thus produced were combined, aligned, laminated and pressure-bonded, and a laminate having dimensions after firing of 10 mm × 10 mm × 0.6 mm in thickness was produced.
なお、この積層体は、枠体を設けないもの、セラミック製の枠体を設けるもの、金属製の枠体を設けるものの3種類を作製した。 In addition, this laminated body produced three types, the thing which does not provide a frame, the thing which provides a ceramic frame, and the thing which provides a metal frame.
セラミック製の枠体を設けるものについては、積層体の発光素子が搭載される搭載面側には、10mm×10mm×2mmの外形寸法を有し、前記積層体と接する側の内径が4mm、逆側の内径が8mmのテーパー状の貫通穴を有する絶縁基体と同様の材質からなる枠体を形成した。なお、この枠体となる成形体は前記積層体と熱圧着にて一体物として形成した。 For the ceramic frame body, the mounting surface side on which the light emitting element of the multilayer body is mounted has an outer dimension of 10 mm × 10 mm × 2 mm, the inner diameter on the side in contact with the multilayer body is 4 mm, and reversely A frame made of the same material as that of the insulating substrate having a tapered through hole with an inner diameter of 8 mm on the side was formed. In addition, the molded object used as this frame was formed as an integral body by thermocompression bonding with the laminate.
また、金属製の枠体を設けるものについては、積層体の搭載面側の枠体と接する部分に導体ペーストをスクリーン印刷して金属層を形成した。 Moreover, about what provides a metal frame, the metal paste was screen-printed in the part which contact | connects the frame of the mounting surface side of a laminated body, and the metal layer was formed.
そして、枠体となる成形体と一体化した積層体を露点+25℃の窒素水素混合雰囲気にて900℃で脱脂を行った後、引き続き、露点+25℃の窒素水素混合雰囲気にて最高温度1400℃で2時間保持して焼成した。 And after degreasing the laminated body integrated with the molded body to be a frame body at 900 ° C. in a nitrogen-hydrogen mixed atmosphere having a dew point of + 25 ° C., subsequently, a maximum temperature of 1400 ° C. in a nitrogen-hydrogen mixed atmosphere having a dew point of + 25 ° C. And baked for 2 hours.
その後、接続端子並びに外部電極端子の表面にNi、Auめっきを順次施した。なお、MgOの耐薬品性がAl2O3などと比較すると低いため、めっき処理液の濃度を薄くし、めっき処理温度を低くして、発光素子用配線基板の表面状態が劣化しないようにして、本発明の発光素子用配線基板のめっき処理を行った。 Thereafter, Ni and Au plating were sequentially applied to the surfaces of the connection terminal and the external electrode terminal. Since the chemical resistance of MgO is lower than that of Al 2 O 3 or the like, the concentration of the plating treatment solution is reduced and the plating treatment temperature is lowered so that the surface state of the wiring board for light emitting elements does not deteriorate. Then, the plating treatment of the wiring board for light emitting device of the present invention was performed.
次に、金属製の枠体を設けた試料については、熱膨張係数が23×10−6/℃、熱伝導率が238W/m・KのAl製金属枠体を、半田を用いて枠体を絶縁基体に接合して作製した。 Next, for a sample provided with a metal frame, an Al metal frame having a thermal expansion coefficient of 23 × 10 −6 / ° C. and a thermal conductivity of 238 W / m · K is used to form a frame using solder. Was bonded to an insulating substrate.
なお、金属体は、図3(a)に示すように突起部側面のうち、側面上部に張出部を設けた形状並びに図3(b)に示すように側面中央部に張出部を設けた形状となるように切削加工した。なお、2種の金属体の寸法は図3に示す通りであり、いずれの金属体も略円柱のものを用いた。 In addition, the metal body is provided with a protruding portion at the center of the side surface as shown in FIG. Cutting was performed to obtain a new shape. Note that the dimensions of the two types of metal bodies are as shown in FIG. 3, and both of the metal bodies were substantially cylindrical.
なお、貫通孔の内壁に対して、金属体を挿入したときに金属体と貫通孔との間に50μmの隙間ができるように貫通孔は形成した。なお、表1に金属体の組成を示しているが、単独の金属元素を用いたものについては、純度99%以上の無垢金属体を用いている。また、Cu−Wと記載した金属体については、Cu20質量%、W質量80%の組成を用いた。 The through hole was formed so that a gap of 50 μm was formed between the metal body and the through hole when the metal body was inserted into the inner wall of the through hole. In addition, although the composition of the metal body is shown in Table 1, a solid metal body having a purity of 99% or more is used for those using a single metal element. Moreover, about the metal body described as Cu-W, the composition of Cu 20 mass% and W mass 80% was used.
次に、金属体の表面にエポキシ樹脂系接着剤をディスペンサーにて塗布し、このエポキシ樹脂系接着剤が塗布された金属体を絶縁基体の貫通孔に挿入した。その後、120℃、30分の条件で接着剤を硬化させて金属体と絶縁基体とを接合し、発光素子用配線基板を得た。 Next, an epoxy resin adhesive was applied to the surface of the metal body with a dispenser, and the metal body coated with the epoxy resin adhesive was inserted into the through hole of the insulating substrate. Thereafter, the adhesive was cured at 120 ° C. for 30 minutes to bond the metal body and the insulating substrate to obtain a wiring board for a light emitting element.
更に、これらの発光素子用配線基板の搭載面にエポキシ樹脂系接着剤をディスペンサーを用いて塗布し、外形寸法が0.6mm×0.6mm×0.1mmの出力1.5Wの発光素子であるLEDチップを実装し、ボンディングワイヤによりLEDチップと接続端子とを結線し、さらに、LEDチップと接続端子とを熱膨張係数が40×10−6/℃のエポキシ樹脂からなる封止樹脂で覆い、発光装置を得た。 Further, an epoxy resin adhesive is applied to the mounting surface of the wiring board for these light emitting elements using a dispenser, and the light emitting element with an output of 1.5 W whose outer dimensions are 0.6 mm × 0.6 mm × 0.1 mm. The LED chip is mounted, the LED chip and the connection terminal are connected with a bonding wire, and the LED chip and the connection terminal are covered with a sealing resin made of an epoxy resin having a thermal expansion coefficient of 40 × 10 −6 / ° C. A light emitting device was obtained.
得られた発光装置を用いて、−55℃〜125℃の温度サイクル試験を1000サイクル行い、試験後、封止樹脂と絶縁基体間の接合界面の剥離状況を確認した。 Using the obtained light emitting device, a temperature cycle test of −55 ° C. to 125 ° C. was performed 1000 cycles, and after the test, the peeling state of the bonding interface between the sealing resin and the insulating substrate was confirmed.
また、発光装置に0.4Aの電流を通電し、1時間後に全放射束測定を行った。 Further, a current of 0.4 A was passed through the light emitting device, and the total radiant flux was measured after 1 hour.
また、比較例として、金属体を貫通孔に挿入し、接合する工程にかえて、金属体を挿入するための貫通孔に、先に作製した、W50とCuとAl2O3とを含有する導体ペーストを充填する工程、積層体と貫通孔に充填した導体ペーストとを同時焼成する工程とを行うとともに、実施例と同様の試験を行なった。この導体ペーストは同時焼成後、ボイドを含んでおり、また、内部に金属以外のセラミック粉末やガラス成分などを含有しているものである。すなわち、本発明請求範囲外である方法で得た緻密でなく、金属以外の成分を実質的に含有しているものである。 In addition, as a comparative example, in place of the step of inserting and joining the metal body into the through-hole, the through-hole for inserting the metal body contains W50, Cu, and Al 2 O 3 previously produced. The step of filling the conductor paste and the step of simultaneously firing the laminate and the conductor paste filled in the through holes were performed, and the same test as in the example was performed. This conductor paste contains voids after simultaneous firing, and contains ceramic powder and glass components other than metal inside. That is, it is not dense obtained by a method outside the scope of the present invention, but substantially contains components other than metals.
なお、比較例として作製した試料には、突起部も張出部も設けていない。 In addition, the sample produced as a comparative example is not provided with a protrusion or an overhang.
原料粉末として純度99%以上、平均粒径が1.0μmのAl2O3粉末、純度99%以上、平均粒子径1.3μmのMn2O3粉末、純度99%以上、平均粒径1.0μmのSiO2粉末を用いて、Al2O3粉末90質量%、Mn2O3粉末5質量%、SiO2粉末5質量%の割合で原料粉末を混合し、成形用有機樹脂(バインダ)としてアクリル系バインダと、トルエンを溶媒として混合し、スラリーを調整した。しかる後に、ドクターブレード法にてセラミックグリーンシートを作製した。
Al 2 O 3 powder having a purity of 99% or more and an average particle size of 1.0 μm as a raw material powder, Mn 2 O 3 powder having a purity of 99% or more and an average particle size of 1.3 μm, a purity of 99% or more, an average particle size of 1. using SiO 2 powder 0 .mu.m, Al 2 O 3 powder 90 wt%, Mn 2 O 3
また、導体ペーストは、MgOを主成分とする場合に用いたものと同じ原料を用いて、同じ工程、同じ割合で調整して作製した。 The conductor paste was prepared by using the same raw material as that used when MgO was the main component and adjusting the same process at the same rate.
そして、上記のセラミックグリーンシートに対して、打ち抜き加工を施し、貫通導体を形成するための直径が100μmのビアホールを形成し、このビアホール内に、導体ペーストをスクリーン印刷法によって充填するとともに、配線パターン状に印刷塗布した。また、打ち抜き加工時にビアホールとともに、金属体を挿入するための貫通孔を形成した。 The ceramic green sheet is punched to form a via hole having a diameter of 100 μm for forming a through conductor, and the via hole is filled with a conductive paste by a screen printing method, and a wiring pattern is formed. Was printed and applied. In addition, a through hole for inserting a metal body was formed together with a via hole during punching.
このようにして作製したグリーンシートを組み合わせ、位置合わせし、積層圧着し、焼成後の寸法が、外形10mm×10mm×厚み0.6mmの積層体を作製した。 The green sheets thus produced were combined, aligned, laminated and pressure-bonded, and a laminate having dimensions after firing of 10 mm × 10 mm × 0.6 mm in thickness was produced.
そして、露点+25℃の窒素水素混合雰囲気にて900℃で脱脂を行った後、引き続き、露点+25℃の窒素水素混合雰囲気にて1300℃の最高温度で2時間保持して焼成した。 And after performing degreasing | defatting at 900 degreeC in nitrogen-hydrogen mixed atmosphere with dew point +25 degreeC, it continued and baked by hold | maintaining at the highest temperature of 1300 degreeC for 2 hours in nitrogen-hydrogen mixed atmosphere with dew point +25 degreeC.
その後、接続端子並びに外部電極端子の表面にNi、Auめっきを順次施した。 Thereafter, Ni and Au plating were sequentially applied to the surfaces of the connection terminal and the external electrode terminal.
実施例2においては金属製の枠体を用いた。用いた枠体の材質としては、熱膨張係数が23×10−6/℃、熱伝導率が238W/m・KのAl製金属枠体を用いた。また、金属製の枠体については、接続端子並びに外部電極端子を形成する導体ペーストを用いて、絶縁基体の搭載面側の枠体が搭載される部分に金属層を形成したのち、半田を用いて枠体を絶縁基体に接合して作製した。 In Example 2, a metal frame was used. As the material of the frame used, an Al metal frame having a thermal expansion coefficient of 23 × 10 −6 / ° C. and a thermal conductivity of 238 W / m · K was used. In addition, for the metal frame, a solder paste is used after forming a metal layer on the portion where the frame on the mounting surface side of the insulating substrate is mounted using a conductive paste that forms connection terminals and external electrode terminals. The frame body was bonded to an insulating substrate.
また、金属体に関しても、MgOを主成分とした場合と同様に、図3に示す形態のものを用いた。そして、実施例1と同様の工程で、絶縁基体と金属体をエポキシ樹脂系の接着剤にて接合し発光素子用配線基板を得た。なお、絶縁基体の熱膨張係数は7.5×10−6であった。 Further, the metal body having the form shown in FIG. 3 was used as in the case of using MgO as a main component. Then, in the same process as in Example 1, the insulating substrate and the metal body were joined with an epoxy resin adhesive to obtain a wiring board for a light emitting element. The thermal expansion coefficient of the insulating substrate was 7.5 × 10 −6 .
これらの発光素子用配線基板に接合剤としてエポキシ樹脂をディスペンサーを用いて塗布し、外形寸法が0.6mm×0.6mm×0.1mmの出力1.5Wの発光素子であるLEDチップを搭載面に実装し、ボンディングワイヤによりLEDチップと接続端子とを結線し、さらに、LEDチップと接続端子とを熱膨張係数が40×10−6/℃のエポキシ樹脂からなる封止樹脂で覆い、発光装置を得た。 An epoxy resin as a bonding agent is applied to these light emitting element wiring boards using a dispenser, and an LED chip which is a light emitting element with an outer dimension of 0.6 mm × 0.6 mm × 0.1 mm and an output of 1.5 W is mounted on the surface. The LED chip and the connection terminal are connected with a bonding wire, and the LED chip and the connection terminal are covered with a sealing resin made of an epoxy resin having a thermal expansion coefficient of 40 × 10 −6 / ° C. Got.
得られた発光装置を、−55℃〜125℃の温度サイクル試験を1000サイクル行い、試験後、封止樹脂と絶縁基体間の接合界面の剥離状況を確認した。 The obtained light emitting device was subjected to a temperature cycle test of −55 ° C. to 125 ° C. for 1000 cycles, and after the test, the peeling state of the bonding interface between the sealing resin and the insulating substrate was confirmed.
また、発光装置に0.4Aの電流を通電し、1時間後に全放射束測定を行った。 Further, a current of 0.4 A was passed through the light emitting device, and the total radiant flux was measured after 1 hour.
以上の工程により作製した発光素子用配線基板の特性と、試験結果を表1に示す。
表1に示すように、緻密でなく、金属以外の成分を実質的に含有している金属体を用い、突起部のない本発明の範囲外である試料No.1では、緻密で金属以外の成分を実質的に含有していない金属体を用いた本発明の試料No.2よりも、発光装置としての放熱性、光特性に劣ることがわかる。また、封止樹脂の剥離も確認された。 As shown in Table 1, Sample No. which is not dense and uses a metal body substantially containing a component other than metal and has no protrusions and is outside the scope of the present invention. 1, sample No. 1 of the present invention using a dense metal body substantially free of components other than metal. It can be seen that the heat dissipation and light characteristics of the light emitting device are inferior to those of 2. Moreover, peeling of the sealing resin was also confirmed.
一方、本発明の発光素子用配線基板である試料No.2〜26は、絶縁基体の熱伝導率の影響は受けるものの、ボイドや、セラミック粉末などの熱伝導を阻害する要因を排除した緻密な金属体を用いることで、優れた放熱性、光特性を有する発光装置となり、封止樹脂の剥離も確認されなかった。 On the other hand, Sample No. which is a wiring board for a light emitting element of the present invention. Nos. 2 to 26 are affected by the thermal conductivity of the insulating substrate, but by using a dense metal body that eliminates the factors that hinder thermal conduction such as voids and ceramic powder, excellent heat dissipation and optical characteristics can be obtained. The light-emitting device had, and peeling of the sealing resin was not confirmed.
1・・・絶縁基体
2・・・貫通孔
3・・・接続端子
5・・・外部電極端子
7・・・貫通導体
8・・・金属体
9・・・搭載面
11・・発光素子用配線基板
13・・枠体
13a・・枠体の内壁面
17・・・金属層
18・・・ 接合層
21・・・発光素子
23・・・ワイヤボンド
25・・・発光装置
29・・・接合剤
31・・・封止樹脂
33・・・封止部
DESCRIPTION OF
Claims (5)
A light emitting element is mounted on the mounting surface of the wiring board for a light emitting element according to claim 1, and a sealing resin covers the light emitting element, the mounting surface, and the protrusion, and the A light emitting device characterized by surrounding an overhanging portion.
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